JP4564454B2 - Coating method, coating apparatus, and coating program - Google Patents

Coating method, coating apparatus, and coating program Download PDF

Info

Publication number
JP4564454B2
JP4564454B2 JP2006010762A JP2006010762A JP4564454B2 JP 4564454 B2 JP4564454 B2 JP 4564454B2 JP 2006010762 A JP2006010762 A JP 2006010762A JP 2006010762 A JP2006010762 A JP 2006010762A JP 4564454 B2 JP4564454 B2 JP 4564454B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
nozzle
coating
scanning
distance interval
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006010762A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007190483A (en
Inventor
直紀 藤田
庸元 緒方
幸浩 若元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006010762A priority Critical patent/JP4564454B2/en
Priority to TW096101501A priority patent/TWI313193B/en
Priority to KR1020070005581A priority patent/KR101346887B1/en
Priority to CN2007100040225A priority patent/CN101003041B/en
Publication of JP2007190483A publication Critical patent/JP2007190483A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4564454B2 publication Critical patent/JP4564454B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、長尺形のノズルを用いて被処理基板上に処理液の塗布膜を形成する塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムに関する。   The present invention relates to a coating method, a coating apparatus, and a coating processing program for forming a coating film of a processing liquid on a substrate to be processed using a long nozzle.

LCD等のフラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを走査して被処理基板(ガラス基板等)上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。   In a photolithography process in the manufacturing process of flat panel displays (FPD) such as LCD, a long resist nozzle having a slit-like discharge port is scanned to apply a resist solution onto a substrate to be processed (glass substrate or the like). A spinless coating method is often used.

このようなスピンレス塗布法は、たとえば特許文献1に開示されるように、載置台またはステージ上に基板を水平に載置して、このステージ上の基板と長尺形レジストノズルの吐出口との間に数100μm以下の微小なギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する。長尺形レジストノズルを基板の一端から他端まで1回移動させるだけで、レジスト液を基板の外に落とさずに所望の膜厚でレジスト塗布膜を基板上に形成することができる。
特開平10−156255
In such a spinless coating method, for example, as disclosed in Patent Document 1, a substrate is placed horizontally on a mounting table or a stage, and a substrate on the stage and a discharge port of a long resist nozzle are formed. A minute gap of several hundred μm or less is set between them, and the resist nozzle is moved in the scanning direction (generally in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle) above the substrate, and the resist solution is discharged onto the substrate in a band shape and applied. By simply moving the long resist nozzle once from one end to the other end of the substrate, the resist coating film can be formed on the substrate with a desired film thickness without dropping the resist solution outside the substrate.
JP-A-10-156255

従来のスピンレス塗布法は、レジスト塗布膜の膜厚制御に改善の余地があり、特に面内均一性が課題となっている。具体的には、塗布走査の終端部においてレジスト液供給源のポンプを止めてそのままレジストノズルを基板の外側または上方へ退避させるだけでは、レジストノズル内のレジスト液が基板上のレジスト液膜に繋がったまま吐き出されてから液切りが行われるため、塗布走査方向の基板後端部でレジスト塗布膜が盛り上がりやすいという問題がある。   In the conventional spinless coating method, there is room for improvement in the control of the film thickness of the resist coating film, and in-plane uniformity is particularly a problem. Specifically, the resist solution in the resist nozzle is connected to the resist solution film on the substrate only by stopping the pump of the resist solution supply source at the end of the coating scan and withdrawing the resist nozzle as it is outside or above the substrate. Since the liquid is drained after being discharged, there is a problem that the resist coating film tends to rise at the rear end portion of the substrate in the coating scanning direction.

一般に、基板上面(被処理面)の周縁部に所定幅のマージン領域が設定され、そのマージン領域の内側の製品領域にデバイスが形成される。したがって、レジスト塗布処理においては、製品領域がレジスト塗布膜の膜厚を保証しなければならない保証領域であり、保証領域の全域でレジスト塗布膜の膜厚が所定の許容範囲内に収まっていればよく、周辺のマージン領域内に許容範囲を超える盛り上がりが生じても、レジスト塗布膜の膜厚プロファイルが不良であることにはならない。   Generally, a margin area having a predetermined width is set at the peripheral edge of the upper surface (surface to be processed) of the substrate, and a device is formed in a product area inside the margin area. Therefore, in the resist coating process, if the product area is a guaranteed area where the film thickness of the resist coating film must be guaranteed, and the film thickness of the resist coating film is within a predetermined allowable range throughout the guaranteed area. In general, even if a bulge exceeding the allowable range occurs in the peripheral margin region, the film thickness profile of the resist coating film does not become defective.

もっとも、マージン領域に塗布された周辺レジストはパーティクルの原因となるおそれがあるため、周辺露光機等を用いて後工程で除去するようにしている。しかし、レジストの膜厚が大きいとこれを十全に除去しきれないことがあり、この点で上記のような塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の盛り上がりが問題となる。   However, since the peripheral resist applied to the margin area may cause particles, it is removed in a subsequent process using a peripheral exposure machine or the like. However, if the resist film thickness is large, it may not be able to be removed completely. In this respect, the swell of the resist coating film at the coating scanning end portion becomes a problem.

このような塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の盛り上がりを抑制するために、塗布走査の終了位置を基板上に設定してそこにレジストノズルをいったん停止させ、ノズル停止または静止状態の下でレジスト液供給源のポンプを逆転させることにより基板上からレジスト液を吸い取る、いわゆるサックバック法が従来から行われている。   In order to suppress the swell of the resist coating film at the coating scanning end portion, the coating scanning end position is set on the substrate, the resist nozzle is temporarily stopped there, and the resist solution is stopped or stopped at rest. A so-called suck back method has been conventionally performed in which a resist solution is sucked from a substrate by reversing a pump of a supply source.

ところが、従来技術の下でサックバック法を用いると、レジストノズルを介したレジスト液の吸い取りによるレジスト塗布膜の薄膜化がマージン領域内に止まらず膜厚保証領域にも及んで、膜厚保証領域内のレジスト膜厚が設定値または許容範囲以下に低下するおそれがあった。   However, when the suck-back method is used under the conventional technology, the thinning of the resist coating film by absorbing the resist solution through the resist nozzle does not stop within the margin area, but extends to the film thickness guarantee area. There was a possibility that the resist film thickness of the inside would fall below a set value or an allowable range.

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、長尺形ノズルを用いるスピンレス塗布法において塗布走査終了部付近の膜厚制御性を改善して塗布品質を向上させる塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and is a coating that improves coating quality by improving film thickness controllability near the coating scanning end portion in a spinless coating method using a long nozzle. It is an object to provide a method, a coating apparatus, and a coating processing program.

上記の目的を達成するために、本発明の第1の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。   In order to achieve the above object, in the first coating method of the present invention, the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap therebetween, and A coating method for forming a coating film of the processing liquid on the substrate by performing coating scanning in which the nozzle is moved relatively in a horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle, wherein the nozzle is formed on the substrate. A step of setting a scanning end point position for relatively stopping and a second horizontal movement speed higher than the first horizontal movement speed from the first horizontal movement speed at a final stage of the coating scan. Increasing the horizontal movement speed to a horizontal horizontal movement speed and then decreasing the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scanning end position; Scanning Reducing a gap between the substrate and the nozzle from a first distance interval to a second distance interval smaller than the first distance interval; and after the end or end of the application scan, A step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate, and a step of causing the nozzle that arrives at the scanning end position to suck a predetermined amount of the processing liquid on the substrate.

本発明の第1の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで所定の減速率で減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。   A first coating apparatus according to the present invention includes a substrate support unit for supporting a substrate to be processed substantially horizontally and a long length for discharging a processing liquid across a small gap on the upper surface of the substrate during coating scanning. Shaped nozzle, a processing liquid supply source for pumping the processing liquid to the nozzle during application scanning, and a scanning unit for moving the nozzle relative to the substrate during application scanning And an elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate, and the scanning unit to control the horizontal movement of the nozzle relative to the substrate at the end of coating scanning. The speed is increased once from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then a predetermined deceleration from the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero. Reduce the nozzle at a rate At the end of the application scan, the gap between the substrate and the nozzle is set to a predetermined scanning end point position, and the gap between the substrate and the nozzle is set to a second distance interval smaller than the first distance interval. And the processing liquid supply source is controlled to stop the pumping of the processing liquid to the nozzle after the end or end of the coating scan, and the process on the substrate through the nozzle arrived at the scanning end point position. And a controller that sucks a predetermined amount of liquid.

本発明の第1の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで所定の垂直移動速度で減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。   In the first coating processing program of the present invention, the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the processing liquid is supplied from the nozzle to the substrate. A coating processing program for performing coating scanning for moving the nozzle in a relatively horizontal direction to form a coating film of the processing liquid on the substrate, and relatively stopping the nozzle on the substrate And a step of setting a scanning end point position, and at a final stage of the coating scan, a relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is changed from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed. Increasing and then decreasing from the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scanning end position; Reducing the gap between the substrate and the nozzle from a first distance interval to a smaller second distance interval at a predetermined vertical movement speed at a final stage of inspection; After the completion, a step of stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate and a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate by the nozzle that arrives at the scanning end point position are executed.

上記第1の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおいては、長尺形のノズルが微小なギャップを介して基板上に処理液を帯状に吐出しながら水平方向に相対的に移動することにより、走査方向において基板の前端側から後端側に向かって処理液の塗布膜が形成されていく。この塗布走査中、基板上に吐出された処理液がぬれ現象により走査方向においてノズルの背面下部に付着して高さ方向に広がり(盛り上がり)、ノズル長手方向に延びるメニスカスが形成される。そして、塗布走査の終盤に所定の走査位置またはタイミングで(好ましくは、基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、塗布走査の方向においてノズルが境界付近を通過するタイミングで)、走査速度を瞬間的に上昇(急加速)させることにより、それまでノズルの背面下部に付着または追従してきたメニスカスの処理液盛り上がり部をノズルから分離せしめて、走査方向においてノズルの後方に置き去りにする。そして、走査終了直後に基板上の走査終点位置でノズルに処理液の吸い取りつまりサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分な処理液を取り除き、その際にサックバックの影響(吸い取り作用)を上記置き去りの処理液盛り上がり部でキャンセルすることによって、基板上の膜厚保証領域内の膜厚が許容範囲以下になるのを防止する。   In the first coating method, the coating apparatus, and the coating processing program, the long nozzle relatively moves in the horizontal direction while discharging the processing liquid onto the substrate in a band shape through a minute gap. A coating film of the processing liquid is formed from the front end side to the rear end side of the substrate in the scanning direction. During this application scanning, the processing liquid discharged onto the substrate adheres to the lower back of the nozzle in the scanning direction due to the wetting phenomenon, spreads in the height direction (swells), and forms a meniscus extending in the longitudinal direction of the nozzle. The film thickness of the coating film should be guaranteed at the end of coating scanning at a predetermined scanning position or timing (preferably inside a boundary passing through a position offset from the outer peripheral edge of the substrate by a predetermined distance toward the center of the substrate) By setting the area and at the timing when the nozzle passes near the boundary in the direction of application scanning, the scanning speed is instantaneously increased (rapid acceleration), so that the meniscus that has adhered or followed the lower back of the nozzle until then. The rising portion of the processing liquid is separated from the nozzle and left behind in the scanning direction. Immediately after the end of scanning, the processing liquid is sucked or sucked back at the scanning end position on the substrate to remove excess processing liquid at the coating scanning end portion, and the influence of sucking back (sucking action) at that time Is canceled at the left-up processing liquid swell portion, the film thickness in the film thickness guarantee region on the substrate is prevented from becoming below the allowable range.

本発明の第2の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。   In the second coating method of the present invention, the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap therebetween, and the processing liquid is supplied from the nozzle to the substrate. A coating method for forming a coating film of the treatment liquid on the substrate by performing a coating scan in which the nozzle is relatively moved in the horizontal direction, and a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate And at the end of the application scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is reduced from the first horizontal movement speed to a second horizontal movement speed substantially equal to zero. In the final stage of the application scanning, the gap between the substrate and the nozzle is changed from the first distance interval to the second distance larger than the first distance interval. Up to distance Increasing and then decreasing from the second distance interval to a third distance interval that is smaller than the first distance interval, and processing the substrate from the nozzle at the end or end of the application scan. A step of stopping the supply of the liquid, and a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate by the nozzle at the scanning end point position.

本発明の第2の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布処理中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布処理中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布処理中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。   The second coating apparatus of the present invention includes a substrate support part for supporting the substrate to be processed substantially horizontally and a long length for discharging the processing liquid with a small gap on the upper surface of the substrate during the coating process. Shaped nozzle, a processing liquid supply source for pumping the processing liquid to the nozzle during the coating process, and a scanning unit for moving the nozzle in a horizontal direction relative to the substrate during the coating process And an elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate, and the scanning unit to control the horizontal movement of the nozzle relative to the substrate at the end of coating scanning. The speed is decreased from the first horizontal movement speed to a second horizontal movement speed substantially equal to zero, the nozzle is placed at a preset scanning end position, and the elevating unit is controlled to perform application scanning. In the final stage of the substrate and the nozzle Is increased from a first distance interval to a larger second distance interval, and then decreased from the second distance interval to a third distance interval smaller than the first distance interval, A processing liquid supply source is controlled to stop the pumping of the processing liquid to the nozzle after the end or end of coating scanning, and a predetermined amount of processing liquid on the substrate is passed through the nozzle at the scanning end position. And a control unit for sucking.

また、本発明の第2の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。   Further, the second coating processing program of the present invention causes the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle to face each other almost horizontally with a small gap, and supplies the processing liquid to the substrate from the nozzle. A coating processing program for forming a coating film of the processing liquid on the substrate by performing coating scanning that relatively moves the nozzle in the horizontal direction, and relatively moving the nozzle on the substrate. And setting the scanning end point position to be stopped at the end of the coating scanning, and the second horizontal movement speed of the nozzle relative to the substrate is substantially equal to zero from the first horizontal movement speed. Reducing the horizontal movement speed to place the nozzle at the scanning end position, and at the end of the coating scan, the gap between the substrate and the nozzle is reduced between the first distance and the gap. Increasing from the first distance interval to a larger second distance interval and then decreasing from the second distance interval to a third distance interval smaller than the first distance interval; Thereafter, a step of stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate and a step of causing the nozzle that has arrived at the scanning end position to absorb a predetermined amount of the processing liquid on the substrate are executed.

上記第2の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおいては、長尺形のノズルが微小なギャップを介して基板上に処理液を帯状に吐出しながら水平方向に相対的に移動することにより、走査方向において基板の前端側から後端側に向かって処理液の塗布膜が形成されていく。この塗布走査中、基板上に吐出された処理液がぬれ現象により走査方向においてノズルの背面下部に付着して高さ方向に広がり(盛り上がり)、ノズル長手方向に延びるメニスカスが形成される。そして、塗布走査の終盤に所定の走査位置またはタイミングで(好ましくは、基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、塗布走査の方向においてノズルが境界付近を通過するタイミングで)、塗布ギャップが瞬間的に増大することにより、処理液の側縁部が内側にくびれて膜厚もそのぶん高くなる。これによって、その直後にノズルと基板との間で走査速度の減速と塗布ギャップの縮小とを同時的に行っても、基板上の走査方向において製品領域と非製品領域との境界付近で塗布膜のサイド方向の広がりを防止ないし抑制することができる。そして、走査終了直後に基板上の走査終点位置でノズルに処理液の吸い取りつまりサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分な処理液を取り除き、その際にサックバックの影響(吸い取り作用)を上記くびれ部でキャンセルすることによって、基板上の膜厚保証領域内の処理液の膜厚が許容範囲以下になるのを防止する。   In the second coating method, the coating apparatus, and the coating processing program, the long nozzle moves relatively in the horizontal direction while discharging the processing liquid onto the substrate in a band shape through a minute gap. A coating film of the processing liquid is formed from the front end side to the rear end side of the substrate in the scanning direction. During this application scanning, the processing liquid discharged onto the substrate adheres to the lower back of the nozzle in the scanning direction due to the wetting phenomenon, spreads in the height direction (swells), and forms a meniscus extending in the longitudinal direction of the nozzle. The film thickness of the coating film should be guaranteed at the end of coating scanning at a predetermined scanning position or timing (preferably inside a boundary passing through a position offset from the outer peripheral edge of the substrate by a predetermined distance toward the center of the substrate) When the area is set and the nozzle passes near the boundary in the direction of application scanning), the coating gap instantaneously increases, so that the side edge of the processing liquid is constricted inward, and the film thickness is increased accordingly. . As a result, even if the scanning speed is reduced and the coating gap is reduced simultaneously between the nozzle and the substrate immediately thereafter, the coating film is formed near the boundary between the product region and the non-product region in the scanning direction on the substrate. The spread in the side direction can be prevented or suppressed. Immediately after the end of scanning, the processing liquid is sucked or sucked back at the scanning end position on the substrate to remove excess processing liquid at the coating scanning end portion, and the influence of sucking back (sucking action) at that time Is canceled at the constricted portion, the film thickness of the processing liquid in the film thickness guarantee region on the substrate is prevented from becoming below the allowable range.

本発明の第3の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。   In the third coating method of the present invention, the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap therebetween, and the processing liquid is supplied from the nozzle to the substrate. A coating method for forming a coating film of the processing liquid on the substrate by performing a scan in which the nozzle is relatively moved in the horizontal direction, wherein a scan end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate is set. And in the final stage of the coating scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is once increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then Reducing the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scanning end position; and at the end of the coating scan, the substrate and the nozzle With Increasing the first gap from a first distance interval to a larger second distance interval and then decreasing from the second distance interval to a third distance interval smaller than the first distance interval. And a step of stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate after the end or the end of the coating scan, and causing the nozzle that has reached the scanning end position to absorb a predetermined amount of the processing liquid on the substrate. Process.

本発明の第3の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度へいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。   The third coating apparatus of the present invention includes a substrate support part for supporting the substrate to be processed substantially horizontally and a long length for discharging the processing liquid with a small gap on the upper surface of the substrate during coating scanning. Shaped nozzle, a processing liquid supply source for pumping the processing liquid to the nozzle during application scanning, and a scanning unit for moving the nozzle relative to the substrate during application scanning And an elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate, and the scanning unit to control the horizontal movement of the nozzle relative to the substrate at the end of coating scanning. The speed is increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed and then decreased from the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero. Running the nozzle in advance At the end position, the lift is controlled to increase the gap between the substrate and the nozzle from the first distance interval to a larger second distance interval at the end of the coating scan. Then, the processing distance is decreased from the second distance interval to a third distance interval smaller than the first distance interval, and the processing liquid supply source is controlled so that the processing for the nozzle is performed at the end or after the end of the coating scan. And a controller that stops the pumping of the liquid and sucks a predetermined amount of the processing liquid on the substrate through the nozzle at the scanning end point position.

また、本発明の第3の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。   Further, the third coating processing program of the present invention causes the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle to face each other almost horizontally with a small gap, and supplies the processing liquid to the substrate from the nozzle. A coating processing program for forming a coating film of the processing liquid on the substrate by performing a scan that relatively moves the nozzle in the horizontal direction, and relatively moving the nozzle on the substrate. The step of setting the scanning end point position to be stopped and the second horizontal movement speed higher than the first horizontal movement speed from the first horizontal movement speed at the final stage of the application scanning, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate. And then reducing the second horizontal movement speed from the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scan end position; At the end of the scan, the gap between the substrate and the nozzle is increased once from a first distance interval to a second distance interval greater than the first distance interval, and then from the second distance interval to the first distance. Reducing to a third distance interval smaller than the interval, stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate after the end or end of the coating scan, and the nozzle that has arrived at the scan end point position And a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate.

上記第3の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムは、上記第1の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおける走査速度の加減速による膜厚制御法と上記第2の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおける塗布ギャップの増減による膜厚制御法とを併用するので、両者の相乗効果により基板上の製品領域内の膜厚均一性をより一層向上させることができる。   The third coating method, the coating apparatus, and the coating processing program are the film thickness control method by acceleration / deceleration of the scanning speed in the first coating method, the coating apparatus, and the coating processing program, the second coating method, the coating apparatus, and the like. Since the film thickness control method by increasing / decreasing the coating gap in the coating processing program is used in combination, the film thickness uniformity in the product region on the substrate can be further improved by the synergistic effect of both.

本発明の好適な一態様においては、塗布走査終端部における処理液の広がりと膜厚の安定性および再現性を高めるために、走査終点位置にノズルが着いた時から所定時間の経過後に処理液の吸い取りを開始する。   In a preferred aspect of the present invention, in order to improve the spread of the processing liquid at the coating scanning end portion and the stability and reproducibility of the film thickness, the processing liquid is used after a predetermined time has elapsed since the nozzle arrived at the scanning end position. Start sucking.

好適な一態様によれば、本発明の塗布装置において、基板支持部が、塗布領域内で基板を空中に浮かせるステージを有する。該塗布領域内では、ステージの上面に、気体を噴出する噴出口と気体を吸い込む吸引口とが多数混在して設けられる。ノズルは、水平搬送方向では塗布領域内の定位置に配置されてよい。走査部には、ステージ上で浮いた状態の基板を水平移動に対応する所定の搬送方向に搬送してノズルの直下を通過させる基板搬送部が備えられる。この基板搬送部は、基板の移動する方向と平行に延びるようにステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、このガイドレールに沿って移動可能なスライダと、このスライダをガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、スライダからステージの中心部に向かって延在し、基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部とを有する。また、好適な一態様として、昇降部が、ノズルを一体に支持するノズル支持部と、ノズルを任意の第1の高さ位置から任意の第2の高さ位置へ昇降移動させるためにノズル支持部と結合する電動アクチエータと、ノズルの重力をキャンセルするために前記ノズル支持部と結合するエアシリンダとを有する。   According to a preferred aspect, in the coating apparatus of the present invention, the substrate support section includes a stage that floats the substrate in the air in the coating region. In the coating region, a large number of jet ports for ejecting gas and suction ports for sucking gas are provided on the upper surface of the stage. The nozzle may be arranged at a fixed position in the application region in the horizontal conveyance direction. The scanning unit is provided with a substrate transport unit that transports the substrate floating on the stage in a predetermined transport direction corresponding to the horizontal movement and passes immediately below the nozzle. The substrate transport unit includes a guide rail disposed on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the direction of movement of the substrate, a slider movable along the guide rail, and the slider along the guide rail. It has a conveyance drive unit that drives to move, and a holding unit that extends from the slider toward the center of the stage and holds the side edge of the substrate in a detachable manner. Further, as a preferable aspect, the elevating unit includes a nozzle supporting unit that integrally supports the nozzle, and a nozzle support for moving the nozzle up and down from an arbitrary first height position to an arbitrary second height position. An electric actuator coupled to the nozzle and an air cylinder coupled to the nozzle support for canceling the gravity of the nozzle.

本発明の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムによれば、上記のような構成および作用により、長尺形ノズルを用いるスピンレス塗布法において塗布走査終了部付近の膜厚制御性を改善して塗布品質を向上させることができる。   According to the coating method, the coating apparatus, and the coating processing program of the present invention, the film thickness controllability in the vicinity of the coating scanning end portion is improved in the spinless coating method using the long nozzle by the above configuration and operation. Quality can be improved.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1に、本発明の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムの適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as a configuration example to which the coating method, the coating apparatus, and the coating processing program of the present invention can be applied. This coating / development processing system is installed in a clean room and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. is there. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション(C/S)10と、プロセスステーション(P/S)12と、インタフェース部(I/F)14とで構成される。   This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.

システムの一端部に設置されるカセットステーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容するカセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセットステージ16と、このカセットステージ16上の側方でかつカセットCの配列方向と平行に設けられた搬送路17と、この搬送路17上で移動自在でステージ16上のカセットCについて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えている。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 on which a predetermined number, for example, four cassettes C for storing a plurality of substrates G can be placed, and a side on the cassette stage 16. And a transport path 17 provided in parallel with the arrangement direction of the cassette C, and a transport mechanism 20 that is movable on the transport path 17 and that allows the substrate C to be taken in and out of the cassette C on the stage 16. The transport mechanism 20 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm, can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and is transported on the process station (P / S) 12 side described later. And the substrate G can be transferred.

プロセスステーション(P/S)12は、上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロセス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けている。   The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a cleaning process unit 22, a coating process unit 24, and a development process unit 26, a substrate relay unit 23, a chemical solution supply unit 25, and It is provided in a horizontal row via (spaced) the space 27.

洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含んでいる。   The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR) 28, an upper and lower ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL) 34. Contains.

塗布プロセス部24は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42と、上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。   The coating process unit 24 includes a spinless resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an upper and lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and an upper and lower two-stage heating / cooling. A unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP) 50 are included.

現像プロセス部26は、3つの現像ユニット(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)53と、加熱ユニット(HP)55とを含んでいる。   The development process unit 26 includes three development units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 53, and a heating unit (HP) 55.

各プロセス部22,24,26の中央部には長手方向に搬送路36,51,58が設けられ、搬送装置38,54,60がそれぞれ搬送路36,51,58に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入/搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部22,24,26において、搬送路36,51,58の一方の側に液処理系のユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置されている。   Conveying paths 36, 51, 58 are provided in the longitudinal direction at the center of each process unit 22, 24, 26, and the conveying devices 38, 54, 60 move along the conveying paths 36, 51, 58, respectively. Each unit in the process unit is accessed to carry in / out or carry the substrate G. In this system, in each process part 22, 24, 26, a liquid processing system unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 51, 58, and heat treatment is performed on the other side. System units (HP, COL, etc.) are arranged.

システムの他端部に設置されるインタフェース部(I/F)14は、プロセスステーション12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)56およびバッファステージ57を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構59を設けている。この搬送機構59は、Y方向に延在する搬送路19上で移動自在であり、バッファステージ57に対して基板Gの出し入れを行なうほか、イクステンション(基板受け渡し部)56や隣の露光装置と基板Gの受け渡しを行うようになっている。   The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12, and is transported to the side adjacent to the exposure apparatus. A mechanism 59 is provided. The transport mechanism 59 is movable on the transport path 19 extending in the Y direction, and is used to load and unload the substrate G with respect to the buffer stage 57, and to extend from the extension (substrate transfer unit) 56 and the adjacent exposure device. The substrate G is transferred.

図2に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)10において、搬送機構20が、カセットステージ16上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。   FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the cassette stage 16, and the cleaning process unit 22 of the process station (P / S) 12. It is transferred to the conveying device 38 (step S1).

洗浄プロセス部22において、基板Gは、先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。   In the cleaning process section 22, the substrate G is first sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the first ultraviolet irradiation unit (UV), and then subjected to the next cooling unit ( In COL), the temperature is cooled to a predetermined temperature (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface.

次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(SCR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(HP)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロセス部22における前処理が終了し、基板Gは、搬送装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセス部24へ搬送される。   Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transferred to the coating process unit 24 by the transfer device 38 via the substrate transfer unit 23.

塗布プロセス部24において、基板Gは、先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(AD)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。   In the coating process unit 24, the substrate G is first sequentially loaded into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and undergoes a hydrophobic treatment (HMDS) in the first adhesion unit (AD) (step S6). The cooling unit (COL) cools to a constant substrate temperature (step S7).

その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)40でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。   Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution by a spinless method in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process by reduced pressure in a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S8).

次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(HP/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行われ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を用いることもできる。   Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S9), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S10). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.

上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセス部24の搬送装置54と現像プロセス部26の搬送装置60とによってインタフェース部(I/F)14へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステンション56を介してプロセスステーション(P/S)12の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。   After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the transport device 54 of the coating process unit 24 and the transport device 60 of the development process unit 26, and is passed from there to the exposure apparatus (step). S11). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the substrate G. After the pattern exposure, the substrate G is returned from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14. The transport mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the development process unit 26 of the process station (P / S) 12 via the extension 56 (step S11).

現像プロセス部26において、基板Gは、現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット(HP/COL)53の1つに順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ステップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベーキングに加熱ユニット(HP)55を用いることもできる。   In the development process unit 26, the substrate G is subjected to development processing in any one of the development units (DEV) 52 (step S12), and then sequentially carried into one of the heating / cooling units (HP / COL) 53, Post baking is performed in the first heating unit (HP) (step S13), and then the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 55 can also be used for this post-baking.

現像プロセス部26での一連の処理が済んだ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の搬送装置60,54,38によりカセットステーション(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20によりいずれか1つのカセットCに収容される(ステップS1)。   The substrate G that has undergone a series of processing in the development process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 24, where the transfer mechanism 20 Is stored in one of the cassettes C (step S1).

この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)40に本発明を適用することができる。以下、図3〜図30につき本発明をレジスト塗布ユニット(CT)40に適用した一実施形態を説明する。   In this coating and developing system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating unit (CT) 40 of the coating process unit 24. An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) 40 will be described below with reference to FIGS.

図3に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40および減圧乾燥ユニット(VD)42の全体構成を示す。   FIG. 3 shows the overall configuration of the resist coating unit (CT) 40 and the vacuum drying unit (VD) 42 in this embodiment.

図3に示すように、支持台または支持フレーム70の上にレジスト塗布ユニット(CT)40と減圧乾燥ユニット(VD)42とがX方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FAで示すようにレジスト塗布ユニット(CT)40に搬入される。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理の済んだ基板Gは、支持台70上のガイドレール72に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム74により、矢印FBで示すように減圧乾燥ユニット(VD)42に転送される。減圧乾燥ユニット(VD)42で乾燥処理を終えた基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FCで示すように引き取られる。 As shown in FIG. 3, a resist coating unit (CT) 40 and a vacuum drying unit (VD) 42 are arranged in a horizontal row on the support base or support frame 70 in the X direction. New substrate G to be subjected to the coating process is carried into the resist coating unit (CT) 40 as indicated by the arrow F A by a conveying device 54 of the transport path 51 side (FIG. 1). Substrate G after completion of the coating process in the resist coating unit (CT) 40 is a transfer arm 74 which is movable in the X direction is guided by the guide rails 72 on the support table 70, a vacuum drying unit as indicated by the arrow F B (VD) 42. Substrate G having been subjected to the drying treatment in a vacuum drying unit (VD) 42 is drawn off as shown by the arrow F C by the transfer device 54 of the transport path 51 side (FIG. 1).

レジスト塗布ユニット(CT)40は、X方向に長く延びるステージ76を有し、このステージ76上で基板Gを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ76の上方に配置された長尺形のレジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面(被処理面)に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット(CT)40内の各部の構成および作用は後に詳述する。   The resist coating unit (CT) 40 includes a stage 76 that extends long in the X direction, and a long shape disposed above the stage 76 while carrying the substrate G in a flat flow on the stage 76 in the same direction. A resist solution is supplied onto the substrate G from the resist nozzle 78, and a resist coating film having a constant film thickness is formed on the upper surface (surface to be processed) of the substrate by a spinless method. The configuration and operation of each part in the unit (CT) 40 will be described in detail later.

減圧乾燥ユニット(VD)42は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ80と、この下部チャンバ80の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ80はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ82が配設され、底面の四隅には排気口83が設けられている。各排気口83は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ80に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。   The vacuum drying unit (VD) 42 includes a tray or shallow container type lower chamber 80 having an open upper surface, and a lid-shaped upper chamber configured to be tightly fitted or fitted to the upper surface of the lower chamber 80. (Not shown). The lower chamber 80 is substantially rectangular, and a stage 82 for placing and supporting the substrate G horizontally is disposed at the center, and exhaust ports 83 are provided at the four corners of the bottom surface. Each exhaust port 83 communicates with a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe (not shown). With the lower chamber 80 covered with the upper chamber, the sealed processing space in both chambers can be depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump.

図4および図5に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40内のより詳細な全体構成を示す。   4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.

この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ76が、従来のように基板Gを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Gを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ76の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部84が、ステージ76上で浮いている基板Gの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向(X方向)に基板Gを搬送するようになっている。   In the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment, the stage 76 does not function as a mounting table for fixing and holding the substrate G as in the prior art, but a substrate for floating the substrate G in the air by the force of air pressure. It functions as a levee. Then, the linear movement type substrate transport portions 84 arranged on both sides of the stage 76 hold both side edges of the substrate G floating on the stage 76 in a detachable manner, and the stage longitudinal direction (X direction) The substrate G is transferred to the substrate.

詳細には、ステージ76は、その長手方向(X方向)において5つの領域M1,M2,M3,M4,M5に分割されている(図5)。左端の領域M1は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Gはこの領域M1内の所定位置に搬入される。この搬入領域M1には、搬送装置54(図1)の搬送アームから基板Gを受け取ってステージ76上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン86が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン86は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部85(図13)によって昇降駆動される。 Specifically, the stage 76 is divided into five regions M 1 , M 2 , M 3 , M 4 , and M 5 in the longitudinal direction (X direction) (FIG. 5). The leftmost area M 1 is a carry-in area, and a new substrate G to be subjected to the coating process is carried into a predetermined position in this area M 1 . In this carry-in area M 1 , the substrate G is received from the transfer arm of the transfer device 54 (FIG. 1) and loaded onto the stage 76 so as to move up and down between the original position below the stage and the forward movement position above the stage. A plurality of possible lift pins 86 are provided at predetermined intervals. These lift pins 86 are driven up and down by, for example, a lift pin lift unit 85 (FIG. 13) for carrying in using an air cylinder (not shown) as a drive source.

この搬入領域M1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Gを搬入用の浮上高さまたは浮上量Haで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域M1における基板Gの浮上量Haは、特に高い精度を必要とせず、たとえば250〜350μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向(X方向)において、搬入領域M1のサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに搬入領域M1には、基板Gをステージ76上で位置合わせするためのアライメント部(図示せず)も設けられてよい。 The loading area M 1 is also the area substrate transfer of a floating starts, high-pressure or positive pressure to the stage upper surface of the region to float in flying height or flying height H a for carrying the substrate G A number of jet outlets 88 for jetting compressed air are provided at a constant density. Here, the flying height H a of the substrate G in the carrying region M 1 does not require a particularly high accuracy, for example if kept in the range of 250~350Myuemu. Further, it is preferable that the size of the carry-in area M 1 exceeds the size of the substrate G in the transport direction (X direction). Further, an alignment unit (not shown) for aligning the substrate G on the stage 76 may be provided in the carry-in area M 1 .

ステージ76の中心部に設定された領域M3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの塗布領域M3を通過する際に上方のレジストノズル78からレジスト液Rの供給を受ける。塗布領域M3における基板浮上量Hbはノズル78の下端(吐出口)と基板上面(被処理面)との間の塗布ギャップS(たとえば240μm)を規定する。この塗布ギャップSはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域M3のステージ上面には、たとえば図6に示すような配列または分布パターンで、基板Gを所望の浮上量Hbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88と負圧で空気を吸い込む吸引口90とを混在させて設けている。そして、基板Gの塗布領域M3内を通過している部分に対して、噴出口88から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に吸引口90より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上量Hbを設定値HS(たとえば50μm)付近に維持するようにしている。搬送方向(X方向)における塗布領域M3のサイズは、レジストノズル78の直下に上記のような狭い塗布ギャップSを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Gのサイズよりも小さくてよく、たとえば1/3〜1/4程度でよい。 A region M 3 set at the center of the stage 76 is a resist solution supply region or a coating region, and the substrate G is supplied with the resist solution R from the upper resist nozzle 78 when passing through the coating region M 3 . The substrate flying height Hb in the coating region M 3 defines a coating gap S (for example, 240 μm) between the lower end (discharge port) of the nozzle 78 and the upper surface of the substrate (surface to be processed). The coating gap S is an important parameter that affects the film thickness of the resist coating film and the resist consumption, and must be kept constant with high accuracy. From this, on the upper surface of the stage of the application region M 3 , for example, a jet that ejects high-pressure or positive-pressure compressed air to float the substrate G with a desired flying height H b in an arrangement or distribution pattern as shown in FIG. An outlet 88 and a suction port 90 for sucking air with a negative pressure are mixed and provided. Then, a vertical upward force due to compressed air is applied from the jet outlet 88 to a portion passing through the coating region M 3 of the substrate G, and simultaneously a vertical downward force due to a negative pressure suction force is applied from the suction port 90. Thus, by controlling the balance between the opposing forces, the flying height Hb for coating is maintained in the vicinity of the set value H S (for example, 50 μm). The size of the coating region M 3 in the transport direction (X direction) is sufficient if it has a margin enough to stably form the narrow coating gap S as described above immediately below the resist nozzle 78, and is usually larger than the size of the substrate G. It may be small, for example, about 1/3 to 1/4.

図6に示すように、塗布領域M3においては、基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線C上に噴出口88と吸引口90とを交互に配し、隣接する各列の間で直線C上のピッチに適当なオフセットαを設けている。かかる配置パターンによれば、噴出口88および吸引口90の混在密度を均一にしてステージ上の基板浮上力を均一化できるだけでなく、基板Gが搬送方向(X方向)に移動する際に噴出口88および吸引口90と対向する時間の割合を基板各部で均一化することも可能であり、これによって基板G上に形成される塗布膜に噴出口88または吸引口90のトレースまたは転写跡が付くのを防止することができる。塗布領域M3の入口では、基板Gの先端部が搬送方向と直交する方向(Y方向)で均一な浮上力を安定に受けるように、同方向(直線J上)に配列する噴出口88および吸引口90の密度を高くするのが好ましい。また、塗布領域M3においても、ステージ76の両側縁部(直線K上)には、基板Gの両側縁部が垂れるのを防止するために、噴出口88のみを配置するのが好ましい。 As shown in FIG. 6, in the application region M 3 , the jet ports 88 and the suction ports 90 are alternately arranged on a straight line C that forms an angle inclined with respect to the substrate transport direction (X direction). An appropriate offset α is provided for the pitch on the straight line C between the columns. According to such an arrangement pattern, not only can the mixing density of the nozzles 88 and the suction ports 90 be made uniform, the substrate levitation force on the stage can be made uniform, but also when the substrate G moves in the transport direction (X direction). It is also possible to make the ratio of the time facing the 88 and the suction port 90 uniform in each part of the substrate, whereby the coating film formed on the substrate G is traced or transferred by the ejection port 88 or the suction port 90. Can be prevented. At the entrance of the coating region M 3 , the jet outlets 88 arranged in the same direction (on the straight line J) so that the tip of the substrate G stably receives a uniform levitation force in the direction (Y direction) perpendicular to the transport direction, and It is preferable to increase the density of the suction port 90. Also in the coating region M 3 , it is preferable to arrange only the ejection port 88 at both side edges (on the straight line K) of the stage 76 in order to prevent the both side edges of the substrate G from dripping.

再び図5において、搬入領域M1と塗布領域M3との間に設定された中間の領域M2は、搬送中に基板Gの浮上高さ位置を搬入領域M1における浮上量Haから塗布領域M3における浮上量Hbへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域M2内でもステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Gの浮上量が漸次的にHaからHbに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域M2においては、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。 5 again, the middle region M 2, which is set between the loading area M 1 and the application area M 3 are, coating the flying height of the substrate G during transport from the flying height H a of the loading area M 1 it is a transition region for changing or transition to flying height H b in the area M 3. Even in the transition region M 2 , the jet port 88 and the suction port 90 can be mixed and arranged on the upper surface of the stage 76. In that case, the density of the suction port 90 gradually increases along the conveying direction, whereby it as the flying height of the substrate G during transport moves in H b from progressively H a. Alternatively, in this transition region M 2 , a configuration in which only the ejection port 88 is provided without including the suction port 90 is also possible.

塗布領域M3の下流側隣の領域M4は、搬送中に基板Gの浮上量を塗布用の浮上量Hbから搬出用の浮上量Hc(たとえば250〜350μm)に変えるための遷移領域である。この遷移領域M4でも、ステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。また、図6に示すように、塗布領域M3と同様に遷移領域M4でも、基板G上に形成されたレジスト塗布膜に転写跡が付くのを防止するために、吸引口90(および噴出口88)を基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線E上に配置し、隣接する各列間で配列ピッチに適当なオフセットβを設ける構成が好ましい。 A region M 4 adjacent to the downstream side of the coating region M 3 is a transition region for changing the flying height of the substrate G from the flying height H b for coating to the flying height H c (for example, 250 to 350 μm) during transportation. It is. Even in the transition region M 4 , the ejection port 88 and the suction port 90 may be mixed on the upper surface of the stage 76, and in this case, the density of the suction port 90 should be gradually reduced along the transport direction. . Alternatively, a configuration in which only the ejection port 88 is provided without including the suction port 90 is also possible. In addition, as shown in FIG. 6, in the transition region M 4 as well as the coating region M 3 , the suction port 90 (and the spray nozzle 90) is used to prevent the transfer mark from being applied to the resist coating film formed on the substrate G. It is preferable that the outlet 88) is disposed on a straight line E that forms a certain inclined angle with respect to the substrate transport direction (X direction), and an appropriate offset β is provided in the arrangement pitch between adjacent rows.

ステージ76の下流端(右端)の領域M5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域M5内の所定位置または搬出位置から搬送アーム74(図3)によって下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)42(図3)へ搬出される。この搬出領域M5には、基板Gを搬出用の浮上量Hcで浮かせるための噴出口88がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Gをステージ76上からアンローディングして搬送アーム74(図3)へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン92が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン92は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部91(図13)によって昇降駆動される。 A region M 5 at the downstream end (right end) of the stage 76 is a carry-out region. The resist coating unit (CT) substrate G having received a coating process with 40, the transport arm 74 from a predetermined position or unloading position of the unloading area M 5 vacuum drying unit on the downstream side next (FIG. 3) (VD) 42 ( 3). In the carry-out area M 5 , a number of jet outlets 88 for floating the substrate G with a flying height H c for carrying out are provided on the upper surface of the stage at a constant density, and the substrate G is unloaded from the stage 76. Thus, a plurality of lift pins 92 that can be moved up and down between the original position below the stage and the forward movement position above the stage are provided at predetermined intervals for delivery to the transfer arm 74 (FIG. 3). These lift pins 92 are driven up and down by, for example, a lift pin lift unit 91 (FIG. 13) for carrying out using an air cylinder (not shown) as a drive source.

レジストノズル78は、ステージ76上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さで搬送方向と直交する水平方向(Y方向)に延びる長尺状のノズル本体の下端にスリット状の吐出口78aを有し、門形または逆さコ字形のノズル支持体130に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給機構170(図12、図13)からのレジスト液供給管94(図4)に接続されている。図4において、レジストノズル78を支持するための鉛直方向に延びる棒体136は、ノズル昇降機構75(図11、図13)の一部を構成している。   The resist nozzle 78 has a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end, and has a slit-like discharge port 78a at the lower end of a long nozzle body that extends in the horizontal direction (Y direction) perpendicular to the transport direction. And is attached to a nozzle-shaped or inverted U-shaped nozzle support 130 so as to be movable up and down, and is connected to a resist solution supply pipe 94 (FIG. 4) from the resist solution supply mechanism 170 (FIGS. 12 and 13). . In FIG. 4, a vertically extending rod 136 for supporting the resist nozzle 78 constitutes a part of the nozzle lifting mechanism 75 (FIGS. 11 and 13).

図4、図7および図8に示すように、基板搬送部84は、ステージ76の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール96と、各ガイドレール96上に軸方向(X方向)に移動可能に取り付けられたスライダ98と、各ガイドレール96上でスライダ98を直進移動させる搬送駆動部100と、各スライダ98からステージ76の中心部に向かって延びて基板Gの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部102とをそれぞれ有している。   As shown in FIGS. 4, 7, and 8, the substrate transport unit 84 includes a pair of guide rails 96 arranged in parallel on the left and right sides of the stage 76, and an axial direction (X direction) on each guide rail 96. A slider 98 movably attached to each other, a transport drive unit 100 for moving the slider 98 linearly on each guide rail 96, and right and left side edges of the substrate G extending from each slider 98 toward the center of the stage 76. And a holding portion 102 that holds the detachable holder.

ここで、搬送駆動部100は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部102は、基板Gの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド104と、先端部で吸着パッド104を支持し、スライダ98側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部106とをそれぞれ有している。吸着パッド104は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部106は各々の吸着パッド104を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド104およびパッド支持部106が独立した高さ位置で(異なる高さ位置でも)基板Gを安定に保持できるようになっている。   Here, the conveyance drive unit 100 is configured by a linear drive mechanism such as a linear motor. The holding unit 102 supports the suction pad 104 coupled to the lower surfaces of the left and right side edges of the substrate G by a vacuum suction force, and supports the suction pad 104 at the distal end, with the proximal end on the slider 98 side serving as a fulcrum. And a plate spring type pad support portion 106 that can be elastically deformed so that the height position of each can be changed. The suction pads 104 are arranged in a line at a constant pitch, and the pad support part 106 supports each suction pad 104 independently. As a result, the individual suction pads 104 and the pad support portions 106 can stably hold the substrate G at independent height positions (even at different height positions).

図7および図8に示すように、この実施形態におけるパッド支持部106は、スライダ98の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材108に取り付けられている。スライダ98に搭載されているたとえばエアシリンダからなるパッドアクチエータ109(図13)が、パッド昇降部材108を基板Gの浮上高さ位置よりも低い原位置(退避位置)と基板Gの浮上高さ位置に対応する往動位置(結合位置)との間で昇降移動させるようになっている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the pad support portion 106 in this embodiment is attached to a plate-like pad elevating member 108 attached to the inner surface of the slider 98 so as to be elevable. A pad actuator 109 (FIG. 13) made of an air cylinder, for example, mounted on the slider 98 moves the pad elevating member 108 from the original position (retracted position) lower than the flying height position of the substrate G and the flying height of the substrate G. It is configured to move up and down between the forward movement position (coupling position) corresponding to the position.

図9に示すように、各々の吸着パッド104は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体110の上面に複数個の吸引口112を設けている。これらの吸引口112はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド104には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管114が接続されている。これらのバキューム管114の管路116はパッド吸着制御部115(図13)の真空源にそれぞれ通じている。   As shown in FIG. 9, each suction pad 104 is provided with a plurality of suction ports 112 on the upper surface of a rectangular parallelepiped pad body 110 made of, for example, synthetic rubber. These suction ports 112 are slit-like long holes, but may be round or rectangular small holes. For example, a belt-like vacuum tube 114 made of synthetic rubber is connected to the suction pad 104. The pipe lines 116 of these vacuum pipes 114 respectively communicate with the vacuum source of the pad suction control unit 115 (FIG. 13).

保持部102においては、図4に示すように、片側一列の真空吸着パッド104およびパッド支持部106が1組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図10に示すように、切欠き部118を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部120を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド104を配置する一体型の構成も可能である。   As shown in FIG. 4, the holding unit 102 preferably has a separation type or completely independent type in which the vacuum suction pads 104 and the pad support units 106 on one side are separated for each set. However, as shown in FIG. 10, a single plate spring provided with a notch 118 is used to form a pad support portion 120 for one row on one side, and a vacuum suction pad 104 is placed on one row on the pad support portion 120. Configuration is also possible.

上記のように、ステージ76の上面に形成された多数の噴出口88およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構146(図11)、さらにはステージ76の塗布領域M3内に噴出口88と混在して形成された多数の吸引口90およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構148(図11)により、搬入領域M1や搬出領域M5では基板Gを搬入出や高速搬送に適した浮上量で浮かせ、塗布領域M3では基板Gを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量HSで浮かせるためのステージ基板浮上部145(図13)が構成されている。 As described above, the large number of jets 88 formed on the upper surface of the stage 76, the compressed air supply mechanism 146 (FIG. 11) for supplying compressed air for generating levitation force to them, and the coating region M 3 of the stage 76. A substrate G is carried in the carry-in area M 1 and the carry-out area M 5 by a large number of suction ports 90 formed in a mixed manner with the jet outlets 88 and a vacuum supply mechanism 148 (FIG. 11) for supplying vacuum pressure thereto. A stage substrate floating portion 145 (FIG. 13) for floating the substrate G at a set floating amount H S suitable for stable and accurate resist coating scanning is formed in the coating region M 3 . Has been.

図11に、ノズル昇降機構75、圧縮空気供給機構146およびバキューム供給機構148の構成を示す。ノズル昇降機構75は、塗布領域M3の上を搬送方向(X方向)と直交する水平方向(Y方向)に跨ぐように架設された門形支持体130と、この門形支持体130に取り付けられた鉛直直線運動機構132と、この鉛直直線運動機構132の移動体(昇降体)である角柱状の水平支持部材134とレジストノズル78とを結合するジョイント棒136とを有する。ここで、直線運動機構132の駆動部は、電動モータ138、ボールネジ140、ガイド部材142およびエアシリンダ144を有している。電動モータ138の回転力がボールネジ機構(140,142,134)によって鉛直方向の直線運動に変換され、昇降体の水平支持部材134と一体にノズル78が鉛直方向に昇降移動する。電動モータ138の回転量および回転停止位置によってレジストノズル78の昇降移動量および高さ位置を任意に制御できるようになっている。エアシリンダ144は、後述する塗布走査の終了直前でレジストノズル78を上昇移動させる際にレジストノズル78および水平支持部材134の重力をキャンセルするためのものであり、そのピストンロッド144aを水平支持部134の両端部に下から押し当てて高速上昇をアシストする。なお、ジョイント棒136を省いてレジストノズル78を水平支持部材134に直接結合する構成も可能である。 FIG. 11 shows configurations of the nozzle lifting mechanism 75, the compressed air supply mechanism 146, and the vacuum supply mechanism 148. The nozzle raising / lowering mechanism 75 is attached to the gate-shaped support body 130 and the portal-shaped support body 130 that is constructed so as to straddle the coating region M 3 in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction). And a joint rod 136 that couples a prismatic horizontal support member 134 that is a moving body (elevating body) of the vertical linear motion mechanism 132 and the resist nozzle 78. Here, the drive unit of the linear motion mechanism 132 includes an electric motor 138, a ball screw 140, a guide member 142, and an air cylinder 144. The rotational force of the electric motor 138 is converted into a vertical linear motion by the ball screw mechanism (140, 142, 134), and the nozzle 78 moves up and down integrally with the horizontal support member 134 of the lifting body. The moving amount and height position of the registration nozzle 78 can be arbitrarily controlled by the rotation amount and rotation stop position of the electric motor 138. The air cylinder 144 is for canceling the gravitational force of the registration nozzle 78 and the horizontal support member 134 when the registration nozzle 78 is moved up just before the end of the application scan described later, and the piston rod 144a is connected to the horizontal support portion 134. Assist the high-speed climb by pressing against both ends of the from below. A configuration in which the joint nozzle 136 is omitted and the resist nozzle 78 is directly coupled to the horizontal support member 134 is also possible.

圧縮空気供給機構146は、ステージ76上面で分割された複数のエリア別に噴出口88に接続された正圧マニホールド150と、それら正圧マニホールド150にたとえば工場用力の圧縮空気供給源152からの圧縮空気を送り込む圧縮空気供給管154と、この圧縮空気供給管154の途中に設けられるレギュレータ156とを有している。バキューム供給機構148は、ステージ76上面で分割された複数のエリア別に吸引口90に接続された負圧マニホールド158、それらの負圧マニホールド158にたとえば工場用力の真空源160からのバキュームを送り込むバキューム管162と、このバキューム管162の途中に設けられる絞り弁164とを有している。   The compressed air supply mechanism 146 includes a positive pressure manifold 150 connected to the jet outlet 88 for each of a plurality of areas divided on the upper surface of the stage 76, and compressed air from the compressed air supply source 152 of factory power, for example, to the positive pressure manifold 150. Compressed air supply pipe 154 and a regulator 156 provided in the middle of the compressed air supply pipe 154. The vacuum supply mechanism 148 includes a negative pressure manifold 158 connected to the suction port 90 for each of a plurality of areas divided on the upper surface of the stage 76, and a vacuum pipe that feeds vacuum from the vacuum source 160 of factory power into the negative pressure manifold 158. 162 and a throttle valve 164 provided in the middle of the vacuum pipe 162.

図12に、レジスト液供給機構170の構成を示す。このレジスト液供給機構170は、レジスト液Rを貯留するボトル172より吸入管174を介して少なくとも塗布処理1回分(基板1枚分)のレジスト液Rをレジストポンプ176に予め充填しておき、塗布処理時にレジストポンプ176よりレジスト液Rを吐出管またはレジスト液供給管94を介してレジストノズル78に所定の圧力で圧送し、レジストノズル78から基板G上にレジスト液Rを所定の流量で吐出するようになっている。   FIG. 12 shows the configuration of the resist solution supply mechanism 170. The resist solution supply mechanism 170 pre-fills the resist pump 176 with the resist solution R for at least one application process (for one substrate) from the bottle 172 storing the resist solution R through the suction pipe 174 to apply the resist solution R. At the time of processing, the resist solution R is sent from the resist pump 176 to the resist nozzle 78 through the discharge pipe or the resist liquid supply pipe 94 at a predetermined pressure, and the resist liquid R is discharged onto the substrate G from the resist nozzle 78 at a predetermined flow rate. It is like that.

ボトル172は密閉されており、ボトル内の液面に向けてガス管178より圧送ガスたとえばN2ガスが一定の圧力で供給されるようになっている。ガス管178には、たとえばエアオペレートバルブからなる開閉弁180が設けられている。 The bottle 172 is hermetically sealed, and pressurized gas such as N 2 gas is supplied at a constant pressure from the gas pipe 178 toward the liquid level in the bottle. The gas pipe 178 is provided with an on-off valve 180 made of an air operated valve, for example.

吸入管174の途中には、フィルタ182、脱気モジュール184および開閉弁186が設けられている。フィルタ182はボトル172から送られてくるレジスト液R中の異物(ごみ類)を除去し、脱気モジュール184はレジスト液中の気泡を除去する。開閉弁186は、たとえばエアオペレートバルブからなり、吸入管174におけるレジスト液Rの流れをオン(全開導通)またはオフ(遮断)する。   A filter 182, a deaeration module 184, and an on-off valve 186 are provided in the middle of the suction pipe 174. The filter 182 removes foreign matter (dust) in the resist solution R sent from the bottle 172, and the degassing module 184 removes bubbles in the resist solution. The on-off valve 186 is composed of, for example, an air operated valve, and turns on (fully opens) or turns off (cuts off) the flow of the resist solution R in the suction pipe 174.

レジスト液供給管94の途中には、開閉弁188が設けられている。フィルタやサックバックバルブは設けられていない。この開閉弁188は、たとえばエアオペレートバルブからなり、レジスト液供給管94におけるレジスト液Rの流れをオン(全開導通)またはオフ(遮断)する。   An open / close valve 188 is provided in the middle of the resist solution supply pipe 94. There is no filter or suckback valve. The on-off valve 188 is composed of, for example, an air operated valve, and turns on (fully opens) or turns off (cuts off) the flow of the resist solution R in the resist solution supply pipe 94.

レジストポンプ176は、たとえばシリンジポンプからなり、ポンプ室を有するポンプ本体190と、ポンプ室の容積を任意に変えるためのピストン192と、このピストン192を往復運動させるためのポンプ駆動部194とを有している。   The resist pump 176 includes, for example, a syringe pump, and includes a pump main body 190 having a pump chamber, a piston 192 for arbitrarily changing the volume of the pump chamber, and a pump drive unit 194 for reciprocating the piston 192. is doing.

図13に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における制御系の主要な構成を示す。コントローラ200は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にレジスト液供給機構170、ノズル昇降機構75、ステージ基板浮上部145、基板搬送部84(搬送駆動部100、パッド吸着制御部115、パッドアクチエータ109)、搬入用リフトピン昇降部85、搬出用リフトピン昇降部91等の個々の動作と全体の動作(シーケンス)を制御する。   FIG. 13 shows the main configuration of the control system in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment. The controller 200 is formed of a microcomputer, and each unit in the unit, in particular, a resist solution supply mechanism 170, a nozzle lifting mechanism 75, a stage substrate floating portion 145, a substrate transport unit 84 (a transport drive unit 100, a pad suction control unit 115, a pad actuator Eta 109), the lift pin lifting / lowering part 85 for loading, the lift pin lifting / lowering part 91 for unloading, and the like, and the overall operation (sequence) are controlled.

次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における塗布処理動作を説明する。   Next, the coating processing operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment will be described.

コントローラ200は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されている塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。   The controller 200 takes in and executes a coating process program stored in a storage medium such as an optical disk in the main memory, and controls a series of programmed coating process operations.

搬送装置54(図1)より未処理の新たな基板Gがステージ76の搬入領域M1に搬入されると、リフトピン86が往動位置で該基板Gを受け取る。搬送装置54が退出した後、リフトピン86が下降して基板Gを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ha(図5)まで降ろす。次いで、アライメント部(図示せず)が作動し、浮上状態の基板Gに四方から押圧部材(図示せず)を押し付けて、基板Gをステージ76上で位置合わせする。アライメント動作が完了すると、その直後に基板搬送部84においてパッドアクチエータ109が作動し、吸着パッド104を原位置(退避位置)から往動位置(結合位置)へ上昇(UP)させる。吸着パッド104は、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Gの側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。吸着パッド104が基板Gの側縁部に結合した直後に、アライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。 When the transport device 54 new substrate G (FIG. 1) than the untreated is carried into the carry-area M 1 stage 76, the lift pins 86 receives the substrate G at the forward position. After conveying device 54 has exited, the lift pins 86 are lowered down to a height position that is floating position H a for conveying the substrate G (Figure 5). Next, an alignment unit (not shown) is operated, and a pressing member (not shown) is pressed against the floating substrate G from four directions to align the substrate G on the stage 76. When the alignment operation is completed, the pad actuator 109 is actuated immediately after that in the substrate transport section 84, and the suction pad 104 is raised (UP) from the original position (retracted position) to the forward movement position (coupled position). The suction pad 104 is vacuumed from the front, and is bonded by a vacuum suction force as soon as it comes into contact with the side edge of the floating substrate G. Immediately after the suction pad 104 is coupled to the side edge of the substrate G, the alignment unit retracts the pressing member to a predetermined position.

次に、基板搬送部84は、保持部102で基板Gの側縁部を保持したままスライダ98を搬送始点位置から搬送方向(X方向)へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Gがステージ76上を浮いた状態で搬送方向(X方向)へ直進移動し、基板Gの前端部がレジストノズル78の直下付近の設定位置に着いたところで、基板搬送部84が第1段階の基板搬送を停止する。この時、ノズル昇降機構75は、レジストノズル78を上方の退避位置で待機させている。   Next, the substrate transport unit 84 moves the slider 98 straight from the transport start point position to the transport direction (X direction) at a relatively high constant speed while holding the side edge of the substrate G by the holding unit 102. In this way, the substrate G moves straight in the transport direction (X direction) while floating on the stage 76, and when the front end of the substrate G reaches a set position near the position immediately below the resist nozzle 78, the substrate transport unit 84 is the first. Stop substrate transfer in stages. At this time, the nozzle raising / lowering mechanism 75 waits for the resist nozzle 78 at the upper retracted position.

基板Gが止まると、ノズル昇降機構75が作動して、レジストノズル78を垂直下方に降ろし、ノズルの吐出口と基板Gとの距離間隔または塗布ギャップを初期値(たとえば60μm)に合わせる。次いで、レジスト液供給機構170がレジストノズル78より基板Gの上面に向けてレジスト液の吐出を開始させると同時に基板搬送部84も第2段階の基板搬送を開始し、一方でノズル昇降機構75がレジストノズル78を塗布ギャップが設定値SA(たとえば240μm)になるまで(たとえば0.1秒の間に)上昇させ、その後はそのまま基板Gを水平移動させる。この第2段階つまり塗布時の基板搬送には、比較的低速の第1の速度VA(たとえば50mm/s)が選ばれる。 When the substrate G stops, the nozzle raising / lowering mechanism 75 operates to lower the resist nozzle 78 vertically downward, and the distance between the nozzle discharge port and the substrate G or the coating gap is adjusted to the initial value (for example, 60 μm). Next, the resist solution supply mechanism 170 starts discharging the resist solution from the resist nozzle 78 toward the upper surface of the substrate G. At the same time, the substrate transport unit 84 also starts the second stage substrate transport, while the nozzle lifting mechanism 75 The resist nozzle 78 is raised until the coating gap reaches a set value S A (for example, 240 μm) (for example, for 0.1 second), and thereafter the substrate G is moved horizontally. A relatively low first speed V A (for example, 50 mm / s) is selected for the second stage, that is, the substrate conveyance during coating.

こうして、塗布領域M3内において、基板Gが水平姿勢で搬送方向(X方向)に一定速度VAで移動するのと同時に、長尺形のレジストノズル78が直下の基板Gに向けてレジスト液Rを一定のポンプ圧力PAで帯状に吐出することにより、図14に示すように基板Gの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜RMが形成されていく。この塗布走査中、基板G上に吐出されたレジスト液Rがぬれ現象によりレジストノズル78の片側の下部側面78bに付着して高さ方向に広がり(盛り上がり)、ノズル長手方向(Y方向)に延びるメニスカスRQが形成される。 Thus, in the coating region M 3 , the substrate G moves in a horizontal posture at a constant speed V A in the transport direction (X direction), and at the same time, the long resist nozzle 78 faces the substrate G directly below the resist solution. by discharging R a strip with a constant pump pressure P a, the coating film RM of the resist liquid toward the rear side from the front end side of the substrate G, as shown in FIG. 14 is gradually formed. During this coating scan, the resist solution R discharged onto the substrate G adheres to the lower side surface 78b on one side of the resist nozzle 78 due to the wetting phenomenon, spreads in the height direction (swells), and extends in the longitudinal direction of the nozzle (Y direction). A meniscus RQ is formed.

この実施形態では、塗布走査の終盤から終了直後にかけて、走査速度(基板搬送速度)、塗布ギャップおよびレジストポンプ178の圧力が、コントローラ200の制御の下で図15に示すような時間特性でそれぞれ変化する。より詳細には、レジストノズル78が基板G上に設定された所定の通過点X1を相対的に通過した時点t1から、コントローラ200の制御の下で基板搬送部84が走査速度(基板搬送速度)をそれまでの第1の速度VA(50mm/s)からそれよりも一段高い第2の速度VB(たとえば70mm/s)まで所定の加速度(たとえば200mm/s2)でいったん上昇させる。そうすると、図16に示すように、レジストノズル78の下部側面78bにそれまで付着または追従してきたメニスカスのレジスト液盛り上がり部RQが、走査速度の一瞬の上昇(急加速)によってレジストノズル78から分離し、そのままレジストノズル78から遠ざかる。 In this embodiment, the scanning speed (substrate conveyance speed), the coating gap, and the pressure of the resist pump 178 change with time characteristics as shown in FIG. To do. More specifically, from the time point t 1 when the registration nozzle 78 relatively passes through a predetermined passing point X 1 set on the substrate G, the substrate transport unit 84 controls the scanning speed (substrate transport) under the control of the controller 200. (Speed) is once increased at a predetermined acceleration (for example, 200 mm / s 2 ) from the first speed V A (50 mm / s) to a second speed V B (for example, 70 mm / s) that is one step higher than that. . Then, as shown in FIG. 16, the meniscus resist swelled portion RQ that has adhered or followed the lower side surface 78b of the resist nozzle 78 is separated from the resist nozzle 78 by an instantaneous increase (rapid acceleration) of the scanning speed. Then, it moves away from the resist nozzle 78 as it is.

ここで、走査速度の急上昇または加速が開始される通過点X1は、レジスト液の特性(粘性等)、塗布条件(膜厚、標準走査速度等)、塗布仕様(マージンサイズ等)に応じて適宜選定されてよいが、通常は基板Gの上面(被処理面)を内側の製品領域(膜厚保証領域)ESと外側のマージン領域(膜厚非保証領域)EMとに二分する境界(以下、「保証領域境界」と称する。)LX付近に設定されてよい。 Here, the passing point X 1 at which the scanning speed suddenly increases or accelerates depends on the resist solution characteristics (viscosity, etc.), coating conditions (film thickness, standard scanning speed, etc.), and coating specifications (margin size, etc.). may be suitably selected, but usually divided into the upper surface (surface to be processed) inside the product region (thickness guarantee area) E S and the outer margin area (the film thickness non-guaranteed region) E M of the substrate G boundary (Hereinafter referred to as “guaranteed region boundary”.) It may be set near L X.

上記のような急加速により走査速度が所定の時点t2で第2の速度VBまで上昇すると、次に基板搬送部84はその第2の速度つまりピーク値VBから零またはその付近の値をとる第3の速度VCまで走査速度を所定の減速率(たとえば−140mm/s2)で減少させる。一方、この走査速度の減少(減速)と連動して、コントローラ200の制御の下でノズル昇降機構75が所定の時点t3からレジストノズル78を鉛直方向(Z方向)に所定距離(たとえば140μm)だけ所定の移動速度(たとえば280μm/s)で降下させ、塗布ギャップをそれまでの距離間隔SA(240μm)からそれよりも小さな距離間隔SC(100μm)まで狭める。 When the scanning speed is increased to the second speed V B at the predetermined time point t 2 due to the rapid acceleration as described above, the substrate transport section 84 then has a value at or near zero from the second speed, that is, the peak value V B. The scanning speed is reduced at a predetermined deceleration rate (for example, −140 mm / s 2 ) to the third speed V C that takes the following. On the other hand, in conjunction with a decrease in the scanning speed (deceleration), the predetermined distance the nozzle lift mechanism 75 under the control of the controller 200 from a predetermined time point t 3 the resist nozzle 78 in the vertical direction (Z direction) (for example, 140 .mu.m) Only at a predetermined moving speed (for example, 280 μm / s), the coating gap is narrowed from the distance distance S A (240 μm) to a distance distance S C (100 μm) smaller than that.

図17に、塗布走査の終了間際にレジストノズル78と基板Gとの間で走査速度が減少しながら塗布ギャップも減少していく様子を示す。図示のように、直前にレジストノズル78の下部側面78bから分離したレジスト液盛り上がり部RQは、盛り上がり状態を保ったまま走査方向(−X方向)においてレジストノズル78の後方に置いてきぼりにされる。   FIG. 17 shows how the coating gap also decreases while the scanning speed decreases between the resist nozzle 78 and the substrate G just before the end of coating scanning. As shown in the figure, the resist liquid swell RQ separated immediately before from the lower side surface 78b of the resist nozzle 78 is placed behind the resist nozzle 78 in the scanning direction (−X direction) while maintaining the swelled state.

こうしてレジストノズル78が基板G上の予め設定された走査終点位置Xeに着いてそこでいったん停止すると(図18)、これと同時または相前後してコントローラ200の制御の下でレジスト液供給機構170がレジストポンプ178の吐出動作を終了させる(図15)。そして、ポンプ圧力が大気圧付近の基準待機圧力Psまで下がった後もしばらくそのままの休止状態を保つ。この間にレジストノズル78の吐出口78aから周囲へ、特に塗布走査と直交する水平方向(Y方向)の周囲へレジスト液Rが広がって基板後端部の隅角部にも十全に行き亘る。 Thus the resist nozzle 78 is stopped predetermined scanning end position X e arrived in So once the substrate G (FIG. 18), which the resist solution supply mechanism 170 under the control of the simultaneous or one after the other controller 200 Terminates the discharge operation of the resist pump 178 (FIG. 15). Then, even after the pump pressure drops to the reference standby pressure P s near atmospheric pressure, it remains in a rest state for a while. During this time, the resist solution R spreads from the discharge port 78a of the resist nozzle 78 to the periphery, particularly in the horizontal direction (Y direction) perpendicular to the application scan, and reaches the corner of the rear end of the substrate fully.

そして、ポンプ圧力が基準待機圧力Psまで下がった時点t5から所定時間Tsの経過後に、レジスト液供給機構170がレジストポンプ178に吸引動作を行わせる。つまり、図12の構成例においてはピストン192を一定ストロークだけ復動させる。このポンプ吸引動作によってレジストノズル78が基板G上のレジスト液Rを吸い取ることにより、走査終点位置Xeから基板Gの内側に向ってレジスト塗布膜RMの膜厚が減少していく。レジスト液供給機構170は、ポンプ圧力を所定の吸引圧力PBまで下げると、直ぐに基準待機圧力Psに戻す。こうして、塗布走査の終了直後に走査終点位置Xeにて基板G上から一定量のレジスト液Rがレジストノズル78に吸い取られる。 The resist solution supply mechanism 170 causes the resist pump 178 to perform a suction operation after a predetermined time T s has elapsed from the time point t 5 when the pump pressure has dropped to the reference standby pressure P s . That is, in the configuration example of FIG. 12, the piston 192 is moved backward by a fixed stroke. The resist nozzle 78 by blotting the resist solution R on the substrate G by the pump suction operation, the resist film thickness of the coating film RM towards the inside of the substrate G from the scanning end position X e decreases. The resist solution supply mechanism 170 immediately returns to the reference standby pressure P s when the pump pressure is reduced to the predetermined suction pressure P B. Thus, the resist liquid R of the fixed amount from the substrate G is sucked into the resist nozzle 78 at a scanning end position X e immediately after the end of the application scan.

この実施形態においては、上記のように塗布走査の過程で保証領域境界LX付近に盛り上がり部RQが形成され、上記のような走査終了直後の吸い取り(サックバック)の際に盛り上がり部RQのレジスト液が走査終点位置Xe側へ引き寄せられることにより、図19に示すように、保証領域境界LX付近(特に保証領域ES内)のレジスト塗布膜RMの膜厚は設定値または許容範囲内に調整または保持される。 In this embodiment, a raised portion RQ is formed in the vicinity of the guaranteed region boundary L X in the process of coating scanning as described above, and the resist of the raised portion RQ is removed during sucking (suckback) immediately after the end of scanning as described above. by liquid is drawn to the scanning end position X e side, as shown in FIG. 19, guarantee area boundary L around X (especially guaranteed area E S) resist film thickness of the coating film RM set value or within the allowable range of Adjusted or retained.

上記のようにして走査終点位置Xeでサックバックが行われた後に、コントローラ200の制御の下で、ノズル昇降機構75がレジストノズル78を上方へ移動(退避)させ、これと同時に基板搬送部84が搬出領域M5に向けて基板搬送を再開する。この最終段の基板搬送は塗布走査のときよりも大きな搬送速度で行われる。そして、基板Gが搬出領域M5内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部84は第3段階の基板搬送を停止する。この直後に、吸着パッド104に対するバキュームの供給が止められ、吸着パッド104は往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下りて、基板Gの両側端部から分離する。代わって、リフトピン92が基板Gをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。 After suck-back is performed by scanning end position X e as described above, under the control of the controller 200, moving the nozzle lift mechanism 75 is a resist nozzle 78 upward (save) is, at the same time the substrate conveyor unit 84 resumes the substrate conveyed to the unloading area M 5. This final stage substrate conveyance is performed at a larger conveyance speed than during the application scanning. When the substrate G arrives at the conveying end position in the unloading area M 5, the substrate conveying unit 84 to stop the substrate carrying the third stage. Immediately after this, the supply of the vacuum to the suction pad 104 is stopped, and the suction pad 104 descends from the forward movement position (coupling position) to the original position (retraction position) and is separated from both end portions of the substrate G. Instead, the lift pins 92 rise from the original position below the stage to the forward movement position above the stage in order to unload the substrate G.

しかる後、搬出領域M5に搬出機つまり搬送アーム74がアクセスし、リフトピン92から基板Gを受け取ってステージ76の外へ搬出する。基板搬送部84は、基板Gをリフトピン92に渡したなら直ちに搬入領域M1へ高速度で引き返す。搬出領域M5で上記のように処理済の基板Gが搬出される頃に、搬入領域M1では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Gについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。 Thereafter, the unloader, that is, the transfer arm 74 accesses the unloading area M 5 , receives the substrate G from the lift pins 92, and unloads it out of the stage 76. The substrate transport unit 84 immediately returns the substrate G to the loading region M 1 at a high speed when the substrate G is transferred to the lift pins 92. When the processed substrate G is unloaded as described above in the unloading area M 5 , loading, alignment, or transfer start is performed on the new substrate G to be subjected to the next coating process in the loading area M 1 .

上記のように、この実施形態においては、塗布走査の終盤で、それまでレジストノズル78の片側(走査方向において背面側)の下部側面78bに付着または追従してきたメニスカスのレジスト液盛り上がり部RQを、走査速度(基板搬送速度)の瞬間的な上昇(急加速)によりレジストノズル78から分離せしめて、走査方向においてレジストノズル78の後方に、好ましくは保証領域境界LX付近に置き去りにする。そして、走査終了直後に基板G上の走査終点位置Xeでレジストノズル78にサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分なレジスト液を取り除き、その際にサックバックの影響(吸い取り作用)を上記置き去りのレジスト液盛り上がり部RQでキャンセルすることによって、保証領域Es内のレジスト膜厚が設定値また許容範囲以下になるのを防止することができる。 As described above, in this embodiment, at the end of the application scan, the meniscus resist swell portion RQ that has adhered or followed the lower side surface 78b on one side of the resist nozzle 78 (the back side in the scanning direction) until then, It is separated from the resist nozzle 78 by an instantaneous increase (rapid acceleration) of the scanning speed (substrate transport speed), and is left behind the resist nozzle 78 in the scanning direction, preferably near the guaranteed region boundary L X. Then, scan end by causing the suck back to the resist nozzle 78 at a scanning end position X e on the substrate G immediately remove excess resist liquid coating scan end portion, the influence of the suck-back at that time (blotting action) it is possible to prevent by canceling the above desertion of the resist solution protuberances RQ, the resist film thickness in the guarantee area E s becomes below the set value also allowable range.

図20〜図22に、塗布走査の終盤で上記のように走査速度(基板搬送速度)を瞬間的に上昇(急加速)させる工程を省いた場合の作用を比較例として示す。この場合は、図20および図21に示すように、レジストノズル78の下部側面78bにメニスカスのレジスト液盛り上がり部RQが付着したまま走査終点位置Xeまで移動し、保証領域境界LX付近のレジスト塗布液に盛り上がり部は形成されない。そして、レジストノズル78を走査終点位置Xeに停止させてサックバックを行うと、保証領域境界LX付近のレジスト塗布液も走査終点位置Xe側へ引き寄せられる結果、図22に示すように、保証領域Es内のレジスト塗布膜RMの膜厚が設定値以下に薄くなってしまう。 FIGS. 20 to 22 show, as a comparative example, the operation when the step of instantaneously increasing (rapid acceleration) the scanning speed (substrate transport speed) as described above is omitted at the end of the application scanning. In this case, as shown in FIGS. 20 and 21, the resist solution raised part RQ of the meniscus at the bottom side 78b of the resist nozzle 78 is moved to the scanning end position X e remain attached, the resist in the vicinity of guarantee area boundary L X The raised portion is not formed in the coating solution. Then, when the resist nozzle 78 is stopped at the scanning end position X e performs a suck back, guarantee area boundary L resist coating liquid in the vicinity of X is also attracted to the scanning end position X e side result, as shown in FIG. 22, resist film thickness of the coating film RM in guarantee area E s becomes thinner than the set value.

上記した実施形態における塗布処理法(図15)は、塗布走査の終盤にレジスト塗布膜の膜厚を走査方向(−X方向)で制御するものであった。しかしながら、サックバック法を用いる場合は、走査方向と直交する水平方向(Y方向)において別の角度からの膜厚制御が必要になることがある。すなわち、サックバック法においては、上記のように塗布走査の終了間際にレジストノズル78と基板Gとの間で走査速度と塗布ギャップとが減少するため、図28に示すように、走査方向の保証領域境界LX付近からレジスト塗布膜RMがサイド方向(Y方向)に基板エッジ付近まで広範囲に広がる。このようなレジスト塗布膜RMのサイド方向の広がりによって、同方向の保証領域境界LYに近い保証領域Es内のレジスト膜厚が薄くなり、レジストの種類によってはサックバック開始前から、あるいはサックバック終了後に設定値または設定範囲以下に薄くなる場合がある。このような場合は、上記実施形態における走査方向の膜厚制御だけでは対応しきれないことがある。 In the coating processing method (FIG. 15) in the above-described embodiment, the thickness of the resist coating film is controlled in the scanning direction (−X direction) at the end of coating scanning. However, when the suck back method is used, it may be necessary to control the film thickness from another angle in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the scanning direction. That is, in the suck back method, the scanning speed and the coating gap are reduced between the resist nozzle 78 and the substrate G at the end of the coating scan as described above. The resist coating film RM spreads over a wide range from the vicinity of the region boundary L X to the vicinity of the substrate edge in the side direction (Y direction). Due to the spread of the resist coating film RM in the side direction, the resist film thickness in the guaranteed region Es near the guaranteed region boundary L Y in the same direction is reduced. After completion, it may become thinner than the set value or set range. In such a case, the film thickness control in the scanning direction in the above embodiment may not be able to cope with it.

本発明は、この問題に対処するために、走査方向と直交する水平方向またはサイド方向(Y方向)において有効な膜厚制御を提供する。この実施形態においては、塗布走査の終盤に、走査速度(基板搬送速度)、塗布ギャップおよびレジストポンプ178の圧力を、コントローラ200の制御の下で図23に示すような時間特性でそれぞれ変化させる。この特性の中で図15の制御と異なるのは塗布ギャップの時間特性である。すなわち、塗布走査の終盤に、コントローラ200の制御の下でノズル昇降機構75によりレジストノズル78に昇降動作を行わせることにより、塗布ギャップをそれまでの第1の距離間隔SA(たとえば240μm)からそれよりも大きな第2の距離間隔SB(たとえば300μm)まで所定の垂直移動速度(たとえば600μm/s)でいったん増大させ、それからサックバック用の最小距離間隔SC(たとえば100μm)まで所定の垂直移動速度(たとえば400μm/s)で減少させる。 In order to cope with this problem, the present invention provides effective film thickness control in the horizontal direction or the side direction (Y direction) orthogonal to the scanning direction. In this embodiment, at the end of the coating scan, the scanning speed (substrate transport speed), the coating gap, and the pressure of the resist pump 178 are changed with the time characteristics as shown in FIG. Among these characteristics, what is different from the control of FIG. 15 is the time characteristic of the coating gap. That is, by causing the resist nozzle 78 to move up and down by the nozzle lifting mechanism 75 under the control of the controller 200 at the end of the coating scan, the coating gap is changed from the first distance interval S A (eg, 240 μm). It is once increased at a predetermined vertical movement speed (for example, 600 μm / s) up to a larger second distance interval S B (for example, 300 μm), and then the predetermined vertical distance to a minimum distance interval S C for sucking back (for example, 100 μm). Decrease at the moving speed (for example, 400 μm / s).

上記のような塗布ギャップの第1の距離間隔SAから第2の距離間隔SBへの増大が開始される通過点も、レジスト液の特性(粘性等)、塗布条件(膜厚、走査速度等)、塗布仕様(マージンサイズ等)に応じて適宜選定されてよく、通常は走査方向における保証領域境界LXの付近に設定されてよい。 The passing point at which the coating gap increases from the first distance interval S A to the second distance interval S B as described above is also the characteristics of the resist solution (viscosity, etc.) and application conditions (film thickness, scanning speed). Etc.) and application specifications (margin size, etc.) may be selected as appropriate, and may normally be set near the guaranteed region boundary L X in the scanning direction.

図24〜図27に、上記のような時間特性(図23)で各部を制御した場合の作用を示す。先ず、塗布走査の終盤に、保証領域境界LX付近で、走査速度(基板搬送速度)の瞬間的な上昇(急加速)と相俟って、塗布ギャップが瞬間的に増大することにより、図24に示すようにレジストノズル78の下部側面78bからメニスカスのレジスト液盛り上がり部RQが一層隆起した状態で分離するとともに、図25および図26に示すようにレジスト塗布液RMの側縁部(Y方向の端部)が内側に寄せられ(くびれ)、そのぶん膜厚も高くなる。これによって、その直後にレジストノズル78と基板Gとの間で走査速度の減速と塗布ギャップの縮小とが同時的に行われても、図27に示すように走査方向の保証領域境界LX付近でレジスト塗布膜RMのサイド方向(Y方向)の広がりを防止ないし抑制することができる。もっとも、塗布走査終端部で膜厚を安定させるためにサックバック開始前に一定時間(Ts)の間を置くため、図27に示すように走査終点位置Xe付近のレジスト塗布膜がサイド方向において基板エッジまで延びるが、保証領域境界LXからは遠い場所であり、広がる液量もさほどではない。 24 to 27 show the operation when each part is controlled with the above time characteristics (FIG. 23). First, at the end of the coating scan, the coating gap instantaneously increases near the guaranteed region boundary L X in combination with an instantaneous increase (rapid acceleration) of the scanning speed (substrate conveyance speed). 24, the resist liquid rising portion RQ of the meniscus is separated from the lower side surface 78b of the resist nozzle 78 in a further raised state, and the side edge portion (Y direction) of the resist coating liquid RM as shown in FIGS. (End of the) is moved inward (necked), and the film thickness is also increased. As a result, even if the scanning speed is reduced and the coating gap is reduced between the resist nozzle 78 and the substrate G immediately after that, as shown in FIG. 27, in the vicinity of the guarantee region boundary L X in the scanning direction. Thus, spreading of the resist coating film RM in the side direction (Y direction) can be prevented or suppressed. However, to put a predetermined period of time before starting suck back in order to stabilize the film thickness applied scan end portion (T s), the resist coating film side direction near the scanning end position X e as shown in FIG. 27 While extending to the substrate edge in a distant place from the guarantee area boundary L X, not very even liquid amount spread.

比較例(図28)と対比すると理解されるように、この実施形態(図27)においては、走査方向の保証領域境界LX付近でレジスト塗布膜RMのサイド縁部が内側にくびれることにより、そのぶんサイド方向(Y方向)の保証領域境界LY近くで保証領域Es内のレジスト膜厚が増大する。その結果、走査終点位置Xeでサックバックを行った際に、保証領域Es内のレジスト膜厚がサイド方向(Y方向)の端部で許容範囲以下に薄くなるのを防止することができる。 As understood from comparison with the comparative example (FIG. 28), in this embodiment (FIG. 27), the side edge of the resist coating film RM is narrowed inward in the vicinity of the guarantee region boundary L X in the scanning direction. That is, the resist film thickness in the guaranteed area Es increases near the guaranteed area boundary L Y in the side direction (Y direction). As a result, when performing the suck-back at the scanning end position X e, it is possible to resist film thickness in the guarantee area Es is prevented from becoming thinner than the allowable range at the end of the side direction (Y-direction).

図29に、基板Gの後端部においてサイド方向(Y方向)の保証領域境界LYより少し内側の保証領域Es内を走査方向(X方向)に通る直線Xs上の膜厚プロファイルを実施例(図29)と比較例(図28)とで対比して示す。図29に示すように、走査方向においてレジスト塗布膜RMの膜厚は走査終点位置Xeに向って指数関数的に減少し、比較例(図28)ではマージン領域EMのみならず保証領域Es内でも設定値Dsより薄くなるが、実施例(図27)では保証領域Es内で設定値Dsを保持することができる。 FIG. 29 shows an example of the film thickness profile on the straight line Xs passing in the scanning direction (X direction) in the guarantee area Es slightly inside the guarantee area boundary L Y in the side direction (Y direction) at the rear end portion of the substrate G. (FIG. 29) and a comparative example (FIG. 28) are shown in comparison. As shown in FIG. 29, the thickness of the resist coating film RM in the scanning direction is scanned end position X e exponentially decreases toward the comparative example (FIG. 28) in the margin area EM not only guaranteed area Es However, although it is thinner than the set value Ds, in the embodiment (FIG. 27), the set value Ds can be held in the guaranteed area Es.

上記のように、本実施形態においては、塗布ギャップの増減による膜厚制御法を走査速度の加減速による膜厚制御法と併用することで両者の相乗効果により膜厚均一性をより一層向上させることができる。もっとも、アプリケーションに応じて、図30に示すような塗布ギャップの増減による膜厚制御法だけを用いることも可能である。なお、図15、図23および図30において各パラメータが変化するタイミングおよび相互のタイミング関係は一例であり、上記のようにレジスト液の種類や塗布条件、塗布仕様等に応じて種々の変形・変更が可能である。たとえば、図23の特性では走査速度と塗布ギャップをそれぞれ増減変化させるタイミングを一致させているが、両者のタイミングを適宜ずらすことも可能である。   As described above, in this embodiment, the film thickness control method by increasing / decreasing the coating gap is used in combination with the film thickness control method by accelerating / decelerating the scanning speed, thereby further improving the film thickness uniformity by the synergistic effect of both. be able to. However, depending on the application, it is also possible to use only the film thickness control method by increasing or decreasing the coating gap as shown in FIG. 15, 23, and 30, the timing at which each parameter changes and the mutual timing relationship are merely examples, and various modifications and changes are made depending on the type of resist solution, coating conditions, coating specifications, and the like as described above. Is possible. For example, in the characteristics shown in FIG. 23, the scanning speed and the timing at which the application gap is increased or decreased are made to coincide with each other, but the timings of the two can be appropriately shifted.

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、本発明は上記実施形態のような浮上搬送方式のスピンレス塗布法に限定されるものではない。載置型のステージ上に基板を水平に固定載置して、基板上方で長尺形レジストノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する方式のスピンレス塗布法にも本発明を適用することができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea. For example, the present invention is not limited to the levitation conveyance spinless coating method as in the above embodiment. A substrate is fixedly mounted horizontally on a mounting stage, and a resist solution is discharged onto the substrate in a strip shape while the long resist nozzle is moved in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle above the substrate. The present invention can also be applied to a spinless coating method.

上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の塗布法に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   Although the above-described embodiment relates to the resist coating apparatus in the coating and developing processing system of LCD manufacturing, the present invention is applicable to any coating method for coating a processing liquid on a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process in the coating and developing treatment system of embodiment. 実施形態の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットおよび減圧乾燥ユニットの全体構成を示す略平面図である。It is a schematic plan view showing the entire configuration of a resist coating unit and a vacuum drying unit in the coating and developing treatment system of the embodiment. 実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the resist coating unit in embodiment. 実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。It is a schematic front view which shows the whole structure of the resist coating unit in embodiment. 上記レジスト塗布ユニット内のステージ塗布領域における噴出口と吸入口の配列パターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the array pattern of the jet nozzle and suction inlet in the stage application | coating area | region in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面略側面図である。It is a partial cross section schematic side view which shows the structure of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the holding | maintenance part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the pad part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one modification of the holding | maintenance part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるノズル昇降機構、圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nozzle raising / lowering mechanism, compressed air supply mechanism, and vacuum supply mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるレジスト液供給機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the resist liquid supply mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける制御系の主要な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main structures of the control system in the said resist application unit. 実施形態における塗布走査の一段階を示す側面図である。It is a side view which shows one step of the application | coating scanning in embodiment. 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性(第1の実施例)を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the time characteristic (1st Example) of the main parameters of the application | coating scanning end stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the operation | movement of the one step of the application | coating end stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the operation | movement of the one step of the application | coating end stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終了時の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state at the time of completion | finish of application | coating scanning in embodiment. 実施形態においてサックバック終了時のレジスト塗布膜の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state of the resist coating film at the time of completion | finish of sack back | bag in embodiment. 比較例における塗布走査終了間際の一段階の作用を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the operation | movement of the one step just before completion | finish of application | coating scanning in a comparative example. 比較例における塗布走査終了時の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state at the time of completion | finish of application | coating scanning in a comparative example. 比較例においてサックバック終了時のレジスト塗布膜の状態を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the state of the resist coating film at the time of completion | finish of sackback in a comparative example. 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性(第2の実施例)を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the time characteristic (2nd Example) of the main parameters of the application | coating scanning end stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the operation | movement of the one step of the application | coating end stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the effect | action of the one stage of the application | coating scanning final stage in embodiment. 実施形態における塗布走査終了間際の一段階の作用を示す部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view which shows the operation | movement of the one step just before completion | finish of the application | coating scanning in embodiment. 実施形態における塗布走査終了間際の状態を示す部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view showing the state just before the end of application scanning in an embodiment. 比較例における塗布走査終了間際の状態を示す部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view showing the state just before the end of coating scanning in a comparative example. 基板上の塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の膜厚プロファイルを実施例と比較例とで対比して示す図である。It is a figure which shows the film thickness profile of the resist coating film in the application | coating scanning termination | terminus part on a board | substrate by contrasting an Example and a comparative example. 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性(第3の実施例)を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the time characteristic (3rd Example) of the main parameters of the application | coating scanning end stage in embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

40 レジスト塗布ユニット(CT)
75 ノズル昇降機構
76 ステージ
78 レジストノズル
84 基板搬送部
88 噴出口
90 吸引口
100 搬送駆動部
102 保持部
104 吸着パッド
122 位置センサ
138 電動モータ
144 エアシリンダ
146 圧縮空気供給機構
148 バキューム供給機構
170 レジスト液供給機構
176 レジストポンプ
200 コントローラ
1 搬入領域
3 塗布領域
5 搬出領域
40 resist coating unit (CT)
75 Nozzle Lifting Mechanism 76 Stage 78 Resist Nozzle 84 Substrate Transport Unit 88 Jet Port 90 Suction Port 100 Transport Drive Unit 102 Holding Unit 104 Suction Pad 122 Position Sensor 138 Electric Motor 144 Air Cylinder 146 Compressed Air Supply Mechanism 148 Vacuum Supply Mechanism 170 Resist Liquid supply mechanism 176 resists the pump 200 controller M 1 carrying area M 3 coating area M 5 out region

Claims (18)

被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで減少させる工程と、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
を有する塗布方法。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a small gap, and the nozzle is moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating method for performing a coating scan to form a coating film of the treatment liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the coating scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is once increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then the second horizontal movement speed. Reducing the travel speed to a third horizontal travel speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scan end position;
Decreasing the gap between the substrate and the nozzle from a first distance interval to a smaller second distance interval at the end of the application scan;
A step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate from the nozzle after the end or the end of the coating scan;
And a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate by the nozzle attached at the scanning end position.
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させる工程と、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
を有する塗布方法。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the nozzle is relatively moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating method for performing a coating scan to form a coating film of the treatment liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the application scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle relative to the substrate is reduced from a first horizontal movement speed to a second horizontal movement speed substantially equal to zero, and the nozzle is A process of arriving at the scanning end position;
At the end of the application scan, the gap between the substrate and the nozzle is increased once from the first distance interval to a larger second distance interval, and then from the second distance interval. Reducing to a third distance interval smaller than the first distance interval;
A step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate from the nozzle after the end or the end of the coating scan;
And a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate by the nozzle attached at the scanning end position.
前記基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に前記塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記ギャップの増大を開始する請求項2に記載の塗布方法。   An area where the film thickness of the coating film should be guaranteed is set inside a boundary passing through a position offset from the outer peripheral edge of the substrate by a predetermined distance toward the center of the substrate, and the nozzle is positioned in the coating scanning direction. The coating method according to claim 2, wherein the increase of the gap is started at a timing of passing through the vicinity. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させる工程と、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
を有する塗布方法。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the nozzle is relatively moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating method of performing a scan to form a coating film of the treatment liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the coating scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is once increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then the second horizontal movement speed. Reducing the travel speed to a third horizontal travel speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scan end position;
At the end of the application scan, the gap between the substrate and the nozzle is increased once from a first distance interval to a second distance interval greater than the first distance interval, and then from the second distance interval to the first distance interval. Reducing to a third distance interval smaller than the distance interval of
A step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate from the nozzle after the end or the end of the coating scan;
And a step of sucking a predetermined amount of the processing liquid on the substrate by the nozzle attached at the scanning end position.
前記基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に前記塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記水平移動速度の加速を開始する請求項1または請求項4に記載の塗布方法。   An area where the film thickness of the coating film should be guaranteed is set inside a boundary passing through a position offset from the outer peripheral edge of the substrate by a predetermined distance toward the center of the substrate, and the nozzle is positioned in the coating scanning direction. The coating method according to claim 1 or 4, wherein acceleration of the horizontal movement speed is started at a timing of passing through the vicinity. 前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記ギャップの増大を開始する請求項5に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 5, wherein the gap starts to increase at a timing when the nozzle passes in the vicinity of the boundary in the coating scanning direction. 前記走査終点位置に前記ノズルが着いた時から所定時間の経過後に前記処理液の吸い取りを開始する請求項1〜6のいずれか一項に記載の塗布方法。   The coating method according to any one of claims 1 to 6, wherein the suction of the processing liquid is started after a predetermined time has elapsed since the nozzle arrived at the scanning end point position. 被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで所定の減速率で減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
を有する塗布装置。
A substrate support for supporting the substrate to be processed substantially horizontally;
An elongated nozzle for discharging a processing liquid across a minute gap on the upper surface of the substrate during application scanning;
A treatment liquid supply source for pumping the treatment liquid to the nozzle during application scanning;
A scanning unit for moving the nozzle in a horizontal direction relative to the substrate during application scanning;
An elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate;
The scanning unit is controlled to temporarily increase the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate from the first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed at the end of the application scan. Then, the second horizontal movement speed is decreased from the second horizontal movement speed to a third horizontal movement speed substantially equal to zero at a predetermined deceleration rate so that the nozzle arrives at a preset scanning end point position, and the lifting unit is controlled. Then, at the end of the coating scan, the gap between the substrate and the nozzle is decreased from the first distance interval to a second distance interval smaller than the first distance interval, and the processing liquid supply source is controlled to apply the coating. A control unit that stops the pumping of the processing liquid to the nozzles at the end or after the end of scanning, and sucks a predetermined amount of the processing liquid on the substrate through the nozzles at the scanning end point position. apparatus.
被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
塗布処理中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
塗布処理中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
塗布処理中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
を有する塗布装置。
A substrate support for supporting the substrate to be processed substantially horizontally;
An elongated nozzle for discharging a processing liquid across a small gap on the upper surface of the substrate during the coating process;
A processing liquid supply source for pumping the processing liquid to the nozzle during the coating process;
A scanning unit for moving the nozzle in a horizontal direction relative to the substrate during a coating process;
An elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate;
The scanning unit is controlled to reduce the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate from the first horizontal movement speed to a second horizontal movement speed substantially equal to zero at the end of the application scan. Then, the nozzle is placed at a predetermined scanning end point position, and the lift is controlled so that the gap between the substrate and the nozzle is made larger than the first distance interval at the end of the application scanning. Increasing once to a large second distance interval and then decreasing from the second distance interval to a third distance interval smaller than the first distance interval to control the treatment liquid supply to And a controller that stops pumping of the processing liquid to the nozzle after the final stage or finishes and sucks a predetermined amount of the processing liquid on the substrate through the nozzle at the scanning end point position.
被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度へいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
を有する塗布装置。
A substrate support for supporting the substrate to be processed substantially horizontally;
An elongated nozzle for discharging a processing liquid across a minute gap on the upper surface of the substrate during application scanning;
A treatment liquid supply source for pumping the treatment liquid to the nozzle during application scanning;
A scanning unit for moving the nozzle in a horizontal direction relative to the substrate during application scanning;
An elevating unit for moving the nozzle in a vertical direction relative to the substrate;
The scanning unit is controlled to temporarily increase the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate from the first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed at the end of the application scan. Then, the second horizontal movement speed is decreased to a third horizontal movement speed substantially equal to zero, the nozzle is placed at a preset scanning end point position, and the elevating unit is controlled to perform application scanning. The gap between the substrate and the nozzle is increased from a first distance interval to a larger second distance interval, and then from the second distance interval to the first distance interval. Is decreased to a small third distance interval, and the processing liquid supply source is controlled to stop the pumping of the processing liquid to the nozzle after the end or end of the coating scan, and before reaching the scanning end point position. Coating apparatus and a predetermined amount sucked to the control unit of the treatment liquid on the substrate through a nozzle.
前記基板支持部が、前記塗布領域内で前記基板を空中に浮かせるステージを有する請求項8〜10のいずれか一項に記載の塗布装置。   The said board | substrate support part has a stage which floats the said board | substrate in the air in the said application | coating area | region, The coating device as described in any one of Claims 8-10. 前記塗布領域内で、前記ステージの上面に、気体を噴出する噴出口と気体を吸い込む吸引口とが多数混在して設けられている請求項11に記載の塗布装置。   12. The coating apparatus according to claim 11, wherein in the coating region, a large number of ejection ports for ejecting gas and suction ports for sucking gas are provided on the upper surface of the stage in a mixed manner. 前記ノズルが、前記塗布領域内の水平方向で固定された所定位置に配置され、
前記走査部が、前記ステージ上で浮いた状態の前記基板を前記水平移動に対応する所定の搬送方向に搬送して前記ノズルの直下を通過させる基板搬送部を有する請求項11または請求項12に記載の塗布装置。
The nozzle is disposed at a predetermined position fixed in a horizontal direction in the application region;
13. The substrate scanning unit according to claim 11, wherein the scanning unit includes a substrate transport unit that transports the substrate in a floating state on the stage in a predetermined transport direction corresponding to the horizontal movement and passes immediately below the nozzle. The coating apparatus as described.
前記基板搬送部が、
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する請求項13に記載の塗布装置。
The substrate transport unit is
A guide rail disposed on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the direction of movement of the substrate;
A slider movable along the guide rail;
A transport driving unit that drives the slider to move along the guide rail;
The coating apparatus according to claim 13, further comprising: a holding portion that extends from the slider toward a center portion of the stage and detachably holds a side edge portion of the substrate.
前記昇降部が、
前記ノズルを一体に支持するノズル支持部と、
前記ノズルを任意の第1の高さ位置から任意の第2の高さ位置へ昇降移動させるために前記ノズル支持部と結合する電動アクチエータと、
前記ノズルの重力をキャンセルするために前記ノズル支持部と結合するエアシリンダと
を有する請求項11〜14のいずれか一項に記載の塗布装置。
The elevating part is
A nozzle support for integrally supporting the nozzle;
An electric actuator coupled with the nozzle support to move the nozzle up and down from an arbitrary first height position to an arbitrary second height position;
The coating apparatus according to any one of claims 11 to 14, further comprising an air cylinder coupled to the nozzle support portion to cancel the gravity of the nozzle.
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも小さな第2の距離間隔まで所定の垂直移動速度で減少させるステップと、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
を実行する塗布処理プログラム。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a small gap, and the nozzle is moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating processing program for performing coating scanning and forming a coating film of the processing liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the coating scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is once increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then the second horizontal movement speed. Reducing the travel speed to a third horizontal travel speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scan end position;
Decreasing the gap between the substrate and the nozzle from a first distance interval to a smaller second distance interval at a predetermined vertical speed at the end of the application scan;
Stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate at the end or after the coating scan;
And a step of causing the nozzle attached at the scanning end position to suck a predetermined amount of the processing liquid on the substrate.
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度から実質的に零に等しい第2の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させるステップと、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
を実行する塗布処理プログラム。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the nozzle is relatively moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating processing program for performing coating scanning and forming a coating film of the processing liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the application scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle relative to the substrate is reduced from a first horizontal movement speed to a second horizontal movement speed substantially equal to zero, and the nozzle is A step to reach the scanning end point;
At the end of the application scan, the gap between the substrate and the nozzle is increased once from the first distance interval to a larger second distance interval, and then from the second distance interval. Reducing to a third distance interval smaller than the first distance interval;
Stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate at the end or after the coating scan;
And a step of causing the nozzle attached at the scanning end position to suck a predetermined amount of the processing liquid on the substrate.
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第1の水平移動速度からそれよりも高い第2の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第2の水平移動速度から実質的に零に等しい第3の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第1の距離間隔からそれよりも大きな第2の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第2の距離間隔から前記第1の距離間隔よりも小さな第3の距離間隔まで減少させるステップと、
前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
を実行する塗布処理プログラム。



The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the nozzle is relatively moved in the horizontal direction while supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating processing program for performing scanning and forming a coating film of the processing liquid on the substrate,
Setting a scanning end point position for relatively stopping the nozzle on the substrate;
At the end of the coating scan, the relative horizontal movement speed of the nozzle with respect to the substrate is once increased from a first horizontal movement speed to a higher second horizontal movement speed, and then the second horizontal movement speed. Reducing the travel speed to a third horizontal travel speed substantially equal to zero to place the nozzle at the scan end position;
At the end of the application scan, the gap between the substrate and the nozzle is increased once from a first distance interval to a second distance interval greater than the first distance interval, and then from the second distance interval to the first distance interval. Reducing to a third distance interval smaller than the distance interval of
Stopping the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate at the end or after the coating scan;
And a step of causing the nozzle attached at the scanning end position to suck a predetermined amount of the processing liquid on the substrate.



JP2006010762A 2006-01-19 2006-01-19 Coating method, coating apparatus, and coating program Active JP4564454B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006010762A JP4564454B2 (en) 2006-01-19 2006-01-19 Coating method, coating apparatus, and coating program
TW096101501A TWI313193B (en) 2006-01-19 2007-01-15 Coating method, coating apparatus and memory medium
KR1020070005581A KR101346887B1 (en) 2006-01-19 2007-01-18 Coating method, coating apparatus and memory medium
CN2007100040225A CN101003041B (en) 2006-01-19 2007-01-19 Application method, applicator and processing procedure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006010762A JP4564454B2 (en) 2006-01-19 2006-01-19 Coating method, coating apparatus, and coating program

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007190483A JP2007190483A (en) 2007-08-02
JP4564454B2 true JP4564454B2 (en) 2010-10-20

Family

ID=38446577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006010762A Active JP4564454B2 (en) 2006-01-19 2006-01-19 Coating method, coating apparatus, and coating program

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4564454B2 (en)
CN (1) CN101003041B (en)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020681B1 (en) * 2008-11-18 2011-03-11 세메스 주식회사 Apparatus of coating photo resist composition in a Flat Panel Display manufacturing
KR101007685B1 (en) * 2008-11-18 2011-01-13 세메스 주식회사 Apparatus of coating photo resist composition in a Flat Panel Display manufacturing
KR101214698B1 (en) * 2009-06-23 2012-12-21 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 Apparatus and method for applying paste
JP5469992B2 (en) * 2009-10-19 2014-04-16 東京応化工業株式会社 Coating method and coating apparatus
JP2012071244A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Pattern forming method and pattern forming apparatus
JP5739778B2 (en) * 2011-09-21 2015-06-24 株式会社日立製作所 Paste application method
JP5546516B2 (en) * 2011-09-22 2014-07-09 富士フイルム株式会社 Coating apparatus and coating method
JP5858247B2 (en) * 2013-09-30 2016-02-10 株式会社村田製作所 Coating equipment
JP6136909B2 (en) * 2013-12-17 2017-05-31 旭硝子株式会社 Manufacturing method of support substrate with resin layer, manufacturing method of glass laminate, manufacturing method of electronic device
JP6310741B2 (en) 2014-03-20 2018-04-11 株式会社Screenホールディングス Intermittent coating method and intermittent coating apparatus
CN106681105A (en) * 2017-02-09 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 Photoresist coating device detection mechanism and photoresist coating machine
US10675654B2 (en) * 2017-03-01 2020-06-09 Nordson Corporation Multi-layer slot die system and method
CN106862010A (en) * 2017-03-24 2017-06-20 苏州威格尔纳米科技有限公司 A kind of rotary slot coated die head and method
CN111032360A (en) * 2017-09-28 2020-04-17 日本电产株式会社 Liquid coating device
JP7038524B2 (en) * 2017-11-14 2022-03-18 東京エレクトロン株式会社 Cleaning equipment and cleaning method for substrate processing equipment
JP6931849B2 (en) * 2018-02-01 2021-09-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Coating method and coating equipment
CN108816641A (en) * 2018-06-30 2018-11-16 浙江天地环保科技有限公司 The coating process and device of perovskite light-absorption layer in a kind of perovskite solar battery
CN109277265B (en) * 2018-08-29 2022-05-20 广州倬粤动力新能源有限公司 Thickness adjusting method of bipolar plate pasting equipment
WO2020261443A1 (en) 2019-06-26 2020-12-30 アーベーベー・シュバイツ・アーゲー Coating machine and coating method
CN111187008B (en) * 2020-03-12 2022-04-26 Tcl华星光电技术有限公司 Glass substrate coating method and glass substrate coating device
CN113198656B (en) * 2021-04-26 2022-03-15 东风延锋汽车饰件系统有限公司 Automatic cleaning device and method for glue spraying equipment
CN114074063A (en) * 2021-11-22 2022-02-22 深圳市深赛尔股份有限公司 Method for coating metal surface with multi-component aqueous composition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002113411A (en) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating method
JP2002153795A (en) * 2000-11-16 2002-05-28 Advanced Color Tec Kk Method for manufacturing sheetlike substrate and coating apparatus
JP2005244155A (en) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd Uplift substrate conveyance processor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69814710T2 (en) * 1997-03-03 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd. Coating device and method
JP3874547B2 (en) * 1998-08-20 2007-01-31 松下電器産業株式会社 IC sealing agent coating method with bump and IC sealing agent coating apparatus with bump
JP4398786B2 (en) * 2003-07-23 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 Coating method and coating apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002113411A (en) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating method
JP2002153795A (en) * 2000-11-16 2002-05-28 Advanced Color Tec Kk Method for manufacturing sheetlike substrate and coating apparatus
JP2005244155A (en) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd Uplift substrate conveyance processor

Also Published As

Publication number Publication date
CN101003041A (en) 2007-07-25
JP2007190483A (en) 2007-08-02
CN101003041B (en) 2010-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4564454B2 (en) Coating method, coating apparatus, and coating program
JP4634265B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP4884871B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP4571525B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101079441B1 (en) Stage apparatus and application processing apparatus
JP4516034B2 (en) Coating method, coating apparatus, and coating program
JP4378301B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing program
JP4570545B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4429943B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4995488B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP3808741B2 (en) Processing equipment
JP4676359B2 (en) Priming processing method and priming processing apparatus
JP2007105623A (en) Applying apparatus and applying method
US7766566B2 (en) Developing treatment apparatus and developing treatment method
JP4809699B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP2009302122A (en) Coating device, and coating method
JP5221508B2 (en) Substrate processing equipment
JP2009018917A (en) Application device, substrate delivery method and application method
JP5188759B2 (en) Coating apparatus and coating method
CN108525941B (en) Coating apparatus and coating method
JP4422006B2 (en) Processing apparatus, processing liquid supply method, and processing liquid supply program
TWI313193B (en) Coating method, coating apparatus and memory medium
TW202304599A (en) Coating processing device, coating processing method, and coating processing program

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100422

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100727

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100730

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4564454

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250