以下、本発明に実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置としての液晶装置、具体的には反射半透過型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリックス方式の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
(第1の実施形態)
図1は本発明に係る第1の実施形態の液晶装置の概略斜視図、図2は図1の液晶装置の回路基板に実装された電子部品の平面図、図3は図2の電子部品のA−A断面図である。
(液晶装置の構成)
液晶装置1は、電気光学パネルとしての液晶パネル2と、液晶パネル2に接続された回路基板3とを備えている。なお、液晶装置1は、液晶パネル2を支持する図示を省略したフレーム等のその他の付帯機構が必要に応じて付設されている。
液晶パネル2は、基板4と、基板4に対向するように設けられた基板5と、基板4、5の間に設けられたシール材6及び基板4、5により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばTN(Twisted Nematic)が用いられている。
基板4及び基板5は、例えばガラスや合成樹脂といった材料からなる板状部材である。基板4の液晶側には、ゲート電極7、ソース電極8、薄膜トランジスタ素子T及び画素電極9が形成されており、基板5の液晶側には、共通電極5aが形成されている。
ゲート電極7はX方向に、ソース電極8はY方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極8は、例えば図1に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極7及びソース電極8の本数は、液晶装置1の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
薄膜トランジスタ素子Tは、ゲート電極7、ソース電極8及び画素電極9にそれぞれ電気的に接続される3つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Tは画素電極9、ゲート電極7、ソース電極8に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極7に電圧を印加したときにソース電極8から画素電極9に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
また、基板4は、基板5の外周縁から張り出した領域(以下、「張り出し部」と表記する)4aを備えている。張り出し部4aの面上には、液晶を駆動するためのドライバIC11、12及び13が実装されている。ドライバIC11、12及び13の図示しないバンプにACF(Anisotropic Conductive Film)を介して電気的に接続された接続用端子からそれぞれ配線14、15、16が引き出すように設けられている。配線14はゲート電極7、配線15、16はソース電極8にそれぞれ電気的に繋がっている。ドライバIC11、12及び13の入力側の接続用端子(図示しない)から配線17、18及び19が引き出すように設けられている。
回路基板3は、図1に示すように、張り出し部4aに例えばACF等の接着剤を介して電気的に接続されている。回路基板3は、図1に示すように、可撓性基材20と、可撓性基材20に設けられた例えば2つの端子21a、21bと、端子21a、21bを露出させるように可撓性基材20を被覆する絶縁膜22と、端子21a、21b間で隣り合う端子21a同士を隔てるように絶縁膜22上に設けられた突状部23と、可撓性基材20の端子21a、21bに実装された例えばコンデンサ等の電子部品24とを備えている。
可撓性基材20は、例えば可撓性を有しており、電子部品24の他にも図示を省略した電源供給用の半導体素子等が実装されている。
端子21a、21bは、図3に示すように可撓性基材20の第1の面20a側に例えばY方向に離間して設けられており、図2に示すようにそれぞれ例えば略矩形状の形状を有している。端子21a、21bは、それぞれ配線25a、25bに繋がって設けられている。
配線25cは、端子21a、21bの間に、それぞれの端子21a、21bから離間してX方向に設けられている。なお、配線25cは、配線25a又は配線25bに繋がっていてもよいし、配線25a及び配線25bの両方に繋がっていなくてもよい。
絶縁膜22は、図2に示すように、配線25c等を覆うとともに、複数の端子21a、21bの少なくとも一部とは重ならないように、可撓性基材20の第1の面20a側に設けられている。絶縁膜22は、端子21a、21bの外周部分を除いた部分を露出させるように可撓性基材20の第1の面20a側に設けられている。例えば、絶縁膜22には、端子21a、21bの外周部を除く部分を矩形状に露出させる開口部22a、22bが形成されている。絶縁膜22のZ方向の厚さh1は、例えば30μm〜40μmに設定されている。図3に示すように端子21a、21bが絶縁膜22の開口部22a、22bから露出する部分にそれぞれ積層して例えば半田層26a、26bが設けられている。半田層26a、26bのZ方向の厚さh2は、例えば120μmに設定されている。
突状部23は、図2に示すように例えば略蒲鉾形状を有しており、Y方向では例えば端子21a、21b間の略中央で絶縁膜22上に設けられている。突状部23は、例えば配線25cに対応して絶縁膜22を介して重なるように設けられている。また、突状部23は、X方向では開口部22a、22bのX方向に平行な端辺a、bに略平行に設けられると共に、開口部22a、22bのY方向に平行な端辺c、dよりX方向に延設されるように絶縁膜22上に設けられている。突状部23のY方向の幅wは、端子21a、21b間のY方向の間隔に応じて適宜変更可能である。例えば、端子21a、21b間のY方向の間隔が大きくなるにつれ、突状部23の幅wを大きくなるようにすればよい。
可撓性基材20の第1の面20aからの突状部23の頂部のZ方向の高さh3は、図3に示すように、第1の面20aからの端子21a、21bの外周部に積層された絶縁膜22のZ方向の高さh4より高く設定されており、第1の面20aからの半田層26a、26bのZ方向の高さh5より低く設定されている。
突状部23の断面形状は、例えば略半円形状を有している。なお、突状部23の断面形状については、これに限定されず、突状部23のZ方向の高さh3が、高さh4より大きく、高さh5より小さければ、例えば略矩形状の形状を有していてもよい。
例えば、絶縁膜22のZ方向の厚さh1が例えば30μm〜40μm、半田層26a、26bのZ方向の厚さh2が例えば120μmに設定されている場合には、突状部23の高さh3は、少なくとも端子21aのZ方向の厚さに絶縁膜22の厚さh1を加えた長さより大きく、端子21aのZ方向の厚さに半田層26aのZ方向の厚さh2を加えた長さより小さくなるように設定されている。
突状部23の構成材料には、例えば絶縁膜22と同じ絶縁材が用いられている。
電子部品24は、例えばコンデンサや抵抗等の電子部品であり、半田層26a、26bを介して端子21a、21bにそれぞれ電気的に接続される図示を省略した端子を備えている。なお、本実施形態では、電子部品としてコンデンサを例示したが、例えば応力緩和構造を持たない(リードレス)SON(Small Outline Nonlead)パッケージやCSP(Chip Scale Package)等を用いてもよい。
(液晶装置の製造方法)
次に、液晶装置1の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図4は第1の実施形態の液晶装置1の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、液晶パネル2の製造工程(S8)については、公知技術と同様なのでその説明を省略し、回路基板3側の製造工程について中心的に説明する。
まず、図2、図3に示すように、可撓性基材20の第1の面20a側に端子21a、21bと、配線25a、25b及び25cを形成する。
次に、第1の面20a側を例えばレジストにより覆い(S1)、パターニングにより、端子21a、21bの外周部を除く部分を矩形状に露出させる開口部22a、22bを有する絶縁膜22を形成する(S2)。
続いて、例えばステップ1で用いたレジストと同じレジストにより絶縁膜22を覆い(S3)、パターニングにより、ステップ3で塗布したレジストの突状部23以外の部分を除去する(S4)。このとき、突状部23のZ方向の高さh3が、高さh4より高く高さh5より低くなるようにする。
次に、半田印刷により図2、図3に示す開口部22a、22bから露出する端子21a、21bに積層するように半田層26a、26bを形成する(S5)。
次に、電子部品24を端子21a、21bに位置合わせをするように配置する(S6)。
続いて、電子部品24を可撓性基材20に実装する(S7)、すなわち、半田層26a、26bをリフロー溶融することで、電子部品24の図示を省略した端子を、半田層26a、26bを介して端子21a、21bに電気的に接続する。
そして、液晶パネル2と、電子部品24が実装された回路基板3とを導電性の接着剤等により電気的に接続し偏光板等を設けるなどして液晶装置1を製造する(S9)。
以上で液晶装置1の製造方法についての説明を終了する。
このように本実施形態によれば、液晶装置1は、複数の配線25a、25bにそれぞれ繋がる端子21a、21bが設けられた回路基板3と、複数の端子21a、21bに半田層26a、26bを介して電気的に接続された複数の端子を有する電子部品24と、複数の端子21a、21bの間に端子21a、21bを隔てるように設けられた突状部23を有する絶縁膜22とを備えているので、例えば半田層26a、26bをリフロー溶融して電子部品24を可撓性基材20に実装するときに、端子21a上の半田が溶融して端子21bの側に流動する場合に、流動する半田を突状部23で堰き止めることで、溶融した半田が端子21a、21b間で島状に孤立して半田ボール等が形成されることを防止することができる。従って、例えば液晶装置1に加えられる振動により移動可能となる半田ボールによる短絡を防止することができる。また、隣り合う端子21a、21b等の短絡を防止するために、従来から可撓性基材20に設けられていた絶縁膜と同じ絶縁材を用いて、突状部23を有する絶縁膜22を可撓性基材20に形成することで、コストアップを抑制することができる。
また、複数の端子21a、21bにそれぞれ接続されてなる複数の配線25a、25bを備え、絶縁膜22は、複数の配線25a、25bを覆うとともに、複数の端子21a、21bの少なくとも一部とは重ならないので、例えば端子21a、21bの周縁部のみに絶縁膜22が重なる場合に、絶縁膜22が重ならない部分に配置された半田を介して端子21a、21bと電子部品24の図示を省略した端子とを接続することができると共に、このとき半田が隣の端子21a、21bに向けて流動することを端子21a、21bの周縁部に設けられた絶縁膜22により防止することができる。
更に、端子21a等が設けられた可撓性基材20の第1の面20aからの突状部23のZ方向の高さh3は、第1の面20aからの端子21a、21bに積層された絶縁膜22の高さh4より高いので、例えばリフロー溶融時に、絶縁膜22を伝わり溶融した半田が端子21aから流れ突状部23を越えることを確実に防止することで、半田が隣り合う端子21a、21bの間に島状に設けられることをより確実に防止することができる。
また、端子21a等が設けられた第1の面20aからの突状部23の高さh3は、第1の面20aからの半田層26a、26bの高さh5より低いので、リフロー溶融時に、例えば半田層26a、26bが溶融し電子部品24が自重により可撓性基材20側に沈み込んでも、突状部23が電子部品24の可撓性基材20側の底面とが接触することを防止して端子21aと電子部品24の図示を省略した端子とを確実に半田付けすることができる。
更にまた、回路基板3は、複数の端子21a、21bの間で可撓性基材20と突状部23との間に設けられた配線25cを備えているので、突状部23を形成するときに、配線25cの分だけ突状部23を形成するための絶縁材の量を減少させることができ、低コスト化及び軽量化を図ることができると共に、例えば配線25cの厚さの分だけ、突状部23を形成するためのレジストの塗布回数を減少させることで、製造工程数を減少させることができる。
また、可撓性基材20に絶縁材を塗布する工程(S1)と、ステップ1で塗布された絶縁材をパターニングすることで、可撓性基材20上の端子21a等を露出させる工程(S2)と、端子21a等が露出した可撓性基材20に絶縁材を塗布する工程(S3)と、ステップ3で塗布された絶縁材をパターニングすることで、露出して隣り合う端子21aと端子21bとの間に突状部23を形成する工程(S4)と、露出した端子21a、21b上に半田印刷する工程(S5)と、半田印刷された半田層26a、26bに電子部品24の端子を配置する工程(S6)と、半田層26a、26bをリフロー溶融することで、可撓性基材20上の端子21a、21bに電子部品24を実装する工程(S7)とを備えているので、例えば絶縁膜22の形成時に用いられる絶縁材と同じ絶縁材を用いて突状部23を形成することができ、コストアップを抑制することができる。また、例えば隣接する端子1a、21b間に突状部23を形成するために端子21a、21bが設けられる可撓性基材20に例えば凹部を複数形成することで、凸状部を形成する場合に比べて、例えば確実かつ容易に突状部23を形成することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明に係る第2の実施の形態の液晶装置について説明する。なお、本実施形態以降の実施形態等においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。
図5は第2の実施の形態の液晶装置の回路基板に実装された電子部品の平面図、図6は図5の電子部品のB−B断面図である。
上記第1の実施形態では、図2に示すように突状部23が端子21a、21bの間でX方向が長手方向となるように絶縁膜22上に設けられている回路基板3を用いる例を示したが、本実施形態では、図5、図6に示すように、後述する傾斜面を有する突状部28を有する絶縁膜29が設けられている回路基板35が用いられている。
回路基板35は、張り出し部4aに例えばACF等の接着剤を介して電気的に接続されている。回路基板35は、可撓性基材20と、可撓性基材20に設けられた例えば2つの端子21a、21bと、端子21a、21bを露出させるように可撓性基材20を被覆すると共に端子21a、21b間に端子21a、21bを隔てるように突状部28が設けられた絶縁膜29と、可撓性基材20の端子21a、21bに実装された例えばコンデンサ等の電子部品24とを備えている。
可撓性基材20には、例えば可撓性を有しており、電子部品24の他にも図示を省略した電源供給用の半導体素子等が実装されている。
端子21a、21bは、図6に示すように可撓性基材20の第1の面20a側に例えばY方向に離間して設けられており、図5に示すようにそれぞれ例えば略矩形状の形状を有している。端子21a、21bは、それぞれ配線25a、25bに繋がって設けられている。
絶縁膜29は、図5、図6に示すように、端子21a、21bの外周部分を除いた部分を露出させるように可撓性基材20の第1の面20a側に設けられている。例えば、絶縁膜29には、端子21a、21bの外周部を除く部分を矩形状に露出させる開口部29a、29bが形成されている。絶縁膜29のZ方向の厚さh1は、例えば30μm〜40μmに設定されている。端子21a、21bが絶縁膜29の開口部29a、29bから露出する部分にそれぞれ積層して例えば半田層26a、26bが設けられている。半田層26a、26bのZ方向の厚さh2は、例えば120μmに設定されている。
突状部28は、図5に示すように、Y方向では例えば端子21a、21b間の略中央に設けられている。また、突状部28は、X方向では開口部29a、29bのX方向に平行な端辺a、bに略平行に設けられると共に、開口部29a、29bのY方向に平行な端辺c、dよりX方向に延設するように設けられている。突状部28のY方向の幅wは、端子21a、21b間のY方向の間隔に応じて適宜変更可能である。例えば、端子21a、21b間のY方向の間隔が大きくなるにつれ、突状部28の幅wが大きくなるようにすればよい。突状部28は、配線25cに対応して重なるように設けられている。
可撓性基材20の第1の面20aからの突状部28の頂部のZ方向の高さh3は、図6に示すように、第1の面20aからの端子21a、21bの外周部に積層された絶縁膜29のZ方向の高さh4より高く設定されており、第1の面20aからの半田層26a、26bのZ方向の高さh5より低く設定されている。
突状部23は、例えばそれぞれ端子21a、21bとのY方向の距離が小さくなるにつれ可撓性基材20とのZ方向の距離が小さくなる傾斜面28a、28bを備えている。例えば傾斜面28a、28bの可撓性基材20の第1の面20aに対する傾斜角度は略同じとなるように設定されている。なお、突状部28の傾斜面28a、28bについては、これに限定されず、例えば階段状の形状を有していてもよい。
例えば、絶縁膜29のZ方向の厚さh1が例えば30μm〜40μm、半田層26a、26bのZ方向の厚さh2が例えば120μmに設定されている場合には、突状部28の高さh3は、少なくとも端子21aのZ方向の厚さに絶縁膜29の厚さh1を加えた長さより大きく、端子21aのZ方向の厚さに半田層26aの厚さh2を加えた長さより小さくなるように設定されている。
突状部28は、図5、図6に示すように端子21a、21b間でX方向に伸びる配線25cに積層するように設けられている。
突状部28は、絶縁膜29と同じ絶縁材を用いて形成されている。
電子部品24は、例えばコンデンサや抵抗等の電子部品であり、半田層26a、26bを介して端子21a、21bにそれぞれ電気的に接続される図示を省略した端子を備えている。なお、本実施形態では、電子部品としてコンデンサを例示したが、例えば応力緩和構造を持たない(リードレス)SON(Small Outline Nonlead)パッケージやCSP(Chip Scale Package)等を用いてもよい。
(液晶装置の製造方法)
次に、液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図7は第2の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、液晶パネル2の製造工程(S8)については、公知技術と同様なのでその説明を省略し、回路基板35側の製造工程について中心的に説明する。
まず、図5、図6に示すように、可撓性基材20の第1の面20a側に端子21a、21bと、配線25a、25b及び25cを形成する。
次に、第1の面20a側を例えばレジストにより覆い(S1’)、例えば透過する光量が異なる部分を有するハーフトーンマスクを用いたハーフトーン露光によるパターニングにより、端子21a、21bの外周部を除く部分を矩形状に露出させる開口部29a、29bと共に突状部28を備える絶縁膜29を形成する(S2’)。なお、ハーフ−トーン露光の代わりに露光を多重に行うことにより突状部28を形成するようにしてもよい。このとき、突状部28の頂部Z方向の高さh3が、高さh4より高く高さh5より低くなるようにすると共に、傾斜面28a、28bを形成するようにする。
次に、半田印刷により図5、図6に示す開口部29a、29bから露出する端子21a、21bに積層するように半田層26a、26bを形成する(S5)。
次に、電子部品24を端子21a、21bに位置合わせをするように配置する(S6)。
続いて、電子部品24を可撓性基材20に実装する(S7)、すなわち、半田層26a、26bをリフロー溶融することで、電子部品24の図示を省略した端子を、半田層26a、26bを介して端子21a、21bに電気的に接続する。
そして、液晶パネル2と、電子部品24が実装された回路基板3とを導電性の接着剤等により電気的に接続し偏光板等を設けるなどして液晶装置を製造する(S9)。
以上で液晶装置の製造方法についての説明を終了する。
このように本実施形態によれば、突状部28は、端子21a、21bとの距離がY方向に小さくなるにつれ可撓性基材20とのZ方向の距離が小さくなる傾斜面28a、28bを備えているので、例えばリフロー溶融時に端子21a上の半田層26aが端子21b側に向けて流れても、突状部28の傾斜面28aにより溶融した半田が戻るように流動させるようにすることができ、電子部品24の実装後に半田が端子21a、21bの間に島状に設けられることを防止することができる。
また、液晶装置の回路基板35は、複数の端子21a、21bの間で可撓性基材20と突状部28との間に設けられた配線25cを備えているので、突状部28を形成するときに、配線25cの分だけ突状部28を形成するための絶縁膜の材料の量を減少させることができ、低コスト化及び軽量化を図ることができる。
更に、可撓性基材20の第1の面20aに絶縁材を塗布する工程と(S1‘)、絶縁材に照射する光量を可撓性基材20上の場所に応じて変化させる多重露光又はハーフトーン露光により絶縁膜をパターニングすることで、可撓性基材20上の端子21a、21bを露出させると共に露出した端子21aと端子21bとの間に突状部28を形成する工程(S2’)とを備えているので、例えば突状部28を形成するために複数回絶縁膜を塗布しパターニングする場合に比べて、絶縁材を塗布する工程を一回にすることで、製造時間の短縮を図ることができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明に係る第3の実施の形態の液晶装置について説明する。
図8は第3の実施形態の格子状に設けられた端子を有する電子部品の平面図、図9は図8の電子部品のC−C断面図である。
上記第1の実施形態では、図2に示すようにコンデンサ等の電子部品24の2つの端子21a、21bの間にX方向が長手方向となるように絶縁膜22上に突状部23が設けられている回路基板3を用いる例を示したが、本実施形態では、図8、図9に示すように、格子状に設けられた端子41を備えた電源供給用の半導体素子44が実装された回路基板40が用いられている。
回路基板40は、張り出し部4aに例えばACF等の接着剤を介して電気的に接続されている。回路基板40は、可撓性基材20と、可撓性基材20に例えば格子状に設けられた端子41と、端子41を露出させるように可撓性基材20を被覆する絶縁膜42と、端子41間で隣合う端子41を隔てるように絶縁膜42上に設けられた突状部43と、可撓性基材20の端子41に実装された例えば電源供給用の半導体素子44とを備えている。
可撓性基材20には、例えば可撓性を有しており、半導体素子44の他にも図示を省略したコンデンサ等が実装されている。
端子41は、図8に示すように可撓性基材20の第1の面20a側に例えば格子状に設けられており、それぞれ例えば略円形状の形状を有している。端子41は、それぞれX方向、Y方向に引き出された配線45、46に繋がって設けられている。端子41は、格子状に設けられた複数の端子41のうちの外周側で枠状に設けられた端子41aと、端子41aの内側に設けられた4つの端子41bとを備えている。
配線45は、図8に示すように例えば端子41からX方向に引き出されており、配線46は、例えば端子41からY方向に引き出されている。格子状の端子41のうち内側の4つの端子41bに繋がる配線45bは外周側の端子41aの間を通るように設けられている。
絶縁膜42は、図8、図9に示すように、例えば端子41の外周部分を除いた部分を露出させるように可撓性基材20の第1の面20a側に設けられている。例えば、絶縁膜42には、端子41の外周部を除く部分を円形状に露出させる開口部42aが形成されている。絶縁膜42のZ方向の厚さh1は、例えば30μm〜40μmに設定されている。端子41が絶縁膜42の開口部42aから露出する部分に積層して例えば半田層47が設けられている。半田層47のZ方向の厚さh2は、例えば120μmに設定されている。
突状部43は、図8に示すように、隣り合う端子41の間にX方向、Y方向に格子状に隣り合う端子41を隔てるように設けられている。突状部43のX方向、Y方向の幅wは、隣り合う端子41間のX方向、Y方向の間隔に応じて適宜変更可能である。例えば、端子41間のY方向の間隔が大きくなるにつれ、突状部43のY方向の幅wを大きくすればよい。
可撓性基材20の第1の面20aからの突状部43の頂部のZ方向の高さh3は、図9に示すように、第1の面20aからの端子41の外周部に積層された絶縁膜42のZ方向の高さh4より高く設定されており、第1の面20aからの半田層26a、26bのZ方向の高さh5より低く設定されている。
突状部43の断面形状は、例えば略半円形状を有している。なお、突状部43の断面形状については、これに限定されず、突状部43のZ方向の高さh3が、高さh4より大きく、高さh5より小さければ、例えば略矩形状の形状を有していてもよい。
例えば、絶縁膜42のZ方向の厚さh1が例えば30μm〜40μm、半田層47のZ方向の厚さh2が例えば120μmに設定されている場合には、突状部43の高さh3は、少なくとも端子41のZ方向の厚さに絶縁膜42の厚さh1を加えた長さより大きく、端子41のZ方向の厚さに半田層47の厚さh2を加えた長さより小さくなるように設定されている。
突状部43は、配線45bに積層するように設けられており、配線45bが設けられている分、絶縁膜42の使用量が減少している。
突状部43の構成材料には、例えば絶縁膜42と同じ絶縁材が用いられている。
半導体素子44は、例えば電源供給用の半導体素子であり、半田層47を介して端子41にそれぞれ電気的に接続される図示を省略した端子を備えている。
(液晶装置の製造方法)
次に、液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
本実施形態では、液晶パネル2の製造工程については、公知技術と同様なのでその説明を省略し、回路基板3側の製造工程について中心的に説明する。
まず、図8、図9に示すように、可撓性基材20の第1の面20a側に端子41と、配線45、46を形成する。
次に、第1の面20a側を例えばレジストにより覆い、パターニングにより、端子41の外周部を除く部分を円形状に露出させる開口部42aを有する絶縁膜42を形成する。
続いて、絶縁膜42を例えば絶縁膜42を形成するときに用いたレジストと同じ材質のレジストにより覆い、パターニングにより、このレジストの突状部以外の部分を取り除き突状部43を形成する。このとき、突状部43のZ方向の高さh3が、高さh4より高く高さh5より低くなるようにすると共に、配線45bの一部に積層するようにする。
次に、半田印刷により図8、図9に示す開口部42aから露出する端子41に積層するように半田層47を形成する。
次に、半導体素子44を端子41に位置合わせをするように配置する(S6)。
続いて、半導体素子44を可撓性基材20に実装する(S7)、すなわち、半田層47をリフロー溶融することで、半導体素子44の図示を省略した端子を、半田層47を介して端子41に電気的に接続する。
そして、液晶パネル2と、半導体素子44が実装された回路基板3とを導電性の接着剤等により電気的に接続し偏光板等を設けるなどして液晶装置を製造する。
以上で液晶装置の製造方法についての説明を終了する。
このように本実施形態によれば、液晶装置は、複数の配線45、46にそれぞれ繋がる端子41が設けられた回路基板40と、複数の端子41に半田層47を介して電気的に接続された複数の端子を有する半導体素子44と、隣合う複数の端子41の間にX方向、Y方向に格子状に設けられた突状部43を有すると共に複数の配線45、46を覆うように設けられた絶縁膜42とを備えているので、例えば半田層47をリフロー溶融して半導体素子44を可撓性基材20に実装するときに、端子41上の半田層47が溶融して端子41の隣の端子41の側に流動する場合に、流動する半田を突状部43で堰き止めることで、溶融した半田が隣り合う端子41間で島状に孤立して半田ボール等が形成されることを防止することができる。従って、例えば液晶装置に加えられる振動により移動可能となる半田ボールによる短絡を防止することができる。
(第4の実施形態・電子機器)
次に、上述した液晶装置1を備えた本発明の第4の実施形態に係る電子機器について説明する。
図10は本発明の第4の実施形態にかかる電子機器の表示制御系の全体構成の概略構成図である。
電子機器300は、表示制御系として例えば図10に示すように液晶パネル2及び表示制御回路390などを備え、その表示制御回路390は表示情報出力源391、表示情報処理回路392、電源回路393及びタイミングジェネレータ394などを有する。
また、液晶パネル2には表示領域Iを駆動するドライバIC11等を含む駆動回路361を有する。
表示情報出力源391は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源391は、タイミングジェネレータ394によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路392に供給するように構成されている。
また、表示情報処理回路392はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路361へ供給する。また、電源回路393は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
このように本実施形態によれば、半田ボールの発生を防止することができる液晶装置1を備えているので、表示性能に優れた電子機器を得ることができる。
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置1等が適用可能なのは言うまでもない。
なお、本発明の電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本発明の要旨を変更しない範囲で、上記各実施形態を組み合わせてもよい。
例えば、上述の実施形態ではTFT型の液晶装置1等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばTFD(Thin Film Diode)型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display及びSurface‐Conduction Electron‐Emitter Display等)などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。
T…薄膜トランジスタ素子、 a、b、c、d…端辺、 I…表示領域、 1…液晶装置、 2…液晶パネル、 3、35、40…回路基板、 4、5…基板、 4a…張り出し部、 5a…共通電極、 6…シール材、 7…ゲート電極、 8…ソース電極、 9…画素電極、 11、12、13…ドライバIC、 14、15、16、17、18、25a、25b、25c、45、45b、46…配線、 20…可撓性基材、 20a…第1の面、 21a、21b、41、41a、41b…端子、 22、29、42…絶縁膜、 22a、22b、29a、29b、42a…開口部、 23、28、43…突状部、 24…電子部品、 26a、26b、47…半田層、 28a、28b…傾斜面、 44…半導体素子、 300…電子機器、 361…駆動回路、 390…表示制御回路、 391…表示情報出力源、 392…表示情報処理回路、 393…電源回路、 394…タイミングジェネレータ