JP4380212B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造を有する半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
こうした多層配線構造を有する半導体集積回路装置にあっては通常、その最上層の配線層にボンディングパッドが形成され、該ボンディングパッドを通じて、当該半導体集積回路装置に対する給電をはじめ、外部回路との各種信号の授受が行われる。図5に、こうしたボンディングパッドが形成された半導体集積回路装置の一部を拡大して示す。
【0003】
同図5に示されるように、この半導体集積回路装置には、その縁部の内側に、ボンディングパッドPD1、PD0、PD2、PD3、…が所定の間隔を隔てて配設されている。ここで、上記ボンディングパッドPD0は、例えば電源配線や接地配線等の給電線W0を介して給電回路に接続されており、他のボンディングパッドPD1〜PD3、…は、それぞれ信号配線W1〜W3、…を介して各種の内部回路に接続されている。
【0004】
ところで、こうした半導体集積回路装置にあっては一般に、その構造上、上記ボンディングパッドPD0、PD1、…を介して外部からの静電気が侵入しやすい。そして、この侵入した静電気が内部の回路で放電されるようなことがあると、素子破壊や絶縁破壊等に至るなど、半導体集積回路装置としての信頼性が著しく損なわれるようになる。
【0005】
そこで従来は、こうした静電気に対する対策の一つとして、同図5に併せて示すような保護素子D1〜D3、…を設けることなども提案されている。これら保護素子D1〜D3、…はいずれも、上記各信号配線W1〜W3、…と給電線W0との間の絶縁を維持しつつ、それら信号配線W1〜W3、…に静電気等のサージ電圧が印加された場合には、これを給電線W0側に逃がすように機能する素子である。そしてそれら保護素子D1〜D3、…は通常、例えば特許文献1に見られるようなダイオードを有して構成されている。
【0006】
また、上記放電は一般に、隣接する配線間で生じやすいことから、従来は、同じく図5に併せて示すように、給電線W0や各信号配線W1〜W3、…間のギャップ、すなわちパッド配線間のギャップGを広くとることによっても、上記静電気に対する耐性の向上を図るようにしている。
【0007】
【特許文献1】
特開平6−85174号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このように、半導体集積回路装置に保護素子を追加したり、パッド配線間のギャップを広くとることによっても、静電気に対する耐性は確かに向上される。しかし、このような半導体集積回路装置にあっては近年、配線の微細化に併せて半導体集積回路装置自体の小型化が急速に進められつつあり、そのような傾向にあって、装置(チップ)全体に対する上記保護素子の占める割合も無視できないものとなりつつある。また一方、上記パッド配線間のギャップを広く確保しようとすれば、自ずと各配線間の幅が狭くなってしまい、配線抵抗の増大や電流容量の低下を招くなど、半導体集積回路装置としての性能の悪化も招きかねない。しかも、上述のように、パッド配線用のギャップを一律に広くとる場合には、静電気の逃げる経路が安定せず、結局は侵入した静電気によって内部回路が破壊に至るといった上記懸念もぬぐいきれない。
【0009】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、静電気の内部回路への侵入に対し、高い耐性を有してその信頼性を高く維持することのできる半導体集積回路装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
こうした目的を達成するため、請求項1に記載の半導体集積回路装置では、半導体基板上に複数の配線層が積層形成される多層配線構造を有する半導体集積回路装置として、前記複数の配線層のうちの任意の1つの配線層において互いに近接する異なる2つの配線間でそれら配線の離間距離を部分的に短縮する突出部をそれら配線の少なくとも一方に設けるとともに、それら各配線の前記離間距離が短縮された部分にそれぞれ対応して、当該配線層の隣り合う配線層に、それら配線と電気的且つ物理的に接続されたダミー配線を設ける構造としている。
【0011】
上述したように、この種の半導体集積回路装置は一般に、ボンディングパッド等の外部との接続部分を介して静電気が侵入しやすいため、これら侵入した静電気に対する高い耐性が要求されている。そしてこのことが、半導体集積回路装置の小型化を困難なものとする一因となっている。
【0012】
この点、上記請求項1に記載の半導体集積回路装置では、任意の1つの配線層にある互いに近接する異なる2つの配線の離間距離を部分的に短縮する突出部を設けるとともに、こうした突出部が設けられる配線層の隣り合う配線層には、上記配線と電気的且つ物理的に接続されるダミー配線を設けるようにしている。これにより、外部から配線を伝わって侵入した静電気は上記突出部の配設によって配線間の離間距離が短縮された部分に誘導され、該部分を通じて放電されるようになる。また、これら配線間にて放電が繰り返される場合であっても、それら配線間の離間距離が短縮されている部分に対応して上記ダミー配線が設けられることにより、いわゆる肉厚の配線パターンとなっていることから、静電気の放電に対する耐性も十分に確保されるようになる。
【0013】
また、こうして静電気に対する耐性が確保されることで、先の図5に例示したパッド配線間のギャップを短縮することができ、ひいては各パッド配線の配線幅を広げてその電流容量の向上を図ることも可能となる。
【0014】
なお、上記突出部やダミー配線が設けられる配線層としては、上記ボンディングパッドにより近い配線層を選択することが望ましい。これにより、侵入した静電気の内部回路への侵入抑制効果も更に高められるようになる。
【0015】
また、請求項2に記載のように、各配線が敷設された配線層とダミー配線が設けられる配線層との間の層間絶縁膜に、各配線の離間距離が短縮された部分にそれぞれ対応するビアホールを設け、このビアホールを介してダミー配線と各配線とを電気的且つ物理的に接続するようにすれば、上記各配線の離間距離が短縮された部分に、上述したいわゆる肉厚の配線パターンを容易且つ確実に形成することができるようになる。
【0016】
また請求項3に記載のように、上記層間絶縁膜については、これをSOG膜によって平坦化するとともに、このSOG膜によって平坦化された層間絶縁膜を介して上記ダミー配線を上記各配線が敷設された配線層の直上の配線層に設けるようにすれば、上記近接する異なる2つの配線間にはSOG膜が介在する構造となる。このSOG膜には水酸基(OH)が含まれているため、このような構造を併用することで、各配線の離間距離が短縮された部分での上述した放電を更に促進することができるようになる。
【0017】
さらに、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体集積回路装置にあっては、請求項4に記載のように、前記部分的に離間距離が短縮される配線の一方が給電線であり、他方が信号配線であることが望ましい。これにより、内部回路に対する最大限の保護を図りつつ、上記放電による電気的な影響を最小限にとどめることができるようになる。
【0018】
他方、請求項5に記載の半導体集積回路装置では、半導体基板上に複数の配線層が積層形成される多層配線構造を有する半導体集積回路装置として、複数の配線層のうちの互いに隣接して設けられる2つの配線層間で半導体基板面への投影が互いに近接する異なる2つの配線の少なくとも一方に、それら配線の前記半導体基板面への投影の離間距離が部分的に短縮されて当該半導体集積回路装置のボンディングパッドを介して外部から侵入する静電気のそれら配線間での放電を促す突出部を設ける構造とする。
【0019】
上記構造によれば、半導体集積回路装置のボンディングパッドを介して外部から該半導体基板装置の内部へ侵入した静電気は、上記突出部の配設によって半導体基板面への投影の離間距離が部分的に短縮された配線部分に誘導され、この配線部分を通じて互いに隣接する配線層間を縦断するかたちで放電されるようになる。これによっても、侵入した静電気の内部回路への侵入は抑制されるようになる。すなわち、半導体集積回路装置としての静電気に対する耐性が確保されるようになる。
【0020】
また、こうして静電気に対する耐性が確保されることで、この場合も先の図5に例示したパッド配線間のギャップを短縮することができ、ひいては各パッド配線の配線幅を広げてその電流容量の向上を図ることも可能となる。
【0021】
なお、このような構造においても、上記放電を促す隣接する2つの配線層としては、上記ボンディングパッドにより近い配線層を選択することで、侵入した静電気の内部回路への侵入抑制効果が更に高められるようになる。
【0022】
また請求項6に記載のように、上記隣接して設けられる2つの配線層のうちの少なくとも上層の配線層に敷設された配線が、その下層の配線層に敷設された配線との半導体基板面への投影の離間距離が短縮される部分に対応して肉厚に形成される構造とすることで、上記静電気の放電が繰り返される場合であっても、その耐性を十分に確保することができる。
【0023】
さらに請求項7に記載のように、前記2つの配線層間を絶縁する層間絶縁膜を、それら各配線層に敷設された配線の前記半導体基板面への投影の離間距離が短縮される部分に対応して肉薄に形成するようにすれば、それら配線層に敷設された各配線の上下方向の離間距離が短縮されるようになるため、同配線間での放電が更に促進されるようになる。
【0024】
また、請求項5〜7のいずれかに記載の半導体集積回路装置にあっても、請求項8に記載のように、前記部分的に離間距離が短縮される配線の一方が給電線であり、他方が信号配線であれば、内部回路に対する最大限の保護を図りつつ、上記放電による電気的な影響を最小限にとどめることができるようになる。
【0025】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明にかかる半導体集積回路装置の第1の実施の形態について、図1および図2を参照して詳細に説明する。
【0026】
この実施の形態にかかる半導体集積回路装置は、半導体基板上の複数の配線層のうちの任意の1つの配線層において互いに近接する異なる2つの配線間で、それら配線の離間距離を部分的に短縮すべく互いに対向して配設される突出部を有している。図1は、この任意の配線層での上記互いに異なる配線、並びに上記突出部の様子を模式的に示したものであり、はじめに図1に基づいて、これら配線の平面構造について詳述する。
【0027】
この実施の形態では、図1に示されるように、上記異なる2つの配線層として、それぞれ給電回路100aおよび内部回路100bから導出される配線を想定している。すなわち、これら給電回路100aから導出される配線(接地線または電源線等の給電線)12aと内部回路100bから導出される配線(信号配線)12bとが、ある任意の配線層において、同図1に示される態様で互いに近接して敷設されている。そしてこの実施の形態では、このような配線12aおよび12bに対して、その離間距離を部分的に短縮する突出部ZTaおよびZTbを互いに対向するように設けている。これにより、上記配線12aおよび12b間のギャップ(離間距離)G0は部分的にギャップG1へと短縮される。またこの実施の形態において、これら突出部ZTaおよびZTbの上面にはそれぞれ、当該配線層の直上の配線層を用いて、上記配線12aおよび12bとそれぞれ電気的且つ物理的に接続される配線16aおよび16bが敷設されている。ただし、これら配線16aおよび16bは、上記突出部ZTaおよびZTbのみに部分的に配設されるダミー配線となっている。
【0028】
次に、このような配線構造を有するこの実施の形態の半導体集積回路装置の断面構造を、図2を参照して更に詳述する。なお、この図2では、説明の便宜上、上記任意の配線層として第1層目の配線層を想定している。
【0029】
図2に示されるように、半導体素子(図示略)が作り込まれたシリコン(Si)基板10には、その上面にシリコン酸化膜(BPSG)11が設けられている。そして、このシリコン酸化膜11の上面には、第1層目の配線層を用いて、上記配線12aおよび12bが上記ギャップG1を隔てて敷設されている。ちなみに、これら配線12aおよび12bは、同図2に示される部分以外ではギャップG1よりも広いギャップG0を隔てて敷設されていることは上述した通りである。
【0030】
また、上記第1層目の配線層(配線12a、12b)およびシリコン酸化膜11の上面には、TEOS(Si(OC2H5)4)からなる層間絶縁膜13が形成されている。そして、この層間絶縁膜13の上面には、該層間絶縁膜13を平坦化するSOG(Spin On Glass)膜14を介して、更にTEOS(Si(OC2H5)4)からなる層間絶縁膜15が形成されている。
【0031】
また、層間絶縁膜15の成膜後、これら層間絶縁膜13、15の図2中、上記ギャップG0とギャップG1との間の部分、すなわち上記突出部ZTa、ZTbには、それぞれビアホールが設けられている。そして、これらのビアホールを埋めるかたちで第2層目の配線である上記配線16a、16bが敷設され、且つ先の図1に平面形状を示した態様でパターニングされている。これにより、同図2に破線にて囲んで示すように、上記突出部ZTa、ZTbは、第1層目の配線である配線12a、12bと第2層目の配線である配線16a、16bとがそれぞれ電気的且つ物理的に接続された、局所的に肉厚の配線パターンとなる。
【0032】
なお、上記第2層目の配線層(配線16a、16b)および層間絶縁膜15の上面には更に、パッシベーション膜としてプラズマを利用したシリコン窒化膜(p−SiN)17と、TEOS膜18とが順に積層形成されている。そして、このTEOS膜18の上面に、図示しないボンディングパッド等の外部接続部が各種配線と導通をとるかたちで配設されることとなる。
【0033】
ところで、この種の半導体集積回路装置にあっては前述のように、その構造上、上記ボンディングパッド等の外部接続部を介して、外部からの静電気が侵入しやすく、これら侵入した静電気が内部の回路で放電されるような場合には、素子破壊や絶縁破壊等に至るなどの問題が指摘されている。この点、上記配線構造を有する本実施の形態の半導体集積回路装置では、外部から配線を伝わって侵入した静電気は、上記ギャップG1を隔てて対向する突出部ZTaおよびZTbに誘導され、該部分を通じて放電されるよう、その放電経路が形成されている。したがって、外部から侵入した静電気の内部回路100b(図1参照)への侵入が抑制され、該静電気による内部回路100bの破壊等を好適に防止することができるようになる。
【0034】
また、上記突出部ZTaおよびZTbは、例えば第1層目の配線層を用いた配線12a、12bと、その直上の配線層を用いたダミー配線としての配線16a、16bとがそれぞれビアホールを介して電気的且つ物理的に接続され、上述した肉厚の配線パターンとして互いに対向する構造となっている。そのため、静電気による放電が繰り返される場合であっても、その耐性を十分に維持することができるようにもなる。
【0035】
また、特に図2に示されるように、上記突出部ZTaと突出部ZTbとの間には、水酸基(OH)が含まれるSOG膜14が介在する構造ともなることから、このSOG膜14の界面において、上記放電が更に促進されるようにもなる。
【0036】
一方、上述のような静電気の放電経路が半導体集積回路装置としてのチップ内部に形成されることで、例えば先の図5に例示した信号配線W1〜W3、…間のギャップGについてはこれを短縮することも可能となる。そしてこの場合には、信号配線W1〜W3の配線幅を広げてその電流容量の向上を図ることも併せて可能となる。
【0037】
以上説明したように、この第1の実施の形態にかかる半導体集積回路装置によれば、以下に列記するような効果を得ることができる。
(1)この実施の形態では、任意の1つの配線層にある互いに近接する異なる2つの配線(配線12a、12b)の離間距離を部分的に短縮する突出部ZTa、ZTbを設けている。そして、こうした突出部ZTa、ZTbが設けられる配線層の直上の配線層には、上記配線と電気的且つ物理的に接続されるダミー配線としての配線16aおよび16bを設けるようにしている。これにより、外部から配線を伝わって侵入した静電気は上記突出部ZTa、ZTbの配設によって配線12aおよび12b間のギャップ(離間距離)G0が短縮されたギャップG1部分に誘導され、該部分を通じて放電されるようになる。また、それら配線間の上記ギャップG0が短縮されているギャップG1に対応して上記ダミー配線としての配線16aおよび16bが設けられることにより、いわゆる肉厚の配線パターンとなっている。これにより、これら配線間にて静電気の放電が繰り返される場合であっても、該放電に対する耐性が十分に確保されるようにもなる。
【0038】
(2)また、この実施の形態では、上記突出部ZTaおよびZTbが設けられる第1層目の配線層(配線12a、12b)とダミー配線が設けられる第2層目の配線層(配線16a、16b)との間の層間絶縁膜13および15のうち、上記突出部ZTaおよびZTbに対応する部分にビアホールを設けている。そして、このビアホールを介して上記配線12aおよび12bと上記配線16aおよび16bとを電気的且つ物理的に接続するようにしている。これにより、上記突出部ZTaおよびZTbにいわゆる肉厚の配線パターンを容易且つ確実に形成することができる。
【0039】
(3)この実施の形態では、突出部ZTaおよびZTbの間に、水酸基(OH)が含まれるSOG膜14が介在される構造となっているため、このSOG膜の界面において、上記放電を更に促進することができる。
【0040】
(4)この実施の形態では、電気に対する耐性が確保されるため、パッド配線(信号配線W1〜W3、…)間のギャップGを短縮することができ、ひいては各パッド配線(信号配線W1〜W3、…)の配線幅を広げてその電流容量の向上を図ることも可能となる。
【0041】
(5)この実施の形態では、上記配線12aが給電回路100aから導出される配線であり、上記配線12bが内部回路100bから導出される配線であるため、内部回路100bに対する最大限の保護を図りつつ、放電による電気的な影響を最小限にとどめることができる。
【0042】
なお、以上説明した第1の実施の形態は、例えば次のように変形して実施することもできる。
・上記実施の形態では、層間絶縁膜13の平坦化材料として水酸基(OH)が含まれるSOG膜14を使用したが、こうした平坦化材料は任意である。すなわち、水酸基(OH)を含まない平坦化材料を使用した場合や、こうした平坦化自体を行わない場合であっても、外部から配線を伝わって侵入した静電気は、ギャップG1を隔てて対向する上記突出部ZTaおよびZTbに誘導され、該部分を通じて放電されるよう、その放電経路が形成されることとなる。
【0043】
・また、上記実施の形態では、突出部ZTaおよびZTbが形成された第1層目の配線層(配線12a、12b)の直上の配線層、すなわち第2層目の配線層にダミー配線(配線16a、16b)を設けたが、このダミー配線の積層数は適宜変更して実施してもよい。ちなみに、ダミー配線の積層数が多くなるほど、静電気の放電に対する耐性が向上されるようになる。
【0044】
・また、上記実施の形態では、突出部ZTaおよびZTbが設けられる上記任意の配線層として第1層目の配線層を、ダミー配線が設けられる配線層として第2層目の配線層を想定しているが、実際には、これら配線層としてボンディングパッドにより近い配線層を選択することが望ましい。これにより、侵入した静電気の内部回路への侵入抑制効果が更に高められることとなる。なおこの場合にも、上記突出部ZTaおよびZTbが設けられる配線層の隣り合う配線層(下層側の配線層も含む)には、ダミー配線が設られることとなる。
【0045】
・上記実施の形態では、配線12aおよび12bにそれぞれ突出部ZTaおよびZTbを対向するかたちで形成したが、こうした突出部は、必ずしも対向して形成しなくともよい。すなわち、配線12aおよび12bのうちのどちらか一方に突出部を設けることにより、これら配線12aおよび12bのギャップ(離間距離)G0を部分的にギャップG1へと短縮するようにしてもよい。こうした場合であっても、上記侵入した静電気は、上記突出部の配設によってそれら配線間のギャップが短縮された部分に誘導され、該部分を通じて放電されるようになる。また、これら配線間(配線12a、12b)で放電が繰り返されるような場合であっても、上記突出部にダミー配線を敷設することで、静電気の放電に対する耐性は確保される。
【0046】
(第2の実施の形態)
次に、図3および図4を参照して、本発明にかかる半導体集積回路装置の第2の実施の形態について説明する。
【0047】
この第2の実施の形態にかかる半導体集積回路装置も、先の第1の実施の形態と同様に、半導体基板上に複数の配線層が積層形成される多層配線構造を有している。ただし、この実施の形態にかかる半導体集積回路装置は、半導体基板上の互いに隣接して設けられる任意の2つの配線層間で半導体基板面への投影が互いに近接する配線に、それら配線層間の半導体基板面への投影の離間距離を部分的に短縮すべく互いに対向する突出部を設けている。図3は、この互いに隣接した2つの配線層における上記投影が互いに近接する配線、並びに上記突出部の様子を模式的に示したものであり、はじめに図3に基づいて、これら配線の平面構造(投影構造)について詳述する。
【0048】
この実施の形態では、図3に示されるように、上記互いに隣接する2つの配線層間での上記投影が互いに近接する配線として、それぞれ給電回路200aおよび内部回路200bから導出される配線を想定している。すなわち、上記互いに隣接して設けられる2つの配線層において、これら給電回路200aから導出される配線(接地線または電源線等の給電線)22および内部回路200bから導出される配線(信号配線)26の基板への投影は、同図3に示される態様で互いに近接している。そしてこの実施の形態では、このような配線22および26に対して、上記投影の離間距離を部分的に短縮する突出部ZT1およびZT2を互いに対向するように設ける構造としている。
【0049】
次に、このような配線構造を有するこの実施の形態の半導体集積回路装置の断面構造を、図4を参照して更に詳述する。なお、この図4では、説明の便宜上、上記互いに隣接して設けられる2つの配線層として第1層目および第2層目の配線層を想定している。
【0050】
図4に示されるように、半導体素子(図示略)が作り込まれたシリコン(Si)基板20には、その上面にシリコン酸化膜(BPSG)21が設けられている。そして、このシリコン酸化膜21の上面には、第1層目の配線層を用いて、上記配線22が敷設されている。この配線22には、同図4に破線で囲んで示すように、その一部分に同一配線の他の部分に比べて突出される突出部ZT1が形成されている。
【0051】
また、上記配線22およびシリコン酸化膜21の上面には、TEOS(Si(OC2H5)4)からなる層間絶縁膜23が形成されている。そして、この層間絶縁膜23の上面には、該層間絶縁膜23を平坦化するSOG(Spin On Glass)膜24を介して、更にTEOS(Si(OC2H5)4)からなる層間絶縁膜25が形成されている。
【0052】
そして、この層間絶縁膜25の上面には第2層目の配線層を用いて、上記配線26が敷設され、且つ先の図3に平面形状を示した態様でパターニングされている。すなわち、ここでも同図4に破線にて囲んで示すように、配線26には、上記配線22に設けられた突出部ZT1の投影との離間距離を部分的にギャップG2へと短縮する突出部ZT2が設けられている。ここで、この突出部ZT2は、突出部ZT1に近接するほど肉厚となるように形成されている。
【0053】
なお、上記配線26および層間絶縁膜25の上面には、プラズマを利用したパッシベーション膜としてのシリコン窒化膜(p−SiN)27とTEOS膜28とが順に積層形成されている。そして、このTEOS膜28の上面に、図示しないボンディングパッド等の外部接続部が配線と導通を得るかたちで配設されることとなる。
【0054】
こうした配線構造を有する本実施の形態の半導体集積回路装置では、上記外部接続部から配線を伝わって侵入した静電気は、突出部ZT1およびZT2の配設によってシリコン基板20への投影の離間距離が部分的にギャップG2へと短縮された配線部分に誘導され、該部分を通じて第1および第2層目の配線層間を縦断するかたちで放電される。このように、こうした配線構造を採用する本実施の形態にあっても、上記静電気の内部回路200b(図3参照)への侵入が抑制され、該静電気による内部回路200bの破壊等を好適に防止することができるようになる。
【0055】
また、配線26に設けられる突出部ZT2は、突出部ZT1に近接するほど肉厚となるように形成されていることから、突出部ZT1およびZT2間にて放電が繰り返される場合であっても、静電気に対する耐性を十分に確保することができる。
【0056】
また、この実施の形態においても、静電気の放電経路が半導体集積回路装置としてのチップ内部に形成されるため、前述した第1の実施の形態と同様に、例えば先の図5に例示した信号配線W1〜W3、…間のギャップGについてこれを短縮することが可能となる。
【0057】
以上説明したように、この第2の実施の形態にかかる半導体集積回路装置によっても、以下に列記するような効果が得られるようになる。
(1)この実施の形態では、第1層目の配線層と第2層目の配線層の配線層間でシリコン基板20への投影が互いに近接する配線22および26に、上記投影の離間距離をギャップG2へと短縮する突出部ZT1およびZT2を形成した。これにより、外部から配線を伝わって侵入した静電気は、上記突出部ZT1およびZT2の配設によってシリコン基板20への投影の離間距離がギャップG2へと短縮された配線部分に誘導され、この配線部分を通じて第1および第2層の配線層間を縦断するかたちで放電されるようになる。
【0058】
(2)また、この実施の形態では、配線26に設けられる突出部ZT2を、突出部ZT1に近接するほど肉厚となるように形成したため、突出部ZT1およびZT2間で放電が繰り返される場合であっても、静電気の放電に対する耐性を十分に維持することもできる。
【0059】
(3)また、この実施の形態でも、静電気に対する耐性が確保されるため、パッド配線(信号配線W1〜W3、…)間のギャップGを短縮することができ、ひいては各パッド配線(信号配線W1〜W3、…)の配線幅を広げてその電流容量の向上を図ることが可能となる。
【0060】
(4)またさらに、この実施の形態においても、給電線である配線22に突出部ZT1を設ける一方で、信号配線である配線26に突出部ZT2を設ける構造としたため、内部回路200bに対する最大限の保護を図りつつ、放電による電気的な影響を最小限にとどめることができるようになる。
【0061】
なお、以上説明した第2の実施の形態は、例えば次のように変形して実施することもできる。
・上記実施の形態では、突出部ZT2を、突出部ZT1に近接するほど配線26が肉厚となるように形成したが、これに加えて、突出部ZT1も突出部ZT2に近接するほどに肉厚となるように形成してもよい。このような構造によれば、静電気の放電に対する耐性が更に向上されるようになる。
【0062】
・また、上記突出部ZT1と突出部ZT2との間に積層される層間絶縁膜23、25を、他の部分に比べて肉薄となるように形成するようにしてもよい。このように、層間絶縁膜の膜厚を調整した場合には、配線の上下方向の離間距離も短縮されるようになることから、これら配線間での放電が更に促進されるようになる。
【0063】
・また、上記実施の形態では、突出部ZT1およびZT2を第1層目の配線層および第2層目の配線層に設ける構造としたが、実際には、これら配線層としても、ボンディングパッドにより近い配線層を選択することが望ましい。これにより、侵入した静電気の内部回路への侵入抑制効果が更に高められることとなる。
【0064】
・上記実施の形態では、配線22および配線26にそれぞれ突出部ZT1およびZT2を対向するかたちで形成したが、こうした突出部は必ずしも対向して形成する必要はない。すなわち、配線22および配線26のうちのどちらか一方に突出部を設けることにより、これら配線22および26の投影の離間距離を部分的にギャップG2へと短縮するようにしてもよい。こうした場合であっても、上記侵入した静電気は、上記突出部の配設によってそれら配線間のギャップが短縮された部分に誘導され、該部分を通じて放電されるようになる。
【0065】
その他、上記第1または第2の実施の形態に共通して変更可能な要素としては、以下のようなものがある。
・上記各実施の形態では、突出部を三角形状として図示したが、突出部の形状は任意である。要は、近接する配線との離間距離を同一配線の他の部位に比べて短縮することのできる形状であれば、例えば半円形状や矩形状であっても、上述した放電促進効果を得ることはできる。
【0066】
・上記各実施の形態では、接地線または電源線等の給電線と信号配線との間に上記突出部を設ける構造としたが、特に機能上問題が生じない範囲において、該突出部は任意の配線間に設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる半導体集積回路装置の第1の実施の形態について、その平面構造を模式的に示す部分平面図。
【図2】同第1の実施の形態の半導体集積回路装置の側部断面構造を示す断面図。
【図3】本発明にかかる半導体集積回路装置の第2の実施の形態について、その平面構造(投影構造)を模式的に示す部分平面図。
【図4】同第2の実施の形態の半導体集積回路装置の側部断面構造を示す断面図。
【図5】従来の半導体集積回路装置のボンディングパッド部およびその周辺部の配線構造を模式的に示す部分平面図。
【符号の説明】
10、20…シリコン基板、11、21…シリコン酸化膜、12a、12b、16a、16b、22、26…配線、13、15、23、25…層間絶縁膜、14、24…SOG膜、17、27…シリコン窒化膜、18、28…TEOS膜、100a、200a…給電回路、100b、200b…内部回路、ZTa、ZTb、ZT1、ZT2…突出部。
Claims (8)
- 半導体基板上に複数の配線層が積層形成される多層配線構造を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の配線層のうちの任意の1つの配線層において互いに近接する異なる2つの配線間でそれら配線の離間距離を部分的に短縮する突出部がそれら配線の少なくとも一方に設けられてなるとともに、それら各配線の前記離間距離が短縮された部分にそれぞれ対応して、当該配線層の隣り合う配線層に、それら配線と電気的且つ物理的に接続されたダミー配線が設けられてなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記各配線が敷設された配線層と前記ダミー配線が設けられる配線層との間の層間絶縁膜には、前記各配線の前記離間距離が短縮された部分にそれぞれ対応してビアホールが設けられてなり、前記ダミー配線は、それぞれ該ビアホールを介して前記各配線と電気的且つ物理的に接続されてなる
請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記層間絶縁膜は、SOG膜によって平坦化されてなり、前記ダミー配線は、該SOG膜によって平坦化された層間絶縁膜を介して前記各配線が敷設された配線層の直上の配線層に設けられてなる
請求項2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記部分的に離間距離が短縮される配線の一方が給電線であり、他方が信号配線である
請求項1〜3のいずれかに記載の半導体集積回路装置。 - 半導体基板上に複数の配線層が積層形成される多層配線構造を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の配線層のうちの互いに隣接して設けられる2つの配線層間で半導体基板面への投影が互いに近接する異なる2つの配線の少なくとも一方に、それら配線の前記半導体基板面への投影の離間距離が部分的に短縮されて当該半導体集積回路装置のボンディングパッドを介して外部から侵入する静電気のそれら配線間での放電を促す突出部を設けた
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記隣接して設けられる2つの配線層のうちの少なくとも上層の配線層に敷設された配線は、その下層の配線層に敷設された配線との前記半導体基板面への投影の離間距離が短縮される部分に対応して肉厚に形成されてなる請求項5に記載の半導体集積回路装置。
- 前記2つの配線層間を絶縁する層間絶縁膜は、それら各配線層に敷設された配線の前記半導体基板面への投影の離間距離が短縮される部分に対応して肉薄に形成されてなる
請求項5または6に記載の半導体集積回路装置。 - 前記各配線層に敷設された配線の一方が給電線であり、他方が信号配線である
請求項5〜7のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
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