JP4377566B2 - アクティブ磁場キャンセラ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、外乱としての外部磁場の影響を軽減するためのアクティブ磁場キャンセラに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子顕微鏡、電子ビーム露光装置等の電子応用機器は、高性能化に伴い電磁ノイズに極めて敏感になっている。一方で、電磁ノイズの発生源は増大しつつあり、上記装置の設置空間での外乱による磁場変動を抑制するための対策が必要となっている。
このため、従来、例えば図11に示すように、ヘルムホルツコイルを用いた磁気シールド装置20が提案されている。この磁気シールド装置20は、磁場制御空間21を挟んで同軸に対向配置され、同じ大きさの電流Iが流される同じ巻数、同じ寸法の一対のループコイル22A,22Bを有しており、このループコイル22A,22Bは電流調節手段23に接続されている。
【0003】
一対のループコイル22A,22B間には、一つの磁気センサ24が配置され、この磁気センサ24からこれにより検出された磁場強さを示す検出信号がコントローラ25に入力されている。即ち、ループコイル22A,22B間の磁場制御空間21には、外乱磁場が存在する一方、この外乱磁場を遮蔽するようにループコイル22A,22Bにより磁場制御空間21に補償磁場が形成されており、磁気センサ24により、この外乱磁場と補償磁場との差である磁場制御誤差が検出される。さらに、この磁場制御誤差をできるだけ小さくする電流Iがコントローラ25により演算され、この演算結果に基づき、コントローラ25から電流調節手段23に制御信号が出力される。そして、この電流調節手段23により、ループコイル22A,22Bの電流Iが調節され、磁場制御空間21における補償磁場の強さが制御される。
【0004】
磁気シールド装置20の制御系統は図12のように表され、図中の各符号の意味は、以下の通りである。
x1,xP :磁気センサ24及び点Pの各位置における外乱磁場の強さ(Pは、ループコイル22A,22Bの中心を結ぶ線上の任意の点)
m11,m1P :ループコイル22Aに流れる電流Iにより磁気センサ24及び点Pの各位置に生成される 補償磁場の強さ
m21,m2P :ループコイル22Bに流れる電流Iにより磁気センサ24及び点Pの各位置に生成される補償磁場の強さ
e1,eP :磁気センサ24及び点Pの各位置における磁場制御誤差(=外乱磁場−補償磁場)
F :電流調節手段23に制御信号を出力するコントローラ25のフィードバック伝達関数
i :コントローラ25から電流調節手段23に出力される制御信号
H11,H1P :ループコイル22Aと磁気センサ24及び点Pのそれぞれとの間の電流−磁場変換伝達関数
H21,H2P :ループコイル22Bと磁気センサ24及び点Pのそれぞれとの間の電流−磁場変換伝達関数
【0005】
図11及び図12から分かるように、コントローラ25は、磁気センサ24から磁場制御誤差e1を示す入力信号を受け、電流調節手段23に制御信号iを出力し、この結果、磁気センサ24の位置には、ループコイル22Aにより補償磁場m11(=i・H11)が、ループコイル22Bにより補償磁場m21(=i・H21)がそれぞれ形成され、点Pの位置には、ループコイル22Aにより補償磁場m1P(=i・H1P)が、ループコイル22Bにより補償磁場m2P(=i・H2P)がそれぞれ形成される。そして、磁気センサ24の位置では、新たに磁場制御誤差e1(=x1―m11―m21)が生じ、上述したようにこれを示す信号がコントローラ25に入力される一方、点Pの位置では、新たに磁場制御誤差eP(=xP―m1P―m2P)が生じる。そして、磁気シールド装置20としては、常にこの点Pでの磁場制御誤差ePを零に限りなく近付けることができれば理想的である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の磁気シールド装置20では、コントローラ25からの単一の制御信号iにより、ループコイル22A,22Bを流れる電流を等しく調節しており、構造上、ループコイル22A,22Bのそれぞれを流れる電流を異ならせることはできない。
このため、磁束密度に関するシミュレーションにより得られた図13に示すように、磁気シールド装置20では、ループコイル22A,22B間に生じる磁束密度は、ループコイル22A,22Bの中心を結ぶ線の上下で対称になるだけでなく、ループコイル22A,22Bの中心、即ち点Oの左右についても対称になる。そして、ループコイル22A,22Bの中心を結ぶ線の近くでは、一方のループコイル22Aから他方のループコイル22Bまで、磁束密度は略均一で、殆ど変化がない。
なお、図13において、矢印の方向は磁束の方向を示し、矢印の長さは磁束密度の大きさを示している。
【0007】
この結果、本発明との比較において後述するように、この磁気シールド装置20の場合、磁気シールドは一対のループコイル22A,22B間の一点でのみしか行えず、この一点から離れるにつれて磁気シールド特性が悪くなるという問題を有している。
本発明は、斯る従来の問題点をなくすことを課題としてなされたもので、磁気制御空間において広範囲にわたって良好な磁気シールド特性を有するアクティブ磁場キャンセラを提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第1発明は、磁場制御空間を挟んで対向配置され、この磁場制御空間を横切る一軸を中心軸とし、互いに独立した対をなす二つのループコイル及びこの内の一方のループコイルに流す電流を調節する一方の電流調節手段及び上記二つの内の他方のループコイルに流す電流を調節する他方の電流調節手段からなる少なくとも一組の磁場形成部と、上記磁場制御空間内において、上記二つのループコイルから等距離の上記中心軸上の点と上記一方のループコイルとの間に配置された一方の磁気センサと、上記磁場制御空間内において、上記点と上記他方のループコイルとの間に配置された他方の磁気センサと、上記一方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記一方の電流調整手段に対して上記一方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力すると共に、上記他方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記他方の電流調整手段に対して上記他方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力し、それによって上記磁場制御空間における磁場を打消す磁場を形成する電流を上記両ループコイルに生じさせるコントローラとを備えた構成とした。
【0009】
第2発明は、第1発明の構成に加えて、上記両ループコイル間の距離を調節可能に形成した。
【0010】
第3発明は、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が複数組設けられ、その各々における上記中心軸が平行である構成とした。
【0011】
第4発明は、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が少なくとも2組設けられ、その各々における上記中心軸が互いに直交する2方向に延びている構成とした。
【0012】
第5発明は、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が少なくとも3組設けられ、その各々における上記中心軸が、直交する3方向に延びている構成とした。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る1方向1軸制御形のアクティブ磁場キャンセラ1を示し、このアクティブ磁場キャンセラ1は磁場制御空間11を挟んで対向配置され、磁場制御空間11を横切る一軸であるX軸を中心軸とし、同じ形状を有する互いに独立した対をなす二つのループコイル12A,12Bを有している。この内の一方のループコイル12Aは一方の電流調節手段13Aに接続され、他方のループコイル12Bは他方の電流調節手段13Bに接続され、ループコイル12Aとループコイル12Bのそれぞれに流れる電流は、それぞれに接続された電流調節手段13Aと電流調節手段13Bにより別個に調節される。そして、この一方のループコイル12A、電流調節手段13A及び他方のループコイル12B、電流調節手段13Bにより一組の磁場形成部14が形成されている。なお、図1では、一対のループコイル12Aとループコイル12Bに同方向の電流を流した状態が例示されている。
【0014】
また、二つのループコイル12A及び12Bから等距離の上記中心軸、即ちX軸上の点Oとループコイル12Aとの間のX軸上に一方の磁気センサ15Aが配置され、点Oとループコイル12Bとの間のX軸上に他方の磁気センサ15Bが配置されている。なお、好ましくはループコイル12A,12B間における磁場制御目標点を点Oとし、一方の磁気センサ15Aはループコイル12Aよりも点Oにより近いX軸上の位置、他方の磁気センサ15Bはループコイル12Bよりも点Oにより近いX軸上の位置に配置されるのがよい。但し、磁場制御目標点、磁気センサ15A,15Bに関して、本発明は斯かる位置に限定されるものではない。
【0015】
さらに、磁気センサ15A及び15Bにより検出された磁場の強さを示す検出信号を受けて、これに基づき、上記両電流調節手段13A及び13Bに対して、磁場制御空間11における磁場を打消す磁場を形成する電流をループコイル12A及び12Bに生じさせるための制御信号を出力するコントローラ16が設けられている。
【0016】
次に、上述したアクティブ磁場キャンセラ1による磁場の制御について、図1及び図2を参照しつつ説明する。
ループコイル12A及び12Bが一辺の長さが2aの正方形で、ループコイル12Aに電流I1が流れ、ループコイル12Bに電流I2が流れている場合、ループコイル12A及び12Bの中心軸であるX軸上の任意の点Pにおいて、ループコイル12Aにより作られる磁場B1w、ループコイル12Bにより作られる磁場B2wは、次式により表される。
【0017】
B1w=(2μ0a2NI1/π)/[{(d/2+w)2+a2}・{(d/2+w)2+2a2}1/2] (1)
B2 w=(2μ0a2NI2/π)/[{(d/2-w)2+a2}・{(d/2-w)2+2a2}1/2] (2)
ここで、
μ0:真空中の透磁率
w :X軸上におけるループコイル12A及び12Bから等距離の点Oと点Pとの間の距離
N :ループコイル12A及び12Bの巻数
d :ループコイル12Aとループコイル12Bとの間の距離
【0018】
また、図2における各符号は以下の意味を表している。
x1,x2,xP :磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれの位置における外乱磁場の強さ
m11,m12,m1P:ループコイル12Aに流れる電流I1により磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれの位置に生成される補償磁場の強さ(m11:主帰還量,m12:干渉成分,m1P:目標点帰還量)
m21,m22,m2P:ループコイル12Bに流れる電流I2により磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれの位置に生成される補償磁場の強さ(m22:主帰還量,m21:干渉成分,m2P:目標点帰還量)
e1,e2,eP :磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれの位置における磁場制御誤差(=外乱磁場−補償磁場)
F1,F2 :電流調節手段13A及び13Bのそれぞれに制御信号を出力するコントローラ16における制御部のフィードバック伝達関数
i1,i2 :上記制御部から電流調節手段13A及び13Bのそれぞれに出力される制御信号
H11,H12,H1P:ループコイル12Aと磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれとの間の電流−磁場変換伝達関数
H21,H22,H2P:ループコイル12Bと磁気センサ15A,15B及び点Pのそれぞれとの間の電流−磁場変換伝達関数
【0019】
図2からも分るように、m11=H11F1e1,m22=H22F2e2,m21=H21F2e2,m12=H12F1e1,m1P=H1PF1e1,m2P=H2PF2e2であるから、磁場制御誤差について以下の(3)〜(5)式が得られる。
e1=x1-m11-m21=x1-H11F1e1-H21F2e2 (3)
e2=x2-m12-m22=x2-H12F1e1-H22F2e2 (4)
eP=xP-m1P-m2P=xP-H1PF1e1-H2PF2e2 (5)
これらの式を簡単にするために、ループコイル12A及び12Bのそれぞれについて形成されるフィードバックループの働きを同一とし、次式が成立するものとする。
F1=F2(=Fとする) (6)
H11=H22(=HAとする) (7)
H12=H21(=HBとする) (8)
【0020】
(3)及び(4)式より、e1及びe2が算出され、以下のように表される。
e1=(HAx1-HBx2)/{(HA 2−HB 2)F} (9)
e2=(HAx2-HBx1)/{(HA 2-HB 2)F} (10)
ここで、HA≠HBで、フィードバック伝達関数F1,F2(=F)の絶対値であるそれぞれのゲインを大きくしてあり、e1及びe2は0と見なせるようにしてある。
また、(3)〜(5)式より、e1及びe2を消去することにより、目標点での磁場制御誤差ePは次式で表される。
【0021】
さらに、式(1)及び(2)において、w=−L/2(L:磁気センサ15A,15B間の距離)とすると、式(11)における伝達関数HA,HB,H1P,H2Pは次式で表される。
HA=B11/I1
=B1w│w= L /2/I1
=(2μ0a2N/π)/[{(d/2-L/2)2+a2}・{(d/2-L/2)2+2a2}1/2] (12)
HB=B21/I2
=B2w│w=L/2/I2
=(2μ0a2N/π)/[{(d/2+L/2)2+a2}・{(d/2+L/2)2+2a2}1/2] (13)
H1p=B1w/I1
=(2μ0a2N/π)/[{(d/2+w)2+a2}・{(d/2+w)2+2a2}1/2] (14)
H2p=B2w/I2
=(2μ0a2N/π)/[{(d/2-w)2+a2}・{(d/2-w)2+2a2}1/2] (15)
【0022】
磁場制御誤差ePは、外乱磁場xPとループコイル12A及び12B間の距離dの関数であり、点Pの位置によりその大きさは変化する。磁場誤差ePが最大となる点Pの位置を求め、この位置での磁場をできる限り弱めるようにループコイル12A及び12B間の距離dを決めれば、磁場制御空間11において外乱磁場による影響を最小限に止めることができる。即ち、上述した各位置での実際の外乱磁場の強さを検出し、磁場誤差ePに関する(11)式に基づき、この磁場誤差ePを最小にする最適な距離doptを算出する。
また、ループコイル12A及び12Bに両者間の距離の調整を可能とする駆動機構を設け、上述した演算により最適距離doptが求められると、上記距離dを最適距離doptにする制御信号を上記駆動機構に出力し、自動的に上記距離dの最適化調整をできるようにしてもよい。
【0023】
次に、上述したアクティブ磁場キャンセラ1についてのシミュレーション結果を図3〜7に示す。なお、このシミュレーションでは、2a=2m、d=1.8mとした。
図3は、磁束密度に関するシミュレーション結果を示し、アクティブ磁場キャンセラ1では、ループコイル12A,12B間に生じる磁束密度は、ループコイル12A,12Bの中心を結ぶ線の近傍では、ループコイル12Aからループコイル12Bに向かって小さくなる磁束密度勾配が生じており、ループコイル12Aにおける電流I1とループコイル12Bにおける電流I2とを調節することにより上記磁束密度勾配を適宜変え得ることが理解される。
なお、上記同様、図3において、矢印の方向は磁束の方向を示し、矢印の長さは磁束密度の大きさを示している。
【0024】
図4は、外乱磁場発生源が近くに存在する場合において、外乱磁場での規格化磁束密度及びこれに対して形成される補償磁場での規格化磁束密度が点Oからの距離により変化する状態を示したものである(横軸:点Oからの距離(左方向:−,右方向:+),縦軸:規格化磁束密度)。そして、図4において、二点鎖線が外乱磁場、実線が本発明に係るアクティブ磁場キャンセラ1による補償磁場、一点鎖線が従来の上記装置による補償磁場のそれぞれにおける規格化磁束密度を示している。また、図5は、図4に示すデータから得られ、磁場制御誤差が点Oからの距離により変化する状態を示したもので(横軸:点Oからの距離(左方向:−,右方向:+),縦軸:磁場制御誤差)、実線が本発明に係るアクティブ磁場キャンセラ1による場合、一点鎖線が従来の上記装置による場合を示している。
【0025】
図4及び5から分かるように、外乱磁場発生源が近くに存在する場合、外乱磁場での規格化磁束密度の勾配が大きく、従来は点Oの一点で磁場制御誤差を零にすることはできても、点Oから離れる程、磁場制御誤差が大きくなるのに対して、本発明では、点Oの左右両側の広い範囲にわたって磁場制御誤差を非常に小さくなっている。
【0026】
図6及び7は、外乱磁場発生源が遠くに存在する場合において、図4及び5と同様に、規格化磁場及び磁場制御誤差が点Oからの距離により変化する状態を示したものである。
この図6及び7から分かるように、外乱磁場発生源が遠くに存在する場合、外乱磁場での規格化磁束密度の勾配が小さく、この場合においても、従来は点Oのごく近傍で磁場制御誤差を小さくすることはできても、この近傍から離れる程、磁場制御誤差が大きくなるのに対して、本発明では、点Oの左右両側の広い範囲にわたって磁場制御誤差を非常に小さくなっている。
このように、本発明の場合、外乱磁場に応じて規格化磁束密度の勾配を適宜変えることができる結果、常に広範囲にわたって磁場制御誤差を零に近付け得ることが顕著に表れている。
【0027】
図8は、本発明の第2実施形態に係る1方向3軸制御形のアクティブ磁場キャンセラ2を示し、上述したアクティブ磁場キャンセラ1と互いに共通する部分については、同一番号を付して説明を省略する。
このアクティブ磁場キャンセラ2では、X軸に平行な3軸のそれぞれについて、それを中心軸とする一対のループコイル12AX1,12BX1を有する磁場形成部14X1、一対のループコイル12AX2,12BX2を有する磁場形成部14X2及び一対のループコイル12AX3,12BX3を有する磁場形成部14X3が設けられ、かつこれらの各々にアクティブ磁場キャンセラ1の場合と同様に、電流調節手段13AX1,13BX1、13AX2,13BX2及び13AX3,13BX3と磁気センサ15AX1,15BX1、15AX2,15BX2及び15AX3,15BX3とが設けられている。そして、上記ループコイルの各々における電流は上述したコントローラ16により別個に制御される。
斯かる構成により、一方向に関する限り、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場をより近似させることが可能となり、磁場制御誤差をより小さくすることが可能となる。
【0028】
図9は、本発明の第3実施形態に係る2方向2軸制御形のアクティブ磁場キャンセラ3を示し、上述したアクティブ磁場キャンセラ1及び2と互いに共通する部分については、同一番号を付して説明を省略する。
このアクティブ磁場キャンセラ3では、X軸及びY軸のそれぞれについて、それを中心軸とする一対のループコイル12AX,12BXを有する磁場形形成部14X、一対のループコイル12AY,12BYを有する磁場形成部14Yが設けられ、かつこれらの各々にアクティブ磁場キャンセラ1の場合と同様に、電流調節手段13AX,13BX及び13AY,13BYと磁気センサ15AX,15BX及び15AY,15BYとが設けられている。そして、上記ループコイルの各々における電流は上述したコントローラ16により別個に制御される。
斯かる構成により、一方向限らず直交する二方向に関し、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場を近似させることが可能となり、磁場制御誤差を零に近付けることが可能となる。
【0029】
図10は、本発明の第4実施形態に係る3方向3軸制御形のアクティブ磁場キャンセラ4を示し、上述したアクティブ磁場キャンセラ1,2及び3と互いに共通する部分については、同一番号を付して説明を省略する。
このアクティブ磁場キャンセラ4では、X軸、Y軸及びZ軸のそれぞれについて、それを中心軸とする一対のループコイル12AX,12BXを有する磁場形形成部14X、一対のループコイル12AY,12BYを有する磁場形成部14Y及び一対のループコイル12AZ,12BZを有する磁場形成部14Zが設けられ、かつこれらの各々にアクティブ磁場キャンセラ1の場合と同様に、電流調節手段13AX,13BX,13AY,13BY及び13AZ,13BZと磁気センサ15AX,15BX,15AY,15BY及び15AZ,15BZとが設けられている。そして、上記ループコイルの各々における電流は上述したコントローラ16により別個に制御される。
斯かる構成により、一或いは二方向限らず直交する三方向に関し、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場を近似させることが可能となり、磁場制御誤差を零に近付けることが可能となる。
【0030】
なお、本発明は、上述したアクティブ磁場キャンセラ1〜4に限定されるものではなく、ループコイルの形状は矩形の他、多角形、円形、楕円形等でもよく、電流I1,I2は交流でも直流でもよい。
また、上述したアクティブ磁場キャンセラ3及び4において、X,Y,Z軸の各々について、これらに平行な中心軸を有する複数組の磁場形成部を設けてもよく、かつ一対のループコイル間の距離を可変にしておくのが好ましく、このように複数組の磁場形成部を設けることにより外乱磁場の影響を一層効率よく無くすことが可能となる。
【0031】
さらに、図8に例示されるように、一方向に平行な複数の中心軸を有する複数組の磁場形成部を設ける場合、磁場制御空間11の中心部において、各磁場形成部により形成される磁場が互いに相殺し合うことがないように、各ループコイルに流れる電流の方向を定めるべきである。
さらにまた、対をなす二つのループコイルは、必ずしも同じ形状である必要はなく、磁気センサは対をなすループコイルの中心軸上に必ずしも配置される必要はない。
【0032】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、第1発明によれば、磁場制御空間を挟んで対向配置され、この磁場制御空間を横切る一軸を中心軸とし、互いに独立した対をなす二つのループコイル及びこの内の一方のループコイルに流す電流を調節する一方の電流調節手段及び上記二つの内の他方のループコイルに流す電流を調節する他方の電流調節手段からなる少なくとも一組の磁場形成部と、上記二つのループコイルから等距離の上記中心軸上の点と上記一方のループコイルとの間に配置された一方の磁気センサと、上記点と上記他方のループコイルとの間に配置された他方の磁気センサと、上記一方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記一方の電流調整手段に対して上記一方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力すると共に、上記他方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記他方の電流調整手段に対して上記他方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力し、それによって上記磁場制御空間における磁場を打消す磁場を形成する電流を上記両ループコイルに生じさせるコントローラとを備えた構成としてある。
このため、磁気制御空間において外乱磁場に対応して自由に磁束密度の勾配を生じさせ得るようになり、広範囲にわたって均一に外乱磁場の影響を零に近付け、良好な磁気シールド特性を発揮させることが可能になるという効果を奏する。
【0033】
第2発明によれば、第1発明の構成に加えて、上記両ループコイル間の距離を調節可能に形成してある。
このため、上記効果に加えて、外乱磁場発生源の遠近に応じた適切な磁場制御が容易になるという効果を奏する。
【0034】
第3発明によれば、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が複数組設けられ、その各々における上記中心軸が平行である構成としてある。
このため、上述した第1または第2発明による効果をより顕著なものとし、一方向に関する限り、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場をより近似させることが可能となり、磁場制御誤差をより小さくすることが可能になるという効果を奏する。
【0035】
第4発明によれば、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が少なくとも2組設けられ、その各々における上記中心軸が互いに直交する2方向に延びている構成としてある。
このため、上述した第1または第2発明による効果を2次元にまで広げ、一方向限らず直交する二方向に関し、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場を近似させることが可能となり、磁場制御誤差を零に近付けることが可能になるという効果を奏する。
【0036】
第5発明によれば、第1または第2発明の構成に加えて、上記磁場形成部が少なくとも3組設けられ、その各々における上記中心軸が、直交する3方向に延びている構成としてある。
このため、上述した第1または第2発明による効果を3次元にまで広げ、一或いは二方向限らず直交する三方向に関し、広範囲にわたって外乱磁場に補償磁場を近似させることが可能となり、磁場制御誤差を零に近付けることが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態に係る1方向1軸制御形のアクティブ磁場キャンセラの全体構成を示す図である。
【図2】 図1に示すアクティブ磁場キャンセラにおける制御系統を示すブロックダイヤグラムである。
【図3】 図1に示すアクティブ磁場キャンセラにより形成される補償磁場での磁束密度についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図4】 外乱磁場発生源が近い場合において、外乱磁場に対して形成される補償磁場が両ループコイルの中心からの距離とともに変化する状態についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図5】 図4から得られる磁場制御誤差が両ループコイルの中心からの距離とともに変化する状態を示す図である。
【図6】 外乱磁場発生源が遠い場合において、外乱磁場に対して形成される補償磁場が両ループコイルの中心からの距離とともに変化する状態についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図7】 図4から得られる磁場制御誤差が両ループコイルの中心からの距離とともに変化する状態を示す図である。
【図8】 本発明の第2実施形態に係る1方向3軸制御形のアクティブ磁場キャンセラの全体構成を示す図である。
【図9】 本発明の第3実施形態に係る2方向2軸制御形のアクティブ磁場キャンセラの全体構成を示す図である。
【図10】 本発明の第4実施形態に係る3方向3軸制御形のアクティブ磁場キャンセラの全体構成を示す図である。
【図11】 従来の磁気シールド装置の全体構成を示す図である。
【図12】 図11に示す磁気シールド装置における制御系統を示すブロックダイヤグラムである。
【図13】 図11に示す磁気シールド装置により形成される補償磁場での磁束密度についてのシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
1 アクティブ磁場キャンセラ 11 磁場制御空間
12A,12B ループコイル 13A,13B 電流調節手段
14 磁場形成部 15A,15B 磁気センサ
16 コントローラ
Claims (5)
- 磁場制御空間を挟んで対向配置され、この磁場制御空間を横切る一軸を中心軸とし、互いに独立した対をなす二つのループコイル及びこの内の一方のループコイルに流す電流を調節する一方の電流調節手段及び上記二つの内の他方のループコイルに流す電流を調節する他方の電流調節手段からなる少なくとも一組の磁場形成部と、
上記磁場制御空間内において、上記二つのループコイルから等距離の上記中心軸上の点と上記一方のループコイルとの間に配置された一方の磁気センサと、
上記磁場制御空間内において、上記点と上記他方のループコイルとの間に配置された他方の磁気センサと、
上記一方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記一方の電流調整手段に対して上記一方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力すると共に、上記他方の磁気センサにより検出された磁場の強さを示す検出信号に基づいて、上記他方の電流調整手段に対して上記他方のループコイルに流す電流を調節させる信号を出力し、それによって上記磁場制御空間における磁場を打消す磁場を形成する電流を上記両ループコイルに生じさせるコントローラと
を備えたことを特徴とするアクティブ磁場キャンセラ。 - 上記両ループコイル間の距離を調節可能に形成したことを特徴とする請求項1に記載のアクティブ磁場キャンセラ。
- 上記磁場形成部が複数組設けられ、その各々における上記中心軸が平行であることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブ磁場キャンセラ。
- 上記磁場形成部が少なくとも2組設けられ、その各々における上記中心軸が互いに直交する2方向に延びていることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブ磁場キャンセラ。
- 上記磁場形成部が少なくとも3組設けられ、その各々における上記中心軸が、直交する3方向に延びていることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブ磁場キャンセラ。
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