JP4371039B2 - 半導体チップの実装方法 - Google Patents

半導体チップの実装方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4371039B2
JP4371039B2 JP2004320148A JP2004320148A JP4371039B2 JP 4371039 B2 JP4371039 B2 JP 4371039B2 JP 2004320148 A JP2004320148 A JP 2004320148A JP 2004320148 A JP2004320148 A JP 2004320148A JP 4371039 B2 JP4371039 B2 JP 4371039B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
connection
terminals
substrate
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004320148A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006134976A (ja
Inventor
弘文 黒沢
義知 萩尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004320148A priority Critical patent/JP4371039B2/ja
Publication of JP2006134976A publication Critical patent/JP2006134976A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4371039B2 publication Critical patent/JP4371039B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2499Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids
    • H01L2224/24996Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/24998Reinforcing structures, e.g. ramp-like support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82007Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting a build-up interconnect during or after the bonding process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

本発明は、半導体チップの実装方法に関する。
近年、半導体チップを基板上に実装する技術として、ワイヤボンディングを用いて半導体チップと基板とを電気的に配線接続する方法が知られている。また、導電材料を液滴吐出法で吐出することで配線を形成し、実装する技術も知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−216330号公報
ところで、半導体チップを基板上に実装する際には、前記半導体チップを前記基板上に配置した際に、半導体チップが基板に対して、多少の位置ズレを生じる場合がある。このような場合に、位置ズレを補正することなく、液滴吐出法を用いて導電材料を吐出し、半導体チップの接続端子と基板の基板側端子とを接続する配線(接続配線)を形成すると、例えば接続端子から基板側端子に延びた配線が、この接続端子との接続に対応していない他の基板側端子と接触してしまい、対応しない端子間がショートしてしまうことがある。
そこで、位置ズレを生じた半導体チップの接続端子とこの接続端子に対応している基板側端子との中央部を接続するような、通常の配線に対し斜め方向に配線を形成することで、前記位置ズレを補正することなくショートを回避することが考えられる。しかしながら、このように斜め方向の配線を形成するためには、前記半導体チップと基板とのズレ量に応じた吐出パターンに対応させるために、吐出パターンのデータ処理が煩雑となってしまう。すなわち、一般的に液滴吐出法では、基板に対し液滴吐出ヘッドをx方向(縦方向)とy方向(横方向)とのみ相対移動させるようにしている。したがって、x方向とy方向との合成による斜め方向での吐出は、その吐出パターンが煩雑になってしまうからである。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、基板上に半導体チップを実装するに際して、基板の基板側端子と半導体チップの接続端子との間にある程度の位置ズレがある場合でも、前記位置ズレを補正することなく配線のショートを防止し、吐出パターンのデータ処理を容易にした、半導体チップの実装方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の半導体チップの実装方法は、複数の基板側端子が配列された基板上に、前記複数の基板側端子の各々の端子間ピッチと同じピッチで複数の接続端子が上面に配列された半導体チップを、前記複数の接続端子の配列方向が前記複数の基板側端子の配列方向と同一方向となるように実装し、前記複数の基板側端子と前記複数の接続端子とを、それぞれ対応するものどうし電気的に接続されるよう、導電材料を液滴吐出法で吐出することによって所定の配線幅の複数の接続配線を形成する半導体チップの実装方法であって、前記半導体チップを前記基板上に実装した後、前記複数の基板側端子に対する前記複数の接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出する工程と、前記配線幅と比較して前記位置ズレ量の大小を判定するとともに、前記端子間ピッチと前記配線幅との差と比較して前記位置ズレ量の大小を判定する工程と、を有し、前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、前記複数の接続端子からそれぞれに対応する前記複数の基板側端子側に延びる第1の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記複数の基板側端子からそれぞれに対応する前記複数の接続端子側に延びる第2の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記第1の配線とそれぞれに対応する前記第2の配線とを所定の長さ重ねて重なり部を形成することにより、複数の接続配線を形成することを特徴とする。
本発明の半導体チップの実装方法によれば、半導体チップを基板上に実装した後、この基板が備えている複数の基板側端子に対する前記半導体チップが備えている接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出するようにしている。このとき、前記基板側端子と接続端子とは端子間ピッチが同じピッチで配列されているので、基板側端子への接続に対応した接続端子の配列方向の位置ズレ量は、対応するすべての基板側端子と接続端子との間で等しくなっている。よって、前記接続端子から対応する前記基板側端子側に延びる第1の配線と、前記基板側端子から対応する前記接続端子側に延びる第2の配線とは、これら端子の配列方向に前記位置ズレ量だけズレた状態となる。
前記位置ズレ量が接続配線の所定の配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、第1の配線と第2の配線とを連続させて接続配線を形成し、半導体チップを基板上に実装する。このとき、前記第1の配線と前記第2の配線とは、液滴吐出法で吐出された導電材料によって、それぞれ同じ配線幅となる。
ここで、例えば配線幅をw、位置ズレ量をx、端子間ピッチをpとすると、前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、前記第1の配線と第2の配線とがこれら配線の幅方向に重なるための条件、w>xを満たすので、前記第1の配線と第2の配線とが配線の幅方向に重ねられるようになる。
また、前記第1の配線に対応する第2の配線が前記位置ズレ量だけズレた状態において、この第2の配線が、対応する第1の配線と隣り合う他の第1の配線に接触しない条件、p−w>xを満たすので、前記第2の配線が対応しない第1の配線に接触することはない。よって、第1の配線と第2の配線とからなる接続配線が隣り合う他の接続配線と接触することが防止される。
よって、基板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップと基板との端子間に前述したような条件となる位置ズレ量が生じた場合に、本発明を採用すれば、半導体チップの位置ズレ量を補正を行うことなく、接続に対応していない接続端子と基板側端子との間を接続することを防止して、対応しない端子間でのショートを防止する。また、隣り合う接続配線間でのショートを防止できる。
また、接続配線を形成するに際して、基板に対して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッドを基板の一定方向(基板の縦方向、横方向)に移動させることで、第1の配線と第2の配線を形成しているので、吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
また、本発明の別の実施方法は、前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、前記各接続端子からそれぞれに対応する前記各基板側端子側に延びる第1の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記各基板側端子からそれぞれに対応する前記各接続端子側に延びる第2の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記各第1の配線とそれぞれに対応する前記各第2の配線とを所定の長さ重ねて重なり部を形成し前記各接続配線とするとともに、該各接続配線が、隣り合う各接続配線と重ならないように、前記各接続配線毎に前記各第1の配線及び前記各第2の配線の長さを変えて前記各接続配線を形成することを特徴とする。
本発明の半導体チップの実装方法によれば、前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、第1の配線と第2の配線とを連続させて接続配線を形成して、半導体チップを基板上に実装している。このとき、前記第1の配線と前記第2の配線とは、液滴吐出法で吐出された導電材料によって、それぞれ同じ配線幅となる。
ここで、例えば配線幅をw、位置ズレ量をx、端子間ピッチをpとすると、前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、前記第1の配線と第2の配線とが配線の幅方向に重なるための条件、w>xを満たすので、前記第1の配線と第2の配線とが配線の幅方向に重ねられるようになる。
しかしながら、前記位置ズレ量が前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、例えば、全ての接続配線において第1の配線、第2の配線をそれぞれ同じ長さで形成すると、接続端子に対応する基板側端子から延びる第2の配線と、前記接続端子の隣に配置された接続端子から延びる第1の配線とが、接触してしまう。つまり、隣り合う接続配線の重なり部が重ねられることで接触してしまう。
基板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップと基板との端子間に前述したような条件となる位置ズレ量が生じた場合に、本発明を採用すれば、前記接続配線の一部が、隣り合う接続配線の一部と重ならないように、各接続配線を構成する第1の配線及び第2の配線のそれぞれの長さを変えることで、前記接続配線の重なり部の位置を変更して、隣り合う接続配線の重なり部が接触することを防止できる。
また、半導体チップの位置ズレ量を補正することなく、接続に対応していない接続端子と基板側端子との間を接続することを防止して、対応しない端子間でのショートを防止する。また、隣り合う接続配線間でのショートを防止できる。また、接続配線を形成するに際して、基板に対して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッドを基板の一定方向(基板の縦方向、横方向)に移動させることで、第1の配線と第2の配線を形成しているので、吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
また、本発明の別の実施方法は、前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、前記各接続端子からそれぞれに対応する前記各基板側端子側に延びる第1の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記各基板側端子からそれぞれに対応する前記各接続端子側に延びる第2の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記各第1の配線とそれぞれに対応する前記各第2の配線とを側面視した状態で所定の長さ重なるように形成し、さらに前記各第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記各第2の配線の端部とを接続する第3の配線を形成し、前記各接続配線を形成することを特徴とする。
本発明半導体チップの実装方法では、前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、第1の配線と第2の配線とを連続させて接続配線を形成して、半導体チップを基板上に実装している。このとき、前記第1の配線と前記第2の配線とは、液滴吐出法で吐出された導電材料によって、それぞれ同じ配線幅となる。
ここで、例えば配線幅をw、位置ズレ量をx、端子間ピッチをpとすると、前記位置ズレ量が配線幅より大きいので、前述した第1の配線と第2の配線とが配線幅方向で重なる条件、w>xを満たさず、前記第1の配線と第2の配線とは重ねられることがない。
そこで、基板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップと基板との端子間に前述したような条件を満たす位置ズレ量が生じた場合に、本発明を採用すれば、前記第1の配線の端部と第2の配線の端部と接続する第3の配線を形成することで、前記第1の配線と第2の配線を連続させることで半導体チップを基板上に実装できる。
また、前記第1の配線に対応する第2の配線が前記位置ズレ量だけずれた状態において、前記第1の配線の隣の他の第1の配線と、前記第2の配線とが接しないための条件、p−w>xを満たすので、前記第2の配線が、これに対応する第1の配線と隣り合う第1の配線に接触することはない。
したがって、半導体チップの位置ズレを補正することなく、接続端子とこれに対応しない基板側端子との間を接続配線が接続することでのショートを防止できる。また、隣り合う接続配線間でショートを防止できる。
また、接続配線を形成するに際して、基板に対して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッドを基板の一定方向(基板の縦方向、横方向)に移動させることで、第1の配線と第2の配線及び第3の配線を形成することができるので、吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
また、本発明の別の実施方法は、前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、前記各接続端子からそれぞれに対応する前記各基板側端子側に延びる第1の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記各基板側端子からそれぞれに対応する前記各接続端子側に延びる第2の配線を、前記各接続端子とそれぞれに対応する前記各基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記各第1の配線とそれぞれに対応する前記各第2の配線とを側面視した状態で所定の長さ重なるように形成し、さらに前記各第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記各第2の配線の端部とを接続する第3の配線を形成し、なおかつ、前記各第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記各第2の配線の端部とそれぞれに対応する前記各第3の配線とからなる前記各接続配線が、隣り合う接続配線と重ならないように、前記各接続配線毎に前記各第1の配線及びそれぞれに対応する前記各第2の配線の長さを変えて前記各接続配線を形成することを特徴とする。
本発明の半導体チップの実装方法では、前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、第1の配線と第2の配線とを連続させて接続配線を形成して、半導体チップを基板上に実装している。このとき、前記第1の配線と前記第2の配線とは、液滴吐出法で吐出された導電材料によって、それぞれ同じ配線幅となる。
ここで、例えば配線幅をw、位置ズレ量をx、端子間ピッチをpとすると、前記位置ズレ量が前記配線幅以上であるので、前述した第1の配線と第2の配線とが配線の幅方向に重なる条件、w>xを満たさず、第1の配線と第2の配線とは重ねられることがない。
また、前記位置ズレ量が前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、例えば、全ての接続配線において第1の配線、第2の配線をそれぞれ同じ長さで形成すると、接続端子に対応する基板側端子から延びる第2の配線と、前記接続端子の隣に配置された接続端子から延びる第1の配線とが、接触してしまう。つまり、前記第1の配線の端部と第2の配線の端部と第3の配線とからなる接続部が、隣り合う接続配線の接続部に重ねられることで接触してしまう。
そこで、基板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップと基板との端子間に前述したような条件となる位置ズレ量が生じた場合に、本発明を採用すれば、前記接続部が、隣り合う接続配線の接続部と重ならないように、各接続配線を構成する第1の配線及び第2の配線のそれぞれの長さを変えることで、前記第3の配線を形成する位置を変更して、隣り合う接続配線の接続部が接触することを防止できる。
また、半導体チップの位置ズレ量を補正することなく、接続端子とこれに対応しない基板側端子との間を接続配線が接続することでのショートを防止できる。また、隣り合う接続配線間でショートを防止できる。
また、接続配線を形成する際して、基板に対して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッドを基板の一定方向(基板の縦方向、横方向)に移動させることで、第1の配線と第2の配線を形成しているので、吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
また、前記半導体チップの実装方法では、前記所定の長さは、少なくとも前記配線幅以上となっているのが好ましい。
このようにすれば、第1の配線と第2の配線との重なり部は、十分重ねられることで第1の配線と第2の配線との断線が防止され、確実に連続するようになる。また、前記重なり部が十分な量の導電材料によって接続されているので、この重なり部での電気抵抗の増加を防止することができ、接続配線の接続信頼性を向上して半導体チップを良好に機能させることができる。
また、前記第1の配線と第2の配線の端部も前記配線幅w以上重ねられて形成しているので、第1の配線の端部と第3の配線の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第1の配線の端部と第3の配線の接続部とが確実に連続する。また、同様に第2の配線の端部と第3の配線の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第2の配線の端部と第3の配線の接続部とが確実に連続する。
したがって、前記第3の配線が、前記第1の配線と第2の配線とを確実に連続させる接続配線の接続部を形成することができる。
また、前記半導体チップを前記基板上に実装した後、該半導体チップの側方部であって、前記接続端子と前記基板側端子との間に、該半導体チップの上面と基板の上面とを連続させる傾斜面を形成する工程を有し、前記第1の配線と前記第2の配線の形成に際しては、その一部を前記傾斜面上に形成することが好ましい。
このようにすれば、前記傾斜面上に第1の配線及び第2の配線が形成されることで、前記第1の配線及び第2の配線が半導体チップと基板と間に生じる段差によって急激に曲げられることによる断線を防止するようになる。

以下、本発明の半導体チップの実装方法を詳しく説明する。
まず、本発明の方法に用いる基板と、この基板上に実装する半導体チップの構造について説明する。図1(a),(b)は、基板上に半導体チップを実装した状態を示した図であり、図1中符号1は基板、2は半導体チップである。
矩形状の半導体チップ2の上面には、その上面の一辺に沿って、複数の接続端子3が配列されている。前記基板1の半導体チップ2を実装する面上には、この半導体チップ2の接続端子3に接続するための複数の基板側端子4が形成されている。
前記半導体チップ2の側方部には、該半導体チップ2を囲んで絶縁性樹脂からなる傾斜部9(傾斜面)が形成されている。この傾斜部9は、半導体チップ2の上面に設けられた前記接続端子3と基板1上に設けられた基板側端子4との段差を無くすことで、後述する接続配線の曲げによる断線を防止するようにしている。なお、接続端子3が半導体チップ1の上面の、四辺の外周縁部に沿って形成されていてもよい。このとき、前記傾斜部9は、半導体チップ9の四方の側方部に形成するのが好ましい。
図2は、前記接続端子3及び基板側端子4を示す要部の拡大図である。なお、図2中においては、前記傾斜部9の図示を省略しており、前記接続端子3及び基板側端子4を模式的に示している。図2に示すように前記基板側端子4と前記接続端子3とは、それぞれ同じ端子間ピッチpで形成されている。なお、端子間ピッチpとは、隣り合う端子の中心間の距離である。
次に、基板1上に半導体チップ2を実装する方法について説明する。
図1に示したように、前記接続端子3が設けられている半導体チップ2の上面を上にした状態(フェースアップ)で、シリコンなどからなる基板1上に半導体チップ2を実装する。このとき、前記接続端子3の配列方向と前記基板側端子4の配列方向とが同じ方向になるようにしている。また、前記配列方向と直交する方向に、前記接続端子3とこれら接続端子3にそれぞれ対応する基板側端子4とを整列させるようにして実装する。なお、前記半導体チップ2は、前記基板1上にアライメントした状態で、例えば接着剤(図示せず)を用いて貼着するようにしている。
前記半導体チップ2を前記基板1上に実装した後、図1に示したように、半導体チップ2の側方部であって、前記接続端子3と前記端子側基板4との間に、半導体チップ2の上面と基板の上面とを連続させる傾斜部9を形成する。
この傾斜部9の形成方法としては、例えば、絶縁性樹脂を基板1上に塗布した後、リソグラフィ法等を用いた公知のパターニング法で形成することができる。
なお、前述したように半導体チップ2を基板1上に実装すると、通常は前記接続端子3と前記基板側端子4との間に、これら端子の配列する方向にわずかながら位置ズレが生じてしまう。この位置ズレについては、前記接続端子3と基板側端子4との間におけるズレの量と、ズレの方向との2つがある。
以下、ズレの方向としては、基板側端子4に対して接続端子3が端子の配列方向のどちらに生じたかに応じて定めるものとする。
次に、前記基板側端子4に対する前記接続端子3の、それぞれの配列方向における位置ズレを検出する。
この位置ズレの検出方法を説明すると、この検出方法では予め前記基板1及び前記半導体チップ2の所定の位置にアライメントマーク(図示せず)を設けておく。このアライメントマークとしては、例えばインクによる印や凸部や凹部などが考えられる。そして、半導体チップ2が実装された基板1を、例えば後述する接続配線を形成するための液滴吐出装置(図示せず)のステージ上に保持する。そして、液滴吐出装置に備えられた前記アライメントマークを認識するための、例えばCCDカメラからなるマーク認識手段によって前記アライメントマークを画像として取り込む。その後、液滴吐出装置に備えられたコンピュータからなる制御部によって、例えば前記基板1及び前記半導体チップ2がステージ上の基準座標に対してどの座標位置に保持されているかを認識する。
なお、基板1及び半導体チップ2上に設けられたアライメントマークと、各接続端子3及び基板側端子4との位置データを予め測定しておき、この位置データ及び後述する端子間ピッチpを前記液滴吐出装置の制御部に保持しておく。また、後述する液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドが吐出して形成する接続配線の幅は、吐出された導電材料の液滴が焼成した際の直径とほぼ等しく、この配線幅をwとし同様に前記制御部に保持しておく。
よって、マーク認識手段によりアライメントマークの位置が分かれば、前記ステージ上の基準座標での座標位置から基板1の基板側端子4と半導体チップ2の接続端子3との位置が求まり、座標位置から前記基板側端子4に対する接続端子3の位置ズレを求めることができる。このとき、半導体チップ2と基板1との位置ズレは、図2中に示したX方向、Y方向における2方向のズレを考慮するものであって、角度方向の位置ズレはほとんどないことから、ここでは考慮しない。また、図2中のX方向の位置ズレは、後述する接続配線の長さを調節することで、容易に対応することができる。よって、前記基板1と半導体チップ2との位置ズレは、Y方向についてのみ考慮するものとし、このY方向の位置ズレ量x及び位置ズレの方向を検出するものとする。
このとき、前述したように基板側端子4と接続端子3とはそれぞれ等しい端子間ピッチpで配列されているので、基板側端子4への接続に対応した接続端子3の配列方向の位置ズレ量xは、対応するすべての基板側端子4と接続端子3との間で等しくなる。また、前記接続端子3に対応する基板側端子4の位置ズレの方向もすべての端子間で同じになる。なお、図2中においては、説明の簡略化のために接続端子3及び基板側端子4の幅は、前記接続配線の配線幅wと等しいものとしている。しかしながら、本発明の接続端子3及び基板側端子4の幅は配線幅wに限定されるものではなく、前記接続端子3及び基板側端子4の端子間ピッチpが等しければ、これら接続端子3及び基板側端子4の幅は種々のものを用いることが可能である。
前記マーク認識手段によって、基板側端子4と接続端子3との位置ズレ量xを検出した後、検出した位置ズレ量xと制御部に保持された接続配線の配線幅wとを比較して、前記位置ズレ量xが配線幅wより小さいか否かを判定するとともに、検出した位置ズレ量xが前記液滴吐出装置の制御部に保持された端子間ピッチpと配線幅wから求められる、前記端子間ピッチpと前記配線幅wとの差より小さいか否かを判定する。
なお、端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w)は、図2に示すように、隣り合う接続端子3及び基板側端子4との各端子に形成される接続配線の配線間ギャップgとして表すことができる。
なお、前記位置ズレ量xの前記配線幅w及び配線間ギャップgとのそれぞれに対する大小関係は、後述する4つの場合が考えられる。
その後、前記液滴吐出装置によって導電材料を吐出して、前記半導体チップ2の接続端子3からこれに対応する前記基板1の基板側端子4側に延びる第1の配線7を、これら接続端子3と基板側端子4との間の間隔より短い長さで形成するとともに、前記基板1の基板側端子4からこれに対応する前記半導体チップ2の接続端子3側に延びる第2の配線8を、これら接続端子3と基板側端子4との間の間隔より短い長さで形成する。
吐出する導電材料としては、有機溶媒中に、例えば銀などの金属微粒子を分散させた分散液を用いた。ここで、前記第1の配線7及び第2の配線8の配線幅は、前述したように吐出された導電性材料の液滴が焼成された際の幅と同じになり、本発明ではこの幅を配線幅wとしている。
しかし、前記第1の配線7及び第2の配線8を形成する工程では、前記判定結果によって、これら第1の配線7と第2の配線8とが接触する条件が変わってしまう。
以下、前記位置ズレ量xと配線幅wと配線間ギャップ(端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w))gとの関係による、前記第1の配線7及び第2の配線8の関係について説明する。
図3(a)〜(d)は、前記位置ズレ量xの配線幅w及び配線間ギャップgに対する関係を模式的に示した図である。なお、図3(a)〜(d)中では、前記傾斜部9は図示を省略している。また、図3(a)〜(d)中では、同じ配線幅wの接続配線が形成されるので、前記端子間ピッチpの位置ズレ量xと、この位置ズレ量xによって図中Y方向に生じる接続配線の端部の位置ズレ量x´とは同じもの(x=x´)となる。
図3(a)は、前記位置ズレ量xが前記配線幅wより小さく(x<w)、かつ前記端子間ピッチpと配線幅wとの差より小さい(x<p−w)場合を示したものである。
以下、前記端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w)を配線間ギャップgとする。
このとき、端子間ピッチpの位置ズレ量xにより、前記接続端子3から延びる第1の配線7と前記基板側端子4から延びる第2の配線8とは、位置ズレ量x´だけずれた状態となる。また、前述したように位置ズレ量xと位置ズレ量x´とは等しいものとしている。
よって、前記位置ズレ量xは前記配線幅wより小さいので、前記第1の配線7と第2の配線8とが図中Y方向に(w−x´)の幅だけ重ねられる。
また、前記位置ズレ量xが接続端子3における配線間ギャップgより小さいので、接続端子3に対応する基板側端子4から伸びた第2の配線8と、前記接続端子3に隣り合う接続端子3aから延びる第1の配線7aとの間には、Y方向に(g−x´)の距離分、離れた状態となる。よって、対応しない第1の配線7aと第2の配線8とが接触することはない。
図3(b)は、前記位置ズレ量xが前記配線幅wより小さく(x<w)、かつ前記端子間ピッチpと配線幅wとの差より大きく(x>p−w)となる場合を示したものである。
このとき、前記図3(a)の場合と同様に、前記位置ズレ量xが前記配線幅wより小さいので、前記第1の配線7と第2の配線8とは、Y方向に(w−x´)の幅だけ重ねられる。前記図3(a)の場合と同様に、前記端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w)を配線間ギャップgとする。
また、前記位置ズレ量xが前記接続端子3における配線間ギャップgより大きくなるので、隣り合う前記第1の配線7と第2の配線8をそれぞれ同じ長さで形成すると、接続端子3に対応する基板側端子4から伸びた第2の配線8と、前記接続端子3に隣り合う接続端子3aから延びる第1の配線7aとは、Y方向に(x´−g)の幅だけ重なってしまう。
図3(c)は、前記位置ズレ量xが前記配線幅wより大きく(x>w)であり、かつ前記端子間ピッチpと配線幅wとの差より小さい(x<p−w)場合を示したものである。また、前記図3(a),(b)の場合と同様に、前記端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w)を配線間ギャップgとする。
このとき、前記位置ズレ量xが前記配線幅wより大きくなっているので、前記第1の配線7と第2の配線8とは、図3(c)中X方向に(x´−w)の距離分、離れた状態となる。
よって、前記第1の配線7と第2の配線8とは、それぞれの配線幅方向(図3(c)中Y方向)で重ねられることはない。
また、前記図3(a)で示したように、前記位置ズレ量xが前記接続端子3における配線間ギャップgより小さいので、接続端子3に対応する基板側端子4から伸びた第2の配線8と、前記接続端子3に隣り合う接続端子3aから延びる第1の配線7aとの間には、Y方向に(g−x´)の距離分、離れた状態となる。よって、対応しない第1の配線7aと第2の配線8とが接触することはない。
図3(d)は、前記位置ズレ量xが前記配線幅w以上(x>w)であり、かつ前記端子間ピッチpと配線幅wとの差より大きい(x>p−w)場合を示したものである。また、前記図3(a)〜(c)の場合と同様に、前記端子間ピッチpと配線幅wとの差(p−w)を配線間ギャップgとする。
このとき、前記位置ズレ量xが前記配線幅w以上となっているので、前記第1の配線7と第2の配線8とは、X方向に(x´−w)の距離分、離れた状態となる。
また、前記位置ズレ量xが前記接続端子3における配線間ギャップg以上となるので、例えば前記第1の配線7と第2の配線8をそれぞれ同じ長さで形成すると、接続端子3に対応する基板側端子4から伸びた第2の配線8と、前記接続端子3に隣り合う接続端子3から延びる第1の配線7とは、X方向に(x´―g)の幅だけ重なってしまう。
前記半導体チップ2と前記基板1との間に生じた位置ズレ量xと前記配線幅w及び配線間ギャップgとの大きさを比較した後、前述した図3(a)〜(d)中のいずれかの場合に応じて、前記接続端子3と基板側端子4とを電気的に接続する、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線を形成する。
(第1の実装方法)
まず、第1の半導体チップ2の実装方法、すなわち、図3(a)に示したように検出した位置ズレ量xが前記配線幅wより小さく、かつ前記配線間ギャップgより小さいと判定された場合について説明する。
このとき、接続端子3から形成される第1の配線7と基板側端子4から形成される第2の配線8とが、x<w(位置ズレ量xが配線幅wより小さい)を満たしているので、それぞれの配線幅方向に重なる。
また、前記位置ズレ量xと配線間ギャップgとが、x<g(位置ズレ量xが配線間ギャップより小さい)を満たすので、前記第2の配線8が、これに対応する第1の配線7に隣り合う第1の配線7に接触しない。
したがって、まず、前述した半導体チップ2上に設けられたアライメントマークから求めた接続端子3の位置を基準となるように、ステージを移動させることで導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を前記接続端子3上に移動させる。そして、図4(a)に示すように、前記接続端子3から対応する基板側端子4方向(図4(a)中矢印A方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して、接続配線の一部となる配線幅wの第1の配線7を形成していく。
このとき、前記第1の配線7は、接続端子3と基板側端子4との間の間隔より短い長さで形成されるようにしている。このようにして、図4(b)に示すように、すべての接続端子3から基板側端子4に向けて所定の長さの第1の配線7を形成する。
次に、アライメントマークから求めた基板側端子4の位置が基準となるようにして、ステージを移動して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を相対的に前記基板側端子4上に移動させる。そして、前記基板側端子4から接続に対応する接続端子3方向(図4(c)中矢印B方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して接続配線となる第2の配線8を形成していく。よって、図4(d)に示すようにして、すべての基板側端子4から第2の配線8を形成する。このとき、前記第2の配線8は前記第1の配線7と少なくとも前記配線幅w以上重ねることで重なり部11を形成している。
よって、前記第1の配線7と第2の配線8とが、前記重なり部11において十分に重ねられることで確実に連続することとなり、この第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12が、対応する接続端子3と基板側端子4とを確実に導通させるようになる。
このような工程によって、前記第1の配線7と前記第2の配線8とからなる接続配線12が得られる。
本方法を採用すれば、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12が隣り合う他の接続配線12と接触することを防止することができる。また、接続に対応していない接続端子3と基板側端子4との間が接続配線12によって導通することはないので、前記位置ズレ量xを補正しない場合でも接続に対応しない端子間でのショートを防止し、隣り合う接続配線12とのショートも防止することができる。
また、前記重なり部11は、半導体チップ2の側方部に設けられた傾斜部9上に形成される。よって、前記接続配線12が前記傾斜部9上に形成されることで、半導体チップ2と基板1との間による段差で急激に曲げられることによる断線が防止される。なお、前記重なり部11は、第2の配線8上で形成されるようにしてもよい。
また、前記重なり部11が十分な量の導電材料によって接続されているので、この重なり部11での電気抵抗の増加を防止して、接続配線12の接続信頼性を向上し、基板1上に実装した前記半導体チップ2を良好に機能させることができる。
また、液滴吐出ヘッド10を基板1の一定方向(基板1の縦方向、横方向)に相対移動させるだけで、半導体チップ2と基板1との間に生じた位置ズレ量xを補正することなく、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12を形成することができるので導電材料の吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。なお、本実装方法では、前記第1の配線7及び第2の配線8を形成する際に、すべての接続端子3及び基板側端子4から同時に形成したが、各接続端子3及び基板側端子4から1本づつ配線を形成して、前記接続配線12を形成するようにしてもよい。
(第2の実装方法)
次に、第2の半導体チップ2の実装方法、すなわち、図3(b)に示したように検出した位置ズレ量xが前記配線幅wより小さく、かつ前記配線間ギャップgより大きくなると判定された場合について説明する。
このとき、接続端子3から形成される第1の配線7と基板側端子4から形成される第2の配線8とが、x<w(位置ズレ量xが配線幅wより小さい)を満たしているので、それぞれの配線幅方向に重なる。
しかしながら、本方法では、前記位置ズレ量xが前記配線間ギャップgより大きくなるので、図3(b)に示したように第1の配線7及び第2の配線8をそれぞれ同じ長さで形成した場合に、接続端子3に対応する基板側端子4から延びる第2の配線8と、前記接続端子の隣に配置された接続端子から延びる第1の配線7とが、接触してしまう。
つまり、前記第1の配線7と第2の配線8とから形成される接続配線12が隣り合う接続配線12の一部と接触してしまう。
本方法では、まず半導体チップ2上に設けられたアライメントマークから求めた接続端子3の位置を基準となるように、ステージを移動することで導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を前記接続端子3上に相対移動させる。そして、図5(a)に示すように、前記接続端子3から対応する基板側端子4方向(図5(a)中矢印A方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して、第1の配線7を形成していく。
前記第1の配線7は、接続端子3と基板側端子4との間の間隔より短い長さで形成する。このとき、図5(b)に示すように、接続端子3aに対応した2点差線で示される第2の配線8aと、前記接続端子3の隣の接続端子3bから延びる第1の配線7bとが重ならないように、隣り合う第1の配線7,7bのそれぞれの長さを変えるようにしている。
本方法においては、前記接続端子3に対する基板側端子4の位置ズレの方向が図5(a)中矢印B方向に生じているものとした。
よって、具体的には、第1の配線7をズレ方向(図5(a)中矢印B方向)に形成される第1の配線7を徐々に短くすることで第2の配線8と接触することを防止するようにしている。
なお、前記位置ズレ量xのズレ方向が図5(a)中矢印B方向と逆の場合には、矢印B方向に形成される第1の配線7を徐々に長くすることで第2の配線8と接触することを防止するようにする。
このようにして、図5(b)に示すように、すべての接続端子3から第1の配線7を形成する。
次に、図5(c)に示すように、アライメントマークから求めた基板側端子4の位置が基準となるようにして、ステージを移動して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を相対的に前記基板側端子4上に移動させる。そして、前記基板側端子4から接続に対応する接続端子3方向(図5(c)中矢印C方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して接続配線となる第2の配線8を形成していく。そして、図5(d)に示すようにすべての基板側端子4から第2の配線8を形成する。
このとき、液滴吐出装置の制御部によって、前記第1の配線7の長さを保持しておくことで、前記第2の配線8を対応する第1の配線7上に少なくとも前記配線幅w以上重ねることで前記重なり部11を形成している。よって、前記第1の配線7と第2の配線8との重なり部11は、十分に重ねられることで確実に連続することとなり、この第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12が、対応する接続端子3と基板側端子4とを確実に導通させるようになる。
本方法を採用すれば、前記接続配線12の一部が、隣り合う接続配線12の一部と重ならないように、各接続配線12を構成する第1の配線7及び第2の配線8のそれぞれの長さを変えることで、前記接続配線12の重なり部11の位置を変更して、接続配線12が隣り合う接続配線12の一部と接触することを防止できる。
よって、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12が隣り合う他の接続配線12と接触することを防止するようになる。また、接続に対応していない接続端子3と基板側端子4との間が接続配線12によって導通することはないので、前記位置ズレ量xを補正しない場合でも接続に対応しない端子間でのショートを防止し、隣り合う接続配線12とのショートも防止することができる。
また、第1の配線7と第2の配線との重なり部11は、十分重ねられることで第1の配線7と第2の配線8との断線を防止し、確実に連続するようになる。また、この重なり部11が十分な量の導電材料によって接続されているので、この重なり部11での電気抵抗の増加を防止して接続配線12の接続信頼性を向上し、基板1上に実装した前記半導体チップ2を良好に機能させることができる。また、前記接続配線12は、前記傾斜部9上に形成されることで、半導体チップ2と基板1との間による段差で急激に曲げられることによる断線が防止されている。
また、液滴吐出ヘッド10を基板1の一定方向(基板1の縦方向、横方向)に相対移動させるだけで、半導体チップ2と基板1との間に生じた位置ズレ量xを補正することなく、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12を形成することができるので導電材料の吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
なお、本実装方法では、前記第1の配線7及び第2の配線8を形成する際に、すべての接続端子3及び基板側端子4から同時に形成したが、各接続端子3及び基板側端子4から1本づつ配線を形成して、前記接続配線12を形成するようにしてもよい。
(第3の実装方法)
次に、第4の半導体チップ2の実装方法、すなわち、図3(c)に示したように検出した位置ズレ量xが前記配線幅wより大きく、かつ前記配線間ギャップgより小さいと判定された場合について説明する。
このとき、接続端子3から形成する第1の配線7と基板側端子4から形成する第2の配線8とが、x>w(位置ズレ量xが配線幅wより大きい)を満たしているので、それぞれの配線幅w方向に重なることはない。
また、前記位置ズレ量xは、x<g(位置ズレ量xが配線間ギャップgより小さい)を満たすので、前記第2の実装方法と同様に、前記第2の配線8が、これに対応する第1の配線7に隣り合う第1の配線7と接触しない。
そこで、本実装方法では、前記接続端子3から第1の配線7を形成し、前記基板側端子4から第2の配線8を形成する。このとき、前記第1の配線7と第2の配線8とは、側面視した状態で少なくとも配線幅w以上重なるように形成し、さらに、図6に示すように第1の配線7の端部と第2の配線8の端部とを接続する第3の配線13を形成することで接続配線12を形成する。よって、この接続配線12は隣合う接続配線12と接触することはない。なお、前記第3の配線13を形成する際には、例えば液滴吐出装置の制御部に前記第1の配線7と第2の配線8との端部の位置データを保持しておくことで、そのデータを基に液滴吐出ヘッド10から所望の位置に導電材料を吐出することで前記第3の配線13を形成することができる。
前記第1の配線7と第2の配線8の端部も前記配線幅w以上重ねられて形成しているので、第1の配線7の端部と第3の配線13の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第1の配線7の端部と第3の配線13の接続部とが確実に連続する。また、同様に第2の配線8の端部と第3の配線13の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第2の配線8の端部と第3の配線13の接続部とが確実に連続する。
したがって、前記第3の配線13が、前記第1の配線7と第2の配線8とを確実に連続させる接続配線12の接続部を形成することができる。
本方法を採用すれば、第1の配線7と第2の配線8とが接触しない場合においても、前記第1の配線7及び第2の配線8の端部を接続する第3の配線13を形成することで、接続配線12を形成して、半導体チップ2を基板1上に実装することができる。また、前記接続配線12は、前記傾斜部9上に形成されることで、半導体チップ2と基板1との間による段差で急激に曲げられることによる断線が防止される。
また、前記第1の配線7と第2の配線8とからなる接続配線12が隣り合う他の接続配線12と接触することを防止するようになる。
よって、半導体チップ2の位置ズレを補正することなく、接続端子3とこれに対応しない基板側端子4との間を接続配線12が接続することによるショートを防止できる。また、隣り合う接続配線12の間でのショートを防止できる。
また、接続配線12を形成するに際して、基板2に対して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を基板1の一定方向に移動させることで、第1の配線7と第2の配線8及び第3の配線13を形成することができるので、吐出パターンにおけるデータ処理を容易に行うことができる。
(第4の実装方法)
次に、第4の半導体チップ2の実装方法、すなわち、図3(d)に示したように検出した位置ズレ量xが前記配線幅wより大きく、かつ前記配線間ギャップgより大きくなると判定された場合について説明する。
このとき、接続端子3から形成する第1の配線7と基板側端子4から形成する第2の配線8とが、x>w(位置ズレ量xが配線幅より大きい)を満たしているので、それぞれが配線幅w方向に重ねられない。
そこで、前記第3の半導体チップ2の実装方法と同様に、接続端子3から形成した第1の配線7の端部と基板側端子4から形成した第2の配線8の端部とを接続する第3の配線13を形成することで接続配線12を形成する。
しかし、前記位置ズレ量xが前記配線間ギャップgより大きくなるため、前記第3の半導体チップ2の実装方法のようにして、全ての接続配線12において第1の配線7、第2の配線8をそれぞれ同じ長さで形成すると、接続端子3に対応する基板側端子4から延びる第2の配線8と、前記接続端子3の隣に配置された接続端子3から延びる第1の配線7とが、接触してしまう。つまり、前記第1の配線7の端部と第2の配線8の端部と第3の配線13とからなる接続部が、隣り合う接続配線12の接続部に重ねられることで接触してしまう。
したがって、半導体チップ2上に設けられたアライメントマークから求めた接続端子3の位置を基準となるように、ステージを移動することで導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を前記接続端子3上に相対移動させる。そして、図7(a)に示すように、前記接続端子3から対応する基板側端子4方向(図7(a)中矢印A方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して、第1の配線7を形成していく。
このとき、前記第1の配線7は、接続端子3と基板側端子4との間の間隔より短い長さで形成されるようにしている。そして、図7(b)に示すように、接続端子3aに対応した後の工程で形成される第2の配線8a(2点鎖線)と、前記接続端子3aの隣の接続端子3bから形成する第1の配線7bとが重ならないように、隣り合う第1の配線7a、7bのそれぞれの長さを変えて、すべての隣り合う第1の配線7の長さを変えて形成する。
本実施形態においては、前記接続端子3に対する基板側端子4の位置ズレ量xのズレ方向が図7(a)中矢印B方向に生じているものとした。よって、具体的には、第1の配線7のズレ方向(図7(a)中矢印B方向)に形成された、前記第1の配線7を徐々に短くすることで対応しない第2の配線8と接触することを防止するようにしている。
なお、前記位置ズレ量xのズレ方向が図7(a)中矢印B方向と逆の場合には、矢印B方向に形成される第1の配線7を徐々に長くすることで第2の配線8と接触することを防止するようにする。
このようにして、図7(b)に示すように、すべての接続端子3から第1の配線7を形成する。
次に、アライメントマークから求めた基板側端子4の位置が基準となるようにして、ステージを移動して導電材料を吐出する液滴吐出ヘッド10を相対的に前記基板側端子4上に移動させる。そして、前記基板側端子4から接続に対応する接続端子3方向(図7(c)中矢印C方向)に向けて液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させることで導電材料を吐出して第2の配線8を形成する。このとき、液滴吐出装置の制御部によって、前記第1の配線7の長さを保持しておくことで、前記第2の配線8が、基板1を平面視した状態で前記第1の配線7と所定の長さ重なるようにして形成している。なお、本実装方法では、前記第1の配線7及び第2の配線8を形成する際に、すべての接続端子3及び基板側端子4から同時に形成したが、各接続端子3及び基板側端子4から1本づつ配線を形成して、前記接続配線12を形成するようにしてもよい。
よって、基板1を保持してある液滴吐出装置のステージを移動させることで、液滴吐出ヘッド10を相対的に移動させ、図7(d)に示すように前記第1の配線7の端部と第2の配線8の端部とを接続する第3の配線13を形成する。よって、第3の配線13によって、第1の配線7と第2の配線8とを連続される接続配線12を形成する。また、前記接続配線12は、前記傾斜部9上に形成されることで、半導体チップ2と基板1との間による段差で急激に曲げられることによる断線が防止される。
なお、前記第3の配線13を形成する際には、例えば液滴吐出装置の制御部に前記第1の配線7と第2の配線8との端部の位置データを保持しておくことで、そのデータを基に液滴吐出ヘッド10から所望の位置に導電材料を吐出するようにしている。
前記第1の配線7と第2の配線8の端部も前記配線幅w以上重ねられて形成しているので、第1の配線7の端部と第3の配線13の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第1の配線7の端部と第3の配線13の接続部とが確実に連続する。また、同様に第2の配線8の端部と第3の配線13の接続部とが、十分に重ねられた状態となり前記第2の配線8の端部と第3の配線13の接続部とが確実に連続する。
したがって、前記第3の配線13が、前記第1の配線7と第2の配線8とを確実に連続させる接続配線12の接続部を形成することができる。
本方法を採用すれば、前記接続配線12の接続部が、隣り合う接続配線12の接続部と重ならないように、各接続配線12を構成する第1の配線7及び第2の配線8のそれぞれの長さを変えることで、前記接続配線12の重なり部11の位置を変更して、接続配線12の接続部が隣り合う接続配線12の接続部と接触することを防止できる。
よって、接続配線12が隣り合う他の接続配線12と接触することを防止するようになる。また、接続に対応していない接続端子3と基板側端子4との間が接続配線12によって導通することはないので、前記半導体チップ2の位置ズレ量xを補正しない場合でも接続に対応しない端子間でのショートを防止し、隣り合う接続配線12でのショートも防止することができる。
よって、液滴吐出ヘッド10を基板1の一定方向(基板1のA方向、B方向)に相対移動させるだけで、半導体チップ2と基板1との間に生じた位置ズレ量xを補正することなく、接続配線12を形成することができるので導電材料の吐出パターンにおけるデータ処理を容易にすることができる。
なお、前述した第1〜第4の半導体チップ2の実装方法においては、第1の配線7を形成した後、第2の配線8を形成するようにしたが、本発明はこれに限定されることなく第2の配線8を形成した後、第1の配線7を形成するようにしてもよい。
また、前記実施形態では、第1の配線7と第2の配線8とが直接重なる長さ、あるいは第3の配線13を介して間接的に重なる(側面視した状態で重なる)長さを、配線幅w以上としたが、本発明はこれに限定されることなく、第1の配線7と第2の配線8との間で十分な導通が確保されれば、配線幅w未満であってもよい。
(a)は、基板上に実装した半導体チップ、(b)は、(a)の側断面図。 接続端子及び基板側端子の要部拡大図。 (a)〜(d)は、位置ズレ量、配線幅w、端子間ピッチpの関係図。 (a)〜(d)は、第1の半導体チップの実装方法の工程説明図。 (a)〜(d)は、第2の半導体チップの実装方法の工程説明図。 第3の半導体チップの実装方法の説明図。 (a)〜(d)は、第4の半導体チップの実装方法の工程説明図。
符号の説明
1…基板、2…半導体チップ、3…接続端子、4…基板側端子、7…第1の配線、8…第2の配線、9…傾斜部(傾斜面)、11…重なり部、12…接続配線、13…第3の配線、14…接続部

Claims (6)

  1. 複数の基板側端子が配列された基板上に、前記複数の基板側端子の各々の端子間ピッチと同じピッチで複数の接続端子が上面に配列された半導体チップを、前記複数の接続端子の配列方向が前記複数の基板側端子の配列方向と同一方向となるように実装し、前記複数の基板側端子と前記複数の接続端子とを、それぞれ対応するものどうし電気的に接続されるよう、導電材料を液滴吐出法で吐出することによって所定の配線幅の複数の接続配線を形成する半導体チップの実装方法であって、
    前記半導体チップを前記基板上に実装した後、前記複数の基板側端子に対する前記複数の接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出する工程と、
    前記配線幅と比較して前記位置ズレ量の大小を判定するとともに、前記端子間ピッチと前記配線幅との差と比較して前記位置ズレ量の大小を判定する工程と、
    を有し、
    前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、
    前記複数の接続端子からそれぞれに対応する前記複数の基板側端子側に延びる第1の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記複数の基板側端子からそれぞれに対応する前記複数の接続端子側に延びる第2の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記第1の配線とそれぞれに対応する前記第2の配線とを所定の長さ重ねて重なり部を形成することにより、複数の接続配線を形成することを特徴とする半導体チップの実装方法。
  2. 複数の基板側端子が配列された基板上に、前記複数の基板側端子の各々の端子間ピッチと同じピッチで複数の接続端子が上面に配列された半導体チップを、前記複数の接続端子の配列方向が前記複数の基板側端子の配列方向と同一方向となるように実装し、前記複数の基板側端子と前記複数の接続端子とを、それぞれ対応するものどうし電気的に接続されるよう、導電材料を液滴吐出法で吐出することによって所定の配線幅の複数の接続配線を形成する半導体チップの実装方法であって、
    前記半導体チップを前記基板上に実装した後、前記複数の基板側端子に対する前記複数の接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出する工程と、
    前記配線幅と比較して前記位置ズレ量の大小を判定するとともに、前記端子間ピッチと前記配線幅との差と比較して前記位置ズレ量の大小を判定する工程と、
    を有し、
    前記位置ズレ量が前記配線幅より小さく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、
    前記複数の接続端子からそれぞれに対応する前記複数の基板側端子側に延びる第1の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記複数の基板側端子からそれぞれに対応する前記複数の接続端子側に延びる第2の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記第1の配線とそれぞれに対応する前記第2の配線とを所定の長さ重ねて重なり部を形成し前記複数の接続配線とするとともに、該複数の接続配線が、隣り合う複数の接続配線と重ならないように、前記複数の接続配線毎に前記第1の配線及び前記第2の配線の長さを変えて前記複数の接続配線を形成することを特徴とする半導体チップの実装方法。
  3. 複数の基板側端子が配列された基板上に、前記複数の基板側端子の各々の端子間ピッチと同じピッチで複数の接続端子が上面に配列された半導体チップを、前記複数の接続端子の配列方向が前記複数の基板側端子の配列方向と同一方向となるように実装し、前記複数の基板側端子と前記複数の接続端子とを、それぞれ対応するものどうし電気的に接続されるよう、導電材料を液滴吐出法で吐出することによって所定の配線幅の複数の接続配線を形成する半導体チップの実装方法であって、
    前記半導体チップを前記基板上に実装した後、前記複数の基板側端子に対する前記複数の接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出する工程と、
    前記配線幅と比較して前記位置ズレ量の大小を判定するとともに、前記端子間ピッチと前記配線幅との差と比較して前記位置ズレ量の大小を判定する工程と、
    を有し、
    前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より小さい場合に、
    前記複数の接続端子からそれぞれに対応する前記複数の基板側端子側に延びる第1の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記複数の基板側端子からそれぞれに対応する前記複数の接続端子側に延びる第2の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記第1の配線とそれぞれに対応する前記第2の配線とを側面視した状態で所定の長さ重なるように形成し、さらに前記第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記第2の配線の端部とを接続する第3の配線を形成し、前記複数の接続配線を形成することを特徴とする半導体チップの実装方法。
  4. 複数の基板側端子が配列された基板上に、前記複数の基板側端子の各々の端子間ピッチと同じピッチで複数の接続端子が上面に配列された半導体チップを、前記複数の接続端子の配列方向が前記複数の基板側端子の配列方向と同一方向となるように実装し、前記複数の基板側端子と前記複数の接続端子とを、それぞれ対応するものどうし電気的に接続されるよう、導電材料を液滴吐出法で吐出することによって所定の配線幅の複数の接続配線を形成する半導体チップの実装方法であって、
    前記半導体チップを前記基板上に実装した後、前記複数の基板側端子に対する前記複数の接続端子の、それぞれの配列方向における位置ズレ量を検出する工程と、
    前記配線幅と比較して前記位置ズレ量の大小を判定するとともに、前記端子間ピッチと前記配線幅との差と比較して前記位置ズレ量の大小を判定する工程と、
    を有し、
    前記位置ズレ量が前記配線幅より大きく、かつ前記端子間ピッチと前記配線幅との差より大きい場合に、
    前記複数の接続端子からそれぞれに対応する前記複数の基板側端子側に延びる第1の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成するとともに、前記複数の基板側端子からそれぞれに対応する前記複数の接続端子側に延びる第2の配線を、前記複数の接続端子とそれぞれに対応する前記複数の基板側端子との間隔より短い長さで形成し、かつ、前記第1の配線とそれぞれに対応する前記第2の配線とを側面視した状態で所定の長さ重なるように形成し、さらに前記第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記第2の配線の端部とを接続する第3の配線を形成し、なおかつ、前記第1の配線の端部とそれぞれに対応する前記第2の配線の端部とそれぞれに対応する前記第3の配線とからなる前記複数の接続配線が、隣り合う接続配線と重ならないように、前記複数の接続配線毎に前記第1の配線及びそれぞれに対応する前記第2の配線の長さを変えて前記複数の接続配線を形成することを特徴とする半導体チップの実装方法。
  5. 前記所定の長さは、少なくとも前記配線幅以上となっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
  6. 前記半導体チップを前記基板上に実装した後、該半導体チップの側方部であって、前記接続端子と前記基板側端子との間に、該半導体チップの上面と基板の上面とを連続させる傾斜面を形成する工程を有し、前記第1の配線と前記第2の配線の形成に際しては、その一部を前記傾斜面上に形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
JP2004320148A 2004-11-04 2004-11-04 半導体チップの実装方法 Expired - Fee Related JP4371039B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004320148A JP4371039B2 (ja) 2004-11-04 2004-11-04 半導体チップの実装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004320148A JP4371039B2 (ja) 2004-11-04 2004-11-04 半導体チップの実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006134976A JP2006134976A (ja) 2006-05-25
JP4371039B2 true JP4371039B2 (ja) 2009-11-25

Family

ID=36728268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004320148A Expired - Fee Related JP4371039B2 (ja) 2004-11-04 2004-11-04 半導体チップの実装方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4371039B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5779145B2 (ja) * 2012-06-28 2015-09-16 株式会社Screenホールディングス 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006134976A (ja) 2006-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4901602B2 (ja) プリント基板の製造方法及びプリント基板
US8218330B2 (en) Reworkable passive element embedded printed circuit board
JP2011142185A (ja) 半導体装置
JP4740708B2 (ja) 配線基板、及び半導体装置
KR101477818B1 (ko) 배선 회로 기판 및 그 제조 방법
JP4443324B2 (ja) フレキシブル配線基板及びその製造方法、半導体チップ実装フレキシブル配線基板、電子機器
JP4371039B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JP2008071902A (ja) 配線方法
JP4554983B2 (ja) 液晶表示装置
JP2007234915A (ja) 配線基板、配線ケーブル、電子機器および配線接続方法
JP4488073B2 (ja) 電気接続装置
JP2010177493A (ja) 電子ディバイス装置、およびその端子接続方法
JP2008270277A (ja) 位置ずれ検出パターン、位置ずれ検出方法および半導体装置
JP2004214699A (ja) 半導体実装用回路基板およびそれを備えた半導体装置
TWI771567B (zh) 電路基板及其製造方法
JP4076933B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2010147084A (ja) 回路基板、および可撓性基板
US7903428B2 (en) Intra-connection layout of array
JP2003297865A (ja) ベアチップおよび同ベアチップが実装された電気部品
JP2007128990A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2008283130A (ja) 配線基板及びその製造方法ならびに半導体装置及びその製造方法
JPH10189821A (ja) 半導体実装用回路基板およびそれを備えた半導体装置
JP5036336B2 (ja) 半導体チップの位置合わせ方法
JP2007234890A (ja) テストクーポン
JP2006351885A (ja) 配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070405

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090210

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090512

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090708

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090811

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090824

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees