JP4369465B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4369465B2
JP4369465B2 JP2006319318A JP2006319318A JP4369465B2 JP 4369465 B2 JP4369465 B2 JP 4369465B2 JP 2006319318 A JP2006319318 A JP 2006319318A JP 2006319318 A JP2006319318 A JP 2006319318A JP 4369465 B2 JP4369465 B2 JP 4369465B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor
semiconductor device
element mounting
printed board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006319318A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007049211A5 (ja
JP2007049211A (ja
Inventor
忠士 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lapis Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Oki Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Semiconductor Co Ltd filed Critical Oki Semiconductor Co Ltd
Priority to JP2006319318A priority Critical patent/JP4369465B2/ja
Publication of JP2007049211A publication Critical patent/JP2007049211A/ja
Publication of JP2007049211A5 publication Critical patent/JP2007049211A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4369465B2 publication Critical patent/JP4369465B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法に係り、より詳しくは、表面実装型の半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法に関する。
近年、半導体集積回路等の半導体素子をパッケージングした半導体装置としての集積回路パッケージでは、小型化および薄型化に対する要求が高まってきており、この要求に答え得る技術として、特許文献1に記載の技術があった。この技術は、半導体素子自体の寸法に極めて近い寸法の集積回路パッケージとして、所謂C.S.P(Chip Scale Package)を得るものである。
図10は、上記特許文献1に開示されているC.S.Pの構造を示したものであり、同図において、1は半導体素子であり、その表面中央周辺にはパッド2が形成されている。半導体素子1のパッド2が形成された表面の所定の位置にはエッチング等の手法により一部に突出部3Aを形成した接続リード部3が絶縁性接着材4により貼付され、ワイヤ5によりパッド2と接続される。その後、樹脂6により接続リード部3における突起部3Aの一部を露出させる形で封止成型を行ない、最後に、露出した接続リード部3の頂部に半田から成る外部電極7を形成する。
特開平8−125066号公報
しかしながら、上述した特許文献1に開示されているC.S.Pでは、接続リード部にエッチング等の手法により突出部を形成する必要があるので、接続リード部の高精度な形成及び微細加工が困難であると共に、接続リード部の形成の自由度が低い、という問題点があった。
本発明は、上記問題点を解消するために成されたものであり、接続リード部の高精度な形成及び微細加工ができると共に、接続リード部の形成の自由度が高い半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために請求項1記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子搭載領域を備えた凹部と、該凹部に接続されるとともに該凹部を囲むリブ部とからなる半導体素子搭載部を準備する工程と、パッドを備えた半導体素子を前記半導体素子搭載部の前記半導体素子搭載領域に搭載する工程と、外部回路への接続のためのパターンが備えられた枠状のプリント板前記半導体素子搭載部の前記リブ部とを固定する工程と、前記半導体素子の前記パッドと前記プリント板の前記パターンとをワイヤによって電気的に接続する工程と、前記ワイヤ及び前記ワイヤによる接続部を樹脂によって封止成型する工程と、を備えている。
また、請求項2記載の半導体装置の製造方法は、請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記プリント板を固定する工程は、該プリント板の前記枠内に前記半導体素子が位置するように前記半導体素子搭載部を前記プリント板に固定する工程であることを特徴としている。
また、請求項3記載の半導体装置の製造方法は、請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法において、前記プリント板の露出された前記パターンに半田ボールを固定する工程を更に備えている。
一方、上記目的を達成するために請求項4記載の半導体マルチパッケージの製造方法は、請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を複数準備する工程と、前記半導体装置の前記半導体素子搭載部の背面同士を同じ方向に搭載させて固定する工程と、を備えている。
また、上記目的を達成するために請求項5記載の半導体マルチパッケージの製造方法は、請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を複数準備する工程と、前記半導体装置の前記半導体素子搭載部の背面同士が対応するように搭載させて固定する工程と、を備えている。
請求項1記載の半導体装置の製造方法によれば、外部回路への接続のためのパターンを平面状としているので、接続リード部に相当するパターンの高精度な形成及び微細加工が可能であると共に、パターンの形成の自由度を高めることができる、という効果が得られる。
以下、図面を参照して、本発明に係る半導体装置及びその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
〔第1実施形態〕
まず、図1及び図2を参照して、本第1実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。
図1(A)の平面図及び図1(B)の端面図に示すように、まず、金属等の薄板に対してプレス加工等の手法を用いて、中央部に凹部8Aを、周辺部にリブ8Bを形成した半導体素子搭載部8を製作する。
次に、図1(C)の端面図に示すように、半導体素子搭載部8に対して、中心が凹部8Aの中心に略一致するように半導体素子10を図示しない接着材等により搭載固定する。なお、半導体素子10の一方の面には、後述するパッド13(図1(D)参照)が複数形成されており、半導体素子搭載部8への搭載固定の際には、パッド13が形成されている面の逆の面を半導体素子搭載部8に固定するようにする。
次に、図1(D)の平面図及び図1(E)の端面図に示すように、一方の表面に一端部が矩形状で他端部が円形状のパターン11がエッチング等の手法により平面状に複数形成されると共に、中央部に寸法が上記半導体素子10の外周寸法より若干大きくされた貫通孔が設けられたプリント板12に半導体素子10を搭載固定した半導体素子搭載部8のリブ8Bを、プリント板12の裏面(パターン11が形成されている面の反対側の面)に対して、プリント板12の貫通孔から半導体素子10の表面(パッド13が形成されている面)が露出するように図示しない接着材等によって接着固定する。従って、半導体素子10に設けられたパッド13は露出された状態となる。なお、パターン11の数は、半導体素子10に形成されたパッド13と同一とされており、この時点では、パッド13とパターン11の一端部とが1対1に近接した状態となる。
次に、図2(A)の平面図及び図2(B)の端面図に示すように、半導体素子10の表面に形成されたパッド13とプリント板12の表面に形成されたパターン11とをAu等の素材のワイヤ14を用いて配線接続する。
最後に、図2(C)の平面図及び図2(D)の端面図に示すように、半導体素子10の表面とワイヤ14及びその配線接続部とを樹脂15により封止成型すると共に、パターン11の露出している部分の一部に半田ボール等の電極16を固定する。
図2(E)は、以上の工程によって製造した半導体装置80Aを、回路基板(ボード)17上に実装した状態を示したものである。同図に示すように、半導体装置80Aを回路基板17の表面に形成された図示しないパターンに対して電極16を用いて接続固定することにより半導体装置として機能させる。
以上詳細に説明したように、本第1実施形態に係る半導体装置では、リード部品であるパターン11を平面状に形成しているので、パターン11の高精度な形成及び微細加工が可能であると共に、パターン11の形成の自由度を高めることができる。
〔第2実施形態〕
次に、図3及び図4を参照して、本第2実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。
図3(A)の平面図に示すように、まず、上記第1実施形態と同様に、金属等の薄板に対してプレス加工等の手法を用いて、中央部に凹部18Aを、周辺部にリブ18Bを形成した半導体素子搭載部18を製作した後、半導体素子搭載部18に対して、中心が凹部18Aの中心に略一致するように半導体素子19を図示しない接着材等により搭載固定する。なお、半導体素子19の一方の面には、パッド22が複数形成されており、半導体素子搭載部18への搭載固定の際には、パッド22が形成されている面の逆の面を半導体素子搭載部18に固定するようにする。
次に、図3(B)の端面図に示すように、表面及び裏面にスルーホール20Aで相互に接続された矩形状のパターン20がエッチング等の手法により平面状に複数形成され、かつ中央部に寸法が上記凹部18Aの外周寸法より若干大きくされた貫通孔が設けられたプリント板21に対して、プリント板21の貫通孔に図3(B)矢印A方向に凹部18Aを嵌め込む形で半導体素子搭載部18を固定する。なお、プリント板21の片面のパターン20の数は、半導体素子19に形成されたパッド22と同一とされている。
図3(C)及び図3(D)は各々、以上の工程によって半導体素子搭載部18がプリント板21の貫通孔に対して嵌め込まれて固定された後の状態を示す平面図及び端面図である。同図に示すように、この時点では、半導体素子19に形成された複数のパッド22が外部に露出されると共に、パッド22とパターン20とが1対1に近接した状態となる。
次に、図4(A)の平面図及び図4(B)の端面図に示すように、半導体素子19の表面に形成されたパッド22とプリント板21の表面に形成されたパターン20とをAu等の素材のワイヤ23を用いて相互に配線接続する。
最後に、図4(C)の端面図に示すように、半導体素子19の表面とワイヤ23及びその配線接続部を樹脂24により封止成型すると共に、裏面に形成されたパターン20の一部に半田ボール等の電極25を固定する。
図4(D)は、以上の工程によって製造した半導体装置80Bを、回路基板(ボード)26上に実装した状態を示したものである。同図に示すように、半導体装置80Bを回路基板26の表面に形成された図示しないパターンに対して電極25を用いて接続固定することにより半導体装置として機能させる。
以上詳細に説明したように、本第2実施形態に係る半導体装置では、半導体素子搭載部をプリント板の貫通孔に嵌め込む形で固定しているので、上記第1実施形態に比較して、半導体装置をより薄型化することができると共に、製造工程の途中でワイヤトラブル等の不具合が発生した場合においても半導体素子搭載部ごと容易に交換(リワーク)することが可能となる。
〔第3実施形態〕
次に、図5を参照して、本第3実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。
図5(A)の平面図に示すように、まず、上記各実施形態と同様に、金属等の薄板に対してプレス加工等の手法を用いて、中央部に凹部を、周辺部にリブを形成した半導体素子搭載部27を製作し、半導体素子搭載部27に対して、中心が半導体素子搭載部27の凹部の中心に略一致するように半導体素子28を図示しない接着材等により搭載固定した後、表面及び裏面にスルーホールで相互に接続されたパターン29がエッチング等の手法により平面状に複数形成され、かつ中央部に寸法が上記凹部の外周寸法より若干大きくされた貫通孔が設けられたプリント板30に対して、プリント板30の貫通孔に凹部を嵌め込む形で半導体素子搭載部27を固定する。
なお、半導体素子28の一方の面には、パッド31が複数形成されており、半導体素子搭載部27への搭載固定の際には、パッド31が形成されている面の逆の面を半導体素子搭載部27に固定するようにする。また、プリント板30の片面のパターン29の数は、半導体素子28に形成されたパッド31と同一とされている。さらに、パターン29は、一端部が矩形状で他端部が円形状とされており、後述する電極35が容易に固定できる形状とされている。
次に、半導体素子28の表面に形成されたパッド31とプリント板30の表面に形成されたパターン29とをAu等の素材のワイヤ32を用いて配線接続する。
最後に、図5(B)の平面図に示すように、半導体素子28の表面とワイヤ32及びその配線接続部とを樹脂33によって封止成型すると共に、プリント板30の裏面に形成された図示しないパターンの一部に半田ボール等の電極35を固定する。
図5(C)は、以上の工程によって製造した半導体装置80Cを、回路基板(ボード)34上に実装した状態を示したものである。同図に示すように、半導体装置80Cを回路基板34の表面に形成された図示しないパターンに対して電極35を用いて接続固定し、更に半導体装置80Cの上方に同様の工程で製造された別の半導体装置80C’を積み重ねて実装することにより機能の向上を図る。
以上詳細に説明したように、本第3実施形態に係る半導体装置では、図10で示した従来の技術では不可能であった積み重ね(スタック)実装が容易に可能となるので、回路基板(ボード)上の実装面積を増加させることなく半導体装置の処理容量を増加させることができる。
なお、本第3実施形態では、半導体装置を2つのみ積み重ねた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体装置を3つ以上積み重ねる形態としてもよいことは言うまでもない。
〔第4実施形態〕
次に、図6を参照して、本第4実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。
図6(A)の平面図及び図6(B)の端面図に示すように、まず、上記各実施形態と同様に、金属等の薄板に対してプレス加工等の手法を用いて、中央部に凹部を、周辺部にリブを形成した半導体素子搭載部37を製作し、半導体素子搭載部37に対して、中心が半導体素子搭載部37の凹部の中心に略一致するように半導体素子38を図示しない接着材等により搭載固定した後、上記第2実施形態と同様に、表面及び裏面にスルーホール39Aで相互に接続された矩形状のパターン39がエッチング等の手法により平面状に複数形成され、かつ中央部に寸法が上記凹部の外周寸法より若干大きくされた貫通孔が設けられたプリント板40に対して、プリント板40の貫通孔に凹部を嵌め込む形で半導体素子搭載部37を固定する。
なお、半導体素子38の一方の面には、パッド41が複数形成されており、半導体素子搭載部37への搭載固定の際には、パッド41が形成されている面の逆の面を半導体素子搭載部37に固定するようにする。また、プリント板40の片面のパターン39の数は、半導体素子38に形成されたパッド41と同一とされている。
次に、半導体素子38の表面に形成されたパッド41とプリント板40の表面に形成されたパターン39とをAu等の素材のワイヤ42を用いて配線接続する。
最後に、図6(C)の端面図に示すように、半導体素子38の表面とワイヤ42及びその配線接続部とを樹脂43によって封止成型すると共に、プリント板40の裏面に形成されたパターン39の一部に半田ボール等の電極44を固定し、かつ裏面に露出した半導体素子搭載部37の一部にも同様に複数の半田ボールを固定する。
図6(D)は、以上の工程によって製造した半導体装置80Dを、回路基板(ボード)45上に実装した状態を示したものである。同図に示すように、半導体装置80Dを回路基板45の表面に形成された図示しないパターンに対して電極44を用いて接続固定することにより半導体装置として機能させる。この接続固定の際に、半導体装置80Dの裏面側に露出した半導体素子搭載部37の一部に固定した複数の半田ボールも溶融されて回路基板45表面に予め形成された図示しないパターンに強固に固定される。
以上詳細に説明したように、本第4実施形態に係る半導体装置では、半導体装置が回路基板(ボード)上に、半導体素子搭載部の裏面の半田ボールを用いて強固に固定されるので、半導体装置の回路基板への接続状態を強固なものとすることができると共に、高発熱の半導体素子を搭載した場合であっても良好な放熱特性を得ることができる。
〔第5実施形態〕
次に、図7及び図8を参照して、本第5実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。
図7(A)の平面図に示すように、まず、上記各実施形態と同様に、金属等の薄板に対してプレス加工等の手法を用いて、中央部に凹部46Aを、周辺部にリブ46Bを形成した半導体素子搭載部46を製作し、半導体素子搭載部46に対して、中心が半導体素子搭載部46の凹部46Aの中心に略一致するように半導体素子47を図示しない接着材等により搭載固定する。なお、半導体素子47の一方の面には、パッド50が複数形成されており、半導体素子搭載部46への搭載固定の際には、パッド50が形成されている面の逆の面を半導体素子搭載部46に固定するようにする。
次に、図7(B)の端面図に示すように、表面及び裏面にスルーホール48Aで相互に接続された一端部が矩形状で他端部が円形状とされたパターン48がエッチング等の手法により平面状に複数形成され、かつ中央部に寸法が上記凹部46Aの外周寸法より若干大きくされた貫通孔が設けられたプリント板49に対して、プリント板49の貫通孔に凹部46Aを図7(B)矢印B方向に嵌め込む形で半導体素子搭載部46を固定する。なお、プリント板49の片面のパターン48の数は、半導体素子47に形成されたパッド50と同一とされている。
次に、図7(C)の平面図に示すように、半導体素子47の表面に形成されたパッド50とプリント板49の表面に形成されたパターン48とをAu等の素材のワイヤ51を用いて相互に配線接続した後、図7(D)の端面図に示すように、半導体素子47の表面とワイヤ51及びその配線接続部とを樹脂52によって封止成型する。
次に、図8(A)の端面図に示すように、以上の工程によって構成されたもの全体を表裏反転し、プリント板49の貫通孔に、半導体素子53を搭載した半導体素子搭載部54を図8(A)矢印C方向に移動して、半導体素子搭載部46との各々の背面が対向するように嵌め込んで固定する。従って、プリント板49は、2つの半導体素子搭載部46及び54を同一の貫通孔に収容できるように、予め厚さ方向の寸法を設定しておく。
次に、図8(B)の平面図及び図8(C)の端面図に示すように、半導体素子53の表面に形成されたパッド55とプリント板49に形成されたパターン48とをAu等の素材のワイヤ56を用いて配線接続する。
最後に、図8(D)の端面図に示すように、半導体素子53の表面とワイヤ56及びその配線接続部とを樹脂57によって封止成型すると共に、プリント板49の一方の面に形成されたパターン48の一部に半田ボール等の電極58を固定する。
図8(E)は、以上の工程によって製造した半導体装置80Eを、回路基板(ボード)59上に実装した状態を示したものである。同図に示すように、半導体装置80Eを回路基板59の表面に形成された図示しないパターンに対して電極58を用いて接続固定することにより半導体装置として機能させる。
以上詳細に説明したように、本第5実施形態に係る半導体装置では、複数の半導体素子を同一の半導体装置に実装する、所謂マルチチップ実装を容易に実現できるので、回路基板(ボード)上の実装面積を増加させることなく半導体装置の処理容量を増加させることができる。
また、本第5実施形態に係る半導体装置では、半導体素子搭載部54をプリント板49に固定する際(図8(A)参照)、必要であれば導電性の接着材等を用いて各半導体素子搭載部の裏面を相互に接着することにより、各半導体素子間の電気的導通が可能となると共に、樹脂封止を行なう前に電気特性の確認を実施することによって、不具合の発生した半導体素子を半導体素子搭載部ごと交換(リワーク)することができる。
なお、本第5実施形態では、半導体装置80Eを1つのみ回路基板59に実装する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図9(A)に示すように本第5実施形態に係る半導体装置80Eを複数積層する形態としてもよいし、図9(B)に示すように本第5実施形態に係る半導体装置80Eと上記第3実施形態に係る半導体装置80Cとを組み合わせて積層する形態としてもよい。この場合、回路基板(ボード)上の実装面積を増加させることなく半導体装置全体の処理容量を、より増加させることができる。
また、上記第2実施形態乃至第5実施形態では、プリント板の表面及び裏面に各々形成したパターンをスルーホールによって接続する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばバイアホールで接続する形態としてもよい。
また、上記第2実施形態乃至第5実施形態では、プリント板の片面に形成するパターンの数を半導体素子のパッドの数と同一としてパターンとパッドとを1対1で接続した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばパターンをパッドの数の整数倍形成して、1つのパッドに対して複数のパターンを接続する形態としてもよい。
また、上記各実施形態では、半導体素子を半導体素子搭載部に搭載した後に半導体素子搭載部をプリント板に固定する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子搭載部をプリント板に固定した後に半導体素子を半導体素子搭載部に搭載する形態としてもよい。
また、上記各実施形態では、プリント板に貫通孔を設け、該貫通孔内に半導体素子が位置するように半導体素子搭載部をプリント板に固定した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、プリント板に貫通孔を設けずに半導体素子搭載部をプリント板に固定する形態としてもよい。
第1実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、(A)は半導体素子搭載部の状態を示す平面図、(B)はA1−A1線の端面図、(C)は(B)に対して半導体素子搭載部に半導体素子を搭載した状態を示す端面図、(D)は半導体素子搭載部をプリント板に固定した状態を示す平面図、(E)はA2−A2線の端面図である。 第1実施形態に係る半導体装置の製造工程の図1の続き及び製造された半導体装置の実装状態を示す図であり、(A)はパッドとパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(B)はA3−A3線の端面図、(C)は半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示す平面図、(D)はA4−A4線の端面図、(E)は製造された半導体装置の回路基板への実装状態を示す端面図である。 第2実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、(A)は半導体素子搭載部に半導体素子を搭載した状態を示す平面図、(B)は半導体素子搭載部をプリント板に固定する際の状態を示すA5−A5線の端面図、(C)は半導体素子搭載部をプリント板に固定した状態を示す平面図、(D)はA6−A6線の端面図である。 第2実施形態に係る半導体装置の製造工程の図3の続き及び製造された半導体装置の実装状態を示す図であり、(A)はパッドとパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(B)はA7−A7線の端面図、(C)は(B)に対して半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示す端面図、(D)は製造された半導体装置の回路基板への実装状態を示す端面図である。 第3実施形態に係る半導体装置の製造工程及び製造された半導体装置の実装状態を示す図であり、(A)は半導体素子が搭載された半導体素子搭載部がプリント板に固定されかつパッドとパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(B)は半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示す平面図、(C)は製造された半導体装置の回路基板への実装状態を示すA8−A8線に対応する端面図である。 第4実施形態に係る半導体装置の製造工程及び製造された半導体装置の実装状態を示す図であり、(A)は半導体素子が搭載された半導体素子搭載部がプリント板に固定されかつパッドとパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(B)はA9−A9線の端面図、(C)は(B)に対して半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示す端面図、(D)は製造された半導体装置の回路基板への実装状態を示す端面図である。 第5実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、(A)は半導体素子搭載部に半導体素子を搭載した状態を示す平面図、(B)は半導体素子搭載部をプリント板に固定する際の状態を示すA10−A10線の端面図、(C)は半導体素子が搭載された半導体素子搭載部がプリント板に固定されかつパッドとパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(D)は半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示すA11−A11線の端面図である。 第5実施形態に係る半導体装置の製造工程の図7の続き及び製造された半導体装置の実装状態を示す図であり、(A)は図7(D)で示したものに対して半導体素子を搭載した別の半導体素子搭載部を追加固定する状態を示した端面図、(B)は追加固定した半導体素子搭載部の半導体素子に形成されたパッドとプリント板に形成されたパターンとをワイヤで接続した状態を示す平面図、(C)はA12−A12線の端面図、(D)は(C)に対して追加固定した半導体素子搭載部の半導体素子の表面とワイヤ及びその配線接続部とを樹脂により封止成型した状態を示す端面図、(E)は製造された半導体装置の回路基板への実装状態を示す端面図である。 本発明に係る半導体装置を複数積層した状態を示す図であり、(A)は第5実施形態に係る半導体装置を複数積層した状態を示す断面図、(B)は第3実施形態に係る半導体装置及び第5実施形態に係る半導体装置を複数積層した状態を示す断面図である。 従来技術の説明に用いる断面図である。
符号の説明
8、18、27、37、46、54 半導体素子搭載部
10、19、28、38、47、53 半導体素子
11、20、29、39、48 パターン
12、21、30、40、49 プリント板
13、22、31、41、50、55 パッド
14、23、32、42、51、56 ワイヤ
15、24、33、43、52、57 樹脂
16、25、35、44、58 電極
17、26、34、45、59 回路基板

Claims (5)

  1. 半導体素子搭載領域を備えた凹部と、該凹部に接続されるとともに該凹部を囲むリブ部とからなる半導体素子搭載部を準備する工程と、
    パッドを備えた半導体素子を前記半導体素子搭載部の前記半導体素子搭載領域に搭載する工程と、
    外部回路への接続のためのパターンが備えられた枠状のプリント板前記半導体素子搭載部の前記リブ部とを固定する工程と、
    前記半導体素子の前記パッドと前記プリント板の前記パターンとをワイヤによって電気的に接続する工程と、
    前記ワイヤ及び前記ワイヤによる接続部を樹脂によって封止成型する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  2. 前記プリント板を固定する工程は、該プリント板の前記枠内に前記半導体素子が位置するように前記半導体素子搭載部を前記プリント板に固定する工程である
    請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記プリント板の露出された前記パターンに半田ボールを固定する工程を更に備えた
    請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法。
  4. 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を複数準備する工程と、
    前記半導体装置の前記半導体素子搭載部の背面同士を同じ方向に搭載させて固定する工程と、
    を備えた半導体マルチパッケージの製造方法。
  5. 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を複数準備する工程と、
    前記半導体装置の前記半導体素子搭載部の背面同士が対応するように搭載させて固定する工程と、
    を備えた半導体マルチパッケージの製造方法。
JP2006319318A 2006-11-27 2006-11-27 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP4369465B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006319318A JP4369465B2 (ja) 2006-11-27 2006-11-27 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006319318A JP4369465B2 (ja) 2006-11-27 2006-11-27 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09013898A Division JP3939429B2 (ja) 1998-04-02 1998-04-02 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007049211A JP2007049211A (ja) 2007-02-22
JP2007049211A5 JP2007049211A5 (ja) 2007-04-26
JP4369465B2 true JP4369465B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=37851712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006319318A Expired - Fee Related JP4369465B2 (ja) 2006-11-27 2006-11-27 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4369465B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007049211A (ja) 2007-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3939429B2 (ja) 半導体装置
US8294253B2 (en) Semiconductor device, electronic device and method of manufacturing semiconductor device, having electronic component, sealing resin and multilayer wiring structure
JPH11312764A (ja) エリアアレイ型半導体パッケージ及びその製造方法
CN100527412C (zh) 电子电路模块及其制造方法
US8592962B2 (en) Semiconductor device packages with protective layer and related methods
US20090146284A1 (en) Molded Leadless Packages and Assemblies Having Stacked Molded Leadless Packages
KR20140141474A (ko) 반도체 장치
CN211150513U (zh) 封装体
JP2006210852A (ja) 表面実装型回路部品を実装する回路基板及びその製造方法
US7851902B2 (en) Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device
JP2007150045A (ja) 半導体装置
JP5378643B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2014212168A (ja) 固体撮像素子用中空パッケージ
JP3656861B2 (ja) 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法
JP4369465B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体マルチパッケージの製造方法
JP2001177005A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4577686B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4946959B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100239387B1 (ko) 가요성(可僥性) 회로 기판을 이용한 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array : BGA) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102365004B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102340866B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2019050297A (ja) 半導体装置
JP2004207415A (ja) 半導体モジュール、電子機器および半導体モジュールの製造方法
TW201343019A (zh) 系統級封裝組件、印刷電路板組件及其製作方法
JPH10150065A (ja) チップサイズパッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061127

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070312

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081218

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090825

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350