JP4356636B2 - 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4356636B2 JP4356636B2 JP2005084911A JP2005084911A JP4356636B2 JP 4356636 B2 JP4356636 B2 JP 4356636B2 JP 2005084911 A JP2005084911 A JP 2005084911A JP 2005084911 A JP2005084911 A JP 2005084911A JP 4356636 B2 JP4356636 B2 JP 4356636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cerium oxide
- abrasive
- polishing
- polishing agent
- oxide particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
(酸化セリウム研磨剤の作製)
炭酸セリウム水和物をロータリーキルン(炉径φ250mm、炉長L4000mm)に毎時9kg投入し、800℃で空気を吹き込みながら1時間焼成した(投入された炭酸セリウム水和物が焼成温度800℃まで昇温する昇温速度53℃/分)。このようにして得られた酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕し酸化セリウム粒子を得た。この酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと純水8,977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1μmのフィルターで濾過し、さらに純水を加えることにより3重量%研磨剤を得た。
CMP研磨装置(荏原製作所製 EPO−111型)で8″ウェハ上にTEOS−プラズマCVD法で形成したSiO2絶縁膜(厚さ1.5μm)を1分間研磨した。研磨条件は荷重30kPa、背面圧力15kPa、定番回転数75min−1、キャリア回転数75min−1で、酸化セリウムスラリー(固形分:1重量%)を200ml/minの速度で滴下しながら実施した。
(1)酸化セリウム粒子の調整
a.酸化セリウム粒子Aの調整
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、80℃/分の昇温速度で昇温し、800℃で2時間、空気を流し込みながら(10L/min)焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、70℃/分の昇温速度で昇温し、700℃で2時間、空気を流し込みながら(10L/min)焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。
上記(1)で得られた酸化セリウム粒子A又はB1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8,977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施して、酸化セリウム粒子を分散させ、スラリーを得た。
ホルダーに貼り付けられた基板取り付け用の吸着パッドにTEOS−プラズマCVD法で作製したSiO2絶縁膜(膜I)を形成させたSiウエハを吸着させて固定した。このホルダーを、Siウエハを保持したまま、絶縁膜面を下にして、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面に載置し、さらに加工荷重が300g/cm2になるように重しを載せた。
(1)酸化セリウム粒子Cの調整
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、15℃/分の昇温速度で昇温し、800℃で2時間減圧中(10mmHg)で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。
上記(1)で得られた酸化セリウム粒子C1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8,977gを混合し、実施例2と同様にして3重量%の研磨剤を得た。スラリーのpHは8.3であった。酸化セリウム粒子Cから得られた研磨剤を、以下、研磨剤Cと呼ぶ。
上記研磨剤Cを用いて、実施例2と同様にして絶縁膜(膜I)の研磨を検討した。その結果を実施例2における研磨剤A又はBを用いた結果とあわせて最後に表1に示す。
研磨剤Cを用いての研磨後はウエハ全面に渡って均一の厚みになっており、表面に明確な傷は見られなかった。しかし、この研磨により、360nm(研磨速度:180nm/min)の絶縁膜が削られ、本実施例の研磨剤A又はBと比較すると同じ温度で焼成しても約20%低い値であった。
Claims (17)
- 粉末X線回折チャートにおいて、27〜30°の主ピークの面積強度と32〜35°の副ピークの面積強度との比(主ピーク/副ピーク)が3.20以上である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む研磨剤。
- 酸化セリウム粒子が2個以上の結晶子から構成された結晶粒界を有する、請求項1記載の研磨剤。
- 結晶粒界を有する酸化セリウム粒子径の中央値が60〜1,500nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 結晶粒界を有する酸化セリウム粒子径の中央値が100〜1,200nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 結晶粒界を有する酸化セリウム粒子径の中央値が300〜1,000nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子の結晶子径の中央値が5〜250nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子の結晶子径の中央値が5〜150nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子の結晶子径の中央値が10〜50nmである、請求項2項記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子の結晶子径の中央値が50〜200nmである、請求項2記載の研磨剤。
- 結晶粒界を有する酸化セリウム粒子の最大径が3,000nm以下である、請求項2〜9のいずれか1項に記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子の結晶子の最大径が600nm以下である、請求項2〜9のいずれか1項に記載の研磨剤。
- ピクノメータを用いて測定した真密度とX線リートベルト解析で求めた理論密度の比から求めた酸化セリウム粒子の気孔率が10〜30%である、請求項2〜9のいずれか1項に記載の研磨剤。
- B.J.H.法により測定した酸化セリウム粒子の細孔容積が0.02〜0.05cm3/gである、請求項12記載の研磨剤。
- 酸化セリウム粒子のかさ密度が6.5g/cm3以下である請求項1記載の研磨剤。
- かさ密度が5.0g/cm3以上、5.9g/cm3以下である、請求項14記載の研磨剤。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載の研磨剤を用いて、所定の基板を研磨することを特徴とする基板の研磨方法。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載の研磨剤を用いてシリカ膜が形成された半導体チップを研磨する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005084911A JP4356636B2 (ja) | 1999-05-28 | 2005-03-23 | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15004999 | 1999-05-28 | ||
JP24339899 | 1999-08-30 | ||
JP2005084911A JP4356636B2 (ja) | 1999-05-28 | 2005-03-23 | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000621286A Division JP4221903B2 (ja) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005246603A JP2005246603A (ja) | 2005-09-15 |
JP4356636B2 true JP4356636B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=35027570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005084911A Expired - Lifetime JP4356636B2 (ja) | 1999-05-28 | 2005-03-23 | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4356636B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007106890A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材 |
JP2015143332A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-08-06 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2017186196A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | Jsr株式会社 | 希土類元素セリウム複合酸化物粒子とその製造方法、および研摩用組成物 |
-
2005
- 2005-03-23 JP JP2005084911A patent/JP4356636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005246603A (ja) | 2005-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4221903B2 (ja) | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP3727241B2 (ja) | 研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置の製造法 | |
JP5023626B2 (ja) | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 | |
JPH10106994A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2009182344A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP4356636B2 (ja) | 酸化セリウムの製造方法、酸化セリウム研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH10106990A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2000188270A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP4788585B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
JP4776518B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
JP4776519B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
JP2006186384A (ja) | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 | |
JP4788588B2 (ja) | 研磨方法 | |
JP2008132593A (ja) | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2006148158A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2007129249A (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
JP2004336082A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2006140536A (ja) | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 | |
JP2004291232A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2001308044A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2005012231A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2004282092A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2001138214A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4356636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |