JP4354019B2 - The organic electroluminescence element - Google Patents

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Description

【0001】 [0001]
【産業上の利用分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、発光を素子の陰極側からも取り出すことができるため透明な発光素子等に利用可能であるとともに、高精細な表示装置としても利用可能な有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The invention, together with available in transparent light emitting element or the like because it can be taken out from the cathode side of the light emitting elements, also relates to an organic electroluminescent device which can be used as high-definition display device.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
電界発光を利用したエレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子と略記する。)は、自己発光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。 Electroluminescent element utilizing electroluminescence (hereinafter, abbreviated as EL element.) Since visibility for self emission is high and a complete solid element, since it has characteristics such as excellent impact resistance, use as a light-emitting element has attracted attention in various display devices.
【0003】 [0003]
EL素子には、発光材料として無機化合物を用いる無機EL素子と、有機化合物を用いる有機EL素子とがあり、このうち、有機EL素子は、印加電圧を大幅に低くし得る小型化が容易であるため、次世代の表示素子としてその実用化研究が積極的になされている。 The EL element, an inorganic EL element using an inorganic compound as a light-emitting material, there is an organic EL element using an organic compound, of which the organic EL element, it is easy miniaturization which can significantly lower the applied voltage Therefore, its practical application has been studied actively as a next generation display device.
有機EL素子の構成は、陽極/発光層/陰極の構成を基本とし、ガラス板等を用いた基板上に、透明陽極を積層する構成が通常採用されている。 Configuration of the organic EL element is basic to the construction of anode / luminescent layer / cathode, on a substrate using a glass plate or the like, configured to stack the transparent anode is normally employed. この場合、発光は基板側に取り出される。 In this case, light emission is extracted to the substrate side.
【0004】 [0004]
ところで、近年以下の理由で、陰極を透明にして発光を陰極側に取り出す試みがなされている。 In recent years for the following reasons, it attempts to take out luminescence in the transparent cathode to the cathode side have been made.
(ア)透明な発光素子が製造できる。 (A) a transparent light-emitting element can be manufactured.
(イ)発光素子の背景色としての任意な色の採用により、発光時以外もカラフルなディスプレイとすることができる。 (B) by any color adopted as the background color of the light emitting element, even when not emitting be a colorful display. 背景色として黒を採用した場合には、発光時のコントラストが向上する。 In the case of employing the black as background color, improved contrast at the time of light emission.
(ウ)カラーフィルターや色変換層を用いる場合に、発光素子の上にこれらを置くことができる。 (C) in the case of using a color filter or a color conversion layer, it is possible to put these on the light emitting element. このため、これらの層を考慮することなく素子を製造することができる。 Therefore, it is possible to manufacture the device without considering these layers. その利点として、例えば、陽極を形成させる際に基板温度を高くすることができ、これにより陽極の抵抗値を下げることができる。 As a benefit, for example, it is possible to increase the substrate temperature in forming the anode, thereby lowering the resistance value of the anode.
【0005】 [0005]
一方、近年、有機EL素子を利用した表示装置(ディスプレイ)は、高精細化および大型化される傾向にある。 On the other hand, in recent years, a display device using an organic EL device (display) tend to be high definition and large size. そして、高精細化のため、画素を数百μm角以下とすることが望まれている。 Since the high definition, it is desired to less several hundred μm square pixels. この場合、ディスプレイを構成する走査電極線や信号電極線はより細くなり、それに伴い高抵抗となる。 In this case, the scanning electrode line and signal electrode line constituting the display becomes thinner, a high resistance accordingly. 走査電極線や信号電極線が高抵抗であると、配線による電圧降下や、駆動時の応答の遅れを引き起こすという問題があった。 When the scanning electrode line and signal electrode line has a high resistance, a voltage drop or due to the wiring, there is a problem that causes a delay in response at the drive. すなわち、電圧降下はディスプレイに輝度ムラを発生させ、駆動時の応答の遅れは、高精細なディスプレイ作製時、動きの速い画面を表示するのが困難であるため、表示に制約を受けるという問題があった。 That is, the voltage drop will generate unevenness in brightness on the display, response delay at the time of driving, the time of high-definition displays produced, since it is difficult to display fast moving screen, the problem that restricted the display there were.
そして、走査電極線や信号電極線は、有機EL素子を構成する下部電極や対向電極と接続している。 The scan electrode lines and the signal electrode line is connected to the lower electrode and the counter electrode constituting the organic EL element. このため、下部電極や対向電極を構成する陽極あるいは陰極の抵抗値を低くすることが求められていた。 Thus, it is possible to lower the resistance value of the anode or cathode to the lower electrode and the counter electrode has been demanded.
【0006】 [0006]
特開平8−185984号公報には、透明導電層よりなる第1の電極層と、超薄膜の電子注入金属層及びその上に形成される透明導電層よりなる第2の電極層を設けた、透明な有機EL素子が開示されている。 JP-A-8-185984, and a first electrode layer made of a transparent conductive layer, a second electrode layer made of a transparent conductive layer formed on the electron-injecting metal layer and the ultra-thin films provided, transparent organic EL element is disclosed. しかし、電極層の抵抗を低くするという技術思想は開示されていない。 However, technical idea of ​​lowering the resistance of the electrode layer is not disclosed.
また、この公報で開示されている陰極は、透明導電層一層のみからなるものであり、この層を構成する物質としては、具体的にはITO(インジウムチンオキサイド)、SnO 2のみが開示されている。 The cathode disclosed in this publication is made of a only the transparent conductive layer one layer, the material constituting the layer, in particular ITO (indium tin oxide), only the SnO 2 is disclosed there. ところで、これらの物質はX線回折ピークが消失する程度にまで結晶性をなくすることはできず、本質的に結晶質である。 However, these substances can not be eliminated crystallinity to the extent that the X-ray diffraction peak disappears, is essentially crystalline. このため、有機層を介して基板に積層するに際して、有機層の損傷を防ぐために基板温度を室温〜100℃近くに設定して蒸着した場合、抵抗率が高い透明導電層が形成される(ITOでは、1×10 -3 Ω・cm程度以上となる。)。 Therefore, when laminated to the substrate through the organic layer, when the substrate temperature was deposited set near room temperature to 100 ° C. in order to prevent damage to the organic layer, a high resistivity transparent conductive layer is formed (ITO In, the 1 × 10 -3 Ω · cm approximately above.).
【0007】 [0007]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
このような、結晶質の透明導電層一層のみからなる陰極を使用した有機EL素を高精細な表示装置に利用した場合には、透明導電層の配線ラインで電圧降下が発生し、発光に不均一性が生じることが考えられるため、有機EL素子の利用にも限界があった。 Such an organic EL element using a cathode made of only the transparent conductive layer one layer of crystalline when using a high-definition display device, a voltage drop occurs in the wiring lines of the transparent conductive layer, not a light emitting it is considered that the uniformity occurs, there is a limit to the use of organic EL elements. また、ITOやSnO 2は、本質的に結晶質であるため、結晶粒界より水分や酸素が侵入しやすい。 Further, ITO and SnO 2 are the essentially crystalline, moisture and oxygen is likely to penetrate from the grain boundaries. このため、隣接して積層される電子注入金属層が劣化をうけ易く、その結果発光欠陥が生じたり、発光しなくなったりすることなどが考えられ、更なる耐久性の改良が望まれていた。 Therefore, easy electron injection metal layer laminated adjacent undergo degradation, resulting or emission defects occur, considered like to or longer emission, further durability improvement has been desired.
【0008】 [0008]
更に、前記の結晶質の透明導電層の場合、XYマトリックス構造の有機EL表示装置を作製する際のパターニング工程において、エッチングにより断面台形状のエッチングパターンを形成させる、いわゆるテーパーエッチングを採用することが難しく、このため高精細な表示装置の作製が難しい場合がある。 Furthermore, in the case of the crystalline transparent conductive layer of, in the patterning step of making the organic EL display device of the XY matrix structure, thereby forming an etching pattern of the trapezoidal shape by etching, it is possible to adopt a so-called taper etching difficult, making this for high-definition display device can be difficult.
【0009】 [0009]
本発明の第1の目的は、上記従来技術の課題を解決し、発光を素子の陰極側からも取り出すことができるとともに、高精細な表示装置に利用できる有機EL素子を提供することにある。 A first object of the present invention, the solve the problems of the prior art, it is possible to take out from the cathode side of the light emitting element is to provide an organic EL device that can be used for high-definition display device.
本発明の第2の目的は、第1の目的を達成するとともに、高精細な表示装置の作製が容易であるとともに耐久性(耐湿熱性)に優れる有機EL素子を提供することにある。 A second object of the present invention is to thereby achieve the first object, to provide an organic EL device having excellent durability (wet heat resistance) with production of high-definition display device is easy.
【0010】 [0010]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、陰極を構成する透明導電膜の外側に低抵抗の金属薄膜を配置することにより、低抵抗かつ高透明の陰極を有する有機EL素子が得られることを見出した。 The present inventors have made intensive studies in order to solve the above problems, by arranging a low resistance metal film outside of the transparent conductive film constituting the cathode, has a low resistance and high transparency of the cathode the organic EL element has been found that can be obtained. 本発明は、かかる知見に基づいて完成させたものである。 The present invention has been completed based on this finding.
【0011】 [0011]
すなわち、本発明の要旨は以下のとおりである。 That is, the gist of the present invention is as follows.
〔1〕. [1]. 陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、陰極が、有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率1×10 -5 Ω・cm以下の金属薄膜の順で積層されてなるとともに、陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明導電膜がインジウム(In)、亜鉛(Zn)、酸素(O)からなる酸化物を用いて、形成されてなる非晶質透明導電膜であり、陰極と前記透明薄膜層からなる層の光透過率が60%以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescent device wherein an organic layer including an organic light-emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, the cathode, the electron injection electrode layer from the side in contact with the organic layer, the transparent conductive film, resistivity 1 × 10 with laminated comprising at -5 Omega · cm the following order of the metal thin film, an organic electroluminescent device comprising a transparent thin film layer on the outside of the cathode is formed, the transparent conductive film of indium (in), zinc ( Zn), oxygen (using an oxide consisting of O), Ri formed amorphous transparent conductive film der comprising, der light transmittance of 60% or more layers of the cathode transparent thin layer Rukoto the organic electroluminescent device characterized.
〔2〕. [2]. 電子注入電極層が、電子注入性の金属、合金およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる1種または2種以上を用いて、超薄膜状に形成されていることを特徴とする前記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Wherein the electron injection electrode layer, an electron injecting metal, using one or more selected from the alloy and alkaline earth metal oxides, characterized in that it is formed in super thin film (1) the organic electroluminescent device according to.
〔3〕. [3]. 電子注入電極層が、電子注入性の金属、合金およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる1種または2種以上と電子伝達性の有機物の混合層であることを特徴とする前記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 An electron injection electrode layer, an electron injecting metal, the which is a mixed layer of one or more and the electron transfer organic material selected from the alloy and alkaline earth metal oxides (1) the organic electroluminescent device according.
〔4〕. [4]. 電子注入電極層が、島状電子注入域からなることを特徴とする前記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 An electron injection electrode layer, an organic electroluminescent device according to the item [1], characterized in that it consists of islands electron injection region.
〔5〕. [5]. 陰極と陽極がXYマトリックスを形成するとともに、透明導電膜が断面台形状(テーパー状)に形成されてなることを特徴とする前記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the above [1] to a cathode and an anode to form the XY matrix, a transparent conductive film is characterized by comprising formed in a trapezoidal cross section (tapered).
〔6〕. [6]. 極と前記透明薄膜層からなる層または陰極の面抵抗値が10Ω/□以下であることを特徴とする前記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the above [1] to the surface resistance of the layer or cathode and anions electrode wherein the transparent thin film layer is equal to or is 10 [Omega / □ or less.
【0012】 [0012]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明を詳細に説明する。 The present invention will be described in detail.
本発明の第1の目的を達成することのできる有機EL素子としては、陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなり、陰極が有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率1×10 -5 Ω・cm以下の金属薄膜の順で積層されてなるとともに陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなる構成のものを採用することができる。 The organic EL device capable of achieving the first object of the present invention, the organic layer is held between containing an organic luminescent layer between an anode and a cathode, the electron injection electrode from the side where the cathode is in contact with the organic layer layers, it is possible to adopt a transparent conductive film, the resistivity of 1 × 10 -5 Ω · cm below are laminated in this order of the metal thin transparent thin layer on the outer side of the cathode with composed is formed configuration. この素子構成は、例えば、図1により模式的に表すことができる。 The device structure is, for example, can be schematically represented by FIG. まず、この有機EL素子の陰極を構成する各要素および透明薄膜層について説明する。 First, an explanation of each element and the transparent thin film layer constituting the cathode of the organic EL device.
【0013】 [0013]
<金属薄膜> <Metal thin film>
金属薄膜は、陰極の面抵抗値を下げるために用いられるものであり、光が透過できる程度にまで薄膜化されたものである。 The metal thin film is intended to be used in order to lower the sheet resistance of the cathode, in which light is thinned to the extent that can pass through. 本発明で用いることができる、抵抗率が1×10 -5 Ω・cm以下の金属薄膜の材料となる金属としては、例えば、銀(Ag)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ルテニウム(Lu)、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)等を挙げることができる。 Can be used in the present invention, the metal resistivity becomes 1 × 10 -5 Ω · cm or less of the metal thin film material, such as silver (Ag), gold (Au), aluminum (Al), ruthenium ( lu), nickel (Ni), it may be mentioned platinum (Pt) or the like. 中でも、抵抗率が低く薄膜化しやすいAg、Au、Ptが好適であり、Agが特に好適である。 Among them, a thin film tends to Ag low resistivity, Au, Pt are preferred, Ag is particularly preferred.
本発明の特徴は、陰極の透明性を高めた点にある。 Feature of the present invention is that enhanced transparency of the cathode. このため、金属薄膜層の光透過率を70〜90%とすることが好ましい。 Therefore, it is preferable that the light transmittance of the metal thin film layer 70 to 90%. このためには、膜厚を2〜20nmとするのが好ましく、2〜10nmとするのが特に好ましい。 For this purpose, it is preferable to 2~20nm thickness, particularly preferably in the 2 to 10 nm.
【0014】 [0014]
この層の成膜法としては、例えば、薄膜の作製に通常使用される抵抗加熱式蒸着法、電子ビーム蒸着法、RFマグネトロンあるいはDCマグネトロン等のスパッタリング法が挙げられる。 The film formation method of this layer, for example, normal resistance heating evaporation method used to make the thin film, the electron beam evaporation method, and sputtering method such as an RF magnetron or DC magnetron. これらの中でも、この層の形成に先立って、有機層、電子注入電極層、透明導電層等が形成される場合には、これらの層への熱的影響の少ない抵抗加熱式蒸着法あるいはDCマグネトロンスパッタリングの1種であるヘリコンスパッタリング法を用いるのが好ましく、特に抵抗加熱式蒸着法が好ましい。 Among them, prior to the formation of this layer, the organic layer, the electron injection electrode layer, when the transparent conductive layer or the like is formed is less resistance heating evaporation method or DC magnetron thermal influences thereon of layers it is preferred to use helicon sputtering method which is one of sputtering, particularly resistance heating deposition method is preferred. この場合において、後記する透明導電膜はスパッタリング法による形成が好ましいので、装置やプロセスの共有化による利点を考慮して、適宜形成手段を選択することが好ましい。 In this case, since the transparent conductive film to be described later is formed by preferably a sputtering method, taking into account the benefits of sharing equipment and process, it is preferable to select a suitable forming means.
【0015】 [0015]
なお、この構成の有機EL素子においては、電極のリード線は、金属薄膜あるいはその外側に形成される透明薄膜層から取ることとなり、金属薄膜、透明導電膜、電子注入電極層を通して、有機層に電子が注入される。 Incidentally, in the organic EL device of this configuration, the lead wires of the electrodes becomes a take a thin metal film or a transparent thin film layer formed on the outer side, a metal thin film, the transparent conductive film, through the electron injection electrode layer, the organic layer electrons are injected.
【0016】 [0016]
<透明導電膜> <Transparent conductive film>
本発明で用いることができる透明導電膜は、前記の金属薄膜を積層させる構成を採用する場合には、ITO膜やSnO 2膜などの結晶質透明導電膜であってもよいが、この層自体の抵抗率も低い方が好ましく、具体的には抵抗率が5×10 -4 Ω・cm以下であることが好ましい。 Transparent conductive film that can be used in the present invention, when adopting a configuration for stacking the metal thin film may be a crystalline transparent conductive film such as ITO film or SnO 2 film, this layer itself it is preferred resistivity low, it is preferable Specifically, the resistivity is 5 × 10 -4 Ω · cm or less.
【0017】 [0017]
このような透明導電膜として非晶質透明導電膜が挙げられる。 Amorphous transparent conductive film is mentioned as such a transparent conductive film. このような非晶質透明導電膜の材質としては、In−Zn−O系の酸化物膜が好ましい。 The material of such amorphous transparent conductive film, In-Zn-O-based oxide film is preferable. ここで、In−Zn−O系の酸化物膜とは、主要カチオン元素としてインジウム(In)及び亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜である。 Here, the In-Zn-O-based oxide film, a transparent conductive film made of amorphous oxide containing indium (In) and zinc (Zn) as main cation elements. Inの原子比〔In/(In+Zn)〕は0.45〜0.90が好ましい。 Atomic ratio of In [In / (In + Zn)] is preferably from 0.45 to 0.90. それは、この範囲外では導電性が低くなる可能性があるからである。 It is in this range there is a possibility that conductivity is lowered. Inの原子比〔In/(In+Zn)〕は、導電性の点で0.50〜0.90が特に好ましく、0.70〜0.85が更に好ましい。 Atomic ratio of In [In / (In + Zn)] is particularly preferably 0.50 to 0.90 in terms of conductivity, more preferably from 0.70 to 0.85.
【0018】 [0018]
上記非晶質酸化物は、主要カチオン元素として実質的にIn及びZnのみを含有するものであってもよいし、その他に価数が正3価以上の1種以上の第3元素を含有するものであってもよい。 The amorphous oxide may be those which contain substantially only In and Zn as main cation elements, Other valence contains positive trivalent or more one or more of the third element it may be the one. 前記第3元素の具体例としては、スズ(Sn)、アルミニウム(Al)、アンチモン(Sb)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、チタン(Ti)等があげられるが、導電性が向上するという点でSnを含有するものが特に好ましい。 Specific examples of the third element, tin (Sn), aluminum (Al), antimony (Sb), gallium (Ga), germanium (Ge), Titanium (Ti), and the like, conductivity is improved those containing Sn in that is particularly preferred. また、第3元素の含有量は、その総量の原子比〔(全第3元素)/(In+Zn+(全第3元素)〕が0.2以下となる量が好ましい。第3元素の総量の原子比が0.2を超えると、イオンの散乱により導電性が低くなる場合がある。第3元素の総量の特に好ましい原子比は0.1以下である。なお、組成が同じであっても、結晶化したものは非晶質のものより導電性に劣るので、この点からも非晶質の透明導電膜を使用するのが好ましい。 The content of the third element, the amount of atomic ratio of the total amount [(total third element) / (In + Zn + (total third element)] is 0.2 or less. Atoms of the total amount of the third element If the ratio exceeds 0.2, there are cases where conductivity is lowered due to scattering of the ion. particularly preferred atomic ratio of the total amount of the third element is 0.1 or less. even the same composition, since those crystallized poor conductivity than that of the amorphous, preferably a transparent conductive film of amorphous from this point.
【0019】 [0019]
上述の酸化物は、薄膜にすることで透明導電膜として利用可能となる。 Oxides described above may be made available with the transparent conductive film is a thin film. このときの膜厚は、概ね3〜3000nmとするのが好ましい。 Thickness at this time is generally preferable to be 3~3000Nm. それは、3nm未満では導電性が不十分となりやすく、3000nmを超えると光透過性が低下したり、有機EL素子を製造する過程や製造後において故意又は不可避的に有機EL素子を変形させたときに透明導電膜にクラック等が生じやすくなる。 It is easy conductivity becomes insufficient is less than 3 nm, or a light transmitting property is lowered exceeds 3000 nm, when deforming the deliberate or unavoidably organic EL element in the process or after production to manufacture the organic EL device cracks tend to occur in the transparent conductive film. 透明導電膜の特に好ましい膜厚は5〜1000nmであり、更に好ましい膜厚は10〜800nmである。 A particularly preferred thickness of the transparent conductive film is 5 to 1000 nm, more preferred thickness is 10 to 800 nm.
【0020】 [0020]
本発明の有機EL素子において、基板上に陽極および有機層を介して陰極が形成される場合、電子注入電極層の上に透明導電膜(酸化物膜)が形成される。 In the organic EL device of the present invention, when the cathode is formed over an anode and organic layers on a substrate, a transparent conductive film (oxide film) on the electron injection electrode layer is formed. 透明導電膜の形成手法としては、スパッタリング法の他、化学蒸着法、ゾルゲル法、イオンプレーティング法等を採用できるが、有機層への熱的な影響が少ないことや簡便性の観点より、スパッタリング法が好ましい。 The formation method of the transparent conductive film, other sputtering method, chemical vapor deposition, sol-gel method, can be adopted an ion plating method, from the viewpoint of thermal effect is small and simple in organic layer, sputtering the law is preferable. この場合、スパッタリング時に発生するプラズマにより有機層が損傷を受けないように注意する必要がある。 In this case, care must be taken so that the organic layer is not damaged by plasma generated during the sputtering. また、有機層の耐熱性は低いので、基板の温度を200℃以下とするのが好ましい。 Further, since the low heat resistance of the organic layer, preferably the temperature of the substrate between 200 ° C. or less.
【0021】 [0021]
スパッタリングの方法は、RFあるいはDCマグネトロンスパッタリング等でも反応性スパッタリングやECRスパッタリング、イオンビームスパッタリングでもよい。 The method of sputtering, reactive sputtering and ECR sputtering at RF or DC magnetron sputtering, or ion beam sputtering. 使用するスパッタリングターゲットの組成やスパッタリングの条件は、成膜しようとする透明導電膜の組成等に応じて適宜選択される。 Composition and sputtering conditions of the sputtering target to be used is appropriately selected depending on the composition of the transparent conductive film to be formed. 前記したような熱的影響を避けるためには、マグネトロンスパッタリングの一種であるヘリコンスパッタリングを用いるのが好適である。 To avoid thermal effects as described above, it is preferable to use a helicon sputtering which is a kind of magnetron sputtering.
【0022】 [0022]
RFまたはDCマグネトロンスパッタリングあるいはヘリコンスパッタリング等によりIn−Zn−O系の透明導電膜を形成させる場合には、下記(i)〜(ii)のスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。 In the case of forming the In-Zn-O based transparent conductive film by RF or DC magnetron sputtering or helicon sputtering, it is preferable to use a sputtering target following (i) ~ (ii).
(i)酸化インジウムと酸化亜鉛との組成物からなる焼結体ターゲットで、インジウムの原子比が所定のもの。 (I) a sintered body target having a composition of indium oxide and zinc oxide, as the atomic ratio of indium is given.
ここで、「インジウムの原子比が所定のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比〔In/(In+Zn)〕が0.45〜0.90の範囲内の所望値となるものを意味するが、焼結体ターゲットにおける原子比が概ね0.50〜0.90のものである。 Here, "one atomic ratio of indium is given", the atomic ratio of In in the finally obtained film [In / (In + Zn)] becomes a desired value within the range of 0.45 to 0.90 It means a thing, but those atomic ratio generally of 0.50 to 0.90 in the sintered target. この焼結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物からなる焼結体であってもよいし、In 23 (ZnO)m(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上から実質的になる焼結体であってもよいし、In 23 (ZnO)m(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上とIn 23及び/又はZnOとから実質的になる焼結体であってもよい。 The sintered target may be a sintered body comprising a mixture of indium oxide and zinc oxide, the hexagonal crystal lamellar compound represented by In 2 O 3 (ZnO) m (m = 2~20) may be a sintered body consisting essentially of one or more, in 2 O 3 (ZnO) m (m = 2~20) with one or more hexagonal crystal lamellar compounds represented and in 2 O 3 and / or the ZnO may be a sintered body consisting essentially of. なお、六方晶層状化合物を表す前記式においてmを2〜20に限定する理由は、mが前記範囲外では六方晶層状化合物とならないからである。 The reason for limiting the m 2 to 20 in the formula which represents the hexagonal layered compound, the m is the range is because not a hexagonal layered compound.
【0023】 [0023]
(ii)酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した1種以上の酸化物系タブレットとからなるスパッタリングターゲット。 (Ii) sputtering target made of an oxide-based disc, with one or more oxide based tablet was placed on the disk.
酸化物系ディスクは、酸化インジウム又は酸化亜鉛から実質的になるものであってもよいし、In 23 (ZnO)m(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上から実質的になる焼結体であってもよいし、In 23 (ZnO)m(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上とIn 23及び/又はZnOとから実質的になる焼結体であってもよい。 Oxide-based disc may be one consisting essentially of indium oxide or zinc oxide, one In 2 O 3 (ZnO) m (m = 2~20) hexagonal layered compound represented by it may be a sintered body consisting essentially of or, in 2 O 3 (ZnO) m (m = 2~20) with one or more hexagonal crystal lamellar compounds represented and in 2 O 3 and / or it may be a sintered body consisting essentially of the ZnO. また、酸化物系タブレットとしては、上記酸化物系ディスクと同様のものを使用することができる。 As the oxide-based tablets, it can be used the same as described above oxide disc. 酸化物系ディスク及び酸化物系タブレットの組成並びに使用割合は、最終的に得られる膜におけるInの原子比〔In/(In+Zn)〕が0.45〜0.80の範囲内の所望値となるように適宜決定される。 Composition and proportion of oxide-based disc and the oxide-based tablets, the atomic ratio of In in the finally obtained film [In / (In + Zn)] becomes a desired value within the range of 0.45 to 0.80 determined as appropriate so.
【0024】 [0024]
前記(i)〜(ii)のいずれのスパッタリングターゲットもその純度は98%以上であることが好ましい。 Wherein (i) any of the sputtering target also its purity ~ (ii) is preferably 98% or more. 98%未満では、不純物の存在により、得られる膜の耐湿熱性(耐久性)が低下したり、導電性が低下したり、光透過性が低下したりすることがある。 If it is less than 98%, the presence of impurities, or wet heat resistance of the resulting film (durability) decreases, conductivity may be lowered, optical transparency may be lowered. より好ましい純度は99%以上であり、更に好ましい純度は99.9%以上である。 More preferred purity is at least 99%, more preferred purity is at least 99.9%.
【0025】 [0025]
また、焼結体ターゲットを用いる場合、このターゲットの相対密度は70%以上とすることが好ましい。 In the case of using a sintered target, the relative density of this target is preferably set to 70% or more. 相対密度が70%未満では、成膜速度の低下や膜質の低下をまねき易い。 The relative density is less than 70%, liable to decrease and a decrease in quality of the film formation speed. より好ましい相対密度は85%以上であり、更に好ましくは90%以上である。 More preferred relative density 85% or more, more preferably 90% or more.
【0026】 [0026]
スパッタリング法により透明導電膜を設ける場合のスパッタリング条件は、ダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変わってくるために一概に規定することは困難であるが、DCマグネトロンスパッタリング法による場合には例えば下記のように設定することが好ましい。 The sputtering conditions of the case where sputtering a transparent conductive film, the composition of the method and the sputtering target of the direct sputtering, it is difficult to categorically defined to come variously changed by such characteristics of the equipment used, DC magnetron sputtering it is preferable to set as follows for example in the case of law.
スパッタリング時の真空度およびターゲット印加電圧は以下のように設定することが好ましい。 Vacuum and applied to the target voltage during the sputtering is preferably set as follows. スパッタリング時の真空度は1.3×10 -2 〜6.7×10 0 Pa程度、より好ましくは1.7×10 -2 〜1.3×10 0 Pa程度、更に好ましくは4.0×10 -2 〜6.7×10 -1 Pa程度とする。 The degree of vacuum during sputtering is 1.3 × 10 -2 ~6.7 × 10 0 Pa , more preferably about 1.7 × 10 -2 ~1.3 × 10 0 Pa approximately, more preferably 4.0 × and 10 -2 ~6.7 × 10 -1 Pa approximately. また、ターゲットの印加電圧は200〜700Vが好ましい。 Further, the applied voltage of the target 200~700V is preferred. スパッタリング時の真空度が1.3×10 -2 Pa未満(1.3×10 -2 Paよりも圧力が低い)ではプラズマの安定性が悪く、6.7×10 0 Paよりも高い(6.7×10 0 Paよりも圧力が高い)とスパッタリングターゲットへの印加電圧を高くすることができなくなる。 Vacuum degree during sputtering is 1.3 × 10 -2 less than Pa (1.3 × 10 -2 is lower pressure than Pa) in poor stability of the plasma, higher than 6.7 × 10 0 Pa (6 .7 × 10 0 pressure than Pa is high) and it can not be increased the voltage applied to the sputtering target. また、ターゲット印加電圧が200V未満では、良質の薄膜を得るのが困難になったり、成膜速度が制限されることがある。 Further, it is less than the target applied voltage 200V, sometimes may become difficult to obtain a thin film of good quality, deposition rate is limited.
【0027】 [0027]
雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましい。 As the atmosphere gas, a gas mixture of inert gas and oxygen gas, such as argon gas is preferable. 不活性ガスとしてアルゴンガスを用いるばあい、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比(体積比)は概ね1:1〜99.99:0.01、好ましくは9:1〜99.9:0.1とする。 When using argon gas as the inert gas, the mixing ratio of the argon gas and oxygen gas (volume ratio) is approximately 1: 1 to 99.99: 0.01, preferably from 9: 1 to 99.9: 0 and .1. この範囲を外れると、低抵抗かつ光線透過率の高い膜が得られない場合がある。 Outside this range, the low-resistance and high light transmittance film is not obtained.
【0028】 [0028]
基板温度は、有機層の耐熱性に応じて、当該有機層が熱により変形や変質を起こさない温度の範囲内で適宜選択される。 Substrate temperature, depending on the heat resistance of the organic layer, the organic layer is properly selected within a range of temperature that does not cause deformation or deterioration due to heat. 基板温度が室温未満では冷却用の機器が別途必要になるため、製造コストが上昇する。 Since the substrate temperature equipment for cooling is additionally required is less than room temperature, the production cost is increased. また、基板温度を高温に加熱するにしたがって、製造コストが上昇する。 Further, according to heat the substrate temperature to a high temperature, the production cost is increased. このため、室温〜200℃とするのが好ましい。 Therefore, preferably room temperature to 200 DEG ° C..
前記した(i)〜(ii)等のスパッタリングターゲットを用いて上述したような条件でDCマグネトロンスパッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜を有機層上に設けることができる。 By performing DC magnetron sputtering under the conditions as described above using the sputtering target, such as described above (i) ~ (ii), can be provided with a transparent conductive film of interest on the organic layer.
【0029】 [0029]
本発明の第2の目的を達成する有機EL素子においては、陰極を構成する透明導電膜に非晶質透明導電膜を使用することが必要である。 In the organic EL element to achieve the second object of the present invention, it is necessary to use an amorphous transparent conductive film on the transparent conductive film constituting the cathode. この非晶質透明導電膜の材質、膜厚、形成法等については前記と同様である。 The material of this amorphous transparent conductive film, a film thickness, the formation method, etc. are the same as described above.
【0030】 [0030]
有機EL素子を用いた表示装置においては、一般に線状に形成された陽極と陰極をXYマトリックスに構成し、その交点領域に画素を形成させる。 In the display device using the organic EL element is generally an anode and a cathode which is formed in a linear shape and configuration to the XY matrix to form a pixel in the intersection region. 従って、高精細な表示を可能とするには、電極(陽極および陰極)を細く形成する必要がある。 Therefore, to permit high-definition display, it is necessary to narrow forming electrodes (anode and cathode). 具体的には、電極を薄膜状に形成させた後、エッチング等によりライン状にパターニングして電極を作製する。 Specifically, after forming the electrode into a thin film, to prepare an electrode is patterned into a line shape by etching or the like. この場合、隣接する電極が接触すると、画素の形成が阻害されることとなり、好ましくない。 In this case, the adjacent electrodes are in contact, will be formed of the pixels is inhibited, which is undesirable.
【0031】 [0031]
このような高精細なパターニングにおいて、非晶質透明導電膜、特にIn−Zn−O系の酸化物を用いて作製した非晶質透明導電膜を用いると、断面を台形状(テーパー状)とするエッチングが可能となり、基板上に陽極側から積層する場合には、この上に形成される金属薄膜に段差切れが生じることを抑制することが可能となるため、高精細な有機EL表示装置の作製が可能となる。 In such a high-definition patterning, the amorphous transparent conductive film, particularly the use of the amorphous transparent conductive film formed using the In-Zn-O based oxide, a cross-sectional trapezoidal (tapered) etching becomes possible, in the case of laminating the anode side on the substrate, it becomes possible to prevent the step out occurs in the metal thin film formed thereon, a high-definition organic EL display device Preparation is possible. また、基板上に陰極側から積層して有機EL素子を作成する場合には、陰極上に積層される有機層やその上に積層される陽極に段差切れが生じることを抑制することができる。 Also, when creating an organic EL element stacked from the cathode side on the substrate, it is possible to prevent the step out occurs in the anode being laminated on the organic layer and the laminated on the cathode.
【0032】 [0032]
透明導電膜をテーパー状にエッチングする方法としては、ドライエッチング加工が好ましく、ライン状に形成された透明導電膜の底面と側面で形成される角度(θ)が30〜60度となるように加工するのが好ましい。 As a method of etching the transparent conductive film into a tapered shape, processed to an angle of dry etching is preferably formed in the bottom surface and the side surface of the transparent conductive film formed in a line shape (theta) is 30 to 60 degrees it is preferable to. エッチングガスとしては、例えば、メタンと塩化水素の混合ガスを用いることができる。 As the etching gas, for example, it can be a mixed gas of methane and hydrogen chloride.
透明導電膜をテーパー状に加工した有機EL素子を模式的に表したものの一例を、図2に示す。 An example of a representation schematically an organic EL element obtained by processing the transparent conductive film into a tapered shape, shown in FIG.
【0033】 [0033]
<電子注入電極層> <Electron injection electrode layer>
次に、電子注入電極層について説明する。 Next, a description will be given of an electronic-injection electrode layer. 電子注入電極層とは、発光層を含む有機層に良好に電子注入ができる電極の層である。 The electron injection electrode layer is a layer of an electrode that can well electrons injected into the organic layer including a light emitting layer. 透明発光素子を得るためには、光線透過率が80%以上であることが好ましく、このためには膜厚を0.5〜20nm程度の超薄膜とすることが望ましい。 To obtain a transparent light-emitting element is preferably light transmittance of 80% or more, it is desirable that the ultra-thin film of about 0.5~20nm thickness for this purpose.
【0034】 [0034]
電子注入電極層としては、例えば、仕事関数3.8eV以下の金属(電子注入性の金属)、例えば、Mg,Ca,Ba,Sr,Li,Yb,Eu,Y,Scなどを用いて膜厚を1nm〜20nmとした層を挙げることができる。 The electron injection electrode layer, for example, a work function 3.8eV following metals (electron injecting metal), for example, by using Mg, Ca, Ba, Sr, Li, Yb, Eu, Y, Sc and thickness mention may be made of a layer for the 1nm~20nm the. この場合において、特に60%以上の光線透過率を与える構成が好ましい。 In this case, the configuration in particular gives more than 60% of the light transmittance is preferred.
他の好ましい例としては、前記の仕事関数3.8eV以下の金属(複数種でもよい。)と仕事関数4.0eV以上の金属との合金(電子注入性の合金)を用いた電子注入電極層を挙げることができる。 Other preferred examples, the electron injection electrode layer using the work function 3.8eV following metals (or a plurality of kinds.) And an alloy of the work function 4.0eV or more metal (electron injection of the alloy) it can be mentioned. このような合金としては、電子注入電極層の形成が可能な合金であれば足りるが、例えば、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−リチウム合金、鉛−リチウム合金、ビスマス−リチウム合金、スズ−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−バリウム合金、アルミニウム−スカンジウム合金を挙げることができる。 Such alloys, sufficient that an alloy which allow for the formation of the electron injection electrode layer, for example, aluminum - lithium alloy, a magnesium - aluminum alloy, indium - lithium alloy, a lead - lithium alloy, a bismuth - lithium alloy, tin - lithium alloy, aluminum - calcium alloy, an aluminum - barium alloy, aluminum - can be mentioned scandium alloy. この場合においても、膜厚を1nm〜20nmとすることが好ましく、特に60%以上の光線透過率を与える層とすることが好ましい。 In this case, it is preferable to 1nm~20nm film thickness, it is preferably a layer which give particularly 60% or more light transmittance.
【0035】 [0035]
前記の金属または合金を用いて電子注入電極層を形成させる場合、好適には抵抗加熱蒸着法を用いる。 Case of forming the electron injection electrode layer by using the metal or alloy, preferably using a resistance heating evaporation method. この場合、基板温度を10〜100℃の間で設定し、蒸着速度を0.05〜20nm/秒の間に設定するのが好ましい。 In this case, the substrate temperature was set between 10 to 100 ° C., preferably to set the deposition rate between 0.05~20Nm / sec.
また、特に合金を蒸着する場合には、2元蒸着法を用い、2種の金属の蒸着速度を個別に設定して蒸着するすることができる。 In particular in the case of depositing the alloy, using 2-way deposition, the deposition rate of the two metals can be deposited individually set. この場合、Li,Ba,Ca,Sc,Mgなどの蒸着速度を0.01〜0.1nm/秒の間に設定し、Al等の母体金属の蒸着速度を1〜10nm/秒の間に設定して同時に蒸着するという手法が採用できる。 Setting this case, Li, Ba, Ca, Sc, the deposition rate such as Mg is set between 0.01~0.1Nm / sec, the deposition rate of the mother metal such as Al between 1 to 10 nm / sec technique can be employed that is deposited simultaneously. また、合金を蒸着する場合に、1元蒸着法を用いることもできる。 Also, when depositing the alloy, it is possible to use one-way evaporation. この場合、予め所望の割合で電子注入性の金属を母体金属に仕込んだ蒸着ペレットまたは粒状体を抵抗加熱ボートやフィラメントに設置し、加熱蒸着する。 In this case, the electron injection metal and installed the charged deposition pellets or granules to the mother metal resistance heating boats and filaments advance in the desired proportions and heating vapor.
【0036】 [0036]
更に別の好ましい形態としては、薄膜状の電子注入性のアルカリ土類金属酸化物であって、膜厚が0.1nm〜10nmの超薄膜を挙げることができる。 Still another preferred form, a thin film of the electron injection of alkaline earth metal oxides, can be thickness mentioned ultrathin film of 0.1 nm to 10 nm. 前記アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、BaO,SrO,CaO及びこれらを混合した、Ba x Sr 1-x O(0<x<1)やBa x Ca 1-x O(0<x<1)を好ましくものとして挙げることができる。 Examples of the alkaline earth metal oxides, e.g., BaO, SrO, mixed CaO and these, Ba x Sr 1-x O (0 <x <1) and Ba x Ca 1-x O ( 0 <x < 1) it can be mentioned as preferable.
【0037】 [0037]
アルカリ土類金属酸化物層の形成手法としては、抵抗加熱蒸着法によりアルカリ土類金属を蒸着しながら、真空槽内に酸素を導入して真空度を10 -3 〜10 -4 Paとし、酸素とアルカリ土類を反応させながら蒸着させる方法が好ましい。 The method of forming the alkaline earth metal oxide layer while depositing an alkaline earth metal by resistance heating evaporation method, the degree of vacuum and 10 -3 to 10 -4 Pa by introducing oxygen into the vacuum chamber, oxygen the method of depositing while reacting an alkaline earth and are preferred. また、アルカリ土類金属酸化物を電子ビーム蒸着法により製膜する方法を採用することもできる。 It is also possible to employ a method of forming a film of an alkaline earth metal oxide by electron beam evaporation.
なお、これまで説明した、電子注入性の金属、合金、アルカリ土類金属酸化物については、1種のみでなく2種以上を用いて電子注入電極層を形成することもできる。 Incidentally, described so far, the electron injecting metal, alloy, for the alkaline earth metal oxides, it is also possible to form the electron injection electrode layer using two or more not only one kind.
【0038】 [0038]
更に他の好ましい例として、電子注入電極層は、電子注入性の金属、合金あるいはアルカリ土類金属酸化物と電子伝達性の化合物との混合層であってもよい。 In still another preferred embodiment, the electron injection electrode layer, an electron injecting metal, or may be a mixed layer of an alloy or an alkaline earth metal oxide and an electron transfer compound.
電子注入性の金属、合金、アルカリ土類金属酸化物としては、前記した金属、合金、アルカリ土類金属酸化物を挙げることができる。 Electron injecting metal, alloy, the alkaline earth metal oxide, the metal, an alloy, an alkaline earth metal oxide. また、これらは、1種のみでなく2種以上を用いることもできる。 It can also be used two or more not only one kind. 一方、電子伝達性の化合物は、電子を伝達する化合物であればよく、好ましい化合物として、キレート化オキシノイド化合物を挙げることができ、更に好適な化合物として下式で表されるものが挙げられる。 On the other hand, electron transfer compound may be a compound of transporting electrons, as a preferred compound, there may be mentioned chelating oxinoid compounds include those represented by the following formula as a further preferred compound.
【0039】 [0039]
【化1】 [Formula 1]
【0040】 [0040]
(式中、Meは金属を表し、nは1〜3の整数である。Zは独立にそれぞれの場合において少なくとも2個の縮合芳香族環を持つ核を完成する原子を示す。) (Wherein, Me represents a metal, n represents an integer of 1 to 3 .Z represents the atoms completing a nucleus having at least two fused aromatic rings in each case independently.)
式中の金属としては、キレート形成能のある1〜3価金属であればよく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムやカルシウムのようなアルカリ土類金属、あるいはホウ素やアルミニウムのような3価金属を挙げることができる。 The metal in the formula may be a monovalent to trivalent metal with a chelate-forming ability, for example, lithium, sodium, alkaline earth such as an alkali metal, magnesium or calcium, such as potassium metal or boron or aluminum, mention may be made of a trivalent metal, such as. また、Zは少なくとも2個の縮合芳香族環を持つ複素環状核を完成する原子を表す。 Further, Z is represents the atoms completing a heterocyclic nucleus having at least two fused aromatic rings. Zが完成する複素環状核としては、例えば、アゾール環やアジン環を挙げることができる。 The heterocyclic nucleus Z is completed, for example, a azole or azine ring.
【0041】 [0041]
前記有用なキレート化オキシノイド化合物としては、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオキシン、ビス〔ベンゾ(f)−8−キノリノール〕亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)、リチウムオキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス(5−クロロオキシン)、ポリ〔亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕、ジリチウムエピンドリジオン等が挙げられる。 Examples of useful chelated oxinoid compounds, aluminum trisoxine, magnesium bisoxine, bis [benzo (f) -8-quinolinol] zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, indium trisoxine, aluminum tris (5-methyl-oxine), lithium oxine, gallium trisoxine, calcium bis (5-chloro-oxine), poly [zinc (II) - bis (8-hydroxy-5-Kinorinoniru) methane], dilithium et pin Dori dione and the like.
【0042】 [0042]
また、電子注入性の金属、合金、アルカリ土類金属酸化物と電子伝達性の化合物との混合比(重量比)は、100:1〜1:2とすることが好ましい。 The mixing ratio of the electron-injecting metals, alloys, alkaline earth metal oxides and electron transfer compound (weight ratio), 100: 1 to 1: and a two.
電子注入性の金属、合金と電子伝達性の化合物との混合層は、2元同時蒸着法により形成するのが好ましい。 Electron injection metal, mixed layer between the alloy and electron transfer compound is preferably formed by a two-way co-evaporation method. 基板温度は、10〜100℃の間で設定すればよい。 The substrate temperature may be set between 10 to 100 ° C..
【0043】 [0043]
更に他の好ましい例として、電子注入電極層が島状の電子注入域である構成を挙げることができる。 In still another preferred embodiment, it is possible to electron injection electrode layer is given a configuration which is an island-like electron injection region. ここで、島状とは、例えば図3に示すように、不連続に電子注入性化合物層が形成されていて、この層は有機層の表面を覆いつくすことがないことを意味する。 Here, the island, for example, as shown in FIG. 3, discontinuously though electron injecting compound layer is formed, this layer means that never completely covering the surface of the organic layer.
島状電子注入域は、例えば仕事関数3.8eV以下の低仕事関数の金属、酸化物、ホウ化金属、窒化金属、ケイ化金属などを島状に不連続に形成させたものであり、その形状及び大きさについては特に制限はないが、微粒子状または結晶状であって、大きさが0.5nm〜5μm程度のものが好ましい。 Island electron injection region, which has for example a work function 3.8eV or lower work function of the metal, oxide, metal boride, metal nitride, is discontinuously formed like an island-shaped metal silicides, its there is no particular restriction on the shape and size, a particulate or crystalline form, what size of approximately 0.5nm~5μm are preferred.
【0044】 [0044]
また、この電子注入域は、薄膜状を指すものでも、孤立原子分散の状態を示すものでもない。 Further, the electron injection region is not intended to refer to thin film, nor shows the state of the isolated atoms dispersed. 上記の低仕事関数の金属又は化合物が、粒子状の形態で導電性薄膜上又は有機化合物層内に分散されている状態を指す。 Metal or compound of a low work function, refer to a state of being dispersed in particulate on the conductive thin film in the form or an organic compound layer. このような分散により、有機化合物層と接触している面積が大きくなり、電子注入性が高まる。 Such dispersion, the area in contact with the organic compound layer increases, increases electron injection property.
上記島状電子注入域を構成する低仕事関数の金属及び合金としては、仕事関数3.8eV以下のものが好ましく、例えば、前記した金属及び合金を挙げることができる。 The metals and alloys having a low work function constituting the island-shaped electron injection region is preferably the following work function 3.8 eV, for example, can be cited the metal and alloys. また、低仕事関数の酸化物としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物が好ましく、特にCaO,BaO,SrOなどが好適であり、また、これらと他の金属酸化物との固溶体も好ましく挙げることができる。 As the oxide of a low work function, oxides of alkali metals or alkaline earth metals are preferred, especially preferred CaO, BaO, SrO and, also a solid solution of these and other metal oxides preferably it can be mentioned. 更に、低仕事関数のホウ化金属や窒化金属としては、例えば希土類のホウ化物、希土類のケイ化物あるいはTiNなどが好ましく挙げられる。 Furthermore, as the metal boride or metal nitride having a low work function, such as rare earth borides, such as silicide or TiN rare earth is preferred.
【0045】 [0045]
島状電子注入域の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法を採用することができる。 As a method for forming the island-like electron injection region, it is possible to employ a resistance heating evaporation method or an electron beam deposition method. 後者の場合、高融点のホウ化金属、窒化金属または酸化物を電子ビーム蒸着により島状に不連続に形成させる。 In the latter case, the high melting point metal boride, discontinuously is formed in an island shape metal nitride or oxide by electron beam evaporation.
本発明の有機EL素子において、電子注入電極層と非晶質透明導電膜を構成要素とする陰極の場合、劣化し易い電子注入電極層が非晶質透明導電膜で保護されることとなり、電子注入電極層を薄くすることができ、結果として、透明陰極を好適に作成できるという利点を有する。 In the organic EL device of the present invention, when the cathode of the electron injection electrode layer and an amorphous transparent conductive film as a constituent element, it is possible to degrade easily the electron injection electrode layer is protected by the amorphous transparent conductive film, electrons the injection electrode layer that can be thinned, as a result, has the advantage that a transparent cathode can be made suitably.
【0046】 [0046]
本発明の有機EL素子においては、通常、基板上に陽極を積層しその上に有機層を積層する構成を採用するが、この場合、有機発光層を含む有機層の上に電子注入電極層を形成する。 In the organic EL device of the present invention, usually to employ a structure of laminating an organic layer thereon are laminated an anode on a substrate, in this case, the electron injection electrode layer on the organic layer including an organic emission layer Form. 形成方法は、前記のとおりであるが、他の好ましい方法としてスパッタリング法があるが。 Forming method is the is as, there is a sputtering method as another preferred method. この手法を用いるに際しては、プラズマにより有機層が損傷を受けないように注意する必要がある。 In using this approach, care must be taken so that the organic layer is not damaged by plasma.
【0047】 [0047]
<透明薄膜層> <Transparent thin film layer>
前記の構成の陰極においては、最外層が金属薄膜となるため、これを保護する層が必要となる。 In the cathode structure of the, since the outermost layer is a metal thin film, it is necessary to layer to protect it. 本発明の第1の目的は、光透過性を有する陰極を得ることにあるため、この層は光透過性を有する必要がある。 A first object of the present invention, since is to obtain a cathode having optical transparency, this layer should have a light transparency.
このような、層としてガラスやプラスチック製の公知の薄膜を用いることもできるが、基板上に陽極側から積層して有機EL素子を作製する場合には、金属薄膜上に、透明な誘電体薄膜あるいは透明導電膜を形成することが好ましい。 Such, it may be a known thin film made of glass or plastic, in the case of manufacturing the organic EL device are laminated from the anode side on the substrate as a layer, on the metal thin film, a transparent dielectric thin film Alternatively it is preferred to form the transparent conductive film. 誘電体薄膜を用いる場合には、屈折率の関係で光透過率が向上した透明保護膜を形成することができるという利点がある。 When using a dielectric thin film has the advantage that it is possible to form a transparent protective film light transmittance is improved in relation to the refractive index.
【0048】 [0048]
透明な誘電体薄膜としては、例えば、TiO 2等の結晶性薄膜を用いることができる。 The transparent dielectric thin film, for example, can be used crystalline thin film such as TiO 2. また、透明導電膜としては、例えば、ITO、SnO 2等の結晶性の薄膜やIn−Zn−O系等の非晶質透明導電膜を使用することができる。 Further, as the transparent conductive film, for example, it may be used ITO, an amorphous transparent conductive film such as a crystalline thin film and an In-Zn-O-based SnO 2 or the like. 特に、非晶質透明導電膜を用いることは本発明の第2の目的である耐久性の向上の面でも好ましい。 In particular, the use of the amorphous transparent conductive film is preferable in terms of the second is the object improving the durability of the present invention. この層においては、導電性を必須としない。 In this layer, no essential conductivity. このため、透明な誘電体薄膜を用いる場合、リードは金属薄膜からとることになる。 Therefore, when using a transparent dielectric thin film, lead will take a thin metal film.
この層の形成方法としては、RFマグネトロンスパッタリング、特にヘリコンスパッタリングが好適に用いられる。 The method of forming this layer, RF magnetron sputtering, in particular helicon sputtering is preferably used.
【0049】 [0049]
<光透過率および面抵抗値> <Light transmittance and sheet resistance>
本発明の第1の目的を達成する有機EL素子においてはまた、陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されているとともに、陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなる構成であって、陰極と前記透明薄膜層からなる層の光透過率が60%以上であり、かつ陰極と前記透明薄膜層からなる層または陰極の面抵抗値が10Ω/□以下である素子構成を採用することができる。 Also in the organic EL element to achieve the first object of the present invention, together with an organic layer including an organic luminescent layer between an anode and a cathode is held, comprising a transparent thin film layer on the outside of the cathode is formed a configuration is a light transmittance of layers of the transparent thin film layer and the cathode is 60% or more, and elements constituting the surface resistance of the layer or cathode made from the cathode transparent thin film layer is 10 [Omega / □ or less it can be adopted.
この構成を満たす陰極としては、例えば、前記の構成を有するものを好適に挙げることができる。 As the cathode satisfying this configuration, for example, it can be cited suitably employs the structure of the. また、透明薄膜層は、前記と同様である。 The transparent thin-film layer is the same as described above.
【0050】 [0050]
ここで規定する光透過率とは、有機EL素子を構成する有機層に接する層(例えば、電子注入電極層)から陰極の外側に形成される透明薄膜までの光透過率である。 The here defined light transmittance, layer in contact with the organic layer constituting the organic EL element (e.g., electron injection electrode layer) is a light transmittance of from to transparent thin film to be formed on the outside of the cathode.
光透過率は、可視光域(380〜700nm)のいずれか波長で透過率が60%以上となればよい。 Light transmittance, the transmittance at any wavelength in the visible light region (380 to 700 nm) may if 60% or more. 光透過率の測定方法としては、公知の分光光度計を用いればよい。 The measurement method for light transmittance may be a known spectrophotometer. また、陰極とその外側に形成される透明薄膜層からなる層のみを作製して光透過率を測定する必要はなく、他の層を含めた光透過率が60%以上であれば、この層の光透過率が60%以上であるといえる。 Moreover, it is not necessary to measure the light transmittance to produce only a layer composed of a transparent thin film layer formed cathode and on the outside, as long as the light transmittance, including other layers of at least 60%, the layer the light transmittance can be said that 60% or more.
【0051】 [0051]
ここで規定する面抵抗値(Ω/□)は、四探針法により測定した値である。 Here Regulatory sheet resistance (Ω / □) is a value measured by the four probe method. 具体的には、絶縁性の基板(例えば、ガラス基板)上に、当該有機EL素子における陰極およびその外側に形成される透明薄膜層からなる層と同じ構成の膜、または陰極と同じ構成の膜を形成し、四探針法により陰極またはその外側に形成される透明薄膜層表面の面抵抗値を測定する。 Specifically, an insulating substrate (e.g., glass substrate) on the film of the same structure as the organic cathode in the EL element and the same structure of the film and its an outer transparent thin film layer formed layer or cathode, forming a, measuring the sheet resistance of the cathode or transparent thin film layer surface formed on the outside by a four probe method. このとき、面抵抗値を測定する層としては、電極リードを取り出す層を選択する。 In this case, as the layer of measuring the surface resistance value, selects a layer for taking out an electrode lead. 即ち、陰極から電極リードを取り出す場合は、陰極の面抵抗を測定し、陰極の外側に形成される透明薄膜層から電極リードを取り出す場合には、透明薄膜層の面抵抗を測定する。 That is, when taking out the electrode lead from the cathode, and measuring the surface resistance of the cathode, when taking out the electrode lead from the transparent thin film layer formed on the outside of the cathode is measured, the surface resistance of the transparent thin film layer. このようにして、測定された面抵抗値が本発明の規定する面抵抗値である。 In this way, the measured sheet resistance is a surface resistance value defined by the present invention.
【0052】 [0052]
ただし、陰極が電子注入電極層を含む構成の場合には、該層を除外した層を実際の素子構成の場合と同じ順序で積層して面抵抗を測定する。 However, when the cathode structure comprising an electron injection electrode layer is stacked in the same order as in the actual element constituting the layer excluding the layer to measure the sheet resistance. 具体的には、例えば、透明薄膜層から電極リードを取り出すEL素子の場合には、支持基板(通常はガラス)上に、透明導電膜、金属薄膜、透明薄膜層の順に積層し、この透明薄膜層の表面の面抵抗を本発明の面抵抗値とする。 Specifically, for example, when the transparent thin film layer of an EL device to retrieve the electrode lead, on the supporting substrate (typically glass), laminated in this order of the transparent conductive film, a metal thin film, a transparent thin film layer, the transparent thin film the sheet resistance of the surface of the layer and the surface resistance of the present invention. この場合において、金属薄膜から電極リードを取り出す場合には、金属薄膜の表面の面抵抗を本発明の面抵抗値とする。 In this case, when taking out the electrode lead from the metal thin film, the sheet resistance of the present invention the surface resistance of the surface of the metal thin film.
【0053】 [0053]
<有機層> <Organic Layer>
本発明の有機EL素子において、陽極と陰極との間に介在する有機層は、少なくとも有機発光層を含む。 In the organic EL device of the present invention, the organic layer interposed between the anode and the cathode includes at least an organic light-emitting layer. 有機層は、有機発光層のみからなる層であってもよく、また、有機発光層とともに、正孔注入輸送層などを積層した多層構造のものであってもよいよい。 The organic layer may be a layer composed of only the organic light-emitting layer, with an organic light-emitting layer may optionally be of a multilayer structure formed by stacking and hole injection transport layer.
【0054】 [0054]
この有機EL素子において、発光層は(1)電界印加時に、陽極又は正孔輸送層により正孔を注入することができ、かつ電子注入電極層より電子を注入することができる機能、(2)注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能などを有している。 In this organic EL device, the light emitting layer function capable of injecting electrons from allowing injection of holes, and the electron injection electrode layer by (1) when the electric field is applied, the anode or the hole transporting layer, (2) It injected charges (electrons and holes) and moved to transport function by the force of the electric field, (3) a field for recombination of electrons and holes provided within the light emitting layer, has a like luminous function leading the recombination to the emission of light ing. この発光層に用いられる発光材料の種類については特に制限はなく、従来有機EL素子における公知のものを用いることができる。 No particular limitation is imposed on the type of luminescent material used in the light emitting layer may be a known in the prior organic EL element.
【0055】 [0055]
また、正孔注入輸送層は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。 The hole injection transport layer is a layer formed of a hole transport compound, having a function of transporting holes injected from the anode into the light emitting layer, the hole injecting and transporting layer between the anode and the light-emitting layer by interposing between the, many holes are injected to the emitting layer at a lower electric field. その上、電子注入層より発光層に注入された電子は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面近くに蓄積されたEL素子の発光効率を向上させ、発光性能の優れたEL素子とする。 Moreover, electrons injected into the light emitting layer from the electron injection layer, the electron barrier existing at the interface of the light-emitting layer and the hole injection transport layer, the luminous efficiency of the EL element accumulated near the interface of the light-emitting layer the improved, and excellent EL device emission performance. この正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達化合物については特に制限はなく、従来有機EL素子における正孔伝達化合物として公知のものを使用することができる。 The No particular limitation is imposed on the hole-transporting compound used in the hole injecting and transporting layer, it can be used those conventionally known as a hole transport compound in the organic EL device. 正孔注入輸送層は、単層のみでなく多層とすることもできる。 The hole injection transport layer may also be a multi-layer not single layer.
【0056】 [0056]
<陽極> <Anode>
陽極は、仕事関数が4.8eV以上の導電性を示すものであれば特に制限はない。 Anode work function is not particularly limited as long as it exhibits a more conductive 4.8 eV. 仕事関数が4.8eV以上の金属又は透明導電膜(導電性酸化物膜)又はこれらを組み合わせたものが好ましい。 Those having a work function 4.8eV or more metals or transparent conductive film (conductive oxide layer), or a combination thereof are preferred. 陽極は、必ずしも透明である必要はなく、黒色のカーボン層等をコーティングしてもよい。 The anode is not necessarily transparent, it may be coated with a black carbon layer or the like.
【0057】 [0057]
好適な金属としては、例えば、Au,Pt,Ni,Pdを挙げることができ、導電性酸化物としては、例えば、In−Zn−O,In−Sn−O,ZnO−Al,Zn−Sn−Oを挙げることができる。 Suitable metals include, for example, Au, Pt, Ni, may be mentioned Pd, as the conductive oxide is, for example, In-ZnO, In-Sn-O, ZnO-Al, Zn-Sn- O can be mentioned. また、積層体としては、例えば、AuとIn−Zn−Oの積層体、PtとIn−Zn−Oの積層体、In−Sn−OとPtの積層体を挙げることができる。 As the laminate, for example, can be exemplified a laminate of Au and In-Zn-O, a laminate of Pt and an In-Zn-O, a laminate of an In-Sn-O and Pt.
【0058】 [0058]
また、陽極は、有機層との界面が仕事関数4.8eV以上であればよいため、陽極を2層とし、有機層と接しない側に仕事関数4.8eV以下の導電性膜を用いてもよい。 The anode, since the interface between the organic layer may be any work function 4.8eV or more, an anode and a two-layer, even with a work function 4.8eV or less of the conductive film on the side not in contact with the organic layer good. この場合、Al,Ta,W等の金属やAl合金、Ta−W合金等の合金等を用いることができる。 In this case, it is possible to use Al, Ta, metal or Al alloys such as W, an alloy such as Ta-W alloy. また、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等のドープされた導電性高分子や、α−Si,α−SiC、α−Cなどの非晶質半導体、μC−Si,μC−SiC等の微結晶なども好ましく用いることができる。 Moreover, and doped conductive polymers such as doped polyaniline and doped polyphenylenevinylene, α-Si, α-SiC, amorphous semiconductors such as α-C, μC-Si, such as [mu] C-SiC it can also be preferably used as microcrystalline. 更には、黒色の半導性の酸化物であるCr 23 ,Pr 25 ,NiO,Mn 25 ,MnO 2等を用いることができる。 Furthermore, it is possible to use a Cr 2 O 3 is an oxide of semiconductive black, Pr 2 O 5, NiO, Mn 2 O 5, MnO 2 or the like.
【0059】 [0059]
陽極の膜厚は、50〜300nm程度とすることが好ましい。 The thickness of the anode is preferably about 50 to 300 nm. 膜厚が50nm未満では、抵抗値が高くなり過ぎる場合がある。 Thickness is less than 50 nm, there is a case where the resistance value is too high. 一方、300nmを超えると、有機EL素子において、陽極がパターンされている端で生じる段差により上部の膜、例えば有機層や陰極が段差切れや断線を起こす場合がある。 On the other hand, when it exceeds 300 nm, in the organic EL device, the upper portion of the film by the step caused by the end anode is patterned, for example, an organic layer and the cathode in some cases cause a step breakage or disconnection.
【0060】 [0060]
<有機EL素子の構成> <Structure of the organic EL element>
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が介在しており、陰極は電子注入電極層、透明導電膜、金属薄膜とによって構成されており、しかも電子注入電極層が有機層と接するとともに陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなる構成、あるいは陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなるとともに陰極とその外側に形成される透明薄膜からなる層の光透過率が60%以上であり、かつ陰極と前記透明薄膜層からなる層または陰極の面抵抗値が10Ω/□以下である構成を具備していれば、本発明の第1の目的を達成することができる。 The organic EL device of the present invention, the organic layer including an organic luminescent layer is interposed between an anode and a cathode, the cathode is the electron injection electrode layer, a transparent conductive film is constituted by a metal thin film, moreover an electronic cathode and formed outside together with the organic layer including an organic luminescent layer are held between the injection electrode layer is an organic layer in contact with formed by transparent thin film layer on the outside of the cathode forming structure, or an anode and a cathode is the light transmittance of the formed of a transparent thin film layer is is 60% or more, and if provided with a configuration sheet resistance of the layer or cathode made from the cathode transparent thin film layer is 10 [Omega / □ or less, the it is possible to achieve the first object of the invention. また、上記の有機EL素子において透明導電膜として非晶質透明導電膜を採用することにより本発明の第2の目的を達成することができる。 Further, it is possible to achieve the second object of the present invention by employing the amorphous transparent conductive film as a transparent conductive film in the organic EL element.
【0061】 [0061]
また、更に他の構成を付加して、種々の機能を持たせることができる。 Further, it is possible to further by adding other configurations, have a variety of functions. 以下に本発明の有機EL素子を利用した構成を例示する。 It illustrates a configuration utilizing an organic EL element of the present invention below.
▲1▼ 透明陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜▲2▼ 陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜/カラーフィルター▲3▼ 陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜/色変換層▲4▼ 透明陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜/黒色光吸収層▲5▼ 透明陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜/背景色形成層▲6▼ 黒色光吸収層/透明陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜▲7▼ 背景色形成層/透明陽極/有機層/電子注入電極層/非晶質透明導電膜/金属薄膜/透明導電膜前記▲1▼の構成の場合、両方の電極が透明 ▲ 1 ▼ transparent anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film ▲ 2 ▼ anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / The transparent conductive film / color filter ▲ 3 ▼ anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film / color conversion layer ▲ 4 ▼ transparent anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film / black light-absorbing layer ▲ 5 ▼ transparent anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film / background color-forming layer ▲ 6 ▼ black light absorbing layer / transparent anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film ▲ 7 ▼ background color-forming layer / transparent anode / organic layer / electron injection electrode layer / amorphous transparent conductive film / thin metal film / transparent conductive film wherein the ▲ 1 ▼ case of the configuration, both electrodes transparent なので、透明表示素子が形成される。 So, the transparent display element is formed.
【0062】 [0062]
▲2▼や▲3▼の構成の場合、陽極を支持基板上に形成し、支持基板とは逆方向に発光の取り出しができるので、カラーフィルターや色変換層上に陽極を形成する必要がない。 ▲ 2 ▼ and ▲ 3 ▼ case of the configuration, the anode was formed on the support substrate, since the support substrate can be taken out of the light-emitting in the reverse direction, there is no need to form the anode on a color filter or a color conversion layer . 従って、陽極を形成する際に基板温度が150℃以上となるようなプロセスを採用することができ、陽極の抵抗値を下げる上で大きなメリットがある。 Therefore, it is possible to adopt a process such as the substrate temperature in forming the anode is 0.99 ° C. or higher, there is a great merit in reducing the resistance of the anode. また、カラーフィルターや色変換層は陽極形成後に形成されるため、高温プロセスの採用による劣化を心配する必要がない。 Further, since the color filter or a color conversion layer is formed after the anodic formation, there is no need to worry about degradation due to the adoption of high-temperature process. 図4に、▲2▼の構成を例示する。 Figure 4 illustrates the ▲ 2 ▼ configurations. なお、ここで、色変換層としては、蛍光性色素を含有する透明性ポリマーからなり、EL発光色を蛍光により別の色に変換するものであることが好ましい。 Here, as the color conversion layer, a transparent polymer containing a fluorescent dye, it is preferable EL emission color and converts it into a different color by the fluorescent.
【0063】 [0063]
また、▲2▼や▲3▼の構成で、多くの画素を構成させた態様においては、基板上に陽極以外の補助配線やTFT(Thin Film Transister)が形成されるため、基板方向に光を取り出すと、補助配線やTFTが光を遮断し、光取り出しの開口率が落ち、結果としてディスプレイの輝度が小さくなり、画質が落ちるという欠点がある。 Further, ▲ 2 ▼ and ▲ 3 ▼ configuration of, in the embodiment was constructed many pixels, the auxiliary wiring and TFT other than the anode on the substrate (Thin Film Transistor) is formed, the light in the substrate direction retrieving the auxiliary wiring and the TFT block light, falling aperture ratio of light extraction, as a result the brightness of the display is reduced, there is a disadvantage that the image quality is lowered. 本発明を用いれば基板とは逆の方向に光の取り出しができるが、この場合には光が遮断されず光取り出しの開口率が落ちない。 Although the substrate using the present invention can be taken out of the light in the opposite direction, the aperture ratio of the light extraction is not blocked light in this case does not fall.
【0064】 [0064]
▲4▼や▲6▼の構成においては、画素がオフのときに黒色に見えるので、入射外光が反射せず、ディスプレイのコントラストが向上するという利点がある。 ▲ 4 ▼ and ▲ 6 ▼ In the structure of the pixel is visible black in the off, not reflected incident external light, there is an advantage that the contrast of the display is improved. 図5に、▲4▼の構成を例示する。 Figure 5 illustrates the ▲ 4 ▼ configurations.
▲5▼や▲7▼の構成においては、種々の背景色や図柄を採用することができ、画素がオフのときにも装飾性に優れるディスプレイとすることができる。 ▲ 5 In ▼ and ▲ 7 ▼ configuration, it is possible to employ various background colors and patterns, the pixels can be a display having excellent decorative properties even when off. 図6に、▲7▼の構成を例示する。 Figure 6 illustrates the ▲ 7 ▼ configurations.
【0065】 [0065]
なお、前記▲2▼〜▲7▼の構成において、色変換層、カラーフィルター、黒色光吸収層及び背景色形成層は、必ずしも電極に密着する必要はなく、中間層を介在させてもよいし、その効果が発現される限り、図4に示すように離して設置してもよい。 Incidentally, in the ▲ 2 ▼ ~ ▲ 7 ▼ configuration, a color conversion layer, a color filter, a black light absorbing layer and the background color-forming layer is not necessarily in close contact with the electrodes, to the intermediate layer may be interposed as long as the effect is expressed, it may be placed away as shown in FIG. ただし、色変換層やカラーフィルターは光取り出し方向に設置される必要があり、黒色光吸収層や背景色形成層は光取り出し方向とは逆方向に設置される必要がある。 However, the color conversion layer or a color filter needs to be placed in the light extraction direction, a black light absorbing layer and the background color-forming layer and the light extraction direction is required to be installed in the reverse direction.
【0066】 [0066]
【実施例】 【Example】
以下、本発明の実施例について説明する。 Hereinafter, a description will be given of an embodiment of the present invention.
〔実施例1〕 Example 1
<有機EL素子の作製> <Production of Organic EL element>
25mm×75mm×1mmのガラス基板上に、ITOを100nmの膜厚で製膜したもの(ジオマティックス社製)を基板上に導電性薄膜(陽極)が成膜してあるものとして使用した。 To 25 mm × 75 mm × 1 mm glass substrate, which was formed into a film of ITO with a film thickness of 100nm conductive thin film (geomatics Co., Ltd.) on the substrate (anode) it was used as are deposited. 次に、これをイソプロピルアルコール中に浸漬し、超音波洗浄を行った後、サムコインターナショナル製の紫外線照射機UV−300を用いて紫外線とオゾンとを併用して30分間洗浄した。 It was then immersed in isopropyl alcohol, subjected to ultrasonic cleaning, and washed in combination with 30 minutes and UV and ozone using a UV irradiation machine UV-300 manufactured by Samco International.
【0067】 [0067]
次いで、このITO薄膜付きガラス基板を、市販の真空蒸着装置の中に入れ、この装置に設置されている基板ホルダーに取り付け、真空槽を5×10 -4 Paまで減圧した。 Then, the ITO film-coated glass substrate was placed in a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, attached to a substrate holder which is installed in the device, pressure in the vacuum tank was reduced to 5 × 10 -4 Pa. なお、あらかじめ真空蒸着装置の抵抗加熱ボートには、Cu配位のフタロシアニン(以下、CuPcと略記する。)、N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−N,N'−ジフェニル−(1,1'−ビフェニル)−4,4'−ジアミン(以下、TPDと略記する。)及び8−キノリノールアルミニウム錯体(アルミニウムトリスオキシン、以下、Alqと略記する。)をそれぞれ200mgずつ入れ、また抵抗加熱フィラメントにはアルミニウム−リチウム合金(Li含量:2重量%)を入れておいた。 Note that the resistance heating boat advance vacuum deposition apparatus, Cu coordinated phthalocyanine, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- diphenyl (hereinafter abbreviated as CuPc.) - (1 , 1'-biphenyl) -4,4'-diamine (hereinafter abbreviated as TPD.) and 8-quinolinol aluminum complex (aluminum trisoxine, hereinafter abbreviated as Alq.) placed one by 200mg each, also resistive heating the filament of aluminum - lithium alloy (Li content: 2 wt%) had been put. これらのボートおよびフィラメントを順次加熱することにより、それぞれの成分を蒸着した。 By sequentially heating the boats and filaments were deposited each component.
【0068】 [0068]
まず、正孔注入輸送層としてCuPcをITO薄膜付きガラス基板に25nm蒸着し、次に第2の正孔注入輸送層としてTPDを40nm蒸着し、更に発光層としてAlqを60nm蒸着した。 First, CuPc as the hole injection transport layer was 25nm deposited on a glass substrate with an ITO film, then the TPD was 40nm deposited as the second hole injecting and transporting layer, and further 60nm deposited Alq as the emission layer. 次に、形成された積層体の上にマスクを設置し、アルミニウム−リチウム合金を7nm蒸着して電子注入電極層を形成させた。 Next, a mask was placed on the formed laminate, aluminum - and the lithium alloy was 7nm deposited to form an electron injection electrode layer.
【0069】 [0069]
次に、上記真空蒸着装置に連結されている別の真空槽の基板ホルダーに基板を移送しセットした。 It was then set to transfer substrates on a substrate holder of another vacuum chamber, which is connected to the vacuum deposition apparatus. なお、この間真空度は保たれたままである。 It should be noted, remains during this period the degree of vacuum was maintained. 上記、別の真空槽はDCマグネトロンスパッタリングによりIn−Zn−O系酸化物膜を形成できるように設備されている。 Above, another vacuum chamber are facilities so as to form a In-Zn-O-based oxide film by DC magnetron sputtering. In−Zn−O系酸化物膜を形成させるためのターゲットは、In 23とZnOとからなる焼結体であり、Inの原子比〔In/(In+Zn)〕は0.67である。 Target for forming the In-ZnO-based oxide film is a sintered body made of In 2 O 3 and ZnO, the atomic ratio of In [In / (In + Zn)] is 0.67. この真空槽のアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス(体積比で1000:2.8)を3×10 -1 Paとなるまで導入し、スパッタリング出力を20W、基板温度を室温に設定して膜厚100nmの非晶質透明導電膜を形成させた。 (Volume ratio 1000: 2.8) mixed gas of argon gas and oxygen gas in the vacuum chamber was introduced until a 3 × 10 -1 Pa, the film thickness by setting the sputtering power 20W, the substrate temperature to room temperature to form an amorphous transparent conductive film 100 nm. なお、In−Zn−O系酸化物膜が非晶質であることは、ITO薄膜が蒸着されていないガラス基板を用いて上記と同様の方法により積層体を形成し、X線回折により確認した。 Note that an In-Zn-O-based oxide film is amorphous, using a glass substrate having ITO thin film is not deposited to form a laminate by the same method as described above was confirmed by X-ray diffraction .
【0070】 [0070]
次に、雰囲気ガスをアルゴンとし、その圧力を3×10 -1 Paとし、スパッタリング出力を10W、基板温度を室温に設定してDCマグネトロンスパッタリングにより、銀(Ag)を5nm積層した。 Then, the atmospheric gas was argon, and the pressure and 3 × 10 -1 Pa, 10W sputtering output by DC magnetron sputtering is set to room temperature and the substrate temperature was silver (Ag) was 5nm laminated.
その後更に、上記と同じ条件によりIn−Zn−O系酸化物膜を100nm積層し、有機EL素子を作製した。 Thereafter Further, the In-Zn-O-based oxide film by the same conditions as was 100nm laminated, to produce an organic EL device.
【0071】 [0071]
<光透過率および面抵抗値の評価> <Evaluation of light transmittance and sheet resistance>
前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ITO薄膜付きガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、In−Zn−O系酸化物膜を積層した積層体を作成し、分光光度計を用いて波長460nmの光の透過率を計測したところ、60%と高透明のものであった。 Using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly to the ITO film-coated glass substrate, the electron injection electrode layer, the amorphous transparent conductive film, silver thin film, the In-Zn-O-based oxide layer is deposited create a laminated body was measured transmittance at a wavelength of 460nm light using a spectrophotometer, were those 60% and high transparency.
更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、その上にIn−Zn−O系酸化物膜を積層して、この酸化物膜表面の面抵抗値を、三菱油化社製のロレスタFPを用いて測定したところ、10Ω/□であった。 Furthermore, using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly on the glass substrate, by laminating an amorphous transparent conductive film and silver thin film, and laminating the In-Zn-O-based oxide film is formed thereon Te, the surface resistance of the oxide film surface was measured using a LORESTA FP of Mitsubishi Petrochemical Co., was 10 [Omega / □.
【0072】 [0072]
<有機EL素子の評価> <Evaluation of Organic EL element>
次に、ITO薄膜を陽極とし、In−Zn−O系酸化物膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を7V印加したところ、2.8mA/cm 2の電流密度となり、陰極側より観測したところ、60cd/m 2の発光があった。 Then, an ITO thin film as an anode and take an In-Zn-O-based electrode lead from the oxide film, a voltage between both films was 7V applied becomes a current density of 2.8 mA / cm 2, observed from the cathode side where was, there was a light-emitting of 60cd / m 2. 発光は、Alqより生じた緑色発光であった。 Emission was green light emission resulting from Alq.
更に、この素子を大気中、70%RH(相対湿度)の雰囲気に100時間放置したところ、無発光点は肉眼では観測されず、素子の発光性能も維持されていた。 Furthermore, in the atmosphere of this device it was allowed to stand for 100 hours in an atmosphere of 70% RH (relative humidity), no-light emission point is not observed with the naked eye, was also maintained emitting performance of the device.
【0073】 [0073]
〔比較例1〕 Comparative Example 1
<有機EL素子の作製> <Production of Organic EL element>
実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1. ただし、電子注入電極層の上に非晶質透明導電膜、銀薄膜、In−Zn−O系酸化物膜からなる三層の薄膜を形成させる代わりに、市販のITOターゲットを用いて、200nmの一層のITO膜を形成させた。 However, the amorphous transparent conductive film on the electron injection electrode layer, a silver thin film, instead of forming a thin film of three layers consisting of an In-Zn-O-based oxide film, using a commercially available ITO target, 200 nm of to form a layer of ITO film. このITO膜を形成させる際の、雰囲気ガスとその圧力、およびスパッタリング方法および出力も実施例1と同様にした。 This when the ITO film is formed, the atmosphere gas and its pressure, and also sputtering method and outputs were the same as in Example 1.
【0074】 [0074]
<光透過率および面抵抗値の評価> <Evaluation of light transmittance and sheet resistance>
前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ITO薄膜付きガラス基板上に直接、電子注入電極層およびITO膜を形成させた積層体を作製し、実施例1と同様にして光の透過率を測定したところ80%であった。 Using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly to the ITO film-coated glass substrate to prepare a laminate obtained by forming the electron injection electrode layer and an ITO film, transmittance of light in the same manner as in Example 1 the rate was 80% was measured.
更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、ITO膜を積層して、その表面の面抵抗値を、実施例1と同様の方法で測定したところ、130Ω/□であった。 Furthermore, when using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly on the glass substrate, by laminating an ITO film, the sheet resistance of the surface was measured in the same manner as in Example 1, 130Omu / □ it was.
【0075】 [0075]
<有機EL素子の評価> <Evaluation of Organic EL element>
次に、この有機EL素子に電圧を8V印加したところ、4mA/cm 2の電流密度となり、非晶質透明導電膜側より観測したところ、60cd/m 2の発光があった。 Next, when the voltage to the organic EL device was 8V is applied becomes a current density of 4mA / cm 2, was observed from the amorphous transparent conductive film side, there is emission of 60 cd / m 2. 発光は、Alqより生じた緑色発光であった。 Emission was green light emission resulting from Alq. この素子を大気中、70%RHの雰囲気に100時間放置したところ、無発光点は肉眼で無数確認され、発光欠陥が多いことが確認された。 The device was left for 100 hours in an atmosphere in the atmosphere, RH 70%, no-light emission points are innumerable confirmed with the naked eye, luminous many defects was confirmed.
【0076】 [0076]
以上の結果より、実施例1の有機EL素子は、陰極の透明性が高く、かつ陰極が低抵抗であるため発光効率が高く、更に最外層および電子注入電極層に接する層を構成するIn−Zn−O薄膜が非晶質であるため、耐久性に優れ、発光欠陥が生じにくいことが確認された。 These results, the organic EL device of Example 1, the transparency of the cathode is high and the cathode is high emission efficiency due to low resistance, constituting the layer further contact with the outermost layer and the electron injection electrode layer In- since Zn-O thin film is amorphous, durable, light emission defects may be difficult to occur has been confirmed. ところで、電子注入電極層の酸化により発光欠陥が生じることが知られている。 Incidentally, the light emission defects are known by the oxidation of the electron injection electrode layer. 本発明の有機EL素子では、最外層および電子注入電極層に接する層として非晶質透明導電膜が形成され、この透明導電膜には結晶粒界が存在しないため、酸素や水分の侵入が防止され前記の結果となったものと考えられる。 Prevention organic EL device of the present invention is amorphous is the transparent conductive film is formed as a layer in contact with the outermost layer and the electron injection electrode layer, the transparent conductive film due to the absence of grain boundaries, oxygen and moisture intrusion It is believed to have resulted in the.
一方、比較例1は陰極の透明性は高いものの、陰極の抵抗値が高いため発光効率に劣ることが確認された。 On the other hand, in Comparative Example 1 although the high transparency of the cathode, to be inferior in luminous efficiency since the resistance value of the cathode is high is confirmed.
【0077】 [0077]
〔実施例2〕 Example 2
<有機EL素子の作製> <Production of Organic EL element>
実施例1において、最後に形成したIn−Zn−O系酸化物薄膜に代えて、ITO薄膜を、DCマグネトロンスパッタリングにより膜厚100nmとなるように形成させた以外は、実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。 In Example 1, finally in place of the In-Zn-O-based oxide thin film was formed, an ITO thin film, except that was formed to have a thickness 100nm by DC magnetron sputtering, the same method as in Example 1 an organic EL device was produced by.
ITO薄膜は、ITOターゲットをアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス(体積比で1000:2.8)を3×10 -1 Paとなるまで導入し、スパッタリング出力を20W、基板温度を室温に設定して膜厚100nmの薄膜を形成させた。 ITO thin film, an ITO target (with a volume ratio of 1000: 2.8) mixed gas of argon gas and oxygen gas was introduced until a 3 × 10 -1 Pa, setting the sputtering power 20W, the substrate temperature to room temperature a thin film having a film thickness of 100nm was formed Te.
<光透過率および面抵抗値の評価> <Evaluation of light transmittance and sheet resistance>
前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ITO薄膜付きのガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、ITO膜を積層した積層体を作成し、波長460nmの光の透過率を計測したところ、80%と高透明のものであった。 Using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly on the glass substrate having an ITO film, creates an electron injection electrode layer, the amorphous transparent conductive film, silver thin film, a laminate of ITO film are laminated, When the transmittance of the wavelength 460nm light was measured, it was those 80% and high transparency.
更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、その上にITO膜を積層して、このITO膜表面の面抵抗値を、実施例1と同様にして測定したところ、5Ω/□であった。 Furthermore, using the same method as the manufacturing method of the above-described elements, directly on the glass substrate, by laminating an amorphous transparent conductive film and silver thin film, by laminating the ITO film thereon, the ITO film surface the surface resistance value was measured in the same manner as in example 1, was 5 [Omega / □.
【0078】 [0078]
<有機EL素子の評価> <Evaluation of Organic EL element>
次に、ガラス基板に直接積層されたITO薄膜を陽極とし、最後に積層したITO膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を6V印加したところ、2.5mA/cm 2の電流密度となり、陰極側より観測したところ、60cd/m 2の発光があった。 Then, directly laminated ITO film on a glass substrate as an anode and finally take a laminated ITO film from the electrode lead, at a voltage of 6V is applied between both films becomes a current density of 2.5 mA / cm 2, was observed from the cathode side, there is emission of 60 cd / m 2. 発光は、Alqより生じた緑色発光であった。 Emission was green light emission resulting from Alq.
更に、この素子を大気中、70%RH(相対湿度)の雰囲気に100時間放置したところ、無発光点は肉眼では観測されず、素子の発光性能も維持されていた。 Furthermore, in the atmosphere of this device it was allowed to stand for 100 hours in an atmosphere of 70% RH (relative humidity), no-light emission point is not observed with the naked eye, was also maintained emitting performance of the device.
【0079】 [0079]
[実施例3] [Example 3]
<有機EL素子の作製> <Production of Organic EL element>
実施例1において、最初に形成したIn−Zn−O酸化物薄膜の膜厚を200nmとするとともに、最後に形成したIn−Zn−O酸化物薄膜に代えて、TiO 2を用い、RFマグネトロンスパッタリングにより膜厚100nmの薄膜を形成させた以外は、実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。 In Example 1, with the initially formed an In-Zn-O oxide 200nm thickness of the thin film, in place of the In-Zn-O oxide thin film was formed last, with TiO 2, RF magnetron sputtering except that to form a thin film having a film thickness of 100nm by the an organic EL device was produced in the same manner as in example 1.
TiO 2薄膜の形成の際には、雰囲気ガスとしてアルゴンガスを3×10 -1 Paとなるまで導入し、スパッタリング出力を20W、基板温度を室温に設定して膜厚100nmの薄膜を形成させた。 Upon formation of the TiO 2 thin film was introduced until a 3 × 10 -1 Pa argon gas as the atmosphere gas, and the sputtering power 20W, the substrate temperature to form a thin film having a thickness of 100nm is set to room temperature .
【0080】 [0080]
<光透過率および面抵抗値の評価> <Evaluation of light transmittance and sheet resistance>
前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ITO薄膜付きガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、TiO 2薄膜を積層した積層体を作成し、波長460nmの光の透過率を計測したところ、85%と高透明のものであった。 Using the same method as the method for preparing the above-mentioned elements, created directly ITO film-coated glass substrate, the electron injection electrode layer, the amorphous transparent conductive film, silver thin film, a laminate with a TiO 2 thin film, When the transmittance of light having a wavelength of 460nm was measured, it was of 85% and high transparency.
更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、銀薄膜表面の面抵抗値を、実施例1と同様にして測定したところ、10Ω/□であった。 Furthermore, using the same method as the method for preparing the above-mentioned elements, directly on the glass substrate, by laminating an amorphous transparent conductive film and silver thin film, the sheet resistance of the silver thin film surface, in the same manner as in Example 1 was measured Te, it was 10Ω / □.
【0081】 [0081]
<有機EL素子の評価> <Evaluation of Organic EL element>
次に、ITO薄膜を陽極とし、銀薄膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を7V印加したところ、3.0mA/cm 2の電流密度となり、陰極側より観測したところ、80cd/m 2の発光があった。 Then, an ITO thin film as an anode and take electrode lead from the silver thin film, when a voltage was 7V applied between both films becomes a current density of 3.0 mA / cm 2, was observed from the cathode side, 80 cd / m 2 there was light emission is. 発光は、Alqより生じた緑色発光であった。 Emission was green light emission resulting from Alq.
【0082】 [0082]
更に、この素子を大気中、70%RH(相対湿度)の雰囲気に100時間放置したところ、無発光点は肉眼では観測されず、素子の発光性能も維持されていた。 Furthermore, in the atmosphere of this device it was allowed to stand for 100 hours in an atmosphere of 70% RH (relative humidity), no-light emission point is not observed with the naked eye, was also maintained emitting performance of the device.
以上の結果より、実施例2,3の有機EL素子は、陰極の透明性が高く、かつ陰極が低抵抗であるため発光効率が高く、更に電子注入電極層に接する層を構成するIn−Zn−O薄膜が非晶質であるため、耐久性に優れ、発光欠陥が生じにくいことが確認された。 Above results, the organic EL device of Example 2 and 3, the transparency of the cathode is high and high emission efficiency because the cathode is low resistance, further In-Zn constituting the layer in contact with the electron injection electrode layer since -O thin film is amorphous, durable, light emission defects may be difficult to occur has been confirmed.
【0083】 [0083]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明の第1の目的を達成する有機EL素子は、低抵抗かつ高透明の陰極を有するため、発光を効率よく素子の両面から取り出すことができるとともに、高精細な表示装置に利用した場合にも、輝度ムラの発生が少なく、駆動時の応答の遅れが小さい。 The first organic EL element to achieve the object of the present invention has a cathode having low resistance and high transparency, it is possible to take out from both efficiently element emitting, when used in high-definition display device also, less occurrence of uneven brightness, small delay in response at the drive.
【0084】 [0084]
本発明の第2の目的を達成する有機EL素子は、第1の目的を達成するとともに、陰極のテーパーエッチング加工ができるため、高精細な有機EL発光装置の作製が容易である。 The organic EL element to achieve the second object of the present invention is to achieve the first object, since it is tapered etching of the cathode, it is easy to manufacture a high-definition organic EL light-emitting device. また、本発明の第2の目的を達成する有機EL素子は、耐久性(耐湿熱性)に優れる。 Further, the organic EL element to achieve the second object of the present invention is excellent in durability (wet heat resistance).
本発明の有機EL素子は以上のような効果を有するため、たとえば情報機器のディスプレイなどに好適に用いられる。 Because it has the effects as described above organic EL device of the present invention is suitably used in, for example, information device display.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】 本発明の有機EL素子の一例の構成を示す断面図である。 1 is a sectional view showing an example of configuration of an organic EL device of the present invention.
【図2】 本発明の有機EL素子において、断面テーパー状の非晶質透明導電膜を採用した場合の一例を示す断面図である。 In the organic EL device of the present invention; FIG is a sectional view showing an example in the case of adopting the cross-section tapered amorphous transparent conductive film.
【図3】 本発明の有機EL素子において、島状電子注入域が、非晶質透明導電膜と有機層との界面に存在する場合の一例を示す断面図である。 In the organic EL device of the present invention; FIG, island electron injection region is a cross-sectional view showing an example when present at the interface between the amorphous transparent conductive film and the organic layer.
【図4】 本発明の有機EL素子の利用態様の一例を単純化して示したものであって、非晶質透明導電膜の外側にカラーフィルターを付加した構成を示す断面図である。 [4] be those of an example of utilization modes of the organic EL device of the present invention shown in a simplified manner, it is a sectional view showing a structure obtained by adding a color filter to the outside of the amorphous transparent conductive film.
【図5】 本発明の有機EL素子の利用態様の一例を単純化して示したものであって、非晶質透明導電膜の外側に黒色吸収層を備えた構成を示す断面図である。 [5] A in which an example of the utilization modes of the organic EL device of the present invention shown in a simplified manner, is a cross-sectional view showing a configuration with a black absorbing layer on the outside of the amorphous transparent conductive film.
【図6】 本発明の有機EL素子の利用態様の一例を単純化して示したものであって、透明陽極の外側に背景色形成層を備えた構成を示す断面図である。 [6] A in which an example of the utilization modes of the organic EL device of the present invention shown in a simplified manner, is a sectional view showing a structure having a background color-forming layer on the outer side of the transparent anode.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1:基板2:陽極3:有機層4:電子注入電極層5:透明導電膜6:金属薄膜7:透明薄膜層8:島状注入域9:カラーフィルター10:黒色光吸収層11:背景色形成層 1: substrate 2: anode 3: organic layer 4: the electron injection electrode layer 5: a transparent conductive film 6: thin metal film 7: transparent film layers 8: island-shaped injection region 9: Color filter 10: a black light absorbing layer 11: background color forming layer

Claims (6)

  1. 陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、陰極が、有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率1×10 -5 Ω・cm以下の金属薄膜の順で積層されてなるとともに、陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 An organic electroluminescent device wherein an organic layer including an organic light-emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, the cathode, the electron injection electrode layer from the side in contact with the organic layer, the transparent conductive film, resistivity 1 × 10 with laminated comprising at -5 Omega · cm the following order of the metal thin film, an organic electroluminescent device comprising a transparent thin film layer on the outside of the cathode is formed,
    前記透明導電膜がインジウム(In)、亜鉛(Zn)、酸素(O)からなる酸化物を用いて、形成されてなる非晶質透明導電膜であり、 The transparent conductive film of indium (In), zinc (Zn), an oxide consisting of oxygen (O), in Ri formed amorphous transparent conductive film Der comprising,
    陰極と前記透明薄膜層からなる層の光透過率が60%以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device light transmission layer of the cathode transparent thin film layer, characterized in der Rukoto 60%.
  2. 電子注入電極層が、電子注入性の金属、合金およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる1種または2種以上を用いて、超薄膜状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 An electron injection electrode layer, an electron injecting metal, using one or more selected from the alloy and alkaline earth metal oxides, to claim 1, characterized in that it is formed in super thin film the organic electroluminescent device according.
  3. 電子注入電極層が、電子注入性の金属、合金およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる1種または2種以上と電子伝達性の有機物の混合層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 An electron injection electrode layer, an electron injecting metal, according to claim 1, characterized in that a mixed layer of one or more and the electron transfer organic material selected from the alloy and alkaline earth metal oxides the organic electroluminescent device.
  4. 電子注入電極層が、島状電子注入域からなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1 electron injection electrode layer, characterized in that it consists of islands electron injection region.
  5. 陰極と陽極がXYマトリックスを形成するとともに、透明導電膜が断面台形状(テーパー状)に形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 With a cathode and an anode to form an XY matrix, the organic electroluminescent device according to claim 1, the transparent conductive film is characterized by comprising formed in a trapezoidal cross section (tapered).
  6. 極と前記透明薄膜層からなる層または陰極の面抵抗値が10Ω/□以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the sheet resistance of the layer or cathode made from the the negative pole transparent thin film layer is 10 [Omega / □ or less.
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