JP4186101B2 - Organic EL display device - Google Patents

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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
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    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL材料からなる発光層を備えた有機EL表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、表示装置の分野では次世代のディスプレイが盛んに開発されており、省スペース、高輝度、低消費電力等が要望されている。これらの要望を実現することができるディスプレイとして、有機EL(Electro Luminescence) 表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、代表的なフラットパネルディスプレイの表示装置である液晶表示装置に比べて、自然発光性があり、応答性が高く、視野角依存性がない等の特徴を有している。
【0003】
このような有機EL表示装置は、有機EL素子が多数配列されて構成されており、各素子が一画素に対応している。有機EL素子は、透明基板上に、透明電極である陽極層、有機EL層および陰極層が順に積層された構成を有している。この有機EL素子では、陽極層および陰極層に所定の電圧を印加することにより、それぞれの電極層から注入された正孔および電子が有機EL層内で再結合し、このときのエネルギーの放出により発光現象が生じる。この発光現象は発光ダイオードと類似した注入発光であることから発光電圧が10V以下と低いことが特徴である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の有機EL素子を利用した有機EL表示装置では、非発光時の画素に係る素子において、外光が透明基板、陽極層および有機EL層を透過し、背面電極である陰極層にまで到達するが、このように陰極層まで到達した外光は、陰極層がアルミニウム(Al)からなる金属電極であることから、図5に示したように、この陰極層で反射されてしまい、そのため明暗のコントラストが低下するという問題があった。このようなコントラストの低下を抑制するために、透明基板の表面等に着色フィルタや、偏光フィルタ、1/4波長板等を設けたりする方法が提案されているが、これらの手法では、着色フィルタ等により透過率が下がるため、装置の画面輝度が低下してしまうという問題があった。
【0005】
そこで、このような問題を解決するために、例えば、特許文献1では、黒色板を有機EL表示部以外に設置して、黒色板からの反射光を利用しているが、根本的な解決には至っていない。また、特許文献2では、Mg:Ag(18.5nm)/ITO(84nm)/Mg(50nm)の積層型陰極により黒レベルが向上されているものの、図6に示したように有機EL層で発光された光の反射自体も低下してしまうため、輝度が低下するという問題があった。
【0006】
【特許文献1】
特開2000−148045号公報
【0007】
【特許文献2】
国際公開第01/08240号公報
【0008】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、明暗のコントラストを向上させることができると共に、輝度を向上させることが可能となる有機EL表示装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による有機EL表示装置は、基板上に陽極層と、発光層を含む有機EL層と、陰極層とをこの順に備え、発光層での発光が基板の側から取り出されるものであって、陰極層は、金属膜と透明導電膜とが交互に積層された構成を有し、透明導電膜の厚さは500nm以上であり、陰極層は、発光層で発生した赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光に対して反射特性を有し、基板の裏面から入射する外光のうちそれら各色の波長領域以外の少なくとも可視波長領域の光に対しては吸収特性を有するものである。
【0010】
本発明による有機EL表示装置では、発光層で発生した赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光(発光波長)は陰極層において反射される一方、それら各色の波長領域以外の少なくとも可視波長領域の光(外光)は反射層において吸収される。すなわち、発光時の画素に係る素子では有機EL層からの発光波長が陰極層において効率よく反射され輝度が向上すると共に、非発光時の画素に係る素子では外光が入射しても陰極層において吸収されるため反射がなくなり、その結果、明暗のコントラストが向上した表示が行われる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
図1は、本発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置10の概略を示す構成図である。有機EL表示装置10は、赤色光を発光する有機EL素子10R、緑色光を発光する有機EL素子10G、青色光を発光する有機EL素子10Bがマトリックス状に規則的に配列された構成を有し、各有機EL素子10R, 10G, 10Bが一つの画素に対応している。有機EL表示装置10は基板11を備えており、この基板11の上には陽極層12が形成されている。陽極層12の上には、有機EL層13が形成されている。有機EL層13の上には陰極層14が形成されており、この陰極層14はいわゆる帯域フィルタとしての機能を有している。これについての詳細は後述する。陰極層14の上には保護層15が形成されている。
【0013】
基板11は、例えばガラス材料からなる、厚さが1.1mmの透明基板である。この基板11としては良好な平坦性を有するのが好ましい。なお、基板11は、高分子材料からなるようにしてもよく、この高分子材料として、例えばポリエチレンテレフタレート(PET;Poly(Ethylene Terephthalate ))、ポリカーボネート(PC;PolyCarbonate )、ポリオレフィン(PO;PolyOlefin)、ポリエーテルスルホン(PES;PolyEter Sulphone )等が挙げられる。基板11にこのような高分子材料を用いることにより、基板が11が可撓性を有するようになる。
【0014】
陽極層12は、厚さが例えば150nmであり、有機EL層13に効率よく正孔が注入されるように真空準位からの仕事関数が大きく、有機EL層13からの発光が取り出させるよう透光性を有する材料からなるようにする。陽極材料としては、例えば酸化インジウム錫(Indium Tin Oxide;ITO) 、酸化錫(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)等が挙げられる。特に生産性および制御性の観点から、これらの材料のなかではITOが好ましい。
【0015】
有機EL層13は、例えば、陽極層12の側から順に正孔輸送層13A、発光層13Bおよび電子輸送層13Cが積層されたものである。有機EL層13の厚さは例えば150nmである。
【0016】
正孔輸送層13Aは、陽極層12から注入された正孔を発光層13Bまで輸送するために設けられる。正孔輸送層13Aの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー,オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。具体的には、α−ナフチルフェニルジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)トリフェニルアミン、N,N,N,N−テトラキス(p−トリル)p−フェニレンジアミン、N,N,N,N−テトラフェニル4,4−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレン)、ポリ(2,2−チエニルピロール)等が挙げられる。
【0017】
発光層13Bは、陰極層14と陽極層12との間に電位差が生じると、陰極層14および陽極層12のそれぞれから電子および正孔が注入され、これら電子および正孔が再結合して発光する領域である。発光層13Bとして、有機EL素子10Rには例えば波長が620nmの赤色光を示す材料、有機EL素子10Gには波長が520nmの緑色光を示す材料、有機EL素子10Bには波長が460nmの青色光を示す材料が用いられている。これらの材料からなる発光層13Bをマトリックスパターン状に配列することによって、有機EL表示装置10はカラー表示が可能となる。
【0018】
このような発光層13Bは、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料から構成されている。具体的には、例えば、アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。
【0019】
電子輸送層13Cは、陰極層14から注入される電子を発光層13Bに輸送するために設けられる。電子輸送層13Cの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン,またはこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム,アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、またはこれらの誘導体が挙げられる。
【0020】
陰極層14は、有機EL層13の側より金属膜14Mk と透明導電膜14Tm とが交互に積層された多層膜である(但し、kは1〜nの正数、mは2〜nの正数である)。すなわち、金属膜14M1 , 透明導電膜14T2 , 金属膜14M2 , 透明導電膜14T3,, 金属膜14M3,・・・・, 透明導電膜14Tn , 金属膜14Mn が順次積層されたものである。
【0021】
金属膜14M1 は例えば厚さが10nm以上20nm以下であり、仕事関数が小さく有機EL層13に電子が効率よく注入され、透光性を有する金属材料からなる。このような金属材料として、アルミニウム、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、リチウム(Li)等が挙げられ、これらの金属は単体で用いてもよく、安定性を高めるために他の金属との合金として使用してもよい。特に、これら金属材料のなかでも、仕事関数が小さくてかつ反射率が高い材料であるAlを用いるのが好ましく、このAlにより陰極層14の反射率の上限が決定される。金属膜14Mk (但し、k≧2)は例えば厚さが5nm以上であり20nm以下であり、ニオブ(Nb)からなり、このNbにより陰極層14の反射率の下限が決定される。
【0022】
透明導電膜14Tm は、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)、または、これら材料のうちの2種以上を含む混合物からなるようにする。特に、これら金属材料のなかでも生産性および制御性の観点からITOを用いるのが好ましい。この透明導電膜14Tm の厚さは500nm以上である。これは、透明導電膜14Tm の厚さが500nm以上である場合、可視光の平均吸収率がその平均反射率よりも大きくなるからである(図2)。また、この場合、透明導電膜14Tm が厚い程、反射率のピークが多く現われ、そのピークが鋭くなる。
【0023】
陰極層14の各膜厚は、各有機EL素子10R, 10G, 10Bの発光波長の領域の光、すなわち赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光に対して、例えば反射率が60%以上という高い反射特性を有すると共に、これら波長領域以外の可視波長域の光に対しては、例えば平均吸収率が40%以上という高い吸収特性を有するように設計されている。ここで、陰極層14の各膜厚は、その各膜の厚さをd、その各膜の屈折率をn、この多層膜に入射する入射光の波長をλとすると、各膜の光学的厚さndが入射光の波長λに対して数1に示した式を満足するようになっている。
【0024】
【数1】
nd=λ(α±1/4)(但し、αは自然数である)
【0025】
例えば、金属膜14M1 にはAl、透明導電膜14T2 にはITO、金属膜12M2 にはNbが用いられ、合計層数が計3層とされ、図3に示したような光学特性を有するように設計されている。すなわち、各有機EL素子10R, 10G, 10Bの発光波長の領域の光、すなわち波長が620nmの赤色光、波長が520nmの緑色光、および波長が460nmの青色光の各色の光に対して、陰極層14が高い反射率、例えば70.9%、71.3%、68.8%の反射率を有し、これらの光以外の可視波長領域の光に対しては高い吸収率、例えば平均吸収率が44%以上という吸収率を有し、また全波長領域の光に対して例えば5〜10%の透過率を有するように設計されている。このように設計したことにより、金属膜14M1 の厚さが10nm、透明導電膜14T2 の厚さが898nm、金属膜14M2 の厚さが5nmとなっている。
【0026】
保護層15は、有機EL素子の駆動の信頼性を確保し、また、素子の劣化を防止するために、素子を封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層15は、例えば厚さが1000nmである。保護層15の材料としては、気密性を保つことが可能なものであり、例えば酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコン(SiNx )、酸化アルミニウム(Al2 3 )、窒化アルミニウム(AlN)等が挙げられる。
【0027】
この有機EL表示装置10は、例えば以下のようにして製造することができる。
【0028】
まず、基板11を用意する。この基板11の上に、例えば反応性DCスパッタリング法を用いて、ITOからなる陽極層12を成膜する。次に、レジストを用いたリソグラフィ法によって陽極層12を所定のパターンとする。続いて、陽極層12の上に、メタルマスクを用いて真空蒸着法によって、所定のパターンを有する正孔輸送層13A、発光層13Bおよび電子輸送層13Cを順次成膜することにより、有機EL層13を形成する。このとき、発光層13Bとして、有機EL素子10Rの形成領域には例えば波長が620nmの赤色光を示す材料、有機EL素子10Gの形成領域には波長が520nmの緑色光を示す材料、有機EL素子10Bの形成領域には波長が460nmの青色光を示す材料を用い、これらの材料を選択的に形成する。
【0029】
次いで、有機EL層13の上に、メタルマスクを用いた真空蒸着法によって陰極層14を形成する。この陰極層14は、有機EL層13の側より金属膜14Mk と透明導電膜14Tm とを交互に積層した多層膜とする。陰極層14の各膜厚は、各有機EL素子10R, 10G, 10Bの発光波長の領域の光に対して、例えば反射率が60%以上という高い反射特性を有すると共に、これら波長領域以外の可視波長域の光に対しては、例えば平均吸収率が40%以上という高い吸収特性を有するように設計する。
【0030】
具体的には、Alからなる金属膜14M1 、ITOからなる透明導電膜14T2 、Nbからなる金属膜14M2 の3層構造とし、各膜の厚さを10nm、898nm、5nmとする。これにより、図3に示したように、波長が620nmの赤色光、波長が520nmの緑色光、および波長が460nmの青色光の各色の光に対して、陰極層14が高い反射率、例えば70.9%、71.3%、68.8%の反射率を有し、これらの光以外の可視波長領域の光に対しては高い吸収率、例えば平均吸収率が44%以上という吸収率を有し、また全波長領域の光に対して例えば5〜10%の透過率を有する。最後に、反応性DCスパッタリング法によって、窒化シリコンからなる保護層15を形成することにより有機EL表示装置10が完成する。
【0031】
本実施の形態の有機EL表示装置10では、選択された素子の陽極層12および陰極層14のそれぞれに駆動回路(図示せず)から正負の電圧が印加されると、両極間に生じる電界により正孔と電子とが有機EL層13内の発光層13Bに注入され、再結合が起こり、いわゆる電界発光が生じる。このような発光層13Bでの発光は、基板11側から取り出される。
【0032】
このとき、陰極層14では、有機EL層13と接する金属膜14M1 として真空準位からの仕事関数が小さなAlが用いられているので、有機EL層13に電子が効率よく注入され、発光効率が向上する。
【0033】
また、ここで従来のように陰極層としてAlのみからなる単層電極を用いた場合、外光が基板11側から入射すると、図5に示したように、陰極層において外光の反射が生じるため、コントラストが悪くなってしまう。これに対して本実施の形態では、Alからなる金属膜14M1 、ITOからなる透明導電膜14T2 、Nbからなる金属膜14M2 の3層構造としたので、図3に示したように、陰極層14は各有機EL素子10R, 10G, 10Bの発光波長の領域の光に対して高反射特性を有し、これらの波長領域以外の可視波長領域の光に対しては高吸収特性を有する。これにより、発光時の画素に係る有機EL素子ではその発光を陰極層14で効率よく反射させることができ、白レベルを向上させることが可能となる。また、非発光時の画素に係る有機EL素子では、外光が基板11の裏面から陰極層14に入射しても、陰極層14において吸収され、外光の反射が抑制されるので黒レベルを向上させることが可能となる。従って、明暗のコントラストを向上させることができると共に、輝度を向上させることが可能となる。
【0034】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、図4に示した有機EL表示装置20のように、各有機EL素子20R, 20G, 20Bにおいて、陰極層21として、金属膜14Mk (但し、kは1〜n)と透明導電膜14Tm (但し、mは2〜n)とを交互に積層し、金属膜14Mn の上に、例えばAlからなる金属膜14Mn+1 を形成するようにしてもよい。これにより可視波長領域の光の平均透過率を小さくし、黒レベルを維持したままで、赤色光、緑色光および青色光の反射率を大きくすることができる。また、有機EL層13と陰極層14との間に、例えば厚さが0.1〜0.3nmである、酸化リチウム(LiO)からなる発光補助層を成膜するようにしてもよい。この発光補助層により、発光開始電圧を下げることが可能となる。
【0035】
更に、上記実施の形態では、陰極層14が赤色、緑色、青色の三原色の波長領域の光に対して高い反射特性を有するようにしたが、この波長領域は有機EL素子の発光波長に応じて適宜変更可能である。例えば、陰極層14がこれら三原色のうちの少なくとも1つの波長領域の光に対して高い反射特性を有するようにしてもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の有機EL表示装置によれば、陰極層が、発光層で発生した赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光に対して反射特性を有し、それら各色の波長領域以外の少なくとも可視波長領域の光に対しては吸収特性を有するようにしたので、発光時の画素に係る素子では特定波長領域の光を陰極層で効率よく反射させることができ、これにより白レベルを向上させることが可能となる。また、非発光時の画素に係る素子では、外光が陰極層に入射しても、陰極層において吸収されるので黒レベルを向上させることが可能となる。従って、明暗のコントラストを向上させることができ、輝度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成図である。
【図2】図1に示した有機EL表示装置の陰極層の光学特性における透明導電膜の膜厚依存性を表したものである。
【図3】図1に示した有機EL表示装置の陰極層の光学特性を表したものである。
【図4】有機EL表示装置の変形例である。
【図5】従来の有機EL表示装置の陰極層の光学特性を表したものである。
【図6】従来の有機EL表示装置の陰極層の光学特性を表したものである。
【符号の説明】
10・・・ 有機EL表示装置、10R, 10G, 10B・・・ 有機EL素子、11・・・ 基板、12・・・ 陽極層、13…有機EL層、13A・・・ 正孔輸送層、13B・・・ 発光層、13C・・・ 電子輸送層、14…陰極層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic EL display device including a light emitting layer made of an organic EL material.
[0002]
[Prior art]
In recent years, next-generation displays have been actively developed in the field of display devices, and space saving, high brightness, low power consumption, and the like are demanded. An organic EL (Electro Luminescence) display device has attracted attention as a display that can realize these demands. This organic EL display device has features such as spontaneous light emission, high responsiveness, and no viewing angle dependency compared to a liquid crystal display device which is a typical flat panel display device. .
[0003]
Such an organic EL display device is configured by arranging a large number of organic EL elements, and each element corresponds to one pixel. The organic EL element has a configuration in which an anode layer, an organic EL layer, and a cathode layer, which are transparent electrodes, are sequentially laminated on a transparent substrate. In this organic EL element, by applying a predetermined voltage to the anode layer and the cathode layer, holes and electrons injected from the respective electrode layers are recombined in the organic EL layer, and energy is released at this time. Luminous phenomenon occurs. Since this light emission phenomenon is injection light emission similar to a light emitting diode, it is characterized by a low light emission voltage of 10 V or less.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the organic EL display device using the conventional organic EL element, in the element related to the pixel at the time of non-light emission, the external light passes through the transparent substrate, the anode layer and the organic EL layer, and reaches the cathode layer which is the back electrode. However, the external light reaching the cathode layer is reflected by the cathode layer as shown in FIG. 5 because the cathode layer is a metal electrode made of aluminum (Al). There was a problem that the contrast between light and darkness was lowered. In order to suppress such a decrease in contrast, methods have been proposed in which a colored filter, a polarizing filter, a quarter-wave plate, or the like is provided on the surface of the transparent substrate. As a result, the transmittance is lowered, and the screen brightness of the apparatus is lowered.
[0005]
Therefore, in order to solve such a problem, for example, in Patent Document 1, a black plate is installed other than the organic EL display unit and reflected light from the black plate is used, but this is a fundamental solution. Has not reached. Further, in Patent Document 2, although the black level is improved by the stacked cathode of Mg: Ag (18.5 nm) / ITO (84 nm) / Mg (50 nm), as shown in FIG. Since the reflection of the emitted light itself is also lowered, there is a problem that the luminance is lowered.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-148045
[Patent Document 2]
International Publication No. 01/08240 [0008]
The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device capable of improving contrast of light and dark and improving luminance.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The organic EL display device according to the present invention includes an anode layer, an organic EL layer including a light emitting layer, and a cathode layer in this order on a substrate, and light emission in the light emitting layer is taken out from the substrate side, The cathode layer has a configuration in which metal films and transparent conductive films are alternately laminated, the thickness of the transparent conductive film is 500 nm or more, and the cathode layer is each color of red, green and blue generated in the light emitting layer. The light has a reflection characteristic with respect to the light in the wavelength region, and has the absorption characteristic for light in at least the visible wavelength region other than the wavelength region of each color among the external light incident from the back surface of the substrate .
[0010]
In the organic EL display device according to the present invention, the light (emission wavelength) of the red, green, and blue wavelength regions generated in the light emitting layer is reflected on the cathode layer, while at least the visible wavelength region other than the wavelength regions of these colors. Light (external light) is absorbed in the reflective layer. That is, in the element related to the pixel at the time of light emission, the light emission wavelength from the organic EL layer is efficiently reflected in the cathode layer and the luminance is improved. Since it is absorbed, there is no reflection, and as a result, a display with improved contrast between light and dark is performed.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0012]
FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of an organic EL display device 10 according to an embodiment of the present invention. The organic EL display device 10 has a configuration in which organic EL elements 10R that emit red light, organic EL elements 10G that emit green light, and organic EL elements 10B that emit blue light are regularly arranged in a matrix. Each organic EL element 10R, 10G, 10B corresponds to one pixel. The organic EL display device 10 includes a substrate 11, and an anode layer 12 is formed on the substrate 11. An organic EL layer 13 is formed on the anode layer 12. A cathode layer 14 is formed on the organic EL layer 13, and the cathode layer 14 has a function as a so-called band filter. Details of this will be described later. A protective layer 15 is formed on the cathode layer 14.
[0013]
The substrate 11 is a transparent substrate made of, for example, a glass material and having a thickness of 1.1 mm. The substrate 11 preferably has good flatness. The substrate 11 may be made of a polymer material. Examples of the polymer material include polyethylene terephthalate (PET; Poly (Ethylene Terephthalate)), polycarbonate (PC; PolyCarbonate), polyolefin (PO; PolyOlefin), Polyethersulfone (PES; PolyEter Sulphone) etc. are mentioned. By using such a polymer material for the substrate 11, the substrate 11 becomes flexible.
[0014]
The anode layer 12 has a thickness of, for example, 150 nm, has a large work function from the vacuum level so that holes are efficiently injected into the organic EL layer 13, and transmits light so that light emitted from the organic EL layer 13 can be extracted. It is made of a material having optical properties. Examples of the anode material include indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). In particular, ITO is preferable among these materials from the viewpoint of productivity and controllability.
[0015]
For example, the organic EL layer 13 is formed by laminating a hole transport layer 13A, a light emitting layer 13B, and an electron transport layer 13C in this order from the anode layer 12 side. The thickness of the organic EL layer 13 is 150 nm, for example.
[0016]
The hole transport layer 13A is provided to transport holes injected from the anode layer 12 to the light emitting layer 13B. Examples of the material for the hole transport layer 13A include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene. Alternatively, derivatives thereof, or heterocyclic conjugated monomers, oligomers, or polymers such as polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds, and aniline compounds can be used. Specifically, α-naphthylphenyldiamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine) triphenylamine, N, N, N , N-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N, N-tetraphenyl 4,4-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylene) Vinylene), poly (thiophene vinylene), poly (2,2-thienylpyrrole) and the like.
[0017]
When a potential difference occurs between the cathode layer 14 and the anode layer 12, the light emitting layer 13 </ b> B emits electrons and holes injected from the cathode layer 14 and the anode layer 12, and these electrons and holes recombine to emit light. It is an area to do. As the light emitting layer 13B, for example, the organic EL element 10R has a material that displays red light with a wavelength of 620 nm, the organic EL element 10G has a material that displays green light with a wavelength of 520 nm, and the organic EL element 10B has blue light with a wavelength of 460 nm. The material which shows is used. By arranging the light emitting layers 13B made of these materials in a matrix pattern, the organic EL display device 10 can perform color display.
[0018]
Such a light emitting layer 13B is made of a material having high luminous efficiency, for example, an organic material such as a low molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex. Specifically, for example, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, tri (dibenzoyl) And methyl) phenanthroline europium complex ditoluyl vinyl biphenyl.
[0019]
The electron transport layer 13C is provided to transport electrons injected from the cathode layer 14 to the light emitting layer 13B. Examples of the material for the electron transport layer 13C include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, and derivatives thereof. Specific examples include 8-hydroxyquinoline aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, or derivatives thereof.
[0020]
The cathode layer 14 is a multilayer film in which metal films 14M k and transparent conductive films 14T m are alternately laminated from the organic EL layer 13 side (where k is a positive number from 1 to n, and m is 2 to n. Is a positive number). That is, the metal film 14M 1 , the transparent conductive film 14T 2 , the metal film 14M 2 , the transparent conductive film 14T 3 , the metal film 14M 3 ,..., The transparent conductive film 14T n , and the metal film 14M n are sequentially stacked. Is.
[0021]
The metal film 14M 1 has a thickness of, for example, 10 nm or more and 20 nm or less, a work function is small, electrons are efficiently injected into the organic EL layer 13, and a light-transmitting metal material is used. Examples of such metal materials include aluminum, indium (In), magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), barium (Ba), and lithium (Li). These metals are used alone. It may also be used as an alloy with another metal in order to increase the stability. In particular, among these metal materials, it is preferable to use Al which is a material having a small work function and high reflectance, and the upper limit of the reflectance of the cathode layer 14 is determined by this Al. The metal film 14M k (where k ≧ 2) has a thickness of, for example, 5 nm or more and 20 nm or less, and is made of niobium (Nb). The lower limit of the reflectance of the cathode layer 14 is determined by this Nb.
[0022]
The transparent conductive film 14T m is indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2), zinc oxide (ZnO), or set to be a mixture comprising two or more of these materials. Among these metal materials, ITO is preferably used from the viewpoints of productivity and controllability. The thickness of the transparent conductive film 14T m is 500nm or more. If the thickness of the transparent conductive film 14T m is 500nm or more, the average absorption of visible light is larger than the average reflectance (Figure 2). In this case, as the thick transparent conductive film 14T m, appear many peaks of the reflectance, the peak becomes sharper.
[0023]
Each film thickness of the cathode layer 14 has a reflectance of, for example, 60% or more with respect to light in the emission wavelength region of each organic EL element 10R, 10G, 10B, that is, light in the wavelength region of each color of red, green, and blue It is designed to have high absorption characteristics such as an average absorptance of 40% or more for light in a visible wavelength region other than these wavelength regions. Here, each film thickness of the cathode layer 14 is such that the thickness of each film is d, the refractive index of each film is n, and the wavelength of incident light incident on this multilayer film is λ. The thickness nd satisfies the formula shown in Equation 1 with respect to the wavelength λ of the incident light.
[0024]
[Expression 1]
nd = λ (α ± 1/4) (where α is a natural number)
[0025]
For example, Al is used for the metal film 14M 1 , ITO is used for the transparent conductive film 14T 2 , and Nb is used for the metal film 12M 2. The total number of layers is three, and the optical characteristics as shown in FIG. Designed to have. That is, for the light in the emission wavelength region of each organic EL element 10R, 10G, and 10B, that is, for the light of each color of red light having a wavelength of 620 nm, green light having a wavelength of 520 nm, and blue light having a wavelength of 460 nm, Layer 14 has a high reflectivity, for example, 70.9%, 71.3%, 68.8%, and a high absorptance, for example, average absorption, for light in the visible wavelength region other than these lights. It is designed to have an absorptance of 44% or higher and a transmittance of, for example, 5 to 10% with respect to light in the entire wavelength region. With this design, the thickness of the metal film 14M 1 is 10 nm, the thickness of the transparent conductive film 14T 2 is 898 nm, and the thickness of the metal film 14M 2 is 5 nm.
[0026]
The protective layer 15 has a function of sealing the element and blocking oxygen and moisture in order to ensure the driving reliability of the organic EL element and prevent the element from deteriorating. The protective layer 15 has a thickness of 1000 nm, for example. The protective layer 15 can be made of a material that can maintain hermeticity, such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and the like. Is mentioned.
[0027]
This organic EL display device 10 can be manufactured as follows, for example.
[0028]
First, the substrate 11 is prepared. An anode layer 12 made of ITO is formed on the substrate 11 by using, for example, a reactive DC sputtering method. Next, the anode layer 12 is formed into a predetermined pattern by a lithography method using a resist. Subsequently, a hole transport layer 13A, a light emitting layer 13B, and an electron transport layer 13C having a predetermined pattern are sequentially formed on the anode layer 12 by a vacuum deposition method using a metal mask, thereby forming an organic EL layer. 13 is formed. At this time, as the light emitting layer 13B, for example, a material that exhibits red light having a wavelength of 620 nm is formed in the formation region of the organic EL element 10R, a material that exhibits green light having a wavelength of 520 nm is formed in the formation region of the organic EL element 10G, In the formation region of 10B, materials showing blue light having a wavelength of 460 nm are used, and these materials are selectively formed.
[0029]
Next, the cathode layer 14 is formed on the organic EL layer 13 by a vacuum deposition method using a metal mask. The cathode layer 14 is a multilayer film in which a metal film 14M k and the transparent conductive film 14T m from the side of the organic EL layer 13 are alternately stacked. Each film thickness of the cathode layer 14 has high reflection characteristics such as a reflectance of 60% or more with respect to light in the emission wavelength region of each of the organic EL elements 10R, 10G, and 10B, and is visible outside the wavelength region. For light in the wavelength range, for example, it is designed to have a high absorption characteristic with an average absorption rate of 40% or more.
[0030]
Specifically, a three-layer structure of a metal film 14M 1 made of Al, a transparent conductive film 14T 2 made of ITO, and a metal film 14M 2 made of Nb is used, and the thickness of each film is 10 nm, 898 nm, and 5 nm. Accordingly, as shown in FIG. 3, the cathode layer 14 has a high reflectance with respect to light of each color of red light having a wavelength of 620 nm, green light having a wavelength of 520 nm, and blue light having a wavelength of 460 nm, for example, 70 .9%, 71.3%, 68.8% reflectivity, and high absorptance with respect to light in the visible wavelength region other than these light, for example, average absorptance of 44% or more And has a transmittance of, for example, 5 to 10% with respect to light in the entire wavelength region. Finally, the organic EL display device 10 is completed by forming the protective layer 15 made of silicon nitride by the reactive DC sputtering method.
[0031]
In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, when a positive or negative voltage is applied to each of the anode layer 12 and the cathode layer 14 of the selected element from a drive circuit (not shown), an electric field generated between the two electrodes is generated. Holes and electrons are injected into the light emitting layer 13B in the organic EL layer 13, recombination occurs, and so-called electroluminescence occurs. Light emitted from the light emitting layer 13B is extracted from the substrate 11 side.
[0032]
At this time, the cathode layer 14, since the work function from the vacuum level of the metal film 14M 1 in contact with the organic EL layer 13 is small Al is used, electrons are efficiently injected into the organic EL layer 13, the light emission efficiency Will improve.
[0033]
When a single-layer electrode made of only Al is used as the cathode layer as in the prior art, when external light is incident from the substrate 11 side, reflection of external light occurs in the cathode layer as shown in FIG. Therefore, the contrast is deteriorated. On the other hand, in the present embodiment, since it has a three-layer structure of a metal film 14M 1 made of Al, a transparent conductive film 14T 2 made of ITO, and a metal film 14M 2 made of Nb, as shown in FIG. The cathode layer 14 has high reflection characteristics with respect to light in the emission wavelength region of each of the organic EL elements 10R, 10G, and 10B, and has high absorption characteristics with respect to light in the visible wavelength region other than these wavelength regions. . Thereby, in the organic EL element which concerns on the pixel at the time of light emission, the light emission can be efficiently reflected by the cathode layer 14, and it becomes possible to improve a white level. In addition, in the organic EL element related to the non-light-emitting pixel, even if external light is incident on the cathode layer 14 from the back surface of the substrate 11, it is absorbed by the cathode layer 14 and reflection of external light is suppressed. It becomes possible to improve. Therefore, contrast between light and dark can be improved, and luminance can be improved.
[0034]
While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, as in the organic EL display device 20 shown in FIG. 4, in each organic EL element 20R, 20G, 20B, as the cathode layer 21, a metal film 14M k (where k is 1 to n) and a transparent conductive film 14T. m (where, m is 2- through n) alternately laminated on the metal film 14M n, for example, may be a metal film 14M n + 1 consisting of Al. Thereby, the average transmittance of light in the visible wavelength region can be reduced, and the reflectance of red light, green light, and blue light can be increased while maintaining the black level. Further, a light emission auxiliary layer made of lithium oxide (LiO) having a thickness of, for example, 0.1 to 0.3 nm may be formed between the organic EL layer 13 and the cathode layer 14. This light emission auxiliary layer can reduce the light emission starting voltage.
[0035]
Furthermore, in the above embodiment, the cathode layer 14 has high reflection characteristics with respect to light in the wavelength regions of the three primary colors of red, green, and blue. This wavelength region depends on the emission wavelength of the organic EL element. It can be changed as appropriate. For example, the cathode layer 14 may have high reflection characteristics with respect to light in at least one wavelength region of these three primary colors.
[0036]
【The invention's effect】
As described above, according to the organic EL display device of the present invention, the cathode layer has reflection characteristics with respect to light in the wavelength region of each color of red, green, and blue generated in the light emitting layer, and the wavelength of each color. Since it has absorption characteristics for light in at least the visible wavelength region other than the region, the element related to the pixel at the time of light emission can efficiently reflect light in the specific wavelength region by the cathode layer. The level can be improved. Further, in the element related to the pixel at the time of non-light emission, even if external light is incident on the cathode layer, it is absorbed in the cathode layer, so that the black level can be improved. Accordingly, contrast between light and dark can be improved, and luminance can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
2 shows the film thickness dependence of a transparent conductive film in the optical characteristics of the cathode layer of the organic EL display device shown in FIG.
3 shows the optical characteristics of the cathode layer of the organic EL display device shown in FIG.
FIG. 4 is a modification of the organic EL display device.
FIG. 5 shows optical characteristics of a cathode layer of a conventional organic EL display device.
FIG. 6 shows optical characteristics of a cathode layer of a conventional organic EL display device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL display apparatus, 10R, 10G, 10B ... Organic EL element, 11 ... Substrate, 12 ... Anode layer, 13 ... Organic EL layer, 13A ... Hole transport layer, 13B ... Light emitting layer, 13C ... Electron transport layer, 14 ... Cathode layer

Claims (6)

基板上に陽極層と、発光層を含む有機EL層と、陰極層とをこの順に備え、前記発光層での発光が前記基板の側から取り出される有機EL表示装置であって、
前記陰極層は、金属膜と透明導電膜とが交互に積層された構成を有し、
前記透明導電膜の厚さは500nm以上であり、
前記陰極層は、前記発光層で発生した赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光に対して反射特性を有し、前記基板の裏面から入射する外光のうち前記各色の波長領域以外の少なくとも可視波長領域の光に対しては吸収特性を有する
機EL表示装置。
An organic EL display device comprising an anode layer on a substrate, an organic EL layer including a light emitting layer, and a cathode layer in this order, wherein light emitted from the light emitting layer is extracted from the substrate side ,
The cathode layer has a configuration in which metal films and transparent conductive films are alternately laminated,
The transparent conductive film has a thickness of 500 nm or more,
The cathode layer has reflection characteristics with respect to light in the wavelength regions of each color of red, green, and blue generated in the light emitting layer, and other than the wavelength region of each color out of the external light incident from the back surface of the substrate Has absorption characteristics at least for light in the visible wavelength region
Organic EL display device.
前記陰極層は、前記発光層で発生した赤色、緑色および青色の各色の波長領域の光に対する反射率が60%以上であり、前記基板の裏面から入射する外光のうち前記各色の波長領域以外の少なくとも可視波長領域の光に対する吸収率が40%以上である
求項1記載の有機EL表示装置。
The cathode layer has a reflectance of 60% or more with respect to light in a wavelength region of each color of red, green, and blue generated in the light emitting layer, and other than the wavelength region of each color in external light incident from the back surface of the substrate The absorption coefficient for light in at least the visible wavelength region is 40% or more
The organic EL display device Motomeko 1 wherein.
前記金属膜がニオブ(Nb)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)または銀(Ag)からなる
求項記載の有機EL表示装置。
The metal film is made of niobium (Nb), aluminum (Al), magnesium (Mg), or silver (Ag).
The organic EL display device Motomeko 1 wherein.
前記透明導電膜が、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)、またはこれら材料のうちの2種以上を含む混合物からなる
求項記載の有機EL表示装置。
The transparent conductive film is made of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO), or a mixture containing two or more of these materials.
The organic EL display device Motomeko 1 wherein.
前記陰極層は、アルミニウム(Al)からなる第1金属膜、酸化インジウム錫(ITO)からなる透明導電膜、ニオブ(Nb)からなる第2金属膜が順に積層されたものである
求項記載の有機EL表示装置。
The cathode layer is to first metal film made of aluminum (Al), a transparent conductive film made of indium tin oxide (ITO), a second metal film made of niobium (Nb) are laminated in this order
The organic EL display device Motomeko 1 wherein.
前記陰極層の各膜厚は、その各膜の厚さをd、その各膜の屈折率をn、この多層膜に入射する入射光の波長をλとすると、各膜の光学的厚さndが入射光の波長λに対して数1に示した式を満足するEach film thickness of the cathode layer is defined as follows: d is the thickness of each film, n is the refractive index of each film, and λ is the wavelength of incident light incident on this multilayer film. Satisfies the equation shown in Equation 1 with respect to the wavelength λ of the incident light.
請求項1記載の有機EL表示装置。The organic EL display device according to claim 1.
(数1)(Equation 1)
nd=λ(α±1/4)(但し、αは自然数である) nd = λ (α ± 1/4) (where α is a natural number)
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