JP4353207B2 - 電気光学装置、補正値決定方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子などの電気光学素子の光量（パワー）を補正する技術に関する。

多数の電気光学素子が配列された電気光学装置においては、各電気光学素子の特性やこれを駆動する能動素子の特性の誤差（設計値との相違や各素子間のバラツキ）に起因した光量のムラが問題となる。特許文献１や特許文献２には、各発光素子に供給される電気エネルギを補正することで各々の光量のムラを解消する技術が開示されている。例えば、非補正時における各発光素子の光量が図２０のように範囲Δ0内でバラつく場合には、光量が少ない発光素子（例えば光量Ｐ0_aの発光素子Ｅ1）に供給される電気エネルギを、光量が多い発光素子（例えば光量Ｐ0_bの発光素子）Ｅ2の電気エネルギと比較して増加させることで、電気光学装置の使用が開始される時点ＴAにおける総ての発光素子の光量が所定値Ｐaveに調整される。
特開２００２−１４４６３４号公報 特開２００５−０８１６９６号公報

ところで、電気光学素子（特に有機発光ダイオード素子などの発光素子）は電気エネルギの供給に起因して経時的に劣化する。高い電気エネルギが供給される電気光学素子ほど劣化が促進されるから、図２０のように光量を補正した場合、非補正時の光量が少ない発光素子Ｅ1（すなわち電気エネルギが増加の方向に補正される発光素子）は、非補正時の光量が多い発光素子Ｅ2よりも迅速に劣化する。したがって、特許文献１や特許文献２の構成においては各発光素子の特性の誤差が経時的に拡大していくという問題がある。例えば、図２０のように総ての発光素子の光量が時点ＴAにて均一化されても、発光素子Ｅ1とＥ2との光量の相違は、時点ＴAから所定の時間が経過した時点ＴBではΔ1まで拡大し、さらには電気エネルギを補正しない場合の光量の範囲Δ0より大きくなる場合もある。以上の事情を考慮して、本発明は、各電気光学素子の光量のムラを長期間にわたって抑制するという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明は、階調値と補正値とに応じて光量が制御される複数の電気光学素子の各々について補正値を決定する方法であって、各々に同じ階調値を指定したときの各電気光学素子の光量を測定する光量測定過程（例えば図７のステップＳ10）と、光量測定過程にて第１光量（例えば図５の光量Ｐ0[v]）が測定された電気光学素子に所定の階 調値を指定したときの補正後の光量（例えば図５の光量ＰC[v]）が、第１光量を上回る第２光量（例えば図５の光量Ｐ0[u]）が光量測定過程にて測定された電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量（例えば図５の光量ＰC[u]）を上回るように、複数の電気光学素子の各々について補正値を決定する補正値決定過程（例えば図７のステップＳ20）とを含む。

以上の方法においては、第１光量が測定された電気光学素子の補正後の光量が、第１光量を上回る第２光量が測定された電気光学素子の補正後の光量を上回るように、各電気光学素子の補正値が決定される。したがって、各電気光学素子の光量が同値に補正される従来の構成と比較して、各電気光学素子の光量のムラが長期間にわたって抑制される。

本発明における電気光学素子は、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用（電気エネルギの付与）によって光量が変化する素子である。ただし、付与される電気エネルギに応じて特性の劣化の態様（例えば劣化の速度）が相違する素子（典型的には有機発光ダイオード素子などの発光素子）の光量の補正に本発明は特に好適である。

本発明の好適な態様における補正値決定過程では、複数の電気光学素子の各々に所定の階調値を指定したときの補正後の光量の分布する範囲（例えば図４や図５の範囲ΔC）が、光量測定過程にて複数の電気光学素子の各々に所定の階調値を指定したときに測定された光量の分布する範囲（例えば図４や図５の範囲Δ0）よりも狭くなるように、各電気光学素子について補正値を決定する。この態様によれば、補正後の光量の分布する範囲が抑制されるから、各電気光学素子の光量のムラを確実に低減することが可能となる。

さらに好適な態様に係る補正値決定方法は、光量測定過程にて測定された各電気光学素子の光量から基準光量を設定する過程（例えば図９のステップＳ21）を含み、補正値決定過程においては、光量測定過程にて測定された光量が基準光量を上回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を下回り、光量測定過程にて測定された光量が基準光量を下回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を上回るように、各電気光学素子について補正値を決定する。基準光量は、例えば光量測定過程にて測定された各電気光学素子の光量の平均値（Ｐave）である。以上の態様によれば、基準光量を上回る範囲と下回る範囲の双方に補正後の各電気光学素子の光量が分布するから、例えば総ての電気光学素子の光量が基準光量を下回る範囲のみ（または基準光量を上回る範囲のみ）に分布する構成と比較して、補正の前後にわたって複数の電気光学素子の全体的な光量が大幅に変化する可能性が低減される。例えば、補正後の電気光学素子の全体的な光量が補正前と比較して著しく低下するといった問題が解消される。

本発明の他の態様における補正値決定過程では、光量測定過程にて測定された光量が所定の範囲（例えば図１７の光量Ｐ0Aから光量Ｐ0Bまでの範囲）内にある各電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量が同値（図１７の例示では光量Ｐave）となるように、複数の電気光学素子の各々について補正値を決定する。以上の態様によれば、所定の範囲内にある各電気光学素子については補正後の光量が均一化されるから、総ての電気光学素子が別個の光量に補正される態様と比較して、各電気光学素子の光量のムラが抑制される。

本発明は、以上の方法で補正値を決定する装置（補正値決定装置）としても特定される。補正値決定装置は、各々に同じ階調値を指定したときの各電気光学素子の光量を測定する光量測定手段（例えば図６のセンサ５７）と、光量測定手段が第１光量を測定した電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量が、第１光量を上回る第２光量を光量測定手段が測定した電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量を上回るように、複数の電気光学素子の各々について補正値を決定する補正値決定手段（例えば図６の制御部５１）とを具備する。以上の構成によっても本発明の補正値決定方法と同様の作用および効果が奏される。

また、本発明は、以上の方法で決定された補正値に基づいて各電気光学素子の光量を補正する電気光学装置としても特定される。本発明の電気光学装置は、複数の電気光学素子と、複数の電気光学素子の各々を階調値と補正値とに応じた光量に制御する駆動手段と、各電気光学素子について補正値を記憶する記憶手段とを具備し、記憶手段に記憶された各補正値は、所定の階調値を指定したときに第１光量となる電気光学素子の補正後の光量が、所定の階調値を指定したときに第１光量を上回る第２光量となる電気光学素子の補正後の光量を上回るように選定されている。本発明の方法によれば各電気光学素子の光量のムラが長期間にわたって抑制されるから、電気光学装置を長寿命化することが可能となる。

なお、例えば駆動電流の供給によって電気光学素子が制御される構成においては、駆動電流の電流値およびパルス幅の何れかが補正値に応じて調整されてもよいし（例えば図１または図１２）、駆動電流の電流値およびパルス幅の双方が補正値に応じて調整されてもよい（例えば図１５）。

本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各態様に係る電気光学装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。この画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体と、像担持体を露光する本発明の電気光学装置と、像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る電気光学装置を原稿の照明に利用することが可能である。この画像読取装置は、以上の各態様に係る電気光学装置と、電気光学装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子などの受光素子）とを具備する。さらに、電気光学素子がマトリクス状に配列された電気光学装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など各種の電子機器の表示装置としても利用される。

＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。電気光学装置Ｄは、感光体ドラムを露光する露光装置（ラインヘッド）として電子写真方式の画像形成装置に採用される。図１に示すように、電気光学装置Ｄは、所望の画像に応じた光線を感光体ドラムに向けて放射するヘッドモジュール２０と、ヘッドモジュール２０の動作を制御するコントローラ３０とを含む。ヘッドモジュール２０とコントローラ３０とは、例えばフレキシブル配線基板（図示略）を介して電気的に接続される。

ヘッドモジュール２０は、発光部２２とインタフェース回路２４と駆動回路２６と記憶部２８とを含む。発光部２２には、ｎ個（ｎは自然数）の電気光学素子Ｅが主走査方向に沿って直線状に配列する。本実施形態の電気光学素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ（Electroluminescence）材料の発光層が介在する有機発光ダイオード素子である。インタフェース回路２４は、コントローラ３０と駆動回路２６との間で授受されるデータを中継する。

駆動回路２６は、各電気光学素子Ｅを駆動する手段であり、各々が別個の電気光学素子Ｅに対応するｎ個の単位回路Ｕを含む。なお、駆動回路２６は、ひとつまたは複数のＩＣチップで構成されてもよいし、各電気光学素子Ｅとともに基板の表面に形成された多数の能動素子（例えば半導体層が低温ポリシリコンで形成された薄膜トランジスタ）で構成されてもよい。

第ｉ段目（ｉは１≦ｉ≦ｎを満たす整数）の単位回路Ｕは、駆動信号Ｘiを生成して第ｉ段目の電気光学素子Ｅに出力する。図２に示すように、駆動信号Ｘiは、電気光学素子Ｅの制御の単位となる期間（以下「単位期間」という）Ｔuのうち階調値Ｇに応じたパルス幅ＷGにわたって電流値Ｉ[i]となり、その残余の期間にて電流値がゼロとなる電流信号である。電流値Ｉ[i]および階調値Ｇ（パルス幅ＷG）は、コントローラ３０からインタフェース回路２４を介して供給されるデジタルデータによって各単位回路Ｕに指定される。

図３は、各単位回路Ｕ（ここでは第ｉ段目の単位回路Ｕ）の構成を示すブロック図である。同図に示すように、単位回路Ｕは、電流生成回路２６１とパルス制御回路２６３とを含む。電流生成回路２６１は、電流値Ｉ[i]を指定するデータをコントローラ３０から取得して保持するとともに当該電流値Ｉ[i]の電流Ｃを生成するＤＡＣ（Digital to Analog Converter）である。パルス制御回路２６３は、単位期間Ｔuのうち階調値Ｇに応じたパルス幅ＷGにわたって電流Ｃを電気光学素子Ｅに出力し、それ以外の期間にて電流Ｃの出力を停止する。

図２に示すように、第ｉ段目の電気光学素子Ｅは、電流値Ｉ[i]に比例した強度（光度）でパルス幅ＷGにわたって発光し、駆動信号Ｘiの電流値がゼロに低下すると消灯する。したがって、電気光学素子Ｅは、電流値Ｉ[i]と階調値Ｇとに応じた光量（パワー）ＰC[i]に制御される。本明細書における電気光学素子Ｅの光量とは、発光の期間内における強度（光度）の積分値である。

図１の記憶部２８は、発光部２２を構成するｎ個の電気光学素子Ｅについて補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を記憶する手段である。ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）などの不揮発性のメモリが記憶部２８として好適に採用される。補正値Ａ[i]は、第ｉ段目の電気光学素子Ｅの光量を補正する程度を指定する数値であり、電気光学装置Ｄを製造する工程にて記憶部２８に書き込まれる。補正値Ａ[1]〜Ａ[n]の技術的な意義や各々を決定する方法については後述する。

図１に示すように、コントローラ３０は、制御部３１と記憶部３３と電流値設定部３５とを含む。制御部３１は、電気光学装置Ｄの電源が投入された直後に、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]をヘッドモジュール２０の記憶部２８から読み出して記憶部３３（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））に格納する。電流値設定部３５は、各単位回路Ｕの電流値Ｉ[i]を補正値Ａ[i]に基づいて設定する手段である。本実施形態の電流値設定部３５は、図２に示すように、総ての単位回路Ｕについて共通の初期値Ｉ0を補正値Ａ[1]〜Ａ[n]に基づいて補正することで電流値Ｉ[1]〜Ｉ[n]を算定する。さらに詳述すると、電流値設定部３５は、初期値Ｉ0と補正値Ａ[i]との乗算値を電流値Ｉ[i]として算定する（Ｉ[i]＝Ａ[i]×Ｉ0）。電流値設定部３５が算定した電流値Ｉ[i]はインタフェース回路２４を介して第ｉ段目の単位回路Ｕ（電流生成回路２６１）に指定される。

次に、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定する方法の概要を説明する。図４の部分(a)には、非補正時において各電気光学素子Ｅに階調値Ｇ0を指定した場合の各々の光量Ｐ0が図示されている。非補正時とは、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]に応じた光量の補正を実行しない場合（すなわち各単位回路Ｕの電流Ｃを初期値Ｉ0に設定した場合）である。各電気光学素子Ｅの特性や各単位回路Ｕを構成する能動素子の特性には誤差があるから、図４の部分(a)に示すように、非補正時の各電気光学素子Ｅの光量Ｐ0は所期値（設計値）に合致せず、最小値Ｐ0_aから最大値Ｐ0_bまでの範囲Δ0内に分散的に分布する。図４の部分(a)における光量Ｐaveは、ｎ個の電気光学素子Ｅの光量Ｐ0（Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]）の平均値（以下「基準光量」という）である。

図５は、非補正時の各電気光学素子Ｅの光量Ｐ0（横軸）と補正後の各電気光学素子Ｅの光量ＰC（縦軸）との関係を示すグラフである。同図の光量Ｐ0および光量ＰCは、図４と同様に、各電気光学素子Ｅに対して同じ階調値Ｇ0を指定した場合の光量である。なお、図５においては、基準光量Ｐaveを「１」として各電気光学素子Ｅの光量（Ｐ0，ＰC）が正規化されている。また、図４の部分(b)には、補正後の各電気光学素子Ｅの光量ＰCの経時的な変化が図示されている。

補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は、図４の部分(b)や図５に示すように、補正後の光量ＰCの分布する範囲ΔC（幅ｂ）が、非補正時の光量Ｐ0の分布する範囲Δ0（幅ａ）よりも狭くなる（ｂ＜ａ）ように選定される。すなわち、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]に応じた補正後の電流値Ｉ[1]〜Ｉ[n]によって各電気光学素子Ｅを駆動したときの光量ＰCのバラツキは非補正時の光量Ｐ0のバラツキよりも抑制される。

さらに、本実施形態における補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は、図５に示すように、非補正時の光量Ｐ0が多い電気光学素子Ｅほど補正後の光量ＰCが少なくなるように選定される。例えば、図５のように、第ｕ段目（ｕは１≦ｕ≦ｎを満たす整数）の電気光学素子Ｅの非補正時における光量Ｐ0[u]が、第ｖ段目（ｖはｖ≠ｕ，１≦ｖ≦ｎを満たす整数）の電気光学素子Ｅの非補正時における光量Ｐ0[v]を上回る場合を想定すると、第ｕ段目の電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[u]は、第ｖ段目の電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[v]を下回る。

さらに詳述すると、非補正時の光量Ｐ0が基準光量Ｐaveを上回る電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰCは基準光量Ｐaveを下回り、非補正時の光量Ｐ0が基準光量Ｐaveを下回る電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰCは基準光量Ｐaveを上回る。また、非補正時の光量Ｐ0が基準光量Ｐaveである電気光学素子Ｅについては補正後の光量ＰCも基準光量Ｐaveとなる。以上のように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を選定することで、図４の部分(b)の縦軸に示すように、電気光学装置Ｄが使用され始めた時点ＴAにおける補正後の光量ＰCは、光量Ｐ0_aを補正した光量ＰC_a（最大値）から光量Ｐ0_bを補正した光量ＰC_b（最小値）までの範囲ΔC内に分布する。

図５から理解されるように、第ｉ段目に位置する電気光学素子Ｅの非補正時の光量Ｐ0[i]と補正後の光量ＰC[i]とは以下の式(1)を満たす。
ＰC[i]＝(-b/a)×Ｐ0[i]＋{(a+b)/a}×Ｐave ……(1)
また、電気光学素子Ｅの光量は駆動信号Ｘiの電流値に比例するから（図２参照）、非補正時の光量Ｐ0[i]および初期値Ｉ0と補正後の光量ＰC[i]および電流値Ｉ[i]とは以下の式(2)を満たす。
Ｉ[i]／Ｉ0＝ＰC[i]／Ｐ0[i] ……(2)
本実施形態における電流値Ｉ[i]は初期値Ｉ0と補正値Ａ[i]との乗算値である。したがって、式(2)の関係から補正値Ａ[i]は以下の式(3)で算定される。
Ａ[i]＝ＰC[i]／Ｐ0[i] ……(3)

補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は以上の条件を満たすように選定されるから、図４の部分(b)に示すように、各電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[i]のバラツキは、電気光学装置Ｄが使用され始めた時点ＴAから時点ＴCに到達するまで経時的に縮小し、時点ＴCを経過した時点から拡大し始める。したがって、時点ＴAから光量のバラツキが経時的に拡大し続ける図２０の構成と比較して、時点ＴBにおける各電気光学素子Ｅの光量ＰC[1]〜ＰC[n]のバラツキ（Δ1）を抑制することが可能である。換言すると、光量ＰC[1]〜ＰC[n]のバラツキが許容範囲を超えるまでの時間が長期化されるから、電気光学装置Ｄの寿命を充分に確保することが可能となる。

次に、図６を参照して、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定する装置（以下「補正値決定装置」という）の構成を説明する。補正値決定装置５０は、コントローラ３０の実装前の段階にあるヘッドモジュール２０の各電気光学素子Ｅの光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]を測定した結果に基づいて補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定する装置であり、制御部５１とインタフェース回路５３と記憶部５５とセンサ５７とを含む。

制御部５１（例えばＣＰＵ（Central Processing Unit））は、プログラムの実行によって各種の処理を実行する。制御部５１は、インタフェース回路５３を介してヘッドモジュール２０に電気的に接続される。記憶部５５（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））は、制御部５１が生成した各種のデータを記憶する。センサ５７は、受光量に応じた信号を制御部５１に出力する受光素子（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device））である。センサ５７は、ヘッドモジュール２０の上方に配置されるとともに各電気光学素子Ｅの配列に沿って移動可能である。

図７は、制御部５１が実行する処理の概要を示すフローチャートである。同図に示すように、制御部５１は、初期光量測定処理（ステップＳ10）と補正値決定処理（ステップＳ20）と補正後光量測定処理（ステップＳ30）とをこの順番に実行する。初期光量測定処理は、各電気光学素子Ｅの非補正時の光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]を測定する処理（図８）である。補正値決定処理は、初期光量測定処理で測定した光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]から補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定する処理（図９）である。補正後光量測定処理は、補正値決定処理で決定した補正値Ａ[1]〜Ａ[n]の適否を判定する処理（図１０）である。各処理の具体的な内容は以下の通りである。

（ａ）初期光量測定処理（Ｓ10／図８）
図８に示すように、初期光量測定処理を開始すると、制御部５１は、センサ５７を所定の位置（例えば第１段目の電気光学素子Ｅの上方）に移動させたうえで（ステップＳ11）、各単位回路Ｕの電流生成回路２６１に初期値Ｉ0を指定する（ステップＳ12）。次いで、制御部５１は、ひとつの電気光学素子Ｅを識別するための変数ｋを「１」に初期化する（ステップＳ13）。

次いで、制御部５１は、駆動回路２６に階調値Ｇ0を出力することで第ｋ段目の電気光学素子Ｅを駆動する（ステップＳ14）。センサ５７は、ステップＳ14にて電気光学素子Ｅから受光した光量に応じた信号を出力する。制御部５１は、この信号に基づいて第ｋ段目の電気光学素子Ｅの光量Ｐ0[k]を測定して記憶部５５に格納する（ステップＳ15）。さらに、制御部５１は、変数ｋが電気光学素子Ｅの総数ｎと同値であるか否か（すなわち、総ての電気光学素子ＥについてステップＳ14およびＳ15の処理を実行したか否か）を判定する（ステップＳ16）。変数ｋが総数ｎを下回る場合、制御部５１は、変数ｋを更新して別の電気光学素子Ｅを選択し（ステップＳ17）、新たに選択した電気光学素子Ｅに対応する位置にセンサ５７を移動したうえで（ステップＳ18）、ステップＳ14およびＳ15の処理を繰り返す。したがって、ステップＳ16の判定の結果が肯定となる段階（ｋ＝ｎ）においては、図６に示すように光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]が記憶部５５に格納される。

（ｂ）補正値決定処理（Ｓ20／図９）
図９に示すように、補正値決定処理を開始すると、制御部５１は、初期光量測定処理で測定した光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]の平均値を基準光量Ｐaveとして算定する（ステップＳ21）。また、制御部５１は、変数ｋを「１」に初期化する（ステップＳ22）。

次いで、制御部５１は、初期光量測定処理で測定した光量Ｐ0[k]とステップＳ21で算定した基準光量Ｐaveとについて式(1)の演算を実行することで補正後の光量ＰC[k]を算定する（ステップＳ23）。図６に示すように光量ＰC[k]は記憶部５５に格納される。式(1)における数値ａ（光量Ｐ0の変動幅）は、光量Ｐ0[1]〜Ｐ0[n]の最大値と最小値との差分値として制御部５１が特定する。また、数値ｂは数値ａよりも小さい数値が例えば作業者の操作に応じて予め決定される。

次に、制御部５１は、光量Ｐ0[k]とステップＳ23で算定した光量ＰC[k]とについて式(3)の演算を実行することで補正値Ａ[k]を決定して記憶部５５に格納する（ステップＳ24）。制御部５１は、未処理の電気光学素子Ｅを順次に選択してステップＳ23およびＳ24の処理を繰り返し（ステップＳ25，Ｓ26）、ｎ個の電気光学素子Ｅについて補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を算定すると補正値決定処理を終了する（ステップＳ25：Yes）。

（ｃ）補正後光量測定処理（Ｓ30／図１０）
補正後光量測定処理を開始すると、制御部５１は、センサ５７を第１段目の電気光学素子Ｅの上方に移動させる（ステップＳ31）。そして、制御部５１は、補正値決定処理で決定した補正値Ａ[1]〜Ａ[n]に基づいて初期値Ｉ0を補正した電流値Ｉ[1]〜Ｉ[n]を駆動回路２６の各単位回路Ｕに指定する（ステップＳ32）。したがって、第ｉ段目の単位回路Ｕの電流生成回路２６１は電流値Ｉ[i]の電流Ｃを生成し始める。さらに、制御部５１は、変数ｋを「１」に初期化する（ステップＳ33）。

次いで、制御部５１は、初期光量測定処理のステップＳ14〜Ｓ18と同様に、階調値Ｇ0の出力による第ｋ段目の電気光学素子Ｅの駆動（ステップＳ34）と光量ＰC[k]の測定（ステップＳ35）とをｎ個の電気光学素子Ｅの各々について順次に実行する（ステップＳ34〜Ｓ38）。光量ＰC[1]〜ＰC[n]の測定が完了すると、制御部５１は、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が適正に決定されたか否かを判定するとともにその結果を出力したうえで（ステップＳ39）、補正後光量測定処理を終了する。ステップＳ39においては、例えば、光量ＰC[1]〜ＰC[n]が所定の範囲（例えば幅ｂの範囲ΔC）内に収まっているか否かに応じて補正値Ａ[1]〜Ａ[n]の適否が判定される。そして、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が不適である場合には、図７の処理が再び実行される。

図７の各処理を経て適正な補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定されると、制御部５１は、記憶部５５に記憶された補正値Ａ[1]〜Ａ[n]をヘッドモジュール２０に出力する。記憶部２８には、補正値決定装置５０から供給された補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が順次に格納される。以上の作業が完了すると、ヘッドモジュール２０にコントローラ３０が実装されて電気光学装置Ｄが完成する。

次に、図１１は、各電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[i]と各電気光学素子Ｅが実際に発光した時間の累積値（以下では単に「経過時間」という）ｔとの関係を計算した結果を示す数表であり、図１２は、図１１の各数値をプロットしたグラフである。ただし、図１１および図１２においては、基準光量Ｐaveを「１」として、非補正時の初期的な光量Ｐ0[i]が最大値「1.05」であった電気光学素子Ｅ_maxと、非補正時の初期的な光量Ｐ0[i]が最小値「0.95」であった電気光学素子Ｅ_minとの各特性が代表的に図示されている。また、図１１の数表ＴＢ0は、非補正時の光量が基準光量Ｐave（したがって補正後の光量も基準光量Ｐave）である電気光学素子Ｅ_stdの特性を示している。経過時間ｔは、電気光学素子Ｅ_stdの光量が初期値（経過時間ｔが「０」のときの光量）から１０％だけ低下する時点を「１」として正規化されている。

図１１の数表ＴＢ1は、図２０のように、各電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[1]〜ＰC[n]が基準光量Ｐaveと等しくなるように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定される構成（以下「対比例」という）の特性である。図１１の数表ＴＢ2は、図４のように、各電気光学素子Ｅの非補正時の光量Ｐ0[i]が多いほど補正後の光量ＰC[i]が小さくなるように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定される本実施形態の特性である。図１１の数表ＴＢ2に示すように、本実施形態における電気光学素子Ｅ_maxの光量ＰC[i]は「0.99」に補正され、電気光学素子Ｅ_minの光量ＰC[i]は「1.01」に補正される。

図１１の数表ＴＢ1やＴＢ2に表記されたバラツキδは、電気光学素子Ｅ_maxの補正後の光量ＰC[i]と電気光学素子Ｅ_minの光量ＰC[i]との差分値を電気光学素子Ｅ_stdの光量で除算した数値である。図１１の数表ＴＢ1や図１２のグラフＧＲ1に示されるように、対比例の構成におけるバラツキδは、経過時間ｔが「０」の時点ではゼロとなるが経時的に拡大していき、経過時間「１」では「0.336」まで拡大する。これに対し、図１１の数表ＴＢ2や図１２のグラフＧＲ2に示されるように、本実施形態の構成におけるバラツキδは、経過時間ｔが「０」の時点では「-0.02」であるが、経時的に縮小してから特定の時点（経過時間ｔが「0,6」付近である時点）にて拡大に転じ、経過時間ｔが「１」である時点においては「0.0180」に抑えられる。以上のように、本実施形態によれば、バラツキδが所定の範囲内に抑制される期間を確かに長期化することができる。

なお、図１１の数表ＴＢ2や図１２のグラフＧＲ2に示されるように、本実施形態の構成においては経過時間ｔが「０」である時点におけるバラツキδがゼロとならない。このバラツキδが余りに大きい場合には、画像形成装置から出力される画像の階調のムラが顕著となる可能性があるから、本実施形態においては、利用者が階調のムラを知覚できない範囲内にバラツキδが抑制されるように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定される。例えば、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は、経過時間ｔが「０」である時点のバラツキδが「0.05（電気光学素子Ｅ_stdの光量ＰC[i]の５％）」以下に抑制されるように選定され、さらに好適にはバラツキδが「0.03（３％）」以下となるように選定される。

＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態においては、駆動信号Ｘiの電流値Ｉ[i]を補正値Ａ[i]に応じて設定することで電気光学素子Ｅの光量ＰC[i]を補正する構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、駆動信号Ｘiのパルス幅を補正値Ａ[i]に応じて設定することで電気光学素子Ｅの光量ＰC[i]を補正する。なお、本実施形態のうち作用や機能が第１実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。

図１３は、本実施形態に係る電気光学装置Ｄの構成を示すブロック図である。本実施形態の電気光学装置Ｄは、図１の電流値設定部３５に代えてパルス幅設定部３７を具備する。記憶部３３は、第ｉ段目の電気光学素子Ｅの階調値Ｇがパルス幅設定部３７に供給されるタイミングで補正値Ａ[i]をパルス幅設定部３７に出力する。パルス幅設定部３７は、階調値Ｇに対応するパルス幅ＷGを補正値Ａ[i]に応じて変更したパルス幅Ｗ[i]を第ｉ段目の単位回路Ｕに指定する手段である。本実施形態のパルス幅設定部３７は、階調値Ｇ（パルス幅ＷG）と補正値Ａ[i]との乗算値をパルス幅Ｗ[i]として演算する。各単位回路Ｕの電流生成回路２６１には初期値Ｉ0が予め設定される。したがって、図１４に示すように、駆動信号Ｘiの電流値は、単位期間Ｔuのうち階調値Ｇに応じたパルス幅ＷGを補正したパルス幅Ｗ[i]にて初期値Ｉ0を維持するとともにそれ以外の期間にてゼロとなる。

補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は第１実施形態と同様の手順で決定される。各電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[i]は駆動信号Ｘiのパルス幅Ｗ[i]に比例するから、本実施形態においても図５に示すように、非補正時の光量Ｐ0[i]が多い電気光学素子Ｅほど補正後の光量ＰC[i]が低減される。すなわち、非補正時の光量Ｐ0[i]が基準光量Ｐaveを上回る電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[i]は基準光量Ｐaveを下回り、非補正時の光量Ｐ0[i]が基準光量Ｐaveを下回る電気光学素子Ｅの光量ＰC[i]は基準光量Ｐaveを上回る。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様に、各電気光学素子Ｅの光量のムラを長期間にわたって抑制できる。

ところで、第１実施形態のように駆動信号Ｘiの電流値Ｉ[i]の調整によって光量ＰC[i]を補正した場合と、本実施形態のように駆動信号Ｘiのパルス幅Ｗ[i]の調整によって光量ＰC[i]を補正した場合とでは、電気光学素子Ｅの寿命（電気光学素子Ｅの光量が初期値に対する所定の割合（例えば８０％）に低下するまでの時間長）が相違する。この点について詳述すると以下の通りである。

まず、図２のように駆動信号Ｘiの電流値をＩ0からＩ[i]に増加させることで電気光学素子Ｅの光量ＰC[i]を補正する場合、補正後の電気光学素子Ｅの寿命ＬＴ1は以下の式(4)で表現される。
ＬＴ1＝ＬＴ0×（Ｉ0／Ｉ[i]）^ｍ ……(4)
ただし、式(4)における「ＬＴ0」は、駆動信号Ｘiの電流値がＩ0に維持された場合の電気光学素子Ｅの寿命（すなわち非補正時の寿命）である。また、式(4)の「ｍ」は、電気光学素子Ｅの材料や構造に応じて定まる実数であり、例えば「２」または「３」である。式(4)のように、寿命ＬＴ1は補正後の電流値Ｉ[i]のｍ乗に反比例する。換言すると、電気光学素子Ｅの特性（光量）は電流値Ｉ[i]のｍ乗に比例する速度で経時的に低下していく。

一方、図１４のように駆動信号Ｘiのパルス幅をＷGからＷ[i]に増加させることで電気光学素子Ｅの光量を補正する場合、補正後の電気光学素子Ｅの寿命ＬＴ1は以下の式(5)で表現される。
ＬＴ1＝ＬＴ0×（ＷG／Ｗ[i]） ……(5)
すなわち、寿命ＬＴ1は補正後のパルス幅Ｗ[i]に反比例する。換言すると、電気光学素子Ｅの特性（光量）はパルス幅Ｗ[i]に比例する速度で低下していく。以上のように、駆動信号Ｘiのパルス幅Ｗ[i]を補正する本実施形態によれば、電流値Ｉ[i]を補正する第１実施形態と比較して、電気光学素子Ｅの経時的な劣化が抑制される（すなわち電気光学素子Ｅが長寿命化される）という利点がある。

なお、本実施形態のように階調値Ｇと補正値Ａ[i]とに応じて駆動信号Ｘiのパルス幅Ｗ[i]が設定される構成においては、階調値Ｇの供給に同期したタイミングで補正値Ａ[i]を記憶部３３からパルス幅設定部３７に順次に出力する必要があるから、コントローラ３０には高い動作周波数が要求される。これに対し、第１実施形態においては電気光学装置Ｄの電源の投入の直後に補正値Ａ[i]に応じた電流値Ｉ[i]を各単位回路Ｕに設定すれば足り、その後に補正値Ａ[i]を転送する必要はない。したがって、第１実施形態によれば、コントローラ３０に要求される動作周波数が低減されるという利点がある。

＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。

（１）変形例１
図１５に示すように、駆動信号Ｘiの電流値Ｉ[i]とパルス幅Ｗ[i]の双方が補正される構成（すなわち第１実施形態と第２実施形態とを組み合わせた構成）も採用される。図１５の構成における記憶部２８には、補正値Ａa[i]とＡb[i]とのセットが電気光学装置Ｄごとに記憶される。コントローラ３０は、補正値Ａa[i]に基づいて電流値Ｉ[i]（例えばＩ[i]＝Ｉ0×Ａa[i]）を設定する電流値設定部３５と、補正値Ａb[i]に基づいてパルス幅Ｗ[i]（例えばＷ[i]＝ＷG×Ａb[i]）を設定するパルス幅設定部３７とを含む。単位回路Ｕは、パルス幅Ｗ[i]にわたって電流値Ｉ[i]となる駆動信号Ｘiを生成する。補正値Ａa[i]およびＡb[i]は、駆動信号Ｘiを供給したときの電気光学素子Ｅの光量ＰC[i]が図５の関係を満たすように選定される。図１５の構成によっても第１実施形態や第２実施形態と同様の作用および効果が奏される。

（２）変形例２
非補正時の光量Ｐ0[i]と補正後の光量ＰC[i]との関係は図５の例示に限定されない。例えば、光量Ｐ0[i]とＰC[i]とが図１６や図１７の関係を満たすように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定してもよい。図１６の構成においては、非補正時の光量Ｐ0[i]が所定値Ｐ0Aを下回る電気光学素子Ｅについては補正後の光量ＰC[i]が固定値ＰC_maxとなり、非補正時の光量Ｐ0[i]が所定値Ｐ0B（＞Ｐ0A）を上回る電気光学素子Ｅについては補正後の光量ＰC[i]が固定値ＰC_minとなるように、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定される。また、図１７の構成においては、図１６の条件に加えて、非補正時の光量Ｐ0[i]が所定値Ｐ0A以上かつ所定値Ｐ0B以下である電気光学素子Ｅについては補正後の光量ＰC[i]が基準光量Ｐaveとなるように、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]が決定される。

また、以上の各形態においては、基準光量Ｐaveを上回る光量Ｐ0[i]が基準光量Ｐaveを下回る光量ＰC[i]に補正され、基準光量Ｐaveを下回る光量Ｐ0[i]が基準光量Ｐaveを上回る光量ＰC[i]に補正される場合を例示したが、補正後の光量ＰC[i]が基準光量Ｐaveの上下に分布する必要は必ずしもない。例えば、図１８に示すように、非補正時の光量Ｐ0[i]が最小値Ｐ0_aとなる電気光学素子Ｅについては補正の前後で光量を変化させず（ＰC[i]＝Ｐ0_a）、他の電気光学素子Ｅの補正後の光量ＰC[i]が最小値Ｐ0_aを下回るように補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を決定してもよい。

（３）変形例３
以上の各形態においては、階調値Ｇに応じて駆動信号Ｘiのパルス幅ＷGを制御する構成（パルス幅変調による階調制御）を例示したが、この構成に代えてまたはこの構成とともに、階調値Ｇに応じて駆動信号Ｘiの電流値を制御する構成としてもよい。また、補正値Ａ[i]を光量ＰC[i]に反映させるための演算は乗算に限定されない。例えば、第１実施形態においては補正値Ａ[i]と初期値Ｉ0との加算によって電流値Ｉ[i]を算定してもよいし、第２実施形態においては補正値Ａ[i]とパルス幅ＷGとの加算によってパルス幅Ｗ[i]を算定してもよい。図９のステップＳ23・Ｓ24にて実行される演算は、実際の補正時における補正値Ａ[i]の演算の内容に応じて決定される。

（４）変形例４
以上の各形態においては補正値Ａ[1]〜Ａ[n]を記憶する記憶部２８がヘッドモジュール２０に実装された構成を例示したが、記憶部２８がコントローラ３０に実装された構成も採用される。なお、補正値Ａ[1]〜Ａ[n]は各電気光学素子Ｅの特性に応じた数値であるから、コントローラ３０に記憶部２８が搭載された電気光学装置Ｄを量産する場合には、ヘッドモジュール２０とコントローラ３０との対応を電気光学装置Ｄごとに管理する必要がある。図１の構成においては、記憶部２８が発光部２２とともにヘッドモジュール２０に配置されるから、電気光学装置Ｄごとに各電気光学素子Ｅの特性が相違する場合であっても、総ての電気光学装置Ｄについて共通のコントローラ３０を採用することが可能である。すなわち、図１の構成によれば、ヘッドモジュール２０とコントローラ３０との対応の管理が不要となるから、電気光学装置Ｄの製造工程が簡素化されるという利点がある。

（５）変形例５
有機発光ダイオード素子は電気光学素子Ｅの例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学素子について、自身が発光する自発光型と外光の透過率を変化させる非発光型（例えば液晶素子）との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型と電圧の印加によって駆動される電圧駆動型との区別は不問である。例えば、無機ＥＬ素子、フィールド・エミッション（ＦＥ）素子、表面導電型エミッション（ＳＥ：Surface-conduction Electron-emitter）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic electron Surface emitting）素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミック素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。

＜Ｄ：応用例＞
次に、以上の各形態に係る電気光学装置Ｄを利用した画像形成装置の構成を説明する。
図１９は、以上の各形態に係る電気光学装置Ｄを採用した画像形成装置の構成を示す断面図である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係る４個の電気光学装置Ｄ（ＤK，ＤC，ＤM，ＤY）と、各電気光学装置Ｄに対応する４個の感光体ドラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。ひとつの電気光学装置Ｄは、これに対応した感光体ドラム７０の像形成面（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。

図１９に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。

各感光体ドラム７０の周囲には、電気光学装置Ｄのほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の像形成面を一様に帯電させる。この帯電した像形成面を各電気光学装置Ｄが露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像剤（トナー）を付着させることで感光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。

以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これに対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。

シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。

以上に例示した画像形成装置は有機発光ダイオード素子を光源（露光手段）として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の構成の画像形成装置にも電気光学装置Ｄを適用することができる。例えば、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置にも電気光学装置Ｄを利用することが可能である。

なお、電気光学装置Ｄの用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、電気光学装置Ｄは、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。

また、電気光学素子Ｅがマトリクス状に配列された電気光学装置は、各種の電子機器の表示装置としても利用される。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などがある。

第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 駆動信号の波形と電気光学素子の動作との関係を示すタイミングチャートである。 単位回路の構成を示すブロック図である。 補正後の光量の経時的な変化を示すグラフである。 補正の前後における電気光学素子の光量の関係を示すグラフである。 補正値決定装置の構成を示すブロック図である。 補正値を決定する手順を示すフローチャートである。 初期光量測定処理の手順を示すフローチャートである。 補正値決定処理の手順を示すフローチャートである。 補正後光量測定処理の手順を示すフローチャートである。 実施形態の効果を説明するための数表である。 実施形態の効果を説明するためのグラフである。 第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 駆動信号の波形と電気光学素子の動作との関係を示すタイミングチャートである。 変形例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 補正の前後における電気光学素子の光量の関係を示すグラフである。 補正の前後における電気光学素子の光量の関係を示すグラフである。 補正の前後における電気光学装置の光量の関係を示す模式図である。 画像形成装置の具体的な形態を示す断面図である。 従来の構成における補正後の光量の経時的な変化を示すグラフである。

符号の説明

Ｄ……電気光学装置、２０……ヘッドモジュール、２２……発光部、Ｅ……電気光学素子、２４……インタフェース回路、２６……駆動回路、Ｕ……単位回路、２６１……電流生成回路、２６３……パルス制御回路、２８……記憶部、３０……コントローラ、３１……制御部、３３……記憶部、３５……電流値設定部、５０……補正値決定装置、５１……制御部、５３……インタフェース回路、５５……記憶部、５７……センサ。

Claims (6)

1. 階調値と補正値とに応じて光量が制御される複数の電気光学素子の各々について前記補正値を決定する方法であって、
   各々に同じ階調値を指定したときの前記各電気光学素子の光量を測定する光量測定過程と、
   前記光量測定過程にて第１光量が測定された電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量が、前記第１光量を上回る第２光量が前記光量測定過程にて測定された電気光学素子に前記所定の階調値を指定したときの補正後の光量を上回るように、前記複数の電気光学素子の各々について補正値を決定する補正値決定過程と、
   前記光量測定過程にて測定された前記各電気光学素子の光量から基準光量を設定する過程と、を含み、
   前記補正値決定過程においては、前記光量測定過程にて測定された光量が前記基準光量を上回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を下回り、前記光量測定過程にて測定された光量が前記基準光量を下回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を上回るように、前記各電気光学素子について補正値を決定し、
   前記補正値決定過程においては、さらに、前記複数の電気光学素子の各々に前記所定の階調値を指定したときの補正後の光量の分布する範囲が、前記光量測定過程にて前記複数の電気光学素子の各々に前記所定の階調値を指定したときに測定された光量の分布する範囲よりも狭くなるように、前記各電気光学素子について補正値を決定する
   補正値決定方法。
2. 前記補正値決定過程においては、前記光量測定過程にて測定された光量の最大値を最大光量、前記光量測定過程にて測定された光量の最小値を最小光量とした場合に、前記光量測定過程にて測定された光量が、前記基準光量を含む範囲であって、前記最小光量を上回り、かつ、前記最大光量を下回る所定の範囲内にある各電気光学素子に所定の階調値を指定したときの補正後の光量が、前記所定の範囲内にある各電気光学素子について前記基準光量となるように、前記所定の範囲内にある電気光学素子の各々について補正値を決定する
   請求項１に記載の補正値決定方法。
3. 複数の電気光学素子と、
   前記複数の電気光学素子の各々を階調値と補正値とに応じた光量に制御する駆動手段と、
   前記各電気光学素子について補正値を記憶する記憶手段とを具備し、
   前記記憶手段に記憶された前記各補正値は、所定の階調値を指定したときに第１光量となる電気光学素子の補正後の光量が、前記所定の階調値を指定したときに前記第１光量を上回る第２光量となる電気光学素子の補正後の光量を上回るように選定されており、
   前記複数の電気光学素子の各々に前記所定の階調値を指定したときに測定された前記各電気光学素子の光量から基準光量が設定され、
   前記測定された光量が前記基準光量を上回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を下回り、前記測定された光量が前記基準光量を下回る電気光学素子の補正後の光量が当該基準光量を上回るように、前記各電気光学素子について補正値が選定されており、
   さらに、前記複数の電気光学素子の各々に前記所定の階調値を指定したときの補正後の光量の分布する範囲が、前記光量測定過程にて前記複数の電気光学素子の各々に前記所定の階調値を指定したときに測定された光量の分布する範囲よりも狭くなるように、前記各電気光学素子について補正値が選定されている
   電気光学装置。
4. 前記駆動手段は、補正値に応じて電流値またはパルス幅が設定された駆動電流の供給によって電気光学素子を制御する
   請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記駆動手段は、補正値に応じて電流値およびパルス幅の双方が設定された駆動電流の供給によって電気光学素子を制御する
   請求項３に記載の電気光学装置。
6. 請求項３から請求項５の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。

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