JP4351374B2 - 基板処理システム、サセプタ支持装置、基板支持システム及びサセプタ支持フレーム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子工業分野における基板処理システムに関し、特に、基板処理システムにおいて基板を支持するための方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
集積回路(IC),パネルディスプレー(FPD)及びその他の電子部品を製造するために、物理蒸着(PVD),化学気相堆積(CVD),エッチング,電気メッキ,平坦化及びその他の処理が行われる基板が使用される。通常ウェハとして知られている円形の基板は、堆積及びその他の処理後にウェハを切断して個々のダイもしくはチップとすることにより複数のICを形成するために使用されている。半導体ウェハの代表的な大きさは、0.5mm未満の厚さ及び約60グラムの重量をもつ約200mmのサイズである。プロセス室において基板表面全体にわたる一様な堆積を確実にするため、通常の基板処理は基板の平面支持を必要とする。比較的に小さいサイズで軽量のウェハの場合、平面処理位置もしくは姿勢を保持するために、最低限の構造的支持しか必要としない。
【0003】
概念上、FPDは、エッチング,堆積及び平坦化のようなICの製造の際に行われるのと同様の処理により製造される。一般に、多層金属配線,液晶セル及びその他のデバイスをガラス基板上に形成してFPDが製造される。種々のデバイスを1つのシステムとして統合し、前記システムを集合的に使用して例えば能動マトリックス・ディスプレイスクリーンが製作される。このディスプレイスクリーンにおいては、ディスプレイ状態がFPD上の個々の画素に電気的に生成される。FPDの全表面にわたる処理の総合的一様性は、適正に機能するためにFPDには重要であり、また、全体的に見たFPDの欠陥はゼロに近づけさせる必要がある。
【0004】
典型的なガラス基板は、約200mm×300から約680×約880mmへとサイズが増しており、重量は約2〜約3Kgである。このサイズは、大型スクリーンもしくはディスプレイに対する需要が増しているので、増大し続けている。
【0005】
図1は、頂壁4と、底壁6と、側壁8と、支持板18と、FPD用基板12を支持するため内部に配置されたサセプタ22とを有するCVDチャンバのような処理室2の概略断面図である。一般に、CVD処理とは、堆積すべき所要成分を含む、「反応物」と呼ばれる気相化学物質の反応によって、基板上に不揮発性固体層を形成することである。反応物はシステムに入り、基板に対し分解及び/又は反応して、同基板上に所望の材料層を形成する。反応ガスは、ガス入口14を通って、処理室の頂壁近くに装着されたガスマニホルド16に流入する。側壁8に配置された開口10は、ロボット(図示せず)が基板12を処理室に配送したり同処理室から回収することを可能にしている。支持板18は、支持軸20に接続されると共にサセプタ22を支持する。支持板18は、通常、酸化アルミニウムのようなセラミック材料の単一矩形板から形成されていて、サセプタ22の面積を緊密に覆っている。サセプタ22は、歴史的に見て、アルミニウム製の単一矩形板で形成されてきており、そして通常、電源24からエネルギを供給されるヒータ(図示せず)で加熱される。680mm×880mm基板のような大型基板に適応するような大きさに作られたサセプタは、約130Kgの重量となりうる。もっと大型の基板は、約230Kgの重量をもつより大きなサセプタを必要とすることがある。
【0006】
CVDプロセスの通常の温度は約430℃に達しうる。アルミニウムは約660℃で「液体」タイプの特性を呈し始める。従って、CVDプロセスの動作範囲で、アルミニウム製サセプタ22は撓むもしくは変形することがあり、適切な支持がないと「垂れ下がる」。セラミック材料の支持板18は延性のアルミニウム製サセプタを支持するために使用されてきた。しかし、セラミックは比較的に伝熱性の劣った伝導体であり、従って、加熱されたサセプタに接触する支持板18の高温側上面と支持板18の低温側下面との間に温度勾配を示す。この温度勾配により基板の高温側上面は低温側の下面よりも長く膨張し、その結果、支持板18がその外周で下方に変形する。更に、支持板18が変形するにつれて、延性アルミニウム製サセプタは変形した支持板に準じて変形することになる。サセプタにより支持された基板はサセプタに順応する傾向があり、従って、基板も変形してくる。その結果、ガスマニホルド16及び基板12間の垂直方向の間隔が、マニホルドからの長さ34を有する基板の中心部ともっと長い長さ36を有する周辺領域との間で変化する。この間隔の差は堆積及びその他の処理一様性を低減させる。
【0007】
従って、基板、特に大型基板についての変形を減じる支持構造を有するシステムの必要性が存在する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プロセス室における熱膨張中に受ける変形を最小にする支持フレームを有する、基板支持のための方法及び装置を提供する。一実施形態においては、支持フレームは、1つ以上の横断部材に結合される1つ以上の長手部材を備えている。横断部材は、加熱されたサセプタが装着される支持表面を画成する。長手部材は、加熱されたサセプタよりも下方に配置されるのが好ましく、こうして長手部材の熱膨張を最小にする。熱伝導材料から形成されたスペーサは、前記部材に沿った適切な個所に配置されていて、前記部材内の熱分布をより均一にすると共に、垂直方向の撓みもしくは変形に対して補償しうる。
【0009】
本発明は、別の局面によると、少なくとも1つのチャンバと、前記チャンバの近くに配置されるロボットと、少なくとも1つの長手部材、及び前記長手部材に結合される少なくとも1つの横断部材を有する支持フレームとを備える基板処理システムを提供している。もう1つの局面において、本発明は、1つ以上の横断部材を支持する長手部材を備える、サセプタ支持装置を提供する。また、他の局面において、本発明は、基板処理システムにおける支持フレームで基板を支持するための装置であって、前記支持フレームが、少なくとも1つの長手部材と、前記長手部材に結合された少なくとも1つの横断部材とを備える基板支持装置を提供している。
【0010】
本発明の上述した特徴,利点及び目的を達成する方法が詳しく理解できるように、添付図面に記載された実施形態を参照すると上に要約した本発明の更なる具体的説明が得られる。
【0011】
しかし、添付図面は本発明の代表的な実施形態を示すに過ぎず、従って、本発明の範囲を限定するものと考えてはならず、本発明については、同様の効果をもつ他の実施形態にも適用される余地がある。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明は、総括的には、基板を支持するための方法及び装置を提供する。本発明が提供する支持フレームは、熱膨張する間に受ける撓みもしくは変形を最小にすると共に、サセプタ及び/又は基板を支持する表面を提供している。一実施形態では、1つ以上の横断部材に接続される1つ以上の長手部材を備えている。好ましいのは、横断部材がサセプタと熱伝達関係で配置されることである。長手部材は、サセプタから離間した位置で横断部材に結合されていて、加熱により生ずる熱膨張差を最小にするためサセプタとの直接接触を避けている。
【0013】
図2は、米国カリフォルニア州サンタクララに事業所をもつアプライド・コマツ・テクノロジー・インコーポレイテッド(Applied Komatsu Technology, Inc.)から入手しうるCVDチャンバのような化学気相堆積(CVD)チャンバ38の概略側面図である。このチャンバ38は、頂壁40と、底壁42と、側壁44と、前記側壁に設けられた開口46とを、前記開口を介して基板がチャンバに配送されたり前記チャンバから回収されたりする平行板式CVDチャンバである。前記チャンバ38は、ディフューザとして知られるガス分配マニホルド48を含んでおり、前記マニホルドにある穿孔を介して、プロセスガスをサセプタ52上に乗る基板50に分散させる。
【0014】
サセプタ52は、支持フレーム54に装着され、そしてこの支持フレーム54は支持軸56に装着されている。サセプタ52は、通常、アルミニウムの板であり、前記サセプタ52に埋設された抵抗ヒータ(図示せず)により加熱される。このヒータは、堆積中、サセプタ及び基板の迅速且つ均一な加熱を行う。サセプタ52とその上に支持された基板50とは、マニホルド48及び基板50間の間隔を調節するために、Z軸ドライブとして知られる昇降モータ58により制御可能に移動される。この間隔は、典型的には、約200ミル〜約1000ミルの間の範囲にある。サセプタ52は、下方の装入/装出位置と、マニホルド48の直ぐ近くにある上方の処理位置との間で可動である。昇降ピン62を有する昇降板60は支持フレーム54の下方に配置されている。支持フレーム54が下降するときに、昇降ピン62は、支持フレーム54内のスペースを通り、サセプタ52にある穴64から突出して、基板50をサセプタから持ち上げ、基板50のチャンバ38への配送と前記チャンバ38からの回収を容易にする。或いは、複数の穴を支持フレームの1つ以上の部材に設けて、この昇降ピン62が前記部材を通り、そしてサセプタを通り突出して、基板をサセプタから持ち上げるようにすることができる。絶縁体66はサセプタ52及び基板50を囲んでいる。
【0015】
堆積及びキャリヤガスは、ガス供給ライン72を介して混合装置74に送り込まれ、そこで前記ガスは混合されてからマニホルド48に送られる。或いは、混合装置74を省略してガスをマニホルド48に直接流れさせてよい。各プロセスガスのガス供給ライン72は、通常、i)特に有毒ガスがプロセスで使用される場合、チャンバ38へのプロセスガスの流入を自動で又は手動で遮断するのに使用できる安全遮断弁(図示せず)と、ii)ガス供給ラインを通るガスの流量を測定する質量流量コントローラ(同じく図示せず)とを含んでいる。処理の間、マニホルド48に流れたガスは、基板の全面積にわたり一様に分配される。排気ガスは、真空系統70によりポート68から排出される。前記真空系統は、チャンバ38からのガスの排出量を制御することによりチャンバ38における圧力を制御する絞り弁(図示せず)を有する。
【0016】
チャンバ38において行われる堆積プロセスは、熱プロセス或いはプラズマ増速プロセスのような任意のプロセスとすることができる。プラズマ増速プロセスにおいては、制御プラズマは、RF電源76からガス分配マニホルド48に、或いは別のプラズマ付勢装置もしくは構造に与えられたRFエネルギにより、基板近くに形成される。サセプタ52は接地されており、また、マニホルド48はチャンバ表面から電気的に絶縁されている。プラズマはガス分配マニホルド48と基板50の間に反応領域を生成し、この反応領域がプロセスガス間の反応を促進する。RF電源76は単一又は混合周波数RF電力をマニホルド48に供給して、チャンバ38に導入された反応化学種の分解を増速することができる。混合周波数RF電源は、典型的には、約13.56MHzの高RF周波数(RF1)及び約350kHzの低RF周波数(RF2)で電力を供給する。
【0017】
通常、チャンバライニング,ガス分配マニホルド48,支持軸56,及びその他種々のチャンバ関連ハードウエアの何れか或いは全ては、アルミニウム又はアルミニウム酸化物のような材料から形成される。CVDチャンバの例は、ワング(Wang)等に付与されると共に、本発明の譲受人であるアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドに譲渡された米国特許第5,000,113号明細書「熱CVD/PECVDチャンバ,二酸化ケイ素の熱化学気相堆積の使用法及びインサイチュウ多段平坦化プロセス(Thermal CVD/PECVD Chamber and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and In-situ Multi-step Pla-narized Process)」に記載されている。
【0018】
昇降モータ58,ガス混合装置74及びRF電源76は制御ライン80を介してシステムコントローラ78により制御される。チャンバは、質量流量コントローラ(MFC),RF発生器及びランプ磁気ドライバのようなアナログアセンブリを含んでおり、これらは、メモリ82に保存されたシステム制御用ソフトウエアを実行するシステムコントローラ78によって制御される。種々のモータ及び光センサは、サセプタ52を位置決めするため真空系統70の絞り弁及び昇降モータ58のような可動機械アセンブリの位置を移動、検出するのに使用される。システムコントローラ78は、CVDチャンバの全ての動作を制御すると共に、好ましくは、ハードディスクドライブ,フロッピーディスクドライブ及びカードラックを含んでいる。このカードラックは、シングルボードコンピュータ(SBC),アナログ/デジタル入出力ボード,インターフェースボード,及びサセプタモータコントローラボードを含んでいる。前記システムコントローラは、ボード,カードケージ,及びコネクタ寸法及び型式を規定しているコンピュータのVME(VME=Versa Modular Europeans)規格に準拠していることが好ましい。
【0019】
図3は、支持フレーム54の側面図である。支持軸56はこの支持フレーム54に結合され、前記支持フレーム54によりサセプタ52が支持される。一実施形態において、支持フレーム54は、少なくとも1つの長手部材84と、前記長手部材84に装着された、好ましくは複数である、少なくとも1つの横断部材86とを備えている。或いは、長手部材及び横断部材は、例えば、各部材にスロットを形成して対応する他の部材が入るようにすることで、単一面内に配置することができる。長手部材84及び横断部材86は矩形断面を有するが、他の形状を採用することができる。好ましいのは、支持フレームが加熱されたサセプタのような熱源と長手部材との間に横断部材を間挿していることであり、そうすると、長手部材が加熱されたサセプタに直接に接触しなくなるので、長手部材の熱膨張が減少する。長手部材及び横断部材は、酸化アルミニウムのようなセラミック材料、又は他の構造的に適する材料で製作される。ある場合には、この材料は、ステンレス鋼のように、耐熱性があり且つアルミニウムと比較して熱膨張率の低い金属合金とすることができる。
【0020】
図4は、図3に示した支持フレームの概略平面図である。複数の横断部材86a〜86dが長手部材84の上方に配置されている。前記横断部材は互いに間隔を置いて配置されていて、横方向にスペース88a〜88cを画成している。加熱されたサセプタ52(図3に示す)との直接の接触を回避することにより長手部材の熱膨張を減じることが好ましい。
【0021】
支持フレーム54は、熱膨張を幾つかの小さな部材に分散させると考えられる。本発明の諸部材はもっと均一に膨張することができ、従って、応力割れが減少する。例えば、長手部材の最大膨張は、長手部材の長さに沿った方向90に起こる。方向90への長手部材84の膨張は、横断部材間に分離があるため、典型的な支持板と比較して横断部材86a,86bに対する影響が少ない。膨張は、好ましくは横スペース88a〜88cにより分離された横断部材間に分けられる。同様に、一様に加熱されたサセプタと接触している方向92への横断部材86の総膨張は、横断部材の長さの累積効果のため、中央部よりも横断部材の端部での方が一般的に大きい。従って、方向92への横断部材の膨張は、典型的な支持板と比較して、横断部材に結合された中央配置の長手部材に対する横方向の影響がより小さい。
【0022】
支持フレームは、アルミニウムと比較して低い熱伝達率を積極的に使用して、長手部材をサセプタの熱から熱絶縁して、熱膨張を更に低減する。好ましいのは、横断部材86のみが図3に示したサセプタ52と接触することである。横断部材におけるセラミック材料の熱抵抗により、長手部材84に導かれる熱が低減もしくは解消される。長手部材はサセプタから離間して装着されることにより、加熱された前記サセプタと熱的に接触しないため、長手部材の熱膨張は、少なくともその長さに沿って最小とされると考えられる。その結果、長手部材は頂面から底面への温度勾配がより少なくなり、少なくとも長手部材における撓みもしくは変形が最小にされる。
【0023】
また、支持フレーム54は、図3及び図4において前記支持フレーム54に組み付けられて示されたスペーサ94を含むことができる。このスペーサ94は、どんな撓みが生じても、支持フレームの撓みもしくは変形を吸収する。例えば、横断部材86は加熱されたサセプタ52との接触により変形しうる。1つ以上のスペーサを、経験的に決めうる変形の起こる横断部材86の何れかの頂面に好ましくは沿って、支持フレームに組み付けて、サセプタ52の平面度を維持するためスペーサの頂面及び支持フレームの上面の2次元的なアラインメントを提供しうる。例えば、変形が1つの横断部材86aの一端及び別の横断部材86dの別の端部に起きると決められれば、これらの個所にスペーサ94を配置しうる。或いは、各部材の各端部上にスペーサが配置されてもよい。
【0024】
スペーサ94は、通常、変形の起こる前に所定位置に配置され、支持フレーム54の表面の少なくとも一部の上方にサセプタ52を支持する。処理中に支持フレーム54が変形するときには、サセプタ52は、スペーサと、通常は支持フレームの中央部である支持フレームの一部とにより支持され、サセプタを満足の行く平面位置に定着させる。
【0025】
図5はスペーサ94の概略側面図である。図6はスペーサの概略底面図である。スペーサ94はほぼC形であり、2つの端部96を有している。図6に最も良く示すように、スペーサは矩形の平面形状である。好ましくは、スペーサの端部96は、横断部材86を掴んで除去されるまで所定位置に留めておくように、角度が付けられ且つ大きさが作られている。
【0026】
スペーサは、アルミニウムのような伝導性材料で形成するのが好ましい。この伝導性材料は、熱がより均一にスペーサ全体に、そして端部96を回って横断部材86の側部に伝わるのを可能にする。従って、横断部材の上面にある熱は、横断部材の下面に熱的に拡散することを許容される。横断部材における温度勾配はスペーサの領域で軽減され、諸部材の応力割れが更に減少する。
【0027】
図7は、スペーサ98の別の実施形態の概略図である。このスペーサ98は、例えば横断部材86を囲むバンドを形成することができる。スペーサ98は、前記スペーサ98が「カバー」を形成するように、底部99を含むことができる。前記スペーサ98は、このスペーサにより囲まれている部材の周囲により一様に熱を分散させると考えられる。
【0028】
図2に示したCVDチャンバは、他のチャンバを使用するシステムにも同様に組み入れることができる。例えば、図8は、例示的なクラスタ処理システム100の概略平面図である。蓋体124の一部は、この処理システム100の詳細を明らかにするため切り欠かれている。前記処理システム100は、通常、クラスターツールとして知られている。かかる処理システムの一例は、アプライド・コマツ・テクノロジー・インコーポレイテッドから入手しうる。段階的に減圧する基板処理システムの一例は、1993年2月16日にテップマン(Tepman)等に付与された米国特許第5,186,718号明細書「段階的に減圧するウェハ処理システム及び方法(Staged-Vacuum Wafer Processing System and Method)」に詳細に開示されており、この米国特許は参照によりこの明細書に組み込まれる。チャンバの正確な配列及び組合せは、製造プロセスの特定ステップを実行するために変更しうる。インラインプロセスシステムのような他の処理システムをクラスターツール式処理システムに代えて使用してもよい。
【0029】
処理システム100は、通常、複数のチャンバ及びロボットを備えると共に、好ましくは、同処理システム100において実行される種々の処理方法を制御するようプログラムされたマイクロプロセッサ/コントローラ102を備えている。フロントエンド装置もしくは前置装置104は、1対のロードロック室106と選択的に連絡する状態に配置して示されている。フロントエンド装置104に配置されたポッドローダー108は、基板のカセットをロードロック室106に対して往復動させるため直線・回転運動が可能である。ロードロック室106は、フロントエンド装置104と搬送チャンバ110との間に第1の真空境界を提供する。搬送チャンバ110内には中央にロボット112が配置されていて、基板をロードロック室106から種々のプロセス室114及びサービスチャンバ115の1つに搬送する。このロボット112は、伸張,退縮,及び回転が可能なカエル脚型ロボットであり、ステップモータによって作動される。ロボットのリンク機構118に接続された支持部材116は、搬送チャンバ110を通る、プロセス室114,サービスチャンバ115及びロードロック室106間の搬送中、基板120を支持するようになっている。プロセス室114は、PVD,CVD,電気メッキ及びエッチングのような任意の数のプロセスを行うことができ、一方、サービスチャンバ115は脱ガス,方向付け,冷却等に適合するようになっている。搬送チャンバ110の蓋体124に形成された多数の検査ポート122は、搬送チャンバ110内への目視によるアクセスを可能にする。上述したシステムは具体例であるが、本発明は基板を支持する任意の配列に適応しており、従って、本発明の他の適応例も企図されていることは言うまでもない。
【0030】
支持フレーム,支持部材,基板,チャンバ,及びその他の諸システム構成要素の方向を変更することは可能である。加えて、この明細書に記載された「上方」,「頂部」,「下方」,「下部」,「底部」,「側部」等のような全ての運動及び位置に関する用語は、支持フレーム,支持部材,基板,及びチャンバのような対象物の位置を基準としている。従って、本発明は、処理システムにおける基板の所望の支持を実現すべく諸構成要素の何れか或いは全てを適応させることを企図している。
【0031】
上述の説明は本発明の好適な実施形態に向けられているが、本発明のその他の実施形態及び更に進んだ実施形態も本発明の基本的範囲から逸脱することなく創出しうる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単一支持板を有する典型的な化学気相堆積(CVD)システムの概略断面図である。
【図2】本発明の支持フレームを有するCVDチャンバの概略断面図である。
【図3】この支持フレームの概略側面図である。
【図4】この支持フレームの概略平面図である。
【図5】スペーサの概略側面図である。
【図6】このスペーサの概略平面図である。
【図7】スペーサのもう1つの実施形態の概略図である。
【図8】支持フレームと共に有利に使用される処理システムの概略平面図である。
【符号の説明】
38 チャンバ
50 基板
52 サセプタ
54 支持フレーム
56 支持軸
84 長手部材
86 横断部材
86a〜86d 横断部材
88a〜88c スペース
94 スペーサ
112 ロボット
Claims (40)
- 高温プロセスを実行し該高温プロセスにてサセプタが高温にさらされて変形する基板処理システムであって、
a)少なくとも1つのチャンバと、
b)前記少なくとも1つのチャンバに基板を搬送するロボットと、
c)前記サセプタを支持するための支持フレームであって、少なくとも1つの長手部材と、前記長手部材に結合される複数の横断部材とを有する、当該支持フレームと
を備え、
前記複数の横断部材は、当該横断部材同士の間に少なくとも1つの横スペースを画成するように配列されている、基板処理システム。 - 前記少なくとも1つの長手部材が、前記複数の横断部材のうち少なくとも2つを支持する、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記支持フレームに結合される支持軸を更に備える、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記サセプタは、基板を支持するための面を備え、前記サセプタは前記支持フレームの上に配置される、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記複数の横断部材は、前記長手部材に装着されていて、前記複数の横断部材の上面にサセプタ支持面を画成している、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記複数の横断部材は、前記サセプタと前記長手部材との間に配置されている、請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記複数の横断部材の上面は、前記サセプタに接触すると共に、前記長手部材を前記サセプタから熱絶縁している、請求項6に記載の基板処理システム。
- 前記支持フレームに結合される少なくとも1つのスペーサ部材を更に備える、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記支持フレームの少なくとも一部はセラミック材料から構成されている、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記複数の横断部材はセラミック材料から構成されている、請求項7に記載の基板処理システム。
- 高温プロセスを実行し該高温プロセスにてサセプタが高温にさらされて変形する基板処理システム、にて前記サセプタを支持するサセプタ支持装置であって、
複数の横断部材を支持する少なくとも1つの長手部材を含む支持フレームを備え、
前記複数の横断部材は、当該横断部材同士の間に少なくとも1つのスペースを画成するように配列されている、サセプタ支持装置。 - 前記少なくとも1つの長手部材が、前記複数の横断部材に結合され、当該複数の横断部材を支持している、請求項11に記載のサセプタ支持装置。
- 前記複数の横断部材は、前記長手部材に装着されていて、前記複数の横断部材の上面にサセプタ支持面を画成している、請求項12に記載のサセプタ支持装置。
- 前記支持フレームに結合される支持軸を更に備える、請求項11に記載のサセプタ支持装置。
- 少なくとも2つの横断部材が互いに離間した関係で、少なくとも1つの前記長手部材の長さ方向に沿って配置されている、請求項12に記載のサセプタ支持装置。
- 前記支持フレームは、基板処理システムに配置されており、前記複数の横断部材は、前記少なくとも1つの長手部材の上に配置され、前記基板処理システムにあるサセプタを支持するための上面を画成している、請求項12に記載のサセプタ支持装置。
- 前記複数の横断部材の上面は、前記サセプタに接触すると共に、前記少なくとも1つの長手部材を前記サセプタから熱絶縁している、請求項16に記載のサセプタ支持装置。
- 前記支持フレームに結合される少なくとも1つのスペーサ部材を更に備える、請求項11に記載のサセプタ支持装置。
- 前記支持フレームの少なくとも一部はセラミック材料から構成されている、請求項11に記載のサセプタ支持装置。
- 前記複数の横断部材のうち少なくとも1つはセラミック材料から構成されている、請求項17に記載のサセプタ支持装置。
- 高温プロセスを実行し該高温プロセスにてサセプタが高温にさらされて変形する基板処理システム、における支持フレームで前記サセプタを支持するシステムであって、前記支持フレームが、
a)少なくとも1つの長手部材と、
b)前記長手部材に結合された複数の横断部材と
を備え、
前記複数の横断部材の少なくとも一部が、前記サセプタと前記長手部材の間に配列されている、基板支持システム。 - 前記基板支持システムが、
前記複数の横断部材上に支持された基板に係合するとともに当該複数の横断部材のうち少なくとも1つに結合された少なくとも1つのスペーサ部材、を更に備える、請求項21に記載の基板支持システム。 - 高温プロセスにて高温にさらされて変形するサセプタ、を支持するサセプタ支持装置であって、
該サセプタ支持装置は、
中空の内部を持つ支持軸と、
前記支持軸の端部に設けられた支持フレームと、
を備え、
前記支持フレームは、
前記支持軸の前記端部に取り付けられた少なくとも1つの長手支持部材と、
前記少なくとも1つの長手支持部材に結合された複数の横断支持部材と、
を備え、
前記少なくとも1つの長手支持部材は、前記複数の横断支持部材の間挿により、熱伝達の面で、前記サセプタと分離されている、サセプタ支持装置。 - 前記少なくとも1つの長手支持部材と前記複数の横断支持部材とは、一体となってサセプタを平面支持する、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 前記複数の横断支持部材のうち第1の横断支持部材の端部に選択的に位置する少なくとも1つのスペーサを更に備え、
該少なくとも1つのスペーサは、サセプタの端部を支持するよう構成されている、請求項23に記載のサセプタ支持装置。 - 前記少なくとも1つのスペーサは、第1の端部と第2の端部とを備え、
前記第1の端部及び前記第2の端部は、該第1の端部及び第2の端部の間に、前記複数の横断支持部材のうち1つの横断支持部材の端部を受け入れることで、該1つの横断支持部材の端部を、前記少なくとも1つのスペーサに留めておくよう構成されている、請求項25に記載のサセプタ支持装置。 - 前記少なくとも1つの長手支持部材は、前記複数の横断支持部材を支持する、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 前記複数の横断支持部材は矩形断面を有する、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 前記少なくとも1つの長手支持部材は矩形断面を有する、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 前記少なくとも1つの長手支持部材及び前記複数の横断支持部材は、セラミック材料及び耐熱性金属合金の少なくとも1つにより製作されている、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 前記セラミック材料は、酸化アルミニウムを含む、請求項30に記載のサセプタ支持装置。
- 前記少なくとも1つの長手支持部材及び前記複数の横断支持部材は、当該長手部材及び当該横断部材、の各々にスロットを形成し、対応する他の部材が入るようにすることで、単一面内に配置される、請求項23に記載のサセプタ支持装置。
- 高温プロセスにて高温にさらされて変形するサセプタ、を支持するためのサセプタ支持フレームであって、
長手方向に延びる軸部材と、
正規の角度で前記軸部材の端部に取り付けられた第1の延長フレーム部材と、
前記第1の延長フレーム部材に取り付けられた複数の第2の延長フレーム部材と、
を備え、
前記複数の第2の延長フレーム部材は、サセプタを支持し、前記第1の延長フレーム部材を、熱伝達の面で前記サセプタから分離するよう構成されている、サセプタ支持フレーム。 - 前記複数の第2の延長フレーム部材は、前記第1の延長フレーム部材に対し、横断する方向に沿って結合されている、請求項33に記載のサセプタ支持フレーム。
- 前記サセプタ支持フレームは、
前記複数の第2の延長フレーム部材のうち1つの端部に配置され、前記サセプタの端部を支持するスペーサ
を更に備える、請求項33に記載のサセプタ支持フレーム。 - 前記複数の第2の延長フレーム部材のうち少なくとも1つの第2の延長フレーム部材は、当該少なくとも1つの第2の延長フレーム部材の端部に配置された隆起部分を含む、請求項34に記載のサセプタ支持フレーム。
- 前記複数の第2の延長フレーム部材は矩形断面を有する、請求項33に記載のサセプタ支持フレーム。
- 前記複数の第2の延長フレーム部材は、セラミック材料及び耐熱性金属合金の少なくとも1つにより製作されている、請求項33に記載のサセプタ支持フレーム。
- 前記セラミック材料は、酸化アルミニウムを含む、請求項38に記載のサセプタ支持フレーム。
- 前記複数の第2の延長フレーム部材は、当該複数の第2の延長フレーム部材の各々にスロットを形成し、対応する他の部材が入るようにすることで、単一面内に配置されている、請求項33に記載のサセプタ支持フレーム。
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US20080292433A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
US7496423B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots |
US20080279658A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory |
US20080279672A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
US20090109250A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Johnston Benjamin M | Method and apparatus for supporting a substrate |
US8097082B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-01-17 | Applied Materials, Inc. | Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber |
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Family Cites Families (19)
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US3830194A (en) * | 1972-09-28 | 1974-08-20 | Applied Materials Tech | Susceptor support structure and docking assembly |
US3836751A (en) * | 1973-07-26 | 1974-09-17 | Applied Materials Inc | Temperature controlled profiling heater |
US4455467A (en) * | 1981-09-21 | 1984-06-19 | General Electric Company | Metal rack for microwave oven |
JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
GB2136937A (en) * | 1983-03-18 | 1984-09-26 | Philips Electronic Associated | A furnace for rapidly heating semiconductor bodies |
US4522149A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-11 | General Instrument Corp. | Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process |
US4809421A (en) * | 1984-01-16 | 1989-03-07 | Precision Brand Products, Inc. | Slotted shim |
NL8602356A (nl) * | 1985-10-07 | 1987-05-04 | Epsilon Ltd Partnership | Inrichting en werkwijze voor een axiaal symmetrische reactor voor het chemische uit damp neerslaan. |
US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
US4927991A (en) * | 1987-11-10 | 1990-05-22 | The Pillsbury Company | Susceptor in combination with grid for microwave oven package |
US5044943A (en) * | 1990-08-16 | 1991-09-03 | Applied Materials, Inc. | Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus |
US5173580A (en) * | 1990-11-15 | 1992-12-22 | The Pillsbury Company | Susceptor with conductive border for heating foods in a microwave oven |
US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
US5352294A (en) * | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
US5421893A (en) * | 1993-02-26 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Susceptor drive and wafer displacement mechanism |
US5332443A (en) * | 1993-06-09 | 1994-07-26 | Applied Materials, Inc. | Lift fingers for substrate processing apparatus |
US6053982A (en) * | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US5951770A (en) * | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Carousel wafer transfer system |
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