TW202401699A - 基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統。本發明提供一種基板處理裝置，包括：第一處理模組(100)，對於複數個基板(1)執行基板處理；第二處理模組(200)，與所述第一處理模組(100)相鄰配置，並對所述複數個基板(1)執行基板處理；第一公用部(300)，與所述第一處理模組(100)的背面相鄰配置；第二公用部(400)，與所述第二處理模組(200)的背面相鄰配置，並與所述第一公用部(300)之間形成維護空間；上部支撑部(500)，配置在所述第一公用部(300)與所述第二公用部(400)之間，將所述維護空間區分為上部區域(S1)及下部區域(S2)。

Description

基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統
本發明涉及基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統，更詳細地說，涉及可同時執行大量基板的處理的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統。
為了製造器件，需要在基板上進行沉積薄膜的製程，或者為了改性沉積薄膜而執行熱處理的製程，在薄膜沉積製程中主要使用濺射法、化學氣相沉積法(CVD)、原子層沉積法(ALD)等。
濺射法為將在電漿狀態下生成的氬離子碰撞於目標表面，從目標表面脫離的目標物質沉積於基板上形成薄膜的技術，具有可形成黏結性優秀的高純度薄膜的優點，但是在形成具有高縱橫比的精細圖案上存在侷限性。
化學氣相沉積法為將各種氣體注入反應腔室，將通過熱、光或者電漿的高能量誘導的氣體與反應氣體發生化學反應，進而在基板上沉積薄膜的技術，由於化學氣相沉積法利用迅速發生的化學反應，因此存在非常難以控制熱力學穩定性，並且降低薄膜的物理性、化學性及電氣性等特性的問題。
原子層沉積法為交替供應作為反應氣體的源氣體與吹掃氣體，以在基板上沉積原子層單位的薄膜的技術，原子層沉積法為了克服台階覆蓋的侷限性而利用表面反應，因此具有適合形成具有高縱橫比的精細圖案，並且薄膜的電氣性及物理性等特性優秀的優點。
另一方面，即使原子層沉積法有上述優點，但是因為在供應源氣體與反應氣體的間隙交替供應吹掃氣體的步驟降低了基板處理速度，因此存在降低生産率的問題。
不僅是上述的沉積製程，在熱處理等過程中對於個別基板分別執行熱處理的製程因為基板進出的時間而降低基板處理速度，因此存在降低生産率的問題。
為了解決這種問題，使用立式批量式的處理模組（亦即在腔室內裝載複數個基板）統一執行基板處理。
另外，更進一步地，為了提高生産率，配置垂直裝載複數個基板以同時執行基板處理的複數個處理模組來使用。
所述批量式處理模組，是在下側配置用於裝載及卸載基板的裝載區域，以及在上側配置用於處理垂直配置的複數個基板的基板處理部，因此基板處理部及對基板處理部供應各種氣體及排氣的附加結構的設置位置高，從而存在需要工作人員為了維護而在狹窄空間放置梯子進行作業的問題。
尤其是，在有限的空間難以放置梯子等用於維護的工具，在配置之後也難以保障作業空間，而且是在梯子上進行作業，因此存在工作人員的安全得不到保障的問題。
另外，習知的基板處理裝置，因為維護工具無法同時執行在與裝載區域相對應的高度的維護以及在與處理模組相對應的高度的維護，因此存在增加維護時間及空間的問題。
《要解決的問題》
本發明的目的在於，為了解決如上所述的問題，提供一種對於上側處理模組可容易且安全地執行維護的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統。 《解決問題的手段》
本發明是為了達到如上所述的本發明的目的而提出的，本發明提供一種基板處理裝置，包括：第一處理模組，對於複數個基板執行基板處理；第二處理模組，與所述第一處理模組相鄰配置，並對於所述複數個基板執行基板處理；第一公用部，與所述第一處理模組的背面相鄰配置；第二公用部，與所述第二處理模組的背面相鄰配置，並與所述第一公用部之間形成維護空間；以及上部支撑部，配置在所述第一公用部與所述第二公用部之間，將所述維護空間區分為上部區域及下部區域。
所述第一處理模組可包括：第一基板處理部，配置在上側以處理所述基板；以及第一基板裝載部，配置在所述第一基板處理部的下側，以執行所述基板的裝載及卸載。所述第二處理模組可包括：第二基板處理部，配置在上側以處理所述基板；以及第二基板裝載部，配置在所述第二基板處理部的下側，與所述第一基板裝載部相鄰，以執行所述基板的裝載及卸載。
所述上部支撑部可配置在與所述第一基板處理部及所述第二基板處理部下側相對應的高度。
所述上部支撑部可接觸於所述第一處理模組及所述第二處理模組的背面配置。
所述上部支撑部可包括：支撑框架，以彼此相向的方向凸出配置在所述第一公用部及所述第二公用部；以及，上部支撑架，被所述支撑框架支撑。
所述上部支撑部可包括：支撑框架，對應於由所述第一處理模組背面、所述第二處理模組背面、所述第一公用部內側面及所述第二公用部內側面包圍的區域配置；以及上部支撑架，被支撑並設置在所述支撑框架。
所述上部支撑部可包括：框架部，設置在所述第一公用部及所述第二公用部之間；以及蓋部，覆蓋所述框架部並可拆卸地設置。
所述上部支撑部可包括複數個貫通口，所述複數個貫通口以上下方向貫通形成。
所述第一公用部可配置成使所述第二公用部所在方向的相反側的外側面與所述第二處理模組所在方向的相反側的所述第一處理模組的側面位於同一平面上；以及所述第二公用部可配置成使所述第一公用部所在方向的相反側的外側面與所述第一處理模組所在方向的相反側的所述第二處理模組的側面位於同一平面上。
所述第一公用部可包括：第一氣體供應部，向所述第一處理模組供應氣體；第一氣體排放部，從所述第一處理模組排放氣體；第一控制部，配置在所述第一氣體供應部及所述第一氣體排放部上側，以控制所述第一處理模組。所述第二公用部可包括：第二氣體供應部，向所述第二基板處理模組供應氣體；第二氣體排放部，從所述第二處理模組排放氣體；第二控制部，配置在所述第二氣體供應部及所述第二氣體排放部上側，以控制所述第二處理模組。
所述上部支撑部為，一端配置在與所述第一氣體供應部及所述第一氣體排放部中的至少一個與所述第一控制部之間的邊界相對應的高度，另一端配置在與所述第二氣體供應部及所述第二氣體排放部中的至少一個與所述第二控制部之間的邊界相對應的高度。
所述基板處理裝置還可包括下部支撑部，所述下部支撑部在所述第一公用部與所述第二公用部之間中配置在所述維護空間下部區域底面。
所述基板處理裝置還可包括輔助公用部，所述輔助公用部配置在所述上部支撑部的內部及下側、所述第一處理模組及所述第二處理模組與所述上部支撑部之間的至少一處。
所述輔助公用部可配置成在所述第一處理模組及所述第二處理模組與所述上部支撑部之間，使其上面與所述上部支撑部的上面構成同一平面。
所述輔助公用部可包括閥門模組，所述閥門模組控制從所述第一公用部及所述第二公用部分別向所述第一處理模組及所述第二處理模組供應氣體。
所述閥門模組可包括：第一閥門模組，與所述第一公用部連接，通過開關向所述第一處理模組供應氣體或者切斷氣體供應；第二閥門模組，與所述第二公用部連接，通過開關向所述第二處理模組供應氣體或者切斷氣體供應。
所述輔助公用部可包括吹掃氣體供應部及輔助控制部中的至少一個，其中，所述吹掃氣體供應部向所述第一處理模組及所述第二處理模組供應吹掃氣體，所述輔助控制部控制所述第一處理模組及所述第二處理模組的一部分。
所述基板處理裝置還可包括複數個安全桿，一端在所述上部支撑部的上側可拆卸地結合於所述第一公用部背面，另一端可拆卸地結合於所述第二公用部的背面。
另外，本發明提供一種基板處理系統，包括：基板儲存模組，導入並儲存基板；基板處理裝置，處理所述基板並且具有上下垂直結構；基板傳送模組，在所述基板儲存模組與所述基板處理裝置之間傳送所述基板。
所述基板傳送模組分別與所述第一處理模組及所述第二處理模組的正面相鄰配置，並且在所述第一處理模組及所述第二處理模組可共同使用。 《發明的效果》
本發明的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統為，容易接近相對位於高處的第一基板處理部及第二基板處理部並且提供穩定的作業環境，進而具有工作人員能够安全且精確地執行維護的優點。
另外，本發明的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統為，保證對位於相對高處的結構進行維護的工作人員的安全，並省略設置用於單獨維護的工具，具有可靈活利用用於設置習知的工具的空間的優點。
另外，本發明的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統為，省略用於單獨維護的工具，進而可同時執行對於上側區域與下側區域的維護，因此具有可快速維護的優點。
另外，本發明的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統為，將一部分結構配置在上部支撑部，進而具有縮短整體長度，防止寬度增加，縮小佔據面積，可確保相對廣泛的用於維護的空間的優點。
以下，參照附圖說明本發明的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統。
如圖2所示，本發明的基板處理系統包括：基板儲存模組10，用於導入並儲存基板；基板處理裝置30，用於處理所述基板並且具有上下垂直結構；基板傳送模組20，用於在所述基板儲存模組10與所述基板處理裝置30之間傳送所述基板。
在此，本發明的基板處理對象為執行沉積、熱處理等的基板1，也可適用半導體製造用基板、LCD製造用基板、OLED製造用基板、太陽能電池製造用基板、透明玻璃基板等任意一種基板。
尤其是，本發明的基板處理對象的基板1為以垂直方向層疊50枚以上的複數個基板1，可同時進行基板處理，為此可通過層疊複數個基板1的基板存放部2存放及移動基板1。
所述基板儲存模組10為導入並儲存基板1的結構，可具有各種結構。
例如，所述基板儲存模組10為在基板存放部2裝載及插入複數個基板1的狀態下從外部導入該基板存放部2，並可暫時儲存及存放該基板存放部2。
另外，所述基板儲存模組10可從內部向外部導出裝載及插入完成基板處理的複數個基板的基板存放部2。
另一方面，所述基板儲存模組10裝載存放作為處理對象的基板的複數個基板存放部2，可暫時儲存該複數個基板存放部2，將已儲存的基板存放部2傳遞至後述的基板傳送模組20來供應複數個基板，進而可執行製程。
所述基板儲存模組10可配置在後述的第一處理模組100及第二處理模組200的前方，並可分別對應於第一處理模組100及第二處理模組200配置，作為另一示例，在第一處理模組100及第二處理模組200共同使用所述基板儲存模組10，可將儲存的基板1供應至各個處理模組。
所述基板傳送模組20為在基板儲存模組10與基板處理裝置30之間傳送基板的結構，可具有各種結構。
例如，所述基板傳送模組20內部可設置基板傳送部21，以在基板儲存模組10與基板處理裝置30之間傳送基板。
亦即，所述基板傳送模組20在基板儲存模組10與基板處理裝置30之間配置具有內部空間的單獨腔室，在腔室內部設置基板傳送部21，以從基板儲存模組10接收基板，可將基板分別傳遞至基板處理裝置30，亦即後述的第一處理模組100及第二處理模組200。
此時，可配置複數個所述基板傳送模組20，以分別對應於第一處理模組100及第二處理模組200，作為另一示例，在第一處理模組100及第二處理模組200共同使用所述基板傳送模組20。
更具體地說，所述基板傳送模組20分別與第一處理模組100及第二處理模組200在正面相鄰配置，進而第一處理模組100及第二處理模組200可共同使用所述基板傳送模組20。
所述基板處理裝置30可以是同時處理複數個基板1並具有上下垂直結構的結構。
另一方面，如圖1所示，習知的基板處理裝置包括：處理模組90；配置在處理模組90背面的第一公用部300；以及追加配置在第一公用部300背面的公用設施80。
亦即，習知的基板處理裝置具有從正面側基板儲存模組10至背面側公用設施80的較長的長度，因此存在佔據面積增加的問題。
另一方面，在將背面側的公用設施80包括於第一公用部300的情况下，存在第一公用部300的高度增加伴隨外部設置空間限制，或者隨著第一公用部300厚度增厚導致維護空間狹窄的問題。
另外，習知基板處理裝置為，由於在處理模組90上側的反應管結構的高度超出2800mm，因此在對反應管及周邊結構進行維護時，存在工作人員摔落而受傷的危險，在使用其他用於維護的工具（諸如夾具與梯子）的情况下，作業受限，因此存在降低工作效率的問題。
為了改善這種問題，如圖4至圖7所示，本發明的基板處理裝置包括：第一處理模組100，用於對複數個基板1執行基板處理；第二處理模組200，與所述第一處理模組100相鄰配置，並對所述複數個基板1執行基板處理；第一公用部300，與所述第一處理模組100的背面相鄰配置；第二公用部400，與所述第二處理模組200的背面相鄰配置，並與所述第一公用部300之間形成維護空間；上部支撑部500，配置在所述第一公用部300與所述第二公用部400之間，將所述維護空間區分為上部區域S1及下部區域S2。
所述第一處理模組100為對於複數個基板1執行基板處理的結構，可具有各種結構。
例如，所述第一處理模組100可包括：第一基板處理部110，配置在上側以處理基板1；第一基板裝載部120，配置在第一基板處理部110的下側以執行基板1的裝載及卸載。
此時，所述第一基板處理部110可包括：第一反應管111，在內部容納裝載複數個基板1的晶舟40以執行基板處理；第一歧管112，配置在第一反應管111的下部，以連接後述的第一氣體供應部310及第一氣體排放部320；第一加熱部113，包圍第一反應管111。
所述第一基板裝載部120為配置在第一基板處理部110的下側以執行基板的裝載及卸載的結構，可具有各種結構。
例如，所述第一基板裝載部120配置在第一基板處理部110下部，上升至第一基板處理部110來裝載待處理的基板1，或者可執行從第一基板處理部110卸載完成基板處理而下降的基板1。
為此，所述第一基板裝載部120可具有晶舟40和晶舟升降機（未顯示）等，所述晶舟40以層疊的形態裝載複數個基板1，所述晶舟升降機用於將晶舟40上升至位於上側的第一基板處理部110。
另外，所述第一基板裝載部120可設置有第一維護門121，所述第一維護門121設置在背面以向第一處理模組100的內部接近，通過開關可向第一基板裝載部120的空間接近，通過第一基板裝載部120可接近位於上側的第一基板處理部110。
此時，可通過鉸鏈旋轉來開關所述第一維護門121，亦即向第一公用部300旋轉開放所述第一維護門121，或者向第二公用部400側旋轉可開放所述第一維護門121。
所述第二處理模組200為包括處理基板的第二基板處理部210並與第一處理模組100相鄰配置的結構，可具有各種結構。
亦即，所述第二處理模組200的一側面與第一處理模組100的一側面接觸，進而所述第二處理模組200與第一處理模組100相鄰配置，此時，所述第二處理模組200可與第一處理模組100以同一方向並列配置。
亦即，所述第二處理模組200可配置成在與第一處理模組100的正面及背面朝向同一方向的狀態下使側面相互面對地接觸。
另一方面，與上述的第一處理模組100相同，所述第二處理模組200可包括：第二基板處理部210，配置在上側並在內部形成用於處理基板的第二處理空間，並且處理導入的複數個基板1；第二基板裝載部220，配置在第二基板處理部210的下側，以執行基板的裝載及卸載。
此時，所述第二基板處理部210可包括：第二反應管，在內部容納裝載複數個基板1的晶舟40以執行基板處理；第二歧管，配置在第二反應管下部，並與後述的第二氣體供應部410及第二氣體排放部420連接；第二加熱部，包圍第二反應管。
所述第二基板裝載部220為配置在第二基板處理部210的下側以執行基板的裝載及卸載的結構，可具有各種結構。
例如，所述第二基板裝載部220配置在第二基板處理部210下部，以向第二基板處理部210上升裝載待處理的基板1，或者可執行從第二基板處理部210卸載完成基板處理而下降的基板1。
為此，所述第二基板裝載部220可具有晶舟40和晶舟升降機（未顯示）等，所述晶舟40以層疊的形態裝載複數個基板1，所述晶舟升降機用於將晶舟40上升至位於上側的第二基板處理部210。
另外，所述第二基板裝載部220可包括第二維護門221，所述第二維護門221設置在背面進而可向第二處理模組200的內部接近，通過開關可向第二基板裝載部220的空間接近，通過第二基板裝載部220可接近位於上側的第二基板處理部210。
此時，可通過鉸鏈旋轉來開關所述第二維護門221，並朝向第二公用部400側旋轉來開放所述第二維護門221，或者朝向第一公用部300側旋轉可開放所述第二維護門221。
所述第一公用部300為與第一處理模組100的背面相鄰配置的結構，可具有各種結構。
例如，所述第一公用部300可包括：第一氣體供應部310，用以向第一處理模組100供應氣體；第一氣體排放部320，用以從第一處理模組100排放氣體；第一控制部330，配置在第一氣體供應部310及第一氣體排放部320上側，用以控制第一處理模組100。
所述第一氣體供應部310為向第一處理模組100供應氣體的結構，可具有各種結構。
例如，所述第一氣體供應部310連接於第一基板處理部110中的第一歧管112，可供應用於基板處理的氣體，為此在所述第一氣體供應部310的內部設置供應管道及供應控制閥等，可配置為接觸於第一處理模組100的背面。
所述第一氣體排放部320為對第一處理模組100內進行排氣的結構，更具體地說，可以是排放第一基板處理部110中第一反應管111內部的氣體的結構。
例如，所述第一氣體排放部320以背面方向與接觸於第一處理模組100背面的第一氣體供應部310相鄰並且垂直豎立配置，並可包括排氣線路及排氣控制閥，所述排氣線路及排氣控制閥連接外部的排氣泵（未顯示）與第一基板處理部110的第一歧管112之間，以對於第一基板處理部110內進行排氣。
另外，所述第一氣體排放部320內部還可包括壓力調節部及各種感測器，所述壓力調節部用於調節通過排氣線路排放的氣體的壓力。
另一方面，與第一氣體供應部310相同，所述第一氣體排放部320可形成為直角六面體形狀，一側面可接觸於第一氣體供應部310的背面，另一側面可朝向第一處理模組100的背面方向。
所述第一控制部330為配置在第一氣體供應部310及第一氣體排放部320的上側的結構，可具有各種結構。
此時，所述第一控制部330可具有用於控制包括第一基板處理部110在內的第一處理模組100的各種結構的裝置，例如，可包括調節第一基板處理部110內的溫度及壓力的溫度控制部、壓力控制部等。
另一方面，所述第一控制部330可配置在第一氣體供應部310及第一氣體排放部320的上側，並可配置成接觸於第一處理模組100的背面。
另一方面，所述第一公用部300可配置成使外側側面與第二處理模組200相反側的第一處理模組100的側面位於同一平面上，以在與後述的第二公用部400之間可形成維護空間。
亦即，第一公用部300可配置在外側末端，使後述的第二公用部400的相反側側面與第一處理模組100的外側側面位於同一平面上。
所述第二公用部400為與第二處理模組200的背面相鄰配置並在與第一公用部300之間形成維護空間的結構，可具有各種結構。
例如，所述第二公用部400可包括：第二氣體供應部410，用以向第二基板處理模組200供應氣體；第二氣體排放部420，用以從第二處理模組200排放氣體；第二控制部430，配置在第二氣體供應部410及第二氣體排放部420的上側，用以控制第二處理模組200。
所述第二氣體供應部410為向第二處理模組200供應氣體的結構，可具有各種結構。
例如，所述第二氣體供應部410連接於第二基板處理部210中的第二歧管，可供應用於基板處理的氣體，為此在所述第二氣體供應部410的內部設置供應管道及供應控制閥等，可接觸於第二處理模組200的背面。
所述第二氣體排放部420為對第二處理模組200內進行排氣的結構，更具體地說，可以是對第二基板處理部210中的第二反應管內部進行排氣的結構。
例如，所述第二氣體排放部420以背面方向與接觸於第二處理模組200的背面配置的第二氣體供應部410相鄰並且垂直豎立配置，並可包括排氣線路及排氣控制閥，所述排氣線路及排氣控制閥連接外部的排氣泵（未顯示）與第二基板處理部210的第二歧管連接，以對於第二基板處理部210內進行排氣。
另外，所述第二氣體排放部420內部還可包括壓力調節部及各種感測器，所述壓力調節部用於調節通過排氣線路排放的氣體的壓力。
另一方面，與第二氣體供應部410相同，所述第二氣體排放部420可配置成直角六面體形狀，並且一側面接觸於第二氣體供應部410的背面，而另一側面可朝向第二處理模組200的背面方向。
所述第二控制部430為配置在第二氣體供應部410及第二氣體排放部420上側的結構，可具有各種結構。
此時，所述第二控制部430可具有用於控制包括第二基板處理部210在內的第二處理模組200的各種結構的裝置，例如可包括調節第二基板處理部210內的溫度及壓力的溫度控制部、壓力控制部等。
另一方面，所述第二控制部430可配置在第二氣體供應部410及第二氣體排放部420的上側，並可配置成接觸於第二處理模組200的背面。
另一方面，所述第二公用部400的外側側面與第一處理模組100的相反側的第二處理模組200的側面位於同一平面上，以在與後述的第一公用部300之間形成維護空間。
亦即，第二公用部400可配置在外側末端，以使後述的第一公用部300的相反側的側面與第二處理模組200的外側側面位於同一平面上。
所述上部支撑部500為配置在第一公用部300與第二公用部400之間，將維護空間區分為上部區域S1及下部區域S2的結構，可具有各種結構。
亦即，所述上部支撑部500具備第一公用部300及第二公用部400，可作為工作人員的踏板，以對於配置在相對高處的第一基板處理部110及第二基板處理部210强化維護接近性，並且確保安全又容易的作業環境。
為此，所述上部支撑部500可配置在與第一基板處理部110及第二基板處理部210下側相對的高度，以容易接近位於上側的結構。
亦即，所述上部支撑部500配置在與第一歧管112相對應的高度，可接近及維護第一控制部330、第二控制部430、第一基板處理部110及第二基板處理部210。
另外，作為另一示例，所述上部支撑部500的一端配置在與第一氣體供應部310、第一氣體排放部320及第一控制部330的邊界相對應的高度，而另一端可配置在與第二氣體供應部410、第二氣體排放部420及第二控制部430的邊界相對應的高度。
亦即，可區分為由第一氣體供應部310、第一氣體排放部320及第一控制部330的邊界高度與第一控制部330及第二控制部430所包圍維護空間的上部區域S1；以及由第一氣體供應部310、第一氣體排放部320、第二氣體供應部410及第二氣體排放部420包圍的下部區域S2。
此時，第一控制部330及第二控制部430的厚度小於第一氣體供應部310、第一氣體排放部320、第二氣體供應部410及第二氣體排放部420，進而所述上部支撑部500一端被支撑在第一氣體供應部310及第一氣體排放部320的上面，而另一端被支撑在第二氣體供應部410及第二氣體排放部420的上面。
另外，所述上部支撑部500當然也可在第一氣體供應部310、第一氣體排放部320與第一控制部330的邊界高度，以及第二氣體供應部410、第二氣體排放部420與第二控制部430的邊界高度分別設置單獨的支架框架520，以支撑上部支撑架510。
另一方面，設置基板處理裝置的製造工廠(Fab)內部通常是從天花板向地面形成氣流來排放顆粒，第一公用部300及第二公用部400可分別將提供排氣的相關公用設施的第一氣體排放部320及第二氣體排放部420配置在與地面相鄰的位置。
更進一步地，用於氣體供應及氣體排放的各種管道也可設置在製造工廠內部的地面，以穩定氣體的供應及排放並且將外部的暴露最小化，需要設置各種管道的第一氣體供應部310、第一氣體排放部320、第二氣體供應部410及第二氣體排放部420配置在地面的下部區域S2，而設置位置的自由度相對高的第一控制部330及第二控制部430可配置在作為剩餘空間的上部區域S1，可將佔據空間最小化。
據此，在上下垂直配置的第一公用部300及第二公用部400結構上，在第一氣體供應部310、第一氣體排放部320與第一控制部330之間的邊界配置上部支撑部500，進而區分第一控制部330與剩餘結構的第一氣體供應部310及第一氣體排放部320，可引導按各個模組進行維護。
另一方面，作為另一示例，如圖8所示，所述上部支撑部500可包括：支撑框架520，在第一公用部300及第二公用部400以彼此相向的方向凸出配置；上部支撑架510，被支撑框架520支撑。
亦即，所述上部支撑部500包括在第一公用部300及第二公用部400以彼此相向的方向凸出配置的支撑框架520，進而可設置成通過支撑框架520支撑上部支撑架510的形態。
此時，所述支撑框架520為具有預定長度並以水平方向設置在第一公用部300及第二公用部400來支撑上部支撑架510的結構，可通過螺栓結合。
另一方面，作為另一示例，所述上部支撑部500可以是在與由第一處理模組100的背面、第二處理模組200的背面、第一公用部300的內側面及第二公用部400的內側面包圍的區域相對應配置的支撑框架支撑上部支撑架510而成的結構。
此時，在上部支撑架510的背面方向配置橫跨第一公用部300及第二公用部400的支撑框架，進而所述支撑框架能够更加穩定支撑上部支撑架510。
另一方面，所述上部支撑架510為配置在第一公用部300與第二公用部400之間以支撑工作人員的結構，可使用具有充分的剛性的材料構成。
尤其是，所述上部支撑架510可包括以上下方向貫通形成的複數個貫通口501，可使設置基板處理裝置的無塵室內部從上向下形成噴射氣流的清潔氣體注入於維護空間中的下部區域S2。
亦即，可引導從上朝下噴射的清潔氣體通過貫通口501到達下部區域S2進行排氣，由此也可對於下部區域S2順利執行清潔。
從而，所述上部支撑架510為形成有複數個貫通口501的結構，可使用在形成複數個貫通口501的狀態下也能够承受工作人員的負荷的具有充分剛性的材料形成。
另外，作為另一示例，所述上部支撑部500可包括：框架部，設置在第一公用部300與第二公用部400之間；蓋部，覆蓋框架部並可拆卸設置。
亦即，所述上部支撑部500包括：貫通內部並配置在第一公用部300與第二公用部400之間以進行支撑的框架部；以及覆蓋框架部的平面並可拆卸地設置的蓋部，工作人員拆卸並移除蓋部後可將第一公用部300及第二公用部400的上側及後述輔助公用部800結構暴露給工作人員。
因此，工作人員在向上移動至上部支撑部500的狀態下移除覆蓋框架部的平面的至少一部分的蓋部後，可以暴露第一氣體供應部310、第一氣體排放部320、第二氣體供應部410、第二氣體排放部420、以及包括閥門模組700的輔助公用部800，以執行維護工作。
所述上部支撑部500可配置成接觸於第一處理模組100及第二處理模組200的背面，作為另一示例，能够以背面方向間隔一部分。
此時，如圖7所示，本發明的基板處理裝置還可包括輔助公用部800，所述輔助公用部800配置在上部支撑部500內部及下側、第一處理模組100、第二處理模組200與上部支撑部500之間中的至少任意一處。
亦即，所述輔助公用部800為與第一公用部300及第二公用部400可分開間隔配置並且空間體積不大的結構，將所述輔助公用部800配置在上部支撑部500內部及下側、上部支撑部500、第一處理模組100及第二處理模組200之間中的至少任意一處，可減少佔據面積。
更進一步地，作為在維護時供工作人員作業的空間，在與上部支撑部500相鄰的位置配置輔助公用部800，進而具有容易維護的優點。
此時，所述輔助公用部800可以是輔助性地參與第一公用部300及第二公用部400執行功能，對於第一處理模組100及第二處理模組200提供輔助性公用設施的結構。
此時，所述輔助公用部800可以是可間隔於第一公用部300及第二公用部400配置的結構，可設置習知的第一公用部300及第二公用部400，無需改變結構，或者可以是與第一公用部300及第二公用部400分開的結構。
另外，所述輔助公用部800為與第一公用部300及第二公用部400相鄰配置的結構，可以是可與第一公用部300及第二公用部400連接的結構。
例如，所述輔助公用部800可包括閥門模組700、吹掃氣體供應部810及輔助控制部820中的至少一個，所述閥門模組700控制分別向第一處理模組100及第二處理模組200供應的氣體，所述吹掃氣體供應部810向第一處理模組100及第二處理模組200供應吹掃氣體，所述輔助控制部820控制第一處理模組100及第二處理模組200中的一部分。
更佳為，所述輔助公用部800可包括有必要與第一處理模組100、第二處理模組200、第一公用部300及第二公用部400全部相鄰配置的閥門模組700，可作為最終控制與其中的第一處理模組100及第二處理模組200相鄰以分別供應氣體的總閥門（包括閥門模組700）。
所述閥門模組700為控制從第一公用部300及第二公用部400分別向第一處理模組100及第二處理模組200供應氣體的結構，可具有各種結構。
例如，在上部支撑部500接觸於第一處理模組100及第二處理模組200配置的情况下，所述閥門模組700可配置在上部支撑部500內部或者下側，更佳為，可配置在與第一處理模組100及第二處理模組200相鄰的位置。
另外，在與第一處理模組100及第二處理模組200間隔設置上部支撑部500的情况下，所述閥門模組700可配置在第一處理模組100、第二處理模組200和上部支撑部500之間。
在該情况下，所述閥門模組700也與上部支撑部500一同作為工作人員的踏板，可作為提供作業環境的結構的一部分，可由具有充分剛性的外殼構成，更進一步，可使外殼上面與上部支撑部500上面形成同一平面。
亦即，將所述閥門模組700配置在第一處理模組100、第二處理模組200和上部支撑部500之間，並且使這些部件的上面形成同一平面，進而閥門模組700作為用於工作人員作業的支撑部，亦即上部支撑部500的延伸執行功能，具有提高工作人員的作業便利性，而且無需確保單獨的閥門模組700的設置空間，並且具有可設置在與第一處理模組100及第二處理模組200相鄰的最佳位置的優點。
另一方面，作為另一示例，閥門模組700的上面與上部支撑部500的上面構成高低不平的階梯，進而當然也可提供適當的作業環境。
此時，所述閥門模組700可包括：第一閥門模組，與第一氣體供應部310連接，通過開關向所述第一處理模組100供應氣體或者切斷氣體供應；第二閥門模組，與所述第二氣體供應部410連接，通過開關向所述第二處理模組200供應氣體或者切斷氣體供應。
所述輔助公用部800可以是配置在上部支撑部500的內部或者下側，以對基板處理裝置的一部分結構提供公用設施的結構。
例如，所述輔助公用部800可包括：吹掃氣體供應部810，向第一處理模組100及第二處理模組200供應吹掃氣體；輔助控制部820，控制第一處理模組100及第二處理模組200的一部分。
亦即，所述輔助公用部800為與圖1所示的習知基板處理裝置的公用設施80相對應的結構，是增加整體佔據面積的因素，所以配置在上部支撑部500的內部或者下側，進而可縮小整體的佔據面積。
此時，如圖4及圖7所示，所述輔助公用部800可配置在上部支撑部500的下側，在設置閥門模組700的情况下，可從閥門模組700向背面方向配置所述輔助公用部800。
另一方面，在設置所述輔助公用部800時，在上部支撑架510形成的複數個貫通口501可避開設置輔助公用部800的位置。
另外，與上述的示例不同，對於所述輔助公用部800，第一公用部300及第二公用部400的結構的一部分可配置在上部支撑部500內部或者下側，由此當然可縮小第一公用部300及第二公用部400的寬度，可進一步確保維護空間或者可降低高度。
更進一步地，所述輔助公用部800及閥門模組700配置在上部支撑部500的內部或者下側，進而在下部區域S2可利用簡單的踏板等的維護工具接近，因此具有更加容易維護的優點。
下部支撑部600為在第一公用部300與第二公用部400之間中配置在維護空間下部區域S2底面的結構，可具有各種結構。
所述下部支撑部600可包括：下部支撑架610，具有充分的剛性；氣櫃620及輔助控制部630，配置在下部支撑架610的內部或者下側，以分別向第一處理模組100及第二處理模組200供應氣體。
安全桿900為一端在上部支撑部500的上側可拆卸地結合於第一公用部300的背面，而另一端可拆卸地結合於第二公用部400的背面的結構，以上下方向可配置複數個所述安全桿900。
因此，可拆卸地配置所述安全桿900，在作業時所述安全桿900橫跨第一公用部300與第二公用部400，進而可防止工作人員摔落及墜落。
另外，在第一控制部330及第二控制部430配置複數個安全環，用以與工作人員的工作服的安全繩連接，可防止工作人員摔落及墜落。
以上，僅是可由本發明實現的較佳實施例的一部分的相關說明，衆所周知，不得限於上述的實施例解釋本發明的範圍，以上說明的本發明的技術思想及其根本的技術思想全部包含在本發明的範圍內。
1:基板 2:基板存放部 10:基板儲存模組 20:基板傳送模組 21:基板傳送部 30:基板處理裝置 40:晶舟 80:公用設施 90:處理模組 100:第一處理模組 110:第一基板處理部 111:第一反應管 112:第一歧管 113:第一加熱部 120:第一基板裝載部 121:第一維護門 200:第二處理模組 210:第二基板處理部 220:第二基板裝載部 221:第二維護門 300:第一公用部 310:第一氣體供應部 320:第一氣體排放部 330:第一控制部 400:第二公用部 410:第二氣體供應部 420:第二氣體排放部 430:第二控制部 500:上部支撐部 501:貫通口 510:上部支撐架 520:支撐框架 600:下部支撐部 610:下部支撐架 620:氣櫃 630:輔助控制部 700:閥門模組 800:輔助公用部 810:吹掃氣體供應部 820:輔助控制部 900:安全桿 S1:上部區域 S2:下部區域
圖1是顯示習知的基板處理系統的側視圖； 圖2是顯示本發明的基板處理系統的側視圖； 圖3是顯示圖2的基板處理系統的平面圖； 圖4是顯示本發明的基板處理裝置的側視圖； 圖5是顯示圖4的基板處理裝置中A-A'方向的剖面的平面圖； 圖6是顯示圖4的基板處理裝置中B-B'方向的剖面的平面圖； 圖7是顯示圖4的基板處理裝置的後視圖；以及 圖8是顯示本發明的基板處理裝置的另一實施例的後視圖。
1:基板
2:基板存放部
10:基板儲存模組
20:基板傳送模組
21:基板傳送部
30:基板處理裝置
40:晶舟
100:第一處理模組
110:第一基板處理部
120:第一基板裝載部
300:第一公用部
600:下部支撐部

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 一第一處理模組(100)，對複數個基板(1)執行基板處理； 一第二處理模組(200)，與所述第一處理模組(100)相鄰配置，並對所述複數個基板(1)執行基板處理； 一第一公用部(300)，與所述第一處理模組(100)的背面相鄰配置； 一第二公用部(400)，與所述第二處理模組(200)的背面相鄰配置，並與所述第一公用部(300)之間形成一維護空間；以及 一上部支撑部(500)，配置在所述第一公用部(300)與所述第二公用部(400)之間，將所述維護空間區分為一上部區域(S1)及一下部區域(S2)。
  2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述第一處理模組(100)包括： 一第一基板處理部(110)，配置在上側以處理所述基板(1)；以及 一第一基板裝載部(120)，配置在所述第一基板處理部(110)的下側，以執行所述基板(1)的裝載及卸載；以及 所述第二處理模組(200)包括： 一第二基板處理部(210)，配置在上側以處理所述基板(1)；以及 一第二基板裝載部(220)，配置在所述第二基板處理部(210)的下側，與所述第一基板裝載部(120)相鄰，以執行所述基板(1)的裝載及卸載。
  3. 根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)配置在與所述第一基板處理部(110)及所述第二基板處理部(210)下側相對應的高度。
  4. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)配置以接觸所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)的背面。
  5. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)包括： 一支撑框架(520)，以彼此相向的方向凸出地配置在所述第一公用部(300)及所述第二公用部(400)；以及 一上部支撑架(510)，被所述支撑框架(520)支撑。
  6. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)包括： 一支撑框架，配置在對應於由所述第一處理模組(100)的背面、所述第二處理模組(200)的背面、所述第一公用部(300)的內側面及所述第二公用部(400)的內側面包圍的區域；以及 一上部支撑架(510)，支撑並設置在所述支撑框架。
  7. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)包括： 一框架部，設置在所述第一公用部(300)與所述第二公用部(400)之間；以及 一蓋部，覆蓋所述框架部並可拆卸地設置。
  8. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)包括複數個貫通口(501)，所述複數個貫通口(501)以上下方向貫通形成。
  9. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述第一公用部(300)配置成使所述第二公用部(400)所在方向的相反側的外側面與所述第二處理模組(200)所在方向的相反側的所述第一處理模組(100)的側面位於同一平面上；以及 所述第二公用部(400)配置成使所述第一公用部(300)所在方向的相反側的外側面與所述第一處理模組(100)所在方向的相反側的所述第二處理模組(200)的側面位於同一平面上。
  10. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述第一公用部(300)包括： 一第一氣體供應部(310)，向所述第一處理模組(100)供應氣體； 一第一氣體排放部(320)，從所述第一處理模組(100)排放氣體；以及 一第一控制部(330)，配置在所述第一氣體供應部(310)及所述第一氣體排放部(320)上側，以控制所述第一處理模組(100)；以及 所述第二公用部(400)包括： 一第二氣體供應部(410)，向所述第二處理模組(200)供應氣體； 一第二氣體排放部(420)，從所述第二處理模組(200)排放氣體；以及 一第二控制部(430)，配置在所述第二氣體供應部(410)及所述第二氣體排放部(420)上側，以控制所述第二處理模組(200)。
  11. 根據請求項10所述的基板處理裝置，其中，所述上部支撑部(500)為，一端配置在與所述第一氣體供應部(310)及所述第一氣體排放部(320)中的至少一個與所述第一控制部(330)之間的邊界相對應的高度，另一端配置在與所述第二氣體供應部(410)及所述第二氣體排放部(420)中的至少一個與所述第二控制部(430)之間的邊界相對應的高度。
  12. 根據請求項1所述的基板處理裝置，還包括： 一下部支撑部(600)，在所述第一公用部(300)與所述第二公用部(400)之間中配置在所述維護空間的下部區域(S2)的底面。
  13. 根據請求項1所述的基板處理裝置，還包括： 一輔助公用部(800)，配置在所述上部支撑部(500)的內部及下側、所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)與所述上部支撑部(500)之間的至少一處。
  14. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述輔助公用部(800)配置成，在所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)與所述上部支撑部(500)之間，使其上面與所述上部支撑部(500)的上面構成同一平面。
  15. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述輔助公用部(800)包括： 一閥門模組(700)，用以控制從所述第一公用部(300)及所述第二公用部(400)分別向所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)供應氣體。
  16. 根據請求項15所述的基板處理裝置，其中，所述閥門模組(700)包括： 一第一閥門模組，與所述第一公用部(300)連接，通過開關向所述第一處理模組(100)供應氣體或者切斷氣體供應；以及 一第二閥門模組，與所述第二公用部(400)連接，通過開關向所述第二處理模組(200)供應氣體或者切斷氣體供應。
  17. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述輔助公用部(800)包括一吹掃氣體供應部(810)及一輔助控制部(820)中的至少一個，以及 其中，所述吹掃氣體供應部(810)向所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)供應吹掃氣體，所述輔助控制部(820)控制所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)的一部分。
  18. 根據請求項1所述的基板處理裝置，還包括： 複數個安全桿(900)，一端在所述上部支撑部(500)的上側可拆卸地結合於所述第一公用部(300)背面，另一端可拆卸地結合於所述第二公用部(400)的背面。
  19. 一種基板處理系統，包括： 一基板儲存模組(10)，導入並儲存一基板； 如請求項1至18中任意一項所述的基板處理裝置(30)，用以處理所述基板並且具有一上下垂直結構；以及 一基板傳送模組(20)，在所述基板儲存模組(10)與所述基板處理裝置(30)之間傳送所述基板。
  20. 根據請求項19所述的基板處理系統，其中，所述基板傳送模組(20)分別與所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)的正面相鄰配置，並且在所述第一處理模組(100)及所述第二處理模組(200)共同使用。
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