JP4349493B2 - 単結晶シリコン引き上げ装置、シリコン融液の汚染防止方法及びシリコン融液の汚染防止装置 - Google Patents
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Description
単結晶引き上げ装置10の炉体1の内部には、炉体1の内壁面の内側に配置され炉体内外の熱伝達を遮断する断熱材2と、多結晶シリコンのようなシリコン材料を保持しこのシリコン原料溶解後のシリコン融液を貯留するルツボ3と、ルツボ3を囲繞するように配置されルツボ3を介してシリコン材料を熱するヒータ4と、単結晶シリコン8の引き上げ経路を囲繞するようにルツボ3の上方に配置される熱遮蔽体5と、が設けられる。
また炉体1の上部に付着する塵が落下する場合もある。塵は熱遮蔽体5に落下し、熱遮蔽体5に沿って落ち、シリコン融液に落下する。
単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体とを炉内に備え、炉内上方から下方へガスを供給しつつ単結晶シリコンを引き上げる単結晶シリコン引き上げ装置において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、S2/S1が1.15未満であること
を特徴とする。
単結晶シリコン引き上げ装置の炉体内上方からArガスが供給されると、Arガスは単結晶シリコンに沿って下降する。単結晶シリコンの育成初期とその後とでは筒状体の下端と熱遮蔽体の間隙を通過するArガスの進行方向が変化するが、筒状体の下端と熱遮蔽体の間隙を通過するArガスの流速が小さければArガスの進行方向の変化があってもその流速の変化量は小さい。するとArガスの進行方向の変化に起因する熱遮蔽体から塵の剥離することが防止される。よって塵がシリコン融液へ落下することが防止される。
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、S2/S1が1.15未満になるように単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体とが配置される。
単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体と、を炉内に備えた単結晶シリコン引き上げ装置で、炉内上方から下降するガスによってシリコン融液に塵が落下することを防止するシリコン融液の汚染防止方法において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、筒状体の下端と熱遮蔽体との間を通過するガスによってシリコン融液への塵の落下を防止できるようなS2/S1の値を求めておき、
単結晶シリコンの引き上げ時にS2/S1が求めた値になるように単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の相対的な位置を調整すること
を特徴とする。
単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体と、を炉内に備えた単結晶シリコン引き上げ装置で、炉内上方から下降するガスによってシリコン融液に塵が落下することを防止するシリコン融液の汚染防止方法において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、S2/S1を1.15未満とするように単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の相対的な位置を調整すること
を特徴とする。
前記筒状体は、
温度調整用の媒体が供給されるパイプが単結晶シリコンの引き上げ経路を略中心にして螺旋状に巻かれてなる温度調整コイルと、
前記温度調整コイル下端の全体又は一部に沿って取り付けられて該温度調整コイルと共にコイル体を形成するコイル補完部材と、を有し、
前記コイル体下端のいずれの部分と前記熱遮蔽体との間隙が一定であること
を特徴とする。
実施例1は冷却コイルの下端と熱遮蔽体の間隙を通過するガス流の制御に関し、実施例2、3は熱遮蔽体の形状に関する。
本実施形態では単結晶シリコン8の引き上げ経路と冷却コイル6と熱遮蔽体5の相対的な位置の調整を面積S1、S2という要素に基づいて行う。
単結晶シリコン引き上げ装置の炉体内上方からArガスを供給すると、Arガスは単結晶シリコン8の引き上げ経路に沿って下降する。図3で示されるように、面積比S2/S1が適当な値であると、冷却コイル6の下端6aと熱遮蔽体5の間隙を通過するガスの流速が小さくなる。冷却コイル6の下端6aと熱遮蔽体5の間隙を通過するArガスの流速が小さければArガスの進行方向の変化があっても流速の変化量は小さい。したがってArガスの進行方向の変化に起因する熱遮蔽体5からの塵の落下が抑制される。
熱遮蔽体55において、単結晶シリコン58側の表面55aは凹凸状である。凹凸の高低差は熱遮蔽体55の表面55aに沿って落ちる塵を留められる程度である。具体的には、0.5〜10.0mm程度である。
5、45、55 熱遮蔽体
6 冷却コイル
8 単結晶シリコン
10 単結晶引き上げ装置
60 コイル体
61 コイル補完部材
Claims (4)
- 単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体とを炉内に備え、炉内上方から下方へガスを供給しつつ単結晶シリコンを引き上げる単結晶シリコン引き上げ装置において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、S2/S1が1.15未満であること
を特徴とする単結晶シリコン引き上げ装置。 - 単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体と、を炉内に備えた単結晶シリコン引き上げ装置で、炉内上方から下降するガスによってシリコン融液に塵が落下することを防止するシリコン融液の汚染防止方法において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、筒状体の下端と熱遮蔽体との間を通過するガスによってシリコン融液への塵の落下を防止できるようなS2/S1の値を求めておき、
単結晶シリコンの引き上げ時にS2/S1が求めた値になるように単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の相対的な位置を調整すること
を特徴とするシリコン融液の汚染防止方法。 - 単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する筒状体と、この筒状体を囲繞する上部とこの筒状体よりも下方で単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する下部とを有し且つ下部の下端の内径が筒状体の内径以下である熱遮蔽体と、を炉内に備えた単結晶シリコン引き上げ装置で、炉内上方から下降するガスによってシリコン融液に塵が落下することを防止するシリコン融液の汚染防止方法において、
単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をS1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をS2とした場合に、S2/S1を1.15未満とするように単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体と熱遮蔽体の相対的な位置を調整すること
を特徴とするシリコン融液の汚染防止方法。 - 前記筒状体は、
温度調整用の媒体が供給されるパイプが単結晶シリコンの引き上げ経路を略中心にして螺旋状に巻かれてなる温度調整コイルと、
前記温度調整コイル下端の全体又は一部に沿って取り付けられて該温度調整コイルと共にコイル体を形成するコイル補完部材と、を有し、
前記コイル体下端のいずれの部分と前記熱遮蔽体との間隙が一定であること
を特徴とする請求項1記載の単結晶シリコン引き上げ装置。
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