JP4333634B2 - シリコンウェハーの接合方法 - Google Patents
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Description
図1に示す参考例は、直径3インチ、板厚200μmのシリコンウェハー(1)の接合すべき面を対向させ10枚積層させた。その際シリコンウェハーの接合すべき面の間に直径3インチ、厚さ15μmのアルミニウム箔(2)を挿入し、真空装置を有し、かつその真空状態内で加熱と加圧とを行える接合装置の加熱加圧部に上記構成の構成部材を配置し、3インチのシリコンウェハーに対し700kgの荷重を付加した。その後、ロータリーポンプによる真空引き、窒素ガス流入の置換操作を3回繰り返し、真空装置内の酸素、水蒸気などを十分に追放した後、窒素ガスを10リットル/min流し続け、室温から約50℃/minの昇温速度で600℃まで昇温した。600℃到達後、その温度で3分間にわたって保持し、室温まで冷却し接合された構成部材を取り出した。取り出した構成部材の外周部にはアルミニウムとシリコンの共晶合金が、はみ出し凝固していた。
図2に示すように、直径3インチ、板厚200μmのシリコンウェハー(1)に、アルミニウム(3)を1μm蒸着し、接合すべき面を対向させ、10枚積層させ、後は、参考例1と同条件で接合を行った。本参考例で接合した構成部材の外観は、構成部材の外周部にはみ出しのない良好なものであった。
本参考例は、参考例1の到達設定温度600℃に対し、合金化が始まる約595℃より5℃低い590℃に設定した。
ここでは、シリコンウェハー(1)にアルミニウムを蒸着(3)し、接合すべき面を対向させ10枚積層させ接合を行った。接合構成を図2に示す。
ここでは、参考例3で用いた構成部材の構成を用いて、到達温度をアルミニウムとシリコンの共晶温度577℃より約5℃低い572℃に設定し、接合を行った。設定温度到達までの条件は、参考例3と同様に行った。
ここでは、参考例4で用いた構成部材の構成を用い、到達温度をアルミニウムとシリコンの共晶温度577℃より約5℃低い572℃に設定し、接合を行った。設定温度到達までの条件は、参考例3と同様に行った。
ここでは、参考例5で用いた構成部材の構成を用い、到達温度をアルミニウムとシリコンの共晶温度577℃より約5℃低い572℃に設定し、接合を行った。設定温度到達までの条件は、参考例3と同様に行った。
ここでは、参考例6で用いた構成部材の構成を用い、到達温度をアルミニウムとシリコンの共晶温度577℃より約5℃低い572℃に設定し、接合を行った。設定温度到達までの条件は、参考例3と同様に行った。
図3に示すように、ニッケルめっき(4)が1μm施された直径3インチ、厚さ200μmのシリコンウェハー(1)を接合すべき面を対向させ、10枚積層させた。その際シリコンウェハーの接合すべき面の間に直径3インチ、厚さ10μmのアルミニウム箔(2)を挿入し、真空装置を持ち、かつその真空状態内で加熱と加圧とを行える接合装置の加熱加圧部に上記構成の構成部材を配置し、3インチのシリコンウェハーに対し700kgの荷重を付加した。その後、ロータリーポンプによる真空引き、窒素ガス流入の置換操作を3回繰り返し、真空装置内の酸素、水蒸気などを十分に追放した後、窒素ガスを10リットル/min流し続け、室温から約50℃/minの昇温速度で700℃まで昇温した。700℃到達後、その温度を3分間保持し、室温まで冷却し構成部材を取り出した。
到達温度を600℃および500℃にした以外は、参考例19と同様に構成部材を製造し、それぞれ参考例20および21とした。
ここでは、シリコンウェハーの両面に1μmのニッケルめっきと次に5μmのアルミニウム蒸着を行い、シリコンウェハーを接合すべき面を対向させ、10枚積層させた。その後、参考例19に示す接合法により、到達温度を600℃に設定し同様の接合を行った。参考例19と同様に外観上も良好であり、断面観察からも図4(C)に示すように、未接合部ならびにボイド等の接合部欠陥は、見られなかった。
ここでは、シリコンウェハーと同一直径で、厚さ10μmのアルミニウム箔の両面にニッケルを1μmめっきし、接合すべき面を対向させ10枚積層させたシリコンウェハーの間に挿入し、到達温度を600℃に設定し、参考例19〜22と同様の接合を行った。本実施例では、外観上も断面観察からも、図4(C)に示すように未接合部ならびにボイド等の接合部欠陥は、見られず良好な接合性を示した。
2 アルミニウム箔
3 蒸着アルミニウム
4 ニッケルめっき
5 アルミニウムとシリコンの共晶合金
6 はみ出したアルミニウムとシリコンの共晶合金
7 ボイド
8 NiAl3 +Si(またはアルミニウムとシリコンの合金)
Claims (2)
- 2枚以上のシリコンウェハーと、ニッケルメッキされ、前記シリコンウェハーの間に配置されたアルミニウム、錫、銅、および銀のうち1種からなる薄層とからなる構成部材を加圧状態で加熱する工程と、冷却する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェハーの接合方法。
- 前記加熱する工程が、700℃以下の温度まで加熱し、かつその温度に保持して、シリコンとニッケルおよび前記薄層を構成する金属とを拡散接合させる工程であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハーの接合方法。
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