JP4324719B2 - 蛍光検出装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光検出装置に関し、特に、光源と、検出セルを保持するための検出セル保持部と、上記光源からの光を分光して設定波長の励起光を上記検出セルに照射するための励起側分光部と、上記検出セルからの光を分光して設定波長の蛍光を出射するための蛍光側分光部と、上記蛍光側分光部から出射された蛍光を検出するための蛍光側光検出器とを備えた蛍光検出装置に関するものである。
蛍光検出装置は、例えば液体クロマトグラフやフローインジェクション分析装置、電気泳動分析装置などの検出装置に用いられる。
【0002】
【従来の技術】
従来、検出セルに励起光を照射して検出セルからの光に含まれる蛍光の強度を測定する蛍光検出装置として、スリット幅を変更できる励起側入口スリット及び励起側出口スリットを備え、光源からの光を分光して設定波長の励起光を検出セルに照射するための励起側分光部と、スリット幅を変更できる蛍光側入口スリット及び蛍光側出口スリットを備え、検出セルからの光を分光して設定波長の蛍光を蛍光側光検出器に照射するための蛍光側分光部とを備えたものがある。このような蛍光検出装置では、励起側分光部及び蛍光側分光部のスリット幅を調節することにより、励起側分光部及び蛍光側分光部に入射される光及び励起側分光部及び蛍光側分光部から出射される光のバンド幅を変更できる。
【0003】
そのような蛍光検出装置では、照射する励起光の波長、検出する蛍光の波長、並びに励起光及び蛍光のバンド幅を最適化することにより、検出感度を向上させることができる。
例えば、照射する励起光の波長と検出する蛍光の波長が接近している設定の場合、励起光及び蛍光のバンド幅を広く設定すると、励起光及び蛍光の波長バンドが重なり、検出セル内で散乱した励起光や溶媒のラマン散乱が蛍光側光検出器に入射し、バックグランドレベルが高くなりノイズレベルが増加する。蛍光検出装置が液体クロマトグラフに適用されている場合であれば、移動相送液時のノイズレベルが増大し、S/N比(検出信号振幅とノイズ信号振幅の比)が悪化する。このような場合は励起光及び蛍光のバンド幅を小さくすることによりバックグランドレベルを下げることができ、S/N比を改善することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の蛍光検出装置では、検出感度が最も高くなる励起光及び蛍光のバンド幅の最適化を行なうためには、オペレータの手操作により、励起側分光器の励起側入口スリット及び励起側出口スリット並びに蛍光側分光器の励起側入口スリット及び励起側出口のスリット幅を順次変更しながらS/N比の測定を行なって比較する必要がある。このような操作は複雑であり、長時間を要するという問題があった。
【0005】
そこで本発明は、蛍光検出装置において、励起側分光器及び蛍光側分光器のスリット幅の最適化操作を簡単し、かつ最適化に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光源と、検出セルを保持するための検出セル保持部と、上記光源からの光を分光して設定波長の励起光を上記検出セルに照射するための励起側分光部と、上記検出セルからの光を分光して設定波長の蛍光を出射するための蛍光側分光部と、上記蛍光側分光部から出射された蛍光を検出するための蛍光側光検出器とを備えた蛍光検出装置である。
【0007】
本発明の第1の態様は、上記励起側分光部と上記蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、上記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、検出セルに溶媒とサンプルが順次満たされた状態での上記蛍光側光検出器の検出信号に基づいて上記スリットのスリット幅組合せごとにS/N比を算出するS/N比演算部と、上記S/N比演算部が算出したS/N比を上記スリットのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するS/N比記憶部と、上記S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとのS/N比を比較し、最大のS/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて上記スリットのスリット幅を設定するように上記スリット幅設定部を制御するS/N比比較部とを備えている蛍光検出装置である。
【0008】
本発明の第1の態様を構成するS/N比演算部の一例は、検出セルに溶媒が満たされた状態での上記蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定するノイズ測定部と、上記ノイズ測定部が測定した信号の変動幅をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するノイズ記憶部と、検出セルに溶媒が満たされた状態での上記蛍光側光検出器の検出信号強度をバックグランドレベルとしてスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するバックグランド記憶部と、上記検出セルにサンプルが満たされた状態での上記蛍光側光検出器の検出信号強度を蛍光強度としてスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する蛍光強度記憶部と、スリット幅組合せ情報ごとに、上記ノイズ記憶部に記憶された信号の変動幅、上記バックグランド記憶部に記憶されたバックグランドレベル及び上記蛍光強度記憶部に記憶された蛍光強度に基づいてS/N比を算出するS/N比算出部とを備えている。
【0009】
検出セルに溶媒が満たされた状態で、スリット幅設定部により励起側分光部と蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅、ひいては励起光及び蛍光の一方又はその両方のバンド幅を自動で順次変更しながら、ノイズ測定部により各スリット幅組合せ情報での蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定し、ノイズ記憶部により信号の変動幅をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶し、バックグランド記憶部によりバックグランドレベルをスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する。
【0010】
検出セルにサンプルが満たされた状態で、スリット幅設定部により励起側分光部と蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅、ひいては励起光及び蛍光の一方又はその両方のバンド幅を自動で順次変更しながら、蛍光強度記憶部により蛍光強度をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する。
【0011】
S/N比算出部により、スリット幅組合せ情報ごとに、ノイズ記憶部に記憶された信号の変動幅、バックグランド記憶部に記憶されたバックグランドレベル及び蛍光強度記憶部に記憶された蛍光強度に基づいてS/N比を算出し、S/N比記憶部によりスリット幅組合せ情報と関連付けてS/N比を記憶する。S/N比比較部によりS/N比が最も大きくなるスリット幅組合せ情報を選択し、スリット幅設定部を制御して、選択したスリット幅組合せ情報に基づいてスリット幅を設定する。
【0012】
第2の態様は、上記励起側分光部と上記蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、上記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、上記蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定するノイズ測定部と、上記ノイズ測定部が測定した信号の変動幅を上記スリットのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するノイズ記憶部と、スリット幅組合せ情報ごとに、上記スリットのスリット幅の積を上記ノイズ記憶部に記憶された上記信号の変動幅で除算して推定S/N比を算出するS/N比推定部と、上記S/N比推定部が算出した推定S/N比をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する推定S/N比記憶部と、上記推定S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとの推定S/N比を比較し、最大の推定S/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて上記スリットのスリット幅を設定するように上記スリット幅設定部を制御する推定S/N比比較部と、を備えている蛍光検出装置である。
【0013】
スリット幅設定部により励起側分光部と蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅、ひいては励起光及び蛍光の一方又はその両方のバンド幅を自動で順次変更しながら、ノイズ測定部により各スリット幅組合せ情報での蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定し、ノイズ記憶部により信号の変動幅をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する。
【0014】
S/N比推定部により各スリット幅組合せ情報について、上記スリットのスリット幅の積と信号の変動幅から推定S/N比を算出し、ノイズ記憶部によりスリット幅組合せ情報と関連付けて推定S/N比を記憶する。
ここで、励起側分光部から出射される励起光のバンド幅に対して蛍光物質の吸光度スペクトルの波長範囲は広い場合が多く、さらに、蛍光側分光部から出射される蛍光のバンド幅に対して蛍光スペクトルの波長範囲は広い場合が多いので、蛍光強度はスリット幅にほぼ比例すると仮定できる。これにより、各スリット幅組合せ情報について、上記スリットのスリット幅の積を信号の変動幅で除算することにより、S/N比に対応する値(推定S/N比)を算出することができる。
そして、推定S/N比比較部により推定S/N比が最も大きくなるスリット幅組合せ情報を選択し、スリット幅設定部を制御して、選択したスリット幅組合せ情報に基づいてスリット幅を設定する。
【0015】
【実施例】
図4は、本発明が適用される蛍光検出装置の一例を一部ブロック図を含んで示す概略構成図である。
光源1と、光源1の光を結像するためのミラー1aが設けられている。ミラー1aにより結像された光源1からの光を励起側入口スリット(分光部入口スリット)3aから取り込み、励起側分光素子3cにより分光して所定波長の励起光を励起側出口スリット(分光部出口スリット)3bに結像する励起側分光器(励起側分光部)3が設けられている。
【0016】
励起側分光器3の励起側出口スリット3bからの光を検出セル保持部(図示は省略)に保持された検出セル7に集光する集光レンズ5が設けられている。検出セル7の集光レンズ5とは反対側に、集光レンズ9を介して、検出セル7を透過した励起光を検出するための励起光検出器11が設けられている。
検出セル7の付近に、検出セル7からの光を集光して結像するための集光レンズ13が設けられている。集光レンズ13によって結像された検出セル7からの光を蛍光側入口スリット(分光部入口スリット)15aから取り込み、励起側分光素子15cにより分光して所定波長の蛍光を蛍光側出口スリット(分光部出口スリット)15bに結像する蛍光側分光器15が設けられている。蛍光側出口スリット15bの付近には蛍光側出口スリット15bからの蛍光を検出するための蛍光側光検出器(蛍光側分光部)17が設けられている。
【0017】
図5は励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b、蛍光側入口スリット15a及び蛍光側出口スリット15bの一例を示す概略図である。ただし、励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b、蛍光側入口スリット15a及び蛍光側出口スリット15bは図5に示すものに限定されるものではなく、スリット幅を変更できる機能を備えたものであれば適用することができる。
例えばスリット3a,3b,15a,15bは、光のバンド幅を変更するために、それぞれ異なるスリット幅をもつ開口部19a,19b,19cが設けられたスリット板19を備えている。スリット板19をモータなどにより回転させることにより、光軸にいずれかの開口部19a,19b,19cを配置し、光のバンド幅を選択できるようになっている。
【0018】
開口部19a,19b,19cのスリット幅はスリット3a,3b,15a,15bで同じである必要はない。励起側分光部3の励起側入口スリット3aのスリット幅は励起側入口スリット3a上に結像される光源1の像の幅以下で可変とする。励起側分光部3の励起側出口スリット3bのスリット幅は検出セル7に結像される励起側出口スリット3bの像がサンプルの大きさ以下になる範囲で可変とする。蛍光側分光部15の蛍光側入口スリット15aのスリット幅は蛍光側入口スリット15a上に結像されるサンプルの像の幅以下で可変とする。蛍光側分光部15の蛍光側出口スリット15bのスリット幅は蛍光側出口スリット15bを通過した光が蛍光側光検出器17の検出範囲を外れない範囲で可変とする。
【0019】
図4に戻って説明を続ける。光源1、励起側分光器3、励起光検出器11、蛍光側分光器15及び蛍光側光検出器17に、制御・信号処理部21が電気的に接続されている。制御・信号処理部21は、光源1の点灯及び消灯の制御、励起側分光器3の励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b及び励起側分光素子3cの制御、励起光検出器11の信号処理、蛍光側分光器15の蛍光側入口スリット15a、蛍光側出口スリット15b及び蛍光側分光素子15cの制御、並びに蛍光側光検出器17の信号処理を行なう。
制御・信号処理部21には、測定結果の表示や操作入力を行なうための表示・操作部23と、制御・信号処理部21の信号出力を外部の制御系に接続するための外部機器接続部25が電気的に接続されている。
【0020】
図1は、第1の態様の一実施例を示すブロック図である。
制御・信号処理部21には、光源1の光量の変動による信号の変動を除去するため、蛍光側光検出器17の検出信号を励起光側光検出器11の検出信号で除算する除算器27が設けられている。
除算器27の出力信号に含まれる蛍光信号の周波数帯域外の変動を減衰するためのフィルタ部29が設けられている。フィルタ部29の出力信号は、ゼロ調節を行なうためのゼロ調節部31を経て、信号出力部33から表示・操作部23及び外部のデータ処理装置59に送られる。
【0021】
フィルタ部29の出力信号の変動幅(以下、ノイズレベルという)を測定するためのノイズ測定部35が設けられている。ノイズ測定部35は、例えば標準偏差や、ASTM(American Society for Testing and Materials) E685のノイズ測定にしたがってノイズレベルを求める。
ノイズ測定部35にはノイズレベルを記憶するノイズ記憶部37が電気的に接続されている。ノイズ記憶部37には、励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b、蛍光側入口スリット15a及び蛍光側出口スリット15bのスリット幅を設定するためのスリット幅設定部39が電気的に接続されている。ノイズ記憶部37はスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報と関連付けてノイズレベルを記憶する。スリット幅設定部39には表示・操作部23が電気的に接続されている。
【0022】
検出セル7に溶媒が満たされた状態でのフィルタ部29の出力信号をバックグランドレベルとして記憶するバックグランド記憶部41が設けられている。バックグランド記憶部41にはスリット幅設定部39が電気的に接続されている。バックグランド記憶部41はスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報と関連付けてバックグランドレベルを記憶する。
【0023】
検出セル7にサンプルが満たされた状態でのフィルタ部29の出力信号を蛍光強度として記憶する蛍光強度記憶部43が設けられている。蛍光強度記憶部43にはスリット幅設定部39が電気的に接続されている。蛍光強度記憶部43はスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報と関連付けて蛍光強度を記憶する。
【0024】
ノイズ記憶部37、バックグランド記憶部41及び蛍光強度記憶部43に、S/N比算出部45が電気的に接続されている。S/N比算出部45は、スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報ごとに、ノイズ記憶部37に記憶されたノイズレベル情報、バックグランド記憶部41に記憶されたバックグランドレベル情報、及び蛍光強度記憶部43に記憶された蛍光強度情報に基づいて、S/N比を算出する。S/N比の算出は、蛍光強度からバックグランドレベルを差し引いた値をノイズレベルで除算することにより行なう。
ノイズ測定部35、ノイズ記憶部37、バックグランド記憶部41、蛍光強度記憶部43及びS/N比算出部45はS/N比演算部47を構成する。
【0025】
S/N比算出部45には、S/N比算出部45が算出したS/N比をスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するS/N比記憶部49が電気的に接続されている。
S/N比記憶部49には、S/N比記憶部49に記憶されたS/N比を比較するS/N比比較部51が電気的に接続されている。S/N比比較部51は、S/N比記憶部49に記憶されたS/N比を比較し、最大のS/N比を選択する。
S/N比比較部51には表示・操作部23及びスリット幅設定部39が電気的に接続されている。S/N比比較部51は、選択した最大S/N比を示すスリット幅組合せ情報に基づいてスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定するようにスリット幅設定部39を制御し、選択したスリット幅組合せ情報を表示・操作部23に出力する。
【0026】
図2は、図1の実施例のスリット幅最適化処理時の動作の前半を示すフローチャートである。図3は、図1の実施例のスリット幅最適化処理時の動作の後半を示し、図2の続きを示すフローチャートである。図2及び図3において、nはスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ番号、mはスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ数である。例えば図5に示したスリットを用い、各スリット3a,3b,15a,15bについてそれぞれ3種類のスリット幅を選択する場合、スリット幅組合せ数はm=81であり、スリット幅組合せ番号はn=1〜81である。
図1から図4を参照してスリット幅最適化処理時の動作を説明する。この処理は、表示・操作部23からの操作、又は外部機器接続部25に接続された別の制御機器からの指示で実行される。
【0027】
例えば手動により検出セル7に溶媒を注入してスリット幅最適化処理の準備をする。スリット幅最適化処理を開始する(スタート)。
スリット幅組合せ番号nを初期化して「1」にする(ステップS1)。
スリット幅設定部39により、スリット幅組合せ番号nでの各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報Wnに基づいて各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定する(ステップS2)。
【0028】
スリット幅組合せ番号nでのフィルタ部29の出力信号をバックグランドレベルBnとし、バックグランド記憶部41によりバックグランドレベルBnをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS3)。
ノイズ測定部35により、スリット幅組合せ番号nのときのノイズレベルNnを測定し、ノイズ記憶部37によりノイズレベルNnをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS4)。
【0029】
スリット幅組合せ番号nがスリット幅組合せ数mであるか否かを判断する(ステップS5)。
n≠mのとき(No)、スリット幅組合せ番号nに「1」を加えた後(ステップS6)、ステップS2に戻る。
n=mのとき(Yes)、例えば手動により検出セル7の溶媒をサンプルに置換する(ステップS7)。
【0030】
スリット幅組合せ番号nを初期化して「1」にする(ステップS8)。
スリット幅設定部39により、スリット幅組合せ番号nのスリット幅組合せ情報Wnに基づいて各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定する(ステップS9)。
スリット幅組合せ番号nでのフィルタ部29の出力信号を蛍光強度Snとし、蛍光強度記憶部43により蛍光強度Snをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS10)。
【0031】
スリット幅組合せ番号nがスリット幅組合せ数mであるか否かを判断する(ステップS11)。
n≠mのとき(No)、スリット幅組合せ番号nに「1」を加えた後(ステップS12)、ステップS9に戻る。
n=mのとき(Yes)、スリット幅組合せ番号nを初期化して「1」にする(ステップS13(図3参照))。
【0032】
S/N比算出部45により、スリット幅組合せ番号n(スリット幅組合せ情報Wn)について、ノイズ記憶部37に記憶されたノイズレベルNn、バックグランド記憶部41に記憶されたバックグランドレベルBn、及び蛍光強度記憶部43に記憶された蛍光強度Snに基づいて、S/N比SNnを算出する。S/N比SNnの算出は、蛍光強度SnからバックグランドレベルBnを差し引いた値をノイズレベルNnで除算して算出する。S/N比記憶部49により、S/N比算出部45が算出したS/N比SNnをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS14)。
【0033】
S/N比比較部51により、n=1であるか否かを判断する(ステップS15)。
n=1のとき(Yes)、スリット幅組合せ番号1でのS/N比SN1を最大S/N比SNmaxとし、スリット幅組合せ情報W1を最適スリット幅組合せ情報Wmaxとした後(ステップS16)、ステップS19に進む。
n≠1のとき(No)、スリット幅組合せ番号nでのS/N比SNnが最大S/N比SNmaxよりも大きいか否かを判断する(ステップS17)。
【0034】
ステップS17でS/N比SNnが最大S/N比SNmaxよりも大きいと判断したとき(Yes)、スリット幅組合せ番号nでのS/N比SNnを最大S/N比SNmaxとし、スリット幅組合せ情報Wnを最適スリット幅組合せ情報Wmaxとした後(ステップS18)、ステップS19に進む。
ステップS17でS/N比SNnが最大S/N比SNmax以下であると判断したとき(No)、最大S/N比SNmax及び最適スリット幅組合せ情報WmaxをそのままでステップS19に進む。
【0035】
ステップS19では、スリット幅組合せ番号nがスリット幅組合せ数mであるか否かを判断する。
n≠mのとき(No)、スリット幅組合せ番号nに「1」を加えた後(ステップS20)、ステップS14に戻る。
n=mのとき(Yes)、S/N比比較部51により、スリット幅設定部39を制御して最適スリット幅組合せ情報Wmaxに基づいて各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定する。さらに、最適スリット幅組合せ情報Wmaxを表示・操作部23に表示する(ステップS21)。
このようにして、スリット幅最適化処理を自動で行なうことができる。
【0036】
この実施例では、スリット幅組合せ番号1のときを除いて、S/N比SNnを算出するごとに(ステップS14)、S/N比SNnと最大S/N比SNmaxを比較しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、すべてのスリット幅組合せ番号nについてS/N比SNnを算出してS/N比記憶部49に記憶した後、S/N比記憶部49に記憶されたS/N比SNnをS/N比比較部51により比較するようにしてもよい。
【0037】
図6は、第2の態様の一実施例を示すブロック図である。装置全体の構成は図4と同じである。図1及び図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。
制御・信号処理部21には、除算器27、フィルタ部29、ゼロ調節部31、信号出力部33、ノイズ測定部35、ノイズ記憶部37、スリット幅設定部39及び外部データ処理装置59が設けられている。除算器27には励起光検出器11及び蛍光側光検出器17が電気的に接続されている。スリット幅設定部39には励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b、蛍光側入口スリット15a、蛍光側出口スリット15bが電気的に接続されている。信号出力部33及びスリット幅設定部39には表示・操作部23が電気的に接続さている。
【0038】
ノイズ記憶部37にはS/N比推定部53が電気的に接続されている。S/N比推定部53は、スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報ごとに、ノイズ記憶部37に記憶されたスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報及びノイズレベル情報に基づいて、スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅の積をノイズレベルで除算して推定S/N比を算出する。
ここで、励起側分光部3から出射される励起光のバンド幅に対して蛍光物質の吸光度スペクトルの波長範囲は広い場合が多く、さらに、蛍光側分光部15から出射される蛍光のバンド幅に対して蛍光スペクトルの波長範囲は広い場合が多いので、蛍光強度はスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅の積にほぼ比例すると仮定できる。これにより、スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅の各組合せについて、スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅の積をノイズレベルで除算することにより、S/N比に対応する値(推定S/N比)を算出することができる。
【0039】
S/N比推定部53には、S/N比推定部53が算出した推定S/N比をスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する推定S/N比記憶部55が電気的に接続されている。
推定S/N比記憶部55には、推定S/N比記憶部55に記憶された推定S/N比を比較する推定S/N比比較部57が電気的に接続されている。推定S/N比比較部57は、推定S/N比記憶部55に記憶された推定S/N比を比較し、最大の推定S/N比を示すスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報を選択する。
推定S/N比比較部57には表示・操作部23及びスリット幅設定部39が電気的に接続されている。推定S/N比比較部57は、選択したスリット幅組合せ情報に基づいてスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定するようにスリット幅設定部39を制御し、選択したスリット幅組合せ情報を表示・操作部23に出力する。
【0040】
図7は、図6の実施例のスリット幅最適化処理時の動作を示すフローチャートである。図7において、nはスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ番号、mはスリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ数である。
図4、図6及び図7を参照してスリット幅最適化処理時の動作を説明する。この処理は、表示・操作部23からの操作、又は外部機器接続部25に接続された別の制御機器からの指示で実行される。
【0041】
例えば手動により検出セル7に溶媒を注入してスリット幅最適化処理の準備をする。スリット幅最適化処理を開始する(スタート)。
スリット幅組合せ番号nを初期化して「1」にする(ステップS31)。
スリット幅設定部39により、スリット幅組合せ番号nでの各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅組合せ情報Wnに基づいて各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定する(ステップS32)。
ノイズ測定部35により、スリット幅組合せ番号nのときのノイズレベルNnを測定し、ノイズ記憶部37によりノイズレベルNnをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS33)。
【0042】
S/N比推定部53によりスリット幅組合せ情報Wnの各スリット幅の積TWnをノイズレベルNnで除算し、S/N比に対応する推定S/N比SN'nを算出し、推定S/N比記憶部55により推定S/N比SN'nをスリット幅組合せ番号n及びスリット幅組合せ情報Wnと関連付けて記憶する(ステップS34)。
【0043】
スリット幅組合せ番号nがスリット幅組合せ数mであるか否かを判断する(ステップS35)。
n≠mのとき(No)、スリット幅組合せ番号nに「1」を加えた後(ステップS36)、ステップS32に戻る。
n=mのとき(Yes)、スリット幅組合せ番号nを初期化して「1」にし、スリット幅組合せ番号1のときの推定S/N比SN'1を最大推定S/N比SN'maxとし、スリット幅組合せ情報W1を最適スリット幅組合せ情報Wmaxとする(ステップS37)。
【0044】
推定S/N比比較部57により、推定S/N比SN'nが最大推定S/N比SN'maxよりも大きいか否かを判断する(ステップS38)。
推定S/N比SN'nが最大推定S/N比SN'maxよりも大きいとき(Yes)、スリット幅組合せ番号nでの推定S/N比SN'nを最大推定S/N比SN'maxとし、スリット幅組合せ情報Wnを最適スリット幅組合せ情報Wmaxとした後(ステップS39)、ステップS40に進む。
推定S/N比SN'nが最大推定S/N比SN'max以下であると判断したとき(No)、最大推定S/N比SN'max及び最適スリット幅組合せ情報WmaxをそのままでステップS40に進む。
【0045】
ステップS40では、スリット幅組合せ番号nがスリット幅組合せ数mであるか否かを判断する。
n≠mのとき(No)、スリット幅組合せ番号nに「1」を加えた後(ステップS41)、ステップS38に戻る。
n=mのとき(Yes)、推定S/N比比較部57により、スリット幅設定部39を制御して最適スリット幅組合せ情報Wmaxに基づいて各スリット3a,3b,15a,15bのスリット幅を設定する。さらに最適スリット幅組合せ情報Wmaxを表示・操作部23に表示する(ステップS42)。
このようにして、スリット幅最適化処理を自動で行なうことができる。
【0046】
上記実施例では、検出セル7への溶媒及びサンプルの注入を手動で行なっているが、本発明はこれに限定されるものではなく、検出セル7への溶媒及びサンプルの注入は、例えば検出セル7の付近に自動分注器を設けて自動で行なってもよいし、検出セル7としてフローセルを用いて自動でフローセル内に溶媒及びサンプルを導入して行なってもよい。
【0047】
上記実施例では、光源1の光量変動による信号の変動を除去するために、検出セル7の励起側分光部3とは反対側に配置した励起光検出器11により検出セル7を透過した励起光を監視しているが、本発明が適用される蛍光検出装置の構成はこれに限定されるものではなく、例えば励起側分光部3から出射された励起光の一部を監視できる位置に励起光検出器を配置して励起光の光量の変動を監視するなど、励起光の光量の変動を監視できる励起光検出器の配置であれば、どのような構成であってもよい。
また、光源1の光量変動による信号の変動を除去するための励起光検出器11及び割算器27を備えた蛍光検出装置に本発明を適用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、光源の光量変動による信号の変動を除去するための機能を備えていない蛍光検出装置にも適用することができる。
【0048】
また、上記実施例では励起側分光部及び蛍光側分光部の両方に分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構を備えた蛍光検出装置に本発明を適用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、励起側分光部及び蛍光側分光部の一方のみに分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構を備えた蛍光検出装置にも適用することができる。また、本発明の構成は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の内容の範囲内で種々の変更が可能である。
【0049】
【発明の効果】
本発明の第1の態様では、励起側分光部と蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、上記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、S/N比演算部と、S/N比記憶部と、S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとのS/N比を比較し、最大のS/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて上記スリットのスリット幅を設定するようにスリット幅設定部を制御するS/N比比較部とを備えているようにしたので、従来オペレータが行なっていた励起側分光器及び蛍光側分光器のスリット幅の最適化処理を自動化することができ、検出感度の高いバンド幅の選択を簡単に、かつ早く実現できる。
【0050】
第2の態様では、励起側分光部と蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、上記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、ノイズ測定部と、ノイズ記憶部と、S/N比推定部と、推定S/N比記憶部と、推定S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとの推定S/N比を比較し、最大の推定S/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて上記スリットのスリット幅を設定するようにスリット幅設定部を制御する推定S/N比比較部とを備えているようにしたので、従来オペレータが行なっていた励起側分光器及び蛍光側分光器のスリット幅の最適化処理を自動化することができ、検出感度の高いバンド幅の選択を簡単に、かつ早く実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の態様の一実施例を示すブロック図である。
【図2】同実施例のスリット幅最適化処理時の動作の前半を示すフローチャートである。
【図3】同実施例のスリット幅最適化処理時の動作の後半を示し、図2の続きを示すフローチャートである。
【図4】本発明が適用される蛍光検出装置の一例を一部ブロック図を含んで示す概略構成図である。
【図5】励起側入口スリット3a、励起側出口スリット3b、蛍光側入口スリット15a及び蛍光側出口スリット15bの一例を示す概略図である。
【図6】第2の態様の一実施例を示すブロック図である。
【図7】同実施例のスリット幅最適化処理時の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1 光源
1a ミラー
3 励起側分光器
3a 励起側入口スリット
3b 励起側出口スリット
3c 励起側分光素子
5,9,13 集光レンズ
7 検出セル
11 励起光検出器
15 蛍光側分光器
15a 蛍光側入口スリット
15b 蛍光側出口スリット
15c 励起側分光素子
17 蛍光側光検出器17
21 制御・信号処理部
23 表示・操作部
25 外部機器接続部
27 除算器
29 フィルタ部
31 ゼロ調節部
33 信号出力部
35 ノイズ測定部
37 ノイズ記憶部
39 スリット幅設定部
41 バックグランド記憶部
43 蛍光強度記憶部
45 S/N比算出部
47 S/N比演算部
49 S/N比記憶部
51 S/N比比較部
53 S/N比推定部
55 推定S/N比記憶部
57 推定S/N比比較部
59 外部データ処理装置

Claims (3)

  1. 光源と、検出セルを保持するための検出セル保持部と、前記光源からの光を分光して設定波長の励起光を前記検出セルに照射するための励起側分光部と、前記検出セルからの光を分光して設定波長の蛍光を出射するための蛍光側分光部と、前記蛍光側分光部から出射された蛍光を検出するための蛍光側光検出器とを備えた蛍光検出装置において、
    前記励起側分光部と前記蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、
    前記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、
    検出セルに溶媒とサンプルが順次満たされた状態での前記蛍光側光検出器の検出信号に基づいて前記スリットのスリット幅組合せごとにS/N比を算出するS/N比演算部と、
    前記S/N比演算部が算出したS/N比を前記スリットのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するS/N比記憶部と、
    前記S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとのS/N比を比較し、最大のS/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて前記スリットのスリット幅を設定するように前記スリット幅設定部を制御するS/N比比較部と、を備えたことを特徴とする蛍光検出装置。
  2. 前記S/N比演算部は、検出セルに溶媒が満たされた状態での前記蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定するノイズ測定部と、前記ノイズ測定部が測定した信号の変動幅をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するノイズ記憶部と、検出セルに溶媒が満たされた状態での前記蛍光側光検出器の検出信号強度をバックグランドレベルとしてスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するバックグランド記憶部と、前記検出セルにサンプルが満たされた状態での前記蛍光側光検出器の検出信号強度を蛍光強度としてスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する蛍光強度記憶部と、スリット幅組合せ情報ごとに、前記ノイズ記憶部に記憶された信号の変動幅、前記バックグランド記憶部に記憶されたバックグランドレベル及び前記蛍光強度記憶部に記憶された蛍光強度に基づいてS/N比を算出するS/N比算出部とを備えている請求項1に記載の蛍光検出装置。
  3. 光源と、検出セルを保持するための検出セル保持部と、前記光源からの光を分光して設定波長の励起光を前記検出セルに照射するための励起側分光部と、前記検出セルからの光を分光して設定波長の蛍光を出射するための蛍光側分光部と、前記蛍光側分光部から出射された蛍光を検出するための蛍光側光検出器とを備えた蛍光検出装置において、
    前記励起側分光部と前記蛍光側分光部の両分光部又は一方の分光部の分光部入口スリット及び分光部出口スリットのスリット幅を変更する機構と、
    前記スリットのスリット幅組合せを順次変更するスリット幅設定部と、
    前記蛍光側光検出器の検出信号の変動幅を測定するノイズ測定部と、
    前記ノイズ測定部が測定した信号の変動幅を前記スリットのスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶するノイズ記憶部と、
    スリット幅組合せ情報ごとに、前記スリットのスリット幅の積を前記ノイズ記憶部に記憶された前記信号の変動幅で除算して推定S/N比を算出するS/N比推定部と、
    前記S/N比推定部が算出した推定S/N比をスリット幅組合せ情報と関連付けて記憶する推定S/N比記憶部と、
    前記推定S/N比記憶部に記憶されたスリット幅組合せ情報ごとの推定S/N比を比較し、最大の推定S/N比を示すスリット幅組合せ情報を選択し、選択したスリット幅組合せ情報に基づいて前記スリットのスリット幅を設定するように前記スリット幅設定部を制御する推定S/N比比較部と、を備えたことを特徴とする蛍光検出装置。
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