JP4318457B2 - インピーダンス整合のためのモジュール - Google Patents

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Description

［発明の分野］
本発明は、インピーダンス整合に関し、特にそれに限定されるわけではないが、電力増幅器のインピーダンス整合に関する。
［発明の背景］
本発明の分野においては、電力増幅器のような装置から、エネルギの最適転送のため、電力増幅器の出力インピーダンスは、その電力増幅器により駆動される回路の入力インピーダンスと整合すべきであることが知られている。実際には、集積回路（ＩＣ）電力増幅器（ＰＡ）のような電力増幅器の出力インピーダンスは、通常、当該ＩＣに対して外部に取り付けられ且つ当該ＩＣにワイヤにより接続されているインダクタ及びキャパシタのような構成要素を含む電気的／電子的回路網の使用により整合される。ワイヤ・ボンディングは、通常、ワイヤを接続するため用いられる。キャパシタは、金属酸化物半導体キャパシタ（ＭＯＳＣＡＰ）又は表面取り付けデバイス（ＳＭＤ）型キャパシタであり得る。インダクタは、一般的に、前述のキャパシタにより正確な位置で接地に分路（シャント）されるマイクロストリップ又はコプレーナ線路のような伝送線を用いて作られる。
しかしながら、このアプローチは、ＳＭＤキャパシタが、コストの目的のため、損失と、帯域幅を狭める無視し得ない直列寄生インダクタンスと、並びに多数の性能パラメータにわたりＰＡ ＲＦ性能偏差を低下させる大きな公差とをもたらす低品質の要因を持つという不利益を有する。その上、そのようなＳＭＤキャパシタは、それらが自動的に拾い上げられ且つ配置されるので、組み立て機械の制約に適合するため最小間隔（スペーシング）規格を持ち、従って、電力増幅器応用の全体的大きさを増大させることをもたらす。
従って、前述の不利益を減少させ得るインピーダンス整合に対する要求が存在する。
［発明の概要］
本発明は、添付の特許請求の範囲に記載されたインピーダンス整合のためのモジュールを提供する。
本発明を組み込むインピーダンス整合のための４つの装置及び方法が、ここで、例としてのみで、添付図面を参照して説明される。
［好適な実施形態の説明］
最初に図１を参照して、電力増幅器１０２（例えば、セルラ無線応用に使用のモジュール・デュアル・バンド（２バンド）ＰＡのようなもの）のための既知のインピーダンス整合装置１００は、ある一定数のワイヤ１０４を有し、そのある一定数のワイヤ１０４は、整合されるべきＲＦ電力トランジスタ１０８を有するＩＣ１０６とプリントされた伝送線（以下、「プリント伝送線」という。）１１０との間に従来のワイヤ・ボンディング技術により取り付けられている。外部の表面取り付けデバイス（ＳＭＤ）キャパシタ１１２が、アース／接地と、ワイヤ１０４から遠く離れたプリント伝送線１１０上の正確な位置との間に接続される。
この構成（装置）において、インダクタ（Ｌｌｉｎｅ＋ｌｗｉｒｅ）は、プリント伝送線１１０、そのプリント伝送線１１０の長さ、及びインダクタンス値ｌｗｉｒｅを決定するワイヤからのインダクタンスを用いて実現されることが認められるであろう。プリント伝送線１１０の長さは、ＳＭＤキャパシタ１１２の正確な位置により規定される。そのような構成は、ＲＦ電力トランジスタ１０８の出力インピーダンスを増大させる整合セルを構成する。典型的には、実際に、唯１つのインピーダンス整合セルの使用によっては、出力インピーダンスが、電力増幅器１０２のＲＦ性能を低下させること無しに、（典型的な３オームの不整合から）５０オームの典型的な所望値に到達するのを可能にしない。従って、追加の整合セルが、必要とされ、そして第２のＳＭＤキャパシタが、アース／接地と、第１の正確な位置から遠隔のプリント伝送線１１０上の第２の正確な位置との間に接続される。デュアル・バンド電力増幅器応用に対して、前述した１個の構成（装置）が、各帯域に対して必要とされる。
このアプローチにおいて、プリント伝送線の幅に起因した低い誘導性（ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）を有するそのプリント伝送線の長さ、並びに、自動拾い出し／配置機械が必要とする部品対部品の間隔に適合することが必要であるＳＭＤキャパシタの使用は、その大きさを、従って電力増幅器応用のコストを著しく増大させることをもたらすことが認められるであろう。
更に、ＳＭＤキャパシタは、コストの理由のため、損失と、帯域幅を狭める無視し得ない直列寄生インダクタンスと、並びに多数の性能パラメータにわたりＰＡ ＲＦ性能偏差を低下させる大きな公差とをもたらす低品質の要因を有する。
ここで図２を参照すると、デュアル・バンド・セルラ無線電力増幅器モジュールのための第１の新規なインピーダンス整合装置２００は、ある一定数のワイヤ２０２ａ−２０２ｆを有し、それらある一定数のワイヤ２０２ａ−２０２ｆは、その上に（整合されるべき）ＲＦ電力トランジスタ２０６及び集積キャパシタ２０８があるＩＣ２０４と、プリント伝送線２１０、第１のボンディング・ゾーン・パッド２１２及び第２のボンディング・ゾーン・パッド２１４のそれぞれとの間に従来のワイヤ・ボンディング技術により取り付けられる。
プリント伝送線２１０、第１のボンディング・ゾーン・パッド２１２及び第２のボンディング・ゾーン・パッド２１４はそれぞれ、ＩＣ２０４（ＩＣ２０４のそれぞれの層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃで）に、２つのワイヤ２０２により接続される。プリント伝送線２１０（それはコプレーナ又はマイクロストリップ伝送線であり得る。）は、集積化されたキャパシタ（以下、「集積キャパシタ」という。）２０８にＩＣ層２０４ｃで２つのワイヤ２０２ａ及び２０２ｂにより接続される。第１のボンディング・ゾーン・パッド２１２は、ＲＦ電力トランジスタ２０６にＩＣ層２０４ａにおいてワイヤ２０２ｃにより接続され、且つ集積キャパシタ２０８にＩＣ層２０４ｂにおいてワイヤ２０２ｄにより接続される。第２のボンディング・ゾーン・パッド２１４は、集積キャパシタ２０８にＩＣ層２０４ｂにおいてワイヤ２０２ｅにより接続され、且つＲＦ電力トランジスタ２０６にＩＣ層２０４ａにおいてワイヤ２０２ｆにより接続される。以下でより詳細に説明されるように、１対のワイヤ（２０２ｃと２０２ｄ、２０２ｅと２０２ｆ）において、一方のワイヤ（２０２ｃ、２０２ｆ）は、ＲＦ電流をＩＣ２０４上のＲＦ電力トランジスタ２０６から伝え、そして他方のワイヤ（２０２ｄ、２０２ｅ）は、ＲＦ電流をＩＣ２０４上の集積キャパシタ２０８に伝える。実際には、電流を伝える容量を増大させるため、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ及び２０２ｆとして個々に説明されたワイヤは、現実にワイヤの群であってよく、各群は個々の２つのワイヤ又はそれより多いワイヤを有することが理解されるであろう。
インピーダンス整合装置２００において、１対のワイヤ（２０２ｃと２０２ｄ、２０２ｅと２０２ｆ）が、ＲＦ電流を逆平行（ａｎｔｉ−ｐａｒａｌｌｅｌ）で伝え、従ってそれらの間で相互インダクタンスを生成し、その相互インダクタンスは、当該ワイヤの自己インダクタンスに対して負に加わって、その結果結合のインダクタンスを生成するのが認められるであろう。この負の追加の効果は、（図１の既知の構成と比較して）各対のワイヤのその結果生じるインダクタンスを低下させることをもたらすことが認められるであろうし、そして更に、これが、第１の整合セルにとって通常必要とされる低いインダクタンス値を達成する可能性をもたらすことが認められるであろう。その上、図２の構成の対称的幾何学的形状は、ＲＦ電力トランジスタ２０６に、熱的且つ電気的に良好に平衡にされた作動条件を与える。
本発明がある電力増幅器の出力インピーダンスを整合させることを参照して上記で説明されたが、本発明を、代替として多段増幅器の場合における段間整合回路網に用いることができるであろうことが認められるであろう。
ここで図３を参照すると、インピーダンス整合装置２００の電気的等価回路３００は、１対のワイヤ（２０２ｃと２０２ｄ）及び（２０２ｅと２０２ｆ）のそれぞれにより実現されるインダクタンスＬｃｄ及びＬｅｆとを並列に置くことにより発生されるインダクタンスＬとキャパシタＣ（これはＰＡ ＩＣとして同じダイ上に一体化されている。）とにより構成される整合セル３０２を有する。
ここで図４を参照すると、示された整合セル３０２の概要図４００は、上記装置が外部の構成要素を用いないことを実証している。それは、前述のように、キャパシタＣがＩＣダイに一体化され、そしてインダクタンスが１対のワイヤ２０２により構成されているからである。従って、インピーダンス整合装置２００は、図１の既知の装置と比較して、高いＱの構成要素及び小さいダイ・サイズを与えることができ、且つ外部の構成要素の数を低減させることができる。
ここで図５を参照すると、図２のインピーダンス整合装置に類似し、デュアル・バンド・セルラ無線電力増幅器モジュールのための第２の新規なインピーダンス整合装置５００は、２つのインピーダンス整合セルを利用している。２つのセル式の装置５００においては、多数のワイヤ５０２ａ−５０２ｊが、従来のワイヤ・ボンディング技術により、整合されるべきＲＦ電力トランジスタ５０６及び集積キャパシタ５０８及び５０９（２つの部分５０９．１及び５０９．２に示されている。）がその上にあるＩＣ５０４と、プリント伝送線５２２、第１のボンディング・ゾーン・パッド５１４及び第２のボンディング・ゾーン・パッド５１６、第３のボンディング・ゾーン・パッド５１８及び第４のボンディング・ゾーン・パッド５２０のそれぞれとの間に取り付けられている。
第１のボンディング・ゾーン・パッド５１４及び第２のボンディング・ゾーン・パッド５１６はそれぞれ、ＲＦ電流をワイヤ５０２ｃ及び５０２ｊのそれぞれによりＩＣ層５０４ａにおけるＩＣ５０４から受け取るよう接続されている。第１のボンディング・ゾーン・パッド５１４及び第２のボンディング・ゾーン・パッド５１６はそれぞれ、ＲＦ電流をワイヤ５０２ｄ及び５２０ｉのそれぞれにより、集積キャパシタ５０８を組み込んでいるＩＣ５０４の層５０４ｂへ送るよう接続されている。第３のボンディング・ゾーン・パッド５１８及び第４のボンディング・ゾーン・パッド５２０はそれぞれ、ＲＦ電流をワイヤ５０２ｅ及び５０２ｈのそれぞれにより、集積キャパシタ５０８を組み込んでいるＩＣ５０４の層５０４ｂから受け取るよう接続されている。第３のボンディング・ゾーン・パッド５１８及び第４のボンディング・ゾーン・パッド５２０はそれぞれ、ＲＦ電流をワイヤ５０２ｆ及び５０２ｇのそれぞれにより、集積キャパシタ５０９を組み込んでいるＩＣ５０４の層５０４ｃへ送るよう接続されており、そしてその集積キャパシタ５０９は、ワイヤ５０２ａ及び５０２ｂによりプリント伝送線５２２に接続されている。
インピーダンス整合装置５００においては、図２の装置２００におけるように、対のワイヤ（５０２ｃ及び５０２ｄ、５０２ｅ及び５０２ｆ、５０２ｇ及び５０２ｈ、５０２ｉ及び５０２ｊ）は、ＲＦ電流を逆平行で伝え、従ってそれらの間で相互インダクタンスを生成し、その相互インダクタンスは、当該ワイヤの自己インダクタンスに対して負に加わって、前述したのと同じ利点を有する、その結果生じる結合のインダクタンスを生成するのが認められるであろう。更に、インピーダンス整合装置５００が２つのインピーダンス整合セル（５１４、５０２ｃ、５０２ｄ、５１６、５０２ｉ、５０２ｊ、５０８、及び５１８、５０２ｅ、５０２ｆ、５２０、５０２ｇ、５０２ｈ、５０９のそれぞれ）を組み込んでいるので、このことは、電力増幅器５０４の出力インピーダンスを３Ωの典型的値から、図２の単一セル式の装置２００の場合より５０Ωの所望値へより効率的に増大させるのを可能にする。
ここで図６を参照すると、第３の新規なインピーダンス整合装置６００は、図２の単一セル式の装置に原理的に類似しており、そしてインターディジテート（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅ）されたレイアウトを組み込んでいる。デュアル・バンド・セルラ無線電力増幅器モジュール用インピーダンス整合装置６００は、従来のワイヤ・ボンディング技術により、整合されるべきＲＦ電力トランジスタ６０８がその上にあるＩＣ６０４と、集積キャパシタ６０８と、ボンディング・ゾーン６１０と、伝送線６２２との間に取り付けられた多数のワイヤ６０２を有する。集積キャパシタ６０８は、ＩＣダイ中に分散され、そしてトランジスタ６０６からボンディング・ゾーン６１０へ、ボンディング・ゾーン６１０から集積キャパシタ６０８へ、集積キャパシタ６０８からプリント伝送線６２２へ、それぞれ電流を伝えるワイヤ６０２は、そのダイ全体にわたってインターディジテートされている。このようにして、インピーダンス整合装置６００は、上記で説明した図２の装置２００の全ての利点を持ち、更に、ＲＦ電流導通がダイ全体にわたり分散しているのでより効率的な熱及び電気的動作を可能にすることが認められるであろう。
図６のインピーダンス整合装置６００は、前述した図２の装置２００と似て単一のインピーダンス整合セルに基づいているので、同様に２つ又はそれより多いインピーダンス整合セルへ拡張し得る。
ここで図７を参照すると、第４の新規なインピーダンス整合装置７００は、図６のインピーダンス整合装置６００と原理的に類似しており、そして２つの異なるダイを利用しながらインターディジテートされたレイアウトを取り入れている。デュアル・バンド・セルラ無線電力増幅器モジュール用インピーダンス整合装置７００は、従来のワイヤ・ボンディング技術により、整合されるべきＲＦ電力トランジスタ７０６がその上にある第１のＩＣダイ７０４ａと、集積キャパシタ７０８を組み込んでいる第２のＩＣダイ７０４ｂと、ボンディング・ゾーン７１０と、プリント伝送線７２２との間に取り付けられた多数のワイヤ７０２を有する。図６のインピーダンス整合装置６００におけるのと同様に、集積キャパシタ７０８は、ＩＣダイ７０４ｂ全体にわたり分散され、そしてＩＣダイ７０４ａ上のトランジスタ７０６からボンディング・ゾーン７１０へ、ボンディング・ゾーン７１０からＩＣダイ７０４ｂ上の集積キャパシタ７０８へ、ＩＣダイ７０４ｂ上の集積キャパシタ７０８からプリント伝送線７２２へ、それぞれ電流を伝えるワイヤ７０２が、これらのダイに跨ってインターディジテートされている。このようにして、インピーダンス整合装置７００は、前述した図２の装置２００の全ての利点、及び前述した図６のインピーダンス整合装置６００の熱分散の追加の利点を有することが認められるであろう。更に、インピーダンス整合装置７００は、２つのダイ７０４ａ及び７０４ｂを用いるので、装置の全体コストを低減するのを可能にすることが認められるであろう。それは、ダイ７０４ａ（それは典型的にはよりコストが高いガリウム砒素半導体である。）の大きさが、ＲＦ電力トランジスタ７０６を設けるに必要なだけの大きさまでに低減されることができる一方、集積キャパシタ７０８を設けるダイ７０４ｂをよりコストの低いシリコン半導体にすることができるからである。
図７のインピーダンス整合装置７００は、前述した図２の装置２００及び図６のインピーダンス整合装置６００に似て単一のインピーダンス整合セルに基づいているので、同様に２つ又はそれより多いインピーダンス整合セルへ拡張し得ることが認められるであろう。この場合、第２（及び更なる任意のセル）に必要とされるキャパシタは、全てよりコストが低いダイ７０４ｂに設け得る。
本発明がＲＦ電力トランジスタに関して上記で説明されたが、本発明は、代替として、より高い又はより低い周波数で、又はインピーダンス変換、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）又は低雑音増幅器（ＬＮＡ）を必要とする他の応用に用いられることができるであろうことが認められるであろう。また、本発明は、ＧＳＭ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、Ｗ−ＣＤＭＡ、ＧＰＲＳ、ＥＤＧＥ、ＵＭＴＳのような標準の変調、又は希望され得る他の変調スキームを含む電気通信応用に用いられることができることが認められるであろう。
前述したインピーダンス整合のための装置及び方法は、次の利点を与えるであろうことが理解されるであろう。
・実現が容易
・整合の精度が増大
・少ししか外部の構成要素を必要としない
・製造が容易
・専用の設計フローを必要としない
・標準のＩＣ生産及び試験ツールだけしか必要でない
・低損失の整合回路網を使用
・（キャパシタの統合化のため）ダイの大きさが少しだけ増大するが、しかし本解決策の合計の大きさは、外部の構成要素の数が低減するので、著しく（例えば、５０％）低減し得る。
図１は、インピーダンス整合のための既知の装置の略部分断面図を示す。 図２は、本発明を組み込む、インピーダンス整合のための第１の新規な装置の略部分断面図を示す。 図３は、図２の装置のための電気的等価回路のブロック略図を示す。 図４は、図３の回路の一部の概要図を示す。 図５は、２つのインピーダンス整合セルを利用し、且つ本発明を組み込む、インピーダンス整合のための第２の新規な装置の略部分断面図を示す。 図６は、図２の装置に原理的に類似し、インターディジテートされたレイアウトを利用し、且つ本発明を組み込む、インピーダンス整合のための第３の新規な装置の略部分断面図を示す。 図７は、図２の装置に類似し、２つのダイを有するインターディジテートされたレイアウトを利用し、且つ本発明を組み込む、インピーダンス整合のための第４の新規な装置の略部分断面図を示す。

Claims (7)

  1. ノード（２０４ａ）と、出力（２１０）と、相互インダクタンス関係にある第１及び第２の電流導体（２０２ｃ，２０２ｄ）とを含むモジュールであって、
    前記第１及び第２の電流導体（２０２ｃ，２０２ｄ）は、前記ノード（２０４ａ）を前記出力（２１０）と接続するためのインピーダンス整合装置（２００）の中に、前記第１の電流導体（２０２ｃ）が電流を前記ノード（２０４ａ）から前記第２の電流導体（２０２ｄ）へ伝え且つ前記第２の電流導体（２０２ｄ）が電流を前記第１の電流導体（２０２ｃ）から前記出力（２１０）へ伝えるように配置され、
    前記インピーダンス整合装置（２００）が、前記第２の電流導体と結合されたキャパシタンス手段（２０８）を含み、
    前記第１及び第２の電流導体が、それらの全体のインダクタンスがそれらの相互インダクタンスにより低減されたそれらの自己インダクタンスの和を有するよう十分に近接して位置され、
    前記インピーダンス整合装置（２００）が、前記ノード（２０４ａ）に接続されたデバイス（２０４）のインピーダンスを前記出力（２１０）のより高いインピーダンスに整合させる
    ことを特徴とするモジュール。
  2. 前記出力が伝送線（２１０）を備える請求項１記載のモジュール。
  3. 前記ノード（２０４ａ）及び前記キャパシタンス手段（２０８）が、集積回路（２０４）に設けられている請求項１又は２記載のモジュール。
  4. 前記ノード（２０４ａ）と前記キャパシタンス手段（２０８）とが、それぞれの集積回路（７０４ａ，７０４ｂ）に設けられている請求項１又は２記載のモジュール。
  5. 前記インピーダンス整合装置（５００）が更に、第３及び第４の電流導体（５０２ｅ，５０２ｈ；５０２ｆ，５０２ｇ）を備え、
    前記第３の電流導体（５０２ｅ，５０２ｈ）が、電流を前記第２の電流導体（５０２ｄ，５０２ｉ）から前記第４の電流導体（５０２ｆ，５０２ｇ）へ伝え、
    前記第４の電流導体（５０２ｆ，５０２ｇ）が、電流を前記第３の電流導体（５０２ｅ，５０２ｈ）から前記出力（２１０）へ伝え、
    前記第３及び第４の電流導体が、それらの全体のインダクタンスがそれらの相互インダクタンスにより低減されたそれらの自己インダクタンスの和を有するよう十分に近接して位置される
    請求項１から４のいずれか一項に記載のモジュール。
  6. 前記インピーダンス整合装置（５００）が更に、前記第４の電流導体の両端部のうちの一つの端部であって伝送線（５２２）を介して前記出力（２１０）に接続されている端部に結合された第２のキャパシタンス（５０９）を備える請求項５記載のモジュール。
  7. 前記電流導体（６０２，７０２）がインターディジテート（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅ）されている請求項１から６のいずれか一項に記載のモジュール。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006090204A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-31 Freescale Semiconductor, Inc. Lead-frame circuit package
US7518466B2 (en) 2005-08-29 2009-04-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for symmetrical and/or concentric radio frequency matching networks
JP2007184414A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子実装用基板、半導体装置及び電子機器
US20070274059A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Chennupati Raghuram Siva Apparatus and method for shielding of electromagnetic interference of a memory module
JP5317969B2 (ja) * 2006-07-12 2013-10-16 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 負荷ラインの適応
DE102008044845B4 (de) * 2008-08-28 2015-04-09 Epcos Ag Bias-Netzwerk
KR102432150B1 (ko) 2014-08-15 2022-08-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱 시스템들을 위한 소형의 구성 가능한 모듈형 무선 주파수 매칭 네트워크 조립체
CN109417364A (zh) * 2016-07-01 2019-03-01 三菱电机株式会社 放大器
WO2019202631A1 (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
EP4274740A4 (en) * 2021-01-11 2024-02-21 Hewlett Packard Development Co MATCHING ELECTRICALLY CONDUCTIVE LINE RESISTORS AND SWITCHES IN FLUIDIC CHIPS

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6717634A (ja) * 1967-12-22 1969-06-24
US3784883A (en) * 1971-07-19 1974-01-08 Communications Transistor Corp Transistor package
US3893159A (en) * 1974-02-26 1975-07-01 Rca Corp Multiple cell high frequency power semiconductor device having bond wires of differing inductance from cell to cell
US3893459A (en) 1974-03-04 1975-07-08 Mine Safety Appliances Co Emergency breathing apparatus
JPH0482846U (ja) 1990-11-28 1992-07-20
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JPH08130419A (ja) * 1994-11-01 1996-05-21 Fujitsu Ltd 増幅器並びにこれを有する受信機及び通信機
JPH10256850A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Fujitsu Ltd 半導体装置及び高周波電力増幅器
JP2000510653A (ja) * 1997-04-16 2000-08-15 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 高速集積回路のための分散型ｅｓｄ保護デバイス
US6448865B1 (en) * 1999-02-25 2002-09-10 Formfactor, Inc. Integrated circuit interconnect system

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