JP4314789B2

JP4314789B2 - 積層セラミックコンデンサの製造方法

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Publication number: JP4314789B2
Application number: JP2002195639A
Authority: JP
Inventors: 日出夫廣瀬; 孝明河合; 俊典河原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-07-04
Filing date: 2002-07-04
Publication date: 2009-08-19
Anticipated expiration: 2022-07-04
Also published as: JP2004039892A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関するもので、特に、積層セラミックコンデンサにおける内部電極と外部電極との接合性を高めるための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、この発明にとって興味ある積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【０００３】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、複数の積層された誘電体セラミック層３と、誘電体セラミック層３間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成された複数の内部電極４および５とを備えている。
【０００４】
内部電極４および５は、積層体２の端面６および７のいずれか一方にまで引き出される。そして、その一方の端縁が積層体２の一方の端面６上に露出させた状態で形成された内部電極４とその一方の端縁を積層体２の他方の端面７上に露出させた状態で形成された内部電極５とが、積層体２の内部において、誘電体セラミック層３を介して静電容量が得られるように交互に配置されている。
【０００５】
上述の静電容量を取り出すため、積層体２の端面６および７上には、内部電極４に電気的に接続されるように、外部電極８が形成され、内部電極５に電気的に接続されるように、外部電極９が形成されている。
【０００６】
また、外部電極８および９上には、たとえば、ニッケルからなる第１のめっき層１０および１１がそれぞれ形成され、さらにその上には、錫または半田からなる第２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成されている。
【０００７】
このような積層セラミックコンデンサ１において、そのコストの低減等を目的として、内部電極４および５に含まれる導電材料として、たとえばニッケルまたは銅のような卑金属が用いられ、また、外部電極８および９に含まれる導電材料として、たとえば銅またはニッケルのような卑金属が用いられるようになってきている。
【０００８】
上述のような積層セラミックコンデンサ１は、一般的に、次のようにして製造される。
【０００９】
たとえばＣａＺｒＯ₃を主成分とするセラミックのような非還元性セラミックのための原料粉末を含むスラリーが用意され、このスラリーをシート状に成形することによって、誘電体セラミック層３となるべきセラミックグリーンシートが用意される。
【００１０】
次に、セラミックグリーンシート上に、ニッケル粉末のような卑金属粉末を含む導電性ペーストを用いて、所望のパターンを有する内部電極４および５のための導電性ペースト膜が印刷等によって形成される。
【００１１】
次に、導電性ペースト膜がそれぞれ形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートが積層され、熱圧着されることによって、一体化され、所望の寸法にカットすることによって、積層体２の生の状態のものが得られる。
【００１２】
次に、焼成工程が実施され、それによって、焼結後の積層体２が得られる。この焼成工程は、内部電極４および５に含まれる導電成分としてのニッケルのような卑金属の酸化を防止するため、還元性雰囲気中で実施される。焼結後の積層体２において、前述したセラミックグリーンシートは誘電体セラミック層３となり、導電性ペースト膜は内部電極４および５となる。
【００１３】
次に、積層体２の端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が、内部電極４および５のいずれか特定のものに電気的に接続されるように形成される。外部電極８および９は、導電成分として銅またはニッケルのような卑金属を含む導電性ペーストを付与しかつ焼き付けることによって形成される。
【００１４】
次に、外部電極８および９上に、たとえばニッケルの湿式めっきが施され、それによって、第１のめっき層１０および１１が形成され、さらにその上に、たとえば錫または半田の湿式めっきが施され、それによって、第２のめっき層１２および１３が形成される。
【００１５】
このようにして、図１に示した積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上述の製造方法によって製造される積層セラミックコンデンサ１において、外部電極８および９の形成のための導電性ペーストの焼付け条件によっては、内部電極４および５と外部電極８および９との接合不良が生じ、それによって、積層セラミックコンデンサ１の取得静電容量が設計値より小さくなったり、あるいは、めっき層１０〜１３の形成のための湿式めっきを施した後に、積層体２において内部欠陥が生じたりすることがある。
【００１７】
上述の問題は、外部電極８および９の形成のための導電性ペーストの焼付け工程において適用される雰囲気と大いに関連している。
【００１８】
より具体的には、この焼付け工程での雰囲気が内部電極４および５に含まれる卑金属の平衡酸素分圧よりも酸化側になると、内部電極４および５と外部電極８および９との接合不良が生じやすく、それによる静電容量不足が生じやすい傾向がある。これは、外部電極８および９の形成のための焼付け工程で内部電極４および５内のニッケルのような卑金属が酸化することによるものである。
【００１９】
他方、焼付け工程での雰囲気が内部電極４および５に含まれる卑金属の平衡酸素分圧よりも還元側になると、外部電極８および９の焼結度合いが不足し、めっき液が外部電極８および９を通して積層体２の内部に浸入しやすくなり、積層体２において内部欠陥が生じやすい傾向がある。
【００２０】
このように、上述の静電容量不足および内部欠陥の各問題は、相反する雰囲気条件からもたらされるものであり、そのため、これら２つの問題を同時に解決することは困難である。
【００２１】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解決し得る積層セラミックコンデンサの製造方法を提供しようとすることである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、非還元性セラミックからなる複数の積層された誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の特定の複数の界面に沿いかつ各一方の端縁をいずれか一方の端面上に露出させた状態で形成された卑金属を含む複数の内部電極とを備える、積層体を作製する工程と、内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、積層体の各端面上に卑金属を含む導電性ペーストを付与しかつ焼き付けることによって、外部電極を形成する工程とを備える、積層セラミックコンデンサの製造方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００２３】
すなわち、この発明では、内部電極に含まれる卑金属および外部電極に含まれる卑金属の少なくとも一方はニッケルを含み、外部電極を形成する工程の後、外部電極が形成された積層体を、ニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等または還元側の酸素分圧の雰囲気下において、導電性ペーストを焼き付ける温度の±１００℃以内の温度で熱処理する工程をさらに実施することを特徴としている。
【００２４】
この発明は、内部電極に含まれる卑金属が、ニッケルであるとき、特に有利に適用される。
【００２５】
また、この発明は、誘電体セラミック層を構成する非還元性セラミックがＣａＺｒＯ _３を主成分とするものであるとき、特に有利に適用される。
【００２６】
また、熱処理する工程において適用される雰囲気は、主成分としてＮ₂ガスを含み、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂およびＣＯのうちの少なくとも１種のガスによって酸素分圧がコントロールされることが好ましい。
【００２７】
この発明は、外部電極に湿式めっきを施す工程をさらに備える、積層セラミックコンデンサの製造方法において特に有利に適用され、この場合、前述した熱処理する工程の後、湿式めっき工程が実施される。
【００２８】
この発明において、外部電極に含まれる卑金属としては、たとえば銅が有利に用いられる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサの製造方法を、図１を参照して説明する。なお、前述した説明と重複する部分については、その説明を省略することもある。
【００３０】
積層セラミックコンデンサ１を製造するため、たとえばＣａＺｒＯ₃を主成分とするセラミックのような非還元性セラミックのための原料粉末を含むスラリーが用意され、このスラリーをシート状に成形することによって、誘電体セラミック層３となるべきセラミックグリーンシートが用意される。
【００３１】
次に、セラミックグリーンシート上に、導電成分としてニッケルを含む導電性ペーストを用いて、所望のパターンを有する内部電極４および５のための導電性ペースト膜が印刷等によって形成される。
【００３２】
次に、上述のように、導電性ペースト膜がそれぞれ形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートが積層され、熱圧着されることによって、一体化され、次いで、所望の寸法にカットされることによって、積層体２の生の状態のものが得られる。
【００３３】
次に、還元性雰囲気中での焼成工程が実施され、焼結した積層体２が得られる。この積層体２において、前述したセラミックグリーンシートは誘電体セラミック層３となり、導電性ペースト膜は内部電極４および５となる。したがって、積層体２は、たとえばＣａＺｒＯ₃を主成分とする非還元性セラミックからなる複数の積層された誘電体セラミック層３と、誘電体セラミック層３間の特定の複数の界面に沿いかつ各一方の端縁をいずれか一方の端面６または７上に露出させた状態で形成されたニッケルを含む複数の内部電極４および５とを備えている。
【００３４】
次に、積層体２の端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が、内部電極４および５のいずれか特定のものに電気的に接続されるように形成される。外部電極８および９は、導電成分としての銅またはニッケルのような卑金属粉末を含む導電性ペーストを付与し、これを焼き付けることによって形成される。なお、外部電極８および９に含まれる卑金属としては、ニッケルを用いた内部電極４および５との整合性の点で銅を用いる方がより好ましい。
【００３５】
これら外部電極８および９を形成するための導電性ペーストの焼付け工程では、たとえば６００〜１０００℃の温度が適用され、また、銅等の酸化を防止するため、酸素濃度が制限された雰囲気下で実施されることが好ましいが、この発明では、特に、これら温度および雰囲気条件が限定されるものではない。
【００３６】
次に、上述のように外部電極８および９が形成された積層体２は、熱処理される。この熱処理工程では、内部電極４および５に含まれるニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等またはニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧よりも還元側の酸素分圧の雰囲気下で実施される。この熱処理工程では、熱処理装置として、たとえばバッチ式炉またはトンネル式炉が用いられる。
【００３７】
上述したような熱処理工程において適用される雰囲気は、主成分としてＮ₂ガスを含み、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂およびＣＯのうちの少なくとも１種のガスによって酸素分圧がコントロールされることが好ましい。
【００３８】
すなわち、熱処理のための炉内において、Ｎ₂ガスを導入したとき、炉内に当初から存在していたＯ₂のため、および、Ｎ₂ガスは、純粋なものを作製することが困難で、Ｎ₂ガスに若干含まれているＯ₂のため、炉内の雰囲気には必ずＯ₂が含まれている。この場合において、酸素分圧をより下げたい場合には、Ｈ₂ガスが導入され、他方、酸素分圧を酸化側にしたい場合には、Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂およびＣＯの少なくとも１種が導入される。このようにすることにより、熱処理工程において適用される雰囲気の酸素分圧を、酸化側または還元側に任意に制御することが容易である。
【００３９】
上述したように、外部電極８および９を形成した後、ニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等またはこの平衡酸素分圧よりも還元側の酸素分圧の雰囲気下で熱処理することによって、後述する実験例から明らかなように、静電容量不足および内部欠陥が生じることを防止することができる。
【００４０】
ここで、静電容量不足の防止は、この熱処理によって、内部電極４および５の酸化部分が還元されて、内部電極４および５と外部電極８および９との再接合が促進され、そのため、内部電極４および５と外部電極８および９との接合不良による静電容量不足が解消したためであると考えられる。また、内部欠陥の防止は、熱処理によって、外部電極８および９の焼結性が向上し、そのため、外部電極８および９を通してのめっき液の浸入が抑制されたためであると考えられる。
【００４１】
また、この熱処理において適用される熱処理温度は、後述する実験例から明らかなように、外部電極８および９の形成のための導電性ペーストを焼き付ける温度の±１００℃以内の温度であることが好ましい。
【００４２】
熱処理温度が、導電性ペーストの焼付け温度より１００℃を超える差をもって低い場合には、前述した容量不足および内部欠陥の発生を抑制する効果が不十分となる。他方、熱処理温度が、導電性ペーストの焼付け温度より１００℃を超える差をもって高い場合には、積層体２の耐曲げ性試験において不良が発生しやすくなる。これは、熱処理温度が高くなることによって、外部電極８および９の焼結性が向上するが、この焼結性の必要以上の向上によって、外部電極８および９の積層体２に対する締め付けによる応力が大きくなりすぎたためであると考えられる。
【００４３】
次に、外部電極８および９上に、たとえばニッケルの湿式めっきが施され、それによって、第１のめっき層１０および１１が形成され、さらにその上に、錫または半田の湿式めっきが施され、それによって、第２のめっき層１２および１３が形成される。この湿式めっき工程、特に第１のめっき層１０および１１の形成のための湿式めっき工程において、外部電極８および９の焼結性が高められているので、めっき液が外部電極８および９を通して積層体２の内部に浸入することが抑制され、したがって、前述したような内部欠陥の発生を有利に防止することができる。
【００４４】
以上のようにして、積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００４５】
次に、この発明における特徴的構成である外部電極８および９の形成のための導電性ペーストの焼付け後の熱処理工程での好ましい条件を求めるため、およびこの発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４６】
【実験例】
１．基本試料
ＣａＺｒＯ₃を主成分とする非還元性セラミック原料粉末を用いてセラミックスラリーを作製し、このスラリーを用いて、セラミックグリーンシートを成形した。
【００４７】
次に、セラミックグリーンシートの特定のものに、ニッケル粉末を導電成分として含む導電性ペーストをスクリーン印刷法によって印刷し、内部電極のための導電性ペースト膜を形成した。
【００４８】
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着し、その後、カットすることによって、積層セラミックコンデンサのための積層体の生の状態のものを得た。
【００４９】
次に、生の積層体を、還元性雰囲気中において、焼成し、それによって、焼結後の積層体を得た。
【００５０】
次に、積層体の端面上に、銅粉末を導電成分として含む導電性ペーストを塗布し、表１に示す「外部電極焼付け条件」にて焼き付け、外部電極を形成した。
【００５１】
次に、外部電極上に、ニッケルの湿式めっきを施すことによって、第１のめっき層を形成し、さらに、錫の湿式めっきを施すことによって、第２のめっき層を形成し、表１に示した試料１および２の各々に係る積層セラミックコンデンサを作製した。なお、作製した積層セラミックコンデンサは、設計値で３３０ｐＦの静電容量を有するものであった。
【００５２】
次に、得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表１の「試験結果」の欄にその結果が示されているように、「容量不足発生率」、「内部欠陥発生率」および「耐曲げ性不良率」をそれぞれ評価した。
【００５３】
より詳細には、「容量不足発生率」は、全試料数１００００個について、静電容量を測定し、その測定値が前述の設計値より１０％以上低いものを容量不足と判定し、この容量不足が生じている試料数の比率を求めたものである。
【００５４】
「内部欠陥発生率」は、全試料数１００００個について、超音波探傷試験機等を用いた非破壊試験により内部欠陥を検出し、この内部欠陥が生じている試料数の比率を求めたものである。
【００５５】
「耐曲げ性不良率」は、各条件より抜き取った１００個の試料について、ＪＩＳＣ５１０２−１９９４にて規定されている耐基板曲げ性試験を行ない、たわみ量２ｍｍ、保持時間５秒間の条件下で、クラック等が発生したものを耐曲げ性不良とし、この耐曲げ性不良が生じている試料数の比率を求めたものである。
【００５６】
【表１】

【００５７】
表１に示すように、試料１および２のいずれにおいても、容量不足および内部欠陥が発生しているが、試料１および２を比較すれば、外部電極の焼付け時の雰囲気がより酸化側である試料１では、試料２に比べて、内部電極と外部電極との接合不良による容量不足がより多く発生し、他方、外部電極の焼付け時の雰囲気がより還元側である試料２では、試料１に比べて、外部電極の焼結度合いが不足しているため、めっき液の浸入による内部欠陥がより多く発生している。
【００５８】
なお、耐曲げ性については、試料１および２のいずれにおいても、不良が発生していない。
【００５９】
２．酸素分圧条件を変えた熱処理を施した試料
次に、上述した試料１および２の各々を作製するための工程を同様に実施しながら、外部電極の形成のための導電性ペーストの焼付け後において、さらに、表２の「外部電極焼付け後の熱処理条件」の欄に示すように、８００℃の温度を付与しかつ種々の酸素分圧条件で熱処理を施した試料を作製した。
【００６０】
表２において、試料１−１ないし１−６のように、試料番号の前項に「１」が付されているものは、表１に示した試料１を基本とするものであり、試料２−１ないし２−６のように、試料番号の前項に「２」を付されているものは、表１に示した試料２を基本とするものである。
【００６１】
また、表２には、参考として、温度８００℃におけるニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧が「Ｎｉ平衡酸素分圧」の欄に示されている。
【００６２】
また、表２には、前掲の表１に示した「試験結果」と同様の方法によって評価した「容量不足発生率」、「内部欠陥発生率」および「耐曲げ性不良率」が示されている。
【００６３】
【表２】

【００６４】
表２において、試料番号に＊を付した試料１−１、１−２、２−１および２−２は、この発明の範囲外のものである。
【００６５】
これら試料１−１、１−２、２−１および２−２では、少なくとも外部電極焼付け後の熱処理を行なっているので、試料１−１および１−２と前掲の表１に示した試料１とを比べたり、試料２−１および２−２と表１に示した試料２とを比べたりすると、容量不足発生率が低減されていることがわかる。しかしながら、これら試料１−１、１−２、２−１および２−２では、熱処理時の酸素分圧がＮｉ平衡酸素分圧より酸化側にあるため、内部電極と外部電極との再接合がそれほど進まず、容量不足発生率を０％とするまでには至っていない。
【００６６】
これに対して、この発明の範囲内にある試料１−３ないし１−６および２−３ないし２−６によれば、外部電極焼付け後の熱処理において、Ｎｉ平衡酸素分圧と同等かこれよりも還元側の酸素分圧の雰囲気が適用されているので、内部電極と外部電極との再接合が十分に促進され、その結果、容量不足発生率を０％とすることができる。
【００６７】
また、内部欠陥発生率について評価すると、この発明の範囲外にある試料１−１、１−２、２−１および２−２についても言えることであるが、この発明の範囲内の試料１−３ないし１−６および２−３ないし２−６によれば、前掲の表１に示した試料１および２とそれぞれ比較すればわかるように、内部欠陥発生率を０％とすることができる。これは、外部電極焼付け後の熱処理によって、外部電極の焼結性が向上し、めっき液の浸入が抑制されたためであると考えられる。
【００６８】
また、表２に示した試料１−１ないし１−６および２−１ないし２−６によれば、表１に示した試料１および２の場合と同様、耐曲げ性不良率を０％とすることができる。
【００６９】
３．温度条件を変えた熱処理を施した試料
次に、前掲の表１に示した試料１および２の各々を作製するための工程を同様に実施しながら、外部電極の形成のための導電性ペーストの焼付け後において、さらに、表３の「外部電極焼付け後の熱処理条件」の欄に示すように、種々の温度および酸素分圧条件で熱処理を施した試料を作製した。
【００７０】
表３において、試料１−１１ないし１−１９のように、試料番号の前項に「１」が付されているものは、表１に示した試料１を基本とするものであり、試料２−１１ないし２−１９のように、試料番号の前項に「２」が付されているものは、表１に示した試料２を基本とするものである。
【００７１】
表３には、また、参考として、「外部電極焼付け後の熱処理条件」の「温度」の欄に示した各温度でのニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧が「Ｎｉ平衡酸素分圧」の欄に示されている。この「Ｎｉ平衡酸素分圧」の欄に示した酸素分圧と「外部電極焼付け後の熱処理条件」の「酸素分圧」の欄に示した酸素分圧とを比較すればわかるように、表３に示したすべての試料について、「外部電極焼付け後の熱処理条件」の「酸素分圧」は、「Ｎｉ平衡酸素分圧」よりも還元側の酸素分圧となっている。
【００７２】
また、表３には、前掲の表１に示した「試験結果」と同様の方法によって評価した「容量不足発生率」、「内部欠陥発生率」および「耐曲げ性不良率」が示されている。
【００７３】
なお、表３において、試料１−１６および２−１４は、それぞれ、表２に示した試料１−４および２−４と同等である。
【００７４】
【表３】

【００７５】
表３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲から外れた試料である。
【００７６】
表３において、試料１−１１ないし１−１９は、表１に示す試料１を基本とするものであり、外部電極の焼付け時においては８５０℃の温度が適用されたものである。
【００７７】
これら試料１−１１ないし１−１９のうち、外部電極の焼付け温度８５０℃より２００℃および１５０℃それぞれ高い温度である１０５０℃および１０００℃の各温度で熱処理された試料１−１１および１−１２では、耐曲げ性不良が発生している。これは、外部電極の焼結性が必要以上に向上し、そのため、積層体の締め付けによる応力が大きくなったためであると考えられる。
【００７８】
他方、外部電極の焼付け時の温度８５０℃より１５０℃および２００℃それぞれ低い７００℃および６５０℃の各温度で熱処理された試料１−１８および１−１９では、内部電極と外部電極との再接合がそれほど進まず、また、外部電極の焼結性がそれほど進まないため、容量不足および内部欠陥がともに発生している。
【００７９】
これらに対して、外部電極の焼付け温度８５０℃の±１００℃以内の温度である７５０℃ないし９５０℃の範囲の各温度で熱処理された試料１−１３ないし１−１７によれば、容量不足、内部欠陥および耐曲げ性不良のいずれもが発生していない。
【００８０】
試料２−１１ないし２−１９は、表１に示すように、外部電極の焼付け時の温度が７５０℃である。これら試料２−１１ないし２−１９においても、上述した試料１−１１ないし１−１９の場合と同様の傾向が現れている。
【００８１】
すなわち、焼付け温度７５０℃より１００℃を超える差をもって高い温度で熱処理された２−１１および２−１２では、耐曲げ性不良が発生し、他方、焼付け温度７５０℃より１００℃を超える差をもって低い温度で熱処理された試料２−１８および２−１９では、容量不足および内部欠陥が発生している。
【００８２】
これらに対し、焼付け温度７５０℃の±１００℃以内の温度、すなわち６５０℃ないし８５０℃の範囲にある各温度で熱処理された試料２−１３ないし２−１７によれば、容量不足、内部欠陥および耐曲げ性不良のいずれをも発生していない。
【００８３】
なお、上記実施例においては、内部電極がニッケルの場合を例に挙げて説明したが、これに限るものではなく、たとえば銅等の卑金属を用いた場合にも、この発明を同様に適用することができる。
【００８４】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、非還元性セラミックからなる誘電体セラミック層と卑金属を含む内部電極とを備える積層体をもって積層セラミックコンデンサを製造するにあたって、内部電極に含まれる卑金属および外部電極に含まれる卑金属の少なくとも一方がニッケルを含むようにし、卑金属を含む導電性ペーストを付与しかつ焼き付けることによって外部電極を形成した後、ニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等またはこの酸化−還元平衡酸素分圧よりも還元側の酸素分圧の雰囲気下で熱処理するようにしているので、内部電極と外部電極との再接合を促進させることができるとともに、外部電極の焼結性を向上させることができる。
【００８５】
したがって、内部電極と外部電極との接合不良による取得静電容量不足を防止することができる。
【００８６】
また、外部電極に湿式めっきを施す場合、外部電極を通してのめっき液の積層体への浸入を抑制することができ、積層体において内部欠陥が生じることを防止することができる。
【００８７】
このようなことから、高い歩留まりをもって積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００８８】
また、この発明によれば、熱処理工程において適用される熱処理温度が、外部電極の形成のための導電性ペーストを焼き付ける温度の±１００℃以内の温度に選ばれるので、前述した内部電極と外部電極との再接合の促進および外部電極の焼結性の向上といった効果を維持しながら、外部電極の焼結性が必要以上に向上することを防止でき、その結果、積層体の締め付けによる応力が大きくなりすぎることがなく、積層体の耐曲げ性が低下することを確実に防止することができる。
【００８９】
また、熱処理工程において適用される雰囲気が、主成分としてＮ₂ガスを含み、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂およびＣＯのうちの少なくとも１種のガスによって酸素分圧がコントロールされるようにすると、所望の酸素分圧のコントロールを容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１積層セラミックコンデンサ
２積層体
３誘電体セラミック層
４，５内部電極
６，７端面
８，９外部電極
１０〜１３めっき層

Claims

非還元性セラミックからなる複数の積層された誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の特定の複数の界面に沿いかつ各一方の端縁をいずれか一方の端面上に露出させた状態で形成された卑金属を含む複数の内部電極とを備える、積層体を作製する工程と、
前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、前記積層体の各前記端面上に卑金属を含む導電性ペーストを付与しかつ焼き付けることによって、外部電極を形成する工程と
を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記内部電極に含まれる卑金属および前記外部電極に含まれる卑金属の少なくとも一方はニッケルを含み、
前記外部電極を形成する工程の後、前記外部電極が形成された前記積層体を、ニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等または還元側の酸素分圧の雰囲気下において、前記導電性ペーストを焼き付ける温度の±１００℃以内の温度で熱処理する工程をさらに備えることを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。
前記内部電極に含まれる卑金属は、ニッケルである、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
前記非還元性セラミックは、ＣａＺｒＯ _３を主成分とするものである、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
前記熱処理する工程において適用される雰囲気は、主成分としてＮ₂ガスを含み、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂およびＣＯのうちの少なくとも１種のガスによって酸素分圧がコントロールされる、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
前記熱処理する工程の後、前記外部電極に湿式めっきを施す工程をさらに備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
前記外部電極に含まれる前記卑金属は銅である、請求項１ないし５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。