JP4300741B2 - デバイスの製造方法及び製造装置、デバイス及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液滴吐出ヘッドを用いてデバイスを製造する製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路等の微細な配線パターンを有するデバイス製造方法としてフォトリソグラフィー法が多用されているが、近年において、インクジェット方式を用いたデバイスの製造方法が注目されている。特開平１１−２７４６７１号公報にはインクジェット方式を用いた電気回路の製造方法に関する技術が開示されている。上記公報に開示されている技術は、パターン形成面にパターン形成用材料を含んだ流動体をインクジェットヘッドから吐出することによって電気回路を形成するものであり、少量多種生産に対応可能である点などにおいて大変有効である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来例においては、インク吐出動作停止時にインクジェットヘッドのノズルが乾燥し、インクの増粘化やインクからの固形分の析出により目詰まりやインクの飛行曲がりが生じて安定した吐出動作が行われない場合があった。インクの吐出安定性が悪化すると、所望の精度を有するデバイスが製造できなくなるといった問題が生じる。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、インクジェットヘッドのノズルの目詰まり等の不具合の発生を防止し、安定したインク吐出動作を実現することによって所望の精度を有するデバイスを製造できるデバイスの製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のデバイスの製造方法は、パターン形成領域を有する基板と複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドとを走査方向へ相対移動しつつ、前記パターン形成領域に対して前記複数のノズルから液体材料を吐出する工程を有するデバイスの製造方法において、前記基板と伴に相対移動すると共に、前記走査方向と直交する方向において前記基板の幅よりも大きく設けられたフラッシング領域に、前記パターン形成領域に対する吐出動作の前に、前記複数のノズルから前記液体材料を吐出するフラッシング工程を備え、前記相対移動は、時間軸において加速区間と、定速区間とを含み、前記パターン形成領域に対する前記液体材料の吐出は前記定速区間において行われ、前記フラッシング工程は、前記加速区間において開始され、前記定速区間前までに終了すると共に、前記パターン形成領域に対する吐出動作に比べて、高い周波数で前記液滴吐出ヘッドを駆動することを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、パターン形成領域に対する吐出動作の前に、複数のノズルからフラッシング領域に液体材料を吐出するフラッシング工程を行うことにより、ノズルにおける液体材料（インク）の増粘化や液体材料からの固形分の析出を防ぎ、液滴吐出ヘッドのノズルの目詰まり等を防止できる。ゆえに、液滴吐出ヘッドは安定した吐出動作を実現でき、パターンを所望の精度で形成できる。また、基板と伴に相対移動するフラッシング領域が、走査方向に対して直交する方向において基板の幅よりも大きく設けられている。したがって、基板に対する液滴吐出ヘッドの走査（相対移動）において、複数のノズルの一部が基板に対して外れるように液滴吐出ヘッドが配置されても、基板を外れたノズルからもフラッシング領域に液体材料を吐出するフラッシング吐出動作を行うことができる。ゆえに、走査時の液滴吐出ヘッドの配置に関わらず、ノズルの吐出状態を安定した状態とすることが可能なデバイスの製造方法を提供することができる。
さらには、フラッシング領域に対する吐出動作は、相対移動における加速区間に開始され、定速区間前までに終了する。これによれば、パターンを形成するための吐出動作区間である定速区間に入る前にフラッシング吐出動作が終了するので、パターンを精度良く安定的に形成できる。また、加速区間においてフラッシング吐出動作を行うことにより、定速区間のストロークを大きく設定できるので、パターン形成領域を拡大することができる。
また、フラッシング工程では、高い周波数で液滴吐出ヘッドを駆動するので、単位時間当たりの吐出数を増やしてノズルの目詰まりを効果的に防止し、後のパターン形成時の吐出動作をより安定化させることができる。
この場合、フラッシング工程では、すべてのノズルから液体材料を吐出することが好ましい。走査時の液滴吐出ヘッドの配置に関わらず、すべてのノズルの吐出状態を安定した状態とすることができる。
【０００７】
本発明のデバイスの製造方法において、前記相対移動は、時間軸において連続した前記加速区間、速度調整区間、前記定速区間、減速区間に亘って行われ、前記フラッシング工程は、前記加速区間において開始され、速度調整区間において終了するとしてもよい。
この方法によれば、定速区間に入る直前の速度調整区間にフラッシング吐出動作が終了するので、安定した吐出状態で直ちにパターン形成のための吐出動作を行うことができる。
【００１０】
ここで、加速区間とは、基板及び所定領域に対する液滴吐出ヘッドの相対速度を目標速度（目標値）まで加速する区間であり、速度調整区間とは、基板及び所定領域に対する液滴吐出ヘッドの移動速度が目標速度に対して所定範囲（許容範囲）内に達するとともにこの移動速度が安定するまでの区間であり、定速区間とは、基板に対する液滴吐出ヘッドの移動速度が安定している区間であり、減速区間とは、移動する液滴吐出ヘッドあるいは基板を減速する区間である。
【００１４】
本発明のデバイスの製造方法において、前記基板に対して有機エレクトロルミネッセンス装置形成用材料を吐出する構成が採用される。
これにより、有機エレクトロルミネッセンス装置を精度良く製造できる。
【００１５】
本発明のデバイスの製造装置は、基板のパターン形成領域に対して液体材料を吐出するデバイスの製造装置において、前記基板を支持するステージと、前記液体材料を吐出する複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドと、前記液滴吐出ヘッドと前記ステージとを走査方向に相対移動させる移動装置と、前記移動装置により前記ステージと伴に相対移動し、前記走査方向に対して直交する方向において前記基板の幅よりも大きく設けられたフラッシング領域と、前記相対移動は、時間軸において加速区間と、定速区間とを含み、前記加速区間において前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を開始させ、前記定速区間前までに前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を終了させ、前記定速区間において前記パターン形成領域への前記液体材料の吐出動作を行うように、前記液滴吐出ヘッドと前記移動装置とを制御する制御装置とを備え、制御装置は、パターン形成領域に対する吐出動作に比べて、高い周波数で液滴吐出ヘッドを駆動して、フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を行わせることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、制御装置は、液滴吐出ヘッドに対してフラッシング領域とステージとを走査方向に相対移動させる走査において、複数のノズルからフラッシング領域に液体材料を吐出するフラッシング吐出動作を加速区間に開始して、定速区間前までに終了するように液滴吐出ヘッドと移動装置とを制御する。これにより、定速区間において基板のパターン形成領域に対して吐出動作を行う前に、液滴吐出ヘッドのノズルにおける液体材料の増粘化や液体材料からの固形分の析出を防ぎ、ノズルの目詰まり等を解消することができる。また、フラッシング領域が、走査方向に対して直交する方向において基板の幅よりも大きく設けられているので、走査時に複数のノズルの一部が基板を外れるように液滴吐出ヘッドが配置されても、基板を外れたノズルからもフラッシング領域に液体材料を吐出することができる。
また、フラッシング吐出動作では、高い周波数で液滴吐出ヘッドが駆動され、単位時間当たりの吐出数が増化するので、ノズルの目詰まりが効果的に防止され、後のパターン形成時の吐出動作をより安定化させることができる。
すなわち、走査時の基板に対する液滴吐出ヘッドの配置に関わらず、液滴吐出ヘッドの安定した吐出動作を実現して、パターンを所望の精度で形成可能なデバイスの製造装置を提供することができる。
【００１７】
本発明のデバイスの製造装置において、前記相対移動は、時間軸において連続した前記加速区間、速度調整区間、前記定速区間、減速区間に亘って行われ、前記制御装置は、前記速度調整区間において前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を終了させるとしてもよい。
この構成によれば、定速区間に入る直前の速度調整区間にフラッシング吐出動作が終了するので、安定した吐出状態で直ちに液体材料の吐出動作を行うことができる。すなわち、時間的な無駄を省いて作業効率よく液体材料を吐出可能なデバイスの製造装置を提供することができる。
【００２０】
本発明のデバイスの製造装置において、フラッシング領域が、前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分において、前記基板の走査方向の前方側および後方側のうち、少なくとも一方に設けられていることが望ましい。これによれば、液滴吐出ヘッドと基板とを相対的に走査しつつ吐出動作を行う場合、パターン形成領域に対する吐出動作の前に、フラッシング吐出動作を行うことによって、液滴吐出ヘッドのノズルの乾燥を招くことなく直ちにパターン形成領域に対して吐出動作を行うことができる。また、パターン形成領域に対する吐出動作の後に、フラッシング吐出動作を行なわせて、ノズルの目詰まりを解消した状態で次の吐出動作に対して待機させることができる。
【００２３】
本発明のデバイスの製造装置において、前記液滴吐出ヘッドは、有機エレクトロルミネッセンス装置形成用材料を吐出する構成が採用される。
これにより、有機エレクトロルミネッセンス装置を精度良く製造できる。
【００２６】
ここで、液滴吐出ヘッドは、インクジェットヘッドを含む。インクジェット方式としては、圧電体素子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェット方式であっても、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた方式であってもよい。パターンを形成する液滴吐出ヘッドとしてインクジェット方式を採用することにより、安価な設備でパターン形成領域の任意の場所に任意の厚さで液体材料を設けることができる。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置でもよい。
【００２７】
液体材料（流動体）とは、液滴吐出ヘッドのノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる固体物質は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として分散させたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、パターン形成領域とは、フラット基板の表面を指す他、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のデバイスの製造装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明のデバイスの製造装置の一実施形態を示す図であって、インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）を有するインクジェット装置（液滴吐出装置）を示す概略斜視図である。
【００２９】
図１において、インクジェット装置ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、基板Ｐを支持するステージＳＴと、ステージＳＴ上に設けられた第１フラッシング領域（第１の所定領域）５２と、ベース１２とステージＳＴとの間に介在し、ステージＳＴを移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、ステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して所定の材料を含むインク（液体材料、流動体）を吐出可能なインクジェットヘッド２０と、インクジェットヘッド２０を移動可能に支持する第２移動装置１６と、インクジェットヘッド２０のインクの吐出動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。更に、インクジェット装置ＩＪは、ベース１２上に設けられている重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２２と、クリーニングユニット２４と、第２フラッシング領域（第２の所定領域）５９とを有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置１６を含むインクジェット装置ＩＪの動作は、制御装置ＣＯＮＴによって制御される。
【００３０】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ軸方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、支柱１６Ａ，１６Ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２Ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ軸方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ軸方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ軸方向はベース１２の前部１２Ｂと後部１２Ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ軸方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向である。
【００３１】
第１移動装置１４は、例えばリニアモータによって構成され、ガイドレール４０、４０と、このガイドレール４０に沿って移動可能に設けられているスライダー４２とを備えている。このリニアモータ形式の第１移動装置１４のスライダー４２は、ガイドレール４０に沿ってＹ軸方向に移動して位置決め可能である。
【００３２】
また、スライダー４２はＺ軸回り（θＺ）用のモータ４４を備えている。このモータ４４は、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ４４のロータはステージＳＴに固定されている。これにより、モータ４４に通電することでロータとステージＳＴとは、θＺ方向に沿って回転してステージＳＴをインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、ステージＳＴをＹ軸方向及びθＺ方向に移動可能である。
【００３３】
ステージＳＴは基板Ｐを保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、ステージＳＴは吸着保持装置５０を有しており、吸着保持装置５０が作動することにより、ステージＳＴの穴４６Ａを通して基板ＰをステージＳＴの上に吸着して保持する。
【００３４】
第２移動装置１６はリニアモータによって構成され、支柱１６Ａ，１６Ａに固定されたコラム１６Ｂと、このコラム１６Ｂに支持されているガイドレール６２Ａと、ガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動可能に支持されているスライダー６０とを備えている。スライダー６０はガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動して位置決め可能であり、インクジェットヘッド２０はスライダー６０に取り付けられている。
【００３５】
インクジェットヘッド２０は、揺動位置決め装置としてのモータ６２，６４，６６，６８を有している。モータ６２を作動すれば、インクジェットヘッド２０は、Ｚ軸に沿って上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ６４を作動すると、インクジェットヘッド２０は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ６６を作動すると、インクジェットヘッド２０は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ６８を作動すると、インクジェットヘッド２０は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、インクジェットヘッド２０をＸ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に支持するとともに、このインクジェットヘッド２０をθＸ方向（Ｘ軸回り）、θＹ方向（Ｙ軸回り）、θＺ方向（Ｚ軸回り）に移動可能に支持する。
【００３６】
このように、図１のインクジェットヘッド２０は、スライダー６０において、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、インクジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐは、ステージＳＴ側の基板Ｐに対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、インクジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐにはインクを吐出する複数のノズルが設けられている。
【００３７】
図２はインクジェットヘッド２０を示す分解斜視図である。図２に示すように、インクジェットヘッド２０は、ノズル２１１が設けられたノズルプレート２１０及び振動板２３０が設けられた圧力室基板２２０を、筐体２５０に嵌め込んで構成されている。このインクジェットヘッド２０の主要部構造は、図３の斜視図一部断面図に示すように、圧力室基板２２０をノズルプレート２１０と振動板２３０で挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート２１０は、圧力室基板２２０と貼り合わせられたときにキャビティ（圧力室）２２１に対応することとなる位置にノズル２１１が形成されている。圧力室基板２２０には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ２２１が複数設けられている。キャビティ２２１間は側壁（隔壁）２２２で分離されている。各キャビティ２２１は供給口２２４を介して共通の流路であるリザーバ２２３に繋がっている。振動板２３０は、例えば熱酸化膜等により構成される。振動板２３０にはインクタンク口２３１が設けられ、不図示のタンク（流動体収容部）からパイプ（流路）を通して任意のインクを供給可能に構成されている。振動板２３０上のキャビティ２２１に相当する位置には、圧電体素子２４０が形成されている。圧電体素子２４０は、ＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示せず）で挟んだ構造を備える。圧電体素子２４０は、制御装置ＣＯＮＴから供給される吐出信号に対応して体積変化を生ずることが可能に構成されている。
【００３８】
インクジェットヘッド２０からインクを吐出するには、まず、制御装置ＣＯＮＴがインクを吐出させるための吐出信号をインクジェットヘッド２０に供給する。インクはインクジェットヘッド２０のキャビティ２２１に流入しており、吐出信号が供給されたインクジェットヘッド２０では、その圧電体素子２４０がその上部電極と下部電極との間に加えられた電圧により体積変化を生ずる。この体積変化は振動板２３０を変形させ、キャビティ２２１の体積を変化させる。この結果、そのキャビティ２２１のノズル穴２１１からインクの液滴が吐出される。インクが吐出されたキャビティ２２１には吐出によって減ったインクが新たにタンクから供給される。
【００３９】
なお、上記インクジェットヘッドは圧電体素子に体積変化を生じさせてインクを吐出させる構成であったが、発熱体によりインクに熱を加えその膨張によって液滴を吐出させるようなヘッド構成であってもよい。
【００４０】
電子天秤（不図示）は、インクジェットヘッド２０のノズルから吐出されたインク滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、インクジェットヘッド２０のノズルから、５０００滴分のインク滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴のインク滴の重量を５０００の数字とノズル数で割ることにより、１ノズルあたり一滴のインク滴の重量を正確に測定することができる。このインク滴の測定量に基づいて、インクジェットヘッド２０から吐出するインク滴の量を最適にコントロールすることができる。
【００４１】
クリーニングユニット２４は、インクジェットヘッド２０のノズル等のクリーニングをデバイス製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２２は、インクジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこのインク吐出面２０Ｐにキャップをかぶせるものである。
【００４２】
インクジェットヘッド２０が第２移動装置１６によりＸ軸方向に移動することで、インクジェットヘッド２０を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２２の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、デバイス製造作業の途中であっても、インクジェットヘッド２０をたとえば電子天秤側に移動すれば、インク滴の重量を測定できる。またインクジェットヘッド２０をクリーニングユニット２４上に移動すれば、インクジェットヘッド２０のクリーニングを行うことができる。インクジェットヘッド２０をキャッピングユニット２２の上に移動すれば、インクジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐにキャップを取り付けて乾燥を防止する。
【００４３】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２２は、ベース１２上の後端側で、インクジェットヘッド２０の移動経路直下に、ステージＳＴと離間して配置されている。ステージＳＴに対する基板Ｐの搬入作業及び搬出作業はベース１２の前端側で行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２２により作業に支障を来すことはない。
【００４４】
図１に示すように、ステージＳＴのうち、基板Ｐを支持する以外の部分には、インクジェットヘッド２０がインクを捨打ち或いは試し打ち（フラッシング）するためのインク被吐出部である第１フラッシング領域５２が設けられている。この第１フラッシング領域５２は、図１及び図４に示すように、ステージＳＴの−Ｘ側端部においてＹ軸方向に沿って設けられている。第１フラッシング領域５２は、図４に示すようにステージＳＴに固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材５３と、受け部材５３の凹部に交換自在に設置されて、吐出されたインクを吸収する吸収材５４とから構成されている。
【００４５】
基板Ｐは、上面にパターンが形成されるパターン形成領域ＡＲを有している。本実施形態では、基板Ｐの上面全面をパターン形成領域ＡＲとする。そして、パターンを形成するために、基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対してインクジェットヘッド２０からインクが吐出される。
【００４６】
そして、吸収材５４のＹ軸方向の幅は、基板Ｐのパターン形成領域ＡＲのＹ軸方向の幅より大きく形成されている。
【００４７】
インク被吐出部としての第２フラッシング領域５９は、ベース１２上にクリーニングユニット２４と分離して設けられている。インクジェットヘッド２０が第２移動装置１６によりＸ軸方向に移動することで、インクジェットヘッド２０を第２フラッシング領域５９の上部に位置決めさせることができる。第２フラッシング領域５９は、電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２２同様、ベース１２上の後端側、すなわち、ステージＳＴの＋Ｙ側で、インクジェットヘッド２０の移動経路直下に、ステージＳＴと離間して配置されている。したがって、ステージＳＴに対する基板Ｐの搬入作業及び搬出作業は第２フラッシング領域５９で妨げられない。
【００４８】
第２フラッシング領域５９は、第１フラッシング領域５２同様、上方に開口する断面凹字状の受け部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出されたインクを吸収する吸収材とから構成されている。
【００４９】
次に、上述したインクジェット装置ＩＪを用いて、ステージＳＴに支持されている基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対してインクジェットヘッド２０からインクを吐出することにより、パターン形成領域ＡＲにパターンを形成する方法について説明する。
【００５０】
基板ＰがステージＳＴの前端側からこのステージＳＴに対して搬入されると、ステージＳＴは基板Ｐを吸着保持し位置決めする。そして、モータ４４が作動して、基板Ｐの端面がＹ軸方向に並行になるように設定される。
【００５１】
ここで、ステージＳＴに対して基板Ｐが搬入されている間、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０をＸ軸方向に移動し、第２フラッシング領域５９に対して位置決めし、第２フラッシング領域５９に対して吐出動作（フラッシング）を行う。第２フラッシング領域５９に対する吐出動作中、インクジェットヘッド２０及びステージＳＴは静止している。
【００５２】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０をＸ軸方向に移動し、電子天秤の上部に位置決めし、指定滴数（指定のインク滴の数）の吐出を行う。これにより、電子天秤は、たとえば５０００滴のインクの重量を計測して、インク滴１滴当たりの重量を計算する。そして、インク滴の一滴当たりの重量が予め定められている適正範囲に入っているかどうかを判断し、適正範囲外であればピエゾ素子に対する印加電圧の調整等を行って、インク滴の一滴当たりの重量を適正に納める。
【００５３】
インク滴の一滴当たりの重量が適正な場合には、制御装置ＣＯＮＴは基板Ｐを第１移動装置１４によりＹ軸方向に移動して所定の位置に位置決めするとともに、インクジェットヘッド２０を第２移動装置１６によりＸ軸方向に移動して、ステージＳＴ上の第１フラッシング領域５２に対して位置決めする。そして、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０の全ノズルより第１フラッシング領域５２（吸収材５４）に対してインクを吐出してフラッシングする。ここで、第１フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動作の際、インクジェットヘッド２０とステージＳＴとは静止している。
【００５４】
フラッシング後、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０と基板ＰとをＸ軸方向に相対移動（走査）しつつ、基板Ｐ上の所定のパターン形成領域ＡＲに対してインクジェットヘッド２０の所定のノズルから所定幅でインクを吐出する。本実施形態では、インクジェットヘッド２０が基板Ｐに対して＋Ｘ方向に移動しつつ吐出動作する。
【００５５】
インクジェットヘッド２０と基板Ｐとの１回目の相対移動（走査）が終了すると、基板Ｐを支持するステージＳＴがインクジェットヘッド２０に対してＹ軸方向に所定量ステップ移動する。制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０を基板Ｐに対して、例えば−Ｘ方向に２回目の相対移動（走査）しつつ吐出動作を行う。２回目の走査が終了したら、制御装置ＣＯＮＴは第１フラッシング領域５２に対してインクジェットヘッド２０よりインクを吐出するフラッシングを行う。２回目の走査終了後、フラッシング吐出動作を行う際、インクジェットヘッド２０とステージＳＴとは静止している。そして、この動作を複数回繰り返すことにより、インクジェットヘッド２０は制御装置ＣＯＮＴの制御のもとでパターン形成領域ＡＲ全体にインクを吐出して、基板Ｐ上にパターンを形成する。
【００５６】
基板Ｐ上にパターンが形成されたら、基板ＰはステージＳＴから搬出される。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの搬出時において、インクジェットヘッド２０を第２フラッシング領域５９に対して位置決めし、待機させる。そして、この待機時において、インクジェットヘッド２０は第２フラッシング領域５９に対してフラッシング吐出動作を行う。
【００５７】
ここで、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０と基板Ｐを支持するステージＳＴとをＸ軸方向に相対移動（走査）しつつ、インクジェットヘッド２０より基板Ｐに対して吐出動作を行う構成である。そして、第１フラッシング領域５２は、基板Ｐの−Ｘ側（ステージＳＴの−Ｘ側端部）に設けられている。したがって、第１フラッシング領域５２は、ステージＳＴ上において、基板Ｐの１回目の走査時における走査方向の後方側（２回目の走査時においては走査方向の前方側）に設けられている構成となっている。
【００５８】
また、インクジェットヘッド２０は、基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対する吐出動作の前後において、第１フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動作を行う構成となっている。
【００５９】
以上説明したように、パターン形成領域ＡＲに対してパターンを形成するための吐出動作を行う前後に、ステージＳＴに設けられた第１フラッシング領域５２及びベース１２上に設けられた第２フラッシング領域５９に対してフラッシング吐出動作を行うことにより、インクジェットヘッド２０におけるインクの増粘化やインクからの固形分の析出を防ぎ、インクジェットヘッド２０の目詰まり等を防止できる。したがって、インクジェットヘッド２０は安定した吐出動作を実現でき、パターンを所望の精度で形成できる。また、パターン形成方法としてインクジェット方式を採用することにより、安価な設備でパターン形成領域ＡＲの任意の場所に任意の厚さでインクを付着させることができる。
【００６０】
上記実施形態では、フラッシング領域は、基板Ｐを走査する際にフラッシングするためのステージＳＴ上に設けられた第１フラッシング領域５２と、基板Ｐの搬入・搬出時にフラッシングするためのベース１２上に設けられた第２フラッシング領域５９とを有する構成であるが、フラッシング領域の設置位置は任意に設定可能である。
【００６１】
上記実施形態において、１回のフラッシング吐出動作時における発数（吐出回数）は、５発〜１０００発程度に設定されていることが好ましい。また、フラッシング周波数（単位時間当たりの吐出回数）は１ｋＨｚ〜３２ｋＨｚ程度に設定されていることが好ましい。また、フラッシング吐出動作間隔（１回目のフラッシング時から２回目のフラッシング時までの時間）は、０．１秒〜５分程度に設定されていることが好ましい。
そして、本実施形態において、制御装置ＣＯＮＴは、上記発数、フラッシング周波数、及びフラッシング吐出動作間隔を任意に設定できる。
【００６２】
上記実施形態では、基板Ｐに対してＸ軸方向（走査方向）の一方にフラッシング領域５２を設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、図５に示すように、基板Ｐを挟んだＸ軸方向の両側にフラッシング領域５２、５２を設ける構成としてもよい。この場合、基板Ｐをインクジェットヘッド２０に対して往復移動させてパターン形成処理を行う際に、インクジェットヘッド２０が基板ＰのＸ軸方向いずれの側にあっても、フラッシング領域５２がその近傍に存在することになり、走査前後にフラッシングでき、また、フラッシング領域５２との間の移動時間が短くなりスループットの向上を実現することができる。
【００６３】
また、上記実施形態では、吸収材５４をステージＳＴとは別部材の受け部材５３に設ける構成としたが、これに限られるものではなく、例えばステージＳＴにＹ軸方向に延びる溝を形成し、この溝内に吸収材５４を設置する構成としてもよい。
なお、フラッシング領域５２，５９に設けられた吸収材がフラッシング吐出動作によるインクで満たされたら、これを交換すればよい。
【００６４】
なお、インクジェットヘッド２０は、パターン形成処理時の途中で適宜、クリーニングユニット２４でクリーニングしてメンテナンスしたり、あるいはキャッピングユニット２２でキャップを付けたり、そして電子天秤でインク滴の重量を測定したり、第２フラッシング領域５９でフラッシングする処理を行うことができる。
【００６５】
上記実施形態では、フラッシング領域は、ステージＳＴ上やベース１２上に設けられた構成であるが、基板Ｐの一部に設定される構成でもよい。すなわち、基板Ｐは、パターンが形成されるパターン形成領域と、フラッシングするためのフラッシング領域とを有する。
【００６６】
上記実施形態において、第１フラッシング領域５２に対してフラッシング吐出動作を行う際には、ステージＳＴ及びインクジェットヘッド２０の移動を一旦停止した状態でフラッシング領域５２に対してインクを吐出する構成であるが、インクジェットヘッド２０と基板Ｐを支持するステージＳＴとを相対移動しながら、フラッシング領域５２に対してインクを吐出するようにしてもよい。このことについて図６を参照しながら説明する。
【００６７】
以下、インクジェットヘッド２０を基板Ｐを支持するステージＳＴに対してＸ軸方向に移動しつつ吐出動作する場合について説明する。この場合、ステージＳＴはＸ軸方向及びＹ軸方向には移動しない。
制御装置ＣＯＮＴは、ステージＳＴに対してインクジェットヘッド２０を第２移動装置１６により移動させつつインクジェットヘッド２０の吐出動作を行うが、インクジェットヘッド２０は第２移動装置１６により、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に移動されるようになっており、この移動中にインクジェットヘッド２０からの吐出動作が行われる。
【００６８】
ここで、加速区間Ｈ１とは、インクジェットヘッド２０が目標速度（目標値）まで加速する区間であり、整定区間Ｈ２とは、インクジェットヘッド２０の移動速度が目標速度に対して所定範囲（許容範囲）内に達するとともにこの移動速度が安定するまでの区間であり、定常区間Ｈ３とは、インクジェットヘッド２０の移動速度が定常状態となり、移動速度が安定している区間であり、減速区間Ｈ４とは、移動するインクジェットヘッド２０が減速する区間である。
【００６９】
制御装置ＣＯＮＴはフラッシング吐出動作開始点を設定する。すなわち、インクジェットヘッド２０が加速区間Ｈ１においてフラッシング領域５２に対してインクを吐出可能な位置関係となるように、すなわち、フラッシング領域５２がインクジェットヘッド２０の加速区間Ｈ１において直下に配置されるように、フラッシング吐出動作開始点を設定する。
【００７０】
更に、制御装置ＣＯＮＴはフラッシング吐出動作終了点を設定する。このとき、フラッシング吐出動作終了点は、加速区間Ｈ１あるいは整定区間Ｈ２に設定されるが、整定区間Ｈ２に設定されることが好ましい。フラッシング吐出動作終了点を整定区間Ｈ２に設定することにより、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作直前までフラッシング吐出動作することになるので、インクジェットヘッド２０の乾燥を招くことなくパターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を行うことができる。
【００７１】
こうして、フラッシング領域５２に対する吐出動作は、インクジェットヘッド２０の加速区間Ｈ１あるいは整定区間Ｈ２を含む加速区間Ｈ１に設定される。制御装置ＣＯＮＴは、フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動作を加速区間Ｈ１で行うことができるように、インクジェットヘッド２０の加速度や速度を調整する。あるいは、フラッシング領域５２のＸ軸方向における幅を適宜変更するようにしてもよい。
【００７２】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対する吐出動作開始点を設定する。すなわち、インクジェットヘッド２０が定常区間Ｈ３において基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対してインクを吐出可能な位置関係となるように、すなわち、パターン形成領域ＡＲがインクジェットヘッド２０の定常区間Ｈ３において直下に配置されるように、パターンを形成するための吐出動作開始点を設定する。
【００７３】
更に、制御装置ＣＯＮＴはパターンを形成するための吐出動作終了点を設定する。このとき、吐出動作終了点は、定常区間Ｈ３に設定される。このように、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作は、インクジェットヘッド２０の定常区間Ｈ３に設定される。制御装置ＣＯＮＴは、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を定常区間Ｈ３で行うことができるように、インクジェットヘッド２０の加速区間Ｈ１における加速度や定常区間Ｈ３における速度を調整する。あるいは、フラッシング領域５２と基板ＰとのＸ軸方向における離間距離を適宜変更するようにしてもよい。
【００７４】
こうして、インクジェットヘッド２０の移動動作の設定が終了したら、インクジェットヘッド２０は、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順にＸ軸方向に移動し、制御装置ＣＯＮＴは、フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動作を加速区間Ｈ１で行うようにインジェットヘッド２０の吐出動作及び移動動作（速度あるいは加速度）を制御する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を定常区間Ｈ３で行うようにインジェットヘッド２０の吐出動作及び移動動作を制御し、パターンを形成する。
【００７５】
以上説明したように、インクジェットヘッド２０を基板Ｐに対して加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に相対移動し、フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動作を加速区間Ｈ１に設定し、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を定常区間Ｈ３に設定することにより、パターンを精度良く形成できるとともにパターン形成領域ＡＲを拡大でき、しかもスループットを向上できる。すなわち、インクジェットヘッド２０あるいはステージＳＴの移動距離（ストローク）が定まっている場合、加速区間Ｈ１においてフラッシング吐出動作することにより、パターンを形成するための吐出動作区間である定常区間Ｈ３のストロークを大きく設定できる。したがって、パターンが形成されるパターン形成領域ＡＲを拡大でき、デバイスを効率良く製造できる。この場合、フラッシング吐出動作は高い吐出精度を必要としないため、加速区間Ｈ１においてフラッシング吐出動作を行っておけば、定常区間Ｈ３においてパターンを精度良く形成できる。
【００７６】
そして、フラッシング領域５２に対する吐出動作終了点を整定区間Ｈ２に設定することにより、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作直前までフラッシング吐出動作を行うことになるので、インクジェットヘッド２０の乾燥を招くことなくパターン形成領域ＡＲに対して安定した吐出動作を行うことができる。しかも、整定区間Ｈ２にフラッシング吐出動作終了点を設定したことにより、定常区間Ｈ３の全てをパターンの形成に有効利用できる。
【００７７】
なお、図６を用いた説明では、ステージＳＴが停止しており、インクジェットヘッド２０が移動するように説明したが、もちろん、ステージＳＴが、加速区間、整定区間、定常区間、加速区間を有するように移動する構成も可能である。
【００７８】
本発明のインクジェット装置（デバイス製造装置）ＩＪは、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の製造に適用可能である。
図７は、有機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。図７において、有機ＥＬ素子３０１は、光を透過可能な基板３０２と、基板３０２の一方の面側に設けられ一対の陰極（電極）３０７及び陽極（電極）３０８に狭持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層３０５と正孔輸送層３０６とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）３０９と、基板３０１と有機ＥＬ素子３０９との間に設けられている封止層３０４とを備えている。
【００７９】
ここで、図７に示す有機ＥＬ素子３０１は、発光層３０５からの発光光を基板３０２側から装置外部に取り出す形態であり、基板３０２の形成材料としては、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板３０２の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
一方、基板と反対側から発光光を取り出す形態の場合には、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００８０】
陽極３０８は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光を透過可能である。正孔輸送層３０６は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。このうち、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００８１】
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【００８２】
発光層３０５の形成材料としては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ₃（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。陰極７はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属電極である。
【００８３】
なお、陰極３０７と発光層３０５との間に、電子輸送層や電子注入層を設けることができる。電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
【００８４】
封止層３０４は、基板３０２側の外部から電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ素子３０９に対して大気が侵入するのを遮断するものであって、膜厚や材料を適宜選択することにより光を透過可能となっている。封止層３０４を構成する材料としては、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材料が用いられ、中でも酸化窒化珪素が透明性、ガスバリア性の観点から好ましい。なお、封止層３０４の厚さは発光層３０５から射出される光の波長より小さくなるように設定されるこのが好ましい（例えば０．１μｍ）。
【００８５】
図示しないが、この有機ＥＬ素子３０１はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子３０９が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子３０９の発光層３０５が発光して基板３０２の外面側に光が射出され、その画素が点灯する。
【００８６】
また、有機ＥＬ素子３０１のうち、有機ＥＬ材料３０９を挟んで封止層３０４と反対側の表面にも、電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ材料３０９に対して大気が侵入するのを遮断する封止部材３１０が形成されている。
【００８７】
以上説明した有機ＥＬ素子３０１の各材料層３０８，３０６，３０５などの形成材料を所定の溶媒でインク化することにより、本発明のデバイス製造装置を用いて製造することができる。
【００８８】
上記有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００８９】
図９は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図９において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００９０】
図１０は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００９１】
図８〜図１０に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００９２】
次に、フラッシング吐出動作の効果を確認するための実験及び結果について説明する。
実験では、図１１に示すように、１８０個配列されたノズルを有するインクジェットヘッドから基板に対して前記配列方向と直交する方向に走査しつつインク滴を吐出してパターンを形成するに際し、フラッシング条件を変更した場合の基板上におけるインク滴の並び（パターン）のばらつきを評価した。
【００９３】
使用したインクは、有機エレクトロルミネッセンス材料のうちパラフェニレンビニレン誘導体である以下の化合物１、２、３を混合したものを、溶媒（テトラメチルベンゼン（５０％）＋イソプロピルビフェニル（５０％））でインク化したものである。濃度は、１．０ｗｔ／ｗｔ％に設定した。
【００９４】
【化１】

【００９５】
【化２】

【００９６】
【化３】

【００９７】
図１２に実験結果を示す。フラッシング条件をＮｏ．１〜Ｎｏ．８のそれぞれに設定し、このときのノズル抜け及び吐出ばらつきσを評価した。ここで、「発数」とは、１回のフラッシング動作時における吐出回数であり、「フラッシング間隔」とは、フラッシング吐出動作間隔であって１回目のフラッシング時から２回目のフラッシング時までの時間であり、「周波数」とは、フラッシング周波数であって単位時間当たりの吐出数である。なお、「フラッシング間隔」の単位は「秒」であり、「周波数」の単位は「ｋＨｚ」である。
【００９８】
また、「ノズル抜け」とは、１８０個あるノズルのうちインク滴を吐出できなかったノズルの数であり、「吐出ばらつき」とは、図１１に示すように、基板上に直線状にインク滴を吐出した際の中心（目標吐出位置）からの距離（ずれ）ｄのσ値である。なお、「吐出ばらつき」の単位は「μｍ」である。
そして、「ノズル抜け」が多いということは、ノズルが乾燥して目詰まりが発生していることを示し、「吐出ばらつき」の値が大きいということは、インク滴の飛行曲がりが発生していることを示す。
【００９９】
図１２において、例えばＮｏ．１、２、３から分かるように、発数が多い方が吐出ばらつきが小さくなる。すなわち、フラッシング時において多数回吐出動作を行った方が、パターン形成時における吐出動作は安定する。
【０１００】
また、Ｎｏ．３、４、５、７から分かるように、フラッシング間隔が短いほうが吐出ばらつきが小さくなる。すなわち、フラッシングをこまめに行ったほうが、パターン形成時における吐出動作は安定する。
【０１０１】
Ｎｏ．５、６から分かるように、周波数が大きい方が吐出ばらつきが小さくなる。すなわち、フラッシング吐出動作を高速に行ったほうが、パターン形成時における吐出動作は安定する。
【０１０２】
また、Ｎｏ．７、８から分かるように、フラッシング間隔を４２０秒と長時間に設定すると、ノズル抜けが生じ、安定した吐出動作を行うことができない。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、パターン形成領域に対してパターンを形成するための吐出動作をする工程の他に、このパターン形成領域以外の所定領域に対して吐出動作をするフラッシング工程を行うようにしたので、液滴吐出ヘッドのノズルの乾燥を防いで目詰まり等の不具合の発生を防止できる。したがって、液滴吐出ヘッドは安定した吐出動作を実現できるので、パターンを所望の精度で形成でき、高性能なデバイスを生産性良く製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のデバイス製造装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】インクジェットヘッドの分解斜視図である。
【図３】インクジェットヘッドの主要部の斜視図一部断面図である。
【図４】ステージの側面図である。
【図５】ステージの他の実施例を示す側面図である。
【図６】インクジェットヘッドの移動動作を説明するための図である。
【図７】有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。
【図８】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図である。
【図９】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図である。
【図１０】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図である。
【図１１】本発明のデバイスの製造方法の効果を確認するための実験条件を説明するための図である。
【図１２】実験結果を示す図である。
【符号の説明】
１４ 第１移動装置（移動装置）
１６ 第２移動装置（移動装置）
２０ インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）
５２ 第１フラッシング領域（所定領域）
５９ 第２フラッシング領域（所定領域）
ＡＲ パターン形成領域
ＣＯＮＴ 制御装置
ＩＪ インクジェット装置（液滴吐出装置、デバイス製造装置）
Ｐ 基板
ＳＴ ステージ

Claims (7)

1. パターン形成領域を有する基板と複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドとを走査方向へ相対移動しつつ、前記パターン形成領域に対して前記複数のノズルから液体材料を吐出する工程を有するデバイスの製造方法において、
   前記基板と伴に相対移動すると共に、前記走査方向と直交する方向において前記基板の幅よりも大きく設けられたフラッシング領域に、前記パターン形成領域に対する吐出動作の前に、前記複数のノズルから前記液体材料を吐出するフラッシング工程を備え、
   前記相対移動は、時間軸において加速区間と、定速区間とを含み、前記パターン形成領域に対する前記液体材料の吐出は前記定速区間において行われ、
   前記フラッシング工程は、前記加速区間において開始され、前記定速区間前までに終了すると共に、前記パターン形成領域に対する吐出動作に比べて、高い周波数で前記液滴吐出ヘッドを駆動することを特徴とするデバイスの製造方法。
2. 前記相対移動は、時間軸において連続した前記加速区間、速度調整区間、前記定速区間、減速区間に亘って行われ、
   前記フラッシング工程は、前記加速区間において開始され、前記速度調整区間において終了することを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
3. 前記基板に対して有機エレクトロルミネッセンス装置形成用材料を吐出することを特徴とする請求項１または２に記載のデバイスの製造方法。
4. 基板のパターン形成領域に対して液体材料を吐出するデバイスの製造装置において、
   前記基板を支持するステージと、
   前記液体材料を吐出する複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドと、
   前記液滴吐出ヘッドと前記ステージとを走査方向に相対移動させる移動装置と、
   前記移動装置により前記ステージと伴に相対移動し、前記走査方向に対して直交する方向において前記基板の幅よりも大きく設けられたフラッシング領域と、
   前記相対移動は、時間軸において加速区間と、定速区間とを含み、
   前記加速区間において前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を開始させ、前記定速区間前までに前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を終了させ、前記定速区間において前記パターン形成領域への前記液体材料の吐出動作を行うように、前記液滴吐出ヘッドと前記移動装置とを制御する制御装置とを備え、
   前記制御装置は、前記パターン形成領域に対する吐出動作に比べて、高い周波数で前記液滴吐出ヘッドを駆動して、前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を行わせることを特徴とすることを特徴とするデバイスの製造装置。
5. 前記相対移動は、時間軸において連続した前記加速区間、速度調整区間、前記定速区間、減速区間に亘って行われ、
   前記制御装置は、前記速度調整区間において前記フラッシング領域への前記液体材料の吐出動作を終了させることを特徴とする請求項４に記載のデバイスの製造装置。
6. 前記フラッシング領域が、前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分において、前記基板の走査方向の前方側および後方側のうち、少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載のデバイスの製造装置。
7. 前記液滴吐出ヘッドは、有機エレクトロルミネッセンス装置形成用材料を吐出することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載のデバイスの製造装置。

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