JP2003282245A

JP2003282245A - デバイスの製造方法及び製造装置、デバイス及び電子機器

Info

Publication number: JP2003282245A
Application number: JP2002079524A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Tanabe; 誠一田邊; Shunichi Seki; 関　　俊一
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-20
Filing date: 2002-03-20
Publication date: 2003-10-03
Anticipated expiration: 2022-03-20
Also published as: JP4300741B2

Abstract

(57)【要約】【課題】インクジェットヘッドのノズルの目詰まり等
の不具合の発生を防止し、安定したインク吐出動作を実
現することによって所望の精度を有するデバイスを製造
できるデバイスの製造方法及び製造装置を提供すること
を目的とする。【解決手段】デバイス製造装置ＩＪは、基板Ｐのパタ
ーン形成領域に対してインクを吐出可能なインクジェッ
トヘッド２０と、パターン形成領域以外の部分に設けら
れたフラッシング領域５２、５９と、フラッシング領域
５２、５９に対してインクを吐出するようにインクジェ
ットヘッド２０の吐出動作を制御する制御装置ＣＯＮＴ
とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液滴吐出ヘッドを
用いてデバイスを製造する製造方法及び製造装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路等の微細な配
線パターンを有するデバイス製造方法としてフォトリソ
グラフィー法が多用されているが、近年において、イン
クジェット方式を用いたデバイスの製造方法が注目され
ている。特開平１１−２７４６７１号公報にはインクジ
ェット方式を用いた電気回路の製造方法に関する技術が
開示されている。上記公報に開示されている技術は、パ
ターン形成面にパターン形成用材料を含んだ流動体をイ
ンクジェットヘッドから吐出することによって電気回路
を形成するものであり、少量多種生産に対応可能である
点などにおいて大変有効である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例においては、インク吐出動作停止時にインクジ
ェットヘッドのノズルが乾燥し、インクの増粘化やイン
クからの固形分の析出により目詰まりやインクの飛行曲
がりが生じて安定した吐出動作が行われない場合があっ
た。インクの吐出安定性が悪化すると、所望の精度を有
するデバイスが製造できなくなるといった問題が生じ
る。

【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、インクジェットヘッドのノズルの目詰まり等の
不具合の発生を防止し、安定したインク吐出動作を実現
することによって所望の精度を有するデバイスを製造で
きるデバイスの製造方法及び製造装置を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のデバイスの製造方法は、基板のパターン形
成領域に対して液滴吐出ヘッドより液体材料を吐出する
工程を有するデバイスの製造方法において、前記パター
ン形成領域以外の所定領域に対して前記液体材料を吐出
するフラッシング工程を有することを特徴とする。

【０００６】本発明によれば、パターン形成領域に対し
てパターンを形成するための吐出動作をする工程の他
に、このパターン形成領域以外の所定領域に対して吐出
動作をするフラッシング工程を行うことにより、液滴吐
出ヘッドのノズル部における液体材料（インク）の増粘
化や液体材料からの固形分の析出を防ぎ、液滴吐出ヘッ
ドのノズルの目詰まり等を防止できる。したがって、液
滴吐出ヘッドは安定した吐出動作を実現でき、パターン
を所望の精度で形成できる。

【０００７】本発明のデバイスの製造方法において、前
記液滴吐出ヘッドと前記所定領域とを相対的に移動しつ
つ前記所定領域に対して前記液体材料を吐出する構成が
採用される。これにより、フラッシング吐出動作から、
パターン形成領域に対する吐出動作へと直ちに円滑に移
行することができ、作業効率を向上することができる。

【０００８】この場合において、前記液滴吐出ヘッドを
前記基板及び前記所定領域に対して加速区間、整定区
間、定常区間、減速区間の順に相対移動し、前記所定領
域に対する吐出動作を前記加速区間に設定し、前記基板
の前記パターン形成領域に対する吐出動作を前記定常区
間に設定するようにしてもよい。こうすることにより、
パターンを精度良く形成できるとともにパターン形成領
域を拡大でき、しかもスループットを向上できる。すな
わち、液滴吐出ヘッドあるいは基板の移動距離（ストロ
ーク）が一定である場合、加速区間においてフラッシン
グ吐出動作することにより、パターンを形成するための
吐出動作区間である定常区間のストロークを大きく設定
できる。したがって、パターンが形成されるパターン形
成領域を拡大でき、デバイスを効率良く製造できる。こ
の場合、フラッシング吐出動作は高い吐出精度を必要と
しないため、加速区間においてフラッシング吐出動作を
行っておけば、定常区間においてパターンを精度良く形
成できる。

【０００９】更に、この場合において、前記所定領域に
対する吐出動作終了点を前記整定区間に設定するように
してもよい。こうすることにより、パターン形成領域に
対する吐出動作直前までフラッシング吐出動作を行うこ
とになるので、液滴吐出ヘッドのノズル部の乾燥を招く
ことなくパターン形成領域に対して安定した吐出動作を
行うことができる。

【００１０】ここで、加速区間とは、基板及び所定領域
に対する液滴吐出ヘッドの相対速度を目標速度（目標
値）まで加速する区間であり、整定区間とは、基板及び
所定領域に対する液滴吐出ヘッドの移動速度が目標速度
に対して所定範囲（許容範囲）内に達するとともにこの
移動速度が安定するまでの区間であり、定常区間とは、
基板に対する液滴吐出ヘッドの移動速度が安定している
区間であり、減速区間とは、移動する液滴吐出ヘッドあ
るいは基板を減速する区間である。

【００１１】本発明のデバイスの製造方法において、前
記パターン形成領域に対する吐出動作の前後のうち少な
くともいずれか一方で、前記所定領域に対する吐出動作
を行う構成が採用される。これにより、例えばパターン
形成領域に対する吐出動作の前にフラッシングを行うこ
とによって、液滴吐出ヘッドのノズルの乾燥を招くこと
なく直ちにパターン形成領域に対して吐出動作を行うこ
とができる。また、パターン形成領域に対する吐出動作
の後にフラッシングを行うことにより、ノズルの目詰ま
りを解消した状態で次の吐出動作に対して待機すること
ができる。

【００１２】本発明のデバイスの製造方法において、前
記基板をステージで支持しつつ前記吐出動作を行い、前
記ステージに対して前記基板を搬入及び搬出する工程を
有し、前記搬入時及び前記搬出時のうち少なくともいず
れか一方で、前記所定領域に対する吐出動作を行う構成
が採用される。これにより、基板の搬入・搬出時といっ
たパターン形成領域に対する液滴吐出ヘッドの吐出動作
が長時間行われないときであっても、この間にフラッシ
ングを行うことにより、液滴吐出ヘッドのノズルの乾燥
を防止することができる。また、基板の搬入・搬出動作
とフラッシング吐出動作とを平行して行うことにより、
基板をステージに支持し、パターン形成領域に対する吐
出動作を行うまでの基板の待機時間を短縮することがで
きるので、すなわち、基板の搬入・搬出時にフラッシン
グを行っておくことにより、基板がステージに支持され
たらパターン形成領域に対する吐出動作を直ちに行うこ
とができるので、作業性を向上することができる。

【００１３】本発明のデバイスの製造方法において、前
記基板はステージに支持されており、前記所定領域は前
記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分に設定
されている構成が採用される。これにより、ステージに
支持されている基板とフラッシングを行うための所定領
域との距離は短くなるので、所定領域に対するフラッシ
ング吐出動作を行う場合とパターン形成領域に対する吐
出動作を行う場合とで、液滴吐出ヘッドを所定領域とパ
ターン形成領域との間で大きく移動させる必要がなくな
るので、液滴吐出ヘッドの移動時間を短縮して作業効率
を向上できる。

【００１４】本発明のデバイスの製造方法において、前
記基板に対して有機エレクトロルミネッセンス装置形成
用材料を吐出する構成が採用される。これにより、有機
エレクトロルミネッセンス装置を精度良く製造できる。

【００１５】本発明のデバイスの製造装置は、基板のパ
ターン形成領域に対して液体材料を吐出可能な液滴吐出
ヘッドを有するデバイスの製造装置において、前記パタ
ーン形成領域以外の部分に設けられたフラッシング領域
と、前記フラッシング領域に対して前記液体材料を吐出
するように前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する制
御装置とを備えることを特徴とする。

【００１６】本発明によれば、フラッシングを行うため
のフラッシング領域を設け、このフラッシング領域に対
してフラッシング吐出動作を行うことにより、液滴吐出
ヘッドのノズル部における液体材料の増粘化や液体材料
からの固形分の析出を防ぎ、液滴吐出ヘッドのノズルの
目詰まり等を解消してから基板のパターン形成領域に対
して吐出動作を行うことができる。したがって、液滴吐
出ヘッドは安定した吐出動作を実現でき、パターンを所
望の精度で形成できる。

【００１７】本発明のデバイスの製造装置において、前
記基板を支持するステージを有し、前記フラッシング領
域は、前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部
分に設けられている構成が採用される。これにより、ス
テージに支持されている基板とフラッシング領域との距
離は短くなるので、フラッシング領域に対するフラッシ
ング吐出動作を行う場合とパターン形成領域に対する吐
出動作を行う場合とで、液滴吐出ヘッドをフラッシング
領域とパターン形成領域との間で大きく移動させる必要
がなくなるので、液滴吐出ヘッドの移動時間を短縮して
作業効率を向上できるとともに、装置が大型化するのを
抑えることができる。

【００１８】本発明のデバイスの製造装置において、前
記液滴吐出ヘッドと前記ステージとを相対的に移動する
移動装置を備える構成が採用される。これにより、液滴
吐出ヘッドは基板に対して走査しつつパターン形成領域
の全面に液体材料を設けることができる。

【００１９】本発明のデバイスの製造装置において、前
記制御装置は、前記移動装置による前記移動中に前記フ
ラッシング領域に対して前記液体材料を吐出するように
前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する構成が採用さ
れる。これにより、フラッシング領域に対する吐出動作
から、パターン形成領域に対する吐出動作へと直ちに円
滑に移行することができ、作業効率を向上することがで
きる。

【００２０】この場合において、前記移動装置は、前記
液滴吐出ヘッドを前記ステージに対して加速区間、整定
区間、定常区間、減速区間の順に相対移動し、前記制御
装置は、前記フラッシング領域に対する吐出動作を前記
加速区間で行い、前記パターン形成領域に対する吐出動
作を前記定常区間で行うように前記液滴吐出ヘッドの吐
出動作を制御するようにしてもよい。

【００２１】また、前記制御装置は、前記フラッシング
領域に対する吐出動作を前記整定区間で終了するように
前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御するようにしても
よい。

【００２２】本発明のデバイスの製造装置において、前
記移動装置は、前記液滴吐出ヘッドと前記基板を支持す
る前記ステージとを所定方向に相対移動し、前記フラッ
シング領域は、前記基板の前記所定方向の前方側及び後
方側のうち少なくともいずれか一方に設けられている構
成が採用される。これにより、液滴吐出ヘッドと基板と
を相対的に走査しつつ吐出動作を行う場合、走査の前後
においてフラッシング吐出動作を円滑に行うことがで
き、パターン形成領域に対する吐出動作を、液滴吐出ヘ
ッドのノズルの目詰まりを解消した状態で行うことがで
きる。

【００２３】本発明のデバイスの製造装置において、前
記液滴吐出ヘッドは、有機エレクトロルミネッセンス装
置形成用材料を吐出する構成が採用される。これによ
り、有機エレクトロルミネッセンス装置を精度良く製造
できる。

【００２４】本発明のデバイスは、上記いずれかに記載
のデバイスの製造装置で製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、精度良いパターンで形成されたことに
より所望の性能を有するデバイスが提供できる。

【００２５】本発明の電子機器は、上記記載のデバイス
を備えたことを特徴とする。本発明によれば、所望の性
能を有した薄型の電子機器を得ることができる。

【００２６】ここで、液滴吐出ヘッドは、インクジェッ
トヘッドを含む。インクジェット方式としては、圧電体
素子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェッ
ト方式であっても、エネルギー発生素子として電気熱変
換体を用いた方式であってもよい。パターンを形成する
液滴吐出ヘッドとしてインクジェット方式を採用するこ
とにより、安価な設備でパターン形成領域の任意の場所
に任意の厚さで液体材料を設けることができる。なお、
液滴吐出装置としてはディスペンサー装置でもよい。

【００２７】液体材料（流動体）とは、液滴吐出ヘッド
のノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性
であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可
能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が
混入していても全体として流動体であればよい。また、
液体材料に含まれる固体物質は融点以上に加熱されて溶
解されたものでも、溶媒中に微粒子として分散させたも
のでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料
を添加したものであってもよい。また、パターン形成領
域とは、フラット基板の表面を指す他、曲面状の基板で
あってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要
はなく、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表
面であってもよい。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明のデバイスの製造装
置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明
のデバイスの製造装置の一実施形態を示す図であって、
インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）を有するイン
クジェット装置（液滴吐出装置）を示す概略斜視図であ
る。

【００２９】図１において、インクジェット装置ＩＪ
は、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、基板Ｐを
支持するステージＳＴと、ステージＳＴ上に設けられた
第１フラッシング領域（第１の所定領域）５２と、ベー
ス１２とステージＳＴとの間に介在し、ステージＳＴを
移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、
ステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して所定の材
料を含むインク（液体材料、流動体）を吐出可能なイン
クジェットヘッド２０と、インクジェットヘッド２０を
移動可能に支持する第２移動装置１６と、インクジェッ
トヘッド２０のインクの吐出動作を制御する制御装置Ｃ
ＯＮＴとを備えている。更に、インクジェット装置ＩＪ
は、ベース１２上に設けられている重量測定装置として
の電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２２
と、クリーニングユニット２４と、第２フラッシング領
域（第２の所定領域）５９とを有している。また、第１
移動装置１４及び第２移動装置１６を含むインクジェッ
ト装置ＩＪの動作は、制御装置ＣＯＮＴによって制御さ
れる。

【００３０】第１移動装置１４はベース１２の上に設置
されており、Ｙ軸方向に沿って位置決めされている。第
２移動装置１６は、支柱１６Ａ，１６Ａを用いてベース
１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の
後部１２Ａにおいて取り付けられている。第２移動装置
１６のＸ軸方向（第２の方向）は、第１移動装置１４の
Ｙ軸方向（第１の方向）と直交する方向である。ここ
で、Ｙ軸方向はベース１２の前部１２Ｂと後部１２Ａ方
向に沿った方向である。これに対してＸ軸方向はベース
１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。
また、Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向で
ある。

【００３１】第１移動装置１４は、例えばリニアモータ
によって構成され、ガイドレール４０、４０と、このガ
イドレール４０に沿って移動可能に設けられているスラ
イダー４２とを備えている。このリニアモータ形式の第
１移動装置１４のスライダー４２は、ガイドレール４０
に沿ってＹ軸方向に移動して位置決め可能である。

【００３２】また、スライダー４２はＺ軸回り（θＺ）
用のモータ４４を備えている。このモータ４４は、例え
ばダイレクトドライブモータであり、モータ４４のロー
タはステージＳＴに固定されている。これにより、モー
タ４４に通電することでロータとステージＳＴとは、θ
Ｚ方向に沿って回転してステージＳＴをインデックス
（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移
動装置１４は、ステージＳＴをＹ軸方向及びθＺ方向に
移動可能である。

【００３３】ステージＳＴは基板Ｐを保持し、所定の位
置に位置決めするものである。また、ステージＳＴは吸
着保持装置５０を有しており、吸着保持装置５０が作動
することにより、ステージＳＴの穴４６Ａを通して基板
ＰをステージＳＴの上に吸着して保持する。

【００３４】第２移動装置１６はリニアモータによって
構成され、支柱１６Ａ，１６Ａに固定されたコラム１６
Ｂと、このコラム１６Ｂに支持されているガイドレール
６２Ａと、ガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動
可能に支持されているスライダー６０とを備えている。
スライダー６０はガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向
に移動して位置決め可能であり、インクジェットヘッド
２０はスライダー６０に取り付けられている。

【００３５】インクジェットヘッド２０は、揺動位置決
め装置としてのモータ６２，６４，６６，６８を有して
いる。モータ６２を作動すれば、インクジェットヘッド
２０は、Ｚ軸に沿って上下動して位置決め可能である。
このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下
方向）である。モータ６４を作動すると、インクジェッ
トヘッド２０は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位
置決め可能である。モータ６６を作動すると、インクジ
ェットヘッド２０は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置
決め可能である。モータ６８を作動すると、インクジェ
ットヘッド２０は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決
め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、インク
ジェットヘッド２０をＸ軸方向及びＺ軸方向に移動可能
に支持するとともに、このインクジェットヘッド２０を
θＸ方向（Ｘ軸回り）、θＹ方向（Ｙ軸回り）、θＺ方
向（Ｚ軸回り）に移動可能に支持する。

【００３６】このように、図１のインクジェットヘッド
２０は、スライダー６０において、Ｚ軸方向に直線移動
して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置
決め可能であり、インクジェットヘッド２０のインク吐
出面２０Ｐは、ステージＳＴ側の基板Ｐに対して正確に
位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。な
お、インクジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐに
はインクを吐出する複数のノズルが設けられている。

【００３７】図２はインクジェットヘッド２０を示す分
解斜視図である。図２に示すように、インクジェットヘ
ッド２０は、ノズル２１１が設けられたノズルプレート
２１０及び振動板２３０が設けられた圧力室基板２２０
を、筐体２５０に嵌め込んで構成されている。このイン
クジェットヘッド２０の主要部構造は、図３の斜視図一
部断面図に示すように、圧力室基板２２０をノズルプレ
ート２１０と振動板２３０で挟み込んだ構造を備える。
ノズルプレート２１０は、圧力室基板２２０と貼り合わ
せられたときにキャビティ（圧力室）２２１に対応する
こととなる位置にノズル２１１が形成されている。圧力
室基板２２０には、シリコン単結晶基板等をエッチング
することにより、各々が圧力室として機能可能にキャビ
ティ２２１が複数設けられている。キャビティ２２１間
は側壁（隔壁）２２２で分離されている。各キャビティ
２２１は供給口２２４を介して共通の流路であるリザー
バ２２３に繋がっている。振動板２３０は、例えば熱酸
化膜等により構成される。振動板２３０にはインクタン
ク口２３１が設けられ、不図示のタンク（流動体収容
部）からパイプ（流路）を通して任意のインクを供給可
能に構成されている。振動板２３０上のキャビティ２２
１に相当する位置には、圧電体素子２４０が形成されて
いる。圧電体素子２４０は、ＰＺＴ素子等の圧電性セラ
ミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示せず）
で挟んだ構造を備える。圧電体素子２４０は、制御装置
ＣＯＮＴから供給される吐出信号に対応して体積変化を
生ずることが可能に構成されている。

【００３８】インクジェットヘッド２０からインクを吐
出するには、まず、制御装置ＣＯＮＴがインクを吐出さ
せるための吐出信号をインクジェットヘッド２０に供給
する。インクはインクジェットヘッド２０のキャビティ
２２１に流入しており、吐出信号が供給されたインクジ
ェットヘッド２０では、その圧電体素子２４０がその上
部電極と下部電極との間に加えられた電圧により体積変
化を生ずる。この体積変化は振動板２３０を変形させ、
キャビティ２２１の体積を変化させる。この結果、その
キャビティ２２１のノズル穴２１１からインクの液滴が
吐出される。インクが吐出されたキャビティ２２１には
吐出によって減ったインクが新たにタンクから供給され
る。

【００３９】なお、上記インクジェットヘッドは圧電体
素子に体積変化を生じさせてインクを吐出させる構成で
あったが、発熱体によりインクに熱を加えその膨張によ
って液滴を吐出させるようなヘッド構成であってもよ
い。

【００４０】電子天秤（不図示）は、インクジェットヘ
ッド２０のノズルから吐出されたインク滴の一滴の重量
を測定して管理するために、例えば、インクジェットヘ
ッド２０のノズルから、５０００滴分のインク滴を受け
る。電子天秤は、この５０００滴のインク滴の重量を５
０００の数字とノズル数で割ることにより、１ノズルあ
たり一滴のインク滴の重量を正確に測定することができ
る。このインク滴の測定量に基づいて、インクジェット
ヘッド２０から吐出するインク滴の量を最適にコントロ
ールすることができる。

【００４１】クリーニングユニット２４は、インクジェ
ットヘッド２０のノズル等のクリーニングをデバイス製
造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことが
できる。キャッピングユニット２２は、インクジェット
ヘッド２０のインク吐出面２０Ｐが乾燥しないようにす
るために、デバイスを製造しない待機時にこのインク吐
出面２０Ｐにキャップをかぶせるものである。

【００４２】インクジェットヘッド２０が第２移動装置
１６によりＸ軸方向に移動することで、インクジェット
ヘッド２０を電子天秤、クリーニングユニット２４ある
いはキャッピングユニット２２の上部に選択的に位置決
めさせることができる。つまり、デバイス製造作業の途
中であっても、インクジェットヘッド２０をたとえば電
子天秤側に移動すれば、インク滴の重量を測定できる。
またインクジェットヘッド２０をクリーニングユニット
２４上に移動すれば、インクジェットヘッド２０のクリ
ーニングを行うことができる。インクジェットヘッド２
０をキャッピングユニット２２の上に移動すれば、イン
クジェットヘッド２０のインク吐出面２０Ｐにキャップ
を取り付けて乾燥を防止する。

【００４３】つまり、これら電子天秤、クリーニングユ
ニット２４、およびキャッピングユニット２２は、ベー
ス１２上の後端側で、インクジェットヘッド２０の移動
経路直下に、ステージＳＴと離間して配置されている。
ステージＳＴに対する基板Ｐの搬入作業及び搬出作業は
ベース１２の前端側で行われるため、これら電子天秤、
クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニッ
ト２２により作業に支障を来すことはない。

【００４４】図１に示すように、ステージＳＴのうち、
基板Ｐを支持する以外の部分には、インクジェットヘッ
ド２０がインクを捨打ち或いは試し打ち（フラッシン
グ）するためのインク被吐出部である第１フラッシング
領域５２が設けられている。この第１フラッシング領域
５２は、図１及び図４に示すように、ステージＳＴの−
Ｘ側端部においてＹ軸方向に沿って設けられている。第
１フラッシング領域５２は、図４に示すようにステージ
ＳＴに固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材
５３と、受け部材５３の凹部に交換自在に設置されて、
吐出されたインクを吸収する吸収材５４とから構成され
ている。

【００４５】基板Ｐは、上面にパターンが形成されるパ
ターン形成領域ＡＲを有している。本実施形態では、基
板Ｐの上面全面をパターン形成領域ＡＲとする。そし
て、パターンを形成するために、基板Ｐのパターン形成
領域ＡＲに対してインクジェットヘッド２０からインク
が吐出される。

【００４６】そして、吸収材５４のＹ軸方向の幅は、基
板Ｐのパターン形成領域ＡＲのＹ軸方向の幅より大きく
形成されている。

【００４７】インク被吐出部としての第２フラッシング
領域５９は、ベース１２上にクリーニングユニット２４
と分離して設けられている。インクジェットヘッド２０
が第２移動装置１６によりＸ軸方向に移動することで、
インクジェットヘッド２０を第２フラッシング領域５９
の上部に位置決めさせることができる。第２フラッシン
グ領域５９は、電子天秤、クリーニングユニット２４、
およびキャッピングユニット２２同様、ベース１２上の
後端側、すなわち、ステージＳＴの＋Ｙ側で、インクジ
ェットヘッド２０の移動経路直下に、ステージＳＴと離
間して配置されている。したがって、ステージＳＴに対
する基板Ｐの搬入作業及び搬出作業は第２フラッシング
領域５９で妨げられない。

【００４８】第２フラッシング領域５９は、第１フラッ
シング領域５２同様、上方に開口する断面凹字状の受け
部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出
されたインクを吸収する吸収材とから構成されている。

【００４９】次に、上述したインクジェット装置ＩＪを
用いて、ステージＳＴに支持されている基板Ｐのパター
ン形成領域ＡＲに対してインクジェットヘッド２０から
インクを吐出することにより、パターン形成領域ＡＲに
パターンを形成する方法について説明する。

【００５０】基板ＰがステージＳＴの前端側からこのス
テージＳＴに対して搬入されると、ステージＳＴは基板
Ｐを吸着保持し位置決めする。そして、モータ４４が作
動して、基板Ｐの端面がＹ軸方向に並行になるように設
定される。

【００５１】ここで、ステージＳＴに対して基板Ｐが搬
入されている間、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェット
ヘッド２０をＸ軸方向に移動し、第２フラッシング領域
５９に対して位置決めし、第２フラッシング領域５９に
対して吐出動作（フラッシング）を行う。第２フラッシ
ング領域５９に対する吐出動作中、インクジェットヘッ
ド２０及びステージＳＴは静止している。

【００５２】続いて、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェ
ットヘッド２０をＸ軸方向に移動し、電子天秤の上部に
位置決めし、指定滴数（指定のインク滴の数）の吐出を
行う。これにより、電子天秤は、たとえば５０００滴の
インクの重量を計測して、インク滴１滴当たりの重量を
計算する。そして、インク滴の一滴当たりの重量が予め
定められている適正範囲に入っているかどうかを判断
し、適正範囲外であればピエゾ素子に対する印加電圧の
調整等を行って、インク滴の一滴当たりの重量を適正に
納める。

【００５３】インク滴の一滴当たりの重量が適正な場合
には、制御装置ＣＯＮＴは基板Ｐを第１移動装置１４に
よりＹ軸方向に移動して所定の位置に位置決めするとと
もに、インクジェットヘッド２０を第２移動装置１６に
よりＸ軸方向に移動して、ステージＳＴ上の第１フラッ
シング領域５２に対して位置決めする。そして、制御装
置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッド２０の全ノズルよ
り第１フラッシング領域５２（吸収材５４）に対してイ
ンクを吐出してフラッシングする。ここで、第１フラッ
シング領域５２に対するフラッシング吐出動作の際、イ
ンクジェットヘッド２０とステージＳＴとは静止してい
る。

【００５４】フラッシング後、制御装置ＣＯＮＴは、イ
ンクジェットヘッド２０と基板ＰとをＸ軸方向に相対移
動（走査）しつつ、基板Ｐ上の所定のパターン形成領域
ＡＲに対してインクジェットヘッド２０の所定のノズル
から所定幅でインクを吐出する。本実施形態では、イン
クジェットヘッド２０が基板Ｐに対して＋Ｘ方向に移動
しつつ吐出動作する。

【００５５】インクジェットヘッド２０と基板Ｐとの１
回目の相対移動（走査）が終了すると、基板Ｐを支持す
るステージＳＴがインクジェットヘッド２０に対してＹ
軸方向に所定量ステップ移動する。制御装置ＣＯＮＴ
は、インクジェットヘッド２０を基板Ｐに対して、例え
ば−Ｘ方向に２回目の相対移動（走査）しつつ吐出動作
を行う。２回目の走査が終了したら、制御装置ＣＯＮＴ
は第１フラッシング領域５２に対してインクジェットヘ
ッド２０よりインクを吐出するフラッシングを行う。２
回目の走査終了後、フラッシング吐出動作を行う際、イ
ンクジェットヘッド２０とステージＳＴとは静止してい
る。そして、この動作を複数回繰り返すことにより、イ
ンクジェットヘッド２０は制御装置ＣＯＮＴの制御のも
とでパターン形成領域ＡＲ全体にインクを吐出して、基
板Ｐ上にパターンを形成する。

【００５６】基板Ｐ上にパターンが形成されたら、基板
ＰはステージＳＴから搬出される。ここで、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、基板Ｐの搬出時において、インクジェットヘ
ッド２０を第２フラッシング領域５９に対して位置決め
し、待機させる。そして、この待機時において、インク
ジェットヘッド２０は第２フラッシング領域５９に対し
てフラッシング吐出動作を行う。

【００５７】ここで、制御装置ＣＯＮＴは、インクジェ
ットヘッド２０と基板Ｐを支持するステージＳＴとをＸ
軸方向に相対移動（走査）しつつ、インクジェットヘッ
ド２０より基板Ｐに対して吐出動作を行う構成である。
そして、第１フラッシング領域５２は、基板Ｐの−Ｘ側
（ステージＳＴの−Ｘ側端部）に設けられている。した
がって、第１フラッシング領域５２は、ステージＳＴ上
において、基板Ｐの１回目の走査時における走査方向の
後方側（２回目の走査時においては走査方向の前方側）
に設けられている構成となっている。

【００５８】また、インクジェットヘッド２０は、基板
Ｐのパターン形成領域ＡＲに対する吐出動作の前後にお
いて、第１フラッシング領域５２に対するフラッシング
吐出動作を行う構成となっている。

【００５９】以上説明したように、パターン形成領域Ａ
Ｒに対してパターンを形成するための吐出動作を行う前
後に、ステージＳＴに設けられた第１フラッシング領域
５２及びベース１２上に設けられた第２フラッシング領
域５９に対してフラッシング吐出動作を行うことによ
り、インクジェットヘッド２０におけるインクの増粘化
やインクからの固形分の析出を防ぎ、インクジェットヘ
ッド２０の目詰まり等を防止できる。したがって、イン
クジェットヘッド２０は安定した吐出動作を実現でき、
パターンを所望の精度で形成できる。また、パターン形
成方法としてインクジェット方式を採用することによ
り、安価な設備でパターン形成領域ＡＲの任意の場所に
任意の厚さでインクを付着させることができる。

【００６０】上記実施形態では、フラッシング領域は、
基板Ｐを走査する際にフラッシングするためのステージ
ＳＴ上に設けられた第１フラッシング領域５２と、基板
Ｐの搬入・搬出時にフラッシングするためのベース１２
上に設けられた第２フラッシング領域５９とを有する構
成であるが、フラッシング領域の設置位置は任意に設定
可能である。

【００６１】上記実施形態において、１回のフラッシン
グ吐出動作時における発数（吐出回数）は、５発〜１０
００発程度に設定されていることが好ましい。また、フ
ラッシング周波数（単位時間当たりの吐出回数）は１ｋ
Ｈｚ〜３２ｋＨｚ程度に設定されていることが好まし
い。また、フラッシング吐出動作間隔（１回目のフラッ
シング時から２回目のフラッシング時までの時間）は、
０．１秒〜５分程度に設定されていることが好ましい。
そして、本実施形態において、制御装置ＣＯＮＴは、上
記発数、フラッシング周波数、及びフラッシング吐出動
作間隔を任意に設定できる。

【００６２】上記実施形態では、基板Ｐに対してＸ軸方
向（走査方向）の一方にフラッシング領域５２を設ける
構成としたが、これに限定されるものではなく、図５に
示すように、基板Ｐを挟んだＸ軸方向の両側にフラッシ
ング領域５２、５２を設ける構成としてもよい。この場
合、基板Ｐをインクジェットヘッド２０に対して往復移
動させてパターン形成処理を行う際に、インクジェット
ヘッド２０が基板ＰのＸ軸方向いずれの側にあっても、
フラッシング領域５２がその近傍に存在することにな
り、走査前後にフラッシングでき、また、フラッシング
領域５２との間の移動時間が短くなりスループットの向
上を実現することができる。

【００６３】また、上記実施形態では、吸収材５４をス
テージＳＴとは別部材の受け部材５３に設ける構成とし
たが、これに限られるものではなく、例えばステージＳ
ＴにＹ軸方向に延びる溝を形成し、この溝内に吸収材５
４を設置する構成としてもよい。なお、フラッシング領
域５２，５９に設けられた吸収材がフラッシング吐出動
作によるインクで満たされたら、これを交換すればよ
い。

【００６４】なお、インクジェットヘッド２０は、パタ
ーン形成処理時の途中で適宜、クリーニングユニット２
４でクリーニングしてメンテナンスしたり、あるいはキ
ャッピングユニット２２でキャップを付けたり、そして
電子天秤でインク滴の重量を測定したり、第２フラッシ
ング領域５９でフラッシングする処理を行うことができ
る。

【００６５】上記実施形態では、フラッシング領域は、
ステージＳＴ上やベース１２上に設けられた構成である
が、基板Ｐの一部に設定される構成でもよい。すなわ
ち、基板Ｐは、パターンが形成されるパターン形成領域
と、フラッシングするためのフラッシング領域とを有す
る。

【００６６】上記実施形態において、第１フラッシング
領域５２に対してフラッシング吐出動作を行う際には、
ステージＳＴ及びインクジェットヘッド２０の移動を一
旦停止した状態でフラッシング領域５２に対してインク
を吐出する構成であるが、インクジェットヘッド２０と
基板Ｐを支持するステージＳＴとを相対移動しながら、
フラッシング領域５２に対してインクを吐出するように
してもよい。このことについて図６を参照しながら説明
する。

【００６７】以下、インクジェットヘッド２０を基板Ｐ
を支持するステージＳＴに対してＸ軸方向に移動しつつ
吐出動作する場合について説明する。この場合、ステー
ジＳＴはＸ軸方向及びＹ軸方向には移動しない。制御装
置ＣＯＮＴは、ステージＳＴに対してインクジェットヘ
ッド２０を第２移動装置１６により移動させつつインク
ジェットヘッド２０の吐出動作を行うが、インクジェッ
トヘッド２０は第２移動装置１６により、加速区間Ｈ
１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に
移動されるようになっており、この移動中にインクジェ
ットヘッド２０からの吐出動作が行われる。

【００６８】ここで、加速区間Ｈ１とは、インクジェッ
トヘッド２０が目標速度（目標値）まで加速する区間で
あり、整定区間Ｈ２とは、インクジェットヘッド２０の
移動速度が目標速度に対して所定範囲（許容範囲）内に
達するとともにこの移動速度が安定するまでの区間であ
り、定常区間Ｈ３とは、インクジェットヘッド２０の移
動速度が定常状態となり、移動速度が安定している区間
であり、減速区間Ｈ４とは、移動するインクジェットヘ
ッド２０が減速する区間である。

【００６９】制御装置ＣＯＮＴはフラッシング吐出動作
開始点を設定する。すなわち、インクジェットヘッド２
０が加速区間Ｈ１においてフラッシング領域５２に対し
てインクを吐出可能な位置関係となるように、すなわ
ち、フラッシング領域５２がインクジェットヘッド２０
の加速区間Ｈ１において直下に配置されるように、フラ
ッシング吐出動作開始点を設定する。

【００７０】更に、制御装置ＣＯＮＴはフラッシング吐
出動作終了点を設定する。このとき、フラッシング吐出
動作終了点は、加速区間Ｈ１あるいは整定区間Ｈ２に設
定されるが、整定区間Ｈ２に設定されることが好まし
い。フラッシング吐出動作終了点を整定区間Ｈ２に設定
することにより、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動
作直前までフラッシング吐出動作することになるので、
インクジェットヘッド２０の乾燥を招くことなくパター
ン形成領域ＡＲに対する吐出動作を行うことができる。

【００７１】こうして、フラッシング領域５２に対する
吐出動作は、インクジェットヘッド２０の加速区間Ｈ１
あるいは整定区間Ｈ２を含む加速区間Ｈ１に設定され
る。制御装置ＣＯＮＴは、フラッシング領域５２に対す
るフラッシング吐出動作を加速区間Ｈ１で行うことがで
きるように、インクジェットヘッド２０の加速度や速度
を調整する。あるいは、フラッシング領域５２のＸ軸方
向における幅を適宜変更するようにしてもよい。

【００７２】次に、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐのパタ
ーン形成領域ＡＲに対する吐出動作開始点を設定する。
すなわち、インクジェットヘッド２０が定常区間Ｈ３に
おいて基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対してインクを
吐出可能な位置関係となるように、すなわち、パターン
形成領域ＡＲがインクジェットヘッド２０の定常区間Ｈ
３において直下に配置されるように、パターンを形成す
るための吐出動作開始点を設定する。

【００７３】更に、制御装置ＣＯＮＴはパターンを形成
するための吐出動作終了点を設定する。このとき、吐出
動作終了点は、定常区間Ｈ３に設定される。このよう
に、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作は、インク
ジェットヘッド２０の定常区間Ｈ３に設定される。制御
装置ＣＯＮＴは、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動
作を定常区間Ｈ３で行うことができるように、インクジ
ェットヘッド２０の加速区間Ｈ１における加速度や定常
区間Ｈ３における速度を調整する。あるいは、フラッシ
ング領域５２と基板ＰとのＸ軸方向における離間距離を
適宜変更するようにしてもよい。

【００７４】こうして、インクジェットヘッド２０の移
動動作の設定が終了したら、インクジェットヘッド２０
は、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速
区間Ｈ４の順にＸ軸方向に移動し、制御装置ＣＯＮＴ
は、フラッシング領域５２に対するフラッシング吐出動
作を加速区間Ｈ１で行うようにインジェットヘッド２０
の吐出動作及び移動動作（速度あるいは加速度）を制御
する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、パターン形成領域Ａ
Ｒに対する吐出動作を定常区間Ｈ３で行うようにインジ
ェットヘッド２０の吐出動作及び移動動作を制御し、パ
ターンを形成する。

【００７５】以上説明したように、インクジェットヘッ
ド２０を基板Ｐに対して加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、
定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に相対移動し、フラッ
シング領域５２に対するフラッシング吐出動作を加速区
間Ｈ１に設定し、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動
作を定常区間Ｈ３に設定することにより、パターンを精
度良く形成できるとともにパターン形成領域ＡＲを拡大
でき、しかもスループットを向上できる。すなわち、イ
ンクジェットヘッド２０あるいはステージＳＴの移動距
離（ストローク）が定まっている場合、加速区間Ｈ１に
おいてフラッシング吐出動作することにより、パターン
を形成するための吐出動作区間である定常区間Ｈ３のス
トロークを大きく設定できる。したがって、パターンが
形成されるパターン形成領域ＡＲを拡大でき、デバイス
を効率良く製造できる。この場合、フラッシング吐出動
作は高い吐出精度を必要としないため、加速区間Ｈ１に
おいてフラッシング吐出動作を行っておけば、定常区間
Ｈ３においてパターンを精度良く形成できる。

【００７６】そして、フラッシング領域５２に対する吐
出動作終了点を整定区間Ｈ２に設定することにより、パ
ターン形成領域ＡＲに対する吐出動作直前までフラッシ
ング吐出動作を行うことになるので、インクジェットヘ
ッド２０の乾燥を招くことなくパターン形成領域ＡＲに
対して安定した吐出動作を行うことができる。しかも、
整定区間Ｈ２にフラッシング吐出動作終了点を設定した
ことにより、定常区間Ｈ３の全てをパターンの形成に有
効利用できる。

【００７７】なお、図６を用いた説明では、ステージＳ
Ｔが停止しており、インクジェットヘッド２０が移動す
るように説明したが、もちろん、ステージＳＴが、加速
区間、整定区間、定常区間、加速区間を有するように移
動する構成も可能である。

【００７８】本発明のインクジェット装置（デバイス製
造装置）ＩＪは、有機エレクトロルミネッセンス装置
（有機ＥＬ装置）の製造に適用可能である。図７は、有
機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。図７において、
有機ＥＬ素子３０１は、光を透過可能な基板３０２と、
基板３０２の一方の面側に設けられ一対の陰極（電極）
３０７及び陽極（電極）３０８に狭持された有機エレク
トロルミネッセンス材料からなる発光層３０５と正孔輸
送層３０６とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）３０９
と、基板３０１と有機ＥＬ素子３０９との間に設けられ
ている封止層３０４とを備えている。

【００７９】ここで、図７に示す有機ＥＬ素子３０１
は、発光層３０５からの発光光を基板３０２側から装置
外部に取り出す形態であり、基板３０２の形成材料とし
ては、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例え
ば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエ
ステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエ
ーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。
特に、基板３０２の形成材料としては、安価なソーダガ
ラスが好適に用いられる。一方、基板と反対側から発光
光を取り出す形態の場合には、基板は不透明であっても
よく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス
等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したも
の、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることがで
きる。

【００８０】陽極３０８は、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光
を透過可能である。正孔輸送層３０６は、例えば、トリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、
アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニ
ルジアミン誘導体等からなる。このうち、トリフェニル
ジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ
（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェ
ニルが好適とされる。

【００８１】なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形
成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送
層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注
入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（Ｃ
ｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレン
であるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−
Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、ト
リス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が
挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用
いるのが好ましい。

【００８２】発光層３０５の形成材料としては、低分子
の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物
質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ₃（アルミキレー
ト錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使
用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではア
リーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものな
どが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレ
ン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリ
メチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの
色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯
体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン
誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１
９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用
可能である。陰極７はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシ
ウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属
電極である。

【００８３】なお、陰極３０７と発光層３０５との間
に、電子輸送層や電子注入層を設けることができる。電
子輸送層の形成材料としては、特に限定されることな
く、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンお
よびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフ
トキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその
誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその
誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチ
レンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒ
ドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示
される。

【００８４】封止層３０４は、基板３０２側の外部から
電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ素子３０９に対して
大気が侵入するのを遮断するものであって、膜厚や材料
を適宜選択することにより光を透過可能となっている。
封止層３０４を構成する材料としては、例えばセラミッ
クや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材
料が用いられ、中でも酸化窒化珪素が透明性、ガスバリ
ア性の観点から好ましい。なお、封止層３０４の厚さは
発光層３０５から射出される光の波長より小さくなるよ
うに設定されるこのが好ましい（例えば０．１μｍ）。

【００８５】図示しないが、この有機ＥＬ素子３０１は
アクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ
線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ
線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画
素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトラ
ンジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子
３０９が接続されている。そして、データ線や走査線を
介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有
機ＥＬ素子３０９の発光層３０５が発光して基板３０２
の外面側に光が射出され、その画素が点灯する。

【００８６】また、有機ＥＬ素子３０１のうち、有機Ｅ
Ｌ材料３０９を挟んで封止層３０４と反対側の表面に
も、電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ材料３０９に対
して大気が侵入するのを遮断する封止部材３１０が形成
されている。

【００８７】以上説明した有機ＥＬ素子３０１の各材料
層３０８，３０６，３０５などの形成材料を所定の溶媒
でインク化することにより、本発明のデバイス製造装置
を用いて製造することができる。

【００８８】上記有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例に
ついて説明する。図８は、携帯電話の一例を示した斜視
図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体
を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を用い
た表示部を示している。

【００８９】図９は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図９において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を用い
た表示部を示している。

【００９０】図１０は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた
表示部を示している。

【００９１】図８〜図１０に示す電子機器は、上記実施
の形態の有機ＥＬ表示装置を備えているので、表示品位
に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器
を実現することができる。

【００９２】次に、フラッシング吐出動作の効果を確認
するための実験及び結果について説明する。実験では、
図１１に示すように、１８０個配列されたノズルを有す
るインクジェットヘッドから基板に対して前記配列方向
と直交する方向に走査しつつインク滴を吐出してパター
ンを形成するに際し、フラッシング条件を変更した場合
の基板上におけるインク滴の並び（パターン）のばらつ
きを評価した。

【００９３】使用したインクは、有機エレクトロルミネ
ッセンス材料のうちパラフェニレンビニレン誘導体であ
る以下の化合物１、２、３を混合したものを、溶媒（テ
トラメチルベンゼン（５０％）＋イソプロピルビフェニ
ル（５０％））でインク化したものである。濃度は、
１．０ｗｔ／ｗｔ％に設定した。

【００９４】

【化１】

【００９５】

【化２】

【００９６】

【化３】

【００９７】図１２に実験結果を示す。フラッシング条
件をＮｏ．１〜Ｎｏ．８のそれぞれに設定し、このとき
のノズル抜け及び吐出ばらつきσを評価した。ここで、
「発数」とは、１回のフラッシング動作時における吐出
回数であり、「フラッシング間隔」とは、フラッシング
吐出動作間隔であって１回目のフラッシング時から２回
目のフラッシング時までの時間であり、「周波数」と
は、フラッシング周波数であって単位時間当たりの吐出
数である。なお、「フラッシング間隔」の単位は「秒」
であり、「周波数」の単位は「ｋＨｚ」である。

【００９８】また、「ノズル抜け」とは、１８０個ある
ノズルのうちインク滴を吐出できなかったノズルの数で
あり、「吐出ばらつき」とは、図１１に示すように、基
板上に直線状にインク滴を吐出した際の中心（目標吐出
位置）からの距離（ずれ）ｄのσ値である。なお、「吐
出ばらつき」の単位は「μｍ」である。そして、「ノズ
ル抜け」が多いということは、ノズルが乾燥して目詰ま
りが発生していることを示し、「吐出ばらつき」の値が
大きいということは、インク滴の飛行曲がりが発生して
いることを示す。

【００９９】図１２において、例えばＮｏ．１、２、３
から分かるように、発数が多い方が吐出ばらつきが小さ
くなる。すなわち、フラッシング時において多数回吐出
動作を行った方が、パターン形成時における吐出動作は
安定する。

【０１００】また、Ｎｏ．３、４、５、７から分かるよ
うに、フラッシング間隔が短いほうが吐出ばらつきが小
さくなる。すなわち、フラッシングをこまめに行ったほ
うが、パターン形成時における吐出動作は安定する。

【０１０１】Ｎｏ．５、６から分かるように、周波数が
大きい方が吐出ばらつきが小さくなる。すなわち、フラ
ッシング吐出動作を高速に行ったほうが、パターン形成
時における吐出動作は安定する。

【０１０２】また、Ｎｏ．７、８から分かるように、フ
ラッシング間隔を４２０秒と長時間に設定すると、ノズ
ル抜けが生じ、安定した吐出動作を行うことができな
い。

【０１０３】

【発明の効果】本発明によれば、パターン形成領域に対
してパターンを形成するための吐出動作をする工程の他
に、このパターン形成領域以外の所定領域に対して吐出
動作をするフラッシング工程を行うようにしたので、液
滴吐出ヘッドのノズルの乾燥を防いで目詰まり等の不具
合の発生を防止できる。したがって、液滴吐出ヘッドは
安定した吐出動作を実現できるので、パターンを所望の
精度で形成でき、高性能なデバイスを生産性良く製造で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のデバイス製造装置の一実施形態を示す
概略斜視図である。

【図２】インクジェットヘッドの分解斜視図である。

【図３】インクジェットヘッドの主要部の斜視図一部断
面図である。

【図４】ステージの側面図である。

【図５】ステージの他の実施例を示す側面図である。

【図６】インクジェットヘッドの移動動作を説明するた
めの図である。

【図７】有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。

【図８】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図で
ある。

【図９】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図で
ある。

【図１０】有機ＥＬ装置が搭載された電子機器を示す図
である。

【図１１】本発明のデバイスの製造方法の効果を確認す
るための実験条件を説明するための図である。

【図１２】実験結果を示す図である。

【符号の説明】

１４第１移動装置（移動装置）１６第２移動装置（移動装置）２０インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）５２第１フラッシング領域（所定領域）５９第２フラッシング領域（所定領域）ＡＲパターン形成領域ＣＯＮＴ制御装置ＩＪインクジェット装置（液滴吐出装置、デバイス
製造装置）Ｐ基板ＳＴステージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板のパターン形成領域に対して液滴吐
出ヘッドより液体材料を吐出する工程を有するデバイス
の製造方法において、前記パターン形成領域以外の所定領域に対して前記液体
材料を吐出するフラッシング工程を有することを特徴と
するデバイスの製造方法。
【請求項２】前記液滴吐出ヘッドと前記所定領域とを
相対的に移動しつつ前記所定領域に対して前記液体材料
を吐出することを特徴とする請求項１記載のデバイスの
製造方法。
【請求項３】前記パターン形成領域に対する吐出動作
の前後のうち少なくともいずれか一方で、前記所定領域
に対する吐出動作を行うことを特徴とする請求項１又は
２記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】前記基板をステージで支持しつつ前記吐
出動作を行い、前記ステージに対して前記基板を搬入及び搬出する工程
を有し、前記搬入時及び前記搬出時のうち少なくともいずれか一
方で、前記所定領域に対する吐出動作を行うことを特徴
とする請求項１〜３のいずれか一項記載のデバイスの製
造方法。
【請求項５】前記基板はステージに支持されており、
前記所定領域は前記ステージのうち前記基板を支持する
以外の部分に設定されていることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】前記基板に対して有機エレクトロルミネ
ッセンス装置形成用材料を吐出することを特徴とする請
求項１〜５のいずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】基板のパターン形成領域に対して液体材
料を吐出可能な液滴吐出ヘッドを有するデバイスの製造
装置において、前記パターン形成領域以外の部分に設けられたフラッシ
ング領域と、前記フラッシング領域に対して前記液体材料を吐出する
ように前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する制御装
置とを備えることを特徴とするデバイスの製造装置。
【請求項８】前記基板を支持するステージを有し、前記フラッシング領域は、前記ステージのうち前記基板
を支持する以外の部分に設けられていることを特徴とす
る請求項７記載のデバイスの製造装置。
【請求項９】前記液滴吐出ヘッドと前記ステージとを
相対的に移動する移動装置を備えることを特徴とする請
求項８記載のデバイスの製造装置。
【請求項１０】前記制御装置は、前記移動装置による
前記移動中に前記フラッシング領域に対して前記液体材
料を吐出するように前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制
御することを特徴とする請求項９記載のデバイスの製造
装置。
【請求項１１】前記移動装置は、前記液滴吐出ヘッド
と前記基板を支持する前記ステージとを所定方向に相対
移動し、前記フラッシング領域は、前記基板の前記所定方向の前
方側及び後方側のうち少なくともいずれか一方に設けら
れていることを特徴とする請求項９又は１０記載のデバ
イスの製造装置。
【請求項１２】前記液滴吐出ヘッドは、有機エレクト
ロルミネッセンス装置形成用材料を吐出することを特徴
とする請求項７〜１１のいずれか一項記載のデバイスの
製造装置。
【請求項１３】請求項７〜請求項１２のいずれか一項
記載のデバイスの製造装置で製造されたことを特徴とす
るデバイス。
【請求項１４】請求項１３記載のデバイスを備えた
ことを特徴とする電子機器。