JP4288803B2

JP4288803B2 - エレクトロルミネッセンスディスプレイ

Info

Publication number: JP4288803B2
Application number: JP35526799A
Authority: JP
Inventors: 徹生中山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-12-15
Filing date: 1999-12-15
Publication date: 2009-07-01
Anticipated expiration: 2019-12-15
Also published as: JP2001176656A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンスディスプレイに関し、特には表示パネルの画素エリアに金属蓋を被せてなるエレクトロルミネッセンスディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２にはエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：以下ＥＬと記す）ディスプレイの全体構成図を示し、図３には図２のＡ−Ａ断面図を示す。また、図４には、図３におけるＢ部の拡大断面図を示す。これらの図に示すように、ＥＬディスプレイは、表示パネル１と、絶縁膜２（図４のみに図示）と、絶縁膜２を介して表示パネル１上に設けられた金属蓋３とを備えている。
【０００３】
表示パネル１は、透明な基板１１の一主面上に、複数のＥＬ素子（例えば有機ＥＬ素子）を配列形成してなる画素エリア１２（図４では図示省略）と、この画素エリア１２から延設された複数の取り出し電極１３とを設けてなる。各取り出し電極１３は、画素エリア１２内の配線と外部の駆動回路４とを接続させるためのものであり、その一端が画素エリア１２内の配線に接続され、他端（先端）が基板１１の周縁に配置されている。また、取り出し電極１３は、駆動回路４との接触抵抗の低減を図るために金（Ａｕ）を用いて構成されており、この取り出し電極１３と基板１１との間には、取り出し電極１３と基板１１との密着性を確保するための密着層１４（図４のみに図示）が設けられている。
【０００４】
また、絶縁膜２は、基板１１の周縁部に位置する取り出し電極１３の先端を露出させた状態で、この取り出し電極上に設けられている。そして、金属蓋３は、絶縁膜２を介して取り出し電極１３上に周縁端を当接させた状態で、画素エリア１２に被せられており、金属蓋３と表示パネル１との間は接着剤（図示省略）にて封止されている。
【０００５】
以上のような構成のＥＬディスプレイにおいては、金属蓋３で画素エリア１２を密閉することによって、この画素エリア１２に設けられたＥＬ素子の劣化を防止するようにしている。また、取り出し電極１３上に絶縁膜２を設けることによって、取り出し電極１３と金属蓋３との絶縁性を確保し、金属蓋３による取り出し電極１３間の短絡を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような構成のＥＬディスプレイには、次のような課題があった。すなわち、図４に示したＥＬディスプレイにおいては、金属蓋３と取り出し電極１３との間に絶縁膜２が設けられており、Ａｕからなる取り出し電極１３を絶縁膜２が覆う状態になっている。ところが、Ａｕと酸化シリコンのような絶縁膜２とは、必ずしも密着性が良好ではない。このため、製造工程においては、表示パネル１の画素エリアに金属蓋３を被せる前に、取り出し電極１３を覆う絶縁膜２に剥がれが生じる場合がある。そして、このような絶縁膜２の剥がれが生じた部分では、取り出し電極１３と金属蓋３とが直接接触することになり、金属蓋３を介して取り出し電極１３間の短絡が発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような課題に鑑みて成されたものであり、表示パネルの画素エリアに絶縁膜を介して金属蓋を被せてなるＥＬディスプレイに関し、次のように構成されていることを特徴としている。表示パネルは、ＥＬ素子が配列形成された画素エリアとその外側に延設された取り出し電極とを基板上に設けてなる。そして、絶縁膜は、基板の周縁部に位置する取り出し電極の先端を露出させた状態でこの取り出し電極上に設けられている。また、金属蓋は、絶縁膜を介して取り出し電極上に周縁端を当接させた状態で、画素エリアに被せられている。そして本発明においては、取り出し電極と絶縁膜との間に、当該取り出し電極と当該絶縁膜との間の密着を図るための密着層を設けたことを特徴としている。
【０００８】
このような構成のＥＬディスプレイでは、取り出し電極と絶縁膜との間に密着層を設けた構成にしたことで、取り出し電極と絶縁膜との間の密着性の向上が図られる。このため、取り出し電極に対する絶縁膜の剥がれを防止することができ、金属蓋と取り出し電極との間の絶縁性が確保される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明におけるＥＬディスプレイの実施の形態を、図１の要部拡大断面図を用いて説明すると共に、ＥＬディスプレイの全体構成を説明するために、従来の技術の説明で用いた図２及び図３を用いることとする。尚、図１は、図３のＢ部の拡大図に相当する。また、従来の技術で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
これらの図に示すＥＬディスプレイと従来のＥＬディスプレイとの異なることころは、取り出し電極１３と絶縁膜２との間に上部密着層１５を設けたところにあり、その他の構成は従来技術で説明したと同様であることとする。
【００１１】
すなわち、これらの図に示す実施形態のＥＬディスプレイは、ＥＬ素子（例えば有機ＥＬ素子）が配列形成された画素エリア１２（図１では省略）と、取り出し電極１３とを基板１１上に設けらてなる表示パネル１’を備えている。また、取り出し電極１３の上部には、取り出し電極１３の先端を露出させた状態で絶縁膜２（図１のみに図示）が設けられている。さらに、表示パネル１’の画素エリア１２には、金属蓋３が被せられている。
【００１２】
ここで、表示パネル１１を構成する基板１１は、例えばガラス材料からなる透明基板であり、この基板１１上の画素エリア１２に設けられたＥＬ素子での発光光は、基板１１側から取り出されることになる。
【００１３】
また、絶縁膜２は、例えば酸化シリコンからなるものである。
【００１４】
さらに、金属蓋３は、例えばコバール（Ｆｅ５３％−Ｎｉ２８％−Ｃｏ１８％）のようなガラス材料に対して熱膨張係数が等しい合金を用いて構成され、これによってガラス材料からなる基板１１との間での熱応力の発生を防止している。
【００１５】
そして、取り出し電極１３は、金（Ａｕ）（例えば膜厚１００ｎｍ）を用いて構成されており、この取り出し電極１３と基板１１との間に下部密着層１４が設けられ、また取り出し電極１３と絶縁膜２との間に上部密着層１５が設けられている。この上部密着層１５が、請求項に示す密着層となる。
【００１６】
ここで、下部密着層１４は、例えばガラスからなる基板１１と取り出し電極１３との密着性の向上を図るためのものであり、クロム（Ｃｒ）、チタン(Ｔｉ）またはニッケル（Ｎｉ）や、これらのうちの複数を用いた合金、さらにはこれらの材料膜を積層させた積層膜等を用いて構成されている。この下部密着層１４は、例えば1０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚を有している。
【００１７】
一方、上部密着層１５は、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２と取り出し電極１３との密着性の向上を図るためのものであり、下部密着層１４と同様にＣｒ、ＴｉまたはＮｉや、これらのうちの複数を用いた合金、さらにはこれらの材料膜を積層させた積層膜等を用いて構成されている。この上部密着層１５は、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚を有している。また、この上部密着層１５は、取り出し電極１３の先端部を露出させる状態で、取り出し電極１３と絶縁膜２との間に設けられていることとする。
【００１８】
このような構成のＥＬディスプレイの製造は、例えば次のような手順にて行う。
【００１９】
先ず、基板１１上に下部密着層１４を構成する材料膜、取り出し電極１３を構成するＡｕ膜、及び上部密着層１５を構成する材料膜を、上述の膜厚で順次成膜形成する。その後、リソグラフィー法によってこの上部にレジストパターンを形成し、これをマスクに用いたエッチングによってこれらの材料膜をパターニングし、これによって、上部密着層１５、取り出し電極１３及び下部密着層１４をパターン形成する。次に、上記レジストパターンを除去した後、この取り出し電極１３を覆う状態で基板１１上に絶縁膜２を成膜し、リソグラフィー法によってこの上部に新たなレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクに用いて絶縁膜２及び上部密着層１５をエッチングし、取り出し電極１３の先端を露出させる。
【００２０】
その後、表示パネル１’の画素エリア１２に金属蓋３を被せる。この際、金属蓋３の周縁端を、絶縁膜２を介して取り出し電極１３上に当接させ、金属蓋３と表示パネル１（絶縁膜２）との間を接着剤（図示省略）にて封止する。
【００２１】
このようにして得られた上記構成のＥＬディスプレイは、取り出し電極１３上に上部密着層１５を設けた取り出し電極１３構成としたことで、通常は密着性の劣る取り出し電極（Ａｕ）１３と絶縁膜（酸化シリコン）２との間に、これらの間の密着性を向上させる効果を有するＣｒ、Ｔｉ及びＮｉ等からなる上部密着層１５が挟まれることになる。このため、取り出し電極１３とこの上部に設けられた絶縁膜２との間の密着性の向上を図ることが可能になる。
【００２２】
したがって、取り出し電極１３上における絶縁膜２の剥がれを防止することができ、この絶縁膜２を介して取り出し電極１３上に配置される金属蓋３と取り出し電極１３との間の絶縁性が確保される。この結果、金属蓋３を介しての取り出し電極１３間の短絡を確実に防止することが可能になる。
【００２３】
しかも、上部密着層１５は、Ａｕからなる取り出し電極１３の先端を露出させた状態で設けられているので、この先端部分を介しての外部の駆動回路４と表示パネル１’との接続においては、接触抵抗を低く維持することが可能になる。
【００２４】
また、Ａｕからなる取り出し電極１３とガラス等からなる基板１１との間にも、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉ等からなる下部密着層１４が設けられているため、この取り出し電極１３と基板１１との密着性も確保される。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のＥＬディスプレイによれば、絶縁膜を介して取り出し電極上に金属蓋が設けられた構成において、絶縁膜と取り出し電極との間に密着層を設けるようにしたことで、取り出し電極と絶縁膜との間の密着性の向上を図ることができる。このため、取り出し電極に対する絶縁膜の剥がれを防止することができ、絶縁膜による金属蓋と取り出し電極との間の絶縁性を確保することが可能になる。この結果、金属蓋を介しての取り出し電極間の短絡を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬディスプレイの一例を示す要部断面拡大図である。
【図２】ＥＬディスプレイの一例を示す構成図である。
【図３】ＥＬディスプレイの一例を示す断面図である。
【図４】従来のＥＬディスプレイの一例を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１’…表示パネル、２…絶縁膜、３…金属蓋、１１…基板、１２…画素エリア、１３…取り出し電極、１５…上部密着層

Claims

エレクトロルミネッセンス素子が配列形成された画素エリアと当該画素エリアからその外側に延設された取り出し電極とを基板上に設けてなる表示パネルと、
前記基板の周縁部に位置する前記取り出し電極の先端を露出させた状態で当該取り出し電極上に設けられた絶縁膜と、
当該絶縁膜を介して前記取り出し電極上に周縁端を当接させた状態で前記画素エリアに被せられた金属蓋と、
前記取り出し電極と前記絶縁膜との間に当該取り出し電極の先端を露出させる状態で設けられた、当該取り出し電極と当該絶縁膜との間の密着を図るための密着層とを備え、
前記絶縁膜と前記密着層とは、同一のマスクを用いたエッチングによって前記取り出し電極の先端を露出させている
エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
前記取り出し電極は金を用いて構成され、前記密着層はクロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも１つを用いて構成された
請求項１記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイ。
前記基板はガラス材料からなり、
前記金属蓋はコバールからなる
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイ。