JPH06186578A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06186578A JPH06186578A JP33748992A JP33748992A JPH06186578A JP H06186578 A JPH06186578 A JP H06186578A JP 33748992 A JP33748992 A JP 33748992A JP 33748992 A JP33748992 A JP 33748992A JP H06186578 A JPH06186578 A JP H06186578A
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- JP
- Japan
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- interlayer insulating
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- insulating film
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成した液晶表示装置に於いて、駆動回路の信
頼性を低下させる事無く基板の小型化を図る事を目的と
する。 【構成】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成し、駆動回路をシール部より内側に形成す
る。
素電極を形成した液晶表示装置に於いて、駆動回路の信
頼性を低下させる事無く基板の小型化を図る事を目的と
する。 【構成】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成し、駆動回路をシール部より内側に形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】駆動回路内蔵型液晶表示装置の構成は特
開昭６４−６８７２５号のごとく、駆動回路を接着部よ
り外側に配置し、ポリイミドなどの有機絶縁膜を塗布、
パターニングして駆動回路上のみに有機絶縁膜を形成し
ている。このことにより駆動回路の対衝撃性や耐湿性を
向上させている。
開昭６４−６８７２５号のごとく、駆動回路を接着部よ
り外側に配置し、ポリイミドなどの有機絶縁膜を塗布、
パターニングして駆動回路上のみに有機絶縁膜を形成し
ている。このことにより駆動回路の対衝撃性や耐湿性を
向上させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
例では駆動回路が外側に配置されていると駆動回路用の
スペースが必要であり、結果として基板面積の増大を招
くと言う課題を有する。
例では駆動回路が外側に配置されていると駆動回路用の
スペースが必要であり、結果として基板面積の増大を招
くと言う課題を有する。
【０００４】本発明の目的は、駆動回路の信頼性を低下
させる事無く、省スペース化の出来る液晶表示装置の構
造を提供する事にある。
させる事無く、省スペース化の出来る液晶表示装置の構
造を提供する事にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置において、アクティブマト
リクス基板はソース線と画素電極がポリイミド樹脂また
は酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの層間絶縁膜を
介して非同一層に形成され、前記層間絶縁膜は画素表示
部分にのみ形成され、対向する２枚の絶縁性基板の接着
部より基板の中央部よりに液晶表示装置駆動回路が配置
され、前記駆動回路上には導電性薄膜を形成せず、対向
する基板に形成する対向電極は少なくとも画素部と駆動
回路に重なることを特徴とする。
トリクス方式の液晶表示装置において、アクティブマト
リクス基板はソース線と画素電極がポリイミド樹脂また
は酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの層間絶縁膜を
介して非同一層に形成され、前記層間絶縁膜は画素表示
部分にのみ形成され、対向する２枚の絶縁性基板の接着
部より基板の中央部よりに液晶表示装置駆動回路が配置
され、前記駆動回路上には導電性薄膜を形成せず、対向
する基板に形成する対向電極は少なくとも画素部と駆動
回路に重なることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】本発明による一実施例の液晶表示装置の平面
図を図１に示し、そのＸ−Ｘ’間における断面図を図２
に示す。例えばガラス基板の様な絶縁性基板１０１上に
画素スイッチング用ＴＦＴ（以下画素ＴＦＴと称す）１
０２を形成し、同時に前記画素ＴＦＴ群の駆動用ＴＦＴ
（以下ドライバーと称す）１０３を形成する。次に層間
絶縁膜１０４として例えばポリイミドを２μｍ程度の膜
厚となるように塗布する。前記ポリイミドを乾燥後、ク
ロム薄膜を１０００Å程度堆積し、パターニングして前
記層間絶縁膜１０４のエッチングマスクとする。この後
ドライエッチング法にて層間絶縁膜１０４をパターニン
グする。このとき層間絶縁膜１０４の被エッチング部分
は、画素ＴＦＴの画素電極接続部と、ドライバー部を含
む非画素表示部分とする。エッチング終了後エッチング
マスクを剥離し、画素電極１０６をＩＴＯで形成する。
次に絶縁性基板１０１と対向基板１０７をシール部１１
０で接着する。
図を図１に示し、そのＸ−Ｘ’間における断面図を図２
に示す。例えばガラス基板の様な絶縁性基板１０１上に
画素スイッチング用ＴＦＴ（以下画素ＴＦＴと称す）１
０２を形成し、同時に前記画素ＴＦＴ群の駆動用ＴＦＴ
（以下ドライバーと称す）１０３を形成する。次に層間
絶縁膜１０４として例えばポリイミドを２μｍ程度の膜
厚となるように塗布する。前記ポリイミドを乾燥後、ク
ロム薄膜を１０００Å程度堆積し、パターニングして前
記層間絶縁膜１０４のエッチングマスクとする。この後
ドライエッチング法にて層間絶縁膜１０４をパターニン
グする。このとき層間絶縁膜１０４の被エッチング部分
は、画素ＴＦＴの画素電極接続部と、ドライバー部を含
む非画素表示部分とする。エッチング終了後エッチング
マスクを剥離し、画素電極１０６をＩＴＯで形成する。
次に絶縁性基板１０１と対向基板１０７をシール部１１
０で接着する。
【０００７】以上が本発明を用いた液晶表示装置の構成
であるが、２μｍ程度の膜厚を持つ層間絶縁膜１０４が
ドライバー部に重ならないことにより、層間絶縁膜１０
４自体の分極によるドライバーのチャージアップを防ぐ
ことが出来る。また対向基板側に形成する対向電極１１
１は少なくともドライバー部の上部に液晶層を介して重
なるよう形成するのであるが、対向電極１１１は共通電
位になっているため、対向電極１１１とドライバー部と
の間に挟まれる部分の液晶層には基本的に電界がかから
ない。従って液晶層の下に位置するドライバー部にも電
界がかからないため、ドライバーの誤動作も防止でき
る。
であるが、２μｍ程度の膜厚を持つ層間絶縁膜１０４が
ドライバー部に重ならないことにより、層間絶縁膜１０
４自体の分極によるドライバーのチャージアップを防ぐ
ことが出来る。また対向基板側に形成する対向電極１１
１は少なくともドライバー部の上部に液晶層を介して重
なるよう形成するのであるが、対向電極１１１は共通電
位になっているため、対向電極１１１とドライバー部と
の間に挟まれる部分の液晶層には基本的に電界がかから
ない。従って液晶層の下に位置するドライバー部にも電
界がかからないため、ドライバーの誤動作も防止でき
る。
【０００８】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
【０００９】また、エッチングマスクを絶縁体で形成し
た場合には、エッチングマスクの除去は必ずしも必要で
はなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜１０４の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、層間絶縁膜
１０４へのダメージを更に低減できる。
た場合には、エッチングマスクの除去は必ずしも必要で
はなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜１０４の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、層間絶縁膜
１０４へのダメージを更に低減できる。
【００１０】また画素電極も例えばアルミニウムが使え
るなどＩＴＯには限らない。
るなどＩＴＯには限らない。
【００１１】
【発明の効果】本発明を用いれば、ドライバーは画素表
示エリア近傍にあるため省スペース化がはかれる。さら
にドライバー上には配向膜以外の絶縁膜あるいはＩＴＯ
などの導電性膜がないために外部電場の影響を受けにく
い。
示エリア近傍にあるため省スペース化がはかれる。さら
にドライバー上には配向膜以外の絶縁膜あるいはＩＴＯ
などの導電性膜がないために外部電場の影響を受けにく
い。
【図１】 実施例記載の液晶表示装置の平面図。
【図２】 実施例記載の液晶表示装置のＸ−Ｘ’間に於
ける断面図。
ける断面図。
【図３】 従来例の液晶表示装置の断面図。
１０１ ガラス基板 １０２ 画素ＴＦＴ １０３ ドライバー １０４ 層間絶縁膜 １０６ 画素電極 １０７ 対向基板 １０８ 画素表示部 １０９ 接着剤 １１０ シール部 １１１ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｇ 3/36 7319−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (1)
- 【請求項１】 アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置において、アクティブマトリクス基板はソース線と画
素電極がポリイミド樹脂または酸化シリコンまたは窒化
シリコンなどの層間絶縁膜を介して非同一層に形成さ
れ、前記層間絶縁膜は画素表示部分にのみ形成され、対
向する２枚の絶縁性基板の接着部より基板の中央部より
に液晶表示装置駆動回路が配置され、前記駆動回路上に
は導電性薄膜を形成せず、対向する基板に形成する対向
電極は少なくとも画素部と駆動回路に重なることを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33748992A JP3253383B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33748992A JP3253383B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186578A true JPH06186578A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3253383B2 JP3253383B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=18309135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33748992A Expired - Lifetime JP3253383B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253383B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09179130A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR19980025065A (ko) * | 1996-09-27 | 1998-07-06 | 순페이 야마자끼 | 전기 광학 장치 및 그의 제조방법 |
| US6169293B1 (en) | 1995-11-17 | 2001-01-02 | Semiconductor Energy Labs | Display device |
| US6246454B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| KR100315209B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
| KR100505564B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-09-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| EP1562231A3 (en) * | 1999-06-04 | 2005-10-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US7023518B1 (en) * | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
| JP2008165255A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7483091B1 (en) * | 1995-03-18 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display devices |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33748992A patent/JP3253383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
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| US7483091B1 (en) * | 1995-03-18 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display devices |
| US6169293B1 (en) | 1995-11-17 | 2001-01-02 | Semiconductor Energy Labs | Display device |
| US6239470B1 (en) | 1995-11-17 | 2001-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display thin film transistor |
| US6445059B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6441468B1 (en) | 1995-12-14 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7023518B1 (en) * | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
| US6246454B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7956978B2 (en) | 1995-12-21 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device having a particular conductive layer |
| US8194224B2 (en) | 1995-12-21 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layers |
| JPH09179130A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7394516B2 (en) | 1995-12-21 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a particular conductive layer |
| US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8665411B2 (en) | 1995-12-21 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layer |
| KR19980025065A (ko) * | 1996-09-27 | 1998-07-06 | 순페이 야마자끼 | 전기 광학 장치 및 그의 제조방법 |
| KR100505564B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-09-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| EP1562231A3 (en) * | 1999-06-04 | 2005-10-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9123854B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
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| JP2008165255A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3253383B2 (ja) | 2002-02-04 |
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