JP4287987B2 - 電子部品の実装方法及び電子部品実装体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板などの回路形成体に半導体素子などの電子部品を少なくとも樹脂を含む接合材料により接合固定する電子部品の実装方法及びそれにより製造された電子部品実装体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、矩形のＩＣチップの接合面の電極上に形成されたバンプを回路基板の電極に接触させるとともに、ＩＣチップと回路基板との間に接合材料を配置して、接合材料によりＩＣチップを回路基板に接合保持させるようにしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、矩形のＩＣチップの接合面に配列されたバンプ間の配列の大きな隙間、又は、矩形の辺部分にバンプが配列される場合にバンプが配列されていない角部の隙間などにおいて、ＩＣチップを接合材料を介して回路基板に接合させるとき、ＩＣチップと回路基板との間に挟み込まれた接合材料がＩＣチップのバンプ間の上記隙間を通して ＩＣチップの周囲部分に逃げ出すため、ＩＣチップの中央部分では接合材料の密度が疎になりやすく、接合力及び封止力が低下してしまうことがある。
【０００４】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、回路形成体に対する接合時に電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、接合及び封止の信頼性を高めることができる電子部品の実装方法及び電子部品実装体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００７】
本発明の第１態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプと上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記広幅間隔部分における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【０００９】
本発明の第２態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが無い他の対向する２辺にそれぞれ列状に備えられた複数のダミーバンプであり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記他の対向する２辺における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第１の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１０】
本発明の第３態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプであり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第１の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１１】
本発明の第４態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプであり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する第１の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１２】
本発明の第５態様によれば、上記接合材料を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記複数のバンプを形成する工程を備え、
上記バンプ形成工程において、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に、ダミーバンプを備えるように形成する第１〜４のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１３】
本発明の第６態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記電子部品の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、αが１〜６の任意の値であるとき、 Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α） となるようにダミーバンプが備えられているようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１４】
本発明の第７態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に備えられた接合材料流動規制膜であり、上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制膜により、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１５】
本発明の第８態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１６】
本発明の第９態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１７】
本発明の第１０態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１８】
本発明の第１１態様によれば、少なくとも樹脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する工程と、
上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数のバンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
電子部品の実装方法であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ以外の領域全てに備えられた補助パッシベーション膜であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ以外の領域全てでの上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１９】
本発明の第１２態様によれば、上記接合材料を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記パッシベーション膜を形成する工程を備え、
上記パッシベーション膜形成工程において、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が形成されていない領域に補助パッシベーション膜を形成する第８〜１１のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２０】
本発明の第１３態様によれば、電子部品の接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を上記電子部品の上記接合面に備え、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプと上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であることを特徴とする電子部品実装体を提供する。
【００２２】
本発明の第１４態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが無い他の対向する２辺にそれぞれ列状に備えられた複数のダミーバンプである第１３の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２３】
本発明の第１５態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプである第１３の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２４】
本発明の第１６態様によれば、上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプである第１３の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２５】
本発明の第１７態様によれば、電子部品の接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を上記電子部品の上記接合面に備え、
上記接合材料流動規制部材はダミーバンプであって、上記電子部品の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、αが１〜６の任意の値であるとき、 Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α） となるようにダミーバンプが備えられることを特徴とする電子部品実装体を提供する。
【００２６】
本発明の第１８態様によれば、電子部品の接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を上記電子部品の上記接合面に備え、
上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜が備えられるとともに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動規制膜を備えることを特徴とする電子部品実装体を提供する。
【００２７】
本発明の第１９態様によれば、上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜である第１８の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２８】
本発明の第２０態様によれば、上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜である第１８の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００２９】
本発明の第２１態様によれば、上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜である第１８の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３０】
本発明の第２２態様によれば、上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ以外の領域全てに備えられた補助パッシベーション膜である第１８の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
【００３２】
本発明の第２３態様によれば、第１〜１２のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法により製造された電子部品実装体を提供する。
【００３３】
本発明の第２４態様によれば、接合面の複数の電極に複数のバンプを備えるとともに、
上記接合面に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を備えて、
上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記回路形成体に接合されて電子部品実装体を構成するようにした電子部品であって、
上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプと上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であることを特徴とする電子部品を提供する。
【００３５】
本発明の第２５態様によれば、接合面の複数の電極に複数のバンプを備えるとともに、
上記接合面に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を備えて、
上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記回路形成体に接合されて電子部品実装体を構成するようにした電子部品であって、
上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜が備えられるとともに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動規制膜を備えることを特徴とする電子部品を提供する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各平面図において各バンプ及びダミーバンプは、簡略化のため、矩形で示すが、実際の形状はこれに限られるものではない。
【００３７】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１〜図２に基づいて説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、図２は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図３（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図４（ａ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、図４（ｂ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００３８】
上記ＩＣチップの実装方法は、図１及び図２に示すように、電子部品の一例としての正方形又は矩形のＩＣチップ１（図１では正方形のＩＣチップ１）の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺部の端縁近傍部分に辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列のバンプ２，…，２を有するものであって、ＩＣチップ１の接合面の上記辺部近傍のうちのバンプ２の無い箇所（図１（ｂ）ではＩＣチップ１の４辺のうちの上下の２辺の辺部近傍のうちのバンプ２の無い箇所）に接合材料流動規制部材の一例としてのダミーバンプ３を形成して、ダミーバンプ３により接合材料５の流動規制を行うものである。
【００３９】
従来では、図３及び図４に示すように、正方形のＩＣチップ１０１の対向する２辺（図３（ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、電極１０４，…，１０４上にバンプ１０２，…，１０２が大略等間隔に配列されている中でバンプ１０２が欠けている位置１０３、言い換えれば、隣接するバンプ１０２，１０２との間隔が他の間隔より大きく離れている広幅間隔部分１０３があると仮定する。このようにバンプ１０２，…，１０２がＩＣチップ１０１に配置されている状態で、接合材料１０５を回路基板１０６に供給したのち、図４に示すように、接合面の電極１０４上にバンプ１０２が形成されたＩＣチップ１０１の上記接合面と上記回路基板１０６との間に上記接合材料１０５を介して、上記ＩＣチップ１０１の上記電極１０４上の上記バンプ１０２と上記回路基板１０６の電極１０７とが電気的に接触するように接合し、基台１１０上に上記回路基板１０６を載置し、ＩＣチップ１０１に加熱された押圧部材１０８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１０１を圧着して上記ＩＣチップ１０１の上記接合面と上記回路基板１０６との間の上記接合材料１０５を硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されているバンプ１０２，…，１０２間の隙間よりも、バンプ１０２が欠けている広幅間隔部分１０３から接合材料１０５が上記ＩＣチップ１０１の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、ＩＣチップ１０１の中央部分では他の部分よりも接合材料１０５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【００４０】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第１実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１の４辺のうちの対向する２辺（図１（ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、バンプ２，…，２が大略等間隔に配列されている中でバンプ２が欠けている広幅間隔部分（図３及び図４の１０３参照）、言い換えれば、隣接するバンプ２，２との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミーバンプ３を他のバンプ２と同様に形成して大略等間隔にバンプ２が配列されているようにする。この結果、ＩＣチップ１の上記対向する２辺（図１（ｂ）では上下の２辺）が、ＩＣチップ１の対向する別の２辺（図１（ｂ）では左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいてバンプ２が欠けることなくバンプ２，…，２が大略等間隔に配列されている状態と同様な状態となる。
【００４１】
なお、各バンプ２及び各ダミーバンプ３が形成される方法は、後述するように図３０に示すバンプ形成方法などがある。
【００４２】
このようにバンプ２，…，２が形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａの少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５を供給する。接合材料５の供給方法としては、接合材料５が液体の場合には塗布することにより行い、接合材料５がシート状になどの固体の場合には載置又は貼り付けることにより行う。
【００４３】
接合材料の一例としては、液体状の場合には異方性導電ペースト又は封止樹脂ペーストなどがあり、固体状の場合にはシート状の異方性導電膜又は封止樹脂フィルムなどがある。
【００４４】
なお、この明細書で回路形成体とは、樹脂基板、紙−フェノール基板、セラミック基板、フィルム基板、ガラス・エポキシ（ガラエポ）基板、フィルム基板などの回路基板、単層基板若しくは多層基板などの回路基板、部品、筐体、又は、フレームなど、回路が形成されている対象物を意味する。
【００４５】
次いで、接合工程において、接合材料５を間に挟んで回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａにＩＣチップ１の接合面を重ね合わせて、上記各電極４上にバンプ２が形成されたＩＣチップ１の上記接合面と上記回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａとの間に上記接合材料５を介して、上記ＩＣチップ１の上記各電極４上の上記バンプ２と上記回路基板６の各電極７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６が基台１０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５を介してＩＣチップ１が回路基板６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５を介してＩＣチップ１が重ね合わされている回路基板６が基台１０上に載置されるようにしてもよい。
【００４６】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８をＩＣチップ１に当接させて、接合材料５を介してＩＣチップ１が重ね合わされている回路基板６が載置された基台１０に向けて押圧部材８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８からＩＣチップ１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１の接合面を回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａに押圧することにより、ＩＣチップ１の接合面の各電極４上のバンプ２が回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａ内の各電極７に接合工程時よりもさらに接触する。このとき、上記ＩＣチップ１の上記接合面と上記回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａとの間の上記接合材料５を、上記ＩＣチップ１の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ２が欠けている広幅間隔部分にダミーバンプ３が配置されている結果として、ＩＣチップ１の上記接合面の各辺の辺部近傍においては、いずれの辺の辺部近傍でも同様にバンプ２，…，２及びダミーバンプ３が大略等間隔に配置されており、図２に矢印で示すように各辺の辺部近傍において同様に接合材料５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ１の接合面全体において接合材料５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１に備えられたダミーバンプ３により、上記ＩＣチップ１の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００４７】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ３の高さは、ＩＣチップ１と回路基板６との接合後のＩＣチップ１と回路基板６との間の間隔の１０％〜３０％が好ましく、一例として２０％が好ましい。具体的な数値例として、接合後のＩＣチップ１と回路基板６との間の間隔の高さ寸法が３０μｍ〜４０μｍのとき、ダミーバンプ３の高さは７μｍ程度とする。
【００４８】
各ダミーバンプ３としては耐熱性を有するものが好ましい。耐熱性の一例としては、例えば、リフロー工程が不要な場合には２００℃で２０秒、リフロー工程を通過させる場合には２５０℃で１０秒程度の熱に耐える性質を意味する。
【００４９】
また、接合材料５としては、絶縁性の熱硬化性樹脂のみから構成するものに限らず、絶縁性樹脂中に導電性粒子を含む導電性材料を含むようにしてもよいし、無機フィラーを含むようにしてもよい。このように接合材料５に、導電性材料又は無機フィラーを含める場合においても、ダミーバンプ３により、圧着時に樹脂の流動がＩＣチップ１の接合面内で均一化されて、導電性材料又は無機フィラーを均一に配置することができる。これに対して、ダミーバンプ３が無い場合には、無機フィラーが添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると無機フィラーが粗密になり、部分的に樹脂物性が異なることにより品質が劣化しやすい場合があり、導電性材料が添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると、導電性材料が粗密になり部分的にショートを生じる場合がある。
【００５０】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１の各バンプ２と回路基板６の各電極７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１の各バンプ２と回路基板６の各電極７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１の各バンプ２と回路基板６の各電極７とが接触するようにしてもよい。
【００５１】
上記第１実施形態によれば、正方形又は矩形のＩＣチップ１の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ２，…，２を有するものであって、ＩＣチップ１の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ２の無い箇所にダミーバンプ３を形成することによって、バンプ２，…，２の配列状態をＩＣチップ１の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１の上記接合面と上記回路基板６のＩＣチップ接合領域６ａとの間の上記接合材料５の中央部から周辺部への接合材料５の流動時にダミーバンプ３が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ１の各辺の辺部近傍での上記接合材料５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１の接合面内での接合材料５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００５２】
上記接合材料流動規制部材の一例としてのダミーバンプは、ＩＣチップ１の接合面での配置位置は上記対向する一対の辺部近傍に限定されるものではなく、いずれか１つの辺部近傍のバンプ２，…，２の列において、隣接するバンプ２，２との間隔が他の間隔より大きく離れている位置にダミーバンプ３を他のバンプ２と同様に形成して大略等間隔にバンプ２が配列されているようにすればよい。
【００５３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下に示すように、その他種々の態様で実施できる。
【００５４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図５に基づいて説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、（ｄ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図６（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、（ｄ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００５５】
上記第１実施形態においては、正方形又は矩形のＩＣチップ１の４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２，…，２を有するものであったが、これに限られるものではない。例えば、第２実施形態では、図５に示すように、電子部品の一例としての長方形のＩＣチップ１１の接合面において、４辺のうちの対向する２辺（図５（ｂ）では左右の２辺）の辺部近傍にのみそれぞれ辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列のバンプ１２，…，１２を有するものであって、ＩＣチップ１１の接合面の残りの２辺（図５（ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍、すなわち、バンプ１２の無い部分にのみそれぞれ、接合材料流動規制部材の一例として、辺と大略平行にかつ大略等間隔に一列のダミーバンプ１３，…，１３を形成して、ダミーバンプ１３により接合材料１５の流動規制を行うものである。
【００５６】
従来では、図６に示すように、長方形のＩＣチップ１１１の対向する２辺（図６（ｂ）では左右の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて電極１１４，…，１１４上にバンプ１１２，…，１１２が大略等間隔に配列されている一方、ＩＣチップ１１１の接合面の残りの２辺（図６（ｂ）では上下の２辺）の辺部近傍１１３，１１３にはバンプ１１２が全く無いと仮定する。このようにバンプ１１２，…，１１２がＩＣチップ１１１に配置されている状態で、接合材料１１５を回路基板１１６に供給したのち、接合面の電極１１４上にバンプ１１２が形成されたＩＣチップ１１１の上記接合面と上記回路基板１１６との間に上記接合材料１１５を介して、上記ＩＣチップ１１１の上記電極１１４上の上記バンプ１１２と上記回路基板１１６の電極１１７とが電気的に接触するように接合し、基台１２０上に上記回路基板１１６を載置し、ＩＣチップ１１１に加熱された押圧部材１１８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１１１を圧着して上記ＩＣチップ１１１の上記接合面と上記回路基板１１６との間の上記接合材料１１５を硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されているバンプ１１２，…，１１２が配置されている辺部近傍よりも、バンプ１１２が欠けている位置１１３の辺部近傍から接合材料１１５が上記ＩＣチップ１１１の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、ＩＣチップ１１１の中央部分では接合材料１１５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【００５７】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第２実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、長方形のＩＣチップ１１のバンプ１２が無い、対向する２辺（図５（ａ），（ｂ）では上下の長辺である２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいて、辺部近傍１１３，１１３にダミーバンプ１３，…，１３を他のバンプ１２，…，１２が配列されている短辺の辺部近傍と同様に大略等間隔に一列に形成する。この結果、長方形のＩＣチップ１１の上記対向する２辺（図５（ｂ）では左右の短辺の２辺）の辺部近傍と長方形のＩＣチップ１１の対向する別の２辺（図５（ｂ）では上下の長辺の２辺）の辺部近傍のそれぞれにおいてバンプ１２が全く無いといったことがなく、全ての辺部近傍において大略均一にバンプ１２，…，１２又はダミーバンプ１３，…，１３が一列にそれぞれ配列されている状態となる。
【００５８】
なお、各バンプ１２及び各ダミーバンプ１３が形成される方法は、第１実施形態と同様である。
【００５９】
このようにバンプ１２，…，１２又はダミーバンプ１３，…，１３の列が長方形のＩＣチップ１１の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ１１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａの少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料１５を供給する。接合材料１５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００６０】
次いで、接合工程において、接合材料１５を間に挟んで回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａにＩＣチップ１１の接合面を重ね合わせて、上記各電極１４上にバンプ１２が形成されたＩＣチップ１１の上記接合面と上記回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａとの間に上記接合材料１５を介して、上記ＩＣチップ１１の上記各電極１４上の上記バンプ１２と上記回路基板１６の各電極１７とが電気的に接触するように位置合わせしたのち接合する。この接合工程は、回路基板１６が基台２０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料１５を介してＩＣチップ１１が回路基板１６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料１５を介してＩＣチップ１１が重ね合わされている回路基板１６が基台２０上に載置されるようにしてもよい。
【００６１】
次いで、本圧着工程において、押圧部材１８をＩＣチップ１１に当接させて、接合材料１５を介してＩＣチップ１１が重ね合わされている回路基板１６が載置された基台２０に向けて押圧部材１８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材１８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材１８からＩＣチップ１１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ１１の接合面を回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａに押圧することにより、ＩＣチップ１１の接合面の各電極１４上のバンプ１２が回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａ内の各電極１７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ１１の上記接合面と上記回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａとの間の上記接合材料１５を、上記ＩＣチップ１１の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ１２が欠けている位置にダミーバンプ１３が配置されている結果として、ＩＣチップ１１の上記接合面の各辺の辺部近傍においては、いずれの辺の辺部近傍でも同様にバンプ１２，…，１２及びダミーバンプ１３が大略等間隔に配置されており、図５（ｄ）に矢印で示すように各辺の辺部近傍において同様に接合材料１５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料１５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ１１の接合面全体において接合材料１５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ１１に備えたダミーバンプ１３，…，１３により、上記ＩＣチップ１１の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料１５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００６２】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ１３の高さ、各ダミーバンプ１３の耐熱性、及び、接合材料１５の例については、第１実施形態と同様である。
【００６３】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ１１の各バンプ１２と回路基板１６の各電極１７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ１１の各バンプ１２と回路基板１６の各電極１７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ１１の各バンプ１２と回路基板１６の各電極１７とが接触するようにしてもよい。
【００６４】
上記第２実施形態によれば、長方形ＩＣチップ１１の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ１２，…，１２を有するものであって、ＩＣチップ１１の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ１２の無い箇所にダミーバンプ１３，…，１３を形成することによって、バンプ１２，…，１２の配列状態をＩＣチップ１１の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ１１の上記接合面と上記回路基板１６のＩＣチップ接合領域１６ａとの間の上記接合材料１５の中央部から周辺部への接合材料１５の流動時にダミーバンプ１３が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ１１の各辺の辺部近傍での上記接合材料１５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ１１の接合面内での接合材料１５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００６５】
なお、上記ダミーバンプ１３，…，１３の配置間隔は、バンプ１２，…，１２の配置間隔と大略同一にすれば、４つの辺部近傍において同様にバンプ１２，…，１２が形成されているような状態となり、上記接合材料１５の中央部から周辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、かつ、ＩＣチップ１１の接合面内での接合材料１５の分布のより一層の均一化を図ることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、全く上記ダミーバンプ１３，…，１３が存在しない場合よりも均一性を高めるため、ダミーバンプ１３，…，１３の配置間隔は、バンプ１２，…，１２の配置間隔より大きくしてもよい。
【００６６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図７及び図８に基づいて説明する。図７（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、図８は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図９（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、（ｄ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００６７】
上記第１実施形態及び第２実施形態においては、正方形又は矩形のＩＣチップ１，１１の４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２，…，２；１２，…，１２を有するものであり、その各辺の辺部近傍に一列のバンプの欠けている個所にダミーバンプ３，１３を配置するものであったが、これに限られるものではない。例えば、第３実施形態では、図７（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ２１の接合面において、その四隅のコーナー部付近を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２２，…，２２を有するものであって、ＩＣチップ２１の接合面の四隅の各コーナー部付近、すなわち、元々バンプの無い部分に、接合材料流動規制部材の一例としてダミーバンプ２３を形成して、ダミーバンプ２３により接合材料２５の流動規制を行うものである。
【００６８】
従来では、図９に示すように、長方形のＩＣチップ１２１の接合面の各辺の辺部近傍のそれぞれにおいて電極１２４，…，１２４上にバンプ１２２，…，１２２が大略等間隔に一列に配列されている一方、ＩＣチップ１２１の接合面の四隅の各コーナー部付近にはバンプ１２２が全く無いと仮定する。このようにバンプ１２２，…，１２２がＩＣチップ１２１に配置されている状態で、接合材料１２５を回路基板１２６に供給したのち、接合面の電極１２４上にバンプ１２２が形成されたＩＣチップ１２１の上記接合面と上記回路基板１２６との間に上記接合材料１２５を介して、上記ＩＣチップ１２１の上記電極１２４上の上記バンプ１２２と上記回路基板１２６の電極１２７とが電気的に接触するように接合し、基台１３０上に上記回路基板１２６を載置し、ＩＣチップ１２１に加熱された押圧部材１２８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１２１を圧着して上記ＩＣチップ１２１の上記接合面と上記回路基板１２６との間の上記接合材料１２５を硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されているバンプ１２２，…，１２２が配置されている辺部近傍よりも、バンプ１２２が欠けている位置すなわち各コーナー部付近１２３から接合材料１２５が上記ＩＣチップ１２１の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、ＩＣチップ１２１の中央部分では接合材料１２５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【００６９】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第３実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ２１のバンプ２２が無い各コーナー部付近１２３において、ダミーバンプ２３を１個又は複数個配置する。ここで、コーナー部付近１２３にダミーバンプ２３を１個又は複数個配置するとは、図２６に示すように上記ＩＣチップ２１の上記接合面の辺部近傍の一列のバンプ２２，…，２２の配置列の延長線Ｌ１及びＬ２が大略９０度でＩＣチップ２１の上記接合面のコーナー部で交差するとき、交差領域の外側領域Ｒ１内に２３Ａ，２３Ｂのように配置したり、又は、各列の最もコーナー部に近いバンプ２２を通り上記延長線Ｌ１，Ｌ２とそれぞれ直交する基準線Ｌ３，Ｌ４で囲まれた領域Ｒ２内に２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのように配置することを意味する。この結果、正方形のＩＣチップ２１の各コーナー部付近においてもバンプが存在することになり、全ての辺部近傍及びコーナー部付近において大略均一にバンプ２２，…，２２又はダミーバンプ２３，…，２３がそれぞれ配列されている状態となる。
【００７０】
なお、各バンプ２２及び各ダミーバンプ２３が形成される方法は、第１実施形態と同様である。
【００７１】
このようにバンプ２２，…，２２又はダミーバンプ２３，…，２３の列が正方形のＩＣチップ２１の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ２１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａの少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料２５を供給する。接合材料２５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００７２】
次いで、接合工程において、接合材料２５を間に挟んで回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａにＩＣチップ２１の接合面を重ね合わせて、上記各電極２４上にバンプ２２が形成されたＩＣチップ２１の上記接合面と上記回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａとの間に上記接合材料２５を介して、上記ＩＣチップ２１の上記各電極２４上の上記バンプ２２と上記回路基板２６の各電極２７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板２６が基台３０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料２５を介してＩＣチップ２１が回路基板２６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料２５を介してＩＣチップ２１が重ね合わされている回路基板２６が基台３０上に載置されるようにしてもよい。
【００７３】
次いで、本圧着工程において、押圧部材２８をＩＣチップ２１に当接させて、接合材料２５を介してＩＣチップ２１が重ね合わされている回路基板２６が載置された基台３０に向けて押圧部材２８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材２８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材２８からＩＣチップ２１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ２１の接合面を回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａに押圧することにより、ＩＣチップ２１の接合面の各電極２４上のバンプ２２が回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａ内の各電極２７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ２１の上記接合面と上記回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａとの間の上記接合材料２５を、上記ＩＣチップ２１の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ２２が欠けている位置すなわちコーナー部付近にダミーバンプ２３が配置されている結果として、ＩＣチップ２１の上記接合面の各コーナー部付近においても、いずれの辺の辺部近傍と同様にバンプ２２，…，２２及びダミーバンプ２３が大略等間隔に配置されており、図８に矢印で示すように各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近においても同様に接合材料２５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料２５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ２１の接合面全体において接合材料２５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ２１に備えたダミーバンプ２３，…，２３により、上記ＩＣチップ２１の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料２５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００７４】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ２３の高さ、各ダミーバンプ２３の耐熱性、及び、接合材料２５の例については、第１実施形態と同様である。
【００７５】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ２１の各バンプ２２と回路基板２６の各電極２７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ２１の各バンプ２２と回路基板２６の各電極２７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ２１の各バンプ２２と回路基板２６の各電極２７とが接触するようにしてもよい。
【００７６】
上記第３実施形態によれば、正方形ＩＣチップ２１の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ２２，…，２２を有するものであって、ＩＣチップ２１の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ２２の無い箇所にダミーバンプ２３，…，２３を形成することによって、バンプ２２，…，２２の配列状態をＩＣチップ２１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ２１の上記接合面と上記回路基板２６のＩＣチップ接合領域２６ａとの間の上記接合材料２５の中央部から周辺部への接合材料２５の流動時にダミーバンプ２３が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ２１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料２５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ２１の接合面内での接合材料２５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００７７】
なお、上記コーナー部に配置されたダミーバンプ２３と，そのダミーバンプ２３に隣接するバンプ２２，２２との配置間隔はバンプ２２，…，２２の配置間隔と大略同一にすれば、４つの辺部近傍からコーナー部にかけて同様にバンプ２２，…，２２が形成されているような状態となり、上記接合材料２５の中央部から周辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、かつ、ＩＣチップ２１の接合面内での接合材料２５の分布のより一層の均一化を図ることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、全く上記ダミーバンプ２３，…，２３が存在しない場合よりも均一性を高めるため、ダミーバンプ２３と，そのダミーバンプ２３に隣接するバンプ２２，２２との配置間隔は、バンプ２２，…，２２の配置間隔より大きくしてもよい。
【００７８】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１０に基づいて説明する。図１０（ａ）及び（ｂ）は第４実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、（ｄ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図１１（ａ）及び（ｂ）は第４実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図であり、（ｄ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００７９】
上記第３実施形態においては、正方形のＩＣチップ１３の４辺の各コーナー部付近にバンプ１３を有するものであったが、これに限られるものではない。例えば、第４実施形態では、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、長方形のＩＣチップ３１の接合面において、その四隅のコーナー部付近を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ３２，…，３２を有するものであって、ＩＣチップ３１の接合面の四隅の各コーナー部付近、すなわち、元々バンプの無い部分に、接合材料流動規制部材の一例としてダミーバンプ３３を形成して、ダミーバンプ３３により接合材料３５の流動規制を行うものである。
【００８０】
従来では、図１１に示すように、長方形のＩＣチップ１３１の各辺の辺部近傍のそれぞれにおいて電極１３４，…，１３４上にバンプ１３２，…，１３２が大略等間隔に一列に配列されている一方、ＩＣチップ１３１の接合面の四隅の各コーナー部付近にはバンプ１３２が全く無いと仮定する。このようにバンプ１３２，…，１３２がＩＣチップ１３１に配置されている状態で、接合材料１３５を回路基板１３６に供給したのち、接合面の電極１３４上にバンプ１３２が形成されたＩＣチップ１３１の上記接合面と上記回路基板１３６との間に上記接合材料１３５を介して、上記ＩＣチップ１３１の上記電極１３４上の上記バンプ１３２と上記回路基板１３６の電極１３７とが電気的に接触するように接合し、基台１４０上に上記回路基板１３６を載置し、ＩＣチップ１３１に加熱された押圧部材１３８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１３１を圧着して上記ＩＣチップ１３１の上記接合面と上記回路基板１３６との間の上記接合材料１３５を硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されているバンプ１３２，…，１３２が配置されている辺部近傍よりも、バンプ１３２が欠けている位置すなわち各コーナー部付近１３３から接合材料１３５が上記ＩＣチップ１３１の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、ＩＣチップ１３１の中央部分では接合材料１３５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【００８１】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第４実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、長方形のＩＣチップ３１のバンプ３２が無い各コーナー部付近１３３において、ダミーバンプ３３を１個又は複数個形成する。この結果、長方形のＩＣチップ３１の各コーナー部付近においてもバンプが存在することになり、全ての辺部近傍及びコーナー部付近において大略均一にバンプ３２，…，３２又はダミーバンプ３３，…，３３がそれぞれ配列されている状態となる。
【００８２】
なお、各バンプ３２及び各ダミーバンプ３３が形成される方法は、第１実施形態と同様である。
【００８３】
このようにバンプ３２，…，３２又はダミーバンプ３３，…，３３の列が長方形のＩＣチップ３１の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ３１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａの少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料３５を供給する。接合材料３５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００８４】
次いで、接合工程において、接合材料３５を間に挟んで回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａにＩＣチップ３１の接合面を重ね合わせて、上記各電極３４上にバンプ３２が形成されたＩＣチップ３１の上記接合面と上記回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａとの間に上記接合材料３５を介して、上記ＩＣチップ３１の上記各電極３４上の上記バンプ３２と上記回路基板３６の各電極３７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板３６が基台４０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料３５を介してＩＣチップ３１が回路基板３６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料３５を介してＩＣチップ３１が重ね合わされている回路基板３６が基台４０上に載置されるようにしてもよい。
【００８５】
次いで、本圧着工程において、押圧部材３８をＩＣチップ３１に当接させて、接合材料３５を介してＩＣチップ３１が重ね合わされている回路基板３６が載置された基台４０に向けて押圧部材３８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材３８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材３８からＩＣチップ３１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ３１の接合面を回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａに押圧することにより、ＩＣチップ３１の接合面の各電極３４上のバンプ３２が回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａ内の各電極３７に接触する。このとき、上記ＩＣチップ３１の上記接合面と上記回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａとの間の上記接合材料３５を、上記ＩＣチップ３１の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上記したようにバンプ３２が欠けている位置すなわちコーナー部付近にダミーバンプ３３が配置されている結果として、ＩＣチップ３１の上記接合面の各コーナー部付近においても、いずれの辺の辺部近傍と同様にバンプ３２，…，３２及びダミーバンプ３３が大略等間隔に配置されており、図１０（ｄ）に矢印で示すように各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近においても同様に接合材料３５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料３５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ３１の接合面全体において接合材料３５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ３１に備えたダミーバンプ３３，…，３３により、上記ＩＣチップ３１の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料３５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００８６】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ３３の高さ、各ダミーバンプ３３の耐熱性、及び、接合材料３５の例については、第１実施形態と同様である。
【００８７】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ３１の各バンプ３２と回路基板３６の各電極３７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ３１の各バンプ３２と回路基板３６の各電極３７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ３１の各バンプ３２と回路基板３６の各電極３７とが接触するようにしてもよい。
【００８８】
上記第４実施形態によれば、長方形ＩＣチップ３１の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ３２，…，３２を有するものであって、ＩＣチップ３１の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ３２の無い箇所にダミーバンプ３３，…，３３を形成することによって、バンプ３２，…，３２の配列状態をＩＣチップ３１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ３１の上記接合面と上記回路基板３６のＩＣチップ接合領域３６ａとの間の上記接合材料３５の中央部から周辺部への接合材料３５の流動時にダミーバンプ３３が接合材料流動規制部材として機能し、ＩＣチップ３１の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料３５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ３１の接合面内での接合材料３５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【００８９】
なお、上記コーナー部に配置されたダミーバンプ３３と，そのダミーバンプ３３に隣接するバンプ３２，３２との配置間隔はバンプ３２，…，３２の配置間隔と大略同一にすれば、４つの辺部近傍からコーナー部にかけて同様にバンプ３２，…，３２が形成されているような状態となり、上記接合材料３５の中央部から周辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、かつ、ＩＣチップ３１の接合面内での接合材料３５の分布のより一層の均一化を図ることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、全く上記ダミーバンプ３３，…，３３が存在しない場合よりも均一性を高めるため、ダミーバンプ３３と，そのダミーバンプ３３に隣接するバンプ３２，３２との配置間隔は、バンプ３２，…，３２の配置間隔より大きくしてもよい。
【００９０】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１２及び図１３に基づいて説明する。図１２（ａ）及び（ｂ）は第５実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、（ｃ）及び（ｄ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図及び正面図であり、図１３は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。また、図１４（ａ）及び（ｂ）は第５実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１４（ｃ）及び図１５（ａ）は接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図及び正面図であり、図１５（ｂ）は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、ＩＣチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
【００９１】
上記第１実施形態においては、正方形又は矩形のＩＣチップ１の４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプ２，…，２を有するものであったが、これに限られるものではない。例えば、第５実施形態では、図１２に示すように、電子部品の一例としての長方形のＩＣチップ４１の接合面において、バンプ４２，…，４２を有するものであって、ＩＣチップ４１の接合面の各コーナー部近傍、すなわち、バンプ４２の無い部分にのみ接合材料流動規制部材の一例としてダミーバンプ４３を形成して、ダミーバンプ４３により接合材料４５の流動規制を行うものである。
【００９２】
従来では、図１４及び図１５に示すように、長方形のＩＣチップ１４１の接合面において、短手方向の中央部に長手方向沿いに延びる１列にかつ大略等間隔にバンプ１４２，…，１４２を有する一方、ＩＣチップ１４１の接合面の各コーナー部近傍１４３にはバンプ１４２が全く無いと仮定する。このようにバンプ１４２，…，１４２がＩＣチップ１４１に配置されている状態で、接合材料１４５を回路基板１４６に供給したのち、接合面の電極１４４上にバンプ１４２が形成されたＩＣチップ１４１の上記接合面と上記回路基板１４６との間に上記接合材料１４５を介して、上記ＩＣチップ１４１の上記電極１４４上の上記バンプ１４２と上記回路基板１４６の電極１４７とが電気的に接触するように接合し、基台１５０上に上記回路基板１４６を載置し、ＩＣチップ１４１に加熱された押圧部材１４８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１４１を圧着して上記ＩＣチップ１４１の上記接合面と上記回路基板１４６との間の上記接合材料１４５を硬化させる。このような場合、短手方向の中央部に長手方向沿いに延びる１列にかつ大略等間隔に配列されているバンプ１４２，…，１４２を中心に、バンプ１４２，…，１４２の列の両側において、図１５に示すように長方形のＩＣチップ１４１が回路基板１４６に対して短手方向すなわち幅方向に１点で支持されているためＩＣチップ１４１と回路基板１４６との間での接合力のバランスを均等にするのが困難であり、回路基板１４６に対してＩＣチップ１４１が傾いてバンプ１４２，…，１４２の列の両側においてＩＣチップ１４１と回路基板１４６との間の間隔が不均一になりやすい。その結果、図１５（ｂ）に矢印で示すようにバンプ１４２，…，１４２の列のいずれか一方の側において接合材料１４５が上記ＩＣチップ１４１の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、上記一方の側において接合材料１４５の密度が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
【００９３】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第５実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、長方形のＩＣチップ４１の接合面の各コーナー部近傍、すなわち、バンプ４２の無い部分にダミーバンプ４３を少なくとも１個形成する。この結果、長方形のＩＣチップ４１が回路基板４６に対して短手方向すなわち幅方向に３点で支持されることになり、バンプ４２，…，４２の列の両側において、図１２（ｄ）に示すように、ＩＣチップ４１と回路基板４６との間での接合力のバランスを大略均等にすることができ、回路基板４６に対するＩＣチップ４１の傾きを防止してバンプ４２，…，４２の列の両側においてＩＣチップ４１と回路基板４６との間の間隔を大略均一にすることができる。
【００９４】
なお、各バンプ４２及び各ダミーバンプ４３が形成される方法は、第１実施形態と同様である。
【００９５】
このようにバンプ４２，…，４２又はダミーバンプ４３，…，４３が長方形のＩＣチップ４１に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ４１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａの少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料４５を供給する。接合材料４５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【００９６】
次いで、接合工程において、接合材料４５を間に挟んで回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａにＩＣチップ４１の接合面を重ね合わせて、上記各電極４４上にバンプ４２が形成されたＩＣチップ４１の上記接合面と上記回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａとの間に上記接合材料４５を介して、上記ＩＣチップ４１の上記各電極４４上の上記バンプ４２と上記回路基板４６の各電極４７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板４６が基台５０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料４５を介してＩＣチップ４１が回路基板４６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料４５を介してＩＣチップ４１が重ね合わされている回路基板４６が基台５０上に載置されるようにしてもよい。
【００９７】
次いで、本圧着工程において、押圧部材４８をＩＣチップ４１に当接させて、接合材料４５を介してＩＣチップ４１が重ね合わされている回路基板４６が載置された基台５０に向けて押圧部材４８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材４８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材４８からＩＣチップ４１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ４１の接合面を回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａに押圧することにより、ＩＣチップ４１の接合面の各電極４４上のバンプ４２が回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａ内の各電極４７に接触する。このとき、長方形のＩＣチップ４１が回路基板４６に対して短手方向すなわち幅方向に３点で支持されることになり、バンプ４２，…，４２の列の両側において、図１２（ｄ）に示すように、ＩＣチップ４１と回路基板４６との間での接合力のバランスを大略均等にすることができ、バンプ１４２，…，１４２の列の両側においてＩＣチップ１４１と回路基板１４６との間の間隔を大略均一にすることができて、図１３に矢印で示すように各辺の辺部近傍において同様に接合材料４５の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料４５が流動するのを防止し、少なくともＩＣチップ４１の接合面全体において接合材料４５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ４１に備えたダミーバンプ４３，…，４３により、上記ＩＣチップ４１の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料４５の不均一な押し出しを規制することができる。
【００９８】
上記接合材料流動規制部材の例としての各ダミーバンプ４３の高さ、各ダミーバンプ４３の耐熱性、及び、接合材料４５の例については、第１実施形態と同様である。
【００９９】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ４１の各バンプ４２と回路基板４６の各電極４７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ４１の各バンプ４２と回路基板４６の各電極４７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ４１の各バンプ４２と回路基板４６の各電極４７とが接触するようにしてもよい。
【０１００】
上記第５実施形態によれば、長方形ＩＣチップ４１の接合面において、長方形のＩＣチップ４１が回路基板４６に対して短手方向すなわち幅方向に３点で支持されることになり、バンプ４２，…，４２の列の両側において、ＩＣチップ４１と回路基板４６との間での接合力のバランスを大略均等にすることができ、回路基板４６に対するＩＣチップ４１の傾きを防止してバンプ４２，…，４２の列の両側においてＩＣチップ４１と回路基板４６との間の間隔を大略均一にすることができて、上記圧着工程での上記ＩＣチップ４１の上記接合面と上記回路基板４６のＩＣチップ接合領域４６ａとの間の上記接合材料４５の中央部から周辺部への接合材料４５の流動時にダミーバンプ４３が接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料４５の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、ＩＣチップ４１の接合面内での接合材料４５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１０１】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図１６及び図１７に基づいて説明する。図１６（ａ）及び（ｂ）は第６実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１７は上記接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）は第６実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１９は上記従来例の接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。
【０１０２】
上記各実施形態においては、接合材料流動規制部材の一例としてダミーバンプをバンプが配置されていない位置に配置させるものであるが、これに限られるものではない。例えば、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ５２，…，５２の列の内側の矩形領域に、ＩＣチップのアクチィブ面（配線面）を保護するパッシベーション膜５９を備える場合には、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ５２，…，５２の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として備えて、補助パッシベーション膜５３により接合材料５５の流動規制を行うようにしてもよい。
【０１０３】
従来では、図１８に示すように、正方形のＩＣチップ１５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔にバンプ１５２，…，１５２を有しかつ４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜１５９（図中、梨地領域）を配置していると仮定する。このようにパッシベーション膜１５９がＩＣチップ１５１に配置されている状態で、接合材料１５５を回路基板１５６に供給したのち、接合面の電極１５４上にバンプ１５２が形成されたＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間に上記接合材料１５５を介して、上記ＩＣチップ１５１の上記電極１５４上の上記バンプ１５２と上記回路基板１５６の電極１５７とが電気的に接触するように接合し、基台１６０上に上記回路基板１５６を載置し、ＩＣチップ１５１に加熱された押圧部材１５８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１５１を圧着して上記ＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間の上記接合材料１５５を硬化させる。このような場合、パッシベーション膜１５９が配置されているＩＣチップ１５１の上記接合面内で４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域よりも、４辺のバンプ１５２，…，１５２間の位置及び４辺のバンプ１５２，…，１５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分においてパッシベーション膜１５９が無いため、当該部分で接合材料１５５の流れる流動速度が速くなり、接合材料１５５の密度が低下することにより、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下し、剥離が発生することになる。このように、ＩＣチップ１５１の接合面の周囲部分で接合材料１５５との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が入り込み、吸湿によるＩＣチップ１５１などが腐食などが生じてしまうことになる。
【０１０４】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第６実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ５２，…，５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜５９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ５２，…，５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分において補助パッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を配置する。この結果、パッシベーション膜５９が配置されているＩＣチップ５１の上記接合面内で４辺のバンプ５２，…，５２で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベーション膜５３が配置されている４辺のバンプ５２，…，５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分とでは接合材料５５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料５５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
【０１０５】
なお、各バンプ５２が形成される方法は、第１実施形態と同様である。また、パッシベーション膜５９及び補助パッシベーション膜５３を配置する方法としては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バンプ５２の形成前又は後でよいが、各バンプ５２の形成前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバンプ５２を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベーション膜５３の材料及び形成方法はパッシベーション膜５９と同様とする。パッシベーション膜５９及び補助パッシベーション膜５３のそれぞれの一例としては、有機材はポリイミド、無機材はＳｉ₃Ｎ₄であり、基板が樹脂から構成されて基板側が有機である場合には、パッシベーション膜５９及び補助パッシベーション膜５３も有機材を用いて、接着性を保持させることが好ましい。ポリイミドは液体状をスピンコートし、フォトリソ法により形成する。
【０１０６】
このようにパッシベーション膜５９及び補助パッシベーション膜５３並びにバンプ５２，…，５２がＩＣチップ５１に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ５１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板５６のＩＣチップ接合領域の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料５５を供給する。接合材料５５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１０７】
次いで、接合工程において、接合材料５５を間に挟んで回路基板５６のＩＣチップ接合領域にＩＣチップ５１の接合面を重ね合わせて、上記各電極５４上にバンプ５２が形成されたＩＣチップ５１の上記接合面と上記回路基板５６のＩＣチップ接合領域との間に上記接合材料５５を介して、上記ＩＣチップ５１の上記各電極５４上の上記バンプ５２と上記回路基板５６の各電極５７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板５６が基台６０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料５５を介してＩＣチップ５１が回路基板５６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料５５を介してＩＣチップ５１が重ね合わされている回路基板５６が基台６０上に載置されるようにしてもよい。
【０１０８】
次いで、本圧着工程において、押圧部材５８をＩＣチップ５１に当接させて、接合材料５５を介してＩＣチップ５１が重ね合わされている回路基板５６が載置された基台６０に向けて押圧部材５８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材５８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材５８からＩＣチップ５１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ５１の接合面を回路基板５６のＩＣチップ接合領域に押圧することにより、ＩＣチップ５１の接合面の各電極５４上のバンプ５２が回路基板５６のＩＣチップ接合領域内の各電極５７に接触する。このとき、パッシベーション膜５９が配置されているＩＣチップ５１の上記接合面内で４辺のバンプ５２，…，５２で囲まれた正方形の領域において接合材料５５の流れる流動速度と、補助パッシベーション膜５３が配置されている４辺のバンプ５２，…，５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分において接合材料５５の流れる流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分での接合材料５５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができ、少なくともＩＣチップ５１の接合面の大略全体において接合材料５５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ５１の接合面の周囲部分に備えた補助パッシベーション膜５３により、元々パッシベーション膜５９が配置されている上記接合面内で４辺のバンプ５２，…，５２で囲まれた正方形の領域と４辺のバンプ５２，…，５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分とでの接合材料５５の流動速度の差を無くし、上記ＩＣチップ５１の上記接合面の周囲部分において接合材料５５の流れる流動速度が速くなるのを防止することができる。
【０１０９】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ５１の各バンプ５２と回路基板５６の各電極５７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ５１の各バンプ５２と回路基板５６の各電極５７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ５１の各バンプ５２と回路基板５６の各電極５７とが接触するようにしてもよい。
【０１１０】
なお、一例として、バンプ５２の高さが５０〜７５μｍの場合、パッシベーション膜５９及び補助パッシベーション膜５３の厚さは３０〜４０μｍとするのが好ましい。
【０１１１】
上記第６実施形態によれば、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ５２，…，５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜５９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ５２，…，５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分において補助パッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を配置するようにしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分とで接合材料５５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料５５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿によるＩＣチップ５１などが腐食などが防止できる。よって、ＩＣチップ５１の接合面内での接合材料５５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１１２】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図２０及び図２１に基づいて説明する。図２０（ａ）及び（ｂ）は第７実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２１は上記接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）は第７実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１９は上記従来例の接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。
【０１１３】
上記第６実施形態においては、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ５２，…，５２の列の外側の周辺部分の矩形枠領域にパッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにしたが、これに限られるものではない。例えば、第７実施形態では、ＩＣチップ６１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ６２，…，６２の列の外側の周辺部分の各コーナー部にのみ大略矩形の補助パッシベーション膜６３（図中、梨地領域）を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助パッシベーション膜６３，…，６３により接合材料６５の流動規制を行うようにしてもよい。
【０１１４】
従来では、図１８に示すように、正方形のＩＣチップ１５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔にバンプ１５２，…，１５２を有しかつ４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜１５９（図中、梨地領域）を配置していると仮定する。このようにパッシベーション膜１５９がＩＣチップ１５１に配置されている状態で、接合材料１５５を回路基板１５６に供給したのち、接合面の電極１５４上にバンプ１５２が形成されたＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間に上記接合材料１５５を介して、上記ＩＣチップ１５１の上記電極１５４上の上記バンプ１５２と上記回路基板１５６の電極１５７とが電気的に接触するように接合し、基台１７０上に上記回路基板１５６を載置し、ＩＣチップ１５１に加熱された押圧部材１５８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１５１を圧着して上記ＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間の上記接合材料１５５を硬化させる。このような場合、パッシベーション膜１５９が配置されているＩＣチップ１５１の上記接合面内で４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域よりも、４辺のバンプ１５２，…，１５２間の位置及び４辺のバンプ１５２，…，１５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分においてパッシベーション膜１５９が無いため、当該部分で接合材料１５５の流れる流動速度が速くなり、接合材料１５５の密度が低下することにより、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下し、剥離が発生することになる。このように、ＩＣチップ１５１の接合面の周囲部分で接合材料１５５との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が入り込み、吸湿によるＩＣチップ１５１などが腐食などが生じてしまうことになる。
【０１１５】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第７実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ６１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ６２，…，６２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜６９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、正方形の領域から４辺のバンプ６２，…，６２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部にかけての領域において、パッシベーション膜６９から連続した補助パッシベーション膜６３，…，６３（図中、梨地領域）を配置する。接合面の周囲部分のコーナー部に配置する理由は、この接合面のコーナー部付近でのバンプ６２，…，６２の配置間隔が他の部分より大きく、接合材料６５が流出しやすくなっており、接合面の周囲部分のコーナー部での流動速度が他の部分よりも大きくなりやすいため、この周囲部分のコーナー部に補助パッシベーション膜６３，…，６３を配置して接合材料６５の流動規制を行うためである。この結果、パッシベーション膜６９が配置されているＩＣチップ６１の上記接合面内で４辺のバンプ６２，…，６２で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベーション膜６３，…，６３が配置されている４辺のバンプ６２，…，６２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部とでは接合材料６５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料６５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
【０１１６】
なお、各バンプ６２が形成される方法は、第１実施形態と同様である。また、パッシベーション膜６９及び補助パッシベーション膜６３，…，６３を配置する方法としては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バンプ６２の形成前又は後でよいが、各バンプ６２の形成前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバンプ６２を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベーション膜６３，…，６３の材料及び形成方法はパッシベーション膜６９と同様とする。パッシベーション膜６９及び補助パッシベーション膜６３のそれぞれの一例としては、有機材はポリイミド、無機材はＳｉ₃Ｎ₄であり、基板が樹脂から構成されて基板側が有機である場合には、パッシベーション膜６９及び補助パッシベーション膜６３も有機材を用いて、接着性を保持させることが好ましい。ポリイミドは液体状をスピンコートし、フォトリソ法により形成する。
【０１１７】
このようにパッシベーション膜６９及び補助パッシベーション膜６３，…，６３並びにバンプ６２，…，６２がＩＣチップ６１に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ６１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板６６のＩＣチップ接合領域の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料６５を供給する。接合材料６５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１１８】
次いで、接合工程において、接合材料６５を間に挟んで回路基板６６のＩＣチップ接合領域にＩＣチップ６１の接合面を重ね合わせて、上記各電極６４上にバンプ６２が形成されたＩＣチップ６１の上記接合面と上記回路基板６６のＩＣチップ接合領域との間に上記接合材料６５を介して、上記ＩＣチップ６１の上記各電極６４上の上記バンプ６２と上記回路基板６６の各電極６７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板６６が基台７０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料６５を介してＩＣチップ６１が回路基板６６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料６５を介してＩＣチップ６１が重ね合わされている回路基板６６が基台７０上に載置されるようにしてもよい。
【０１１９】
次いで、本圧着工程において、押圧部材６８をＩＣチップ６１に当接させて、接合材料６５を介してＩＣチップ６１が重ね合わされている回路基板６６が載置された基台７０に向けて押圧部材６８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材６８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材６８からＩＣチップ６１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ６１の接合面を回路基板６６のＩＣチップ接合領域に押圧することにより、ＩＣチップ６１の接合面の各電極６４上のバンプ６２が回路基板６６のＩＣチップ接合領域内の各電極６７に接触する。このとき、パッシベーション膜６９が配置されているＩＣチップ６１の上記接合面内で４辺のバンプ６２，…，６２で囲まれた正方形の領域において接合材料６５の流れる流動速度と、パッシベーション膜６９から連続した補助パッシベーション膜６３，…，６３が配置されている上記正方形の領域のコーナー部から４辺のバンプ６２，…，６２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部にかけての領域において接合材料６５の流れる流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分のコーナー部での接合材料６５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができ、少なくともＩＣチップ６１の接合面の大略全体において接合材料６５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ６１の接合面の周囲部分のコーナー部に備えた補助パッシベーション膜６３，…，６３により、元々パッシベーション膜６９が配置されている上記接合面内で４辺のバンプ６２，…，６２で囲まれた正方形の領域と４辺のバンプ６２，…，６２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部とでの接合材料６５の流動速度の差を無くし、上記ＩＣチップ６１の上記接合面の周囲部分のコーナー部において接合材料６５の流れる流動速度が速くなるのを防止することができる。
【０１２０】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ６１の各バンプ６２と回路基板６６の各電極６７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ６１の各バンプ６２と回路基板６６の各電極６７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ６１の各バンプ６２と回路基板６６の各電極６７とが接触するようにしてもよい。
【０１２１】
なお、一例として、バンプ６２の高さが５０〜７５μｍの場合、パッシベーション膜６９及び補助パッシベーション膜６３の厚さは３０〜４０μｍとするのが好ましい。
【０１２２】
上記第７実施形態によれば、ＩＣチップ６１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ６２，…，６２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜６９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ６２，…，６２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部において大略矩形の補助パッシベーション膜６３，…，６３（図中、梨地領域）を配置するようにしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分のコーナー部とで接合材料６５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料６５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿によるＩＣチップ６１などが腐食などが防止できる。よって、ＩＣチップ６１の接合面内での接合材料６５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１２３】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図２２及び図２３に基づいて説明する。図２２（ａ）及び（ｂ）は第８実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２３は上記接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）は第８実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１９は上記従来例の接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。
【０１２４】
上記第６実施形態においては、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ５２，…，５２の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにしたが、これに限られるものではない。例えば、第８実施形態では、第６実施形態と第７実施形態とを組み合わせたものであって、ＩＣチップ８１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ８２，…，８２の列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜５９の正方形の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部付近にかけての領域において、補助パッシベーション膜８３（図中、梨地領域）を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助パッシベーション膜８３により接合材料８５の流動規制を行うようにしてもよい。
【０１２５】
従来では、図１８に示すように、正方形のＩＣチップ１５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔にバンプ１５２，…，１５２を有しかつ４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜１５９（図中、梨地領域）を配置していると仮定する。このようにパッシベーション膜１５９がＩＣチップ１５１に配置されている状態で、接合材料１５５を回路基板１５６に供給したのち、接合面の電極１５４上にバンプ１５２が形成されたＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間に上記接合材料１５５を介して、上記ＩＣチップ１５１の上記電極１５４上の上記バンプ１５２と上記回路基板１５６の電極１５７とが電気的に接触するように接合し、基台１８０上に上記回路基板１５６を載置し、ＩＣチップ１５１に加熱された押圧部材１５８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１５１を圧着して上記ＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間の上記接合材料１５５を硬化させる。このような場合、パッシベーション膜１５９が配置されているＩＣチップ１５１の上記接合面内で４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域よりも、４辺のバンプ１５２，…，１５２間の位置及び４辺のバンプ１５２，…，１５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分においてパッシベーション膜１５９が無いため、当該部分で接合材料１５５の流れる流動速度が速くなり、接合材料１５５の密度が低下することにより、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下し、剥離が発生することになる。このように、ＩＣチップ１５１の接合面の周囲部分で接合材料１５５との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が入り込み、吸湿によるＩＣチップ１５１などが腐食などが生じてしまうことになる。
【０１２６】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第８実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図２２（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ８１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ８２，…，８２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜８９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ８２，…，８２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部において補助パッシベーション膜８３（図中、梨地領域）を配置する。接合面の周囲部分及びそのコーナー部に配置する理由は、第６実施形態及び第７実施形態の両方の作用効果を同時的に奏するためである。この結果、パッシベーション膜８９が配置されているＩＣチップ８１の上記接合面内で４辺のバンプ８２，…，８２で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベーション膜８３が配置されている４辺のバンプ８２，…，８２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部とでは接合材料８５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料８５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
【０１２７】
なお、各バンプ８２が形成される方法は、第１実施形態と同様である。また、パッシベーション膜８９及び補助パッシベーション膜８３を配置する方法としては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バンプ８２の形成前又は後でよいが、各バンプ８２の形成前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバンプ８２を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベーション膜８３の材料及び形成方法はパッシベーション膜８９と同様とする。パッシベーション膜８９及び補助パッシベーション膜８３のそれぞれの一例としては、有機材はポリイミド、無機材はＳｉ₃Ｎ₄であり、基板が樹脂から構成されて基板側が有機である場合には、パッシベーション膜８９及び補助パッシベーション膜８３も有機材を用いて、接着性を保持させることが好ましい。ポリイミドは液体状をスピンコートし、フォトリソ法により形成する。
【０１２８】
このようにパッシベーション膜８９及び補助パッシベーション膜８３並びにバンプ８２，…，８２がＩＣチップ８１に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ８１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板８６のＩＣチップ接合領域の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料８５を供給する。接合材料８５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１２９】
次いで、接合工程において、接合材料８５を間に挟んで回路基板８６のＩＣチップ接合領域にＩＣチップ８１の接合面を重ね合わせて、上記各電極８４上にバンプ８２が形成されたＩＣチップ８１の上記接合面と上記回路基板８６のＩＣチップ接合領域との間に上記接合材料８５を介して、上記ＩＣチップ８１の上記各電極８４上の上記バンプ８２と上記回路基板８６の各電極８７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板８６が基台９０上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料８５を介してＩＣチップ８１が回路基板８６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料８５を介してＩＣチップ８１が重ね合わされている回路基板８６が基台９０上に載置されるようにしてもよい。
【０１３０】
次いで、本圧着工程において、押圧部材８８をＩＣチップ８１に当接させて、接合材料８５を介してＩＣチップ８１が重ね合わされている回路基板８６が載置された基台９０に向けて押圧部材８８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材８８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材８８からＩＣチップ８１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ８１の接合面を回路基板８６のＩＣチップ接合領域に押圧することにより、ＩＣチップ８１の接合面の各電極８４上のバンプ８２が回路基板８６のＩＣチップ接合領域内の各電極８７に接触する。このとき、パッシベーション膜８９が配置されているＩＣチップ８１の上記接合面内で４辺のバンプ８２，…，８２で囲まれた正方形の領域において接合材料８５の流れる流動速度と、補助パッシベーション膜８３が配置されている４辺のバンプ８２，…，８２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部において接合材料８５の流れる流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分及びそのコーナー部での接合材料８５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができ、少なくともＩＣチップ８１の接合面の大略全体において接合材料８５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ８１の接合面の周囲部分及びそのコーナー部に備えた補助パッシベーション膜８３により、元々パッシベーション膜８９が配置されている上記接合面内で４辺のバンプ８２，…，８２で囲まれた正方形の領域と４辺のバンプ８２，…，８２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部とでの接合材料８５の流動速度の差を無くし、上記ＩＣチップ８１の上記接合面の周囲部分及びそのコーナー部において接合材料８５の流れる流動速度が速くなるのを防止することができる。
【０１３１】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ８１の各バンプ８２と回路基板８６の各電極８７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ８１の各バンプ８２と回路基板８６の各電極８７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ８１の各バンプ８２と回路基板８６の各電極８７とが接触するようにしてもよい。
【０１３２】
なお、一例として、バンプ８２の高さが５０〜７５μｍの場合、パッシベーション膜８９及び補助パッシベーション膜８３の厚さは３０〜４０μｍとするのが好ましい。
【０１３３】
上記第８実施形態によれば、ＩＣチップ８１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ８２，…，８２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜８９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ８２，…，８２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部において大略矩形の補助パッシベーション膜８３（図中、梨地領域）を配置するようにしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部とで接合材料８５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料８５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿によるＩＣチップ８１などが腐食などが防止できる。よって、ＩＣチップ８１の接合面内での接合材料８５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１３４】
（第９実施形態）
本発明の第９実施形態にかかる電子部品の実装方法及びその方法により製造される電子部品実装体の一例としての、ＩＣチップの実装方法及びその方法により製造されるＩＣチップ実装体を図２４及び図２５に基づいて説明する。図２４（ａ）及び（ｂ）は第９実施形態にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図２５は上記接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）は第９実施形態を説明するための従来例にかかるＩＣチップの実装方法の接合工程前の上記ＩＣチップの側面図及び裏面図であり、図１９は上記従来例の接合工程でのＩＣチップと回路基板と接合材料の側面図である。
【０１３５】
上記第６実施形態においては、ＩＣチップ５１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ５２，…，５２の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベーション膜５３（図中、梨地領域）を、接合材料流動規制部材の一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにしたが、これに限られるものではない。例えば、第９実施形態では、第６実施形態と第７実施形態とを組み合わせた第８実施形態に加えて、さらに、ＩＣチップ９１の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ９２，…，９２間の隙間の部分にも補助パッシベーション膜９３（図中、梨地領域）を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助パッシベーション膜９３により接合材料９５の流動規制を行うようにしてもよい。すなわち、言い換えれば、ＩＣチップ９１の接合面のバンプ９２，…，９２以外の領域全てに、補助パッシベーション膜９３（図中、梨地領域）を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助パッシベーション膜９３により接合材料９５の流動規制を行うようにしてもよい。
【０１３６】
従来では、図１８に示すように、正方形のＩＣチップ１５１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔にバンプ１５２，…，１５２を有しかつ４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜１５９（図中、梨地領域）を配置していると仮定する。このようにパッシベーション膜１５９がＩＣチップ１５１に配置されている状態で、接合材料１５５を回路基板１５６に供給したのち、接合面の電極１５４上にバンプ１５２が形成されたＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間に上記接合材料１５５を介して、上記ＩＣチップ１５１の上記電極１５４上の上記バンプ１５２と上記回路基板１５６の電極１５７とが電気的に接触するように接合し、基台１８０上に上記回路基板１５６を載置し、ＩＣチップ１５１に加熱された押圧部材１５８を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ＩＣチップ１５１を圧着して上記ＩＣチップ１５１の上記接合面と上記回路基板１５６との間の上記接合材料１５５を硬化させる。このような場合、パッシベーション膜１５９が配置されているＩＣチップ１５１の上記接合面内で４辺のバンプ１５２，…，１５２で囲まれた正方形の領域よりも、４辺のバンプ１５２，…，１５２間の位置及び４辺のバンプ１５２，…，１５２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分においてパッシベーション膜１５９が無いため、当該部分で接合材料１５５の流れる流動速度が速くなり、接合材料１５５の密度が低下することにより、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下し、剥離が発生することになる。このように、ＩＣチップ１５１の接合面の周囲部分で接合材料１５５との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が入り込み、吸湿によるＩＣチップ１５１などが腐食などが生じてしまうことになる。
【０１３７】
このような接合力及び封止力の低下を防止するため、第９実施形態では、上記接合材料供給工程の前に、図２４（ａ），（ｂ）に示すように、正方形のＩＣチップ９１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ９２，…，９２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜９９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ９２，…，９２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分に、補助パッシベーション膜９３（図中、梨地領域）を配置する。接合面の周囲部分及びそのコーナー部に加えて隣接するバンプ９２，９２との間の部分にも配置する理由は、第６実施形態及び第７実施形態の両方の作用効果を同時的に奏する上に、隣接するバンプ９２，９２との間の部分と反れ以外の部分との間でも接合材料９５の流動速度を同じにするためである。この結果、パッシベーション膜９９が配置されているＩＣチップ９１の上記接合面内でバンプ９２，…，９２が配置されている部分以外の領域で接合材料９５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料９５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
【０１３８】
なお、各バンプ９２が形成される方法は、第１実施形態と同様である。また、パッシベーション膜９９及び補助パッシベーション膜９３を配置する方法としては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バンプ９２の形成前又は後でよいが、各バンプ９２の形成前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバンプ９２を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベーション膜９３の材料及び形成方法はパッシベーション膜９９と同様とする。一例として、ポリイミド又はポリベンザオキサゾール（ＰＢＯ）などの有機膜を例えば厚さ３〜７μｍ程度だけスピンコートしてＩＣチップ９１の接合面の全面に塗布する。その後、バンプ９２の形成に必要な電極９４を点状に除去して電極９４を露出させる。
【０１３９】
このようにパッシベーション膜９９及び補助パッシベーション膜９３並びにバンプ９２，…，９２がＩＣチップ９１に形成されている状態で、接合材料供給工程において、ＩＣチップ９１の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板９６のＩＣチップ接合領域の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料９５を供給する。接合材料９５の供給方法は第１実施形態と同様である。
【０１４０】
次いで、接合工程において、接合材料９５を間に挟んで回路基板９６のＩＣチップ接合領域にＩＣチップ９１の接合面を重ね合わせて、上記各電極９４上にバンプ９２が形成されたＩＣチップ９１の上記接合面と上記回路基板９６のＩＣチップ接合領域との間に上記接合材料９５を介して、上記ＩＣチップ９１の上記各電極９４上の上記バンプ９２と上記回路基板９６の各電極９７とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程は、回路基板９６が基台１００上に載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接合材料９５を介してＩＣチップ９１が回路基板９６に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程において、接合材料９５を介してＩＣチップ９１が重ね合わされている回路基板９６が基台１００上に載置されるようにしてもよい。
【０１４１】
次いで、本圧着工程において、押圧部材９８をＩＣチップ９１に当接させて、接合材料９５を介してＩＣチップ９１が重ね合わされている回路基板９６が載置された基台１００に向けて押圧部材９８から押圧力を作用させるとともに、押圧部材９８内に内蔵されたヒータの熱を押圧部材９８からＩＣチップ９１に伝達する。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ＩＣチップ９１の接合面を回路基板９６のＩＣチップ接合領域に押圧することにより、ＩＣチップ９１の接合面の各電極９４上のバンプ９２が回路基板９６のＩＣチップ接合領域内の各電極９７に接触する。このとき、パッシベーション膜９９が配置されているＩＣチップ９１の上記接合面内で４辺のバンプ９２，…，９２で囲まれた正方形の領域において接合材料９５の流れる流動速度と、補助パッシベーション膜９３が配置されている４辺のバンプ９２，…，９２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分において接合材料９５の流れる流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分での接合材料９５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止することができ、少なくともＩＣチップ９１の接合面の大略全体において接合材料９５が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてＩＣチップ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記ＩＣチップ９１の接合面の周囲部分及びそのコーナー部に備えた補助パッシベーション膜９３により、元々パッシベーション膜９９が配置されている上記接合面内で４辺のバンプ９２，…，９２で囲まれた正方形の領域と４辺のバンプ９２，…，９２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分とでの接合材料９５の流動速度の差を無くし、上記ＩＣチップ９１の上記接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分において接合材料９５の流れる流動速度が速くなるのを防止することができる。
【０１４２】
なお、上記説明においては、接合工程においてＩＣチップ９１の各バンプ９２と回路基板９６の各電極９７とが接触するように記載したが、これに限られるものではなく、接合工程ではＩＣチップ９１の各バンプ９２と回路基板９６の各電極９７とが接触せず、本圧着工程で初めてＩＣチップ９１の各バンプ９２と回路基板９６の各電極９７とが接触するようにしてもよい。
【０１４３】
なお、一例として、バンプ９２の高さが５０〜７５μｍの場合、パッシベーション膜９９及び補助パッシベーション膜９３の厚さは３０〜４０μｍとするのが好ましい。
【０１４４】
上記第９実施形態によれば、ＩＣチップ９１の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプ９２，…，９２で囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜９９（図中、梨地領域）を配置するだけでなく、４辺のバンプ９２，…，９２の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分において補助パッシベーション膜９３（図中、梨地領域）を配置するようにしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分とで接合材料９５の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料９５の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ９２，９２との間の部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿によるＩＣチップ９１などが腐食などが防止できる。よって、ＩＣチップ９１の接合面内での接合材料９５の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１４５】
上記した第１〜第９実施形態において、接合材料に、導電性材料又は無機フィラーを含める場合においても、ダミーバンプにより、圧着時に樹脂の流動がＩＣチップの接合面内で均一化されて、導電性材料又は無機フィラーを均一に配置することができ、品質及び信頼性を安定化させることができる。これに対して、ダミーバンプが無い場合には、無機フィラーが添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると無機フィラーが粗密になり、部分的に樹脂物性が異なることにより品質が劣化しやすい場合があり、導電性材料が添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると、導電性材料が粗密になり部分的にショートを生じる場合がある。
【０１４６】
また、上記した第１〜第９実施形態において、上記各バンプ２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２は予めレベリングして高さを揃えたのち回路基板の各電極に接触させるものの他、予めレベリングを行うことなく、各バンプを回路基板の各電極に接触させて各電極でレベリングを行ういわゆるノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法を採用することもできる。このノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法について以下に説明する。
【０１４７】
上記各実施形態における回路基板（以下では代表的に４０６で示す。）へのＩＣチップ（以下では代表的に４０１で示す。）の実装方法を図２７（Ａ）〜図３１（Ｃ）を用いて説明する。
【０１４８】
図２７（Ａ）のＩＣチップ４０１においてＩＣチップ４０１のＡｌパッド電極４０４にワイヤボンディング装置により図３０（Ａ）〜図３０（Ｆ）のごとき動作によりバンプ（突起電極）４０２を形成する。すなわち、図３０（Ａ）でホルダ１９３から突出したワイヤ１９５の下端にボール１９６を形成し、図３０（Ｂ）でワイヤ１９５を保持するホルダ１９３を下降させ、ボール１９３をＩＣチップ４０１の電極４０４に接合して大略バンプ４０２の形状を形成し、図３０（Ｃ）でワイヤ１９５を下方に送りつつホルダ１９３の上昇を開始し、図３０（Ｄ）に示すような大略矩形のループ１９９にホルダ１９３を移動させて図３０（Ｅ）に示すようにバンプ４０２の上部に湾曲部１９８を形成し、引きちぎることにより図３０（Ｆ）に示すようなバンプ４０２を形成する。あるいは、図３０（Ｂ）でワイヤ１９５をホルダ１９３でクランプして、ホルダ１９３を上昇させて上方に引き上げることにより、金ワイヤ１９５を引きちぎり、図３０（Ｇ）のようなバンプ４０２の形状を形成するようにしてもよい。このように、ＩＣチップ４０１の各電極４０４にバンプ４０２を形成した状態を図２７（Ｂ）に示す。一例としては、上記各ダミーバンプも上記バンプ４０２と同様に形成する。
【０１４９】
次に、図２７（Ｃ）に示す回路基板４０６の電極４０７上に、図２７（Ｄ）に示すように、ＩＣチップ４０１の大きさより若干大きな寸法にてカットされた熱硬化性樹脂シート４０５を配置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール４０８Ａにより、例えば４９〜９８Ｎ（５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２）程度の圧力で上記接合材料の具体例としての熱硬化性樹脂シート４０５を基板４０６の電極４０７上に貼り付ける。この後、熱硬化性樹脂シート４０５のツール４０８Ａ側に取り外し可能に配置されたセパレータ４０５ａを剥がすことにより、基板４０６の準備工程が完了する。このセパレータ４０５ａは、ツ−ル４０８Ａに熱硬化性樹脂シート４０５が貼り付くのを防止するためのものである。ここで、熱硬化性樹脂シート４０５は、シリカなどの無機系フィラーを入れたもの(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど)、無機系フィラーを全く入れないもの(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど)が好ましいとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程度の耐熱性）を有することが好ましい。
【０１５０】
次に、図２７（Ｅ）及び図２８（Ｆ）に示すように、熱せられた接合ツール４０８により、上記前工程でバンプ４０２が電極４０４上に形成されたＩＣチップ４０１を、上記前工程で準備された基板４０６のＩＣチップ４０１の電極４０４に対応する電極４０７上に位置決めしたのち押圧する。このとき、バンプ４０２は、その頭部４０２ａが、基板４０６の電極４０７上で図３１（Ａ）から図３１（Ｂ）に示すように変形されながら押しつけられていく、このときＩＣチップ４０１を介してバンプ４０２側に印加する荷重は、バンプ４０２の径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ４０２の頭部４０２ａが、必ず図３１（Ｃ）のように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は最低でも１９６ｍＮ（２０ｇｆ）を必要とする。荷重の上限は、ＩＣチップ４０１、バンプ４０２、回路基板４０６などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は９８０ｍＮ（１００ｇｆ）を越えることもある。なお、４０５ｍ及び４０５ｓは熱硬化性樹脂シート４０５が接合ツール４０８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬化された樹脂である。
【０１５１】
なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵するヒータにより熱せられた接合ツール４０８により、上記前工程でバンプ４０２が電極４０４上に形成されたＩＣチップ４０１を、上記前工程で準備された基板４０６のＩＣチップ４０１の電極４０４に対応する電極４０７上に位置決めする位置決め工程と、位置決めしたのち押圧接合する工程とを１つの位置決め兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置決め作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、位置決め工程は位置決め装置で行い、押圧接合工程は接合装置で行うようにしてもよい。
【０１５２】
このとき、一例として、回路基板４０６は、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）やガラス布積層ポリイミド樹脂基板などが用いられる。これらの基板４０６は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではないため、適宜、回路基板４０６の反りが矯正された状態で、例えば１４０〜２３０℃の熱が、ＩＣチップ４０１と回路基板４０６の間の熱硬化性樹脂シート４０５に例えば数秒〜２０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート４０５が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート４０５を構成する熱硬化性樹脂が流れてＩＣチップ４０１のエッヂまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ４０１と回路基板との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。このとき、上記した各実施形態の接合材料流動規制部材により適宜流動規制が行われる。
【０１５３】
この後、加熱されたツール４０８が上昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ４０１と熱硬化性樹脂シート４０５の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂シート４０５は流動性を失い、図２８（Ｇ）及び図３１（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ４０１は硬化した熱硬化性樹脂４０５ｓにより回路基板４０６上に固定される。また、回路基板４０６側をステージ４１０により加熱しておくと、接合ツール４０８の温度をより低く設定することができる。
【０１５４】
また、熱硬化性樹脂シート４０５を貼り付ける代わりに、図２９（Ｈ）に示すように熱硬化性接着剤４０５ｂを回路基板４０６上に、ディスペンスなどによる塗布、又は印刷、又は転写するようにしてもよい。熱硬化性接着剤４０５ｂを使用する場合は、基本的には上記した熱硬化性樹脂シート４０５を用いる工程と同一の工程を行う。熱硬化性樹脂シート４０５を使用する場合には、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといった利点がある。これに対して、熱硬化性接着剤４０５ｂを使用する場合には、基板４０６の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる。
【０１５５】
また、熱硬化性樹脂に代えて異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いてもよく、さらに、異方性導電膜に含まれる導電粒子として、ニッケル粉に金メッキを施したものを用いることにより、電極４０７とバンプ４０２との間での接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適である。
【０１５６】
なお、図２７（Ａ）から図２７（Ｇ）には熱硬化性樹脂シート４０５を回路基板４０６側に形成することについて説明し、図２９（Ｈ）には熱硬化性接着剤４０５ｂを回路基板４０６側に形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、図２９（Ｉ）又は図２９（Ｊ）に示すように、ＩＣチップ４０１側に形成するようにしてもよい。この場合、特に、熱硬化性樹脂シート４０５の場合には、熱硬化性樹脂シート４０５の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパレータ４０５ａとともにゴムなどの弾性体１１７にＩＣチップ４０１を押し付けて、バンプ４０２の形状に沿って熱硬化性樹脂シート４０５がＩＣチップ４０１に貼り付けられるようにしてもよい。
【０１５７】
このようなノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法では、各バンプの先端部分を回路基板の各電極上で潰すため回路基板に対するＩＣチップの押し込み量（押圧量）が大きくなる。すると、接合材料をＩＣチップの接合面の周辺部側に流動させる力が大きくなり、上記ダミーバンプによる接合材料の流動規制機能がより効果的に働くことになり、ＮＳＢ（ノンスタッドバンプ）ではより規制効果が大きくなる。
【０１５８】
一例として、ノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法では、例えば、直径７５μｍのバンプにおいて回路基板の電極に対して押し付けて潰すことにより電気的接合を得るとき高さにおいて３５μｍだけ短くなるようにバンプを潰すようにしている。このとき、ＩＣチップを回路基板に向けて押し付けるとき両者の間から接合材料が大きく押し出されるため、上記接合材料流動規制部材により上記接合材料の流出を規制し規制することにより、ＩＣチップ中央部分での接合材料の密度の低下を効果的に防止することができる。よって、このようなノンスタッドバンプ形式の実装方法では、接合材料の流出に対する抑制力が大きく期待できる。
【０１５９】
なお、上記第１〜第５実施形態において、バンプとダミーバンプとの形状は大略同一であることが接合材料の流動規制を大略均一に行うためには好ましいが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で異なる形状や高さとしてもよい。また、バンプとダミーバンプとの材質は異なるものにしてもよい。
【０１６０】
また、上記第１〜第５実施形態において、バンプとバンプの間隔、又はバンプとダミーバンプとの間隔、ダミーバンプとダミーバンプの間隔は大略均一である場合を中心として説明したが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で不均一な間隔となっていてもよい。この場合、許容される範囲外の部分にダミーバンプを配置することになる。
【０１６１】
上記実施形態においては、接合材料流動規制部材として、ＩＣチップの電極上にダミーバンプを形成する例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、図３２，３３に示すように、樹脂ペーストの印刷又はディペンスなどにより、上記ＩＣチップに直接的にダミーバンプと大略同等の高さのダミーバンプ状の突部２３Ａを形成するようにしてもよい。
【０１６２】
また、上記電子部品の接合面の電極上にバンプを形成するようにしているが、上記電子部品の接合面に電極上に突出して凸状電極を形成するようにしてもよい。
【０１６３】
なお、上記第６〜第９実施形態において、パッシベーション膜と補助パッシベーション膜との厚さは大略同一にするほうが接合材料の流れる流動速度を大略均一にするためには好ましいが、これに限られるものではなく、許容される範囲内で異なる厚さとしてもよい。また、パッシベーション膜と補助パッシベーション膜との材質は異なるものにしてもよいとともに、各膜は、１層に限らず、複数層にしてもよい。
【０１６４】
また、上記第６〜第９実施形態において、上記接合材料流動規制部材としては、補助パッシベーション膜の代わりに他の機能を有する膜を１層又は複数層形成するようにしてもよい。
【０１６５】
また、上記接合材料流動規制部材例えばダミーバンプ又は補助パッシベーション膜を配置することにより、ＩＣチップと基板とを接合するときにＩＣチップと基板との間からはみ出てＩＣチップの各側面に盛り上がる接合材料が、上記接合材料流動規制部材により流動規制又は流動速度の上昇規制を受けるため、ＩＣチップと基板との間からはみ出る接合材料が、上記接合材料流動規制部材を配置している部分とバンプ又はパッシベーション膜が配置されている部分と同様な流動規制又は流動速度の上昇規制を受けることになり、ＩＣチップの側面に対する盛り上がり部分であるフィレットを大きくすることができて、ＩＣチップの側面をその厚みにおいて基板側から半分程度まで覆うように盛り上げることができる。すなわち、従来では、バンプ又はパッシベーション膜が配置されている部分では流動規制又は流動速度の上昇規制を受けるが、バンプ又はパッシベーション膜が配置されていない部分ではそのような規制を受けないため、フィレットを大きくすることができず、例えば、ＩＣチップの厚さが０．４ｍｍのとき０．１ｍｍ程度しかフィレットを形成することができなかった。しかしながら、上記各実施形態では、上記したように上記規制を受けるため、例えば、ＩＣチップの厚さが０．４ｍｍのとき０．２〜０．３ｍｍの高さまでフィレットが形成されることになり、フィレットを大きくすることができる。この結果、フィレットが小さい場合には、ＩＣチップと接合材料と又は基板と接合材料との界面に水分の侵入経路が形成されやすく、また、その経路も短いものであり、耐湿信頼性に劣るものであり、かつ、ヒートサイクル時に基板のソリに対して弱いものであった。しかしながら、フィレットが大きくなる結果、ＩＣチップと接合材料と又は基板と接合材料との界面に水分の侵入経路が形成されにくくなり、また、その経路も長くすることができて、耐湿信頼性に優れたものとなり、かつ、例えば−６５℃〜１５０℃までのヒートサイクル時での熱による基板のソリに対して強いものとなる。
【０１６６】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【０１６７】
【発明の効果】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を回路基板などの回路形成性体に押圧力により押し付けて接合材料を介して両者を接合するものにおいて、隣接するバンプ間の隙間から流出する接合材料の量が許容量を越える部分に、上記接合材料流動規制部材を配置するようにしたので、上記電子部品を上記回路形成体に接合するとき両者の間の上記接合材料の流動が上記接合材料流動規制部材により規制され、上記接合材料流動規制部材と隣接するバンプ間の隙間から流出する接合材料の量が許容量以下となることにより、全体として、電子部品の隣接するバンプ間の隙間から流出する接合材料の量を大略均一化させることができる。よって、上記電子部品の接合面の中央部から周辺部への上記接合材料の流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１６８】
本発明の１つの態様によれば、正方形又は矩形のＩＣチップなどの電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバンプを配置する場合には、バンプの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に上記ダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１６９】
また、本発明の別の態様によれば、長方形のＩＣチップなどの電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の辺部近傍に一列のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバンプを一列に形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に上記ダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７０】
また、本発明の別の態様によれば、正方形電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバンプを形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時にダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７１】
また、本発明の別の態様によれば、長方形電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除く４辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバンプを形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時にダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７２】
また、本発明の別の態様によれば、上記電子部品の上記矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられた上記接合材料流動規制部材としてのダミーバンプを配置する場合には、電子部品が回路形成体に対して短手方向すなわち幅方向に３点で支持されることになり、バンプの列の両側において、電子部品と回路形成体との間での接合力のバランスを大略均等にすることができ、回路形成体に対する電子部品の傾きを防止してバンプの列の両側において電子部品と回路形成体との間の間隔を大略均一にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時にダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７３】
また、本発明の別の態様によれば、電子部品の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜を配置するだけでなく、４辺のバンプの外側の位置すなわち接合面の周囲部分において、接合材料流動規制部材例えば補助パッシベーション膜を配置する場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分とで接合材料の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿によるＩＣチップなどが腐食などが防止できる。よって、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７４】
また、バンプが欠けている広幅間隔部分、言い換えれば、隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に、ダミーバンプを形成する場合、隣接バンプ間の間隔が間隔が必ずしも大略均一ではない場合には、隣接バンプ間の間隔が許容値を越えている部分にのみダミーバンプを形成するようにすればよい。具体的には、電子部品のバンプ間又はバンプとダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、 Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α） ［ここで、αは１〜６の任意の値である。］となるようにダミーバンプを配置するようにすることにより、上記と同様な効果を奏することができる。
【０１７５】
また、本発明の別の態様によれば、電子部品の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜を配置するだけでなく、４辺のバンプの外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部において、接合材料流動規制部材例えば大略矩形の補助パッシベーション膜を配置する場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分のコーナー部とで接合材料の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿による電子部品などが腐食などが防止できる。よって、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７６】
また、本発明の別の態様によれば、電子部品の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜を配置するだけでなく、４辺のバンプの外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部において、接合材料流動規制部材例えば大略矩形の補助パッシベーション膜を配置する場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部とで接合材料の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿による電子部品などが腐食などが防止できる。よって、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【０１７７】
また、本発明の別の態様によれば、電子部品の接合面の各辺の辺部近傍において１列にかつ大略等間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッシベーション膜を配置するだけでなく、４辺のバンプの外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプとの間の部分において、接合材料流動規制部材例えば補助パッシベーション膜を配置する場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプとの間の部分とで接合材料の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプとの間の部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿による電子部品などが腐食などが防止できる。よって、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図２】 図１に続く、本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図３】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ、図３に続く、従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図５】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第２実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図６】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第２実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図７】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第３実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図８】 図７に続く、本発明の第３実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図９】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第３実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図１０】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第４実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図１１】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第４実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図１２】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第５実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｄ）は図１２の（ｃ）の状態において（ｃ）とは９０度異なる方向から見た工程を説明するための説明図である。
【図１３】 図１２に続く、本発明の第５実施形態にかかる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図１４】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第５実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図１５】 （ａ）は図１４に続く、本発明の第５実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、（ｂ）は上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【図１６】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第６実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図１７】 図１６に続く、本発明の第６実施形態にかかる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側面図である。
【図１８】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第６〜第９実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図１９】 図１８に続く、本発明の第６〜第９実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側面図である。
【図２０】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第７実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図２１】 図２０に続く、本発明の第７実施形態にかかる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側面図である。
【図２２】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第８実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図２３】 図２２に続く、本発明の第８実施形態にかかる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側面図である。
【図２４】 （ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第９実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図２５】 図２４に続く、本発明の第９実施形態にかかる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側面図である。
【図２６】 上記実施形態においてダミーバンプの配置箇所を説明するための説明図である。
【図２７】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）はそれぞれ上記実施形態においてＩＣチップの実装方法の一例としてノンスタッドバンプ（ＮＳＤ）形式の実装方法を仕様する場合を示す説明図である。
【図２８】 （Ｆ），（Ｇ）はそれぞれ図２７に続く上記実施形態においてＩＣチップの実装方法を示す説明図である。
【図２９】 （Ｈ），（Ｉ），（Ｊ）はそれぞれ図２８に続く上記実施形態においてＩＣチップの実装方法を示す説明図である。
【図３０】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ），（Ｇ）はそれぞれ上記実施形態における実装方法において、ワイヤボンダーを用いたＩＣチップのバンプ形成工程を示す説明図である。
【図３１】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ上記実施形態にかかる実装方法において、回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図である。
【図３２】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の第２実施形態の変形例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
【図３３】 図１に続く、本発明の第２実施形態の変形例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
【符号の説明】
１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１…ＩＣチップ、
２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２…バンプ、
３，２３，３３，４３…ダミーバンプ、
４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４…ＩＣチップの電極、
５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５…接合材料、
６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６…回路基板、
６ａ，２６ａ，３６ａ，４６ａ…回路基板のＩＣチップ接合領域、
７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７…回路基板の電極、
８，２８，３８，４８，５８，６８，８８，９８…押圧部材、
１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，９０，１００…基台、
２３Ａ…ダミーバンプ状の突部、
５３，６３，８３，９３…補助パッシベーション膜、
５９，６９，８９，９９…パッシベーション膜。

Claims (25)

1. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
   上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
   加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
   上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
   電子部品の実装方法であって、
   上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプ（３，１３，２３，２３Ａ，４３）と上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記広幅間隔部分における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
2. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが無い他の対向する２辺にそれぞれ列状に備えられた複数のダミーバンプ（１３）であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記他の対向する２辺における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項１に記載の電子部品の実装方法。
3. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプ（２３，２３Ａ，３３）であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項１に記載の電子部品の実装方法。
4. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプ（４３）であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバンプと上記ダミー回路により、上記コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する請求項１に記載の電子部品の実装方法。
5. 上記接合材料を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記複数のバンプを形成する工程を備え、
   上記バンプ形成工程において、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に、ダミーバンプ（３，１３，２３，２３Ａ，４３）を備えるように形成する請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
6. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
   上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
   加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
   上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
   電子部品の実装方法であって、
   上記電子部品の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、αが１〜６の任意の値であるとき、 Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α） となるようにダミーバンプが備えられているようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
7. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
   上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
   加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
   上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
   電子部品の実装方法であって、
   上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品（５１，６１，８１，９１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（５２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（５９，６９，８９，９９）を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に備えられた接合材料流動規制膜（５３，６３，８３，９３）であり、上記本圧着工程において、上記接合材料流動規制膜により、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
8. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
   上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
   加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
   上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
   電子部品の実装方法であって、
   上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品（５１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（５２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（５９）を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜（５３）であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
9. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
   上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
   加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
   上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
   電子部品の実装方法であって、
   上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品（６１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（６２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（６９）を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜（６３）であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
10. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
    上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
    加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
    上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
    電子部品の実装方法であって、
    上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品（８１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（８２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（８９）を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜（８３）であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
11. 少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）又は電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）に供給する工程と、
    上記電子部品の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）上の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）と上記回路形成体の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）とが電気的に接触可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、
    加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを備え、
    上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）により、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにした
    電子部品の実装方法であって、
    上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品（９１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（９２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（９９）を備える場合には、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ（９２）以外の領域全てに備えられた補助パッシベーション膜（９３）であり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ（９２）以外の領域全てでの上記接合材料の流動速度の上昇を規制することを特徴とする電子部品の実装方法。
12. 上記接合材料を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記パッシベーション膜を形成する工程を備え、
    上記パッシベーション膜形成工程において、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が形成されていない領域に補助パッシベーション膜（５３，６３，８３，９３）を形成する請求項８〜１１のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
13. 電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
    上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）を上記電子部品の上記接合面に備え、
    上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプ（３，１３，２３，２３Ａ，４３）と上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であることを特徴とする電子部品実装体。
14. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが無い他の対向する２辺にそれぞれ列状に備えられた複数のダミーバンプ（１３）である請求項１３に記載の電子部品実装体。
15. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち対向する２対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプ（２３，２３Ａ，３３）である請求項１３に記載の電子部品実装体。
16. 上記接合材料流動規制部材の上記ダミーバンプは、上記電子部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられたダミーバンプ（４３）である請求項１３に記載の電子部品実装体。
17. 電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
    上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）を上記電子部品の上記接合面に備え、
    上記接合材料流動規制部材はダミーバンプであって、上記電子部品の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチＰｍａｘと最小ピッチＰｍｉｎとの関係が、αが１〜６の任意の値であるとき、 Ｐｍａｘ≦（Ｐｍｉｎ×２α） となるようにダミーバンプが備えられることを特徴とする電子部品実装体。
18. 電子部品（１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，８１，９１）の接合面の複数の電極（４，１４，２４，３４，４４，５４，６４，８４，９４）の複数のバンプ（２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，８２，９２）を回路形成体（６，１６，２６，３６，４６，５６，６６，８６，９６）の電極（７，１７，２７，３７，４７，５７，６７，８７，９７）に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料（５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，８５，９５）を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させることにより構成される電子部品実装体であって、
    上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材（３，１３，２３，２３Ａ，３３，４３，５３，６３，８３，９３）を上記電子部品の上記接合面に備え、
    上記電子部品（５１，６１，８１，９１）の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ（５２）の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜（５９，６９，８９，９９）が備えられるとともに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動規制膜（５３，６３，８３，９３）を備えることを特徴とする電子部品実装体。
19. 上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜（５３）である請求項１８に記載の電子部品実装体。
20. 上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜（６３）である請求項１８に記載の電子部品実装体。
21. 上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜（８３）である請求項１８に記載の電子部品実装体。
22. 上記接合材料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の上記バンプ（９２）以外の領域全てに備えられた補助パッシベーション膜（９３）である請求項１８に記載の電子部品実装体。
23. 請求項１〜１２のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法により製造された電子部品実装体。
24. 接合面の複数の電極に複数のバンプを備えるとともに、
    上記接合面に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を備えて、
    上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記回路形成体に接合されて電子部品実装体を構成するようにした電子部品であって、
    上記接合材料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミーバンプと上記ダミーバンプと接続され上記回路形成体に形成されたダミー回路であることを特徴とする電子部品。
25. 接合面の複数の電極に複数のバンプを備えるとともに、
    上記接合面に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を備えて、
    上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合材料を介して上記回路形成体に接合されて電子部品実装体を構成するようにした電子部品であって、
    上記電子部品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベーション膜が備えられるとともに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動規制膜を備えることを特徴とする電子部品。

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