JP4274251B2 - レーザ描画方法及びレーザ描画装置 - Google Patents

レーザ描画方法及びレーザ描画装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4274251B2
JP4274251B2 JP2007014002A JP2007014002A JP4274251B2 JP 4274251 B2 JP4274251 B2 JP 4274251B2 JP 2007014002 A JP2007014002 A JP 2007014002A JP 2007014002 A JP2007014002 A JP 2007014002A JP 4274251 B2 JP4274251 B2 JP 4274251B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffracted light
diffraction angle
intensity
laser
correction table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007014002A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008182033A (ja
Inventor
慎悟 今西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2007014002A priority Critical patent/JP4274251B2/ja
Priority to TW096148253A priority patent/TWI384332B/zh
Priority to US12/009,028 priority patent/US7821703B2/en
Priority to KR1020080006902A priority patent/KR20080069915A/ko
Priority to EP08001213A priority patent/EP1950613A3/en
Priority to CN2008100002340A priority patent/CN101266926B/zh
Publication of JP2008182033A publication Critical patent/JP2008182033A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4274251B2 publication Critical patent/JP4274251B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/06Surface hardening
    • C21D1/09Surface hardening by direct application of electrical or wave energy; by particle radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/704162.5D lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

本発明は、レーザアニール、その他のレーザ描画に適用して好適なレーザ描画方法及びレーザ描画装置に関する。
従来、例えば液晶ディスプレイパネル、その他の平面型表示装置では、スイッチング素子に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が用いられている。液晶ディスプレイパネルでは、ガラス基板上に形成したシリコン薄膜に対して、薄膜トランジスタを形成するアクティブマトリクス方式が実用化されている。そして、薄膜トランジスタの微細加工においては、基板上に形成した非晶質シリコン薄膜を結晶化させるために、レーザ光を用いたレーザアニール法が用いられている。レーザアニール法を用いると、500℃程度の低温環境で良好なシリコン薄膜を作成することが可能である。
レーザアニール法では、音響光学回折素子(AOD:Acousto Optical Deflector、以下、AODとする。)を用いた回折光学系から出射されるレーザ光を用いている。AODを用いた回折光学系では、AODに入力する高周波信号(以下、RF(Radio Frequency)信号とする。)によって、AOD内部に超音波を発生させて、この超音波の波面によってレーザ光を回折させている。
一般に、AODに入力するRF信号の振幅を一定にしたままRF信号の周波数を変えると、RF信号の周波数変化に合わせて回折角度が変わる。また、変化した回折角度に依存して回折光強度も変動する。ここで、従来のレーザ光の回折光強度の例について、図7を参照して説明する。図7は、時間の経過に伴い、RF信号の周波数が周期的に変化し、RF信号の振幅を一定とした場合における、AODが出射する回折光の回折光強度の変化を示している。
図7では、RF信号周波数は、鋸波状に周期的に変化している。一方、RF信号振幅は、時間によらず一定である。このようなRF信号がAODに入射すると、出射する回折光の回折光強度は波立っている。ここで、回折光強度は、時間tのとき、下限値pをとる。そして、時間tのとき、上限値pをとる。同様に、時間tのとき、上限値pをとる。ただし、p≒pである。図7より、時間の経過とともに、RF信号の周波数が、f,f,fと高くなっても、回折光強度は上昇し続けることなく、下限値と上限値の間を変動することが示される。
また、RF信号の周波数変化に対する回折角度の変化は、周波数に依存して異なる。このため、RF信号の周波数を線形に変化させても、回折角度は線形に変化しない。ここで、従来のレーザ光の回折角度の例について、図8を参照して説明する。図8は、時間の経過に伴い、RF信号の周波数が周期的に変化した場合における、AODが出射する回折光の回折角度の変化を示している。
図8でも、RF信号の周波数は、鋸波状に周期的に変化している。このようなRF信号がAODに入力すると、RF信号の周波数が高くなるにつれて、回折角度も大きくなることが分かる。ここで、時間t′のとき、RF信号の周波数はf′であり、回折角度は下限値θ′をとる。そして、時間t′のとき、RF信号の周波数はf′であり、上限値θ′をとる。図8より、時間の経過とともに、RF信号の周波数が、f′,f′と線形に高くなるにつれて、回折角度は、下限値と上限値の間を非線形に変動することが示される。
特許文献1には、低酸素濃度の雰囲気中で基板に対してレーザ光を照射するレーザアニール装置について開示されている。
特開2004−87962号公報
ところで、レーザアニール法を用いて、熱記録による露光や、薄膜トランジスタの形成を行う場合、レーザ光を試料に照射中に回折光の光強度が変動すると露光ムラが生じてしまう。また、RF信号の周波数を線形にスイープさせても、回折光の回折角度が非線形に変化する。これは次のように説明できる。AOD中のRF信号の伝播速度をv、RF信号の周波数をfとすると、AOD中に形成される粗密波の間隔dは
d=v/f
で表される。この粗密波の波面に対してθの角度で入射したレーザ光は、波長をλとして、
d・sinθ+d・sinθ=λ
を満たす角度θの方向に1次回折光として回折される。ここでθ=θとなるとき、つまり、2d・sinθ=λとなるとき、回折効率が最大となり、通常はこの近傍の角度で入射されるようにAOD素子を配置する。上記2式を変形し、θをfの関数として表すと
θ=Sin-1(λf/v−sinθ
となる。つまり、RF信号の周波数fの変化に対して回折光の回折角度θは非線形に変化する。以上のことから、AODが出射する回折光のスキャニング時に、角速度変化となり、試料に露光ムラが生じてしまう。露光ムラは品質低下の要因となるため、回避することが望ましい。
本発明は上述の点に鑑み、音響光学回折素子を用いたレーザアニール等のレーザ描画において、被処理物上での回折光の到達位置を一定に変化させ、回折光強度を回折角度によらず一定に維持できる、レーザ描画方法及びレーザ描画装置を提供するものである。
本発明に係るレーザ描画方法は、レーザ光源からのレーザ光が音響光学回折素子に入射され、この音響回折素子で偏向された回折光が、中間光学レンズ系及び集光レンズを介して集光され、レーザ描画するレーザ描画方法であって、回折光の回折角度ごとに回折光強度を補正するため強度信号補正用テーブルを作成し、強度信号補正用テーブルを参照して音響光学素子に入力する高周波信号の振幅を制御することを特徴とする。
また、本発明に係るレーザ描画方法は、レーザ光源からのレーザ光が音響光学回折素子に入射され、この音響回折素子で偏向された回折光が、中間光学レンズ系及び集光レンズを介して集光され、レーザ描画するレーザ描画方法であって、回折光の回折角度の変更時に回折角度を補正するため回折角度補正用テーブルを作成し、回折角度補正用テーブルを参照して、上記音響光学素子に入力する高周波信号の周波数を制御することを特徴とする。
本発明に係るレーザ描画装置は、レーザ光源と、レーザ光源からのレーザ光を回折光として出射させる音響光学回折素子と、音響光学回折素子で偏向される回折光を被処理物上に集光させる、中間光学レンズ系及び対物レンズと、回折光の回折角度に対する強度を検出する回折光強度検出部と、回折光強度検出部で検出した回折光強度の変化に応じて、回折光強度を補正するための強度信号補正用テーブルとを有し、強度信号補正用テーブルを参照して、音響光学回折素子に入力する高周波信号の振幅を制御するようにして成ることを特徴とする。
また、本発明に係るレーザ描画装置は、レーザ光源と、レーザ光源からのレーザ光を回折光として出射させる音響光学回折素子と、音響光学回折素子で偏向される回折光を被処理物上に集光させる、中間光学レンズ系及び対物レンズと、回折光の回折角度に対する被処理物上の回折光到達位置を検出する位置検出部と、位置検出部で検出した位置の変化に対する回折角度を補正するための回折角度補正用テーブルとを有し、回折角度補正用テーブルを参照して、音響光学回折素子に入力する高周波信号の周波数を制御するようにして成ることを特徴とする。
本発明では、回折光の回折角度ごとに回折光強度を補正するための回折光強度補正用のテーブルを作成し、この回折光強度補正用のテーブルを参照して、音響光学素子に入力する高周波信号の振幅を制御することにより、偏向される回折光強度を一定にすることができる。
また、回折光の回折角度の変更時に回折角度を補正するための回折角度補正用テーブルを作成し、この回折角度補正用テーブルを参照して音響光学素子に入力する高周波信号の周波数を制御することにより、回折角度を線形に変化させることができる。
上述の本発明に係るレーザ描画方法及びレーザ描画装置によれば、レーザアニール等のレーザ描画に際して、回折光の回折角度にかかわらず回折光強度を一定にし、又は/及び回折光の被処理物上での走査速度を一定にして回折光到達位置を一定に変化させることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1に、本発明に係るレーザ描画装置の一実施の形態を示す。本実施の形態に係るレーザ描画装置1は、レーザ光を出射するレーザ光源2と、レーザ光源2からのレーザ光を回折光として出射し偏向させるためのAOD4と、AOD4から出射されたレーザ光を試料15に集光するための中間光学レンズ系とを有する。本実施の形態では、中間光学レンズ系としてアフォーカルリレー光学系を用いる。アフォーカルリレー光学系は、第1のfθレンズ群6a及び第2のfθレンズ群6bと、試料15に対向する対物レンズ7とを有する。レーザ光源2とAOD4の間にはレーザ光を平行光とするためのコリメータレンズ3が配置される。レーザ光源2としては、例えば半導体レーザを用いることができる。
そして、AOD4と第1のfθレンズ群6aとの間の光路上には、第1のビームスプリッタ5aと第2のビームスプリッタ5bが配置される。AOD4から出射された回折光の一部は、第1のビームスプリッタ5aで反射されて、第1の集光レンズ8aを通してフォトダイオード9に受光される。これにより、回折光強度が検出される。また、AOD4から出射された回折光で、各光学レンズ系(第1のfθレンズ群6a,第2のfθレンズ群6b,対物レンズ7)を透過して被処理物(試料15)で反射された戻り光は、第2のビームスプリッタ5bで反射され、第2の集光レンズ8bを通して位置検出器10で受光される。これにより、回折光のスキャン位置が検出される。
そして、本実施の形態に係るレーザ描画装置1は、AOD4にRF信号を入力するためのRF信号出力部13を有している。後に詳述するように、RF信号出力部13は、AOD4から出射された回折光の回折角度によらず一定の回折光強度をなし、また回折光の試料15上でのスキャン位置(到達位置)を一定に変化させるために、振幅及び周波数が制御されたRF信号をAOD4に供給するドライバーである。そして、RF信号出力部13は、回折光強度の変化に応じて回折光強度を補正するための強度信号補正用テーブル11と、位置の変化に対する回折角度を補正するための回折角度補正用テーブル12を参照して、出力するRF信号を決定する。
そして、強度信号補正用テーブル11には、回折光の回折角度に応じて回折光強度を補正した指令値が格納されている。強度信号補正用テーブル11に格納される値は、後に詳述するように、回折光の強度を検出する回折光強度検出部であるフォトダイオード9を用いて予め作成される。また、回折角度補正用テーブル12には、試料15上の回折光スポットのスキャン位置のずれを補正するために、回折角度の変更時の回折角度を補正した指令値が格納されている。回折角度補正用テーブル12に格納される値は、回折光スポットのスキャン位置を検出する位置検出部である位置検出器(PSD)10を用いて予め作成される。
ここで、第1のfθレンズ群6aは、例えば1群2枚のレンズで構成され、第2のfθレンズ群6bは、例えば3群4枚のレンズで構成される。第1のfθレンズ群6a及び第2のfθレンズ群6bは、それぞれ後ろ側焦点位置が一致するように相対向させ、第1のfθレンズ群6aの前側焦点をAOD4の回折位置に一致させ、かつ第2のfθレンズ群6bの前側焦点を対物レンズ7の入射瞳位置に一致させることで、低収差のアフォーカルリレー光学系として機能する。
次に、上述のレーザ描画装置1を用いて、本発明に係るレーザ描画方法の実施の形態を説明する。
図1に示すように、光源2からレーザ光を出射する。レーザ光としては、例えば波長が405nmの青色レーザ光を用いる。光源2が出射したレーザ光は、発散光を平行光に揃えるコリメータレンズ3によって、平行光とされる。平行光とされたレーザ光は、入射したレーザ光の1次回折光(以下、回折光とする。)を出射するAOD4に入射される。AOD4が出射した回折光は描画用レーザビーム、例えば露光用ビームとして用いられており、所定の角度範囲内でスキャンされる。そして、AOD4に入力するRF信号を変化させることで、AOD4が出射する回折光の偏向方向を制御できる。
AOD4が出射した回折光は、アフォーカルリレー光学系を構成する第1のfθレンズ群6a及び第2のfθレンズ群6bを通り、対物レンズ7で試料15上に集光され、照射されると共に、RF信号出力部13からのRF信号によるAOD4での回折光の偏向に基づいて、試料15上にスキャン(走査)されて、レーザ描画が行われる。本実施の形態では、AOD4が出射する回折光の回折角度の範囲、つまり回折角度範囲は所定の範囲内に補正している。本実施の形態では、回折角度を35mrad程度とする。このとき、200mmの光学距離で光軸は±3.5mm偏向する。
ディスプレイパネルを試料15とした場合、試料15に照射する回折光を絞り込む対物レンズ7の入射瞳径がφ3.8mmであるならば、回折光は対物レンズ7にほとんど入射しなくなってしまう。そこで、第1のfθレンズ群6a及び第2のfθレンズ群6bによる、アフォーカルリレー光学系によって、AOD4の回折位置で対物レンズ7の入射瞳に結像されるようにする。そして、アフォーカルリレー光学系によって、AOD4が出射する回折光の回折角度が大きくなった場合であっても、全ての回折光が対物レンズ7に入射し、試料15に集束する。本実施の形態のレーザ描画装置1では、予め作成された強度信号補正用テーブル11と、回折角度補正用テーブル12を参照して生成されたRF信号によって、回折光の回折光強度と回折角度を制御するようにしている。
レーザ描画装置1では、回折光の回折光強度を補正するために参照する強度信号補正用テーブル11と、回折光の回折角度を補正するために参照する回折角度補正用テーブル12とを、図示しない記憶部に記憶している。そして、AOD4にRF信号を供給するRF信号出力部13は、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を読み出して、RF信号を補正する。RF信号を補正するために参照する補正用テーブル11,12と、AOD4が出射する回折光の回折光強度と回折角度の変化については後述する。
次に、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12の作成について説明する。これら補正用テーブル11及び12は、レーザ描画と同じ光学系、つまりレーザ描画装置1を用いて作成される。
まず、強度信号補正用テーブル11の作成について説明する。AOD4が出射する回折光の一部は、光束を分割する第1のビームスプリッタ(BS:Beam Splitter)5aで反射されて、第1の集光レンズ8aに集束される。第1の集光レンズ8aに集束されたレーザ光は、検出した光を電気信号に変換するフォトダイオード(PD:Photo Diode)9に集光される。これにより、回折光の回折光強度が検出される。このとき、任意の回折角度で取り出した回折光がフォトダイオード9で検出されるように、アライメントを調整している。フォトダイオード9は、回折光の回折光強度を検出する回折光強度検出部として機能している。そして、回折光強度検出部の検出結果に基づいて、強度信号補正用テーブル11が作成される。
次に、回折角度補正用テーブル12の作成例について説明する。対物レンズ7を透過した回折光は、試料15の表面上に集束される。回折光は試料15で反射された戻り光は、対物レンズ7,第2のfθレンズ群6b,第1のfθレンズ群6aの順に透過し、第1のfθレンズ群6aを透過した戻り光の一部が、光束を分割する第2のビームスプリッタ5bで反射されて、第2の集光レンズ8bに集束する。第2の集光レンズ8bで集束された戻り光は、試料15上における回折光の集光スポットを検出する位置検出器10に受光される。位置検出器10では、検出した回折光の受光スポットより、回折光の回折角度と試料15のスキャン位置との関係が得られる。このとき、任意の回折角度で取り出した回折光が位置検出器10で検出されるようにアライメントを調整している。位置検出器10は、回折光の回折角度を検出する回折角度検出部として機能している。そして、回折角度検出部の検出結果に基づいて、回折角度補正用テーブル12が作成される。
ここで、AOD4にRF信号を出力するRF信号出力部13は、2種類の補正用テーブルを用いてRF信号の振幅と周波数を補正している。補正したRF信号によって、AOD4が出射する回折光の回折光強度と回折角度が制御される。
次に、本実施の形態のレーザ描画装置1で用いる強度信号補正用テーブル11の例について、図2を参照して詳述する。
AOD4が出射した回折光が全て対物レンズ7に入射しても、回折角度に依存して回折効率(回折光の強度/AOD4への入射光の強度)は変動するため、スキャン領域内で露光ムラが発生してしまう。そして、前述したように、AOD4に供給されるRF信号の周波数が高まるにしたがって、回折光の回折光強度が変化する(図7参照)。
本実施の形態のレーザ描画装置1では、AOD4の最大回折角度で、露光する回折光強度が激減することなく、AOD4の回折光強度が一定の大きさとなるように、AOD4に入力するRF信号の振幅を制御している。
強度信号補正用テーブル11には、AOD4の回折角度を変えるために、補正値として第1の回折角度指令値が予め記録されている。第1の回折角度指令値に基づいて、AOD4の回折角度が決定される。
RF信号出力部13は、第1の回折角度指令値で生成されるRF信号をAOD4に供給することで、AOD4が回折可能な回折角度の範囲(例えば、35mrad)を決定する。本実施の形態では、第1の回折角度指令値に基づいて生成されるRF信号の周波数範囲を8等分した、9つの区切り点F〜Fを定めている。第1の回折角度指令値を強度信号補正用テーブル11に記録する際は、RF信号の振幅を設定可能な最大値にした状態で、回折光強度を計測し、計測した回折光強度を記録する。そして、記録した回折光強度が最小値となる回折角度を基準にとる。そして、その他の回折角度における回折光強度が、基準の最小値となる回折光強度と同一になるように、RF信号の振幅を小さくする第1の回折角度指令値が決定される。
区切り点F〜Fを外れた回折角度におけるRF信号の振幅は、スプライン曲線で補完される。そして、強度信号補正用テーブル11には、回折光の回折角度毎に、回折効率の逆数に比例した値が格納される。この値を、第1の回折角度指令値と称しており、第1の回折角度指令値に対してRF信号の補正された振幅が決定される。RF信号出力部13は、強度信号補正用テーブル11を参照して第1の回折角度指令値を読み出し、出力するRF信号の振幅を補正し、AOD4の回折光を制御できるようになる。こうして、実際には測定していない回折角度にレーザ光を回折させる場合であっても、回折光の回折光強度をほぼ一定とすることができる。
ここで、振幅を補正したRF信号と、AOD4が出射する回折光強度の関係について、図3を参照して説明する。
RF信号出力部13は、強度信号補正用テーブル11から第1の角度指令値を読み出す。そして、回折角度の変化に応じて、区切り点となる9点の周波数F〜Fに対するRF信号の振幅を補正し、角度指令信号として出力する。RF信号出力部13が出力するRF信号の周波数は、時間T〜Tにかけて、下限値F〜上限値Fの間を変化する。このとき、RF信号振幅は、下限値A〜上限値Aの間を変化している。こうして、RF信号の周波数に応じてRF信号の振幅が補正されることで、AOD4が出射する回折光の回折光強度が一定値Pに補正される。
次に、本実施の形態のレーザ描画装置1で用いる回折角度補正用テーブル12の例について、図4を参照して詳述する。
AOD4が出射する回折光の回折角度が変わると、位置検出器10上の集光スポットの位置も変わるため、位置情報として検出することができる。この位置検出器10による位置情報は、回折角と試料15上でのスキャン位置に比例する。
ところで、RF信号の周波数を一定速度で増加させてスイープすると、回折角度も変化するが、一般に回折角度の変化は線形ではない(図8参照)。このため、スキャン領域内で露光ムラが発生してしまう可能性がある。本実施の形態のレーザ描画装置1では、回折角度の変化を線形とするため、RF信号の周波数を制御している。
回折角度補正用テーブル12には、AOD4の回折角度を変えるために、補正値として第2の回折角度指令値が予め記録されている。第2の回折角度指令値に基づいて、AOD4の回折角度が決定される。
RF信号出力部13は、第2の回折角度指令値で生成されるRF信号をAOD4に供給することで、AOD4が回折可能な回折角度の範囲を決定する。本実施の形態では、第2の回折角度指令値に基づく回折角度の範囲を8等分した区切り点θ〜θを定めている。第2の回折角度指令値を回折角度補正用テーブル12に記録する際は、位置検出器10で回折角度(区切り点θ〜θ)を確認しながら、AOD4に入力するRF信号の周波数を順次決定し、記録する。
区切り点θ〜θを外れた回折角度に回折させるときのRF信号の周波数は、スプライン曲線で補完される。回折角度補正用テーブル12には、回折光の回折角度毎に、非線形に変化する値が格納されている。この値を、第2の回折角度指令値と称しており、第2の回折角度指令値に対してRF信号の補正された周波数が決定される。RF信号出力部13は、回折角度の変化に応じて、回折角度補正用テーブル12を参照しながら第2の回折角度指令値を読み出し、出力するRF信号の周波数を補正し、AOD4の回折光を制御する。こうして、実際には測定していない回折角度にレーザ光を回折させる場合であっても、AOD4が出射する回折光の回折角度の変化が線形に補正される。
ここで、周波数を補正したRF信号と、AOD4が出射する回折光の回折角度の関係について、図5を参照して説明する。
RF信号出力部13は、強度信号補正用テーブル12から第2の角度指令値を読み出す。そして、回折角度の変化に応じて、区切り点となる9点の回折角度(区切り点θ〜θ)に対するRF信号の周波数の変化を非線形に補正し、角度指令信号として出力する。RF信号出力部13が出力するRF信号の周波数は、時間T〜Tにかけて、下限値F′〜上限値F′の間を変化する。このとき、回折光の回折角度は、下限値θ〜上限値θの間を変化している。こうして、RF信号の周波数に応じて回折角度が補正されることで、AOD4が出射する回折光の回折角度が線形に変化するようになる。
このように、回折光を位置検出器10に照射して回折角度を検出することで、所望の回折角度に対応してAOD4に入力するべきRF信号周波数を求める。求めたRF信号周波数の値を、所望の回折角度ごとに回折角度補正用テーブル12として記録する。回折角度の指令に対して、回折角度補正用テーブル12を参照しながらRF信号の周波数を決定し、RF信号をAOD4に入力することで、所望の回折角度で正確に回折される。または、一定時間ごとに、回折角度補正用テーブル12上の角度指令信号を、回折角度の小さい方、あるいは大きい方から順番に出力することで、補正した回折角度をより線形に近づけることが可能となる。
一般に、AOD4に入力するRF信号は、超音波変換のため、フォトダイオード9で検出する回折光強度をフィードバックしてRF信号を補正するには応答速度が遅い。このため、本実施の形態のように、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を、予め作成しておく。回折光強度をフィードバックすることなく、RF信号の振幅補正と回折角度補正を適切に行える。この結果、AOD4が出射する回折光の回折光強度を一定に維持し、回折角度を線形に変化させることが可能となる。
ここで、RF信号を補正する強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を実際に測定した測定例について、図6を参照して説明する。RF信号出力部13が出力するRF信号の周期は、100μ秒としている。
強度信号補正用テーブル11は、波形21によって表されている。波形21は、光学調整のズレのため、やや非対称となっている。強度信号補正用テーブル11は、波形21を8分割した9分点の周波数毎に、振幅が補正されたRF信号を格納している。補正されたRF信号によってAOD4が出射する回折光の強度は、波形22によって表されている。波形21より、回折光の強度は、ほぼ一定の値を維持することが分かる。
回折角度補正用テーブル12は、波形23によって表されている。波形23は、ほぼ線形の緩やかな曲線を描いている。本実施の形態の回折角度補正用テーブル12も、波形23を8分割した9分点の回折角度毎に、RF信号の周波数を補正している。補正されたRF信号によってAOD4が出射する回折光の回折角度は、波形24によって表されている。波形24より、回折光の回折角度は、極性が反転された線形(ほぼ直線)として変化することが分かる。
上述した本実施の形態によれば、RF信号出力部13は、強度信号補正用テーブル11を参照して、RF信号の振幅を補正する。そして、振幅を補正したRF信号によって、AOD4が出射する回折光の回折光強度を一定にする。同時に、RF信号出力部13は、回折角度補正用テーブル12を参照してRF信号の周波数を補正する。そして、周波数を補正したRF信号によって、AOD4が出射する回折光の回折角度を線形に変化させる。このようにすることで、回折光強度をスキャン角度によらず一定に維持できる。また、回折角度を線形に変化させるため、スキャン角速度、つまり試料15上でのスキャン位置を一定に変えられる。このため、レーザ光を意図した位置に正確に照射することができるとともに、例えばアニール処理時において、微細加工した試料に露光ムラを生じさせることがない。
また、光学系に依存して回折角度やカップリング効率が変動した場合には、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を修正すればよい。強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12の修正は容易に行えるため、回折角度やカップリング効率の変動を補正することが簡単に行える。
また、従来のレーザ描画装置では、照射したレーザ光をそのまま対物レンズに入射すると、レンズ系の光軸がずれてしまい、大きな回折角度が得られるAODを用いた場合に、露光する回折光強度が減少してしまう。一方、本実施の形態のレーザ描画装置1では、アフォーカルリレー光学系を採用したため、AOD4の回折角度によらず、対物レンズ7へ入射する回折光の光軸を、対物レンズ7の入射瞳中心と一致させることができる。また、AOD4の偏向制御によって生ずる回折光強度の変動を、AOD4へ入力するRF信号の変調量で抑制できる範囲内に留めることができる。
また、本実施の形態によれば、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を組み合わせて、回折光強度と回折角度を制御するようにしたが、強度信号補正用テーブル11だけを用いて回折光強度を制御するようにしてもよい。同様に、回折角度補正用テーブル12だけを用いて回折角度を制御するようにしてもよい。
なお、レーザ描画装置1では、強度信号補正用テーブル11と回折角度補正用テーブル12を9分点用意して、回折光強度と回折角度を補正するようにしたが、RF信号の1周期に対する分点数は9分点(8分割)に限らない。例えば、分点数を減らした5分点(4分割)の補正であってもよいし、分点数を増やした41分点(40分割)の補正であってもよい。
また、レーザ描画装置1の光学系を構成するレンズ群は、fθレンズ群としたが、AOD4と、試料15の前段に位置する最終集光レンズ(本実施の形態では、対物レンズ7)の入射瞳面とがアフォーカルリレー光学系と同様のものであるならば、fθレンズ群以外のレンズ群を用いてもよい。
また、レーザ描画装置1は、液晶ディスプレイパネルの薄膜トランジスタを製造するレーザアニール法に用いた例として説明したが、特定の光線を偏光させるために、ガラス面上に並行な細い溝を等間隔に刻んで、この溝に細い導線を配列した構成のワイヤグリッド偏光子を作成するようにしてもよい。あるいは、その他の微細加工にレーザ描画装置1を用いてもよい。
本発明の一実施の形態例におけるレーザ描画装置の例を示した構成図である。 本発明の一実施の形態例における強度信号補正用テーブルの例を示した説明図である。 本発明の一実施の形態例における補正されたRF信号振幅と回折光強度の例を示した説明図である。 本発明の一実施の形態例における回折角度補正用テーブルの例を示した説明図である。 本発明の一実施の形態例における補正されたRF信号周波数と回折角度の例を示した説明図である。 本発明の一実施の形態例における振幅の表示例を示した説明図である。 従来のレーザ光の回折光強度の例を示した説明図である。 従来のレーザ光の回折角度の例を示した説明図である。
符号の説明
1…レーザ描画装置、2…光源、3…コリメータレンズ、4…AOD、5a…第1のビームスプリッタ、5b…第2のビームスプリッタ、6a…第1のfθレンズ群、6b…第2のfθレンズ群、7…対物レンズ、8a…第1の集光レンズ、8b…第2の集光レンズ、9…フォトダイオード、10…位置検出器、11…強度信号補正用テーブル、12…回折角度補正用テーブル、13…RF信号出力部

Claims (13)

  1. レーザ光源からのレーザ光を音響光学回折素子に入射し、
    該音響回折素子で偏向された回折光を中間光学レンズ系及び集光レンズを介して集光し、レーザ描画するレーザ描画方法であって、
    前記回折光の回折角度ごとに回折光強度を補正するため強度信号補正用テーブルを作成し、
    前記強度信号補正用テーブルを参照して、前記音響光学素子に入力する高周波信号の振幅を制御する
    ことを特徴とするレーザ描画方法。
  2. 前記高周波信号の周波数に応じて高周波信号の振幅を補正して、前記偏向される回折光強度を一定にする
    ことを特徴とする請求項1記載のレーザ描画方法。
  3. 前記強度信号補正用テーブルの補正値は、各回折角度に応じた回折効率の逆数に比例している
    ことを特徴とする請求項1記載のレーザ描画方法。
  4. 前記強度信号補正用テーブルは、前記回折光の一部を受光する回折光強度検出部を用いて作成する
    ことを特徴とする請求項1記載のレーザ描画方法。
  5. レーザ光源からのレーザ光を音響光学回折素子に入射し、
    該音響回折素子で偏向された回折光を中間光学レンズ系及び集光レンズを介して集光し、レーザ描画するレーザ描画方法であって、
    前記回折光の回折角度の変更時に回折角度を補正するため回折角度補正用テーブルを作成し、
    前記回折角度補正用テーブルを参照して、前記音響光学素子に入力する高周波信号の周波数を制御する
    ことを特徴とするレーザ描画方法。
  6. 前記回折角度に応じて前記高周波信号の周波数を補正して、前記回折光の被処理物上の到達位置を補正する
    ことを特徴とする請求項5記載のレーザ描画方法。
  7. 一定時間ごとに、前記回折角度補正用テーブル上の角度指令信号を、回折角度の小さい方、あるいは大きい方から順番に出力する
    ことを特徴とする請求項5記載のレーザ描画方法。
  8. 前記回折角度補正用テーブルは、被処理物から反射した前記回折光を受光する位置検出部を用いて作成する
    ことを特徴とする請求項5記載のレーザ描画方法。
  9. レーザ光源と、
    前記レーザ光源からのレーザ光を回折光として出射させる音響光学回折素子と、
    前記音響光学回折素子で偏向される前記回折光を被処理物上に集光させる、中間光学レンズ系及び対物レンズと、
    前記回折光の回折角度に対する強度を検出する回折光強度検出部と、
    前記回折光強度検出部で検出した回折光強度の変化に応じて、前記回折光強度を補正するための強度信号補正用テーブルとを有し、
    前記強度信号補正用テーブルを参照して、前記音響光学回折素子に入力する高周波信号の振幅を制御するようにして成る
    ことを特徴とするレーザ描画装置。
  10. 前記周波数信号の周波数に応じて高周波信号の振幅を補正して、前記偏向される回折光強度を一定にする
    ことを特徴とする請求項9記載のレーザ描画装置。
  11. レーザ光源と、
    前記レーザ光源からのレーザ光を回折光として出射させる音響光学回折素子と、
    前記音響光学回折素子で偏向される前記回折光を被処理物上に集光させる、中間光学レンズ系及び対物レンズと、
    前記回折光の回折角度に対する前記被処理物上の回折光到達位置を検出する位置検出部と、
    前記位置検出部で検出した位置の変化に対する回折角度を補正するための回折角度補正用テーブルとを有し、
    前記回折角度補正用テーブルを参照して、前記音響光学回折素子に入力する高周波信号の周波数を制御するようにして成る
    ことを特徴とするレーザ描画装置。
  12. 前記回折角度に応じて前記高周波信号の周波数を補正して、前記回折光の前記被処理物上の到達位置を補正するようにして成る
    ことを特徴とする請求項11記載のレーザ描画装置。
  13. 前記中間光学レンズ系は、アフォーカルリレー光学系である
    ことを特徴とする請求項9又は11記載のレーザ描画装置。
JP2007014002A 2007-01-24 2007-01-24 レーザ描画方法及びレーザ描画装置 Active JP4274251B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007014002A JP4274251B2 (ja) 2007-01-24 2007-01-24 レーザ描画方法及びレーザ描画装置
TW096148253A TWI384332B (zh) 2007-01-24 2007-12-17 雷射繪圖方法與裝置
US12/009,028 US7821703B2 (en) 2007-01-24 2008-01-16 Laser drawing method and apparatus
KR1020080006902A KR20080069915A (ko) 2007-01-24 2008-01-23 레이저 드로잉 방법 및 장치
EP08001213A EP1950613A3 (en) 2007-01-24 2008-01-23 Laser drawing method and apparatus
CN2008100002340A CN101266926B (zh) 2007-01-24 2008-01-24 激光绘图方法和设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007014002A JP4274251B2 (ja) 2007-01-24 2007-01-24 レーザ描画方法及びレーザ描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008182033A JP2008182033A (ja) 2008-08-07
JP4274251B2 true JP4274251B2 (ja) 2009-06-03

Family

ID=39301316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007014002A Active JP4274251B2 (ja) 2007-01-24 2007-01-24 レーザ描画方法及びレーザ描画装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7821703B2 (ja)
EP (1) EP1950613A3 (ja)
JP (1) JP4274251B2 (ja)
KR (1) KR20080069915A (ja)
CN (1) CN101266926B (ja)
TW (1) TWI384332B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2719460A1 (en) 2012-10-12 2014-04-16 Sony DADC Austria AG Microfluidic devices
WO2014139751A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Sony Corporation Microfluidic device
EP2792471A1 (en) 2013-04-16 2014-10-22 Sony DADC Austria AG Polymer parts
US9136099B2 (en) 2012-07-04 2015-09-15 Sony Dadc Austria Ag Method and substrates for forming crystals
US10160145B2 (en) 2013-09-03 2018-12-25 STRATEC CONSUMABLES GmbH Microfluidic device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010221291A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Universal Seikan Kk レーザー加工装置
TWI594828B (zh) * 2009-05-28 2017-08-11 伊雷克托科學工業股份有限公司 應用於雷射處理工件中的特徵的聲光偏轉器及相關雷射處理方法
WO2012014283A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 三菱電機株式会社 光モジュール
JP2012135782A (ja) * 2010-12-24 2012-07-19 Sumitomo Chemical Co Ltd レーザー光照射装置およびレーザー光照射方法
WO2013081204A1 (ko) * 2011-11-29 2013-06-06 Jang Ingu 회절광학계를 이용한 레이저 패턴 가공장치
KR102035055B1 (ko) * 2013-05-14 2019-10-23 엘지디스플레이 주식회사 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20150015254A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔의 모니터링 방법 및 이를 이용한 레이저 조사 장치
US10016843B2 (en) 2015-03-20 2018-07-10 Ultratech, Inc. Systems and methods for reducing pulsed laser beam profile non-uniformities for laser annealing
JP2017159317A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP7070581B2 (ja) * 2017-09-26 2022-05-18 株式会社ニコン パターン描画装置
DE102018208752A1 (de) * 2018-06-04 2019-12-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Laserbearbeitung schwer zugänglicher Werkstücke
JP7241615B2 (ja) * 2018-06-29 2023-03-17 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR102630873B1 (ko) * 2019-05-03 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 윈도우의 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334849A (en) * 1992-06-10 1994-08-02 Iomega Corporation Apparatus for and method of verifying etching of optical servo information on magnetic media
US5279775A (en) * 1992-06-10 1994-01-18 Iomega Corporation Acousto-optical intensity control of laser beam during etching of optical servo information of magnetic media
AU2003210401A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-16 Videojet Technologies Inc. Device and method for generating a print image in a laser-marking system
JP4363010B2 (ja) 2002-08-28 2009-11-11 ソニー株式会社 レーザアニール装置
JP4838982B2 (ja) * 2004-01-30 2011-12-14 株式会社 日立ディスプレイズ レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP4440688B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-24 Hoya株式会社 レーザ描画装置、レーザ描画方法及びフォトマスクの製造方法
US20050237895A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2007014002A (ja) 2006-08-03 2007-01-18 Ricoh Co Ltd 画像処理装置、画像処理用プログラム及び記録媒体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136099B2 (en) 2012-07-04 2015-09-15 Sony Dadc Austria Ag Method and substrates for forming crystals
EP2719460A1 (en) 2012-10-12 2014-04-16 Sony DADC Austria AG Microfluidic devices
US9188991B2 (en) 2012-10-12 2015-11-17 Sony Dadc Austria Ag Microfluidic device and a method of manufacturing a microfluidic device
WO2014139751A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Sony Corporation Microfluidic device
EP2792471A1 (en) 2013-04-16 2014-10-22 Sony DADC Austria AG Polymer parts
US10160145B2 (en) 2013-09-03 2018-12-25 STRATEC CONSUMABLES GmbH Microfluidic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101266926A (zh) 2008-09-17
TW200844673A (en) 2008-11-16
CN101266926B (zh) 2010-04-21
EP1950613A2 (en) 2008-07-30
EP1950613A3 (en) 2009-02-18
KR20080069915A (ko) 2008-07-29
TWI384332B (zh) 2013-02-01
US7821703B2 (en) 2010-10-26
JP2008182033A (ja) 2008-08-07
US20080231940A1 (en) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4274251B2 (ja) レーザ描画方法及びレーザ描画装置
KR101212936B1 (ko) 레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 그 제조 방법
US9457424B2 (en) Laser machining device
JP5148575B2 (ja) レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP2007183264A (ja) スキャナの駆動特性の評価装置及びその評価方法
JP6195407B2 (ja) 加工装置
JP5863891B2 (ja) レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法
JP2001228449A (ja) レーザ集光装置及びレーザ加工装置
JP2018098464A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5255109B2 (ja) レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5575200B2 (ja) レーザ加工装置及びその製造方法
WO2020009079A1 (ja) レーザ加工装置
WO2019187422A1 (ja) 測距ユニット及び光照射装置
JP4681821B2 (ja) レーザ集光光学系及びレーザ加工装置
JP4063990B2 (ja) 露光記録装置
KR20210020451A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2011060832A (ja) チルト制御機構を有するレーザ照射装置及びレーザ照射装置におけるチルト制御方法
TW202406658A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
JP2009043788A (ja) レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
JPH05128579A (ja) 光学式記録装置
JPH07105562A (ja) 光ヘッド装置
JPH0424505A (ja) 基板の傾斜検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090210

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090223

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313

Year of fee payment: 4