JP4258049B2

JP4258049B2 - 光ピックアップ装置および光ディスク装置

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Publication number: JP4258049B2
Application number: JP36722898A
Authority: JP
Inventors: 和彦根本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-12-24
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 2009-04-30
Anticipated expiration: 2018-12-24
Also published as: JP2000195086A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ピックアップ装置および光ディスク装置に関し、特に、短波長の半導体レーザ、例えば、ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた青色発光の半導体レーザを用いた光ピックアップ装置および光ディスク装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光ディスク装置の光ピックアップの光学系の設計においては、以下の項目が重要である。一つは光ディスクに照射するレーザパワー（盤面パワー）およびレーザ光検出用のフォトダイオード上のレーザパワーであり、もう一つはいわゆる戻り光雑音である。
【０００３】
近年、光ディスク装置は、コンパクトディスク（ＣＤ）用、ミニディスク（ＭＤ）用、ディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用など、時代を経る毎に高機能化しており、それに伴って、光ピックアップも進化している。現在実用化されている記録再生可能な光ディスク装置の典型的な光学系を図５に示す。
【０００４】
図５に示すように、この光ディスク装置は、光源としての半導体レーザ１０１の出射光を光ディスク１０２に導くとともに、この光ディスク１０２による反射光（信号光）を検出するための光学系、すなわち、ビームスプリッタ１０３、コリメートレンズ１０４、ミラー１０５、対物レンズ１０６、マルチレンズ１０７および信号光検出用受光素子としてのフォトダイオードＩＣ１０８を備えている。
【０００５】
この光ディスク装置における再生時には、あらかじめ再生用の低いパワーに設定された半導体レーザ１０１の出射光１０９はビームスプリッタ１０３を経てコリメートレンズ１０４により平行光とされ、ミラー１０５で反射された後、対物レンズ１０６により集光されて光ディスク１０２に入射する。そして、この光ディスク１０２で反射された信号光１１０が対物レンズ１０６、ミラー１０５、コリメートレンズ１０４、ビームスプリッタ１０３およびマルチレンズ１０７を経てフォトダイオードＩＣ１０８に入射し、ここで電気信号に変換され、光ディスク１０２に書き込まれた情報が再生される。一方、記録時には、あらかじめ記録用の高いパワーに設定された半導体レーザ１０１の出射光１０９はビームスプリッタ１０３を経てコリメートレンズ１０４により平行光とされ、ミラー１０５で反射された後、対物レンズ１０６により集光されて光ディスク１０２に入射し、書き込みが行われる。
【０００６】
さて、光ピックアップの進化の方向性として一つの大きな流れとなっているのが、光源である半導体レーザの短波長化である。現在、そのような半導体レーザとして、青色で発光する半導体レーザの研究開発が盛んに行われており、近い将来、市場に供給される見込みである。
【０００７】
この青色発光の半導体レーザは、光ディスク装置の光源としてこれまでに用いられている半導体レーザよりも短波長であることから、レーザ光をより小さなスポットに絞ることができ、このため、光ディスクの記録密度を高め、記録容量を高めることが可能になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにレーザ光を小さなスポットに絞ることができるということは、光ディスクの盤面上のスポット内部では、単位面積当たりの照射エネルギー（照射エネルギー密度）が高いということであり、光ディスクによっては、温度上昇による劣化やデータの消去などの問題が起こることがある。
【０００９】
そこで、そのような場合、通常は、半導体レーザのパワーを調整して対応することが考えられるが、半導体レーザのパワーを単純に落とすということは、半導体レーザ自身の持つ量子雑音（固有雑音）を大きくし、戻り光雑音特性を悪化させる原因となるため、望ましくない。
【００１０】
青色発光の半導体レーザを光源として用いた次世代の高密度光ディスク装置では、読み出しに関するトレランスは一層厳しくなっており、戻り光雑音特性に関する要求性能も非常に厳しくなっていることから、盤面パワーを調整するために半導体レーザのパワーを落として量子雑音を大きくしてしまう上記のような手法では問題になってしまう場合がある。
【００１１】
したがって、この発明の目的は、光源として短波長の半導体レーザを用いた場合に、光ディスクの盤面パワーを低く抑えて光ディスクの劣化やデータの消去などが起きるのを防止しつつ、半導体レーザの量子雑音を低く抑えて低雑音で良質の再生を行うことができる光ピックアップ装置およびそのような光ピックアップ装置を用いた光ディスク装置を提供することにある。
【００１２】
この発明の他の目的は、光源として短波長の半導体レーザを用いた場合に、再生時には、光ディスクの盤面パワーを低く抑えて光ディスクの劣化やデータの消去などが起きるのを防止しつつ、半導体レーザの量子雑音を低く抑えて低雑音で良質の再生を行うことができるとともに、記録時には、半導体レーザの元パワーを必要以上に上げずに記録を行うことができる光ピックアップ装置およびそのような光ピックアップ装置を用いた光ディスク装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
光ディスク装置の光源として用いられる半導体レーザの短波長化に伴う問題について改めて検討する。
【００１４】
ディスク盤面上のスポット径ＤはＤ∝λ／ＮＡである。ただし、λは半導体レーザの発光波長、ＮＡは対物レンズの開口数である。
【００１５】
半導体レーザの発光波長λおよび対物レンズの開口数ＮＡの組み合わせで以下の二つの場合
ａ． λ＝７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．４５
ｂ． λ＝４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６０
を考えると、ａとｂとのスポット面積の比は（７８０／０．４５）²：（４００／０．６０）²＝｛（７８０／０．４５）（０．６０／４００）｝²：１＝６．７：１である。したがって、同じパワーのレーザ光が照射されるとすると、ａとｂとの盤面パワー密度の比は１：６．７となる。
【００１６】
これによると、同様な使い方で同じ光ディスクを使って書き込む場合を仮定すると、ｂの場合はａの場合の６．７倍の盤面パワー密度になるため、レーザ光照射部の周囲への熱の拡散の仕方を無視して単純計算すると、ｂの場合は１／６．７のパワーで書き込みを行うことができることになる。これより、仮にレーザ光照射部の周囲への熱の拡散分を適当に考慮しても、書き込み時のパワーは、ｂの場合はａの場合に比べて１／３〜１／２位のパワーで済むことになる。すると、半導体レーザ側の光学系のカップリング効率を等しいとした場合、必要な盤面パワーの差は、半導体レーザの元パワーの差となる。このため、半導体レーザの元パワーは、ｂの場合は、ａの場合の１／３〜１／２位のパワーで足りることになる。
【００１７】
このように、高密度光ディスク用の短波長の半導体レーザでは、書き込みパワーを低く抑えることができるので、その点は利点となる。ところが、記録再生を行う光ディスクに対して、低パワーで再生を行う場合、盤面パワーが高すぎると光ディスクの劣化やデータの消去などが起きてしまうため、これらの問題が生じないあるパワー以下に抑える必要がある。
【００１８】
通常は、ばらつきやトレランスを考慮して、例えばＭＤの場合には、記録時と再生時との盤面パワーの差は、８〜１０倍程度となっている。半導体レーザの元パワーで言うと、ＭＤの場合で、例えば上記のａの条件を想定すると、記録時は４０ｍＷ、再生時は４ｍＷである。これに対して、ｂの条件を想定すると、単純に比例計算した場合、１／３〜１／２程度のパワーということになり、記録時は１３〜２０ｍＷ、再生時には１．３〜２ｍＷ程度となる。
【００１９】
ここで問題なのが、再生時の元パワーが１．３〜２ｍＷと非常に小さくなることである。このように低いパワーの領域では、半導体レーザの量子雑音がかなり大きい。これを防止するために、現在使用されている光ディスク装置の光源用の半導体レーザは、通常、３ｍＷ以上の領域のパワーで使用されている。このパワー以下で半導体レーザを使用すると、量子雑音が大きくなり、雑音で検出系が成り立たなくなってしまう。
【００２０】
光源として短波長の半導体レーザが用いられる次世代の光ディスク装置では、これまでの光ディスク装置に比べてより一層低い雑音レベルが要求されるため、半導体レーザの量子雑音レベルを相当低く抑えることが必須である。
【００２１】
そこで、本発明者は、鋭意検討を行った結果、半導体レーザの短波長化に伴う以上の問題を解決するためには、半導体レーザの元パワーを、量子雑音を十分に低く抑えることができ、しかも書き込みを行うのに必要十分なパワーに設定しておき、光ディスクへの書き込み、すなわち記録時には、そのパワーでレーザ光を光ディスクに照射して記録を行い、光ディスクからの読み出し、すなわち再生時には、半導体レーザの元パワーを落とさずに盤面パワーを光ディスクの劣化やデータの消去などが起きないように低く抑えることが最も有効であるという結論に至り、この発明を案出するに至ったものである。
【００２２】
すなわち、上記目的を達成するために、この発明の第１の発明は、
光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有する
ことを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００２３】
この発明の第２の発明は、
光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有する光ピックアップ装置を備えている
ことを特徴とする光ディスク装置である。
【００２４】
この発明において、強度フィルタは、光ディスクの再生のみを行う場合には、光源に対して固定した位置に設けてもよいが、再生および記録を行う場合には、光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成される。この強度フィルタは、それを出し入れする方向に透明板と並列配置してもよい。この場合、部品点数の削減や取り扱いの容易さの観点からは、好適には、強度フィルタは、それを出し入れする方向に透明板と一体に並列配置される。また、場合によっては、強度フィルタは、それを出し入れする方向に並列配置された第１の強度フィルタおよびこの第１の強度フィルタよりも光強度の減衰率が小さい第２の強度フィルタにより構成してもよい。
【００２５】
この発明において、強度フィルタとしては、迷光による雑音の発生を抑える観点からは、好適には、吸収フィルタ（例えば、樹脂やガラスに特定波長の光を吸収する染料を分散させたものなど）が用いられるが、場合によっては、反射型フィルタ、拡散板（研磨材によるガラスのつや消し効果を利用したフロスト型やガラス内に光拡散物質を分散させたオパール型など）、メッシュ状の不透明物質により光強度を減衰させるメッシュフィルタ、誘電体多層膜の光の干渉を利用し、狭帯域スペクトルを取り出す干渉フィルタ、光の偏向方向による反射率の違いを利用したフィルタなどを用いてもよい。
【００２６】
この発明において、光源は、典型的には、青色で発光可能な半導体レーザであるが、より一般的には、緑色から紫外線の波長領域で発光可能な短波長の半導体レーザであってもよい。さらに、光源が、現在実用化されている近赤外〜赤色の領域の波長の半導体レーザであっても、光学系やレーザ設計によっては、この発明は有効な手段となる。
【００２７】
この発明の第２の発明による光ディスク装置において、再生および記録を行う場合には、再生時に光源からの光の経路に強度フィルタを挿入し、記録時に光源からの光の経路から強度フィルタを外す。あるいは、強度フィルタと透明板とを並列配置する場合には、再生時に光源からの光の経路に強度フィルタを挿入し、記録時に光源からの光の経路に透明板を挿入する。さらに、第１の強度フィルタおよび第２の強度フィルタを並列配置する場合には、再生時に光源からの光の経路に第１の強度フィルタを挿入し、記録時に光源からの光の経路に第２の強度フィルタを挿入する。
【００２８】
上述のように構成されたこの発明においては、光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有することにより、光源として短波長の半導体レーザを用いた場合、その半導体レーザの元パワーを、量子雑音が十分に低くなるパワーに設定することができるとともに、盤面パワーを光ディスクの劣化やデータの消去などが起きない低いパワーに抑えることができる。また、強度フィルタを光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成した場合には、再生時には、光源からの光の経路に強度フィルタを挿入することで、半導体レーザの元パワーを、量子雑音が十分に低くなるパワーに設定しつつ、盤面パワーを光ディスクの劣化やデータの消去などが起きない低いパワーに抑えて再生を行うことができ、記録時には、半導体レーザの元パワーをそのまま用いて記録を行うことができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３０】
図１はこの発明の第１の実施形態による光ディスク装置を示す。
【００３１】
図１に示すように、この光ディスク装置は、光源としての半導体レーザ１の出射光を光ディスク２に導くとともに、この光ディスク２による反射光（信号光）を検出するための光学系、すなわち、ビームスプリッタ３、コリメートレンズ４、ミラー５、対物レンズ６、マルチレンズ７および信号光検出用受光素子としてのフォトダイオードＩＣ８を備えている。半導体レーザ１としては、青色発光の半導体レーザ、具体的には、ＧａＮ系の半導体レーザが用いられる。
【００３２】
この光ディスク装置においては、従来の光ディスク装置と同様な上述の構成に加えて、強度フィルタ９が、半導体レーザ１の出射光１０の経路に対して出し入れ可能に設けられている。この強度フィルタ９としては、好適には、半導体レーザ１の出射光１０を吸収する吸収フィルタが用いられる。この強度フィルタ９は、光ディスク２への記録時の半導体レーザ１の出射光１０の元パワーを、光ディスク２の再生時の半導体レーザ１の出射光１０のパワーに減衰させることができるように設計されている。この強度フィルタ９の両主面には、半導体レーザ１の出射光１０の反射を防止するために、好適には、反射防止膜が設けられる。
【００３３】
次に、この光ディスク装置による光ディスクの記録再生方法について説明する。ここで、半導体レーザ１の出射光１０の元パワーは、量子雑音が十分に低くなり、しかも光ディスクへの記録、すなわち書き込みを行うのに必要十分なパワーにあらかじめ設定しておくものとする。
【００３４】
まず、再生時には、半導体レーザ１の出射光１０の経路に強度フィルタ９を挿入しておく。このとき、半導体レーザ１の出射光１０のパワーは、この強度フィルタ９により、光ディスク２の再生時の半導体レーザ１の出射光１０のパワーに減衰する。このようにして強度フィルタ９によりパワーが調整された出射光１０は、ビームスプリッタ３を経てコリメートレンズ４により平行光とされ、ミラー５で反射された後、対物レンズ６により集光されて光ディスク２に入射する。そして、この光ディスク２で反射された信号光１１が対物レンズ６、ミラー５、コリメートレンズ４、ビームスプリッタ３およびマルチレンズ７を経てフォトダイオードＩＣ８に入射し、ここで電気信号に変換され、光ディスク２に書き込まれた情報が再生される。
【００３５】
また、記録時には、半導体レーザ１の出射光１０の経路から強度フィルタ９を外しておく。このとき、半導体レーザ１からの出射光１０はそのまま、ビームスプリッタ３を経てコリメートレンズ４により平行光とされ、ミラー５で反射された後、対物レンズ６により集光されて光ディスク２に入射し、書き込みが行われる。
【００３６】
以上のように、この第１の実施形態によれば、半導体レーザ１の出射光１０の経路に対して出し入れ可能に強度フィルタ９を設け、再生時には強度フィルタ９を出射光１０の経路に挿入し、記録時には強度フィルタ９を出射光１０の経路から外すようにしていることにより、青色発光の半導体レーザ１を用いた場合に、盤面パワーを光ディスクの劣化やデータの消去などが起こらないように低く抑えつつ、半導体レーザ１の元パワーを再生時の量子雑音を十分に低くすることができる高いパワーに設定することができ、低雑音で良質の再生を行うことができる。また、半導体レーザ１の元パワーを必要以上に上げる必要がなく、半導体レーザ１に過度の負担をかけないで済む。しかも、従来の光ディスク装置に強度フィルタ９を追加するだけでよいので、光ディスク装置の構成を複雑化させることもコストを上昇させることもない。
【００３７】
図２はこの発明の第２の実施形態による光ディスク装置を示す。
【００３８】
図２に示すように、この光ディスク装置は、光源としての半導体レーザ１の出射光を光ディスク２に導くとともに、この光ディスク２による反射光（信号光）を検出するための光学系、すなわち、ビームスプリッタ３、コリメートレンズ４、ミラー５、対物レンズ６、マルチレンズ７および信号光検出用受光素子としてのフォトダイオードＩＣ８を備えている。半導体レーザ１としては、青色発光の半導体レーザ、具体的には、ＧａＮ系の半導体レーザが用いられる。
【００３９】
この光ディスク装置においては、従来の光ディスク装置と同様な上述の構成に加えて、同一面上に一体に並列配置された強度フィルタ９および透明板１２が、半導体レーザ１の出射光１０の経路に対して出し入れ可能に設けられている。この場合、これらの強度フィルタ９および透明板１２は、半導体レーザ１の出射光１０の非点隔差を補正するために、半導体レーザ１の出射光１０に対して所定角度傾斜して設けられている。強度フィルタ９としては、好適には、半導体レーザ１の出射光１０を吸収する吸収フィルタが用いられる。この強度フィルタ９は、光ディスク２への記録時の半導体レーザ１の出射光１０のパワーを、光ディスク２の再生時の半導体レーザ１の出射光１０のパワーに減衰させることができるように設計されている。
【００４０】
強度フィルタ９および透明板１２の具体的な構成例を図３に示す。図３に示すように、この例では、透明ガラス板１３の一方の主面の片側半分に例えばＣｒＯ膜などの吸収膜１４が設けられており、この吸収膜１４が設けられている部分が強度フィルタ９を構成し、吸収膜１４が設けられていない透明ガラス板１３だけの部分が透明板１２を構成する。
【００４１】
次に、この光ディスク装置による光ディスクの記録再生方法について説明する。ここで、半導体レーザ１の出射光１０の元パワーは、量子雑音が十分に低くなり、しかも光ディスクへの記録、すなわち書き込みを行うのに必要十分なパワーにあらかじめ設定しておくものとする。
【００４２】
まず、再生時には、半導体レーザ１の出射光１０の経路に強度フィルタ９を挿入しておく。このとき、半導体レーザ１の出射光１０のパワーは、この強度フィルタ９により、光ディスク２の再生時の半導体レーザ１の出射光１０のパワーに減衰する。このようにして強度フィルタ９によりパワーが調整された出射光１０は、ビームスプリッタ３を経てコリメートレンズ４により平行光とされ、ミラー５で反射された後、対物レンズ６により集光されて光ディスク２に入射する。そして、この光ディスク２で反射された信号光１１が対物レンズ６、ミラー５、コリメートレンズ４、ビームスプリッタ３およびマルチレンズ７を経てフォトダイオードＩＣ８に入射し、ここで電気信号に変換され、光ディスク２に書き込まれた情報が再生される。
【００４３】
また、記録時には、半導体レーザ１の出射光１０の経路に透明板１２を挿入しておく。このとき、半導体レーザ１の出射光１０は、この透明板１２を透過し、ビームスプリッタ３を経てコリメートレンズ４により平行光とされ、ミラー５で反射された後、対物レンズ６により集光されて光ディスク２に入射し、書き込みが行われる。
【００４４】
以上のように、この第２の実施形態によれば、半導体レーザ１の出射光１０の経路に対して出し入れ可能に強度フィルタ９および透明板１２を設け、再生時には強度フィルタ９を出射光１０の経路に挿入し、記録時には透明板１２を出射光１０の経路に挿入するようにしていることにより、青色発光の半導体レーザ１を用いた場合に、盤面パワーを光ディスクの劣化やデータの消去などが起こらないように十分に低く抑えつつ、半導体レーザ１の元パワーを再生時の量子雑音を十分に低くすることができる高いパワーに設定することができ、低雑音で良質な再生を行うことができる。また、半導体レーザ１の元パワーを必要以上に上げる必要がなく、半導体レーザ１に過度の負担をかけないで済む。さらに、強度フィルタ９および透明板１２は、半導体レーザ１の出射光１０に対して所定角度傾斜して設けているので、半導体レーザ１の出射光１０の非点隔差を補正することができ、書き込みおよび読み出し特性の向上を図ることができる。しかも、従来の光ディスク装置に強度フィルタ９および透明板１２を追加するだけでよいので、光ディスク装置の構成を複雑化させることもコストを上昇させることもない。
【００４５】
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００４６】
例えば、上述の実施形態において挙げた数値や光学系の構成などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値や光学系の構成などを用いてもよい。
【００４７】
また、例えば、上述の第２の実施形態における強度フィルタ９および透明板１２の代わりに、図４に示すようなものを用いてもよい。図４に示すように、この例では、透明ガラス板１３の一方の主面の片側半分には膜厚が大きいＣｒＯ膜などの吸収膜１４ａが設けられ、他の半分には膜厚が小さいＣｒＯ膜などの吸収膜１４ｂが設けられており、吸収膜１４ａが設けられた部分が第１の強度フィルタ１５を構成し、吸収膜１４ｂが設けられた部分が第２の強度フィルタ１６を構成する。ここで、膜厚が大きい方の吸収膜１４ａの膜厚は、半導体レーザ１の元パワーを再生時に用いるパワーに落とすことができる膜厚に設定され、膜厚が小さい方の吸収膜１４ｂの膜厚は、この吸収膜１４ｂを通った後の出射光１０のパワーが書き込み時に用いるパワーとなる膜厚に設定される。この場合、再生時には、厚い吸収膜１４ａが設けられた第１の強度フィルタ１５が半導体レーザ１の出射光１０の経路に挿入され、記録時には、薄い吸収膜１４ｂが設けられた第２の強度フィルタ１６が半導体レーザ１の出射光１０の経路に挿入される。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明による光ピックアップ装置および光ディスク装置によれば、光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有することにより、光源として短波長の半導体レーザを用いた場合、光ディスクの盤面パワーを低く抑えて光ディスクの劣化やデータの消去などが起きるのを防止しつつ、半導体レーザの量子雑音を低く抑えて低雑音で良質の再生を行うことができる。あるいは、再生時には、光ディスクの盤面パワーを低く抑えて光ディスクの劣化やデータの消去などが起きるのを防止しつつ、半導体レーザの量子雑音を低く抑えて低雑音で良質の再生を行うことができるとともに、記録時には、半導体レーザの元パワーを必要以上に上げずに記録を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による光ディスク装置の光学系を示す略線図である。
【図２】この発明の第２の実施形態による光ディスク装置の光学系を示す略線図である。
【図３】この発明の第２の実施形態による光ディスク装置において用いられる強度フィルタおよび透明板の構成例を示す断面図である。
【図４】この発明の第２の実施形態の変形例を説明するための断面図である。
【図５】従来の光ディスク装置の光学系を示す略線図である。
【符号の説明】
１・・・半導体レーザ、２・・・光ディスク、６・・・対物レンズ、８・・・フォトダイオードＩＣ、９・・・強度フィルタ、１０・・・出射光、１１・・・信号光、１２・・・透明板、１３・・・透明ガラス板、１４、１４ａ、１４ｂ・・・吸収膜、１５・・・第１の強度フィルタ、１６・・・第２の強度フィルタ

Claims

緑色から紫外線の波長領域で発光可能な半導体レーザからなる光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有し、
上記強度フィルタは上記光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成され、
上記強度フィルタは上記出し入れする方向に透明板と一体に同一面上に並列配置され、
上記強度フィルタおよび上記透明板は上記光源からの光の非点隔差を補正するために上記光源からの光の経路に対して所定角度傾斜して設けられている光ピックアップ装置。
緑色から紫外線の波長領域で発光可能な半導体レーザからなる光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有し、
上記強度フィルタは上記光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成され、
上記強度フィルタは上記出し入れする方向に同一面上に一体に並列配置された第１の強度フィルタおよびこの第１の強度フィルタよりも光強度の減衰率が小さい第２の強度フィルタからなり、
上記第１の強度フィルタおよび上記第２の強度フィルタは上記光源からの光の非点隔差を補正するために上記光源からの光の経路に対して所定角度傾斜して設けられている光ピックアップ装置。
上記強度フィルタは吸収フィルタである請求項１または２記載の光ピックアップ装置。
上記半導体レーザは青色で発光可能な半導体レーザである請求項１〜３のいずれか一項記載の光ピックアップ装置。
緑色から紫外線の波長領域で発光可能な半導体レーザからなる光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有し、上記強度フィルタは上記光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成され、上記強度フィルタは上記出し入れする方向に透明板と一体に同一面上に並列配置され、上記強度フィルタおよび上記透明板は上記光源からの光の非点隔差を補正するために上記光源からの光の経路に対して所定角度傾斜して設けられている光ピックアップ装置を備えている光ディスク装置。
緑色から紫外線の波長領域で発光可能な半導体レーザからなる光源からの光の強度を減衰させるための強度フィルタを有し、上記強度フィルタは上記光源からの光の経路に対して出し入れ可能に構成され、上記強度フィルタは上記出し入れする方向に同一面上に一体に並列配置された第１の強度フィルタおよびこの第１の強度フィルタよりも光強度の減衰率が小さい第２の強度フィルタからなり、上記第１の強度フィルタおよび上記第２の強度フィルタは上記光源からの光の非点隔差を補正するために上記光源からの光の経路に対して所定角度傾斜して設けられている光ピックアップ装置を備えている光ディスク装置。
再生時に上記光源からの光の経路に上記強度フィルタを挿入し、記録時に上記光源からの光の経路に上記透明板を挿入するようにした請求項５記載の光ディスク装置。
再生時に上記光源からの光の経路に上記第１の強度フィルタを挿入し、記録時に上記光源からの光の経路に上記第２の強度フィルタを挿入するようにした請求項６記載の光ディスク装置。
上記強度フィルタは吸収フィルタである請求項５〜８のいずれか一項記載の光ディスク装置。
上記半導体レーザは青色で発光可能な半導体レーザである請求項５〜９のいずれか一項記載の光ディスク装置。