JP4255775B2

JP4255775B2 - 回路基板検査装置

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Publication number: JP4255775B2
Application number: JP2003206414A
Authority: JP
Inventors: 義典佐藤
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2003-08-07
Filing date: 2003-08-07
Publication date: 2009-04-15
Anticipated expiration: 2023-08-07
Also published as: JP2005055212A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、測定対象の回路基板における導体パターンと基準電極との間の静電容量を測定して回路基板を検査可能に構成された回路基板検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の回路基板検査装置として、出願人は、特開２００３−１４８０７号公報に開示された回路基板検査装置を開発している。この回路基板検査装置は、同公報中の図３に示す導体パターンＣＰ１，ＣＰ２と、同公報中の図２に示す電極２ｂとの間の対電極間静電容量ＣCPを測定して回路基板Ｐを検査する回路基板検査装置１であって、同公報中の図２に示す構成を備えている。この回路基板検査装置１は、同公報中の図１に示すフローチャートに従って作動して、まず、一例として、移動機構５ａが導体パターンＣＰ１の測定ポイントＴＰ１に検査用プローブ３を接触させる。次に、制御部６が検査用プローブ３と電極２ｂとの間に検査用の信号としての交流電圧を出力して導体パターンＣＰ１と電極２ｂとの間の対電極間静電容量ＣTC1 を仮測定し、その測定結果に基づいて測定レンジを決定して設定する。次いで、制御部６は、移動機構５ａを制御して検査用プローブ３を測定ポイントＴＰ１から微少距離だけ離間（上動）させ、その状態で測定ポイントＴＰ１での浮遊容量ＣS1を測定してＲＡＭ７に保存させる。
【０００３】
次に、制御部６は、移動機構５ａを制御して検査用プローブ３を測定ポイントＴＰ１に再度接触させた状態で導体パターンＣＰ１と電極２ｂとの間の対電極間静電容量ＣPR1 を測定する。次いで、制御部６は、対電極間静電容量ＣPR1 から浮遊容量（基準静電容量）ＣS1を差し引くことにより、差分（ＣPR1 −ＣS1）を浮遊容量の影響を排除した導体パターンＣＰ１についての正規な対電極間静電容量ＣCP1 としてＲＡＭ７に保存させる。この後、制御部６は、すべての導体パターンＣＰについて上記の処理を実行して各導体パターンＣＰについての正規な対電極間静電容量ＣCPをＲＡＭ７に順次保存させる。次に、制御部６は、ＲＡＭ７に保存させた各対電極間静電容量ＣCPが対応する基準データに対して所定範囲内（例えば、±１０％以内）のときに、その導体パターンＣＰに断線および短絡が存在しないと判別する判別処理を実行する。この判別処理をすべての導体パターンＣＰに対して順次実行することにより、回路基板Ｐが検査される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−１４８０７号公報（第５−６頁、第１−３図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、出願人が開示している従来の回路基板検査装置１には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、従来の回路基板検査装置１では、検査用プローブ３を測定ポイントＴＰから微少距離だけ浮かせた状態で測定ポイントＴＰについての浮遊容量ＣS を測定している。この場合、浮遊容量ＣS が測定ポイントＴＰに近づくほど（測定ポイントＴＰからの距離に反比例して）増加するため、なるべく測定ポイントＴＰに近い位置で測定するのが好ましい。しかしながら、検査用プローブ３を測定ポイントＴＰに接触させずにぎりぎりの位置に移動させるのは、回路基板検査装置１や回路基板Ｐの加工精度には常に誤差が存在することを考慮すれば、現実的には極めて困難な制御となる。このため、従来の回路基板検査装置１では、回路基板検査装置１や回路基板Ｐの加工精度による誤差の存在下においても、検査用プローブ３を測定ポイントＴＰから確実に浮かせられるように、一例として測定ポイントＴＰから０．５ｍｍ程度の距離だけ上方の位置を浮遊容量ＣS を測定するための位置として規定している。したがって、従来の回路基板検査装置１では、測定した浮遊容量ＣS 内にこの０．５ｍｍ分の誤差が常に含まれている（０．５ｍｍ分だけその値が少なくなる）ことに起因して、回路基板Ｐを高精度で検査するのが困難であり、この点を改善するのが好ましい。
【０００６】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査対象の回路基板について高精度で検査し得る回路基板検査装置を提供することを主目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、プローブと、当該プローブを移動させて測定対象の回路基板における導体パターンに接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび基準電極間の静電容量を測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された静電容量に基づいて前記回路基板を検査する制御部と、当該測定された静電容量を保存可能な記憶部とを備え、前記制御部は、前記プローブ移動機構を制御して前記回路基板における特定部位に対する垂直方向の距離が異なる少なくとも２つの位置に前記プローブを移動させて、当該各位置における静電容量を前記測定部に対して測定させると共に、当該測定された当該各位置における前記各静電容量および前記距離に基づいて、前記距離がほぼゼロとなる位置における前記静電容量を算出して前記特定部位についての浮遊容量として前記記憶部に保存する浮遊容量算出処理を実行可能に構成されている。なお、本明細書において「垂直方向の距離」には、完全に垂直方向の距離と、ほぼ垂直方向の距離との両者が含まれる。
【０００８】
請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記制御部は、前記回路基板における複数の前記特定部位に対して前記浮遊容量算出処理を実行することによって当該各特定部位の前記浮遊容量を算出して前記記憶部に保存する。
【０００９】
請求項３記載の回路基板検査装置は、請求項１または２記載の回路基板検査装置において、前記制御部は、前記導体パターンに前記プローブを接触させる際に、当該プローブ移動機構を制御して当該導体パターンに向けて当該プローブを移動させつつ、前記測定部に対して前記静電容量を測定させて、当該測定された静電容量が前記特定部位についての前記浮遊容量を超えたときに当該プローブが前記導体パターンに接触したと判別する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る回路基板検査装置の好適な発明の実施の形態について説明する。
【００１１】
最初に、本発明を適用した回路基板検査装置１の構成について、図１を参照して説明する。
【００１２】
同図に示すように、回路基板検査装置１は、電極部２、検査用のプローブ３，４、プローブ移動機構（以下、「移動機構」ともいう）５ａ，５ｂ、測定部６、制御部７、ＲＡＭ８およびＲＯＭ９を備えて構成されている。電極部２は、その表面に絶縁フィルム２ａが貼付された平板状の電極２ｂを有して検査対象の回路基板Ｐを載置可能に構成されている。この場合、電極２ｂは、本発明における基準電極の一例であって、測定部６に接続されている。プローブ３，４は、接触型プローブであって、プローブ固定具３ａ，４ａを介して移動機構５ａ，５ｂにそれぞれ取り付けられると共に測定部６に接続されている。移動機構５ａ，５ｂは、制御部７の制御下でプローブ３，４を上下左右に移動させることにより、プローブ３，４の先端部を、回路基板Ｐの表面、および回路基板Ｐの上方領域の任意の位置に移動可能に構成されている。例えば、移動機構５ａ，５ｂは、回路基板Ｐの表面に形成された各導体パターン上に予め設定されている測定ポイント（本発明における特定部位の一例）にプローブ３，４の先端部を接触させる。
【００１３】
測定部６は、制御部７の制御に従ってプローブ３および電極部２（電極２ｂ）を介して回路基板Ｐに検査用の信号としての測定用交流信号を出力して、出力した測定用交流信号の電圧についての位相とその回路基板Ｐおよび電極２ｂ間を流れる電流についての位相との間の位相差を測定して、測定用交流信号の電圧、測定用交流信号の電流、および測定した位相差に基づいてプローブ３および電極２ｂ間の静電容量Ｃを測定する。
【００１４】
制御部７は、移動機構５ａ，５ｂおよび測定部６の動作を制御することにより、測定ポイントについての浮遊容量ＣS を測定してＲＡＭ８に保存する浮遊容量算出処理と、プローブ３，４を導体パターンにおける測定ポイントに接触させたときに測定させた静電容量Ｃと浮遊容量ＣS とに基づいてその導体パターンについての正規な静電容量Ｃｆを算出してＲＡＭ８に保存する静電容量測定処理と、ＲＡＭ８に保存した静電容量Ｃｆに基づいて回路基板Ｐを検査する検査処理とを実行する。ここで、正規な静電容量Ｃｆとは、浮遊容量ＣS の影響を排除した静電容量をいう。ＲＡＭ８は、本発明における記憶部に相当し、測定部６から出力される静電容量Ｃ、プローブ３，４を接触させるべき導体パターンの位置（測定ポイントの位置）を特定可能な位置データ、および良品の基板から吸収した各測定ポイントの検査用の基準データなどを記憶する。ＲＯＭ９は、制御部７の動作プログラムを記憶する。
【００１５】
次に、回路基板検査装置１による回路基板Ｐの検査方法について、図面を参照して説明する。なお、この回路基板検査装置１は、出願人が開示している従来の回路基板検査装置１と同様にして、プローブ３，４を使用した導体パターンの導通検査等を実行可能に構成されているが、その導通検査等自体の説明については、本発明についての理解を容易とするために省略する。
【００１６】
まず、図１に示すように、導体パターンの形成面を表面側（上向き）にして回路基板Ｐを電極部２（具体的には、絶縁フィルム２ａ）の上に載置する。次に、制御部７が、図４に示す浮遊容量算出処理を開始する。この処理では、制御部７は、例えば移動機構５ａを制御することにより、検査すべき導体パターンにおける測定ポイントに対して垂直方向に離れた位置に設定された（この例では、測定ポイントの上方に設定された）位置Ｗ（図２参照）にプローブ３を移動させる（ステップ５０）。なお、この位置Ｗは、回路基板Ｐを横向き状態で検査する際には、測定ポイントから横方向に離れた位置に設定される。次いで、制御部７は、測定部６に対して位置Ｗにおける静電容量Ｃ（以下、「静電容量Ｃ１」ともいう）を測定させると共に測定された静電容量Ｃ１を位置Ｗの高さ（回路基板Ｐの表面からプローブ３の先端までの距離）Ｈ１と共にＲＡＭ８に保存する（ステップ５１）。続いて、制御部７は、移動機構５ａを制御してプローブ３を位置Ｗから下方に移動させることにより、測定ポイントの上方に設定された位置Ｘ（図２参照）にプローブ３を移動させる（ステップ５２）。次いで、制御部７は、測定部６に対して位置Ｘにおける静電容量Ｃ（以下、「静電容量Ｃ２」ともいう）を測定させると共に測定された静電容量Ｃ２を位置Ｘの高さ（回路基板Ｐの表面からプローブ３の先端までの距離）Ｈ２と共にＲＡＭ８に保存する（ステップ５３）。
【００１７】
続いて、制御部７は、ＲＡＭ８に保存されている位置Ｗに対応する静電容量Ｃ１および高さＨ１と、位置Ｘに対応する静電容量Ｃ２および高さＨ２とに基づいて、測定ポイントからの高さＨ３（回路基板Ｐの表面からプローブ３の先端までの距離）がほぼゼロとなる位置Ｙ（図２参照）における静電容量Ｃを算出して、算出した静電容量Ｃを浮遊容量ＣS としてＲＡＭ８に保存する（ステップ５４）。この浮遊容量ＣS の算出に際して、制御部７は、一例として、まず、図３に示すように、位置Ｗに対応する静電容量Ｃ１および高さＨ１と、位置Ｘに対応する静電容量Ｃ２および高さＨ２とに基づいて、ａ（Ｈ１，Ｃ１）およびｂ（Ｈ２，Ｃ２）の各点を通過する直線Ｌを示す数式（回路基板Ｐの表面からの高さ（距離）Ｈを変数とする静電容量Ｃの算出式）を求める。次いで、制御部７は、求めた数式を用いて高さＨをゼロとしたときの静電容量Ｃを算出して、算出した静電容量Ｃをこの測定ポイントＰｍ（特定部位）についての浮遊容量ＣS としてＲＡＭ８に保存する。この方法によれば、プローブ３を実際に位置Ｙに移動させることなく、測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS を正確に算出することができる。以上により、浮遊容量算出処理が完了する。
【００１８】
この場合、発明者の実験によれば、一例として、回路基板Ｐからの高さＨ１が０．４ｍｍのときの静電容量Ｃ１は５０１．０ｆＦ、高さＨ２が０．２ｍｍのときの静電容量Ｃ２は５１０．５ｆＦ、高さＨ３が０．０ｍｍのときの静電容量Ｃ３は５２１．０ｆＦであった。一方、高さＨ１が０．４ｍｍのときの静電容量Ｃ１（５０１．０ｆＦ）と、高さＨ２が０．２ｍｍのときの静電容量Ｃ２（５１０．５ｆＦ）とに基づいて、上記の浮遊容量算出処理によって算出される浮遊容量ＣS は、５２０．０ｆＦとなる。したがって、実測した静電容量Ｃ３（５２１．０ｆＦ）との差が僅か１ｆＦであることが確認される。
【００１９】
なお、位置Ｗにおける静電容量Ｃ１および高さＨ１と、位置Ｘにおける静電容量Ｃ２および高さＨ２とに基づいて、理論上の浮遊容量ＣS を算出する方法としては、上記の方法以外にも、各種算出方法を採用することができる。例えば、位置Ｗの高さＨ１を位置Ｘの高さＨ２の２倍に予め設定しておき、位置Ｘにおける静電容量Ｃ２から位置Ｗにおける静電容量Ｃ１を減算した値を位置Ｘにおける静電容量Ｃ２に加算する算出方法などを採用することができる。
【００２０】
次に、制御部７は、図５に示す静電容量測定処理を開始する。この処理では、制御部７は、移動機構５ａを制御して測定ポイントＰｍの上方の位置（一例として、測定ポイントＰｍの上方の位置Ｗとする）にプローブ３を移動させる（ステップ６０）。次いで、制御部７は、移動機構５ａを制御して、プローブ３の測定ポイントＰｍへの移動を開始させる（ステップ６１）。また、制御部７は、プローブ３を移動させつつ、測定部６に対して静電容量Ｃを繰り返し測定させると共に（ステップ６２）、静電容量Ｃを測定させた都度、その静電容量ＣとＲＡＭ８に保存した浮遊容量ＣS とを比較する（ステップ６３）。制御部７は、ステップ６２，６３を繰り返している際に、ステップ６３において、静電容量Ｃが浮遊容量ＣS を超えたと判別したときには、プローブ３が導体パターンの測定ポイントＰｍに接触したと判別して、移動機構５ａを制御してプローブ３の移動（この例では下動）を直ちに停止させる（ステップ６４）。続いて、制御部７は、浮遊容量ＣS を超えた直後に測定された静電容量Ｃから浮遊容量ＣS を減算すると共に、この減算して求めた静電容量をその測定ポイントＰｍについての正規の静電容量ＣｆとしてＲＡＭ８に保存して（ステップ６５）、この静電容量測定処理を終了する。
【００２１】
次に、制御部７は、ＲＡＭ８に保存した正規の静電容量Ｃｆと、ＲＡＭ８に保存されている良品の基板から吸収した検査用の基準データとに基づいて、正規の静電容量Ｃｆを測定した導体パターンに対する検査処理を実行する。具体的には、制御部７は、正規の静電容量Ｃｆと基準データとを比較して、正規な静電容量Ｃｆが基準データとしての上下限値の範囲内（所定範囲内：例えば、基準値の±２０％以内）のときに、その導体パターンに断線および短絡が存在しないと判別する。逆に、正規の静電容量Ｃｆが上限値（例えば、＋２０％）を超えるときには、その導体パターンに短絡が存在し、正規な静電容量Ｃｆが下限値（例えば、−２０％）未満のときには、その導体パターンに断線が存在すると判別する。この後、制御部７は、他のすべての導体パターンについても、上記した各処理（浮遊容量算出処理、静電容量測定処理および検査処理）を順次実行する。これにより、回路基板Ｐの検査処理が完了する。なお、一例として、プローブ３を使用した静電容量Ｃの測定について説明したが、プローブ３と同様にしてプローブ４を用いて静電容量Ｃの測定を行う場合についても同様であり、通常は、回路基板Ｐに形成された検査対象となる全ての導体パターンについての正規の静電容量Ｃｆの測定時間を短縮すべく、プローブ３，４を並列に動作させる。
【００２２】
このように、この回路基板検査装置１によれば、制御部７が、移動機構５ａ，５ｂを制御して回路基板Ｐの測定ポイントＰｍの上方における高さ（距離）が異なる例えば２つの位置Ｗ，Ｘにプローブ３，４を移動させて、各位置Ｗ，Ｘにおける静電容量Ｃ１，Ｃ２を測定部６に対して測定させると共に、測定された各位置Ｗ，Ｘにおける各静電容量Ｃ１，Ｃ２と各高さＨ１，Ｈ２とに基づいて、測定ポイントＰｍの上方における高さ（距離）がほぼゼロとなる位置Ｙにおける静電容量Ｃを算出して、この測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS としてＲＡＭ８に保存する浮遊容量算出処理を実行することにより、測定ポイントＰｍの上方の位置であって、この測定ポイントＰｍの近傍部位にプローブ３（またはプローブ４）を移動させて浮遊容量を測定する従来の方法と比較して、測定ポイントＰｍにより近い位置での浮遊容量ＣS を正確に測定することができる。したがって、導体パターンについての正規な静電容量Ｃｆを一層正確に測定することができる結果、回路基板Ｐを高精度で検査することができる。
【００２３】
また、この回路基板検査装置１によれば、制御部７が回路基板Ｐの複数の導体パターン毎に設定された各測定ポイントＰｍにおいて浮遊容量算出処理を実行して各測定ポイントＰｍの浮遊容量ＣS を算出してＲＡＭ８に保存することにより、導体パターン毎に浮遊容量ＣS にばらつきが生じるときであっても、各導体パターンについての正規な静電容量Ｃｆを正確に測定することができる。したがって、回路基板Ｐを一層高精度に検査することができる。
【００２４】
また、この回路基板検査装置１によれば、制御部７が、導体パターンにプローブ３，４を接触させる際に、移動機構５ａ，５ｂを制御してその導体パターンの上方からその導体パターンに向けてプローブ３，４を移動させつつ、測定部６に対して静電容量Ｃを測定させて、その静電容量Ｃがその測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS を超えたときにプローブ３，４が導体パターンに接触したと判別することにより、移動機構５ａ，５ｂによるプローブ３，４の移動量に基づいてプローブ３，４が導体パターンに接触したことを判別する方法と比較して、プローブ３，４と導体パターンとの接触によって生じる静電容量の変化という実際の現象に基づいてプローブ３，４と導体パターンとの接触の有無を判別することができる結果、プローブ３，４と導体パターンとの接触を一層確実に判別することができる。
【００２５】
なお、本発明は、上記した本発明の実施の形態に示した構成に限定されない。例えば、本発明の実施の形態では、浮遊容量算出処理と静電容量測定処理とを分けて実行する構成の回路基板検査装置１を例に挙げて説明したが、プローブ３を測定ポイントＰｍへ移動させている際に、上記した浮遊容量算出処理と静電容量測定処理とを連続して実行させる構成を採用することもできる。具体的には、制御部７が、移動機構５ａ，５ｂを制御してプローブ３を回路基板Ｐに向けて移動させると共に、このプローブ３の移動中において、浮遊容量算出処理を実行して、図２に示す位置Ｗにプローブ３が達したときに、測定部６に対して測定させた静電容量Ｃを静電容量Ｃ１としてＲＡＭ８に保存し、図２に示す位置Ｘにプローブ３が達したときに、測定部６に対して測定させた静電容量Ｃを静電容量Ｃ２としてＲＡＭ８に保存する。その後、制御部７は、位置Ｗ，Ｘについての各静電容量Ｃ１，Ｃ２および高さＨ１，Ｈ２に基づいて浮遊容量ＣS を直ちに算出してＲＡＭ８に保存する。その後、制御部７は、引き続き、この浮遊容量ＣS を用いた静電容量測定処理を開始させる。このように構成することにより、プローブ３を測定ポイントＰｍに一回接触させる間に、正規な静電容量Ｃｆを測定してＲＡＭ８に保存させることができる。また、３つ以上の位置にプローブ３を移動させて、その各位置における静電容量を測定して、各位置における各静電容量および垂直方向の距離に基づいて、その距離がほぼゼロとなる位置における静電容量を算出することもできる。
【００２６】
また、本発明の実施の形態では、回路基板Ｐの検査対象となる全ての導体パターンの測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS を測定する構成を採用した例について説明したが、例えば、導体パターンの形状がほぼ均一である回路基板（例えば、多数の単独パットが表面に形成されたＣＰＵ搭載用の回路基板）については、各導体パターンの測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS がほぼ同じになる。このような回路基板に対しては、いずれか一つの導体パターンについての浮遊容量ＣS を測定して、他の導体パターンの浮遊容量ＣS として用いることができる。さらに、回路基板によっては、例えば、中央の領域、および四隅の各領域毎に、浮遊容量ＣS がほぼ揃っていることがあり、このような回路基板に対しては、各領域毎に任意の一つの測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS を測定して、同一領域内の他の測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS として用いることもできる。また、本発明の実施の形態では、回路基板Ｐの検査対象となる全ての導体パターンの測定ポイントＰｍを特定部位とした例について説明したが、回路基板によっては、導体パターンの測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS と、導体パターン以外の部位についての浮遊容量ＣS とがほぼ同じになるものがあり、このような回路基板においては、測定ポイントＰｍ以外の部位を特定部位として、この部位についての浮遊容量ＣS を導体パターンの測定ポイントＰｍについての浮遊容量ＣS として用いることができる。
【００２７】
さらに、本発明の実施の形態では、電極２ｂを有する電極部２を備えた回路基板検査装置１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、検査対象の回路基板におけるパターン（例えばグランドパターンや電源パターン等のいわゆるベタパターンや通常の信号パターンなど）を本発明における基準電極として使用する構成を採用することができる。具体的には、電極部２に代えて、例えば上記のベタパターンに電気的に接触可能なプローブを配設して、プローブ３と、ベタパターンに接触させたプローブとの間に測定用信号を出力して静電容量を測定可能に構成する。
【００２８】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の回路基板検査装置によれば、プローブ移動機構を制御して回路基板における特定部位に対する垂直方向の距離が異なる２つの位置にプローブを移動させて、各位置における静電容量を測定部に対して測定させると共に、測定された各位置における各静電容量および距離に基づいて、距離がほぼゼロとなる位置における静電容量を算出して特定部位についての浮遊容量として記憶部に保存する浮遊容量算出処理を実行することにより、測定ポイントから離れた位置であって、この測定ポイントの近傍部位にプローブを移動させて浮遊容量を測定する従来の方法と比較して、特定部位により近い位置での浮遊容量を正確に測定することができる。したがって、導体パターンについての正規な静電容量を一層正確に測定することができる結果、回路基板を高精度で検査することができる。
【００２９】
また、請求項２記載の回路基板検査装置によれば、回路基板における複数の特定部位に対して浮遊容量算出処理を実行することによって各特定部位の浮遊容量を算出して記憶部に保存することにより、回路基板の部位（領域または導体パターン）毎に浮遊容量にばらつきが生じるときであっても、各部位を特定部位とすることにより、各導体パターンについての正規な静電容量を正確に測定することができる。したがって、その部位（領域または導体パターン）毎に浮遊容量にばらつきが生じる回路基板に対しても、一層高精度に検査することができる。
【００３０】
さらに、請求項３記載の回路基板検査装置によれば、導体パターンにプローブを接触させる際に、プローブ移動機構を制御して導体パターンに向けてプローブを移動させつつ、測定部に対して静電容量を測定させて、測定された静電容量が特定部位についての浮遊容量を超えたときにプローブが導体パターンに接触したと判別することにより、プローブ移動機構によるプローブの移動量に基づいてプローブが導体パターンに接触したことを判別する方法と比較して、プローブと導体パターンとの接触によって生じる静電容量の変化という実際の現象に基づいてプローブと導体パターンとの接触の有無を判別することができる結果、プローブと導体パターンとの接触を一層確実に判別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る回路基板検査装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】浮遊容量算出処理を説明するための説明図である。
【図３】回路基板Ｐからの高さＨと静電容量Ｃとの関係を示す特性図である。
【図４】浮遊容量算出処理を示すフローチャートである。
【図５】静電容量測定処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１回路基板検査装置
２電極部
２ａ絶縁フィルム
２ｂ電極
３，４プローブ
５ａ，５ｂプローブ移動機構
６測定部
７制御部
８ＲＡＭ
Ｗ，Ｘ，Ｙ位置
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２静電容量
Ｃs 浮遊容量
Ｃf 正規の静電容量
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３高さ
Ｐ回路基板
Ｐｍ測定ポイント

Claims

プローブと、当該プローブを移動させて測定対象の回路基板における導体パターンに接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび基準電極間の静電容量を測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された静電容量に基づいて前記回路基板を検査する制御部と、当該測定された静電容量を保存可能な記憶部とを備え、
前記制御部は、前記プローブ移動機構を制御して前記回路基板における特定部位に対する垂直方向の距離が異なる少なくとも２つの位置に前記プローブを移動させて、当該各位置における静電容量を前記測定部に対して測定させると共に、当該測定された当該各位置における前記各静電容量および前記距離に基づいて、前記距離がほぼゼロとなる位置における前記静電容量を算出して前記特定部位についての浮遊容量として前記記憶部に保存する浮遊容量算出処理を実行可能に構成されている回路基板検査装置。
前記制御部は、前記回路基板における複数の前記特定部位に対して前記浮遊容量算出処理を実行することによって当該各特定部位の前記浮遊容量を算出して前記記憶部に保存する請求項１記載の回路基板検査装置。
前記制御部は、前記導体パターンに前記プローブを接触させる際に、当該プローブ移動機構を制御して当該導体パターンに向けて当該プローブを移動させつつ、前記測定部に対して前記静電容量を測定させて、当該測定された静電容量が前記特定部位についての前記浮遊容量を超えたときに当該プローブが前記導体パターンに接触したと判別する請求項１または２記載の回路基板検査装置。