JP4233453B2 - 多結晶シリコンの溶融速度を向上させるための間欠的供給技術 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 368
- 230000008018 melting Effects 0.000 title claims description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 137
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 137
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 117
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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Description
本発明は、一般に、単結晶シリコンの製造、特に、シリコン溶融物(silicon melt)を調製しながら粒状多結晶シリコンを供給する方法に関する。
この発明の目的には、多結晶シリコンをより迅速に溶融させてシリコン溶融物を調製する方法を提供すること;その溶融物から製造される転位のない単結晶シリコンインゴットの歩留りを維持する単結晶の供給及び溶融方法を提供すること;供給される粒状多結晶シリコンを、シリコン溶融物の中に入れる前に、脱水素化させる供給方法を提供すること;並びに、多結晶シリコンが供給される部位を制御する方法を提供することが含まれる。
この発明では、チョクラルスキー法(CZ)ルツボの中で部分的に溶融した装入物(charge)を形成し、その部分的に溶融した装入物は溶融シリコンと未溶融の多結晶シリコンとを含んでなり、溶融シリコンは上側表面を有しており、並びに、未溶融の多結晶シリコンは前記溶融シリコンの上側表面の上方に露出する部分を有している。一般に、部分的に溶融した装入物は、以下の方法:<a>最初に、ルツボに多結晶シリコンを装入し、装入した多結晶シリコンを加熱して溶融シリコンと未溶融の多結晶シリコンとを形成すること;並びに/又は、<b>消耗した溶融シリコン上に多結晶シリコンを供給して、溶融シリコンと未溶融の多結晶シリコンとを有する部分的装入物を形成すること、の1つ又は組合せによって形成される。本発明によれば、十分に溶融したシリコンを調製するために必要な時間の総和を、連続的供給方法と比べて好ましくは短縮する方法にて、露出する未溶融の多結晶シリコン上に多結晶シリコンを間欠的に分配することによって、ルツボの中へ追加の多結晶シリコンが供給される。以下、図面を参照しながら本発明について説明するが、複数の図面にわたって、同様の部材には同じ符号を付している。
<a>直前のウェッジに隣接して後続の各ウェッジを堆積させ、これを直前のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に行うこと(例えば、図8aに示す6セグメントのフィードパターンを参照のこと(ここでは、ウェッジを堆積させる順序を各ウェッジ内の番号によって示している));
<b>直前のウェッジに隣接して後続の各ウェッジを堆積させ、これを直前のウェッジの堆積の後でのルツボの少なくとも1つの回転に続いて行うこと;
<c>直前のウェッジにほぼ対向させて、かつ、更にもう1つ前回(2回前)のウェッジに隣接させて後続の各ウェッジを堆積させ、これを2回前のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に行うこと(例えば、図9a、9b及び9cに示す3、7及び13セグメントの各フィードパターンを参照のこと);並びに
<d>直前のウェッジにほぼ対向させて、かつ、更にもう1つ前回(2回前)のウェッジに隣接させて後続の各ウェッジを堆積させ、これを2回前のウェッジの堆積の後でのルツボの少なくとも1つの回転に続いて行うこと。
以上の説明は(多結晶シリコンを装入及び供給する)最初の装入、及びルツボ内でシリコン溶融物を形成するその多結晶シリコンの溶融について行ったものであるが、本発明は、消耗した溶融シリコン装入物を有するルツボの再装入(recharging)についても実施することができる。消耗した溶融装入物は一般に、前に形成したシリコン溶融物から単結晶シリコンインゴットを引き上げることによって形成される。インゴットをシリコン溶融物から分離した後、シリコン溶融物の一部はルツボの中に残る。前回形成されたシリコン溶融物から引き上げられたインゴットは、再装入によって形成されるべきシリコン溶融物の約15重量%〜約40重量%の重量(w)を有する消耗したシリコン装入物を残すことが好ましい。消耗したシリコン装入物の重量(w)は、再装入によって形成されるべきシリコン溶融物の約20重量%〜約30重量%であることがより好ましい。本発明によれば、多結晶シリコンを消耗したシリコン装入物上に分配することにより、回転するルツボの中に多結晶シリコンを供給して、溶融シリコン及び未溶融の多結晶シリコンからなる部分的装入物が形成される。溶融シリコンは上側表面を有しており、未溶融の多結晶シリコンは溶融シリコンの上側表面の上方に露出する部分を有している。露出する未溶融の多結晶シリコンは中心部及び幅(d)を有しており、これは溶融シリコンの上側表面と露出する未溶融の多結晶シリコンとの間の境界に沿った2つの点の間の最も長い距離に対応している。
直径20インチ(約51cm)のルツボの中に約40kgの塊状多結晶シリコンを装入し、加熱して溶融シリコン及び未溶融の多結晶シリコンを形成した。ヴァーチカル・タイプの供給チューブを用いて、ルツボの中央線からわずかに(15mm)位置ずれさせ、溶融物の上方約10インチ(約25cm)のところに位置させて、約40kgの粒状多結晶シリコンをルツボの中に供給して、全装入物を約80kgとした。ホッパーからインジェクター・チューブを通してルツボの中への粒状多結晶シリコンの供給速度(f)は、約17グラム/秒であった。
実施例1において詳細に説明した試験に基づけば、間欠的供給方法は、適当なアイランドの幅を保つことができる供給速度(F)を著しく上昇させることができ、それによって連続的供給プロセスと比べて供給時間が短縮されるということが確認された。特に、連続して(相前後して)堆積させたウェッジどうしの間の回転の程度を最大にすること、及び、多結晶シリコンアイランドの特定の部分若しくはセグメントに供給材料を再堆積させる前のオン時間の数を最大にすることによって、75%ルツボ直径アイランド寸法を維持することができる流量(flow rate)が大きく向上したということが確認された。
Claims (55)
- チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの成長に用いるルツボ内においてシリコン溶融物を調製する方法であって、
<a>ルツボ内で、溶融シリコン及び未溶融の多結晶シリコンからなる部分的に溶融した装入物を形成する工程であって、溶融シリコンは上側表面を有しており、未溶融の多結晶シリコンは溶融シリコンの上側表面の上方に露出する部分を有している工程;
<b>ルツボを回転させる工程;
<c>追加の多結晶シリコンを露出する未溶融の多結晶シリコンの上へ間欠的に分配することによって、回転するルツボの中へ追加の多結晶シリコンを供給する工程であって、間欠的な分配はオン時間とオフ時間との入れ替わりを複数回行うことを含んでなり、各オン時間には、オン時間の継続中に、追加の多結晶シリコンの流れをルツボ内で部分的に溶融した未溶融の多結晶シリコン上に導くフィードデバイスを通して、追加の多結晶シリコンを流れさせることが含まれ、各オフ時間には、オフ時間の継続中に、追加の多結晶シリコンの流れを遮ることが含まれる工程;並びに
<d>ルツボ内で未溶融の多結晶シリコンと追加の多結晶シリコンとを溶融させてシリコン溶融物を形成し、そこから単結晶シリコンインゴットを成長させる工程
を含んでなる方法。 - チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの成長に用いるルツボ内においてシリコン溶融物を調製する方法であって、
<a>ルツボに多結晶シリコンを装入する工程;
<b>装入したルツボを回転させる工程;
<c>装入した多結晶シリコンを加熱して、上側表面を有する溶融シリコンと、その溶融シリコンの上側表面の上方に露出する部分を有する未溶融の多結晶シリコンを生じさせる工程;
<d>追加の多結晶シリコンを露出する未溶融の多結晶シリコン上に間欠的に分配することによって、回転するルツボの中へ追加の多結晶シリコンを供給する工程であって、前記間欠的な分配はオン時間とオフ時間との入れ替わりを複数回行うことを含んでなり、各オン時間には、オン時間の継続中に、追加の多結晶シリコンの流れを未溶融の多結晶シリコン上に導くフィードデバイスを通して、追加の多結晶シリコンを流れさせることが含まれ、各オフ時間には、オフ時間の継続中に、追加の多結晶シリコンの流れを遮ることが含まれる工程;並びに
<e>ルツボ内で装入した多結晶シリコンと供給した多結晶シリコンとを溶融させてシリコン溶融物を形成し、そこから単結晶シリコンインゴットを成長させる工程
を含んでなる方法。 - チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの成長に用いるルツボ内においてシリコン溶融物を調製する方法であって、
<a>内側壁部及び内側直径(D)を有するルツボに多結晶シリコンを装入する工程;
<b>装入したルツボを速度(r)にて回転させる工程;
<c>装入した多結晶シリコンを加熱して、上側表面を有する溶融シリコンと、その溶融シリコンの上側表面の上方に露出する部分を有する未溶融の多結晶シリコンとを生じさせる工程であって、露出する未溶融の多結晶シリコンは中心部及び幅(d)を有しており、前記幅(d)は溶融シリコンの上側表面と露出する未溶融の多結晶シリコンとの間の境界に沿った2つの点の間の最も長い距離に対応している工程;
<d>露出する未溶融の多結晶シリコン上に、供給速度(F)で追加の多結晶シリコンを間欠的に分配することによって、回転するルツボの中に追加の多結晶シリコンを供給し、それによって露出する未溶融の多結晶シリコンの幅(d)を維持する工程であって、前記間欠的な分配はオン時間とオフ時間との入れ替わりを複数回行うことを含んでなり、各オン時間には、露出する未溶融の多結晶シリコン上に追加の多結晶シリコンを導くフィードデバイスを通して、時間(ton)の間に流量(f)にて追加の多結晶シリコンを流れさせることが含まれ、各オフ時間には、フィードデバイスによる追加の多結晶シリコンの流れを、時間(toff)の間、遮ることが含まれる工程;並びに
<e>ルツボ内で装入した多結晶シリコンと追加の多結晶シリコンとを溶融させてシリコン溶融物を形成し、そこから単結晶シリコンインゴットを成長させる工程
を含んでなる方法。 - 溶融シリコンの上側表面と未溶融の多結晶シリコンとの間の境界は、未溶融の多結晶シリコンの中心部からほぼ等しい距離にある請求項3記載の方法。
- 溶融シリコンの上側表面と未溶融の多結晶シリコンとの間の境界は、ルツボの内側壁部からほぼ等しい距離にある請求項4記載の方法。
- 前記ルツボの中に装入する多結晶シリコンは塊状多結晶シリコンであり、並びに、前記ルツボの中に供給される追加の多結晶シリコンは粒状多結晶シリコンである請求項5記載の方法。
- 装入した塊状多結晶シリコンは、シリコン溶融物の40重量%〜65重量%を含む請求項6記載の方法。
- 多結晶シリコンの幅(d)の範囲は、ルツボの内側直径(D)の65%〜85%である請求項6又は7記載の方法。
- 速度(r)は、少なくとも1rpmである請求項6〜8のいずれかに記載の方法。
- 速度(r)の範囲は、2rpm〜3rpmである請求項6〜8のいずれかに記載の方法。
- 供給速度(F)は、少なくとも1kg/時間である請求項6〜10のいずれかに記載の方法。
- 供給速度(F)の範囲は、10kg/時間〜20kg/時間である請求項6〜11のいずれかに記載の方法。
- 流量(f)は、少なくとも1g/秒である請求項6〜12のいずれかに記載の方法。
- 流量(f)の範囲は、10g/秒〜25g/秒である請求項6〜13のいずれかに記載の方法。
- オン時間(ton)は、少なくとも1秒である請求項6〜14のいずれかに記載の方法。
- オン時間(ton)の範囲は、2秒〜10秒である請求項6〜15のいずれかに記載の方法。
- オフ時間(toff)は、少なくとも1秒である請求項6〜16のいずれかに記載の方法。
- オフ時間(toff)は、少なくとも5秒である請求項6〜17のいずれかに記載の方法。
- オフ時間(toff)の範囲は、10秒〜30秒である請求項6〜18のいずれかに記載の方法。
- オフ時間の間、安息角バルブを用いて粒状多結晶シリコンの流れを遮る請求項6〜19のいずれかに記載の方法。
- フィードデバイスは、粒状多結晶シリコンを、露出する未溶融の多結晶シリコンの部分の上へ導く請求項6〜20のいずれかに記載の方法。
- 粒状多結晶シリコンを流れさせるフィードデバイスはヴァーチカル・タイプの供給チューブであって、露出する未溶融の多結晶シリコンの中心部の直ぐ上方とはならないように配置される請求項21記載の方法。
- 粒状多結晶シリコンを流れさせるフィードデバイスは、スプレー・タイプの供給チューブである請求項21記載の方法。
- 粒状多結晶シリコンが分配される露出する未溶融の多結晶シリコンの部分は、ほぼ中心部から半径方向外側に、未溶融の多結晶シリコンと溶融したシリコンの上側表面との間の境界へ延びるウェッジである請求項21記載の方法。
- ウェッジは、180°のくさび角を有する請求項24記載の方法。
- ウェッジは、180°以下のくさび角を有する請求項24記載の方法。
- ウェッジは、40°〜72°の範囲のくさび角を有する請求項24記載の方法。
- 露出する未溶融の多結晶シリコン上の各ウェッジは、直前のウェッジと実質的に重ならない請求項24〜27のいずれかに記載の方法。
- いずれかのウェッジの上に粒状多結晶シリコンを再堆積させる前に、露出する未溶融の多結晶シリコンの全体に粒状多結晶シリコンを堆積させる請求項28記載の方法。
- 直前のウェッジに隣接させて、該直前のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項29記載の方法。
- 直前のウェッジに隣接させて、該直前のウェッジの堆積の後で、ルツボの少なくとも1つの回転に続いて、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項29記載の方法。
- 直前のウェッジにほぼ対向させ、かつ、更にもう1つ前回のウェッジに隣接させて、前記更にもう1つ前回のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項29記載の方法。
- 直前のウェッジにほぼ対向させ、かつ、更にもう1つ前回のウェッジに隣接させて、前記更にもう1つ前回のウェッジの堆積の後でのルツボの少なくとも1つの回転に続いて、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項29記載の方法。
- 露出する未溶融の多結晶シリコンの全体の上に粒状多結晶シリコンを堆積させる前に、粒状多結晶シリコンをウェッジに再堆積させる請求項28記載の方法。
- チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの成長に用いるルツボ内においてシリコン溶融物を調製する方法であって、
<a>ルツボを速度(r)にて回転させる工程;
<b>前記回転するルツボ内で重量wを有する消耗した溶融シリコン装入物を形成する工程であって、前記ルツボは内側壁部及び内側直径Dを有してなる工程;
<c>消耗した溶融シリコン装入物上に多結晶シリコンを分配することによって回転するルツボの中に多結晶シリコンを供給して、溶融シリコンと未溶融の多結晶シリコンとを有する部分的装入物を形成する工程であって、溶融シリコンは上側表面を有してなり、未溶融の多結晶シリコンは溶融シリコンの前記上側表面の上方に露出する部分を有しており、露出する未溶融の多結晶シリコンは中心部及び幅(d)を有しており、前記幅(d)は溶融シリコンの上側表面と露出する未溶融の多結晶シリコンとの間の境界に沿った2つの点の間の最も長い距離に対応してなる工程;
<d>露出する未溶融の多結晶シリコンの上へ追加の多結晶シリコンを間欠的に分配することによって回転するルツボの中に追加の多結晶シリコンを供給して、露出する未溶融の多結晶シリコンの幅(d)を維持する工程であって、前記間欠的な分配はオン時間とオフ時間との入れ替わりを複数回行うことを含んでなり、各オン時間には、オン時間(ton)の継続中に、露出する未溶融の多結晶シリコン上に追加の多結晶シリコンを導くフィードデバイスによって、追加の多結晶シリコンを流量(f)で流れさせることが含まれ、各オフ時間には、オフ時間(toff)の継続中に、フィードデバイスによる追加の多結晶シリコンの流れを遮ることが含まれる工程;並びに
<e>ルツボ内で未溶融の多結晶シリコンと追加の多結晶シリコンとを溶融させて、シリコン溶融物を形成し、そこから単結晶シリコンインゴットを成長させる工程
を含んでなる方法。 - 重量wは、シリコン溶融物の15重量%〜40重量%である請求項35記載の方法。
- 未溶融の多結晶シリコンと溶融シリコンの上側表面との間の境界は、未溶融の多結晶シリコンの中心部からほぼ等しい距離にあり、かつ、ルツボの内側壁部からほぼ等しい距離にある請求項35又は36記載の方法。
- ルツボに供給する多結晶シリコン及び追加の多結晶シリコンは粒状多結晶シリコンである請求項35〜37のいずれかに記載の方法。
- 多結晶シリコンの幅(d)は、ルツボの内側直径(D)の65%〜85%である請求項35〜38のいずれかに記載の方法。
- 速度(r)の範囲は、1rpm〜5rpmである請求項35〜39のいずれかに記載の方法。
- 流量(f)の範囲は、5g/秒〜35g/秒である請求項35〜40のいずれかに記載の方法。
- オン時間(ton)の範囲は、2秒〜10秒である請求項35〜41のいずれかに記載の方法。
- オフ時間(toff)は、少なくとも5秒である請求項35〜42のいずれかに記載の方法。
- フィードデバイスは、露出する未溶融の多結晶シリコンの部分の上へ粒状多結晶シリコンを導く請求項35〜43のいずれかに記載の方法。
- 粒状多結晶シリコンが分配される前記露出する未溶融の多結晶シリコンの部分は、ほぼ中心部から半径方向外側に、未溶融の多結晶シリコンと溶融したシリコンの上側表面との間の境界へ延びるウェッジである請求項35〜44のいずれかに記載の方法。
- ウェッジは、180°以下のくさび角を有する請求項45記載の方法。
- ウェッジは、40°〜72°の範囲のくさび角を有する請求項45記載の方法。
- 露出する未溶融の多結晶シリコン上の各ウェッジは、直前のウェッジと実質的に重ならない請求項35〜45のいずれかに記載の方法。
- いずれかのウェッジの上に粒状多結晶シリコンを再堆積させる前に、露出する未溶融の多結晶シリコンの全体に粒状多結晶シリコンを堆積させる請求項48記載の方法。
- 直前のウェッジに隣接させて、該直前のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項49記載の方法。
- 直前のウェッジに隣接させて、該直前のウェッジの堆積の後で、ルツボの少なくとも1つの回転に続いて、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項49記載の方法。
- 直前のウェッジにほぼ対向させ、かつ、更にもう1つ前回のウェッジに隣接させて、前記更にもう1つ前回のウェッジの堆積の後でのルツボの1つの回転の間に、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項49記載の方法。
- 直前のウェッジにほぼ対向させ、かつ、更にもう1つ前回のウェッジに隣接させて、前記更にもう1つ前回のウェッジの堆積の後でのルツボの少なくとも1つの回転に続いて、後続の各ウェッジの堆積を行う請求項49記載の方法。
- 露出する未溶融の多結晶シリコンの全体の上に粒状多結晶シリコンを堆積させる前に、粒状多結晶シリコンをウェッジに再堆積させる請求項48記載の方法。
- チョクラルスキー法によってルツボ内でシリコン溶融物から単結晶シリコンインゴットを成長させる工程を更に含んでなる請求項1、2、3及び35のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/002,862 US20030101924A1 (en) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon |
PCT/US2002/036169 WO2003044249A1 (en) | 2001-11-15 | 2002-11-12 | Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005515951A JP2005515951A (ja) | 2005-06-02 |
JP2005515951A5 JP2005515951A5 (ja) | 2005-12-22 |
JP4233453B2 true JP4233453B2 (ja) | 2009-03-04 |
Family
ID=21702897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003545864A Expired - Fee Related JP4233453B2 (ja) | 2001-11-15 | 2002-11-12 | 多結晶シリコンの溶融速度を向上させるための間欠的供給技術 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030101924A1 (ja) |
EP (2) | EP1446517B1 (ja) |
JP (1) | JP4233453B2 (ja) |
KR (2) | KR100811989B1 (ja) |
CN (2) | CN101054717B (ja) |
DE (1) | DE60220939T2 (ja) |
TW (1) | TWI250230B (ja) |
WO (1) | WO2003044249A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
US7141114B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-11-28 | Rec Silicon Inc | Process for producing a crystalline silicon ingot |
JP5486190B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2014-05-07 | エイエムジー・アイデアルキャスト・ソーラー・コーポレーション | 光電変換用単結晶成型シリコンおよび単結晶成型シリコン本体の製造方法および装置 |
JP5061728B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-10-31 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の育成方法 |
EP2183410A1 (en) * | 2007-07-20 | 2010-05-12 | BP Corporation North America Inc. | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals |
US20100193031A1 (en) * | 2007-07-20 | 2010-08-05 | Bp Corporation North America Inc. | Methods and Apparatuses for Manufacturing Cast Silicon From Seed Crystals |
WO2009015167A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Bp Corporation North America Inc. | Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials |
US8591649B2 (en) | 2007-07-25 | 2013-11-26 | Advanced Metallurgical Group Idealcast Solar Corp. | Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials |
US20090120353A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Reduction of air pockets in silicon crystals by avoiding the introduction of nearly-insoluble gases into the melt |
DE102007061704A1 (de) * | 2007-12-19 | 2009-09-10 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines ein- oder polykristallinen Materials |
TW200938664A (en) | 2007-12-19 | 2009-09-16 | Schott Ag | Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
JP5777336B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-09-09 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 |
CN103397389B (zh) * | 2013-07-30 | 2016-08-10 | 英利能源(中国)有限公司 | 单晶棒的生产方法 |
CN103643286B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-08-17 | 英利集团有限公司 | 单晶炉的加料方法 |
CN106222750A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-14 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种硅酸镓镧系列晶体生长方法 |
CN108018602A (zh) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 自动进料系统及进料方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5059410A (en) * | 1985-08-01 | 1991-10-22 | Ethyl Corporation | Production of silicon |
US5205998A (en) * | 1985-08-01 | 1993-04-27 | Ethyl Corporation | Angle of repose valve |
JPH0633218B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1994-05-02 | 日本鋼管株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
EP0340941A1 (en) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Nkk Corporation | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals |
US5037503A (en) * | 1988-05-31 | 1991-08-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Method for growing silicon single crystal |
FI901413A0 (fi) * | 1989-03-30 | 1990-03-21 | Nippon Kokan Kk | Anordning foer framstaellning av kiselenkristaller. |
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JPH0511788A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Y & Y:Kk | 車載用疑似エンジン音再生装置 |
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US6284040B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process of stacking and melting polycrystalline silicon for high quality single crystal production |
CN1095505C (zh) * | 2000-03-30 | 2002-12-04 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 生产硅单晶的直拉区熔法 |
US6454851B1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
-
2001
- 2001-11-15 US US10/002,862 patent/US20030101924A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-11-12 KR KR1020047007450A patent/KR100811989B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-12 KR KR1020077006666A patent/KR100860440B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-12 DE DE60220939T patent/DE60220939T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-12 CN CN2007100860084A patent/CN101054717B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-12 JP JP2003545864A patent/JP4233453B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-12 CN CNB028223144A patent/CN1314842C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-12 WO PCT/US2002/036169 patent/WO2003044249A1/en active IP Right Grant
- 2002-11-12 EP EP02789582A patent/EP1446517B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-12 EP EP07104628A patent/EP1820885A3/en not_active Withdrawn
- 2002-11-15 TW TW091133508A patent/TWI250230B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101054717A (zh) | 2007-10-17 |
EP1446517B1 (en) | 2007-06-27 |
KR20050044493A (ko) | 2005-05-12 |
US20030101924A1 (en) | 2003-06-05 |
KR20070038578A (ko) | 2007-04-10 |
KR100860440B1 (ko) | 2008-09-25 |
EP1446517A1 (en) | 2004-08-18 |
KR100811989B1 (ko) | 2008-03-10 |
CN1314842C (zh) | 2007-05-09 |
DE60220939D1 (de) | 2007-08-09 |
CN1585838A (zh) | 2005-02-23 |
JP2005515951A (ja) | 2005-06-02 |
DE60220939T2 (de) | 2008-01-03 |
TWI250230B (en) | 2006-03-01 |
EP1820885A2 (en) | 2007-08-22 |
EP1820885A3 (en) | 2008-11-12 |
TW200303942A (en) | 2003-09-16 |
CN101054717B (zh) | 2012-04-25 |
WO2003044249A1 (en) | 2003-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |