JP4231758B2 - スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体 - Google Patents
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Description
本発明は、分子内に嵩高い基を有するとともに、所定感度を有するスチルベン誘導体、その製造方法、およびスチルベン誘導体を含有した電子写真感光体に関する。
従来、画像形成装置等の電子写真感光体として、電荷輸送剤、電荷発生剤、および結着樹脂（バインダー樹脂）等の有機感光体材料からなる有機感光体が使用されている。かかる有機感光体は、従来の無機感光体に比べて、製造が容易であるとともに、感光体材料の選択肢が多様であることから、構造設計の自由度が高いという利点がある。
このような有機感光体材料のうち、高い電荷移動度を有する電荷輸送剤として、下記一般式（９）で表されるスチルベン誘導体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような有機感光体材料のうち、高い電荷移動度を有する電荷輸送剤として、下記一般式（９）で表されるスチルベン誘導体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
（一般式（９）中、Ａｒはメチレン基または置換されても良い炭素数６〜２０のアリーレン基、Ａｒ１は、置換されても良い炭素数６〜２０のアリーレン基、Ｒ2は５員環の複素環基、置換されても良い低級アルキル基、アラルキル基、または炭素数６〜１４のアリーレン基、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、低級アルキル基、または置換されても良い炭素数６〜２０のアリール基である。）
また、同様に、電荷輸送剤として、下記一般式（１０）で表されるスチルベン誘導体も知られている（例えば、特許文献２参照）。
（一般式（１０）中、Ｒ5とＲ７は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基であり、Ｒ6とＲ8は同一または異なっており、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアルコキシ基である。ただし、Ｒ6とＲ8の置換位置が４（パラ）位のとき、Ｒ6とＲ8は水素原子である。）
特開平８−２８３７０８号（特許請求の範囲）
特開２０００−２３９２３６号（特許請求の範囲）
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載されたスチルベン誘導体は、結着樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されにくいため、使用中に、電荷移動が生じにくくなるという問題が見られた。すなわち、開示されたスチルベン誘導体は、高い電荷移動度を有するにもかかわらず、電荷輸送剤として感光体に使用した場合、その特性が十分に発揮されないという問題が見られた。
そこで、本発明者らは、スチルベン誘導体において、分子末端のフェニルアミノ基におけるフェニル構造のパラ位に嵩高い置換基を有することにより、結着樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているという事実を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、上述した技術的な問題を解決し、電子写真感光体等の電荷輸送剤として好適に用いることのできる分子内に嵩高い基を有するスチルベン誘導体、その製造方法、および、所定感度を有する電子写真感光体を提供することにある。
すなわち、本発明の目的は、上述した技術的な問題を解決し、電子写真感光体等の電荷輸送剤として好適に用いることのできる分子内に嵩高い基を有するスチルベン誘導体、その製造方法、および、所定感度を有する電子写真感光体を提供することにある。
本発明によれば、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体が提供され、上述した問題点を解決することができる。
（一般式（１）中、二つのＲ1は、独立したフェノキシ基またはナフトキシ基である。以下、一般式（２）、（４）、（５）、（６）および（７）中のＲ1は一般式（１）中で説明した内容と同様であるため、その説明を省略する。）
また、本発明の別の態様は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の製造方法であって、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体とを、塩基の存在下に反応させることを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法である。
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法を実施するにあたり、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られた一般式（６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体をウィッチヒ（Wittig）反応によって、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体とし、さらにフィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られたホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することが好ましい。
また、ウィッチヒ（Wittig）反応の際に、式（８）で表されるリンイリドを、塩基の存在下に反応させることが好ましい。
また、本発明のさらに別の態様は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層が、上述した一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体であることが好ましい。
また、本発明の電子写真感光体を構成するにあたり、感光層が、電荷発生剤および電子輸送剤をさらに含有した単層型であることが好ましい。
本発明によれば、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含むことにより、所定感度を有する電子写真感光体を提供することができる。
すなわち、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、分子の所定位置に嵩高い基を有しており、結着樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きいという特徴がある。したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使用することにより、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を提供することができる。
すなわち、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、分子の所定位置に嵩高い基を有しており、結着樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きいという特徴がある。したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使用することにより、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を提供することができる。
また、一般式（１）中のＲ1が、所定の嵩高い置換基を有することにより、結着樹脂との相溶性にさらに優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているスチルベン誘導体を提供することができる。また、このような置換基であれば、比較的導入が容易であって所定のスチルベン誘導体を、比較的高い収率で生産することができる。
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体とを、塩基の存在下に反応させ、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を製造することにより、結着樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性優れているに所定のスチルベン誘導体を高い収率で得ることができる。
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られた一般式（６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体をウィッチヒ（Wittig）反応によって、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体とし、さらにフィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られたホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することができる。
すなわち、このように実施することにより、フェニル基に嵩高い置換基を有するトリフェニルアミン化合物を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によってホルミル化すれば、特定のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を製造することができ、さらにウィッチヒ（Wittig）反応によりジフェニルメタンを置換することで、特定のトリフェニルアミン誘導体を製造でき、その後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によって目的のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を効率よく製造することができる。
すなわち、このように実施することにより、フェニル基に嵩高い置換基を有するトリフェニルアミン化合物を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によってホルミル化すれば、特定のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を製造することができ、さらにウィッチヒ（Wittig）反応によりジフェニルメタンを置換することで、特定のトリフェニルアミン誘導体を製造でき、その後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によって目的のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を効率よく製造することができる。
また、ウィッチヒ（Wittig）反応の際に、所定のリンイリドを、塩基の存在下に反応させることにより、ホルミル化されたフェニル基に対して、オレフィン基を介してジフェニル構造を効率よく導入することができ、特定のトリフェニルアミン誘導体を効率よく製造することができる。
また、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層が所定のスチルベン誘導体を含有することにより、高い電荷移動度を有し残留電位が低い一方、所定感度を有する電子写真感光体を得ることができる。
また、感光層が、電荷発生剤および電子輸送剤をさらに含有した単層型であることにより、構成や製造が容易であるにもかかわらず、所定感度を有する単層型の電子写真感光体を得ることができる。
以下、本発明のスチルベン誘導体、その製造方法、および、電子写真感光体に関する実施の形態を、適宜図面を参照しながら、具体的に説明する。
[第１の実施形態]
第１の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体である（一般式（１）中のＲ1は、既に上述した定義である。）。
第１の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体である（一般式（１）中のＲ1は、既に上述した定義である。）。
ここで、一般式(１)で表されるスチルベン誘導体の一例として、下記式(１１)で表されるスチルベン誘導体の赤外分光（ＩＲ）チャートを図１に、プロトン−ＮＭＲチャートを図２に示す。
[第２の実施形態]
第２の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の製造方法であって、下記反応式(１)に示すように、下記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体を、塩基の存在下に反応させることを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法である（なお、一般式（１）および一般式（２）中のＲ１は、第１の実施形態で定義した内容と同様である。）。
第２の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の製造方法であって、下記反応式(１)に示すように、下記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体を、塩基の存在下に反応させることを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法である（なお、一般式（１）および一般式（２）中のＲ１は、第１の実施形態で定義した内容と同様である。）。
１．ホルミル化トリフェニルアミン誘導体
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体は、下記反応式(２)に示すようにフィルスマイヤー法とウィッチヒ反応とを用いて、合成することができる。
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体は、下記反応式(２)に示すようにフィルスマイヤー法とウィッチヒ反応とを用いて、合成することができる。
この反応式(２)は、上記一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、上記一般式（１２）で表されるヨードベンゼンと、を反応させて、上記一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することを示している。そして、一般式（６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を合成し、得られたホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（８）で表されるリンイリドと、をウィッチヒ（Wittig）反応により、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体を合成する。次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が得られることを示している。
ここで、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合を、モル比で１：２．０〜１：２．４の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：２．０未満の値になると、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の生成量が低下する場合があるためである。一方、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：２．４を超えると、未反応のヨードベンゼンが多く残留するため、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の精製が困難になる場合があるためである。
この理由は、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：２．０未満の値になると、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の生成量が低下する場合があるためである。一方、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：２．４を超えると、未反応のヨードベンゼンが多く残留するため、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の精製が困難になる場合があるためである。
また、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の範囲内の値とするとともに、反応時間を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反応を効率的に実施できるためである。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反応を効率的に実施できるためである。
さらに、フィルスマイヤー法に使用するフィルスマイヤー試薬（Vilsmeier試薬）としては、以下の化合物(i)および(ii)の組合せであることが好ましい。
(i)オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤
(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド
特に、本発明では、フィルスマイヤー試薬として、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
(i)オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤
(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド
特に、本発明では、フィルスマイヤー試薬として、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
また、フィルスマイヤー試薬の調製において、化合物(i)と(ii)との使用割合は、通常モル比で、１：１〜１：２０の範囲内の値とすることが好ましく、１：１〜１：５の範囲内の値とすることがより好ましい。
さらに、フィルスマイヤー試薬の使用量に関して、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物１モルに対して、０．９〜２倍モル量の範囲内の値とすることが好ましく、１〜１．１倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、フィルスマイヤー法における、トリフェニルアミン化合物のホルミル化の反応条件に関して、通常１３０℃以下の温度で行い、反応時間を２〜５時間の範囲内の値とすることが好ましい。
さらに、フィルスマイヤー試薬の使用量に関して、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物１モルに対して、０．９〜２倍モル量の範囲内の値とすることが好ましく、１〜１．１倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、フィルスマイヤー法における、トリフェニルアミン化合物のホルミル化の反応条件に関して、通常１３０℃以下の温度で行い、反応時間を２〜５時間の範囲内の値とすることが好ましい。
２．ジリン酸エステル誘導体
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体は、下記反応式(３)に示すように、合成することができる。
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体は、下記反応式(３)に示すように、合成することができる。
かかるジリン酸エステル誘導体の合成反応を実施するにあたり、例えば、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼンに対して、亜リン酸トリエチルを無溶媒または適当な溶媒中に添加して、反応させることが好ましい。この理由は、このように反応させることにより、反応式(１)に使用するジリン酸エステル誘導体（３）を高い収率で得ることができるためである。
ここで、合成反応を生じさせるに際して、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン１モルに対して、亜リン酸トリエチルの使用割合を、少なくとも３倍モル当量とすることが好ましく、３〜４倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる反応温度を、通常８０〜１５０℃の範囲内の値とし、反応時間を２〜６時間の範囲内の値とすることが好ましい。
ここで、合成反応を生じさせるに際して、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン１モルに対して、亜リン酸トリエチルの使用割合を、少なくとも３倍モル当量とすることが好ましく、３〜４倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる反応温度を、通常８０〜１５０℃の範囲内の値とし、反応時間を２〜６時間の範囲内の値とすることが好ましい。
また、ジリン酸エステル誘導体を作成する際に用いる溶媒としては、かかる反応に影響を及ぼさないものであれば良いが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が、好適例として挙げられる。
また、ジリン酸エステル誘導体を作成する際に、所定量の第三級アミンを添加することも好ましい。この理由は、第三級アミンによって、反応系からハロゲン化アルキルが除去されるため、ジリン酸エステル誘導体の合成反応を促進できるためである。好適な第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、ジリン酸エステル誘導体を作成する際に、所定量の第三級アミンを添加することも好ましい。この理由は、第三級アミンによって、反応系からハロゲン化アルキルが除去されるため、ジリン酸エステル誘導体の合成反応を促進できるためである。好適な第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
３．反応条件
（１） 反応温度と反応時間
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体との反応は、通常−１０〜３０℃で行うことが好ましく、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
（１） 反応温度と反応時間
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体との反応は、通常−１０〜３０℃で行うことが好ましく、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
（２） 溶媒
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体との反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体との反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
（３） 塩基
また、かかる反応に使用する塩基としては、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物が好適なものとして挙げられる。
ここで、かかる塩基の添加量を、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体１モルに対して、１．１〜１．２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が１．２モルを超えると、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間の反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
また、かかる反応に使用する塩基としては、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物が好適なものとして挙げられる。
ここで、かかる塩基の添加量を、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体１モルに対して、１．１〜１．２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が１．２モルを超えると、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間の反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
（４） 添加割合
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、の間の反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で１：２．０〜１：２．４の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、ジリン酸エステル誘導体との添加割合が、１：２．０未満の値になると、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、ジリン酸エステル誘導体とが１：１で対応して反応しやすくなるためである。また、かかる添加割合が、１：２．４を超えると、未反応のホルミル化トリフェニルアミン誘導体が精製を困難にする場合があるためである。
したがって、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体との添加割合を、モル比で１：１．８〜１：２．２の範囲内の値とすることがより好ましい。
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、の間の反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で１：２．０〜１：２．４の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、ジリン酸エステル誘導体との添加割合が、１：２．０未満の値になると、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、ジリン酸エステル誘導体とが１：１で対応して反応しやすくなるためである。また、かかる添加割合が、１：２．４を超えると、未反応のホルミル化トリフェニルアミン誘導体が精製を困難にする場合があるためである。
したがって、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体と、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体との添加割合を、モル比で１：１．８〜１：２．２の範囲内の値とすることがより好ましい。
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
なお、電子感光体には、単層型と積層型とがあるが、本発明のスチルベン誘導体は、いずれにも適用可能である。
ただし、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型に適用することが好ましい。
第３の実施形態は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
なお、電子感光体には、単層型と積層型とがあるが、本発明のスチルベン誘導体は、いずれにも適用可能である。
ただし、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型に適用することが好ましい。
１．単層型感光体
（１） 基本的構成
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式(1)で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
また、得られた単層型電子写真感光体は、残留電位が低下しているとともに、所定感度を有している。また、本発明の単層型電子写真感光体の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させる場合には、電荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感度等がより安定する傾向にある。
（１） 基本的構成
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式(1)で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
また、得られた単層型電子写真感光体は、残留電位が低下しているとともに、所定感度を有している。また、本発明の単層型電子写真感光体の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させる場合には、電荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感度等がより安定する傾向にある。
（２） 電荷発生剤
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
特に、半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、無金属フタロシアニンやオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、ペリレン顔料やビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
特に、半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、無金属フタロシアニンやオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、ペリレン顔料やビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
（３） 正孔輸送剤
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させることも好ましい。
このような正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＨＴ−１)〜(ＨＴ−１３)で表される化合物等があげられる。
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させることも好ましい。
このような正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＨＴ−１)〜(ＨＴ−１３)で表される化合物等があげられる。
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は独立しており、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 およびＲh15 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16 はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 、Ｒh15 およびＲh16 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒh21 およびＲh22 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23 、Ｒh24 、Ｒh25 およびＲh26 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
（式中、Ｒh27 、Ｒh28 およびＲh29 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
（式中、Ｒh30 、Ｒh31 、Ｒh32 およびＲh33 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
（式中、Ｒh34 、Ｒh35 、Ｒh36 、Ｒh37 およびＲh38 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
（式中、Ｒh39 は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40 、Ｒh41 およびＲh42 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
（式中、Ｒh43 、Ｒh44 およびＲh45 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
（式中、Ｒh46 およびＲh47 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48 およびＲh49 は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
（式中、Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒh56 、Ｒh57 、Ｒh58 およびＲh59 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
また、本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
（４） 電子輸送剤
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＥＴ−１〜ＥＴ−１７)で表される化合物等があげられる。
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＥＴ−１〜ＥＴ−１７)で表される化合物等があげられる。
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe10 はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe11 はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11 は異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe12 およびＲe13 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
（式中、Ｒe14 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15 は互いに異なっていてもよい。）
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
（式中、Ｒe16 およびＲe17 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17 は互いに異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe18 およびＲe19 は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
（式中、Ｒe20 はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20 は互いに異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe21 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
（式中、Ｒe22 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22 は互いに異なっていてもよい。）
（式中、Ｒe23 は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24 は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：−Ｏ−Ｒe24を示す。上記基中のＲe24は、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
（式中、Ｒe25 、Ｒe26 、Ｒe27 、Ｒe28 、Ｒe29 、Ｒe30 およびＲe31 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
（式中、Ｒe32 およびＲe33 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
（式中、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
また、本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
（５） 結着樹脂
各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
特に、ポリカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性に優れているばかりか、機械的特性や正孔輸送剤との相溶性にも優れていることから好ましい結着樹脂である。
各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
特に、ポリカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性に優れているばかりか、機械的特性や正孔輸送剤との相溶性にも優れていることから好ましい結着樹脂である。
（６） 添加剤
また、感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
また、感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
（７） 配合割合および厚さ
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体（正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体（正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
また、本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と、結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体 （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
（８） 構造
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
また、単層型感光体の構成に関して、導電性基体と感光層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
（９） 製造方法
分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
２．積層型感光体
積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。
また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
なお、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、結着剤等については、単層型感光体と同様の内容とすることができる。
積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。
また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
なお、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、結着剤等については、単層型感光体と同様の内容とすることができる。
また、積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発生層には電子輸送剤を含有させてもよい。
そして、本発明の積層型電子写真感光体は、感光体の残留電位が低下するとともに、所定感度を有しているという特徴がある。
なお、積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
そして、本発明の積層型電子写真感光体は、感光体の残留電位が低下するとともに、所定感度を有しているという特徴がある。
なお、積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
［実施例１］
（１）スチルベン誘導体の合成
（１）スチルベン誘導体の合成
（１）−１ トリフェニルアミン化合物の合成
下記式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物の合成を、下記の反応式（４）に沿って実施した。
すなわち、容量５００ｍｌのフラスコ内に、無水炭酸カリウム４６．６ｇおよび粉末銅銅２．５gを加え、２時間加熱して、均一になるまで攪拌した。
次いで、室温まで冷却した後、下記式（１３）で表される４−アミノジフェニルエーテル化合物２５ｇ（０．１３ｍｏｌ）と、化学式（１２）で表されるヨードベンゼン６８．９ｇ（０．３４ｍｏｌ）とを添加した後、２２０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのトルエンを添加し、ろ過処理をした。得られた残渣をトルエンで溶解し、活性白土を用いて乾燥させた。その後、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させた。得られた結晶をろ別して、乾燥した。その後、得られた結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）を用いて精製し、式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物２９．８ｇを得た（収率６５．４％）。
下記式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物の合成を、下記の反応式（４）に沿って実施した。
すなわち、容量５００ｍｌのフラスコ内に、無水炭酸カリウム４６．６ｇおよび粉末銅銅２．５gを加え、２時間加熱して、均一になるまで攪拌した。
次いで、室温まで冷却した後、下記式（１３）で表される４−アミノジフェニルエーテル化合物２５ｇ（０．１３ｍｏｌ）と、化学式（１２）で表されるヨードベンゼン６８．９ｇ（０．３４ｍｏｌ）とを添加した後、２２０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのトルエンを添加し、ろ過処理をした。得られた残渣をトルエンで溶解し、活性白土を用いて乾燥させた。その後、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させた。得られた結晶をろ別して、乾燥した。その後、得られた結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）を用いて精製し、式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物２９．８ｇを得た（収率６５．４％）。
（１）−２ ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
次いで、式（１５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成を、下記の反応式（５）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物２７ｇ（０．０８ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２００ｍｌと、オキシ塩化リン酸１５．２ｇ（０．１ｍｏｌ）と、を収容し、９５℃以上で、反応物が完全に溶解するまで撹拌した。反応後、イオン交換水４００ｍｌと、トルエン２００ｍｌとの混合液に、反応液を滴下した。得られた有機層をイオン交換水で水洗し、無水硫酸ナトリウムおよび活性白土を加え、乾燥および吸着処理を行った。その後、トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）で精製して、式（１５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体２１．７ｇを得た（収率７４．２％）。
次いで、式（１５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成を、下記の反応式（５）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１４）で表されるトリフェニルアミン化合物２７ｇ（０．０８ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２００ｍｌと、オキシ塩化リン酸１５．２ｇ（０．１ｍｏｌ）と、を収容し、９５℃以上で、反応物が完全に溶解するまで撹拌した。反応後、イオン交換水４００ｍｌと、トルエン２００ｍｌとの混合液に、反応液を滴下した。得られた有機層をイオン交換水で水洗し、無水硫酸ナトリウムおよび活性白土を加え、乾燥および吸着処理を行った。その後、トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）で精製して、式（１５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体２１．７ｇを得た（収率７４．２％）。
（１）−３ リンイリドの合成
次いで、式（８）で表されるリンイリドの合成を、下記の反応式（６）に沿って実施した。
すなわち、α―ブロモジフェニルメタン１５０ｇ（０．６１ｍｏｌ）と、トリエタノールリン酸１２１ｇ（０．７２ｍｏｌ）とを添加して、２１０℃で加熱し、１時間撹拌した。 その後、室温まで冷却した後、真空蒸留にて精製を実施した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル溶媒）を用いて精製し、式（８）で表されるリンイリド１６８．４ｇを得た（収率９０．７％）。
次いで、式（８）で表されるリンイリドの合成を、下記の反応式（６）に沿って実施した。
すなわち、α―ブロモジフェニルメタン１５０ｇ（０．６１ｍｏｌ）と、トリエタノールリン酸１２１ｇ（０．７２ｍｏｌ）とを添加して、２１０℃で加熱し、１時間撹拌した。 その後、室温まで冷却した後、真空蒸留にて精製を実施した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル溶媒）を用いて精製し、式（８）で表されるリンイリド１６８．４ｇを得た（収率９０．７％）。
（１）−４ トリフェニルアミン化合物
次いで、下記式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物を、下記の反応式（７）に沿って実施した。
すなわち、１０００ｍｌの四つ口フラスコ内に、式（８）で表されるリンイリド２９ｇ（０．０９６ｍｏｌ）と、ＴＨＦ１００ｍｌと、を収容して、５℃以下で反応させた。その後、ｎ−ＢｕLi（ヘキサン溶液中で１．６Ｍ）１００ｍｌを滴下して、７℃以下で３０分間撹拌した。さらに、ホルミル化トリフェニルアミン化合物２３．４ｇ（０．０６４ｍｏｌ）をＴＨＦ７５ｍｌに溶解したものを滴下し、１０℃以下で３０分間撹拌した。この反応液をイオン交換水５００ｍｌに加え、トルエン抽出を行った。さらにその有機層をイオン交換水を用いて、５回洗浄をしたあと、有機層を無水硫酸マグネシウムおよび活性白土を用いて、乾燥および吸着処理をおこなった。その後、有機溶媒を留去して、カラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／へキサン溶媒）にて精製をして、式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物３１．５ｇを得た（収率９５．５％）。
次いで、下記式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物を、下記の反応式（７）に沿って実施した。
すなわち、１０００ｍｌの四つ口フラスコ内に、式（８）で表されるリンイリド２９ｇ（０．０９６ｍｏｌ）と、ＴＨＦ１００ｍｌと、を収容して、５℃以下で反応させた。その後、ｎ−ＢｕLi（ヘキサン溶液中で１．６Ｍ）１００ｍｌを滴下して、７℃以下で３０分間撹拌した。さらに、ホルミル化トリフェニルアミン化合物２３．４ｇ（０．０６４ｍｏｌ）をＴＨＦ７５ｍｌに溶解したものを滴下し、１０℃以下で３０分間撹拌した。この反応液をイオン交換水５００ｍｌに加え、トルエン抽出を行った。さらにその有機層をイオン交換水を用いて、５回洗浄をしたあと、有機層を無水硫酸マグネシウムおよび活性白土を用いて、乾燥および吸着処理をおこなった。その後、有機溶媒を留去して、カラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／へキサン溶媒）にて精製をして、式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物３１．５ｇを得た（収率９５．５％）。
（１）―５ ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
次いで、下記式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物を、下記の反応式（８）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物３０ｇ（０．０５８ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｍｌと、オキシ塩化リン酸１１．５ｇ（０．０７５ｍｏｌ）と、を収容して、８０℃で、２時間攪拌させた。その後、反応液をイオン交換水に注ぎ、析出した結晶をろ別した。さらに、得られた結晶をトルエンに溶解させて、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥させて溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム溶媒）にて精製し、式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物２７．７ｇを得た（収率８８％）。
次いで、下記式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物を、下記の反応式（８）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１６）で表されるトリフェニルアミン化合物３０ｇ（０．０５８ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｍｌと、オキシ塩化リン酸１１．５ｇ（０．０７５ｍｏｌ）と、を収容して、８０℃で、２時間攪拌させた。その後、反応液をイオン交換水に注ぎ、析出した結晶をろ別した。さらに、得られた結晶をトルエンに溶解させて、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥させて溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム溶媒）にて精製し、式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物２７．７ｇを得た（収率８８％）。
（１）−６ ジリン酸エステル誘導体の合成
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体の合成を、下記の反応式（３）に沿って合成した。すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン５２．５ｇ（０．３ｍｏｌ）と、亜リン酸トリエチル１３０ｇ（０．７８ｍｏｌ）と、を収容して、８時間以上還流した。その後、冷却して、析出結晶をろ別した。さらに、結晶をｎ−へキサンを用いて洗浄をおこなって、クロロホルムーｎ−ヘキサンを用いて再結晶させ、式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体９８．１ｇを得た（収率８６．４％）。
式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体の合成を、下記の反応式（３）に沿って合成した。すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン５２．５ｇ（０．３ｍｏｌ）と、亜リン酸トリエチル１３０ｇ（０．７８ｍｏｌ）と、を収容して、８時間以上還流した。その後、冷却して、析出結晶をろ別した。さらに、結晶をｎ−へキサンを用いて洗浄をおこなって、クロロホルムーｎ−ヘキサンを用いて再結晶させ、式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体９８．１ｇを得た（収率８６．４％）。
（１）−７ スチルベン誘導体の合成
次いで、式（１１）で表されるスチルベン誘導体の合成を、下記の反応式（９）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、（１）−６で得られた式（３）で表されるジリン酸エステル７ｇ（０．０１９ｍｏｌ）と、ＴＨＦ５０ｍｌと、２８％ＮａＯＭｅ８．５６ｇ（０．０４４ｍｏｌ）と、を収容した後、均一になるまで約３０分攪拌した。次いで、この容器内に、上述した（１）−２〜４で得られた式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体２０ｇ（０．０３７ｍｏｌ）を溶解させた後、室温で約１２時間撹拌した。次いで、反応液をイオン交換水に注ぎ、トルエン抽出をおこなった。その後、有機層をイオン交換水にて５回洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥して、溶媒を留去した。得たら残渣をシリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、式（１１）で表されるスチルベン誘導体１６．４ｇを得た（収率７４．７％）。
得られたスチルベン誘導体の赤外吸収スペクトルを図１に示し、プロトン−ＮＭＲチャートを図２に示す。さらに、得られたスチルベン誘導体の融点を、微量融点測定装置（ＹＡＮＡＫＯ社製）を用いて測定したところ、２５０℃以上であることを確認した。
次いで、式（１１）で表されるスチルベン誘導体の合成を、下記の反応式（９）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、（１）−６で得られた式（３）で表されるジリン酸エステル７ｇ（０．０１９ｍｏｌ）と、ＴＨＦ５０ｍｌと、２８％ＮａＯＭｅ８．５６ｇ（０．０４４ｍｏｌ）と、を収容した後、均一になるまで約３０分攪拌した。次いで、この容器内に、上述した（１）−２〜４で得られた式（１７）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体２０ｇ（０．０３７ｍｏｌ）を溶解させた後、室温で約１２時間撹拌した。次いで、反応液をイオン交換水に注ぎ、トルエン抽出をおこなった。その後、有機層をイオン交換水にて５回洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥して、溶媒を留去した。得たら残渣をシリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、式（１１）で表されるスチルベン誘導体１６．４ｇを得た（収率７４．７％）。
得られたスチルベン誘導体の赤外吸収スペクトルを図１に示し、プロトン−ＮＭＲチャートを図２に示す。さらに、得られたスチルベン誘導体の融点を、微量融点測定装置（ＹＡＮＡＫＯ社製）を用いて測定したところ、２５０℃以上であることを確認した。
（２）評価
（２）−１ 初期表面電位、半減露光量および残留電位の測定
得られたスチルベン誘導体を正孔輸送剤として、単層型の電子写真感光体を作成して、初期表面電位、半減露光量および残留電位を測定した。すなわち、正孔輸送剤として、得られたスチルベン誘導体を６０重量部と、電荷発生剤として、下記式（１８）で表されるＸ型無金属フタロシアニン（ＣＧＭ−１）を５重量部と、結着樹脂として、下記式（１９）で表されるポリカーボネート樹脂１００重量部と、を溶媒としてのテトラヒドロフラン８００重量部に対して添加した。次いで、ボールミルを用いて５０時間混合分散して、単層型感光層用の塗布液を作成した。得られた塗布液を、導電性基材（アルミニウム素管）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃、３０分間の条件で熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有する電子写真感光体を得た。
次いで、得られた電子写真感光体における初期電気特性、すなわち、半減露光量（Ｅ１／２）および残留電位（ＶＲ）を、ドラム感度試験機（ＧＥＮＴＥＣ社製）を用いて、表面電位が７１０Ｖになるように帯電させて測定した。なお、半減露光量（Ｅ１／２）については、ハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅：２０ｎｍ、光強度：８μＪ／ｍ2）を露光して、表面電位が１／２になるまでに要した時間を測定した。さらに、残留電位については、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を測定し、それを残留電位とした。
それぞれ得られた結果を、表１に示す。結果から明らかなように、得られた電子写真感光体は、残留電位の値が低く、半減露光量も０．９秒以内であって、所定感度を有することを確認した。なお、表１中、電荷発生剤としてのＸ型無金属フタロシアニンをＣＧＭ−１と表記し、スチルベン誘導体をＨＴ−Ａと表記する（以下、同様である。）。
（２）−１ 初期表面電位、半減露光量および残留電位の測定
得られたスチルベン誘導体を正孔輸送剤として、単層型の電子写真感光体を作成して、初期表面電位、半減露光量および残留電位を測定した。すなわち、正孔輸送剤として、得られたスチルベン誘導体を６０重量部と、電荷発生剤として、下記式（１８）で表されるＸ型無金属フタロシアニン（ＣＧＭ−１）を５重量部と、結着樹脂として、下記式（１９）で表されるポリカーボネート樹脂１００重量部と、を溶媒としてのテトラヒドロフラン８００重量部に対して添加した。次いで、ボールミルを用いて５０時間混合分散して、単層型感光層用の塗布液を作成した。得られた塗布液を、導電性基材（アルミニウム素管）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃、３０分間の条件で熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有する電子写真感光体を得た。
次いで、得られた電子写真感光体における初期電気特性、すなわち、半減露光量（Ｅ１／２）および残留電位（ＶＲ）を、ドラム感度試験機（ＧＥＮＴＥＣ社製）を用いて、表面電位が７１０Ｖになるように帯電させて測定した。なお、半減露光量（Ｅ１／２）については、ハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅：２０ｎｍ、光強度：８μＪ／ｍ2）を露光して、表面電位が１／２になるまでに要した時間を測定した。さらに、残留電位については、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を測定し、それを残留電位とした。
それぞれ得られた結果を、表１に示す。結果から明らかなように、得られた電子写真感光体は、残留電位の値が低く、半減露光量も０．９秒以内であって、所定感度を有することを確認した。なお、表１中、電荷発生剤としてのＸ型無金属フタロシアニンをＣＧＭ−１と表記し、スチルベン誘導体をＨＴ−Ａと表記する（以下、同様である。）。
［実施例２］
実施例１の塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２０）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ａ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２０）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ａと表記する。
実施例１の塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２０）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ａ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２０）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ａと表記する。
［実施例３］
実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２１）で表される別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｂ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２１）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｂと表記する。
実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２１）で表される別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｂ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２１）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｂと表記する。
［実施例４］
実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２２）で表される別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｃ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２２）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｃと表記する。
実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式（２２）で表される別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｃ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２２）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｃと表記する。
［比較例１］
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、下記式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いたほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２３）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｂと表記する。
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、下記式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いたほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
なお、表１中、式（２３）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｂと表記する。
［比較例２］
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２０）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ａ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２０）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ａ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
［比較例３］
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２１）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ｂ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２１）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ｂ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
［比較例４］
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２２）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ｃ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
実施例１におけるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ａ）のかわりに、正孔輸送材料として、式（２３）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いるとともに、電子輸送材料として、式（２２）で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ｃ）を３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体は、分子内に嵩高い基を有していることから、結着樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有している。また、本発明の電子写真感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を正孔輸送剤として用いることから、所定の感度や耐久性を有している。したがって、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与することが期待される。
また、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の種々の分野での利用が可能である。
また、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の種々の分野での利用が可能である。
Claims (6)
- 一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。
（一般式（１）中の二つのＲ1は、独立したフェノキシ基またはナフトキシ基である。） - 一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の製造方法であって、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるジリン酸エステル誘導体とを、塩基の存在下に反応させることを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法。
（一般式（１）中の二つのＲ1は、独立したフェノキシ基またはナフトキシ基である。）
（一般式（２）中のＲ1は、一般式（１）中のＲ1で説明した内容と同様である。）
- 前記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン化合物を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られた一般式（６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体をウィッチヒ（Wittig）反応によって、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体とし、さらにフィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られたホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴とする請求項２に記載のスチルベン誘導体の製造方法。
（一般式（４）中のＲ1は、一般式（１）中のＲ1で説明した内容と同様である。）
（一般式（５）中のＲ1は、一般式（１）中のＲ1で説明した内容と同様である。）
（一般式（６）中のＲ1は、一般式（１）中のＲ1で説明した内容と同様である。）
（一般式（７）中のＲ1は、一般式（１）中のＲ1で説明した内容と同様である。） - 前記ウィッチヒ（Wittig）反応の際に、式（８）で表されるリンイリドを、塩基の存在下に反応させることを特徴とする請求項３に記載のスチルベン誘導体の製造方法。
- 導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
（一般式（１）中の二つのＲ1は、独立したフェノキシ基またはナフトキシ基である。） - 前記感光層が、電荷発生剤および電子輸送剤をさらに含有した単層型であることを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体。
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