JP3694605B2 - スチルベン誘導体、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた電荷輸送能を有するスチルベン誘導体、その製造方法および前記スチルベン誘導体を含有した、静電式複写機、ファクシミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、特開平３−７３９５７号公報には、一般式(6) ：
【０００５】
【化６】
【０００６】
（式中、ＲA およびＲB は水素原子、アルキル基等を示す。但し、ＲA およびＲB は同時に水素原子ではないものとする。）
で表されるスチルベン誘導体が開示されている。
しかし、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体のうち、上記公報に具体的に開示されている化合物はバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されにくいため、電荷移動が生じにくくなるという問題がある。
【０００７】
従って、上記スチルベン誘導体(6) 自体は高い電荷移動度を有するにもかかわらず、これを電荷輸送剤として感光体に使用したときにはその特性が十分に発揮できず、残留電位が高く、光感度が不十分な感光体しか得られない。
そこで本発明の目的は、上記の技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適に用いることのできる新規なスチルベン誘導体と、その製造方法とを提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体の分子構造について検討を重ねた結果、分子末端のジフェニルアミノ基における一方のフェニル基が２位（オルト位）と他の置換位置との２ヶ所にアルキル基等の置換基を有しており、かつ他方のフェニル基が置換基を有しないときは、従来のスチルベン誘導体(6) に比べてバインダー樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているという全く新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体は、一般式(1) ：
【００１１】
【化７】
【００１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。前記アリール基または前記アラルキル基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アリール基または前記アラルキル基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基またはアルカノイルオキシ基を有していてもよい。）
で表されることを特徴とする。
上記一般式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体は、特開平３−７３９５７号公報に具体的に開示されていない化合物であるとともに、前記公報に具体的に開示された化合物に比べてバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きい。従って、かかる本発明のスチルベン誘導体（１）を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、従来のものより高感度の電子写真感光体を提供することができる。
【００１３】
また、本発明者らは、前記スチルベン誘導体(1) の出発原料である下記トリフェニルアミンのホルミル体(2) についての製造方法を検討した。その結果、フェニル基の２位（オルト位）に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によってホルミル化すれば、３つのフェニル基のうち置換基を有するフェニル基はホルミル化されずに無置換のフェニル基がホルミル化されて、前記ホルミル体(2) を効率よく製造することができ、ひいてはスチルベン誘導体(1) の生産性の向上につながるという新たな事実を見出した。
【００１４】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体(1) の製造方法は、一般式(2) ：
【００１５】
【化８】
【００１６】
（式中、Ｒ1およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式（３）：
【００１７】
【化９】
【００１８】
で表されるトリスリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とする。
かかる本発明の製造方法に使用するホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2) は、一般式(4) ：
【００１９】
【化１０】
【００２０】
（式中、Ｒ1およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
【００２１】
【化１１】
【００２２】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られる。
前記トリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体(1) の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) のみが高収率で製造される。その理由は明らかではないが、前記化合物(5) の３つのフェニル基のうちオルト位に置換基Ｒ1 を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1 の影響によってねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなって当該フェニル基の求核性が低下してしまうため、置換基Ｒ1 を有するフェニル基のパラ位はホルミル化されず、その結果、他のフェニル基のパラ位のみがホルミル化されるものと推測される。
【００２３】
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く（すなわち電荷移動度が大きく）、帯電および露光時の光感度が優れている。従って、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した電子写真感光体よりも高い感度が得られる。
【００２４】
前記感光層は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有する単層型の感光層であるのが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
《スチルベン誘導体》
前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の基が挙げられる。中でも、炭素数が１〜４の基であるのが好ましい。
【００２６】
また、前記アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基を有するアルキル基としては、例えばヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アミノアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基等が挙げられる。
【００２７】
とりわけ、本発明のスチルベン誘導体(1) においては、電荷移動度を高めるという観点から、前記アルキル基がアルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基等の電子供与性基を有するのが好ましい。
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、２−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
【００２８】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシへキシル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシへキシル、ヘキシルオキシメチル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基が挙げられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基が挙げられる。
【００２９】
上記モノアルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシル、ヘキシルアミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００３０】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシル、ジヘキシルアミノへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００３１】
上記ハロゲン置換アルキル基としては、例えばモノクロロメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロロメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロロエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロロへキシル、ブロモへキシル、ヨードへキシル、フルオロへキシル等の、１〜３個のハロゲン原子が置換した炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
【００３２】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルへキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチル、ヘキシルカルボニルへキシル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数が１〜６であるアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
【００３３】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシへキシル、１−メチル−２−カルボキシエチル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基が挙げられる。
上記アルカノイルオキシアルキル基としては、例えばアセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチル、１−ヘキサノイルオキシ−２−メチルペンチル等の、炭素数２〜６のアルカノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基が挙げられる。
【００３４】
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基が挙げられる。
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアラルキル基としては、例えばベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル等の基が挙げられる。中でも、アルキル部分の炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。
【００３５】
上記アリール基およびアラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等のほか、前述と同様の置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されない。
【００３６】
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシなどの基が挙げられる。中でも、アルキル部分の炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。
また、上記アルコキシ基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基等の、前述のアルキル基と同様の置換基が挙げられる。
【００３７】
本発明のスチルベン誘導体は、上記一般式(1) で表される化合物の中でもとりわけ、一般式(1')：
【００３８】
【化１２】
【００３９】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 は前記と同じである。）
で表されるように、基Ｒ1 〜Ｒ6 がいずれもオルト位に置換しているのが、合成の容易さ、あるいはバインダー樹脂との相溶性等の観点から好ましい。
本発明のスチルベン誘導体(1) の具体例(1-1) 〜(1-12)におけるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当する置換基を下記の表１に示す。表１中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｓ−Ｂｕはｓｅｃ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基、ＭｅＯはメトキシ基をそれぞれ示す。また、基Ｒ2 、Ｒ4 およびＲ6 の欄に示した数字は、当該基の置換位置を示す。従って、例えば「６−Ｍｅ」はトリフェニルアミン部分におけるフェニル基の６位（オルト位）にメチル基が置換していることを示し、「４−Ｅｔ」はフェニル基の４位（パラ位）にエチル基が置換していることを示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
また、本発明のスチルベン誘導体(1) には、ビニレン基(−ＣＨ＝ＣＨ−)の両側にある中心のベンゼン環とトリフェニルアミン部分との配置の違いによって、いわゆるシス（ｃｉｓ）体と、トランス（ｔｒａｎｓ）体との２種の異性体が存在する。本発明において、スチルベン誘導体(1) のシス体、トランス体については特に限定されないが、通常トランス異性体を使用するのが好ましい。
【００４２】
《スチルベン誘導体の製造方法》
本発明のスチルベン誘導体(1) の合成方法を、Ｒ1 、Ｒ3 およびＲ5 が同一の基で、かつＲ2 、Ｒ4 およびＲ6 が同一の基である場合（一般式(1'') で表す）を例にとって説明する。
反応式(I) ：
【００４３】
【化１３】
【００４４】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
一般式(1'') で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記反応式(I) に示すように、一般式(2) で表されるトリフェニルアミンのホルミル体と一般式(3) で表されるトリスリン酸エステル誘導体とを適当な無水溶媒中、塩基の存在下で反応させることによって合成される。
【００４５】
上記合成反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
塩基としては、ナトリウムメトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の金属水素化物が挙げられる。
【００４６】
トリフェニルアミンのホルミル体(2) の使用量は、トリスリン酸エステル誘導体(3) に対して２．７〜３．７５倍モル量、好ましくは２．９３〜３．０８倍モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、３〜１２時間程度で終了する。
なお、Ｒ1 、Ｒ3 およびＲ5 、あるいはＲ2 、Ｒ4 およびＲ6 が異なる基である場合には、トリスリン酸エステル誘導体(3) のリン酸エステル部分に適宜保護基をつけて反応を行えばよい。
【００４７】
トリフェニルアミンのホルミル体(2) は、下記反応式(II)に示すようにして合成される。
反応式(II)：
【００４８】
【化１４】
【００４９】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
この反応は、アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(90)とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅等の触媒とともに反応させることによってトリフェニルアミン誘導体(5) を得、次いでこのトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) を得るものである。
【００５０】
前記アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(90)ととの使用割合は、モル比で１：１〜１：３、好ましくは１：１．８〜１：２．２である。反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組合せにより調製される。特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５１】
前記Vilsmeier 試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜１：２、好ましくは１：１〜１：１．２である。
上記 Vilsmeier試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体(5) に対して０．９〜２倍モル量、好ましくは１〜１．１倍モル量である。前記化合物(5) のホルミル化は、通常４０〜８０℃で行われ、２〜５時間程度で終了する。
【００５２】
トリスリン酸エステル誘導体(3) は、下記反応式(III) に示すようにして合成される。
反応式(III) ：
【００５３】
【化１５】
【００５４】
この反応は、１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリスリン酸エステル誘導体(3) を得るものである。その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００５５】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等が挙げられる。
【００５６】
１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも３倍モル量、好ましくは３〜３．６倍モル量である。反応は、通常８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終了する。
上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等での種々の分野での利用が可能である。
【００５７】
《電子写真感光体》
本発明の電子写真感光体は、前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００５８】
本発明の単層型電子写真感光体は、前述の特開平３−７３９５７号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。また、本発明の単層型電子写真感光体の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させたときは、電荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感光体の感度がより一層向上する。
【００５９】
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００６０】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発生層には電子輸送剤を含有させてもよい。
【００６１】
本発明の積層型電子写真感光体は、前述の特開平３−７３９５７号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
【００６２】
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
《電荷発生剤》
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。
(CG1) 無金属フタロシアニン
【００６３】
【化１６】
【００６４】
(CG2) オキソチタニルフタロシアニン
【００６５】
【化１７】
【００６６】
(CG3) ペリレン顔料
【００６７】
【化１８】
【００６８】
（式中、Ｒg1およびＲg2は同一または異なって、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基またはアラルキル基を示す。）
(CG4) ビスアゾ顔料
【００６９】
【化１９】
【００７０】
〔式中、Ｃｐ1 およびＣｐ2 は同一または異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：
【００７１】
【化２０】
【００７２】
（式中、Ｒg3は水素原子、アルキル基、アリール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリール基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ωは０または１を示す。）
【００７３】
【化２１】
【００７４】
（式中、Ｒg4およびＲg5は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
【００７５】
【化２２】
【００７６】
（式中、Ｒg6は水素原子、エチル基、クロロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）
【００７７】
【化２３】
【００７８】
または
【００７９】
【化２４】
【００８０】
（式中、Ｒg7、Ｒg8およびＲg9は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
で表される基を示す。〕
(CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
【００８１】
【化２５】
【００８２】
（式中、Ｒg10 およびＲg11 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg12 およびＲg13 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
【００８３】
【化２６】
【００８４】
（式中、Ｒg14 、Ｒg15 、Ｒg16 およびＲg17 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
【００８５】
【化２７】
【００８６】
（式中、Ｒg18 、Ｒg19 、Ｒg20 およびＲg21 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを示す。）
(CG8) スクアライン顔料
【００８７】
【化２８】
【００８８】
（式中、Ｒg22 およびＲg23 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG9) トリスアゾ顔料
【００８９】
【化２９】
【００９０】
（式中、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 は同一または異なって、カップラー残基を示す。）
(CG10)インジゴ顔料
【００９１】
【化３０】
【００９２】
（式中、Ｒg24 およびＲg25 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。）
(CG11)アズレニウム顔料
【００９３】
【化３１】
【００９４】
（式中、Ｒg26 およびＲg27 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG12)シアニン顔料
【００９５】
【化３２】
【００９６】
（式中、Ｒg28 およびＲg29 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg30 およびＲg31 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、前述と同様な基のほか、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の炭素数５〜６の基が含まれる。炭素数１８以下の置換または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を含む基である。
【００９７】
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜８の基があげられる。
アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６の基があげられる。
【００９８】
アリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基があげられる。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリル等があげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基であってもよい。
【００９９】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。
Ｃｐ1 、Ｃｐ2 、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。
【０１００】
【化３３】
【０１０１】
【化３４】
【０１０２】
各式中、Ｒg32 は、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい。
【０１０３】
Ｒg33 は、ベンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg34 は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を示す。
Ｒg35 は、２価の鎖式炭化水素基または芳香族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０４】
Ｒg36 は、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg37 は、２価の鎖式炭化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０５】
Ｒg38 は、水素原子、アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。
Ｒg39 は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０６】
アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜６のアルケニル基があげられる。
前記Ｒg33 において、ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基があげられる。
【０１０７】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等があげられる。
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のアルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。
【０１０８】
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があげられる。
【０１０９】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チアゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノリル等）であってもよい。
【０１１０】
前記Ｒg35 、Ｒg37 において、２価の鎖式炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があげられる。
前記Ｒg36 において、複素環式基としては、ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等があげられる。
【０１１１】
前記Ｒg37 において、２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒg37 と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１１２】
前記Ｒg38 において、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の基があげられる。
本発明においては、上記例示の電荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができる。
【０１１３】
また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記例示の電荷発生剤のうち、特に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使用できる。
【０１１４】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
《正孔輸送剤》
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体(1) とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させてもよい。
【０１１５】
かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜(HT13)で表される化合物等があげられる。
【０１１６】
【化３５】
【０１１７】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
【０１１８】
【化３６】
【０１１９】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は異なっていてもよい。）
【０１２０】
【化３７】
【０１２１】
（式中、Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 およびＲh15 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16 はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 、Ｒh15 およびＲh16 は異なっていてもよい。）
【０１２２】
【化３８】
【０１２３】
（式中、Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は異なっていてもよい。）
【０１２４】
【化３９】
【０１２５】
（式中、Ｒh21 およびＲh22 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23 、Ｒh24 、Ｒh25 およびＲh26 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
【０１２６】
【化４０】
【０１２７】
（式中、Ｒh27 、Ｒh28 およびＲh29 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１２８】
【化４１】
【０１２９】
（式中、Ｒh30 、Ｒh31 、Ｒh32 およびＲh33 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３０】
【化４２】
【０１３１】
（式中、Ｒh34 、Ｒh35 、Ｒh36 、Ｒh37 およびＲh38 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３２】
【化４３】
【０１３３】
（式中、Ｒh39 は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40 、Ｒh41 およびＲh42 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３４】
【化４４】
【０１３５】
（式中、Ｒh43 、Ｒh44 およびＲh45 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３６】
【化４５】
【０１３７】
（式中、Ｒh46 およびＲh47 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48 およびＲh49 は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１３８】
【化４６】
【０１３９】
（式中、Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は異なっていてもよい。）
【０１４０】
【化４７】
【０１４１】
（式中、Ｒh56 、Ｒh57 、Ｒh58 およびＲh59 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
【０１４２】
【化４８】
【０１４３】
で表される基（Φ−１）、（Φ−２）または（Φ−３）を示す。）
上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１４４】
また本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等を用いることもできる。
【０１４５】
本発明において、正孔輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。
《電子輸送剤》
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物等があげられる。
【０１４６】
【化４９】
【０１４７】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【０１４８】
【化５０】
【０１４９】
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
【０１５０】
【化５１】
【０１５１】
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
【０１５２】
【化５２】
【０１５３】
（式中、Ｒe10 はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10 は異なっていてもよい。）
【０１５４】
【化５３】
【０１５５】
（式中、Ｒe11 はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11 は異なっていてもよい。）
【０１５６】
【化５４】
【０１５７】
（式中、Ｒe12 およびＲe13 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１５８】
【化５５】
【０１５９】
（式中、Ｒe14 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６０】
【化５６】
【０１６１】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１６２】
【化５７】
【０１６３】
（式中、Ｒe16 およびＲe17 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16 およびＲe17 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６４】
【化５８】
【０１６５】
（式中、Ｒe18 およびＲe19 は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
【０１６６】
【化５９】
【０１６７】
（式中、Ｒe20 はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６８】
【化６０】
【０１６９】
（式中、Ｒe21 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
【０１７０】
【化６１】
【０１７１】
（式中、Ｒe22 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22 は互いに異なっていてもよい。）
【０１７２】
【化６２】
【０１７３】
（式中、Ｒe23 は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24 は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：
−Ｏ−Ｒe24a
を示す。上記基中のＲe24aは、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１７４】
【化６３】
【０１７５】
（式中、Ｒe25 、Ｒe26 、Ｒe27 、Ｒe28 、Ｒe29 、Ｒe30 およびＲe31 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１７６】
【化６４】
【０１７７】
（式中、Ｒe32 およびＲe33 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１７８】
【化６５】
【０１７９】
（式中、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１８０】
ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。
【０１８１】
ジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、互いに異なっていてもよい。
上記各基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１８２】
また本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等を用いることができる。
【０１８３】
本発明において、電子輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。
《結着樹脂》
上記各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
【０１８４】
感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０１８５】
次に、本発明の電子写真感光体における各種材料の配合割合等について説明する。
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
【０１８６】
本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０１８７】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
【０１８８】
積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
単層型感光体においては、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体においては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【０１８９】
上記感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０１９０】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
【０１９１】
上記分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０１９２】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０１９３】
【実施例】
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて本発明を説明する。
《スチルベン誘導体の合成》
参考例１（１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼンの合成）
標記化合物の合成を下記の反応式に沿って合成した。
【０１９４】
【化６６】
【０１９５】
すなわち、まず１，３，５−ベンゼントリカルボン酸(92)と、当該化合物(92)に対して４．５倍モル量のｎ−ブタノールとをトルエン（溶媒）に加え、８時間還流した後、メタノールで再結晶を行って、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸ブチルエステル(93)を得た（収率８３％）。
次いで、還流管を備えたフラスコの内部をアルゴン雰囲気とし、水素化アルミニウムリチウム（還元剤、ＬＡＨ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を入れ、さらにこの溶液を緩やかに還流させつつ、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸ブチルエステル(93)のＴＨＦ溶液を滴下した。室温で６時間撹拌した後、生成物を氷浴に入れて酢酸エチルで抽出し、水洗および酢酸エチルの留去を行うことにより、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）−ベンゼン(94)を得た（収率９２％）。
【０１９６】
還流管を備えたフラスコに、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）−ベンゼン(94)、塩化チオニルおよびピリジンを加え、８時間還流した後、溶媒を留去し、メタノールから再結晶して、１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)を得た（収率８２％）。
参考例２（トリスリン酸エステル誘導体(3) の合成）
上記参考例１で得られた１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に対して亜リン酸トリエステル３．６倍モル量を加え、８時間還流した後、溶媒を留去し、ヘキサンから再結晶して、前記式(3) で表されるトリリン酸エステル誘導体を得た（収率９５％）。
【０１９７】
参考例３（２，６−ジメチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリン１５ｇ（１２４ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン５０ｇ（２４５ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム１７ｇ（１２３ｍｍｏｌ）および粉末銅１ｇ（１６ｍｍｏｌ）をニトロベンゼン１５０ミリリットル中に加え、還流下、約２４時間反応させた。反応後、無機塩を除去し、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２８．８ｇを得た（収率８５％）。
【０１９８】
参考例４（２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−エチル−ｏ−トルイジン（２−エチル−６−メチルアニリン）を同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物２８．１ｇを得た（収率７９％）。
参考例５（２，６−ジエチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，６−ジエチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．０ｇを得た（収率８３％）。
【０１９９】
参考例６（２−イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−イソプロピル−６−メチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例７（２−エチル−６−イソプロピルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−イソプロピルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２００】
参考例８〔２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０１】
参考例９〔２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕２，６−ジメチルアニリンに代えて２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１０（２−メチル−４−フェニルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−４−フェニルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０２】
参考例１１（２−メチル−４−ベンジルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−４−ベンジルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１２（２−メチル−５−メトキシトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−５−メトキシアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０３】
参考例１３（２，４−ジメチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，４−ジメチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１４（２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミン２８ｇ（１０２ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ（１０４ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で１時間反応させた。反応後、水３００ミリリットル中に加え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗し、乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２６．８ｇを得た。（収率８７％）
参考例１５（２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物２８．２ｇを得た（収率８７％）。
【０２０４】
参考例１６（２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，６−ジエチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物２７．１ｇを得た（収率８０％）。
参考例１７（２−イソプロピル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０５】
参考例１８（２−エチル−６−イソプロピル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−イソプロピルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０６】
参考例１９〔２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０７】
参考例２０〔２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０８】
参考例２１（２−メチル−４−フェニル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−４−フェニルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０９】
参考例２２（２−メチル−４−ベンジル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−４−ベンジルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２１０】
参考例２３（２−メチル−５−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−５−メトキシトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２１１】
参考例２４（２，４−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，４−ジメチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
合成例１（スチルベン誘導体(1-1) の合成）
参考例２で得られたトリスリン酸エステル(3) ８．２ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）と、脱気乾燥した水素化ナトリウム１．１ｇ（４６．８ｍｍｏｌ）とをＴＨＦ２００ｍｌ中に加え、氷冷した。これに、ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミン９５ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ｍｌに加え、析出した結晶をろ過して水洗した。結晶を乾燥後、シリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、前記表１において化合物番号１−１で示したスチルベン誘導体１０．６ｇを得た（収率７０％）。
【０２１２】
合成例２（スチルベン誘導体(1-2) の合成）
２，６−ジメチル４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−２で示したスチルベン誘導体１１．８ｇを得た（収率７５％）。
【０２１３】
融点：１３５〜１３７℃
上記スチルベン誘導体(1-2) の赤外吸収スペクトルを図１に示す。
合成例３（スチルベン誘導体(1-3) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−３で示したスチルベン誘導体１１．４ｇを得た（収率６９％）。
【０２１４】
合成例４（スチルベン誘導体(1-4) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−イソプロピル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−４で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１５】
合成例５（スチルベン誘導体(1-5) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−イソプロピル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−５で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１６】
合成例６（スチルベン誘導体(1-6) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−６で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１７】
合成例７（スチルベン誘導体(1-7) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−７で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１８】
合成例８（スチルベン誘導体(1-8) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４−フェニル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−８で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１９】
合成例９（スチルベン誘導体(1-9) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４−ベンジル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−９で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２０】
合成例１０（スチルベン誘導体(1-10)の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−５−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−１０で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２１】
合成例１１（スチルベン誘導体(1-11)の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，４−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−１１で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２２】
《結着樹脂との相溶性についての評価》
合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体について、結着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。
（試料の調製）
結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）６００重量部との混合液に、合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗布液が得られるスチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をロールミルにて５０時間混合分散させることによって行った。
【０２２３】
次に、上記各スチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するスチルベン誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂への溶解性を評価した。なお、この配合率が高いほど、結着樹脂への溶解性に優れていることを示す。
【０２２４】
【数１】
【０２２５】
対照化合物として、下記式(6-1) 〜(6-6) で表されるスチルベン誘導体を用い、上記と同様にして結着樹脂への溶解性を評価した。
【０２２６】
【化６７】
【０２２７】
【化６８】
【０２２８】
【化６９】
【０２２９】
なお、上記式(6-1) 〜(6-6) で表されるスチルベン誘導体はいずれも特開平３−７３９５７号公報に開示の化合物に対応するものである。式(6-1) 〜(6-6) に対応する前記公報での化合物番号は、順に、Ｎｏ．４、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３、Ｎｏ．１９、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２９である。
これらの結果を表２に示す。
【０２３０】
【表２】
【０２３１】
表２より明らかなように、合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体(1-1) 〜(1-3) は、従来のスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-6) に比べて、結着樹脂に対する溶解性が優れている。
《電子写真感光体の製造》
（デジタル光源用単層型感光体）
実施例１
電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用いた。正孔輸送剤には、合成例１で得られたスチルベン誘導体(1-1) を用いた。
【０２３２】
上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１００重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部とともにボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液を作成した。次いで、この塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３３】
実施例２
正孔輸送剤として、合成例２で得られたスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３
正孔輸送剤として、合成例３で得られたスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３４】
実施例４
単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤として、式(ET17-1)：
【０２３５】
【化７０】
【０２３６】
で表されるジフェノキノン誘導体を３０重量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例５
正孔輸送剤として、合成例２で得られたスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３７】
実施例６
正孔輸送剤として、合成例３で得られたスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７〜９
電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代えて、式(ET14-1)：
【０２３８】
【化７１】
【０２３９】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０〜１２
電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代えて、式(ET14-2)：
【０２４０】
【化７２】
【０２４１】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例１
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-1) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４２】
比較例２
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-2) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-3) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４３】
比較例４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-4) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-5) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４４】
比較例６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-6) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１〜１２および比較例１〜６で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
【０２４５】
電気特性試験(I)
ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用いて各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７００±２０Ｖに帯電させた後、表面電位ＶO （Ｖ）を測定した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃｍ2 ）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）して、上記表面電位ＶO が１／２になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を算出した。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を残留電位Ｖr （Ｖ）として測定した。
【０２４６】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表３に示す。なお、以下の表において、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類はそれぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。
【０２４７】
【表３】
【０２４８】
実施例１３〜２４および比較例７〜１２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１３〜２４および比較例７〜１２で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表４に示す。
【０２４９】
【表４】
【０２５０】
実施例２５〜３６および比較例１３〜１８
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例２５〜３６および比較例１３〜１８で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表５に示す。
【０２５１】
【表５】
【０２５２】
（デジタル光源用積層型感光体）
実施例３７
電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) ２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【０２５３】
次に、正孔輸送剤であるスチルベン誘導体(1-1) １重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５４】
実施例３８
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例３７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例３９
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例３７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５５】
実施例４０〜４２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例４３〜４５
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５６】
比較例１９〜２１
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２２〜２４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５７】
比較例２５〜２７
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-3) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２８〜３０
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-4) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５８】
比較例３１〜３３
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-5) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例３４〜３６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-6) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５９】
上記実施例３７〜４５および比較例１９〜３６で得られた感光体について下記の電気特性試験(II)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(II)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を求めた。
【０２６０】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表６および７に示す。
【０２６１】
【表６】
【０２６２】
【表７】
【０２６３】
（アナログ光源用単層型感光体）
実施例４６〜５７および比較例３７〜４２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、式(CG3-1) ：
【０２６４】
【化７３】
【０２６５】
で表されるペリレン顔料を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例４６〜５７および比較例３７〜４２で得られた感光体について下記の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(III)
露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルックス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を求めた。
【０２６６】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表８に示す。
【０２６７】
【表８】
【０２６８】
実施例５８〜６９および比較例４３〜４８
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-1) ：
【０２６９】
【化７４】
【０２７０】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例５８〜６９および比較例４３〜４８で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表９に示す。
【０２７１】
【表９】
【０２７２】
実施例７０〜８１および比較例４９〜５４
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-2) ：
【０２７３】
【化７５】
【０２７４】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例７０〜８１および比較例４９〜５４で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１０に示す。
【０２７５】
【表１０】
【０２７６】
実施例８２〜９３および比較例５５〜６０
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-3) ：
【０２７７】
【化７６】
【０２７８】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例８２〜９３および比較例５５〜６０で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１１に示す。
【０２７９】
【表１１】
【０２８０】
（アナログ光源用積層型感光体）
実施例９４〜９６
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８１】
実施例９７〜９９
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１００〜１０２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８２】
実施例１０３〜１０５
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例６１〜６４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８３】
比較例６５〜６８
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例６９〜７２
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-3) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８４】
比較例７３〜７６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-4) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例７７〜８０
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-5) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８５】
比較例８１〜８４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-6) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
上記実施例９４〜１０５および比較例６１〜８４で得られた感光体について下記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
【０２８６】
電気特性試験(IV)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・秒）を求めた。
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１２および１３に示す。
【０２８７】
【表１２】
【０２８８】
【表１３】
【０２８９】
表３〜１３から明らかなように、実施例１〜１０５の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較例に比べて残留電位Ｖr の絶対値が小さい。また、半減露光量Ｅ1/2 についても、対応する比較例での値と同等またはその値を下回っている。このことから、実施例１〜１０５の電子写真感光体は、優れた感度を有することがわかる。
【０２９０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する。
また、本発明の電子写真感光体は、上記スチルベン誘導体(1) を正孔輸送剤として用いることから、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】合成例で得られたスチルベン誘導体(1-2) のＩＲスペクトルを示すグラフである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた電荷輸送能を有するスチルベン誘導体、その製造方法および前記スチルベン誘導体を含有した、静電式複写機、ファクシミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、特開平３−７３９５７号公報には、一般式(6) ：
【０００５】
【化６】
（式中、ＲA およびＲB は水素原子、アルキル基等を示す。但し、ＲA およびＲB は同時に水素原子ではないものとする。）
で表されるスチルベン誘導体が開示されている。
しかし、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体のうち、上記公報に具体的に開示されている化合物はバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されにくいため、電荷移動が生じにくくなるという問題がある。
【０００７】
従って、上記スチルベン誘導体(6) 自体は高い電荷移動度を有するにもかかわらず、これを電荷輸送剤として感光体に使用したときにはその特性が十分に発揮できず、残留電位が高く、光感度が不十分な感光体しか得られない。
そこで本発明の目的は、上記の技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適に用いることのできる新規なスチルベン誘導体と、その製造方法とを提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体の分子構造について検討を重ねた結果、分子末端のジフェニルアミノ基における一方のフェニル基が２位（オルト位）と他の置換位置との２ヶ所にアルキル基等の置換基を有しており、かつ他方のフェニル基が置換基を有しないときは、従来のスチルベン誘導体(6) に比べてバインダー樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているという全く新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体は、一般式(1) ：
【００１１】
【化７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。前記アリール基または前記アラルキル基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アリール基または前記アラルキル基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基またはアルカノイルオキシ基を有していてもよい。）
で表されることを特徴とする。
上記一般式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体は、特開平３−７３９５７号公報に具体的に開示されていない化合物であるとともに、前記公報に具体的に開示された化合物に比べてバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きい。従って、かかる本発明のスチルベン誘導体（１）を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、従来のものより高感度の電子写真感光体を提供することができる。
【００１３】
また、本発明者らは、前記スチルベン誘導体(1) の出発原料である下記トリフェニルアミンのホルミル体(2) についての製造方法を検討した。その結果、フェニル基の２位（オルト位）に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によってホルミル化すれば、３つのフェニル基のうち置換基を有するフェニル基はホルミル化されずに無置換のフェニル基がホルミル化されて、前記ホルミル体(2) を効率よく製造することができ、ひいてはスチルベン誘導体(1) の生産性の向上につながるという新たな事実を見出した。
【００１４】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体(1) の製造方法は、一般式(2) ：
【００１５】
【化８】
（式中、Ｒ1およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式（３）：
【００１７】
【化９】
で表されるトリスリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とする。
かかる本発明の製造方法に使用するホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2) は、一般式(4) ：
【００１９】
【化１０】
（式中、Ｒ1およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
【００２１】
【化１１】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られる。
前記トリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体(1) の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) のみが高収率で製造される。その理由は明らかではないが、前記化合物(5) の３つのフェニル基のうちオルト位に置換基Ｒ1 を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1 の影響によってねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなって当該フェニル基の求核性が低下してしまうため、置換基Ｒ1 を有するフェニル基のパラ位はホルミル化されず、その結果、他のフェニル基のパラ位のみがホルミル化されるものと推測される。
【００２３】
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く（すなわち電荷移動度が大きく）、帯電および露光時の光感度が優れている。従って、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した電子写真感光体よりも高い感度が得られる。
【００２４】
前記感光層は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有する単層型の感光層であるのが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
《スチルベン誘導体》
前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の基が挙げられる。中でも、炭素数が１〜４の基であるのが好ましい。
【００２６】
また、前記アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基を有するアルキル基としては、例えばヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アミノアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基等が挙げられる。
【００２７】
とりわけ、本発明のスチルベン誘導体(1) においては、電荷移動度を高めるという観点から、前記アルキル基がアルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基等の電子供与性基を有するのが好ましい。
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、２−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
【００２８】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシへキシル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシへキシル、ヘキシルオキシメチル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基が挙げられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基が挙げられる。
【００２９】
上記モノアルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシル、ヘキシルアミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００３０】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシル、ジヘキシルアミノへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００３１】
上記ハロゲン置換アルキル基としては、例えばモノクロロメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロロメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロロエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロロへキシル、ブロモへキシル、ヨードへキシル、フルオロへキシル等の、１〜３個のハロゲン原子が置換した炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
【００３２】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルへキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチル、ヘキシルカルボニルへキシル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数が１〜６であるアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
【００３３】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシへキシル、１−メチル−２−カルボキシエチル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基が挙げられる。
上記アルカノイルオキシアルキル基としては、例えばアセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチル、１−ヘキサノイルオキシ−２−メチルペンチル等の、炭素数２〜６のアルカノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基が挙げられる。
【００３４】
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基が挙げられる。
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアラルキル基としては、例えばベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル等の基が挙げられる。中でも、アルキル部分の炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。
【００３５】
上記アリール基およびアラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等のほか、前述と同様の置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されない。
【００３６】
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシなどの基が挙げられる。中でも、アルキル部分の炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。
また、上記アルコキシ基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基等の、前述のアルキル基と同様の置換基が挙げられる。
【００３７】
本発明のスチルベン誘導体は、上記一般式(1) で表される化合物の中でもとりわけ、一般式(1')：
【００３８】
【化１２】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 は前記と同じである。）
で表されるように、基Ｒ1 〜Ｒ6 がいずれもオルト位に置換しているのが、合成の容易さ、あるいはバインダー樹脂との相溶性等の観点から好ましい。
本発明のスチルベン誘導体(1) の具体例(1-1) 〜(1-12)におけるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 に相当する置換基を下記の表１に示す。表１中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｓ−Ｂｕはｓｅｃ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基、ＭｅＯはメトキシ基をそれぞれ示す。また、基Ｒ2 、Ｒ4 およびＲ6 の欄に示した数字は、当該基の置換位置を示す。従って、例えば「６−Ｍｅ」はトリフェニルアミン部分におけるフェニル基の６位（オルト位）にメチル基が置換していることを示し、「４−Ｅｔ」はフェニル基の４位（パラ位）にエチル基が置換していることを示す。
【００４０】
【表１】
また、本発明のスチルベン誘導体(1) には、ビニレン基(−ＣＨ＝ＣＨ−)の両側にある中心のベンゼン環とトリフェニルアミン部分との配置の違いによって、いわゆるシス（ｃｉｓ）体と、トランス（ｔｒａｎｓ）体との２種の異性体が存在する。本発明において、スチルベン誘導体(1) のシス体、トランス体については特に限定されないが、通常トランス異性体を使用するのが好ましい。
【００４２】
《スチルベン誘導体の製造方法》
本発明のスチルベン誘導体(1) の合成方法を、Ｒ1 、Ｒ3 およびＲ5 が同一の基で、かつＲ2 、Ｒ4 およびＲ6 が同一の基である場合（一般式(1'') で表す）を例にとって説明する。
反応式(I) ：
【００４３】
【化１３】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
一般式(1'') で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記反応式(I) に示すように、一般式(2) で表されるトリフェニルアミンのホルミル体と一般式(3) で表されるトリスリン酸エステル誘導体とを適当な無水溶媒中、塩基の存在下で反応させることによって合成される。
【００４５】
上記合成反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
塩基としては、ナトリウムメトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の金属水素化物が挙げられる。
【００４６】
トリフェニルアミンのホルミル体(2) の使用量は、トリスリン酸エステル誘導体(3) に対して２．７〜３．７５倍モル量、好ましくは２．９３〜３．０８倍モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、３〜１２時間程度で終了する。
なお、Ｒ1 、Ｒ3 およびＲ5 、あるいはＲ2 、Ｒ4 およびＲ6 が異なる基である場合には、トリスリン酸エステル誘導体(3) のリン酸エステル部分に適宜保護基をつけて反応を行えばよい。
【００４７】
トリフェニルアミンのホルミル体(2) は、下記反応式(II)に示すようにして合成される。
反応式(II)：
【００４８】
【化１４】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
この反応は、アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(90)とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅等の触媒とともに反応させることによってトリフェニルアミン誘導体(5) を得、次いでこのトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) を得るものである。
【００５０】
前記アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(90)ととの使用割合は、モル比で１：１〜１：３、好ましくは１：１．８〜１：２．２である。反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組合せにより調製される。特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５１】
前記Vilsmeier 試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜１：２、好ましくは１：１〜１：１．２である。
上記 Vilsmeier試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体(5) に対して０．９〜２倍モル量、好ましくは１〜１．１倍モル量である。前記化合物(5) のホルミル化は、通常４０〜８０℃で行われ、２〜５時間程度で終了する。
【００５２】
トリスリン酸エステル誘導体(3) は、下記反応式(III) に示すようにして合成される。
反応式(III) ：
【００５３】
【化１５】
この反応は、１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリスリン酸エステル誘導体(3) を得るものである。その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００５５】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等が挙げられる。
【００５６】
１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも３倍モル量、好ましくは３〜３．６倍モル量である。反応は、通常８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終了する。
上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等での種々の分野での利用が可能である。
【００５７】
《電子写真感光体》
本発明の電子写真感光体は、前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００５８】
本発明の単層型電子写真感光体は、前述の特開平３−７３９５７号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。また、本発明の単層型電子写真感光体の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させたときは、電荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感光体の感度がより一層向上する。
【００５９】
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００６０】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発生層には電子輸送剤を含有させてもよい。
【００６１】
本発明の積層型電子写真感光体は、前述の特開平３−７３９５７号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
【００６２】
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
《電荷発生剤》
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。
(CG1) 無金属フタロシアニン
【００６３】
【化１６】
(CG2) オキソチタニルフタロシアニン
【００６５】
【化１７】
(CG3) ペリレン顔料
【００６７】
【化１８】
（式中、Ｒg1およびＲg2は同一または異なって、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基またはアラルキル基を示す。）
(CG4) ビスアゾ顔料
【００６９】
【化１９】
〔式中、Ｃｐ1 およびＣｐ2 は同一または異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：
【００７１】
【化２０】
（式中、Ｒg3は水素原子、アルキル基、アリール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリール基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ωは０または１を示す。）
【００７３】
【化２１】
（式中、Ｒg4およびＲg5は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
【００７５】
【化２２】
（式中、Ｒg6は水素原子、エチル基、クロロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）
【００７７】
【化２３】
または
【００７９】
【化２４】
（式中、Ｒg7、Ｒg8およびＲg9は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
で表される基を示す。〕
(CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
【００８１】
【化２５】
（式中、Ｒg10 およびＲg11 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg12 およびＲg13 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
【００８３】
【化２６】
（式中、Ｒg14 、Ｒg15 、Ｒg16 およびＲg17 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
【００８５】
【化２７】
（式中、Ｒg18 、Ｒg19 、Ｒg20 およびＲg21 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを示す。）
(CG8) スクアライン顔料
【００８７】
【化２８】
（式中、Ｒg22 およびＲg23 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG9) トリスアゾ顔料
【００８９】
【化２９】
（式中、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 は同一または異なって、カップラー残基を示す。）
(CG10)インジゴ顔料
【００９１】
【化３０】
（式中、Ｒg24 およびＲg25 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。）
(CG11)アズレニウム顔料
【００９３】
【化３１】
（式中、Ｒg26 およびＲg27 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG12)シアニン顔料
【００９５】
【化３２】
（式中、Ｒg28 およびＲg29 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg30 およびＲg31 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、前述と同様な基のほか、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の炭素数５〜６の基が含まれる。炭素数１８以下の置換または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を含む基である。
【００９７】
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜８の基があげられる。
アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６の基があげられる。
【００９８】
アリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基があげられる。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリル等があげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基であってもよい。
【００９９】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。
Ｃｐ1 、Ｃｐ2 、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。
【０１００】
【化３３】
【化３４】
各式中、Ｒg32 は、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい。
【０１０３】
Ｒg33 は、ベンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg34 は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を示す。
Ｒg35 は、２価の鎖式炭化水素基または芳香族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０４】
Ｒg36 は、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg37 は、２価の鎖式炭化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０５】
Ｒg38 は、水素原子、アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。
Ｒg39 は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０６】
アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜６のアルケニル基があげられる。
前記Ｒg33 において、ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基があげられる。
【０１０７】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等があげられる。
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のアルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。
【０１０８】
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があげられる。
【０１０９】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チアゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノリル等）であってもよい。
【０１１０】
前記Ｒg35 、Ｒg37 において、２価の鎖式炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があげられる。
前記Ｒg36 において、複素環式基としては、ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等があげられる。
【０１１１】
前記Ｒg37 において、２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒg37 と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１１２】
前記Ｒg38 において、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の基があげられる。
本発明においては、上記例示の電荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができる。
【０１１３】
また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記例示の電荷発生剤のうち、特に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使用できる。
【０１１４】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
《正孔輸送剤》
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体(1) とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させてもよい。
【０１１５】
かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜(HT13)で表される化合物等があげられる。
【０１１６】
【化３５】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
【０１１８】
【化３６】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は異なっていてもよい。）
【０１２０】
【化３７】
（式中、Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 およびＲh15 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16 はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 、Ｒh15 およびＲh16 は異なっていてもよい。）
【０１２２】
【化３８】
（式中、Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は異なっていてもよい。）
【０１２４】
【化３９】
（式中、Ｒh21 およびＲh22 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23 、Ｒh24 、Ｒh25 およびＲh26 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
【０１２６】
【化４０】
（式中、Ｒh27 、Ｒh28 およびＲh29 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１２８】
【化４１】
（式中、Ｒh30 、Ｒh31 、Ｒh32 およびＲh33 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３０】
【化４２】
（式中、Ｒh34 、Ｒh35 、Ｒh36 、Ｒh37 およびＲh38 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３２】
【化４３】
（式中、Ｒh39 は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40 、Ｒh41 およびＲh42 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３４】
【化４４】
（式中、Ｒh43 、Ｒh44 およびＲh45 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１３６】
【化４５】
（式中、Ｒh46 およびＲh47 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48 およびＲh49 は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１３８】
【化４６】
（式中、Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は異なっていてもよい。）
【０１４０】
【化４７】
（式中、Ｒh56 、Ｒh57 、Ｒh58 およびＲh59 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
【０１４２】
【化４８】
で表される基（Φ−１）、（Φ−２）または（Φ−３）を示す。）
上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１４４】
また本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等を用いることもできる。
【０１４５】
本発明において、正孔輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。
《電子輸送剤》
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物等があげられる。
【０１４６】
【化４９】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【０１４８】
【化５０】
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
【０１５０】
【化５１】
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
【０１５２】
【化５２】
（式中、Ｒe10 はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10 は異なっていてもよい。）
【０１５４】
【化５３】
（式中、Ｒe11 はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11 は異なっていてもよい。）
【０１５６】
【化５４】
（式中、Ｒe12 およびＲe13 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１５８】
【化５５】
（式中、Ｒe14 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６０】
【化５６】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１６２】
【化５７】
（式中、Ｒe16 およびＲe17 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16 およびＲe17 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６４】
【化５８】
（式中、Ｒe18 およびＲe19 は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
【０１６６】
【化５９】
（式中、Ｒe20 はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20 は互いに異なっていてもよい。）
【０１６８】
【化６０】
（式中、Ｒe21 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
【０１７０】
【化６１】
（式中、Ｒe22 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22 は互いに異なっていてもよい。）
【０１７２】
【化６２】
（式中、Ｒe23 は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24 は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：
−Ｏ−Ｒe24a
を示す。上記基中のＲe24aは、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１７４】
【化６３】
（式中、Ｒe25 、Ｒe26 、Ｒe27 、Ｒe28 、Ｒe29 、Ｒe30 およびＲe31 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１７６】
【化６４】
（式中、Ｒe32 およびＲe33 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１７８】
【化６５】
（式中、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１８０】
ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。
【０１８１】
ジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、互いに異なっていてもよい。
上記各基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１８２】
また本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等を用いることができる。
【０１８３】
本発明において、電子輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。
《結着樹脂》
上記各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
【０１８４】
感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０１８５】
次に、本発明の電子写真感光体における各種材料の配合割合等について説明する。
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
【０１８６】
本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０１８７】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
【０１８８】
積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
単層型感光体においては、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体においては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【０１８９】
上記感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０１９０】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
【０１９１】
上記分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０１９２】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０１９３】
【実施例】
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて本発明を説明する。
《スチルベン誘導体の合成》
参考例１（１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼンの合成）
標記化合物の合成を下記の反応式に沿って合成した。
【０１９４】
【化６６】
すなわち、まず１，３，５−ベンゼントリカルボン酸(92)と、当該化合物(92)に対して４．５倍モル量のｎ−ブタノールとをトルエン（溶媒）に加え、８時間還流した後、メタノールで再結晶を行って、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸ブチルエステル(93)を得た（収率８３％）。
次いで、還流管を備えたフラスコの内部をアルゴン雰囲気とし、水素化アルミニウムリチウム（還元剤、ＬＡＨ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を入れ、さらにこの溶液を緩やかに還流させつつ、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸ブチルエステル(93)のＴＨＦ溶液を滴下した。室温で６時間撹拌した後、生成物を氷浴に入れて酢酸エチルで抽出し、水洗および酢酸エチルの留去を行うことにより、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）−ベンゼン(94)を得た（収率９２％）。
【０１９６】
還流管を備えたフラスコに、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）−ベンゼン(94)、塩化チオニルおよびピリジンを加え、８時間還流した後、溶媒を留去し、メタノールから再結晶して、１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)を得た（収率８２％）。
参考例２（トリスリン酸エステル誘導体(3) の合成）
上記参考例１で得られた１，３，５−トリス（クロロメチル）−ベンゼン(91)に対して亜リン酸トリエステル３．６倍モル量を加え、８時間還流した後、溶媒を留去し、ヘキサンから再結晶して、前記式(3) で表されるトリリン酸エステル誘導体を得た（収率９５％）。
【０１９７】
参考例３（２，６−ジメチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリン１５ｇ（１２４ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン５０ｇ（２４５ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム１７ｇ（１２３ｍｍｏｌ）および粉末銅１ｇ（１６ｍｍｏｌ）をニトロベンゼン１５０ミリリットル中に加え、還流下、約２４時間反応させた。反応後、無機塩を除去し、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２８．８ｇを得た（収率８５％）。
【０１９８】
参考例４（２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−エチル−ｏ−トルイジン（２−エチル−６−メチルアニリン）を同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物２８．１ｇを得た（収率７９％）。
参考例５（２，６−ジエチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，６−ジエチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．０ｇを得た（収率８３％）。
【０１９９】
参考例６（２−イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−イソプロピル−６−メチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例７（２−エチル−６−イソプロピルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−イソプロピルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２００】
参考例８〔２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０１】
参考例９〔２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕２，６−ジメチルアニリンに代えて２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１０（２−メチル−４−フェニルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−４−フェニルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０２】
参考例１１（２−メチル−４−ベンジルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−４−ベンジルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１２（２−メチル−５−メトキシトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メチル−５−メトキシアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０３】
参考例１３（２，４−ジメチルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，４−ジメチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
参考例１４（２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミン２８ｇ（１０２ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ（１０４ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で１時間反応させた。反応後、水３００ミリリットル中に加え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗し、乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２６．８ｇを得た。（収率８７％）
参考例１５（２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物２８．２ｇを得た（収率８７％）。
【０２０４】
参考例１６（２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，６−ジエチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物２７．１ｇを得た（収率８０％）。
参考例１７（２−イソプロピル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０５】
参考例１８（２−エチル−６−イソプロピル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−イソプロピルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０６】
参考例１９〔２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０７】
参考例２０〔２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０８】
参考例２１（２−メチル−４−フェニル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−４−フェニルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２０９】
参考例２２（２−メチル−４−ベンジル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−４−ベンジルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２１０】
参考例２３（２−メチル−５−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−５−メトキシトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
【０２１１】
参考例２４（２，４−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，４−ジメチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１４と同様に反応を行い、標記化合物を得た。
合成例１（スチルベン誘導体(1-1) の合成）
参考例２で得られたトリスリン酸エステル(3) ８．２ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）と、脱気乾燥した水素化ナトリウム１．１ｇ（４６．８ｍｍｏｌ）とをＴＨＦ２００ｍｌ中に加え、氷冷した。これに、ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミン９５ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ｍｌに加え、析出した結晶をろ過して水洗した。結晶を乾燥後、シリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、前記表１において化合物番号１−１で示したスチルベン誘導体１０．６ｇを得た（収率７０％）。
【０２１２】
合成例２（スチルベン誘導体(1-2) の合成）
２，６−ジメチル４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−２で示したスチルベン誘導体１１．８ｇを得た（収率７５％）。
【０２１３】
融点：１３５〜１３７℃
上記スチルベン誘導体(1-2) の赤外吸収スペクトルを図１に示す。
合成例３（スチルベン誘導体(1-3) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−３で示したスチルベン誘導体１１．４ｇを得た（収率６９％）。
【０２１４】
合成例４（スチルベン誘導体(1-4) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−イソプロピル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−４で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１５】
合成例５（スチルベン誘導体(1-5) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−イソプロピル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−５で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１６】
合成例６（スチルベン誘導体(1-6) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−（ｔｅｒｔ−ブチル）−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−６で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１７】
合成例７（スチルベン誘導体(1-7) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−（ｓｅｃ−ブチル）−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−７で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１８】
合成例８（スチルベン誘導体(1-8) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４−フェニル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−８で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２１９】
合成例９（スチルベン誘導体(1-9) の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４−ベンジル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−９で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２０】
合成例１０（スチルベン誘導体(1-10)の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−５−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−１０で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２１】
合成例１１（スチルベン誘導体(1-11)の合成）
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，４−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１−１１で示したスチルベン誘導体を得た。
【０２２２】
《結着樹脂との相溶性についての評価》
合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体について、結着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。
（試料の調製）
結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）６００重量部との混合液に、合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗布液が得られるスチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をロールミルにて５０時間混合分散させることによって行った。
【０２２３】
次に、上記各スチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するスチルベン誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂への溶解性を評価した。なお、この配合率が高いほど、結着樹脂への溶解性に優れていることを示す。
【０２２４】
【数１】
対照化合物として、下記式(6-1) 〜(6-6) で表されるスチルベン誘導体を用い、上記と同様にして結着樹脂への溶解性を評価した。
【０２２６】
【化６７】
【化６８】
【化６９】
なお、上記式(6-1) 〜(6-6) で表されるスチルベン誘導体はいずれも特開平３−７３９５７号公報に開示の化合物に対応するものである。式(6-1) 〜(6-6) に対応する前記公報での化合物番号は、順に、Ｎｏ．４、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３、Ｎｏ．１９、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２９である。
これらの結果を表２に示す。
【０２３０】
【表２】
表２より明らかなように、合成例１〜３で得られたスチルベン誘導体(1-1) 〜(1-3) は、従来のスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-6) に比べて、結着樹脂に対する溶解性が優れている。
《電子写真感光体の製造》
（デジタル光源用単層型感光体）
実施例１
電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用いた。正孔輸送剤には、合成例１で得られたスチルベン誘導体(1-1) を用いた。
【０２３２】
上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１００重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部とともにボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液を作成した。次いで、この塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３３】
実施例２
正孔輸送剤として、合成例２で得られたスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３
正孔輸送剤として、合成例３で得られたスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３４】
実施例４
単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤として、式(ET17-1)：
【０２３５】
【化７０】
で表されるジフェノキノン誘導体を３０重量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例５
正孔輸送剤として、合成例２で得られたスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３７】
実施例６
正孔輸送剤として、合成例３で得られたスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７〜９
電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代えて、式(ET14-1)：
【０２３８】
【化７１】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０〜１２
電子輸送剤として、ジフェノキノン誘導体(ET17-1)に代えて、式(ET14-2)：
【０２４０】
【化７２】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例１
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-1) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４２】
比較例２
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-2) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-3) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４３】
比較例４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-4) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-5) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４４】
比較例６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、前記式(6-6) で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１〜１２および比較例１〜６で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
【０２４５】
電気特性試験(I)
ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用いて各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７００±２０Ｖに帯電させた後、表面電位ＶO （Ｖ）を測定した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃｍ2 ）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）して、上記表面電位ＶO が１／２になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を算出した。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を残留電位Ｖr （Ｖ）として測定した。
【０２４６】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表３に示す。なお、以下の表において、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類はそれぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。
【０２４７】
【表３】
実施例１３〜２４および比較例７〜１２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１３〜２４および比較例７〜１２で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表４に示す。
【０２４９】
【表４】
実施例２５〜３６および比較例１３〜１８
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例２５〜３６および比較例１３〜１８で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表５に示す。
【０２５１】
【表５】
（デジタル光源用積層型感光体）
実施例３７
電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) ２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【０２５３】
次に、正孔輸送剤であるスチルベン誘導体(1-1) １重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５４】
実施例３８
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(1-2) を用いたほかは、実施例３７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例３９
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(1-3) を用いたほかは、実施例３７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５５】
実施例４０〜４２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例４３〜４５
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５６】
比較例１９〜２１
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２２〜２４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５７】
比較例２５〜２７
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-3) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２８〜３０
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-4) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５８】
比較例３１〜３３
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-5) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例３４〜３６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えてスチルベン誘導体(6-6) を用いたほかは、実施例３７、４０および４３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２５９】
上記実施例３７〜４５および比較例１９〜３６で得られた感光体について下記の電気特性試験(II)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(II)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を求めた。
【０２６０】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表６および７に示す。
【０２６１】
【表６】
【表７】
（アナログ光源用単層型感光体）
実施例４６〜５７および比較例３７〜４２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、式(CG3-1) ：
【０２６４】
【化７３】
で表されるペリレン顔料を用いたほかは、実施例１〜１２、比較例１〜６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例４６〜５７および比較例３７〜４２で得られた感光体について下記の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(III)
露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルックス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を求めた。
【０２６６】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表８に示す。
【０２６７】
【表８】
実施例５８〜６９および比較例４３〜４８
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-1) ：
【０２６９】
【化７４】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例５８〜６９および比較例４３〜４８で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表９に示す。
【０２７１】
【表９】
実施例７０〜８１および比較例４９〜５４
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-2) ：
【０２７３】
【化７５】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例７０〜８１および比較例４９〜５４で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１０に示す。
【０２７５】
【表１０】
実施例８２〜９３および比較例５５〜６０
電荷発生剤として、ペリレン顔料(CG3-1) に代えて、式(CG4-3) ：
【０２７７】
【化７６】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例４６〜５７、比較例３７〜４２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例８２〜９３および比較例５５〜６０で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１１に示す。
【０２７９】
【表１１】
（アナログ光源用積層型感光体）
実施例９４〜９６
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８１】
実施例９７〜９９
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１００〜１０２
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８２】
実施例１０３〜１０５
電荷発生剤として、Ｘ型無金属フタロシアニン(CG1-1) に代えて、ビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例３７〜３９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例６１〜６４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-1) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８３】
比較例６５〜６８
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-2) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例６９〜７２
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-3) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８４】
比較例７３〜７６
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-4) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例７７〜８０
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-5) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８５】
比較例８１〜８４
正孔輸送剤として、スチルベン誘導体(1-1) に代えて、スチルベン誘導体(6-6) を用いたほかは、実施例９４、９７、１００および１０３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
上記実施例９４〜１０５および比較例６１〜８４で得られた感光体について下記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
【０２８６】
電気特性試験(IV)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位ＶO （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・秒）を求めた。
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１２および１３に示す。
【０２８７】
【表１２】
【表１３】
表３〜１３から明らかなように、実施例１〜１０５の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較例に比べて残留電位Ｖr の絶対値が小さい。また、半減露光量Ｅ1/2 についても、対応する比較例での値と同等またはその値を下回っている。このことから、実施例１〜１０５の電子写真感光体は、優れた感度を有することがわかる。
【０２９０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する。
また、本発明の電子写真感光体は、上記スチルベン誘導体(1) を正孔輸送剤として用いることから、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】合成例で得られたスチルベン誘導体(1-2) のＩＲスペクトルを示すグラフである。
Claims (6)
- 一般式（１）：
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルキル基；
ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基；
ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基；
または、
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基もしくはアルカノイルオキシ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。
前記アリール基または前記アラルキル基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アリール基または前記アラルキル基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基またはアルカノイルオキシ基を有していてもよい。）
で表されることを特徴とするスチルベン誘導体。 - 前記一般式（１）中のＲ1とＲ3とＲ5が同一の基で、かつＲ2とＲ4とＲ6がベンゼン環上の同じ置換位置に置換した同一の基である請求項１記載のスチルベン誘導体。
- 一般式（２）：
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式（３）：
- 前記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体（２）が、一般式（４）：
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物（５）をフィルスマイヤー（Ｖｉｌｓｍｅｉｅｒ）法によりホルミル化することによって得られるものである、請求項３記載のスチルベン誘導体の製造方法。 - 導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、請求項１または２記載の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
- 前記感光層が、請求項１または２記載の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層である請求項５記載の電子写真感光体。
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