JP3694604B2 - スチルベン誘導体、その製造方法およびそれを有する電子写真感光体 - Google Patents
スチルベン誘導体、その製造方法およびそれを有する電子写真感光体 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子、電子写真感光体等において、電荷輸送剤（とくに正孔輸送剤）として好適に用いられる新規なスチルベン誘導体、その製造方法およびそれを用いる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。一般に、有機感光体は被膜形成能を有しないために、適当なバインダー、例えば樹脂に含有させて用いられる。
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、特開昭５０−３１７７３号公報および特開平２−１５４２６８号公報にはスチルベン誘導体が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示されているスチルベン誘導体は、一般にバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されず、電荷移動が生じにくい。そのため、前記スチルベン誘導体自体は高い電荷移動度を有しているにもかかわらず、これを電荷輸送剤として感光体に使用した際には、その特性が十分に発揮できず、感光体の残留電位が高くなり、光感度が十分なものではなかった。
【０００５】
本発明の主たる目的は、上述の技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適な新規スチルベン誘導体およびその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために研究を重ねていくなかで、スチルベン誘導体のうち、分子末端のジフェニルアミノ基が非対称である化合物であり、とりわけ前記ジフェニルアミノ基における一方のフェニル基に置換基がなく、他方のフェニル基にはその２位と他の任意の位置に一個の置換基を有する下記の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、従来のスチルベン誘導体よりもバインダー樹脂との相溶性に優れ、かつ電荷移動度が大きいという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体は、一般式（１）：
【０００８】
【化６】
【０００９】
（式中、Ｒ1およびＲ3は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。前記アラルキル基または前記アリール基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アラルキル基または前記アリール基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基またはアミノ基を有していてもよい。Ｒ2およびＲ4は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。）
で表されることを特徴とする。
【００１０】
なお、スチルベン誘導体（１）は、その構造上３個の−ＣＨ＝ＣＨ−基を有するので、シス、トランスの異性体が存在するが、本発明はそれらのいずれも包含するものである。 上記一般式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記特開昭５０−３１７７３号公報および特開平２−１５４２６８号公報に具体的に開示されていない化合物であると共に、前記公報に具体的に開示された化合物よりもバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きいことから、かかるスチルベン誘導体（１）を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、高感度の電子写真感光体を提供することができる。
【００１１】
また本発明者らは、前記スチルベン誘導体（１）の製造方法において、出発原料である下記トリフェニルアミンのホルミル体（２）を効率よく得る方法を検討したところ、フェニル基の２位に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化すれば、当該化合物（５）における３個のフェニル基のうち、置換基を有するフェニル基はホルミル化されず、無置換のフェニル基のみがホルミル化された前記化合物(2) が効率よく製造でき、スチルベン誘導体（１）の生産性の向上につながるという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体（１）の製造方法は、一般式（２）：
【００１３】
【化７】
【００１４】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式（３）：
【００１５】
【化８】
【００１６】
で表されるビスリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とするものである。
本発明の製造方法に使用する上記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体（２）は、一般式（４）：
【００１７】
【化９】
【００１８】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
【００１９】
【化１０】
【００２０】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、この化合物をフィルスマイヤー法によりホルミル化させることにより得られる化合物である。
【００２１】
前記トリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体（１）の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) のみが高収率で製造されるその理由は定かではないが、前記化合物（５）における３個のフェニル基のうち、オルト位に置換基Ｒ1を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて、前記化合物（５）における窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1の影響によりねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなり、該フェニル基の求核性が低下する。その結果、該フェニル基のパラ位はホルミル化されず、他のフェニル基のパラ位のみがホルミル化される、と推定される。
【００２２】
次に、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く、すなわち電荷移動度が大きく、帯電および露光時の光感度が優れている。その結果、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用したときよりも、高い感度が得られる。
【００２３】
前記感光層は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体と共に、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層であるのが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
〔スチルベン誘導体〕
前記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル等の炭素数が１〜６の基があげられる。中でも、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチルなどの炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００２５】
また、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルキル基は置換基を有していてもよく、具体的にはヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基またはアミノアルキル基などがあげられる。とりわけ、本発明のスチルベン誘導体（１）においては、電荷移動度を高めるという観点から、置換基としてアルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基などの電子供与基を有するアルキル基が好ましい。
【００２６】
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシメチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシプロピル、２−ヒドロキシプロピル、１−ヒドロキシペンチルまたは６−ヒドロキシヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基があげられる。
【００２７】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシヘキシル、エトキシメチル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシヘキルまたはヘキシルオキシメチルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基があげられる。上記アルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシルまたはヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２８】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジエチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシルまたはジヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２９】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルヘキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチルまたはヘキシルカルボニルヘキシルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数１〜６であるアルコキシカルボニル基があげられる。
【００３０】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシヘキシルまたは１−メチルー２−カルボキシエチルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基があげられる。
上記ハロゲン化アルキル基としては、例えばモノクロルメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロルメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロルメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロルエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロルヘキシル、ブロモヘキシル、ヨードヘキシルまたはフルオロヘキシルなどの、１〜３個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６のアルキル基があげられる。
【００３１】
上記アルカノイルオキシアルキル基としては、アセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチルまたは１−ヘキサノイルオキシー２−メチルペンチルなどの、炭素数２〜６のアルかノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基があげられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチルまたはアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基があげられる。
【００３２】
Ｒ1 、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシまたはヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６のアルコキシ基があげられる。また、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3およびＲ4に相当するアルコキシ基は置換基を有していてもよく、その置換基としては、ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはアルカノイルオキシ基などの、前述のアルキル基におけると同様の置換基があげられる。
【００３３】
Ｒ1およびＲ2に相当するアリ−ル（aryl）基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリルまたはフェナントリルなどの基があげられる。
Ｒ1およびＲ2に相当するアラルキル基としては、例えばベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチルまたは６−フェニルヘキシルなどのアルキル部分の炭素数が１〜６であるアラルキル基があげられる。
【００３４】
上記アリ−ル基およびアラルキル基は、置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基またはエステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基などの他、前述と同様の炭素数１〜６のアルキル基や炭素数１〜６のアルコキシ基などがあげられる。これらの置換位置については、特に限定されない。
【００３５】
本発明のスチルベン誘導体（１）には中心スチルベン環基への置換位置の違いによって、下記の一般式（１１）〜（１３）が含まれるが、とりわけ一般式（１１）または（１２）で表されるスチルベン誘導体が好適である。
【００３６】
【化１１】
【００３７】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は前記と同意義である。）
一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の具体例として、基Ｒ1〜Ｒ4に相当する置換基を下記の表１〜３に示す。表１〜３中、化合物番号が「１１−」で始まるものは一般式（１１）に含まれるスチルベン誘導体であリ、化合物番号が「１２−」で始まるものは一般式（１２）に含まれるスチルベン誘導体であり、また化合物番号が「１３−」で始まるものは一般式（１３）に含まれるスチルベン誘導体である。また、表１〜３中、Ｈは水素原子、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはtertiary−ブチル基、ｓ−Ｂｕはsecondary−ブチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基を示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】
【表３】
【００４１】
〔スチルベン誘導体の製造方法〕
本発明のスチルベン誘導体（１）の合成方法を、Ｒ1とＲ3が同一の基で、かつＲ2とＲ4が同一の基である場合を例にとって説明する。
反応式(I) ：
【００４２】
【化１２】
【００４３】
（式中、Ｒ1およびＲ4は前記と同意義である。）
この反応は、一般式（２）で表されるトリフェニルアミンのホルミル体とビスリン酸エステル誘導体（３）とを適当な無水溶媒中で、塩基の存在下で反応させるものであって、これにより一般式(1-a) で表される本発明のスチルベン誘導体が得られる。
【００４４】
上記反応に使用する溶媒としては、反応自体に影響を及ぼさないものであれば特に限定されないが、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。
上記塩基としては、ナトリウムメトキシドなどのナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムなどの金属水素化物があげられる。
【００４５】
一般式（３）のビスリン酸エステル誘導体に対する塩基の使用量は、少なくとも２〜４倍モル量、好ましくは２〜２．５倍モル量である。化合物（２）の使用量は、リン酸エステル誘導体（３）に対して１．８〜２．５倍モル量、好ましくは１．９５〜２．０５倍モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、３〜１２時間程度で終了する。
【００４６】
反応式(II)：
【００４７】
【化１３】
【００４８】
（式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同意義である。）
この反応は、アニリン誘導体（４）とヨードベンゼン（９０）とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅等の触媒とともに反応させることにより、トリフェニルアミン誘導体（５）を得、ついで、このトリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式（１）の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体（２）を得るものである。
【００４９】
前記アニリン誘導体（４）とヨードベンゼン（９０）との使用割合は、モル比で１：１.７〜３、好ましくは１：１．８〜２.２である。反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組み合わせにより調製される。特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５０】
フィルスマイヤー試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜２、好ましくは１：１〜１.２である。フィルスマイヤー試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体（５）に対して０.９〜２倍モル量、好ましくは１〜１.１倍モル量である。前記化合物（５）のホルミル化は、通常４０〜８０℃で行われ、２〜５時間程度で終了する。
【００５１】
なお、本発明のスチルベン誘導体（１）においてＲ1および／またはＲ2が置換基を有するアルキル基、例えばＲ1がヒドロキシルアルキル基であるスチルベン誘導体を合成する場合には、ヒドロキシルアルキル基を有するアニリン誘導体を出発原料として合成してもよいし、Ｒ1がアルキル基であるスチルベン誘導体を合成した後にそのアルキル基を慣用方法（例えば、酸化など）によりヒドロキシルアルキル基へと変換してもよい。
【００５２】
反応式(III) ：
【００５３】
【化１４】
【００５４】
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
この反応は、ビスハロゲノメチルスチルベン（９１）に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式（１）の出発原料であるビスリン酸エステル誘導体（３）を得るものである。その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００５５】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミドがあげられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどがあげられる。
【００５６】
ビスハロゲノメチルスチルベン（９１）に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．４倍モル量である。反応は、通常、８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終了する。
反応式（IV）：
【００５７】
【化１５】
【００５８】
（式中、ＲおよびＲ'は、同一または異なって炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｘは前記と同意義である。）
この反応は、ハロゲン化メチル安息香酸（９７）をエステル化反応に付し、得られたエステル体（９８）に亜リン酸トリステルを反応させてモノリン酸エステル誘導体（９９）を得、次いでアルデヒド安息香酸エステルを反応させてスチルベンジカルボン酸エステル（１００）を得、この化合物を還元反応に付してスチルベンジヒドロキシメチル（１０１）を調製した後、ハロゲン化剤と反応させることにより、反応工程式（III）の出発原料である化合物（９１）を得るものである。
【００５９】
上記のエステル化反応は、例えば触媒の存在下でハロゲン化メチル安息香酸（９７）に一般式：Ｒ−ＯＨ（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表されるアルコール類を反応させることにより行われる。使用される触媒としては、エステル化反応に慣用の触媒が用いられ、具体的には塩化水素、濃硫酸、リン酸、ポリリン酸、三フッ化ホウ素、過塩素酸等の無機酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロメタンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機酸、トリクロロメタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸無水物、塩化チオニル等の触媒があげられる。
【００６０】
上記のエステル化反応は、無溶媒または適当な触媒の存在下に行われる。該溶媒としては、エステル化反応に慣用の溶媒であればいずれも使用でき、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類などがあげられる。
【００６１】
化合物（９７）に対するアルコール類の使用割合は、１〜３倍モル量、好ましくは１．５〜２．０倍モル量とするのがよい。また、反応温度は８０〜１６０℃、好ましくは１００〜１５０℃で行うのがよい。
化合物（９８）から化合物（９９）を得る反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００６２】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等ノエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミドがあげられる。
上記第三級アミンとしては、例えば取トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどがあげられる。
【００６３】
化合物（９８）に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも等モル量、好ましくは１〜１．２倍モル量である。反応は、通常、８０〜１５０℃で行なわれ、１〜４時間程度で終了する。
化合物（９９）から化合物（１００）を得る反応は、前記の反応式（１）に準じて実施できる。ここで、化合物（９９）のリン酸エステル誘導体に対する塩基の使用量は、少なくとも１〜2倍モル量、好ましくは１〜１．３倍モル量である。また化合物（９９ａ）の使用量は、化合物（９９）に対して０．９〜１．３倍モル量、好ましくは０．９８〜１．０２倍モル量である。反応は、通常、−１０〜２５℃で行なわれ、３〜１０時間程度で終了する。
【００６４】
化合物（１００）から化合物（１０１）を得る反応は、適当な溶媒中で行われる。上記溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素等があげられる。
また、この反応に用いられる水素化還元剤としては、水素化リチウムアルミニウム、水素化アルミニウム、水素化ジイソプロピルアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウムー塩化アルミニウム、ジボラン等があげられる。化合物（１００）に対する水素化還元剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．２倍モル量程度が適当である。反応は、通常、氷冷下〜１２０℃、好ましくは３０〜８０℃で行われ、約１〜２０時間で終了する。
【００６５】
化合物（１０１）から化合物（９１）を得る反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行われる。この反応に用いられる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。この反応は、触媒の存在下で行うのが好ましく、その触媒としては、ピリジン、ＤＭＦ，ピコリン、ＨＭＰＡ等があげられる。
【００６６】
また、この反応に用いられるハロゲン化剤としては、例えば塩化チオニル、臭化チオニル、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、三塩化リン、三臭化リン等のハロゲン化リンがあげられる。
化合物（９９）に対するハロゲン化剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜５倍モル量である。反応は、氷冷下〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃程度で行われ、約１〜１８時間で終了する。
【００６７】
次に、スチルベン誘導体の合成において、基Ｒ1とＲ3またはＲ2とＲ4が異なる基である場合には、上記一般式（３）のリン酸エステル誘導体に代えてモノリン酸エステル誘導体を、順次、異なる基を有するトリフェニルアミンのホルミル体（２）に反応させることにより、合成される。
具体的には、下記反応式(IV)に示すように、まず、式（９２）の化合物に亜リン酸トリエステルを反応させてモノリン酸エステル（９３）を得、ついで、これに上記トリフェニルアミンのホルミル体（２）を反応させてモノスチルベン誘導体（９４）を得、さらにそれをクロロ化した化合物（９５）を得る。
【００６８】
反応式(IV)：
【００６９】
【化１６】
【００７０】
（式中、Ｘ,Ｒ1およびＲ2は前記と同意義である。）
次いで、下記反応式(V) に示すように、上記化合物（９５）に亜リン酸トリエステルを反応させて化合物（９６）を得、これにトリフェニルアミンのホルミル体（２'）を反応させることにより、スチルベン誘導体(１')が得られる。
反応式(V) ：
【００７１】
【化１７】
【００７２】
（式中、Ｘ,Ｒ1〜Ｒ4は前記と同意義である。）
一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の種々の分野での利用が可能である。
次に、本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
【００７３】
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００７４】
本発明の単層型電子写真感光体は、従来の単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００７５】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。
【００７６】
本発明の積層型電子写真感光体は、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
【００７７】
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
《電荷発生剤》
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。
(CG1) 無金属フタロシアニン
【００７８】
【化１８】
【００７９】
(CG2) オキソチタニルフタロシアニン
【００８０】
【化１９】
【００８１】
(CG3) ペリレン顔料
【００８２】
【化２０】
【００８３】
（式中、Ｒg1およびＲg2は同一または異なって、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基またはアラルキル基を示す。）
(CG4) ビスアゾ顔料
【００８４】
【化２１】
【００８５】
〔式中、ＣP1およびＣP2は同一または異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：
【００８６】
【化２２】
【００８７】
（式中、Ｒg3は水素原子、アルキル基、アリール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリール基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ωは０または１を示す。）
【００８８】
【化２３】
【００８９】
（式中、Ｒg4およびＲg5は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
【００９０】
【化２４】
【００９１】
（式中、Ｒg6は水素原子、エチル基、クロロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）
【００９２】
【化２５】
【００９３】
または
【００９４】
【化２６】
【００９５】
（式中、Ｒg7、Ｒg8およびＲg9は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
で表される基を示す。〕
(CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
【００９６】
【化２７】
【００９７】
（式中、Ｒg10およびＲg11は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg12およびＲg13は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
【００９８】
【化２８】
【００９９】
（式中、Ｒg14、Ｒg15、Ｒg16およびＲg17は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
【０１００】
【化２９】
【０１０１】
（式中、Ｒg18、Ｒg19、Ｒg20およびＲg21は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを示す。）
(CG8) スクアライン顔料
【０１０２】
【化３０】
【０１０３】
（式中、Ｒg22およびＲg23は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG9) トリスアゾ顔料
【０１０４】
【化３１】
【０１０５】
（式中、ＣP3、ＣP4およびＣP5は同一または異なって、カップラー残基を示す。）
(CG10)インジゴ顔料
【０１０６】
【化３２】
【０１０７】
（式中、Ｒg24およびＲg25は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。）
(CG11)アズレニウム顔料
【０１０８】
【化３３】
【０１０９】
（式中、Ｒg26およびＲg27は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG12)シアニン顔料
【０１１０】
【化３４】
【０１１１】
（式中、Ｒg28およびＲg29は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg30およびＲg31は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、前述と同様な基のほか、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の炭素数５〜６の基が含まれる。炭素数１８以下の置換または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を含む基である。
【０１１２】
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜８の基があげられる。 アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６の基があげられる。
【０１１３】
アリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基があげられる。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリル等があげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基であってもよい。
【０１１４】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。
ＣP1、ＣP2、ＣP3、ＣP4およびＣP5で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。
【０１１５】
【化３５】
【０１１６】
【化３６】
【０１１７】
各式中、Ｒg32は、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい。
【０１１８】
Ｒg33は、ベンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg34は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を示す。
Ｒg35は、２価の鎖式炭化水素基または芳香族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１１９】
Ｒg36は、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg37は、２価の鎖式炭化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２０】
Ｒg38は、水素原子、アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。
Ｒg39は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２１】
アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜６のアルケニル基があげられる。
前記Ｒg33において、ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基があげられる。
【０１２２】
上記Ｒg33とベンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等があげられる。
またＲg33において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のアルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。
【０１２３】
またＲg33において、ベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があげられる。
【０１２４】
上記Ｒg33とベンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チアゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノリル等）であってもよい。
【０１２５】
前記Ｒg35、Ｒg37において、２価の鎖式炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があげられる。
前記Ｒg36において、複素環式基としては、ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等があげられる。
【０１２６】
前記Ｒg37において、２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒg37と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２７】
前記Ｒg38において、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の基があげられる。
本発明においては、上記例示の電荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができる。
【０１２８】
また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記例示の電荷発生剤のうち、特に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使用できる。
【０１２９】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
《正孔輸送剤》
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体（１）とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させてもよい。
【０１３０】
かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜(HT13)で表される化合物等があげられる。
【０１３１】
【化３７】
【０１３２】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
【０１３３】
【化３８】
【０１３４】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は異なっていてもよい。）
【０１３５】
【化３９】
【０１３６】
（式中、Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14およびＲh15は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14、Ｒh15およびＲh16は異なっていてもよい。）
【０１３７】
【化４０】
【０１３８】
（式中、Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は異なっていてもよい。）
【０１３９】
【化４１】
【０１４０】
（式中、Ｒh21およびＲh22は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23、Ｒh24、Ｒh25およびＲh26は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
【０１４１】
【化４２】
【０１４２】
（式中、Ｒh27、Ｒh28およびＲh29は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４３】
【化４３】
【０１４４】
（式中、Ｒh30、Ｒh31、Ｒh32およびＲh33は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４５】
【化４４】
【０１４６】
（式中、Ｒh34、Ｒh35、Ｒh36、Ｒh37およびＲh38は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４７】
【化４５】
【０１４８】
（式中、Ｒh39は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40、Ｒh41およびＲh42は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４９】
【化４６】
【０１５０】
（式中、Ｒh43、Ｒh44およびＲh45は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１５１】
【化４７】
【０１５２】
（式中、Ｒh46およびＲh47は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48およびＲh49は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１５３】
【化４８】
【０１５４】
（式中、Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は異なっていてもよい。）
【０１５５】
【化４９】
【０１５６】
（式中、Ｒh56、Ｒh57、Ｒh58およびＲh59は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
【０１５７】
【化５０】
【０１５８】
で表される基（Φ−１）、（Φ−２）または（Φ−３）を示す。）
上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１５９】
また本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等を用いることもできる。
【０１６０】
本発明において、正孔輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。
《電子輸送剤》
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物等があげられる。
【０１６１】
【化５１】
【０１６２】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【０１６３】
【化５２】
【０１６４】
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
【０１６５】
【化５３】
【０１６６】
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
【０１６７】
【化５４】
【０１６８】
（式中、Ｒe10はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10は異なっていてもよい。）
【０１６９】
【化５５】
【０１７０】
（式中、Ｒe11はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11は異なっていてもよい。）
【０１７１】
【化５６】
【０１７２】
（式中、Ｒe12およびＲe13は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）２ 基を示す。）
【０１７３】
【化５７】
【０１７４】
（式中、Ｒe14は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15は互いに異なっていてもよい。）
【０１７５】
【化５８】
【０１７６】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１７７】
【化５９】
【０１７８】
（式中、Ｒe16およびＲe17は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17は互いに異なっていてもよい。）
【０１７９】
【化６０】
【０１８０】
（式中、Ｒe18およびＲe19は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
【０１８１】
【化６１】
【０１８２】
（式中、Ｒe20はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20は互いに異なっていてもよい。）
【０１８３】
【化６２】
【０１８４】
（式中、Ｒe21は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
【０１８５】
【化６３】
【０１８６】
（式中、Ｒe22はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22は互いに異なっていてもよい。）
【０１８７】
【化６４】
【０１８８】
（式中、Ｒe23は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：
−Ｏ−Ｒe24a
を示す。上記基中のＲe24aは、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１８９】
【化６５】
【０１９０】
（式中、Ｒe25、Ｒe26、Ｒe27、Ｒe28、Ｒe29、Ｒe30およびＲe31は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１９１】
【化６６】
【０１９２】
（式中、Ｒe32およびＲe33は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１９３】
【化６７】
【０１９４】
（式中、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36およびＲe37は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36、Ｒe37のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１９５】
ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。
【０１９６】
ジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、互いに異なっていてもよい。
上記各基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１９７】
また本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等を用いることができる。
【０１９８】
本発明において、電子輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。
《結着樹脂》
上記各成分を分散させるための結着樹脂は、従来、感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
【０１９９】
感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０２００】
単層型感光体において、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０.１〜５０重量部、好ましくは０.５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体（１）正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
【０２０１】
積層型感光体において、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０２０２】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
【０２０３】
積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
単層型感光体においては、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体においては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【０２０４】
上記感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０２０５】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。
前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
【０２０６】
上記分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０２０７】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０２０８】
【実施例】
本発明を参考例、合成例、実施例および比較例に基づいてさらに説明する。
《スチルベン誘導体の合成》
参考例１
〔α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１')の合成〕
標記化合物を下記反応式に沿って合成した。
【０２０９】
【化６８】
【０２１０】
１）ディーンスタークおよび還流管を備えたフラスコに、パラクロロメチル安息香酸（９７'）１７ｇ、ｎ−ブタノール１１．１ｇ（１.５倍モル）、溶媒としてトルエンを３００ｍｌ加え、８時間還流した。反応終了後、生成物をメタノールから再結晶してクロロメチル安息香酸ブチル（９８'）を１８ｇ得た（収率８０％）。
【０２１１】
２）上記化合物（９８）に、亜リン酸トリエステルを反応させてモノリン酸エステル誘導体（９９'）を得た。この化合物（９９'）に、ｐ−アルデヒド安息香酸メチルを反応させて、スチルベンジカルボン酸エステル（１００'）を得た。
すなわち，還流管を備えたフラスコに、化合物（９８）１０ｇ、亜リン酸トリエステル８．３ｇ（１．２倍モル）を取り、３時間還流した。反応終了後、生成物をヘキサンから再結晶してモノリンサンエステル体（９９'）を１３．３ｇ得た（収率９２％）。モノリン酸エステル１０ｇと脱気乾燥した水素化ナトリウム０．７３ｇ（等モル）とをＴＨＦ２００ｍｌ中に加え氷冷した。これに、ＴＨＦ５０ｍｌに溶解したｐ−アルデヒド安息香酸メチル７．２８g（１．０１倍モル）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ｍｌに加え、析出した結晶を濾過し、水洗した。その結晶を乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム/ヘキサン混合溶媒）で精製して化合物（１００'）を得た。収量１４．２７ｇ（収率８７％）
３）アルゴン雰囲気下に還流管を備えたフラスコに、１．１２ｇ（２倍モル）の水素化アルミニウムリチウム（還元剤、ＬＡＨ）を含むテトロヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を加え、これにスチルベンジカルボン酸エステル（１００'）１０ｇを含むＴＨＦ溶液５０ｍｌを滴下した。次いで、室温で約6時間攪拌した後、反応液を氷浴にあけ、生成物を酢酸エチルで抽出し、十分に水洗した。酢酸エチルを留去して、スチルベンジヒドロキシメチル（１０１'）６．５３ｇを得た（収率９２％）。
【０２１２】
４）還流管を備えたフラスコに、スチルベンビスヒドロキシメチル（９６'）を５ｇと、溶媒と試薬を兼ねた塩化チオニル１０ｇ、および相関移動触媒としてピリジンの触媒量を加え、８時間還流した。反応終了後、溶媒を留去し、生成物をメタノールから再結晶して、標記化合物α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１'）４．６１ｇを得た（収率８０％）。
【０２１３】
参考例２
〔ビスリン酸エステル（３）の合成〕
α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１'）４．５ｇに対して亜リン酸トリエステル６．４７ｇ（２．４倍モル）を加え、３時間還流した後、溶媒を留去し、ヘキサンから再結晶して、下記式の化合物ビスリン酸エステル（３ｐ）６．７９ｇを得た（収率８７％）。
【０２１４】
【化６９】
【０２１５】
上記と同様にして、メタクロロメチル安息香酸を原料化合物として上記式(3ｍ)で表されるビスリン酸エステル誘導体を、またオルソクロロメチル安息香酸を原料化合物として上記式(3m)で表されるビスリン酸エステル誘導体をそれぞれ得た。
参考例３
〔２，６−ジメチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリン１５ｇ（１２４ミリモル）、ヨードベンゼン５０ｇ（２４５ミリモル）、無水炭酸カリウム１７ｇ（１２３ミリモル）および粉末銅１ｇ（１６ミリモル）をニトロベンゼン１５０ミリリットル中に加え、還流下、約２４時間反応させた。反応後、無機塩を除去し、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２８.８ｇを得た（収率８５％）。
【０２１６】
参考例４
〔２−メチル−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−エチル−０−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．０ｇを得た（収率８５％）。
【０２１７】
参考例５
〔２，６−ジエチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，６−ジエチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１.０ｇを得た（収率８３％）。
【０２１８】
参考例６
〔２―イソプロピルー６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−イソプロピル−ｏ−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３．４ｇを得た（収率８４％）。
【０２１９】
参考例７
〔２−イソプロピルー６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−イソプロピルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．３ｇを得た（収率８０％）。
【０２２０】
参考例８
〔２−ｔ−ブチル−６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６，５−ブチル−６−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３０．１ｇを得た（収率７７％）。
【０２２１】
参考例９
〔２−ｓ−ブチル−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−５−ブチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．３ｇを得た（収率８０％）。
参考例１０
〔２、６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミン２８ｇ（１０２ミリモル）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ（１０４ミリモル）を加えて４０℃で１時間反応させた。反応後、水３００ミリリットル中に加え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２６．８ｇ（収率８７％）を得た。
【０２２２】
参考例１１
〔２−メチル−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１０と同様に反応を行い、標記化合物２８．２ｇを得た（収率８７％）。
【０２２３】
参考例１２
〔２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，６−ジエチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７.１ｇを得た（収率８０％）。
【０２２４】
参考例１３
〔２−イソプロピルー６―メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８．６ｇを得た（収率８５％）。
【０２２５】
参考例１４
〔２−イソプロピルー６―エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―イソプロピル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８ｇを得た（収率８０％）。
【０２２６】
参考例１５
〔２−ｔ−ブチルー６―メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―ｔ−ブチル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７．３ｇを得た（収率７８％）。
【０２２７】
参考例１６
〔２−ｓ−ブチルー６―エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―ｓ−ブチル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８．８ｇを得た（収率７９％）。
【０２２８】
合成例１〔スチルベン誘導体（１１−１ ）の合成〕
上記式(3p)で表されるビスリン酸エステル７．５ｇ（１５．６ミリモル）と脱気乾燥した水素化ナトリウム０．７５ｇ（３１．２ミリモル）とをテトラヒドロフラン２００ミリリットル中に加え、氷冷した。これに、テトラヒドロフラン に溶解した２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミン９．５ｇ（３１．５ミリモル）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ミリリットルに加え、析出した結晶をろ過し、水洗した。結晶を乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、前記表１において化合物番号１１−１で示したスチルベン誘導体８．１ｇを得た（収率６７％）。
【０２２９】
合成例２〔スチルベン誘導体（１１−２）の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−２で示したスチルベン誘導体８．７ｇを得た（収率７０％）。
【０２３０】
融点：１４１〜１４３℃
上記スチルベン誘導体(１１−２)の赤外線吸収スペクトルを図１に示す。
合成例３〔スチルベン誘導体（１１−３）の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−３で示したスチルベン誘導体９．１を得た（収率７０％）。
【０２３１】
合成例４〔スチルベン誘導体(１１−４)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２―イソプロピル、６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−４で示したスチルベン誘導体８．８ｇを得た（収率６８％）。
【０２３２】
合成例５〔スチルベン誘導体(１１−５)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２―イソプロピル、６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−５で示したスチルベン誘導体８．７ｇを得た（収率６５％）。
【０２３３】
合成例６〔スチルベン誘導体(１１−６)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、ｔ―ブチル、６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−６で示したスチルベン誘導体８．４ｇを得た（収率６３％）。
【０２３４】
合成例７〔スチルベン誘導体(１１−７)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−ｓ−ブチル、６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−７で示したスチルベン誘導体９．０ｇを得た（収率６５％）。
【０２３５】
合成例８〔スチルベン誘導体(１２−１)の合成〕
合成例１において、上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表２において化合物番号１２−３で示したスチルベン誘導体７．４ｇを得た（収率６１％）。
【０２３６】
合成例９〜２１
前記に準じた方法により、以下の化合物を合成した。
（合成例９）スチルベン誘導体(１２−２) 収量８．１ｇ（収率６５％）
（合成例１０）スチルベン誘導体(１２−３) 収量８．２ｇ（収率６３％）
（合成例１１）スチルベン誘導体(１２−４) 収量８．３ｇ（収率６４％）
（合成例１２）スチルベン誘導体(１２−５) 収量８．０ｇ（収率６０％）
（合成例１３）スチルベン誘導体(１２−６) 収量７．８ｇ（収率５８％）
（合成例１４）スチルベン誘導体(１２−７) 収量８．３ｇ（収率６０％）
（合成例１５）スチルベン誘導体(１３−１) 収量８．６ｇ（収率７１％）
（合成例１６）スチルベン誘導体(１３−２) 収量８．８ｇ（収率７０％）
（合成例１７）スチルベン誘導体(１３−３) 収量９．１ｇ（収率７０％）
（合成例１８）スチルベン誘導体(１３−４) 収量８．７ｇ（収率６７％）
（合成例１９）スチルベン誘導体(１３−５) 収量８．４ｇ（収率６３％）
（合成例２０）スチルベン誘導体(１３−６) 収量８．４ｇ（収率６３％）
（合成例２１）スチルベン誘導体(１３−７) 収量９．７ｇ（収率７０％）
《電子写真感光体の製造》
（デジタル光源用単層型感光体）
実施例１
電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用いた。正孔輸送剤には、前記表１の化合物番号（１１−１）で表されるスチルベン誘導体を用いた。
【０２３７】
上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１００重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部とともにボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を製造した。 実施例２
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３８】
実施例３
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−３）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４
単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤として、式(ET17-1)：
【０２３９】
【化７０】
【０２４０】
で表されるジフェノキノン誘導体を３０重量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例５
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４１】
実施例６
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−３）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７〜９
電子輸送剤として、式(ET14-1)：
【０２４２】
【化７１】
【０２４３】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０〜１２
電子輸送剤として、式(ET14-2)：
【０２４４】
【化７２】
【０２４５】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１３および１４
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４６】
実施例１５および１６
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４７】
実施例１７および１８
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例７と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４８】
実施例１９および２０
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４９】
比較例１
正孔輸送剤として、式（６−１）：
【０２５０】
【化７３】
【０２５１】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例２
正孔輸送剤として、式（６−２）：
【０２５２】
【化７４】
【０２５３】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３
正孔輸送剤として、式（６−３）：
【０２５４】
【化７５】
【０２５５】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４
正孔輸送剤として、式（６−４）：
【０２５６】
【化７６】
【０２５７】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５
正孔輸送剤として、式（６−５）：
【０２５８】
【化７７】
【０２５９】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１〜２０および比較例１〜５で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(I)
ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用いて各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７００±２０Ｖに帯電させた後、表面電位Ｖｏ （Ｖ）を測定した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃｍ２ ）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）して、上記表面電位Ｖｏ が１／２になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ１／２ （μＪ／ｃｍ２ ）を算出した。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を残留電位Ｖｒ （Ｖ）として測定した。
【０２６０】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表４に示す。なお、以下の表において、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類はそれぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。
【０２６１】
【表４】
【０２６２】
実施例２１〜２３
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２４〜２６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６３】
実施例２７〜２９
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例７〜９と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３０〜３２
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１０〜１２と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６４】
実施例３３および３４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１３、１４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３５および３６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１５、１６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６５】
実施例３７および３８
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１７、１８と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３９および４０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１９、２０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６６】
比較例６〜１０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例２１〜４０および比較例６〜１０で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表５に示す。
【０２６７】
【表５】
【０２６８】
実施例２１〜２３
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２４〜２６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６９】
実施例２７〜２９
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例７〜９と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３０〜３２
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１０〜１２と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７０】
実施例３３および３４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１３、１４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３５および３６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１５、１６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７１】
実施例３７および３８
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１７、１８と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３９および４０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１９、２０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７２】
比較例６〜１０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４１〜６０
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例２１〜４０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７３】
比較例１１〜１５
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例４１〜６０および比較例１１〜１５で得られた感光体について前記電気特性試験(I)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表６に示す。
【０２７４】
【表６】
【０２７５】
（デジタル光源用積層型感光体）
実施例６１
電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) ２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【０２７６】
次に、正孔輸送剤であるスチルベン誘導体（１１−１）１重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７７】
実施例６２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１１−２）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例６３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１１−３）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７８】
実施例６４〜６６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例６７〜６９
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７９】
実施例７０および７１
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例７２、７３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８０】
実施例７４、７５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６７と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例１６〜１８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６−１）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８１】
比較例１９〜２０
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６−４）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２１〜２４
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６―５）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８２】
上記実施例６１〜７５および比較例２１〜２４で得られた感光体について下記の電気特性試験(II)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(II)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （μＪ／ｃｍ２ ）を求めた。
【０２８３】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表７に示す。
【０２８４】
【表７】
【０２８５】
（アナログ光源用単層型感光体）
実施例７６〜９５
電荷発生剤として、式(CG3-1) ：
【０２８６】
【化７８】
【０２８７】
で表されるペリレン顔料を用いたほかは、実施例１〜２０と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例２５〜２９
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２８８】
上記実施例７６〜９５および比較例２５〜２９で得られた感光体について下記の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(III)
露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルックス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I)と同様にして、表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０２８９】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表８に示す。
【０２９０】
【表８】
【０２９１】
実施例９６〜１１５
電荷発生剤として、式(CG4-1) ：
【０２９２】
【化７９】
【０２９３】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３０〜３４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２９４】
上記実施例９６〜１１５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表９に示す。
【０２９５】
【表９】
【０２９６】
実施例１１６〜１３５
電荷発生剤として、式(CG4-2) ：
【０２９７】
【化８０】
【０２９８】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３５〜３９
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２９９】
上記実施例１１６〜１３５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１０に示す。
【０３００】
【表１０】
【０３０１】
実施例１３６〜１５５
電荷発生剤として、式(CG4-3) ：
【０３０２】
【化８１】
【０３０３】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４０〜４４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０３０４】
上記実施例１３６〜１５５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１１に示す。
【０３０５】
【表１１】
【０３０６】
（アナログ光源用積層型感光体）
実施例１５６〜１５８
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１５９〜１６１
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０７】
実施例１６２〜１６４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１６５〜１６７
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０８】
実施例１６８および１６９
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１５６と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１７０および１７１
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１６２と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０９】
実施例１７２および１７３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１５６と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１７４および１７５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１６５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３１０】
比較例４５〜４８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６-１）を用いたほかは、実施例１５６、１５９、１６２および１６５と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例４９〜５２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６-４）を用いたほかは、実施例１５６、１５９、１６２および１６５と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３１１】
上記実施例１５６〜１７５および比較例４５〜５２で得られた感光体について下記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(IV)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０３１２】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１２に示す。
【０３１３】
【表１２】
【０３１４】
表４〜１２から明らかなように、実施例１〜１７５の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較例に比べて残留電位Ｖｒ の絶対値が小さい。また、半減露光量Ｅ１／２ についても、対応する比較例での値と同等またはその値を下回っている。このことから、実施例１〜１７５の電子写真感光体は、優れた感度を有することがわかる。
【０３１５】
試験例
（結着樹脂との相溶性についての評価）
上記化合物番号１１―１〜３、１２−２および１３−２のスチルベン誘導体について、結着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。
（試料の調製）
結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部との混合液に、化合物番号１１―１〜３、１２−２および１３−２のスチルベン誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗布液が得られるスチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をロールミルにて５０時間混合分散させることによって行った。
【０３１６】
次に、上記各スチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するスチルベン誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂への溶解性を評価した。なお、この配合率が高いほど、結着樹脂への溶解性に優れていることを示す。
【０３１７】
【数１】
【０３１８】
対照化合物として、上記の（６−１）〜（６−５）のスチルベン誘導体を用い、上記と同様にして結着樹脂への溶解性を評価した。
これらの結果を表１３に示す。
【０３１９】
【表１３】
【０３２０】
表２より明らかなように、本発明のスチルベン誘導体は、従来のスチルベン誘導体(６−１)〜(６−５) に比べて、結着樹脂に対する溶解性が優れている。
【０３２１】
【発明の効果】
本発明のスチルベン誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する。また、本発明の電子写真感光体は、上記スチルベン誘導体(1) を正孔輸送剤として用いることから、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】スチルベン誘導体(１１−２)の赤外線吸収スペクトルを示す。
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子、電子写真感光体等において、電荷輸送剤（とくに正孔輸送剤）として好適に用いられる新規なスチルベン誘導体、その製造方法およびそれを用いる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。一般に、有機感光体は被膜形成能を有しないために、適当なバインダー、例えば樹脂に含有させて用いられる。
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、特開昭５０−３１７７３号公報および特開平２−１５４２６８号公報にはスチルベン誘導体が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示されているスチルベン誘導体は、一般にバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されず、電荷移動が生じにくい。そのため、前記スチルベン誘導体自体は高い電荷移動度を有しているにもかかわらず、これを電荷輸送剤として感光体に使用した際には、その特性が十分に発揮できず、感光体の残留電位が高くなり、光感度が十分なものではなかった。
【０００５】
本発明の主たる目的は、上述の技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適な新規スチルベン誘導体およびその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために研究を重ねていくなかで、スチルベン誘導体のうち、分子末端のジフェニルアミノ基が非対称である化合物であり、とりわけ前記ジフェニルアミノ基における一方のフェニル基に置換基がなく、他方のフェニル基にはその２位と他の任意の位置に一個の置換基を有する下記の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、従来のスチルベン誘導体よりもバインダー樹脂との相溶性に優れ、かつ電荷移動度が大きいという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体は、一般式（１）：
【０００８】
【化６】
（式中、Ｒ1およびＲ3は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基；ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。前記アラルキル基または前記アリール基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アラルキル基または前記アリール基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基またはアミノ基を有していてもよい。Ｒ2およびＲ4は同一または異なって、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基、または、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。）
で表されることを特徴とする。
【００１０】
なお、スチルベン誘導体（１）は、その構造上３個の−ＣＨ＝ＣＨ−基を有するので、シス、トランスの異性体が存在するが、本発明はそれらのいずれも包含するものである。 上記一般式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記特開昭５０−３１７７３号公報および特開平２−１５４２６８号公報に具体的に開示されていない化合物であると共に、前記公報に具体的に開示された化合物よりもバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きいことから、かかるスチルベン誘導体（１）を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、高感度の電子写真感光体を提供することができる。
【００１１】
また本発明者らは、前記スチルベン誘導体（１）の製造方法において、出発原料である下記トリフェニルアミンのホルミル体（２）を効率よく得る方法を検討したところ、フェニル基の２位に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化すれば、当該化合物（５）における３個のフェニル基のうち、置換基を有するフェニル基はホルミル化されず、無置換のフェニル基のみがホルミル化された前記化合物(2) が効率よく製造でき、スチルベン誘導体（１）の生産性の向上につながるという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体（１）の製造方法は、一般式（２）：
【００１３】
【化７】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式（３）：
【００１５】
【化８】
で表されるビスリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とするものである。
本発明の製造方法に使用する上記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体（２）は、一般式（４）：
【００１７】
【化９】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
【００１９】
【化１０】
（式中、Ｒ1 およびＲ2は、前記と同じである。）
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、この化合物をフィルスマイヤー法によりホルミル化させることにより得られる化合物である。
【００２１】
前記トリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体（１）の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) のみが高収率で製造されるその理由は定かではないが、前記化合物（５）における３個のフェニル基のうち、オルト位に置換基Ｒ1を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて、前記化合物（５）における窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1の影響によりねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなり、該フェニル基の求核性が低下する。その結果、該フェニル基のパラ位はホルミル化されず、他のフェニル基のパラ位のみがホルミル化される、と推定される。
【００２２】
次に、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く、すなわち電荷移動度が大きく、帯電および露光時の光感度が優れている。その結果、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用したときよりも、高い感度が得られる。
【００２３】
前記感光層は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体と共に、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層であるのが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
〔スチルベン誘導体〕
前記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル等の炭素数が１〜６の基があげられる。中でも、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチルなどの炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００２５】
また、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルキル基は置換基を有していてもよく、具体的にはヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基またはアミノアルキル基などがあげられる。とりわけ、本発明のスチルベン誘導体（１）においては、電荷移動度を高めるという観点から、置換基としてアルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基などの電子供与基を有するアルキル基が好ましい。
【００２６】
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシメチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシプロピル、２−ヒドロキシプロピル、１−ヒドロキシペンチルまたは６−ヒドロキシヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基があげられる。
【００２７】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシヘキシル、エトキシメチル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシヘキルまたはヘキシルオキシメチルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基があげられる。上記アルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシルまたはヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２８】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジエチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシルまたはジヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２９】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルヘキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチルまたはヘキシルカルボニルヘキシルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数１〜６であるアルコキシカルボニル基があげられる。
【００３０】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシヘキシルまたは１−メチルー２−カルボキシエチルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基があげられる。
上記ハロゲン化アルキル基としては、例えばモノクロルメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロルメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロルメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロルエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロルヘキシル、ブロモヘキシル、ヨードヘキシルまたはフルオロヘキシルなどの、１〜３個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６のアルキル基があげられる。
【００３１】
上記アルカノイルオキシアルキル基としては、アセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチルまたは１−ヘキサノイルオキシー２−メチルペンチルなどの、炭素数２〜６のアルかノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基があげられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチルまたはアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基があげられる。
【００３２】
Ｒ1 、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシまたはヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６のアルコキシ基があげられる。また、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3およびＲ4に相当するアルコキシ基は置換基を有していてもよく、その置換基としては、ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはアルカノイルオキシ基などの、前述のアルキル基におけると同様の置換基があげられる。
【００３３】
Ｒ1およびＲ2に相当するアリ−ル（aryl）基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリルまたはフェナントリルなどの基があげられる。
Ｒ1およびＲ2に相当するアラルキル基としては、例えばベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチルまたは６−フェニルヘキシルなどのアルキル部分の炭素数が１〜６であるアラルキル基があげられる。
【００３４】
上記アリ−ル基およびアラルキル基は、置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基またはエステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基などの他、前述と同様の炭素数１〜６のアルキル基や炭素数１〜６のアルコキシ基などがあげられる。これらの置換位置については、特に限定されない。
【００３５】
本発明のスチルベン誘導体（１）には中心スチルベン環基への置換位置の違いによって、下記の一般式（１１）〜（１３）が含まれるが、とりわけ一般式（１１）または（１２）で表されるスチルベン誘導体が好適である。
【００３６】
【化１１】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は前記と同意義である。）
一般式（１）で表されるスチルベン誘導体の具体例として、基Ｒ1〜Ｒ4に相当する置換基を下記の表１〜３に示す。表１〜３中、化合物番号が「１１−」で始まるものは一般式（１１）に含まれるスチルベン誘導体であリ、化合物番号が「１２−」で始まるものは一般式（１２）に含まれるスチルベン誘導体であり、また化合物番号が「１３−」で始まるものは一般式（１３）に含まれるスチルベン誘導体である。また、表１〜３中、Ｈは水素原子、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはtertiary−ブチル基、ｓ−Ｂｕはsecondary−ブチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基を示す。
【００３８】
【表１】
【表２】
【表３】
〔スチルベン誘導体の製造方法〕
本発明のスチルベン誘導体（１）の合成方法を、Ｒ1とＲ3が同一の基で、かつＲ2とＲ4が同一の基である場合を例にとって説明する。
反応式(I) ：
【００４２】
【化１２】
（式中、Ｒ1およびＲ4は前記と同意義である。）
この反応は、一般式（２）で表されるトリフェニルアミンのホルミル体とビスリン酸エステル誘導体（３）とを適当な無水溶媒中で、塩基の存在下で反応させるものであって、これにより一般式(1-a) で表される本発明のスチルベン誘導体が得られる。
【００４４】
上記反応に使用する溶媒としては、反応自体に影響を及ぼさないものであれば特に限定されないが、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。
上記塩基としては、ナトリウムメトキシドなどのナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムなどの金属水素化物があげられる。
【００４５】
一般式（３）のビスリン酸エステル誘導体に対する塩基の使用量は、少なくとも２〜４倍モル量、好ましくは２〜２．５倍モル量である。化合物（２）の使用量は、リン酸エステル誘導体（３）に対して１．８〜２．５倍モル量、好ましくは１．９５〜２．０５倍モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、３〜１２時間程度で終了する。
【００４６】
反応式(II)：
【００４７】
【化１３】
（式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同意義である。）
この反応は、アニリン誘導体（４）とヨードベンゼン（９０）とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅等の触媒とともに反応させることにより、トリフェニルアミン誘導体（５）を得、ついで、このトリフェニルアミン誘導体（５）をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式（１）の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体（２）を得るものである。
【００４９】
前記アニリン誘導体（４）とヨードベンゼン（９０）との使用割合は、モル比で１：１.７〜３、好ましくは１：１．８〜２.２である。反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組み合わせにより調製される。特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５０】
フィルスマイヤー試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜２、好ましくは１：１〜１.２である。フィルスマイヤー試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体（５）に対して０.９〜２倍モル量、好ましくは１〜１.１倍モル量である。前記化合物（５）のホルミル化は、通常４０〜８０℃で行われ、２〜５時間程度で終了する。
【００５１】
なお、本発明のスチルベン誘導体（１）においてＲ1および／またはＲ2が置換基を有するアルキル基、例えばＲ1がヒドロキシルアルキル基であるスチルベン誘導体を合成する場合には、ヒドロキシルアルキル基を有するアニリン誘導体を出発原料として合成してもよいし、Ｒ1がアルキル基であるスチルベン誘導体を合成した後にそのアルキル基を慣用方法（例えば、酸化など）によりヒドロキシルアルキル基へと変換してもよい。
【００５２】
反応式(III) ：
【００５３】
【化１４】
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
この反応は、ビスハロゲノメチルスチルベン（９１）に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式（１）の出発原料であるビスリン酸エステル誘導体（３）を得るものである。その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００５５】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミドがあげられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどがあげられる。
【００５６】
ビスハロゲノメチルスチルベン（９１）に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．４倍モル量である。反応は、通常、８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終了する。
反応式（IV）：
【００５７】
【化１５】
（式中、ＲおよびＲ'は、同一または異なって炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｘは前記と同意義である。）
この反応は、ハロゲン化メチル安息香酸（９７）をエステル化反応に付し、得られたエステル体（９８）に亜リン酸トリステルを反応させてモノリン酸エステル誘導体（９９）を得、次いでアルデヒド安息香酸エステルを反応させてスチルベンジカルボン酸エステル（１００）を得、この化合物を還元反応に付してスチルベンジヒドロキシメチル（１０１）を調製した後、ハロゲン化剤と反応させることにより、反応工程式（III）の出発原料である化合物（９１）を得るものである。
【００５９】
上記のエステル化反応は、例えば触媒の存在下でハロゲン化メチル安息香酸（９７）に一般式：Ｒ−ＯＨ（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表されるアルコール類を反応させることにより行われる。使用される触媒としては、エステル化反応に慣用の触媒が用いられ、具体的には塩化水素、濃硫酸、リン酸、ポリリン酸、三フッ化ホウ素、過塩素酸等の無機酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロメタンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機酸、トリクロロメタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸無水物、塩化チオニル等の触媒があげられる。
【００６０】
上記のエステル化反応は、無溶媒または適当な触媒の存在下に行われる。該溶媒としては、エステル化反応に慣用の溶媒であればいずれも使用でき、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類などがあげられる。
【００６１】
化合物（９７）に対するアルコール類の使用割合は、１〜３倍モル量、好ましくは１．５〜２．０倍モル量とするのがよい。また、反応温度は８０〜１６０℃、好ましくは１００〜１５０℃で行うのがよい。
化合物（９８）から化合物（９９）を得る反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００６２】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等ノエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミドがあげられる。
上記第三級アミンとしては、例えば取トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどがあげられる。
【００６３】
化合物（９８）に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも等モル量、好ましくは１〜１．２倍モル量である。反応は、通常、８０〜１５０℃で行なわれ、１〜４時間程度で終了する。
化合物（９９）から化合物（１００）を得る反応は、前記の反応式（１）に準じて実施できる。ここで、化合物（９９）のリン酸エステル誘導体に対する塩基の使用量は、少なくとも１〜2倍モル量、好ましくは１〜１．３倍モル量である。また化合物（９９ａ）の使用量は、化合物（９９）に対して０．９〜１．３倍モル量、好ましくは０．９８〜１．０２倍モル量である。反応は、通常、−１０〜２５℃で行なわれ、３〜１０時間程度で終了する。
【００６４】
化合物（１００）から化合物（１０１）を得る反応は、適当な溶媒中で行われる。上記溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素等があげられる。
また、この反応に用いられる水素化還元剤としては、水素化リチウムアルミニウム、水素化アルミニウム、水素化ジイソプロピルアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウムー塩化アルミニウム、ジボラン等があげられる。化合物（１００）に対する水素化還元剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．２倍モル量程度が適当である。反応は、通常、氷冷下〜１２０℃、好ましくは３０〜８０℃で行われ、約１〜２０時間で終了する。
【００６５】
化合物（１０１）から化合物（９１）を得る反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行われる。この反応に用いられる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。この反応は、触媒の存在下で行うのが好ましく、その触媒としては、ピリジン、ＤＭＦ，ピコリン、ＨＭＰＡ等があげられる。
【００６６】
また、この反応に用いられるハロゲン化剤としては、例えば塩化チオニル、臭化チオニル、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、三塩化リン、三臭化リン等のハロゲン化リンがあげられる。
化合物（９９）に対するハロゲン化剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜５倍モル量である。反応は、氷冷下〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃程度で行われ、約１〜１８時間で終了する。
【００６７】
次に、スチルベン誘導体の合成において、基Ｒ1とＲ3またはＲ2とＲ4が異なる基である場合には、上記一般式（３）のリン酸エステル誘導体に代えてモノリン酸エステル誘導体を、順次、異なる基を有するトリフェニルアミンのホルミル体（２）に反応させることにより、合成される。
具体的には、下記反応式(IV)に示すように、まず、式（９２）の化合物に亜リン酸トリエステルを反応させてモノリン酸エステル（９３）を得、ついで、これに上記トリフェニルアミンのホルミル体（２）を反応させてモノスチルベン誘導体（９４）を得、さらにそれをクロロ化した化合物（９５）を得る。
【００６８】
反応式(IV)：
【００６９】
【化１６】
（式中、Ｘ,Ｒ1およびＲ2は前記と同意義である。）
次いで、下記反応式(V) に示すように、上記化合物（９５）に亜リン酸トリエステルを反応させて化合物（９６）を得、これにトリフェニルアミンのホルミル体（２'）を反応させることにより、スチルベン誘導体(１')が得られる。
反応式(V) ：
【００７１】
【化１７】
（式中、Ｘ,Ｒ1〜Ｒ4は前記と同意義である。）
一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の種々の分野での利用が可能である。
次に、本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
【００７３】
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００７４】
本発明の単層型電子写真感光体は、従来の単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００７５】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。
【００７６】
本発明の積層型電子写真感光体は、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
【００７７】
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
《電荷発生剤》
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。
(CG1) 無金属フタロシアニン
【００７８】
【化１８】
(CG2) オキソチタニルフタロシアニン
【００８０】
【化１９】
(CG3) ペリレン顔料
【００８２】
【化２０】
（式中、Ｒg1およびＲg2は同一または異なって、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基またはアラルキル基を示す。）
(CG4) ビスアゾ顔料
【００８４】
【化２１】
〔式中、ＣP1およびＣP2は同一または異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：
【００８６】
【化２２】
（式中、Ｒg3は水素原子、アルキル基、アリール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリール基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ωは０または１を示す。）
【００８８】
【化２３】
（式中、Ｒg4およびＲg5は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
【００９０】
【化２４】
（式中、Ｒg6は水素原子、エチル基、クロロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）
【００９２】
【化２５】
または
【００９４】
【化２６】
（式中、Ｒg7、Ｒg8およびＲg9は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
で表される基を示す。〕
(CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
【００９６】
【化２７】
（式中、Ｒg10およびＲg11は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg12およびＲg13は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
【００９８】
【化２８】
（式中、Ｒg14、Ｒg15、Ｒg16およびＲg17は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
【０１００】
【化２９】
（式中、Ｒg18、Ｒg19、Ｒg20およびＲg21は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを示す。）
(CG8) スクアライン顔料
【０１０２】
【化３０】
（式中、Ｒg22およびＲg23は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG9) トリスアゾ顔料
【０１０４】
【化３１】
（式中、ＣP3、ＣP4およびＣP5は同一または異なって、カップラー残基を示す。）
(CG10)インジゴ顔料
【０１０６】
【化３２】
（式中、Ｒg24およびＲg25は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。）
(CG11)アズレニウム顔料
【０１０８】
【化３３】
（式中、Ｒg26およびＲg27は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG12)シアニン顔料
【０１１０】
【化３４】
（式中、Ｒg28およびＲg29は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg30およびＲg31は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、前述と同様な基のほか、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等の炭素数５〜６の基が含まれる。炭素数１８以下の置換または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を含む基である。
【０１１２】
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜８の基があげられる。 アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６の基があげられる。
【０１１３】
アリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基があげられる。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリル等があげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基であってもよい。
【０１１４】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。
ＣP1、ＣP2、ＣP3、ＣP4およびＣP5で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。
【０１１５】
【化３５】
【化３６】
各式中、Ｒg32は、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい。
【０１１８】
Ｒg33は、ベンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg34は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を示す。
Ｒg35は、２価の鎖式炭化水素基または芳香族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１１９】
Ｒg36は、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg37は、２価の鎖式炭化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２０】
Ｒg38は、水素原子、アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。
Ｒg39は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２１】
アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜６のアルケニル基があげられる。
前記Ｒg33において、ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基があげられる。
【０１２２】
上記Ｒg33とベンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等があげられる。
またＲg33において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のアルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。
【０１２３】
またＲg33において、ベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があげられる。
【０１２４】
上記Ｒg33とベンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チアゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノリル等）であってもよい。
【０１２５】
前記Ｒg35、Ｒg37において、２価の鎖式炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があげられる。
前記Ｒg36において、複素環式基としては、ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等があげられる。
【０１２６】
前記Ｒg37において、２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒg37と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１２７】
前記Ｒg38において、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の基があげられる。
本発明においては、上記例示の電荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができる。
【０１２８】
また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記例示の電荷発生剤のうち、特に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使用できる。
【０１２９】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
《正孔輸送剤》
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体（１）とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させてもよい。
【０１３０】
かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜(HT13)で表される化合物等があげられる。
【０１３１】
【化３７】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
【０１３３】
【化３８】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は異なっていてもよい。）
【０１３５】
【化３９】
（式中、Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14およびＲh15は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14、Ｒh15およびＲh16は異なっていてもよい。）
【０１３７】
【化４０】
（式中、Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は異なっていてもよい。）
【０１３９】
【化４１】
（式中、Ｒh21およびＲh22は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23、Ｒh24、Ｒh25およびＲh26は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
【０１４１】
【化４２】
（式中、Ｒh27、Ｒh28およびＲh29は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４３】
【化４３】
（式中、Ｒh30、Ｒh31、Ｒh32およびＲh33は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４５】
【化４４】
（式中、Ｒh34、Ｒh35、Ｒh36、Ｒh37およびＲh38は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４７】
【化４５】
（式中、Ｒh39は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40、Ｒh41およびＲh42は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１４９】
【化４６】
（式中、Ｒh43、Ｒh44およびＲh45は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１５１】
【化４７】
（式中、Ｒh46およびＲh47は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48およびＲh49は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１５３】
【化４８】
（式中、Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は異なっていてもよい。）
【０１５５】
【化４９】
（式中、Ｒh56、Ｒh57、Ｒh58およびＲh59は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
【０１５７】
【化５０】
で表される基（Φ−１）、（Φ−２）または（Φ−３）を示す。）
上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１５９】
また本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等を用いることもできる。
【０１６０】
本発明において、正孔輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。
《電子輸送剤》
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物等があげられる。
【０１６１】
【化５１】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【０１６３】
【化５２】
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
【０１６５】
【化５３】
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
【０１６７】
【化５４】
（式中、Ｒe10はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10は異なっていてもよい。）
【０１６９】
【化５５】
（式中、Ｒe11はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11は異なっていてもよい。）
【０１７１】
【化５６】
（式中、Ｒe12およびＲe13は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）２ 基を示す。）
【０１７３】
【化５７】
（式中、Ｒe14は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15は互いに異なっていてもよい。）
【０１７５】
【化５８】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１７７】
【化５９】
（式中、Ｒe16およびＲe17は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17は互いに異なっていてもよい。）
【０１７９】
【化６０】
（式中、Ｒe18およびＲe19は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
【０１８１】
【化６１】
（式中、Ｒe20はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20は互いに異なっていてもよい。）
【０１８３】
【化６２】
（式中、Ｒe21は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
【０１８５】
【化６３】
（式中、Ｒe22はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22は互いに異なっていてもよい。）
【０１８７】
【化６４】
（式中、Ｒe23は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：
−Ｏ−Ｒe24a
を示す。上記基中のＲe24aは、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１８９】
【化６５】
（式中、Ｒe25、Ｒe26、Ｒe27、Ｒe28、Ｒe29、Ｒe30およびＲe31は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１９１】
【化６６】
（式中、Ｒe32およびＲe33は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１９３】
【化６７】
（式中、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36およびＲe37は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36、Ｒe37のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１９５】
ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。
【０１９６】
ジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、互いに異なっていてもよい。
上記各基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１９７】
また本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等を用いることができる。
【０１９８】
本発明において、電子輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。
《結着樹脂》
上記各成分を分散させるための結着樹脂は、従来、感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
【０１９９】
感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０２００】
単層型感光体において、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０.１〜５０重量部、好ましくは０.５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体（１）正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
【０２０１】
積層型感光体において、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０２０２】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
【０２０３】
積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
単層型感光体においては、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体においては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【０２０４】
上記感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０２０５】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。
前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
【０２０６】
上記分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０２０７】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０２０８】
【実施例】
本発明を参考例、合成例、実施例および比較例に基づいてさらに説明する。
《スチルベン誘導体の合成》
参考例１
〔α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１')の合成〕
標記化合物を下記反応式に沿って合成した。
【０２０９】
【化６８】
１）ディーンスタークおよび還流管を備えたフラスコに、パラクロロメチル安息香酸（９７'）１７ｇ、ｎ−ブタノール１１．１ｇ（１.５倍モル）、溶媒としてトルエンを３００ｍｌ加え、８時間還流した。反応終了後、生成物をメタノールから再結晶してクロロメチル安息香酸ブチル（９８'）を１８ｇ得た（収率８０％）。
【０２１１】
２）上記化合物（９８）に、亜リン酸トリエステルを反応させてモノリン酸エステル誘導体（９９'）を得た。この化合物（９９'）に、ｐ−アルデヒド安息香酸メチルを反応させて、スチルベンジカルボン酸エステル（１００'）を得た。
すなわち，還流管を備えたフラスコに、化合物（９８）１０ｇ、亜リン酸トリエステル８．３ｇ（１．２倍モル）を取り、３時間還流した。反応終了後、生成物をヘキサンから再結晶してモノリンサンエステル体（９９'）を１３．３ｇ得た（収率９２％）。モノリン酸エステル１０ｇと脱気乾燥した水素化ナトリウム０．７３ｇ（等モル）とをＴＨＦ２００ｍｌ中に加え氷冷した。これに、ＴＨＦ５０ｍｌに溶解したｐ−アルデヒド安息香酸メチル７．２８g（１．０１倍モル）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ｍｌに加え、析出した結晶を濾過し、水洗した。その結晶を乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム/ヘキサン混合溶媒）で精製して化合物（１００'）を得た。収量１４．２７ｇ（収率８７％）
３）アルゴン雰囲気下に還流管を備えたフラスコに、１．１２ｇ（２倍モル）の水素化アルミニウムリチウム（還元剤、ＬＡＨ）を含むテトロヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を加え、これにスチルベンジカルボン酸エステル（１００'）１０ｇを含むＴＨＦ溶液５０ｍｌを滴下した。次いで、室温で約6時間攪拌した後、反応液を氷浴にあけ、生成物を酢酸エチルで抽出し、十分に水洗した。酢酸エチルを留去して、スチルベンジヒドロキシメチル（１０１'）６．５３ｇを得た（収率９２％）。
【０２１２】
４）還流管を備えたフラスコに、スチルベンビスヒドロキシメチル（９６'）を５ｇと、溶媒と試薬を兼ねた塩化チオニル１０ｇ、および相関移動触媒としてピリジンの触媒量を加え、８時間還流した。反応終了後、溶媒を留去し、生成物をメタノールから再結晶して、標記化合物α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１'）４．６１ｇを得た（収率８０％）。
【０２１３】
参考例２
〔ビスリン酸エステル（３）の合成〕
α，α'―ジクロロメチルスチルベン（９１'）４．５ｇに対して亜リン酸トリエステル６．４７ｇ（２．４倍モル）を加え、３時間還流した後、溶媒を留去し、ヘキサンから再結晶して、下記式の化合物ビスリン酸エステル（３ｐ）６．７９ｇを得た（収率８７％）。
【０２１４】
【化６９】
上記と同様にして、メタクロロメチル安息香酸を原料化合物として上記式(3ｍ)で表されるビスリン酸エステル誘導体を、またオルソクロロメチル安息香酸を原料化合物として上記式(3m)で表されるビスリン酸エステル誘導体をそれぞれ得た。
参考例３
〔２，６−ジメチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリン１５ｇ（１２４ミリモル）、ヨードベンゼン５０ｇ（２４５ミリモル）、無水炭酸カリウム１７ｇ（１２３ミリモル）および粉末銅１ｇ（１６ミリモル）をニトロベンゼン１５０ミリリットル中に加え、還流下、約２４時間反応させた。反応後、無機塩を除去し、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２８.８ｇを得た（収率８５％）。
【０２１６】
参考例４
〔２−メチル−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−エチル−０−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．０ｇを得た（収率８５％）。
【０２１７】
参考例５
〔２，６−ジエチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，６−ジエチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１.０ｇを得た（収率８３％）。
【０２１８】
参考例６
〔２―イソプロピルー６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−イソプロピル−ｏ−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３．４ｇを得た（収率８４％）。
【０２１９】
参考例７
〔２−イソプロピルー６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−イソプロピルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．３ｇを得た（収率８０％）。
【０２２０】
参考例８
〔２−ｔ−ブチル−６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６，５−ブチル−６−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３０．１ｇを得た（収率７７％）。
【０２２１】
参考例９
〔２−ｓ−ブチル−６−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチル−６−５−ブチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．３ｇを得た（収率８０％）。
参考例１０
〔２、６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミン２８ｇ（１０２ミリモル）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ（１０４ミリモル）を加えて４０℃で１時間反応させた。反応後、水３００ミリリットル中に加え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２６．８ｇ（収率８７％）を得た。
【０２２２】
参考例１１
〔２−メチル−６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メチル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１０と同様に反応を行い、標記化合物２８．２ｇを得た（収率８７％）。
【０２２３】
参考例１２
〔２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，６−ジエチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７.１ｇを得た（収率８０％）。
【０２２４】
参考例１３
〔２−イソプロピルー６―メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―イソプロピル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８．６ｇを得た（収率８５％）。
【０２２５】
参考例１４
〔２−イソプロピルー６―エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―イソプロピル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８ｇを得た（収率８０％）。
【０２２６】
参考例１５
〔２−ｔ−ブチルー６―メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―ｔ−ブチル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７．３ｇを得た（収率７８％）。
【０２２７】
参考例１６
〔２−ｓ−ブチルー６―エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成）
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２―ｓ−ブチル−６−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８．８ｇを得た（収率７９％）。
【０２２８】
合成例１〔スチルベン誘導体（１１−１ ）の合成〕
上記式(3p)で表されるビスリン酸エステル７．５ｇ（１５．６ミリモル）と脱気乾燥した水素化ナトリウム０．７５ｇ（３１．２ミリモル）とをテトラヒドロフラン２００ミリリットル中に加え、氷冷した。これに、テトラヒドロフラン に溶解した２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミン９．５ｇ（３１．５ミリモル）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ミリリットルに加え、析出した結晶をろ過し、水洗した。結晶を乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、前記表１において化合物番号１１−１で示したスチルベン誘導体８．１ｇを得た（収率６７％）。
【０２２９】
合成例２〔スチルベン誘導体（１１−２）の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−２で示したスチルベン誘導体８．７ｇを得た（収率７０％）。
【０２３０】
融点：１４１〜１４３℃
上記スチルベン誘導体(１１−２)の赤外線吸収スペクトルを図１に示す。
合成例３〔スチルベン誘導体（１１−３）の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−３で示したスチルベン誘導体９．１を得た（収率７０％）。
【０２３１】
合成例４〔スチルベン誘導体(１１−４)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２―イソプロピル、６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−４で示したスチルベン誘導体８．８ｇを得た（収率６８％）。
【０２３２】
合成例５〔スチルベン誘導体(１１−５)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２―イソプロピル、６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−５で示したスチルベン誘導体８．７ｇを得た（収率６５％）。
【０２３３】
合成例６〔スチルベン誘導体(１１−６)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、ｔ―ブチル、６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−６で示したスチルベン誘導体８．４ｇを得た（収率６３％）。
【０２３４】
合成例７〔スチルベン誘導体(１１−７)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−ｓ−ブチル、６−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−７で示したスチルベン誘導体９．０ｇを得た（収率６５％）。
【０２３５】
合成例８〔スチルベン誘導体(１２−１)の合成〕
合成例１において、上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表２において化合物番号１２−３で示したスチルベン誘導体７．４ｇを得た（収率６１％）。
【０２３６】
合成例９〜２１
前記に準じた方法により、以下の化合物を合成した。
（合成例９）スチルベン誘導体(１２−２) 収量８．１ｇ（収率６５％）
（合成例１０）スチルベン誘導体(１２−３) 収量８．２ｇ（収率６３％）
（合成例１１）スチルベン誘導体(１２−４) 収量８．３ｇ（収率６４％）
（合成例１２）スチルベン誘導体(１２−５) 収量８．０ｇ（収率６０％）
（合成例１３）スチルベン誘導体(１２−６) 収量７．８ｇ（収率５８％）
（合成例１４）スチルベン誘導体(１２−７) 収量８．３ｇ（収率６０％）
（合成例１５）スチルベン誘導体(１３−１) 収量８．６ｇ（収率７１％）
（合成例１６）スチルベン誘導体(１３−２) 収量８．８ｇ（収率７０％）
（合成例１７）スチルベン誘導体(１３−３) 収量９．１ｇ（収率７０％）
（合成例１８）スチルベン誘導体(１３−４) 収量８．７ｇ（収率６７％）
（合成例１９）スチルベン誘導体(１３−５) 収量８．４ｇ（収率６３％）
（合成例２０）スチルベン誘導体(１３−６) 収量８．４ｇ（収率６３％）
（合成例２１）スチルベン誘導体(１３−７) 収量９．７ｇ（収率７０％）
《電子写真感光体の製造》
（デジタル光源用単層型感光体）
実施例１
電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用いた。正孔輸送剤には、前記表１の化合物番号（１１−１）で表されるスチルベン誘導体を用いた。
【０２３７】
上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１００重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部とともにボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を製造した。 実施例２
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２３８】
実施例３
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−３）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４
単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤として、式(ET17-1)：
【０２３９】
【化７０】
で表されるジフェノキノン誘導体を３０重量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例５
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４１】
実施例６
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号（１１−３）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７〜９
電子輸送剤として、式(ET14-1)：
【０２４２】
【化７１】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０〜１２
電子輸送剤として、式(ET14-2)：
【０２４４】
【化７２】
で表されるナフトキノン誘導体を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１３および１４
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４６】
実施例１５および１６
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４７】
実施例１７および１８
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例７と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４８】
実施例１９および２０
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号（１２−２）で表されるスチルベン誘導体または前記表３の化合物番号（１３−２）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２４９】
比較例１
正孔輸送剤として、式（６−１）：
【０２５０】
【化７３】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例２
正孔輸送剤として、式（６−２）：
【０２５２】
【化７４】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３
正孔輸送剤として、式（６−３）：
【０２５４】
【化７５】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４
正孔輸送剤として、式（６−４）：
【０２５６】
【化７６】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５
正孔輸送剤として、式（６−５）：
【０２５８】
【化７７】
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例１〜２０および比較例１〜５で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(I)
ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用いて各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７００±２０Ｖに帯電させた後、表面電位Ｖｏ （Ｖ）を測定した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃｍ２ ）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）して、上記表面電位Ｖｏ が１／２になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ１／２ （μＪ／ｃｍ２ ）を算出した。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を残留電位Ｖｒ （Ｖ）として測定した。
【０２６０】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表４に示す。なお、以下の表において、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類はそれぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。
【０２６１】
【表４】
実施例２１〜２３
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２４〜２６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６３】
実施例２７〜２９
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例７〜９と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３０〜３２
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１０〜１２と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６４】
実施例３３および３４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１３、１４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３５および３６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１５、１６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６５】
実施例３７および３８
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１７、１８と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３９および４０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１９、２０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６６】
比較例６〜１０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例２１〜４０および比較例６〜１０で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表５に示す。
【０２６７】
【表５】
実施例２１〜２３
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２４〜２６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例４〜６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２６９】
実施例２７〜２９
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例７〜９と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３０〜３２
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１０〜１２と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７０】
実施例３３および３４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１３、１４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３５および３６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１５、１６と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７１】
実施例３７および３８
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１７、１８と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３９および４０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１９、２０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７２】
比較例６〜１０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４１〜６０
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例２１〜４０と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０２７３】
比較例１１〜１５
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例４１〜６０および比較例１１〜１５で得られた感光体について前記電気特性試験(I)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表６に示す。
【０２７４】
【表６】
（デジタル光源用積層型感光体）
実施例６１
電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) ２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【０２７６】
次に、正孔輸送剤であるスチルベン誘導体（１１−１）１重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７７】
実施例６２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１１−２）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例６３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１１−３）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７８】
実施例６４〜６６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例６７〜６９
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２７９】
実施例７０および７１
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６１と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例７２、７３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６４と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８０】
実施例７４、７５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例６７と同様にしてそれぞれデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例１６〜１８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６−１）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８１】
比較例１９〜２０
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６−４）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２１〜２４
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６―５）を用いたほかは、実施例６１、６４および６７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０２８２】
上記実施例６１〜７５および比較例２１〜２４で得られた感光体について下記の電気特性試験(II)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(II)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （μＪ／ｃｍ２ ）を求めた。
【０２８３】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表７に示す。
【０２８４】
【表７】
（アナログ光源用単層型感光体）
実施例７６〜９５
電荷発生剤として、式(CG3-1) ：
【０２８６】
【化７８】
で表されるペリレン顔料を用いたほかは、実施例１〜２０と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例２５〜２９
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、比較例１〜５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２８８】
上記実施例７６〜９５および比較例２５〜２９で得られた感光体について下記の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(III)
露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルックス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I)と同様にして、表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０２８９】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表８に示す。
【０２９０】
【表８】
実施例９６〜１１５
電荷発生剤として、式(CG4-1) ：
【０２９２】
【化７９】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３０〜３４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２９４】
上記実施例９６〜１１５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表９に示す。
【０２９５】
【表９】
実施例１１６〜１３５
電荷発生剤として、式(CG4-2) ：
【０２９７】
【化８０】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３５〜３９
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０２９９】
上記実施例１１６〜１３５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１０に示す。
【０３００】
【表１０】
実施例１３６〜１５５
電荷発生剤として、式(CG4-3) ：
【０３０２】
【化８１】
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例７６〜９５と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４０〜４４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、比較例２５〜２９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０３０４】
上記実施例１３６〜１５５および比較例２５〜２９で得られた感光体について前記電気特性試験(III)を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１１に示す。
【０３０５】
【表１１】
（アナログ光源用積層型感光体）
実施例１５６〜１５８
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１５９〜１６１
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０７】
実施例１６２〜１６４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１６５〜１６７
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例６１〜６３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０８】
実施例１６８および１６９
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１５６と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１７０および１７１
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１６２と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３０９】
実施例１７２および１７３
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１５６と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１７４および１７５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（１２−２）または（１３−２）を用いたほかは、実施例１６５と同様にしてそれぞれアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３１０】
比較例４５〜４８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６-１）を用いたほかは、実施例１５６、１５９、１６２および１６５と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例４９〜５２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体（６-４）を用いたほかは、実施例１５６、１５９、１６２および１６５と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０３１１】
上記実施例１５６〜１７５および比較例４５〜５２で得られた感光体について下記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(IV)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位Ｖｏ （Ｖ）、残留電位Ｖｒ （Ｖ）および半減露光量Ｅ１／２ （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０３１２】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１２に示す。
【０３１３】
【表１２】
表４〜１２から明らかなように、実施例１〜１７５の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較例に比べて残留電位Ｖｒ の絶対値が小さい。また、半減露光量Ｅ１／２ についても、対応する比較例での値と同等またはその値を下回っている。このことから、実施例１〜１７５の電子写真感光体は、優れた感度を有することがわかる。
【０３１５】
試験例
（結着樹脂との相溶性についての評価）
上記化合物番号１１―１〜３、１２−２および１３−２のスチルベン誘導体について、結着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。
（試料の調製）
結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部との混合液に、化合物番号１１―１〜３、１２−２および１３−２のスチルベン誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗布液が得られるスチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をロールミルにて５０時間混合分散させることによって行った。
【０３１６】
次に、上記各スチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するスチルベン誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂への溶解性を評価した。なお、この配合率が高いほど、結着樹脂への溶解性に優れていることを示す。
【０３１７】
【数１】
対照化合物として、上記の（６−１）〜（６−５）のスチルベン誘導体を用い、上記と同様にして結着樹脂への溶解性を評価した。
これらの結果を表１３に示す。
【０３１９】
【表１３】
表２より明らかなように、本発明のスチルベン誘導体は、従来のスチルベン誘導体(６−１)〜(６−５) に比べて、結着樹脂に対する溶解性が優れている。
【０３２１】
【発明の効果】
本発明のスチルベン誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する。また、本発明の電子写真感光体は、上記スチルベン誘導体(1) を正孔輸送剤として用いることから、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】スチルベン誘導体(１１−２)の赤外線吸収スペクトルを示す。
Claims (6)
- 一般式（１）：
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基；
ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアラルキル基；
ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を有していてもよいアリール基；
または、
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。
前記アラルキル基または前記アリール基に置換するカルボキシル基は、エステル化されていてもよい。また、前記アラルキル基または前記アリール基に置換する炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基は、さらに、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基またはアミノ基を有していてもよい。
Ｒ2およびＲ4は同一または異なって、
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルキル基、または、
ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基もしくはアミノ基を有していてもよいアルコキシ基を示す。）
で表されるスチルベン誘導体。 - 一般式（１）中のＲ1とＲ3とが同一の基で、かつＲ2とＲ4とが同一の基である請求項１記載のスチルベン誘導体。
- 一般式（２）：
で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（３）：
- 前記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体（２）が、一般式（４）：
で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式（５）：
で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、この化合物をフィルスマイヤー法によりホルミル化させることにより得られる、請求項３記載のスチルベン誘導体の製造方法。 - 導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、請求項１または２記載の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
- 前記感光層が、請求項１または２記載の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体と共に、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層である請求項５記載の電子写真感光体。
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