JP4216315B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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チャネル形成領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度で添加された低濃度不純物領域を有し、
該低濃度不純物領域は質量分離がなされた不純物イオンが注入され、
前記低濃度不純物領域の表面はレーザー光の照射により形成された凹凸を有することを特徴とする。
チャネル形成領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度で添加された低濃度不純物領域を有し、
該低濃度不純物領域は質量分離がなされた不純物イオンの注入と、その後レーザー光の照射により作製されたものであることを特徴とする。
チャネル形成領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度で添加された低濃度不純物領域の作製工程であって、
前記低濃度不純物領域は、質量分離がなされた不純物イオンの注入とその後レーザー光の照射により作製されることを特徴とする。
レーザー光の照射を利用して結晶性珪素膜を形成する工程と、
前記結晶性珪素膜を利用して活性層を形成する工程と、
を有し、
前記活性層の形成は、チャネル形成領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも導電型を付与する不純物を低濃度でドーピングする工程を有し、
該工程において、質量分離がなされた不純物イオンの注入とその後レーザー光の照射が行われることを特徴とする。
以下の質量分離を行うことによって不純物のイオンを得、そのイオンを注入する装置の構成について示す。
以下に非質量分離により不純物のイオンを得、そのイオンの注入を行う装置の構成について示す。図4に装置の概要を示す。この装置は、プラズマドーピング装置と称される形式を有している。
以下に線状のレーザー光の照射を行う装置の概要を示す。図6に示すのは、光学系によって線状に加工されたレーザー光1200を非晶質珪素膜1204に照射して、結晶性珪素膜1205に変成する状態を示す模式図面である。
図7に示すのは、スポット状のレーザー光を照射することにより、アニールを行う装置である。
102 下地膜(酸化珪素膜)
103 非晶質珪素膜
104 活性層のパターン
105 ゲイト絶縁膜(酸化珪素膜)
106 ゲイト電極
107 多孔質状の陽極酸化膜
108 緻密な膜質を有する陽極酸化膜
109 レジストマスク
110 ソース領域
111 不純物イオンが注入されない領域
112 ドレイン領域
113 低濃度不純物領域
114 チャネル形成領域
115 低濃度不純物領域(LDD領域)
116 層間絶縁膜
117 ソース電極
118 ドレイン電極
Claims (2)
- ソース領域及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を含む結晶性珪素膜を有する半導体装置の作製方法において、
質量分離を行わずに得た不純物イオンを、前記ソース領域及び前記ドレイン領域となる部分の前記結晶性珪素膜に注入して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成し、
質量分離がなされた不純物イオンを、前記低濃度不純物領域となる部分の前記結晶性珪素膜に注入して、前記低濃度不純物領域を形成し、
レーザー光を照射して、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記低濃度不純物領域を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、酸化珪素膜を介して、ソース領域及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を含む結晶性珪素膜を有する半導体装置の作製方法において、
質量分離を行わずに得た不純物イオンを、前記ソース領域及び前記ドレイン領域となる部分の前記結晶性珪素膜に注入して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成し、
質量分離がなされた不純物イオンを、前記低濃度不純物領域となる部分の前記結晶性珪素膜に注入して、前記低濃度不純物領域を形成し、
レーザー光を照射して、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記低濃度不純物領域を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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