JP4204959B2 - デバイス製造方法およびコンピュータプログラム - Google Patents
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Description
しかし、先行技術で提案する解決策は、完全な解決策とはならず、マスクが誘起する結像歪みの全ては補償できない。
− 少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた基板を用意する工程;
− 放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程;
− この投影ビームの断面にパターンを付けるために吸収層によって上記パターンが形成してある反射性マスクを使う工程;および
− この放射線のパターン化した放射線のビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程;を含み、
− 吸収層の付影効果によって引き起こされる結像歪みを補償するために、パターン化したビームを投影する上記工程で使用する投影システムのシステム収差を制御または創成する製造方法が提供される。
図1は、この発明の方法を実施するために使えるリソグラフィ装置を概略的に描写したものである。この装置は:
− 放射線(例えば、EUV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明システム(照明器)IL;
− パターニング手段(例えば、マスク)MAを支持し、且つこのパターニング手段を部材PLに関して正確に位置決めするために第1位置決め手段PMに結合された第1支持構造体(例えば、マスクテーブル)MT;
− 基板W(例えば、レジストを塗被したウエハ)を保持し、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために第2位置決め手段PWに結合された基板テーブル(例えば、ウエハテーブル)WT;および
− パターニング手段MAによって投影ビームPBに与えたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(例えば、反射投影レンズ)PLを含む。
1.ステップモードでは、投影ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露出で)投影しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露出できるようにする。ステップモードでは、露出領域の最大サイズが単一静的露出で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードでは、投影ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露出で)しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期して走査する。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの(縮)倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露出領域の最大サイズが単一動的露出での目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の(走査方向の)高さを決める。
3.もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング手段を保持するマスクテーブルMTを本質的に固定し、投影ビームに与えた全パターンを目標部分C上に投影しながら、基板テーブルWTを動かしまたは走査する。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング手段を基板テーブルWTの各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング手段を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
この傾斜照明と多層および吸収層の厚さとの組合せが、理想的な、薄い二値マスクによって作られるであろう像に比べて、投影像に多数の変形を生ずる。容易に分るように、厚い吸収層の付影効果が不透明形態をマスク上の形態より大きい幅で結像させ、照明の有効角が異なるために、この効果が水平と垂直形態の間で異なるだろう。この多層の厚さおよびこの照明放射線が多層に進入する程度がこの状況を更に複雑にし、種々の結像歪みを導入する。
Z2: r・cos(θ)
Z3: r・sin(θ)
Z4: 2・r2−1
Z5: r2・cos(2・θ)
Z6: r2・sin(2・θ)
Z7: (3・r3−2・r)・cos(θ)
Z8: (3・r3−2・r)・sin(θ)
Z9: 6・r4−6・r2+1
Z12: (4・r4−3・r2)・cos(2・θ)
Z13: (4・r4−3・r2)・sin(2・θ)。
もし、望みおよび/または可能ならば、制御を向上するために高次の収差も使ってよい。
(例1)
収差なしの −純粋な− 像を高密度および半孤立した30nmおよび50nmに対する形態で水平および垂直ラインの両方についてシミュレートした。シミューレータ・ソフトウェアのために、水平ラインは垂直としてシミュレートしなければならななったが、収差感度の補正をこれに対して行った。最善合焦シフトおよび等焦点傾斜を計算した。
異なる形態に対して得た最善の結果を以下の表3に示す。
勿論、IFTを最適化することも可能である。しかし、これは、異なる組の収差を入力する結果となり、それでBFシフト位置に影響する。明視野マスク上の30nmおよび50nmラインに対する例を以下の表4に示す。
更に、最善合焦シフトと等焦点傾斜の両方に対する最善の解決策を与え、且つ最善合焦シフトと等焦点傾斜の相対寄与の重み付けを伴う、収差の組合せを探求することが可能である。
これらの図は、水平ラインおよび垂直ライン両方に対するBFおよびIFT補正によって実質的に改善できることを示す。CDUは、最大合焦範囲に対して最も向上する。
(例2)
Z2=rcos(θ)
Z3=rsin(θ)
Z7=(3r3−2r)cos(θ)。
(マスク入射角)
図20ないし図22では、以下の参照数字を使う:
21 入射平面;
22 入射中央照明線;
23 反射した中央パターン化線;
24 パターン平面の法線;
25 パターン平面上のアーチ形(部分環状)照明領域;
26 パターン平面での、反射した中央パターン化線の成分;
27 水平形態;
28 垂直形態;および
α 形態と反射した中央パターン化線の成分との間の角度。
このマスク入射角MAIは、この本文および請求項で次のように定義する。
MAI=(α/90°)*θi
C 目標部分
IL 照明システム
MA マスク
PB 投影ビーム
PL 投影システム
SO 放射線源
W 基板
Claims (17)
- デバイス製造方法であって、
少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた基板(W)を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
該投影ビームの断面にパターンを付けるために吸収層によって前記パターンが形成してある反射性マスクを使う工程、及び
放射線のパターン化したビームを放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程、を含み、
パターン化したビームを投影する前記工程で使用する投影システムのシステム収差が、吸収層の付影効果によって引き起こされる結像歪みを補償するように制御又は創成され、
前記パターンに現れる異なる形態型式のための少なくとも一つの結像測定基準の値を互いに近付けるように、前記システム収差が制御又は創成される、方法。 - 前記パターンのために前記投影システム(PL)にもたらすべき最適収差を計算する工程をさらに含み、前記計算が前記投影工程で使用すべき一つ以上のパラメータを考慮に入れ、前記パラメータをマスク入射角(MAI)、吸収層厚さ、形態型式、及びNA/照明設定から成るグループから選択する、請求項1に記載された方法。
- 前記システム収差がゼルニケ多項式Z2(Xの傾斜)、Z3(Yの傾斜)、及びZ7(コマX)の一つ以上を含み、これらの多項式が
Z2: r・cos(θ)、
Z3: r・sin(θ)、
Z7: (3・r3−2・r)・cos(θ)
である、請求項1又は請求項2に記載された方法。 - 前記少なくとも一つの結像測定基準を、最善合焦シフト、等焦点傾斜、限界寸法、限界寸法均一性、オーバレイ、テレセントリック性、パターン非対称性、ピッチ直線性、及び孤立−高密度バイアスからなるグループから選択する、請求項1に記載された方法。
- 前記異なる形態が異なる密度、異なる向き及び/又は異なる限界寸法を有する、請求項1又は請求項4に記載された方法。
- 前記異なる形態に対するプロセスウインドウを互いに近付けるように上記収差を導入する、請求項1、請求項4又は請求項5の何れか1項に記載された方法。
- 前記システム収差がゼルニケ多項式Z4(ピンぼけ)、Z5(非点収差HV)、Z6(非点収差45°/135°)、Z8(コマY)、Z9(球面収差)、Z12(非点収差HV−高次)、及びZ13(非点収差45°/135°−高次)の一つ以上を含み、これらの多項式が
Z4: 2・r2−1
Z5: r2・cos(2・θ)
Z6: r2・sin(2・θ)
Z8: (3・r3−2・r)・sin(θ)
Z9: 6・r4−6・r2+1
Z12: (4・r4−3・r2)・cos(2・θ)
Z13: (4・r4−3・r2)・sin(2・θ)
の形をとる、請求項1から請求項7までの何れか1項に記載された方法。 - 前記計算工程が、
前記パターンの異なる形態の異なる収差に対する感度を決める工程、及び
決定した感度を使って収差の最適組合せを決める工程、を含む請求項2に記載された方法。 - 前記感度を前記異なる形態の像を収差の異なる量及び/又は組合せでシミュレートすることによって決める、請求項4に記載された方法。
- 厚い吸収層(3)にマスクパターンを具現する反射性マスクの結像を最適化するためにリソグラフィ装置の投影システムにもたらすべきシステム収差を決めるためのコンピュータプログラムであって、コンピュータシステムで実行するとき、該コンピュータに、請求項8に記載された工程を行うように指示するコード手段を含むコンピュータプログラム。
- 前記コード手段が、感度を決める前記工程を実行するために、前記異なる形態の像を収差の異なる量及び/又は組合せでシミュレートするためのコード手段を含む請求項10に記載されたコンピュータプログラム。
- 前記コード手段が、前記パターンに現れる異なる形態型式のための少なくとも一つの結像測定基準の値を互いに近付けるように、もたらすべき最適収差を決めるようになっている請求項10又は請求項11に記載されたコンピュータプログラム。
- 前記少なくとも一つの結像測定基準を、最善合焦シフト、等焦点傾斜、限界寸法、限界寸法均一性、オーバレイ、テレセントリック性、パターン非対称性、ピッチ直線性、及び孤立−高密度バイアスからなるグループから選択する請求項12に記載されたコンピュータプログラム。
- 前記異なる形態が高密度及び孤立したライン、及び/又は水平及び垂直ライン、及び/又は異なる幅のラインである請求項12又は請求項13に記載されたコンピュータプログラム。
- 前記コード手段が、前記異なる形態に対するプロセスウインドウを互いに近付けるように、もたらすべき最適収差を決めるようになっている請求項12から請求項14の何れか1項に記載されたコンピュータプログラム。
- 吸収層の付影効果によって引き起こされる結像歪みを補償することにより、厚い吸収層にマスクパターンを具現する反射性マスクの結像を最適化するようにリソグラフィ投影装置の投影システムにシステム収差をもたらすために前記リソグラフィ投影装置を制御するコンピュータプログラムであって、
前記マスクパターンに現れる異なる形態型式のための少なくとも一つの結像測定基準の値を互いに近付けるように、前記システム収差を制御又は創成する工程を行うように指示するコード手段を含む、コンピュータプログラム。 - 前記システム収差がゼルニケ多項式Z2(Xの傾斜)、Z3(Yの傾斜)、及びZ7(コマX)であり、これらの多項式が
Z2: r・cos(θ)、
Z3: r・sin(θ)、
Z7: (3・r3−2・r)・cos(θ)、
の形をとる請求項10から請求項16までの何れか1項に記載されたコンピュータプログラム。
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US8027813B2 (en) * | 2004-02-20 | 2011-09-27 | Nikon Precision, Inc. | Method and system for reconstructing aberrated image profiles through simulation |
US8304180B2 (en) * | 2004-09-14 | 2012-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124407A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus |
JP2006237184A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Sony Corp | マスク補正方法および露光用マスク |
JP2007073666A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Sony Corp | マスク補正方法、マスク製造方法および露光用マスク |
EP1795967B1 (en) * | 2005-12-09 | 2010-05-05 | Imec | Methods and devices for lithography |
JP2007227570A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Toshiba Corp | 製造装置調整システム及び製造装置調整方法 |
US7713665B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and patterning device |
JP2007273560A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 光強度分布シミュレーション方法 |
JP4664232B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法,プログラム,プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 |
JP4664233B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法,プログラム,プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 |
JP4850664B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 |
JP4796476B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 |
KR100809717B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝된 패턴의 전기적 특성을 콘트롤할 수 있는반도체 소자 및 그의 패턴 콘트롤방법 |
US20080180696A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Sony Corporation | Process window for EUV lithography |
ATE537484T1 (de) * | 2007-02-23 | 2011-12-15 | Imec | Systeme und verfahren zur uv-lithographie |
US8975599B2 (en) * | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
JP4975532B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 反射型露光方法 |
US7910863B2 (en) | 2007-09-20 | 2011-03-22 | Tokyo Electron Limited | Temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium recording program thereon, and temperature setting apparatus for thermal processing plate |
NL2003806A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-16 | Asml Netherlands Bv | Method for a lithographic apparatus. |
KR101675380B1 (ko) | 2010-02-19 | 2016-11-14 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정방법 및 그를 이용한 반도체 제조방법 |
DE102010029651A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
NL2008310A (en) | 2011-04-05 | 2012-10-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and assembly. |
JP2012142619A (ja) * | 2012-04-11 | 2012-07-26 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光方法 |
DE102012207377A1 (de) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie |
US8663878B2 (en) * | 2012-07-05 | 2014-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask and method for forming the same |
KR102519334B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2023-04-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 이들의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US20170199511A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-13 | Globalfoundries Inc. | Signal detection metholodogy for fabrication control |
CN112631086A (zh) * | 2016-07-11 | 2021-04-09 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定性能参数的指纹的方法和设备 |
EP3963404B1 (en) * | 2019-04-30 | 2023-01-25 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for photolithographic imaging |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078380A (en) | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
JP3303436B2 (ja) | 1993-05-14 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び半導体素子の製造方法 |
US6115108A (en) | 1998-12-04 | 2000-09-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Illumination modification scheme synthesis using lens characterization data |
US6057914A (en) * | 1999-04-09 | 2000-05-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for detecting and identifying a lens aberration by measurement of sidewall angles by atomic force microscopy |
EP1246014A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1251402B1 (en) | 2001-03-30 | 2007-10-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6879374B2 (en) * | 2001-06-20 | 2005-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and a mask for use in the method |
EP1271247A1 (en) | 2001-06-20 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a mask for use in the method |
US6673638B1 (en) * | 2001-11-14 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features |
US6986971B2 (en) * | 2002-11-08 | 2006-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultraviolet (EUV) radiation and method of making the same |
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