JP4975532B2 - 反射型露光方法 - Google Patents
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Description
図1は、反射型マスクにおける光反射の様子を示す説明図である。マスク10は、例えば、MoとSiの多層膜からなる反射膜11と、反射膜11の上に所定のマスクパターンで形成された、例えば、Ta,Crなどの吸収膜12とで構成される。
反射光の強度が最も強くなる主方向と正反射方向との角度変化が大きい場合、露光領域を広く設定すると、ウエハ面での像面湾曲および倍率像の歪みの劣化が多くなり、予めラインパターンで最適化して固定した光学系では、広い露光領域を確保できない可能性がある。本実施形態では、こうした問題を解決するための手法について説明する。
本来、反射光の強度が最も強くなる主方向と正反射方向との角度変化が小さいほど、最適露光条件の変動が少なくなって好都合である。そこで、図4に示すように、吸収膜12の側壁の角度を傾斜させて、吸収膜12を順メサ形状に形成することによって、底面および側壁で反射する光L2の伝播方向がマスク面の法線方向に近づくようになる。
以上の実施形態では、入射方向および反射方向を含む面に対して垂直な方向に配置されたトレンチパターンまたはホールパターンについて説明した。
11 反射膜、 12 吸収膜、 20 反射型投影光学系、 30 ウエハ、
P1,P2 トレンチパターン。
Claims (10)
- 反射型マスクに向けて光を照射し、反射した光を反射型投影光学系によってウエハに投影するための反射型露光方法であって、
マスクから射出する光の方向を変化させるステップと、
ウエハの傾きを調整するステップと、
当該反射型マスクの反射強度分布について電磁界解析を行って、回折光の強度が最も強い伝播方向を求めるステップと、を含み、
前記光の方向を調整するステップにおいて、マスクから射出する光が反射型投影光学系の瞳の中心からずれる場合、マスクから射出する光の方向が前記伝播方向に近づくように、反射型マスクの傾きを変化させることを特徴とする反射型露光方法。 - 反射型マスクの傾きとともに、反射型マスクへの入射角を変化させることを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。
- 反射型マスクは、反射率が角度依存性を有する多層膜を備え、
該多層膜は、反射型マスクへの入射角を変化させた状態で、反射型マスクの反射率が最大になることを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。 - 反射型マスクの入射側に設けた露光制限アパーチャのスリット幅を調整するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。
- 伝播方向を求めるステップにおいて、該伝播方向と正反射方向のずれに対応して発生するウエハ面上に投影された像の光軸方向に変化させた像のウエハ面方向のシフトにより計算することを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。
- 反射型マスクの入射角を変化させる場合、入射角の調整範囲に所定の限界値を設けることを特徴とする請求項2記載の反射型露光方法。
- 反射型マスクは、反射膜と、該反射膜の上に所定のマスクパターンで配置された吸収膜とを備え、
吸収膜の側壁が、反射膜の表面に対して傾斜していることを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。 - 反射型マスクは、長手方向が互いに交差する少なくとも2つのトレンチパターンを含む場合、マスク傾斜に伴う転写パターンの位置ずれに起因したパターン接触が生じないように、マスクの傾き角を設定することを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。
- 反射型マスクの傾き角は、ラインパターンを露光する場合と、トレンチパターンまたはホールパターンを露光する場合とで相違することを特徴とする請求項1記載の反射型露光方法。
- 露光光として、EUV光を用いることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の反射型露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007173876A JP4975532B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 反射型露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007173876A JP4975532B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 反射型露光方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089859A Division JP2012142619A (ja) | 2012-04-11 | 2012-04-11 | 反射型露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016424A JP2009016424A (ja) | 2009-01-22 |
JP4975532B2 true JP4975532B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=40357011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007173876A Expired - Fee Related JP4975532B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 反射型露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4975532B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116841129A (zh) * | 2018-05-07 | 2023-10-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定与计算光刻掩模模型相关联的电磁场的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07244199A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
EP1039510A4 (en) * | 1997-11-14 | 2003-11-12 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND EXPOSURE METHOD |
JP2000091209A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4099567B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | 極短紫外光用マスクパターンの補正方法 |
JP3731566B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2006-01-05 | ソニー株式会社 | 露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法 |
US7042550B2 (en) * | 2002-11-28 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and computer program |
US6853440B1 (en) * | 2003-04-04 | 2005-02-08 | Asml Netherlands B.V. | Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination |
JP4378109B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、投影光学系、デバイスの製造方法 |
JP4157486B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 |
US7094507B2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask |
-
2007
- 2007-07-02 JP JP2007173876A patent/JP4975532B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009016424A (ja) | 2009-01-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100315 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |