JP2024513034A - リソグラフィ装置用パターニング装置および方法 - Google Patents

リソグラフィ装置用パターニング装置および方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2024513034000001
【解決手段】パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスである。パターニングデバイスは、リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、リソグラフィ装置の走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域と、イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺に隣接して配置される少なくとも１つのセンシングマークと、を備える。少なくとも１つのセンシングマークは、イメージング領域の前記少なくとも１つの第２の辺から前記走査方向に所定の距離だけ離れて位置し、基板上に投影されたときに少なくとも１つのセンシングマークが基板上のスクライブライン内に収まるように、走査方向に幅が延在している。
【選択図】図１

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０２１年４月１日に出願された欧州特許出願第２１１６６７２６．６号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
本発明は、リソグラフィ装置用パターニングデバイスに関し、より詳細には、センシングマークを備えるパターニングデバイスおよびその動作方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に与えるよう構成される機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばレチクルまたはマスク）のパターンを基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層に投影させ得る。
基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用する場合がある。この放射の波長によって、基板上に形成できるフィーチャの最小サイズが決まる。４－２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を用いるリソグラフィ装置は、例えば波長１９３ｎｍの放射を用いるリソグラフィ装置より小さなフィーチャを基板上に形成するために用いられ得る。
ＥＵＶレチクルのイメージング領域は、中央を中心として１０４×１３２ｍｍ２（走査方向に垂直なＸ方向、Ｙ走査方向）であり得る。その周囲に、Ｘ方向に２ｍｍ、Ｙ方向に３ｍｍのブラックボーダ（blackborder）があり得る。
レチクルアライメントマーク用の領域は、Ｘ方向に平行な画像フィールドの対向側に確保され、さらに、いわゆるレチクル形状補正（ＲＳＣ：Reticle Shape Correction）マーク用の追加領域がＹ方向に平行な画像フィールドの対向側に確保される。
ＮＡ（開口数）＝０．３３の場合、これは全フィールドに相当する。しかし、ＮＡ＝０．５５の場合、これは半フィールドのみに相当し、顧客の設計の柔軟性が制限され、リソグラフィ装置の実効スループットに影響を与える(ステッピングとターンアラウンドにより多くの時間を費やす必要がある)。
従来技術に関連する１つまたは複数の問題を克服または軽減する装置および方法を提供することが望ましい。
本発明の第１の態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスが提供される。パターニングデバイスは、リソグラフィ装置の走査方向に平行に延在する対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延在する対向する第２の辺とを有するイメージング領域と、イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺に隣接して配置される少なくとも１つのセンシングマークと、を備える。少なくとも１つのセンシングマークは、イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺から走査方向に所定の距離だけ離れて位置し、基板上に投影されたときに少なくとも１つのセンシングマークが基板上のスクライブライン内に収まるように走査方向に幅が延在している。
これには、センシングマークが基板上の隣接するフィールドと重ならないという利点があり得る。さらに、これは、レチクルマスキングＹブレードによるセンシングマークの被覆を低減または回避するという利点を有し得る。これにより、レチクルマスキングＹブレードの走査要件を取り除くことができる可能性がある。これにより、リソグラフィ装置ＬＡのロードマップのスループットのボトルネックが解消され、レチクルマスキングモジュールのコストが削減される可能性がある。
イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺に隣接することは、走査方向にイメージング領域の少なくとも１つの第２の辺から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスの領域内に位置すると考えられる。
センシングマークは、センサによって測定可能となるように基板上に投影されるパターニングデバイス上の（パッシブ）反射構造であると考えることができる。（アクティブ）センサは基板レベルに配置されている。
走査方向における所定の距離は、イメージング領域に隣接するブラックボーダの走査方向における幅および実質的に３ｍｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
センシングマークの走査方向の幅は、２００ミクロン未満および４００ミクロン未満のうちの少なくとも１つであってもよい。
センシングマークは、ブラックボーダによってイメージング領域から分離されてもよい。走査方向のブラックボーダの幅は３ｍｍであってもよい。ブラックボーダがパターンを含まない場合は、クワイエット領域要件（quiet area requirement）が尊重されるべきである。
スクライブラインは、例えばＮＡ＝０．３３の場合、パターニングデバイスレベルで２００ミクロンの走査方向の幅を有し得る。したがって、ＮＡ＝０．３３の場合、センシングマークの走査方向の幅は２００ミクロン未満であり得る。
パターニングデバイスから基板までの倍率は、ＮＡ＝０．３３の場合、Ｙ方向に１／４倍であり得る。
スクライブラインは、基板レベルで５０ミクロンの幅を有し得る。
スクライブラインは、例えばＮＡ＝０．５５の場合、パターニングデバイスレベルで４００ミクロンの走査方向の幅を有し得る。したがって、ＮＡ＝０．５５の場合、センシングマークの走査方向の幅は４００ミクロン未満であり得る。
パターニングデバイスから基板までの倍率は、ＮＡ＝０．５５の場合、Ｙ方向に１／８倍であり得る。
センシングマークはアライメントマークを含んでもよい。
センシングマークは、光学収差測定マークを含んでもよい。
アライメントマークは、透過型イメージセンサ（ＴＩＳ）アライメントマークを含んでもよい。
パターニングデバイスは、イメージング領域の第１の辺のうちの１つまたは複数にのみ隣接するレチクル形状補正マークを備えてもよい。すなわち、レチクル形状補正マークは、イメージング領域の第２の辺に隣接していなくてもよい。
パターニングデバイスは、レチクル形状補正マークを備えていなくてもよい。
アライメントマークは、ｙおよびｘ微細アライメントマークを含む。
ｙ微細アライメントマークは、走査Ｙ方向のアライメントベクトルを測定する。ｙ微細アライメントマークはＸ方向に向けることができる。すなわち、最長寸法はＸ方向にある。
ｘ微細アライメントマークは、走査Ｙ方向のアライメントベクトルを測定する。ｙ微細アライメントマークはＸ方向に向けることができる。すなわち、最長寸法はＸ方向にある。
アライメントマークは、少なくとも１つの粗アライメントマークを備えてもよく、少なくとも１つの粗アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置されてもよい。
少なくとも１つの粗アライメントマークは、走査方向においてイメージング領域の少なくとも１つの第２の辺から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスの領域内にも、走査方向に対して垂直な方向においてイメージング領域の少なくとも１つの第１の辺から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスの領域内にもない、パターニングデバイスの領域内に位置してもよい。すなわち、パターニングデバイスのコーナー領域である。
レチクルマスキングＸブレードは半固定であってもよい。つまり、パターニングデバイスの走査中にＸブレードが動かなくてもよい。
パターニングデバイスは、少なくとも１つの基準アライメントマークをさらに備えてもよく、少なくとも１つの基準アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置されてもよい。
これは、アライメントされた位置に対するパターニングデバイスのイメージフィールド構造の考えられるあらゆる影響を回避してキャリブレーションを可能とするという利点を有し得る。
本発明の第２の態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は放射ビームを調整するように構成された照明システムを備える。照明システムは、放射ビームをパターニングデバイス上に投影するように構成される。リソグラフィ装置は、上述のパターニングデバイスを備える。
放射はＥＵＶ放射であってもよく、リソグラフィ装置はＥＵＶリソグラフィ装置であってもよい。
本発明の第３の態様によれば、少なくとも１つのセンシングマークが基板上のスクライブライン内に収まるように、上述したパターニングデバイス上の少なくとも１つのセンシングマークを基板上に投影する方法が提供される。
センシングマークはアライメントマークを含んでもよい。この方法はさらに、アライメントマークを使用してパターニングデバイスを基板と位置合わせすることを含んでもよい。
この方法は、パターニングデバイスから最も遠い値を最も正確な値として、Ｙ方向に複数のオフセットを用いてＸＹ整列位置を測定することをさらに含んでもよい。
この方法は、最良のアライメント値を決定するためにフレアモデルで強化され得る。
この方法は、補正フィードバックまたは他のオーバーレイプロセス制御スキームを使用して、残留パターニングデバイスアライメントオフセットを除去することをさらに含んでもよい。
本発明の第４の態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスが提供される。パターニングデバイスは、リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域を備える。イメージング領域は、イメージング領域の第２の辺の一方とパターニングデバイスの隣接エッジとの間の第１の間隔が、イメージング領域の第２の辺の他方とパターニングデバイスの対向する隣接エッジとの間の第２の間隔よりも小さくなるように、走査方向においてパターニングデバイス中心に対してシフトされる。
第１の間隔は、０．４ｍｍから１０ｍｍの範囲、および５ｍｍから１０ｍｍの範囲のうちの少なくとも１つであってもよい。
第１の間隔は約５ｍｍであってもよい。
パターニングデバイスは、走査方向に別のパターニングデバイスに隣接して配置され得る。パターニングデバイスの隣接エッジは、２つのそれぞれのイメージング領域の間の距離が、それぞれのパターニングデバイスの第１の間隔を合計したものに等しくなるように、互いに接触している。
これには、開口数（ＮＡ）＝０．５５を有するリソグラフィ装置の基板上に全フィールドを結像できるという利点があり得る。その一方で、パターニングデバイスの中心にイメージング領域を有するパターニングデバイスと比較した場合、基板上に結像されるイメージング領域の損失％が低減される。
本発明の第５の態様によれば、吸収体の堆積前にパターニングデバイスブランクの高解像度反射率測定を使用して、局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度フィーチャに補正を適用する方法が提供される。
これらの測定は、ノミナルの光近接効果補正に加えて、光近接効果補正と同様であってもよい。
これにより、反射率および中心波長関連アイテムが改善され得る。
この方法は、パターニングデバイス上への吸収体の堆積後、高解像度反射率またはエリプソメトリ測定を使用して局所的な吸収体の厚さの変動を決定することと、これらの測定を使用して局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャに補正を適用することと、をさらに含んでよい。
これらの測定は、ノミナルの光近接効果補正に加えて、同様の光近接効果補正であってもよい。
これにより、吸収体および３Ｄ関連アイテムが改善され得る。
パターニングデバイスは、リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域を備えてもよい。この方法は、イメージング領域の第２の辺の一方とパターニングデバイスの隣接エッジとの間の第１の間隔が、第２の辺の他方の間の第２の間隔よりも小さくなるように、走査方向においてパターニングデバイスの中心に対してイメージング領域をシフトすることをさらに備えてもよい。
この方法により、必要とされるサブナノ厚さ精度を維持し、したがって反射率均一性について所望の仕様内に維持しながら、以前可能であったものよりもイメージング領域をパターニングデバイスのエッジに近づけることが可能になり得る。
本発明の実施の形態は、例示のみを目的として、以下の模式的な添付図面を参照しながら説明される。
リソグラフィ装置および放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。 本発明の一実施形態に係る、パターニングデバイスの中心にイメージング領域を有するパターニングデバイスの概略図である。 パターニングデバイスの中心にイメージング領域を有する２つのパターニングデバイスの概略図である。 本発明の一実施形態に係る、パターニングデバイス内でイメージング領域がシフトされた２つのパターニングデバイスの概略図である。
図１は、放射源ＳＯと、リソグラフィ装置ＬＡとを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成し、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するよう構成されるサポート構造ＭＴ、投影システムＰＳ及び基板を支持するよう構成される基板テーブルＷＴを備える。
照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成されている。さらに、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含み得る。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状および所望の強度分布を有するＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、またはその代わりに、他のミラーまたはデバイスを含んでもよい。
このように調整された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成されている。その目的のために、投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用することができ、これにより、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する画像を形成することができる。例えば、４または８の縮小係数が適用され得る。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば、６つまたは８つのミラー）を含んでもよい。
基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含み得る。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成される画像を、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。
相対真空、すなわち大気圧よりかなり低い圧力の少量のガス（例えば水素）が、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、および／または投影システムＰＳ内に提供され得る。
図１に示す放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源とも称される種類のものである。例えばＣＯ２レーザを含むレーザシステム１は、例えば燃料放出器３から供給されるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギーをレーザビーム２を介して蓄積させるよう構成される。 スズが以下の記載にて言及されるが、任意の適切な燃料が用いられてよい。燃料は、例えば液状であってもよく、例えば金属または合金であってもよい。燃料放出器３は、例えば液滴の形態でスズをプラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って案内するノズルを備えてもよい。レーザビーム２はプラズマ形成領域４にてスズに入射する。スズへのレーザエネルギーの蓄積は、プラズマ形成領域４にプラズマ７を形成する。ＥＵＶ放射を含む放射は、電子とプラズマのイオンの脱励起および再結合中に、プラズマ７から放出される。
プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５により収集および集光される。コレクタ５は、例えば、略垂直入射放射コレクタ５（より一般的には垂直入射放射コレクタと呼ばれることもある）を備える。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射させるよう構成される多層ミラー構造を有してもよい。コレクタ５は、二つの焦点を有する楕円体の構造を有してもよい。以下に説明されるように、焦点のうち第１焦点はプラズマ形成領域４に位置してもよく、焦点のうち第２焦点は中間焦点６に位置してもよい。
レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離されてもよい。この場合、レーザビーム２は、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダおよび／または他の光学系を備えるビーム搬送システム（不図示）の助けにより、レーザシステム１から放射源ＳＯに向けて通過してもよい。レーザシステム１、放射源ＳＯおよびビーム搬送システムは、ともに放射システムであるとみなされてもよい。
コレクタ５により反射される放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６で集束され、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６での画像を形成する。中間焦点６における画像は、照明システムＩＬの仮想放射源として機能する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの包囲構造９の開口８またはその近傍に位置するように構成される。
図１は、放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として示しているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源または自由電子レーザ（ＦＥＬ）などの任意の適切な放射源を使用してＥＵＶ放射を生成することができる。
図２は、パターニングデバイスＭＡの中心にイメージング領域２０があるパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスクまたはレチクル）を示している。パターニングデバイスＭＡは、パターン面を下にして示されている。リソグラフィ装置ＬＡは、図示の走査方向（Ｙ方向）、すなわち紙面上で上下にパターニングデバイスＭＡを走査することができる。Ｘ方向は、図に示すようにＹ方向に対して垂直に、つまり紙面上で左右に取られる。
この実施形態では、イメージング領域２０は長方形である。イメージング領域２０は、リソグラフィ装置ＬＡの走査（Ｙ）方向に平行に延びる対向する第１の辺２２と、走査方向に垂直に（すなわち、Ｘ方向に）延びる対向する第２の辺２４とを有する。図２において、第１の辺２２は左側と右側に位置し、第２の辺２４は上側と下側に位置する。第１の辺２２は、第２の辺２４よりも長い。図２の距離基準ＸおよびＹは、露光フィールドサイズＸｍａｘ＝５２ｍｍ、Ｙｍａｘ＝６６ｍｍである。したがって、イメージング領域２０は、１０４×１３２ｍｍ２（Ｘ、Ｙ）となる。イメージング領域２０の周囲にはブラックボーダ２６がある。Ｘ方向では、ブラックボーダ２６は１ｍｍ～４ｍｍの間であり得る。Ｙ方向では、ブラックボーダ２６は１ｍｍ～４ｍｍの間であり得る。他の実施形態では、イメージング領域２０は異なる形状およびサイズであってもよいことが理解されるであろう。
アライメントマーク２８は、第２の辺２４に隣接して配置される。図２では、アライメントマーク２８は、第２の辺２４の隣、すなわち、下方の第２の辺２４の下側および上方の第２の辺２４の上側に示されている。アライメントマーク２８は、走査（Ｙ）方向に第２の辺２４から仮想的に延びるパターニングデバイスＭＡの領域３０（破線で示す）内のブラックボーダ２６の外側に位置する。
この実施形態では、下方の第２の辺２４の隣に３つのアライメントマーク２８が配置され、上方の第２の辺２４の隣に３つのアライメントマーク２８が配置されている。他の実施形態では、異なる数のアライメントマーク（例えば、少なくとも１つの第２の辺２４に隣接するアライメントマークが１つだけ）があってもよいことが理解されるであろう。この実施形態では、３つのアライメントマーク２８のセットが２つあるが、簡潔にするために、以下では単一のアライメントマークおよび第２の辺２４について言及する。しかしながら、このアライメントマークに関して説明した任意の特徴は、残りのアライメントマーク２８にも同様に適用できることが理解されるであろう。
この実施形態では、アライメントマーク２８は、透過型イメージセンサ（ＴＩＳ）アライメントマークである。しかしながら、他の実施形態では、それらは、他のタイプのアライメントマーク、またはより一般的には、他のタイプのセンシングマークであってもよい。例えば、センシングマークは、光学収差測定マークを含んでもよい。「収差」という用語は、完全な球面波面からの波面の逸脱のあらゆる形態を含むものとする。つまり、「収差」という用語は、画像の配置（例えば、２次、３次および４次のゼルニケ係数）、および／または５次以上のＮｏｌｌ指数を有するゼルニケ係数に関連するような高次の収差に関連し得る。
実施形態では、アライメントマーク２８は、イメージング領域２０から１ｍｍ～４ｍｍ（Ｙ方向）離れて位置する（すなわち、ブラックボーダ２６の幅（Ｙ方向））。アライメントマーク２８は、ブラックボーダ２６がパターンを含んでいない限り、ブラックボーダ２６に隣接して（接触して）配置されてもよく、この場合、クワイエット領域要件（quiet area requirement）が尊重されるべきである。より一般的には、アライメントマーク２８は、イメージング領域２０から所定の距離だけ離れて配置されてもよい。他の実施形態では、ブラックボーダはＹ方向に異なる幅、すなわち４ｍｍを超えるか１ｍｍ未満の幅を有してもよいことが理解されるであろう。
重要なことは、アライメントマーク２８は、基板Ｗ上に投影されたときに、アライメントマーク２８が基板Ｗ上のスクライブライン（図示せず）内に収まるように、走査（Ｙ）方向に幅を有することである。
アライメントマーク２８は、Ｘ方向に向きをつけられてもよい（すなわち、最長寸法がＸ方向）。アライメントマーク２８は、２つの微細アライメントマーク（ｘ微細アライメントマークおよびｙ微細アライメントマーク）を含んでもよい。ｘおよびｙ微細アライメントマークは、Ｘ方向に向きをつけられてもよい（すなわち、最長寸法がＸ方向）。アライメントマーク２８は、単一の反射構造であってもよいし、セグメントに分割されていてもよい。アライメントマーク２８は、反射領域と吸収領域を有してもよい。アライメントマーク２８は、５０ミクロンと５００ミクロンとの間のＸ方向の寸法を有してもよい（あるいは、それより大きくても小さくてもよい）。ｘ微細アライメントマークは、ｙ微細アライメントマークのＹ方向の幅より小さいＹ方向の幅を有してもよく、あるいはその逆でもよい。全体として、アライメントマーク２８は、Ｙ方向に２００ミクロン未満の最大幅を有してもよい。また、アライメントマーク２８の全長は、ｘ、ｙ微細アライメントマークのＸ方向の長さと、それらの間のギャップとから構成されてもよい。
実施形態では、アライメントマークの最大幅は、走査（Ｙ）方向において２００ミクロン未満であるため、アライメントマーク２８は、基板Ｗ上のスクライブライン内に収まることができる、すなわちＮＡ＝０．３３の場合、パターニングデバイスＭＡレベルのスクライブラインは、Ｙ方向に２００ミクロンの幅を有する。基板Ｗ上のスクライブラインは、走査（Ｙ）方向に５０ミクロンの幅を有し、すなわち、ＮＡ＝０．３３の場合、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗまでの倍率が１／４倍である。ＮＡ＝０．５５の場合、パターニングデバイスＭＡレベルのスクライブラインは、Ｙ方向に４００ミクロンの幅を有する。したがって、この実施形態では、アライメントマーク２８のＹ方向の最大幅は４００ｎｍ未満であってもよい。基板Ｗ上のスクライブラインは、走査（Ｙ）方向に５０ミクロンの幅を有し、すなわち、ＮＡ＝０．５５の場合、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗまでの倍率が１／８倍である。実施形態では、アライメントマーク２８のＹ方向の幅は、アライメントマーク２８が基板Ｗ上に投影されたときに基板Ｗ上のスクライブライン内に収まるようなサイズに設定され得ることが理解されるであろう。
以前は、アライメントマークは、微細アライメントマークとともに位置する粗アライメントマーク（すなわち、粗いキャプチャフィーチャをサポートする）などの他のアライメントマークを含んでいた。これらの粗アライメントマークでは、アライメントマークのＹ方向の全幅は、パターニングデバイスレベルでのスクライブラインのＹ方向の幅よりも大きい（例えば、２００ミクロンより大きい）可能性がある。アライメントマークは、吸収体のクワイエットゾーン（absorber quiet zone）によって囲まれている可能性がある。
実施形態では、図２に示すように、粗アライメントマーク３２は、パターニングデバイスＭＡのコーナー領域３４（点線で示す）に配置され得る。より具体的には、少なくとも１つの粗アライメントマーク３２は、走査（Ｙ）方向にイメージング領域２０の少なくとも１つの第２の辺２４から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスＭＡの領域３０内にも、走査方向に垂直な方向（すなわち、Ｘ方向）にイメージング領域２０の少なくとも１つの第１の辺２２から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスＭＡの領域３６（破線で示す）内にもないパターニングデバイスＭＡのコーナー領域３４内に配置されてもよい。明確にするために、１つのコーナー領域３４と１つの粗アライメントマーク３２のみが示されているが、粗アライメントマーク３２を有する４つのコーナー領域３４があってもよいことが理解されよう。センサパターンは、コーナーにおいてＸ方向（すなわち最長寸法がＸ方向）に方向づけられた２つのアライメントマークがスループットを最適化するために同時に測定されるように、設計され得る。フィールドが第１の辺２２のブラックボーダ２６から＜１ｍｍしか外側に広がっていないため、Ｙ方向に方向づけられたマーク、すなわち、最長寸法がＹ方向にあるマークのみが必要とされる場合がある。Ｙ方向に方向づけられたこれらのマークは、通常、アライメント用ではなく、レチクル形状補正（ＲＳＣ）用に使われる。
より一般的には、粗アライメントマーク３２は、レチクルマスキングＸブレード（図示せず）でカバー可能な領域に配置されてもよい。レチクルマスキングＸブレードは半固定であってもよい。すなわち、Ｘブレードは、パターニングデバイスＭＡが走査されているときに移動しなくてもよい。原則として、粗アライメントマーク３２は、領域３６内における第１の辺２２上、またはその領域を少し超えたところに配置されてもよい（この領域は依然としてレチクルマスキングＸブレードによってブレードされている可能性があるため）。ただし、実際には、コーナーマーク間のＸ方向の間隔は、平行測定をサポートするために現在のセンサレイアウトによって固定され得るため、新しいレチクル設計でもこれを維持することが望ましい場合がある。
２００ミクロン未満のＹ方向の幅を有するアライメントマーク２８を有し、イメージング領域２０に十分近くに配置される（例えば、Ｙ方向においてイメージング領域２０から約３ｍｍの所定距離離れている）ことは、アライメントマーク２８が基板Ｗ上のスクライブラインと一致することを意味する。これには、アライメントマーク２８が基板Ｗ上の隣接するフィールドと重ならないという利点があり得る。さらに、これには、レチクルマスキングＹブレードによるアライメントマーク２８の被覆を軽減または回避するという利点がある。
以前は、ＴＩＳ構造（例えば、ＴＩＳアライメントマーク）が隣接するフィールドにプリントされるのを避けるために、それらをレチクルマスキングブレードによって完全にシールドする必要があった。これにより、走査レチクルのＹブレードの動的走査トレランスが、リソグラフィ装置ＬＡのイメージング機能にとってクリティカルとなる。増加し続ける光源パラーに伴って走査速度が増加するため、特に高ＮＡリソグラフィ装置ＬＡでは、これがボトルネックになると考えられる。
パターニングデバイスＭＡの非画像領域の反射率を０．５％未満に低減できるとすると（これは、いくつかのブラックボーダプロセスにおける最近の改善を考えると現実的であると考えられる）、実施形態では、レチクルマスキングＹブレードの走査要件を取り除くことができる。これにより、リソグラフィ装置ＬＡのロードマップのスループットのボトルネックが解消され、レチクルマスキングモジュールのコストが削減され得る。
これがＥＵＶの数少ない固有の利点の１つであることに留意されたい。ブラッグ反射器などの特別な構造を形成しない限り、反射率はほとんどすべての材料で本質的に非常に低い。したがって、上記の０．５％未満の要件を満たすことは比較的非常に簡単であり、パターニングデバイスＭＡ上のＴＩＳアライメントマークをシールドすることを除いて、同期走査レチクルマスキングは必要ない場合がある。
パターニングデバイスＭＡは、アライメントマーク２８を使用して位置合わせされ得る。実施形態では、改良として、アライメントされた位置に対するパターニングデバイスＭＡの画像フィールド構造のあらゆる考えられる影響が補正され得る。これは、パターニングデバイスＭＡから最も遠い値を最も正確な値として、Ｙ方向に複数のオフセットを用いてＸＹ整列位置を測定することによって行うことができる。別のオプションは、補正フィードバックまたは他のオーバーレイプロセス制御スキームを使用して、残留パターニングデバイスＭＡアライメントオフセットを除去することであってもよい。さらなるオプションは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に少なくとも１つの基準アライメントマーク（クワイエット領域を含む）を含めることであってもよい。より具体的には、コーナー領域３４のうちの１つ以上において、である。
先に、いわゆるレチクル形状補正（ＲＳＣ）マークが、パターニングデバイスの左側および右側（および下部および上部）（すなわち、４辺のそれぞれ）に配置されてもよい。ただし、ＲＳＣマークはリソグラフィ装置の主要な機能ではなく、実際には必要ない場合がある。また、これらのＲＳＣマークは、左側／右側のＲＳＣマークのみに限定されてもよい。すなわち、実施形態では、パターニングデバイスＭＡは、イメージング領域２０の第１の辺２２の１つ以上にのみ隣接するレチクル形状補正マーク（図示せず）を備え得る。すなわち、Ｘ方向にイメージング領域２０の第１の辺２２から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスＭＡの領域３６内のみである。レチクル形状補正マークは、イメージング領域２０の第２の辺２４に隣接していなくてもよい。すなわち、Ｙ方向に第２の辺２４から離れて仮想的に延在するパターニングデバイスＭＡの領域３０内ではない。他の実施形態では、図２に示すように、パターニングデバイスＭＡはレチクル形状補正マークを備えなくてもよい。
ＲＳＣマークがイメージング領域２０の第１の辺２２の１つ以上にのみ隣接するか、またはパターニングデバイスＭＡ上にまったく存在しないことは、それらは、隣接するフィールドに印刷されないか、または、レチクルマスキングＹブレードによってシールドする必要がないことを意味する。
図２のパターニングデバイスＭＡは、開口数（ＮＡ）＝０．３３の場合、全フィールドに対応する。しかし、ＮＡ＝０．５５の場合、これは半フィールドのみに相当し、設計の柔軟性が制限され、リソグラフィ装置ＬＡの実効スループットに影響を与える（ステッピングとターンアラウンドにより多くの時間が必要となる）。
ＮＡ＝０．５５の場合、拡張されたクランプ上で２つのパターニングデバイスＭＡを使用することによって、この全体損失を軽減することが提案される。しかしながら、これには後述するような問題が生じる可能性がある。
イメージング領域の第２の辺からパターニングデバイスの隣接するエッジまでの距離は、Ｙ方向に１０ｍｍである（すなわち、１ｍｍ～４ｍｍのブラックボーダと他の６ｍｍ～９ｍｍであり、アライメントマークはこの６ｍｍ～９ｍｍの距離、例えば７ｍｍの距離の部分に配置され得る）。したがって、Ｙ方向に沿って、パターニングデバイスは、エッジ／ＴＩＳ（６ｍｍ～９ｍｍ）－ブラックボーダ（１ｍｍ～４ｍｍ）－イメージング領域（１３２ｍｍ）－エッジ／ＴＩＳ（６ｍｍ～９ｍｍ）を有し得る。したがって、Ｙ方向に合計１５２ｍｍとなる。
図３に示すように、両方のパターニングデバイス上のイメージング領域の周囲のＹ方向のボーダが１０ｍｍであり、倍率が１／８倍であることを考えると、これは、パターニングデバイス（マスク）が接触している場合でも、基板Ｗレベルでこれら２つのフィールドの間に（通常の約～５０μｍのスクライブラインとは対照的に）２．５ｍｍのギャップがあることを意味する。２．５ｍｍののギャップは、イメージング領域の第２の辺からパターニングデバイスの隣接エッジまでの距離の２倍（つまり、２＊１０ｍｍ＝２０ｍｍ）に倍率１／８倍を掛けたものである（２０／８＝２．５ｍｍ）。これにより、有効ウェハ（基板）領域が～８％減少する（２．５ｍｍ／３３ｍｍ＝７．６％）。これは、コーティング、現像、エッチング、堆積など、ウェハスタックにおけるすべての並行プロセスのネットコストが増加するため、望ましくない。
この大きなボーダの理由は、実際には、多層および吸収体コーティングプロセスを必要とされるサブナノメートルの厚さの精度でレチクルの物理的エッジまで拡張することができず、そのため、高品質イメージング領域は、反射率の均一性に関する厳しい仕様を確保するために、レチクルの物理的なエッジに対して十分なマージンを維持する必要があるからである。
別の問題は、これらの大きなマージンがあっても、レチクル全体で多層膜と吸収体層の両方に変動があり、局所的な反射率の変動につながり、ひいてはＣＤ（臨界寸法）の変動（局所的と全体的の両方）の増加につながることである。
実施形態では、吸収体の堆積前のパターニングデバイスブランクの高解像度反射率測定を使用して、局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャに補正を適用する。これらの測定は、ノミナルの光近接効果補正に加えて、光近接効果補正と同様であってもよい。これにより、反射率と中心波長（ＥＵＶの場合は１３．５ｎｍ）関連アイテムが改善され得る。
さらに、実施形態では、パターニングデバイス上に吸収体を堆積した後、高解像度の反射率またはエリプソメトリ測定を使用して、局所的な吸収体の厚さの変動を決定し、これらの測定値を使用して、局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャに補正を適用する。これらの測定は、ノミナルの光近接効果補正に加えて、同様の光近接効果補正であってもよい。これにより、吸収体および３Ｄ関連アイテムが改善され得る。
これらの方法により、必要とされるサブナノメートルの厚さ精度を維持し、したがって反射率の均一性について望ましい仕様内に維持しながら、以前は可能であったものよりも、イメージング領域をパターニングデバイスのエッジに近づけることが可能になる（レチクルの物理的なエッジに近づくにつれて、コーティングの変動がますます大きくなる）。
図４は、走査（Ｙ）方向に別のパターニングデバイスＭＡに隣接するパターニングデバイスＭＡの実施形態を示す。
パターニングデバイスＭＡは、リソグラフィ装置ＬＡの走査（Ｙ）方向に平行に延びる対向する第１の辺２２Ａと、走査（Ｘ）方向に垂直に延びる対向する第２の辺２４Ａ、２４Ｂとを有するイメージング領域２０Ａを含む。実施形態では、両方のパターニングデバイスＭＡについて、イメージング領域２０Ａは、イメージング領域２０Ａの第２の辺２４ＡとパターニングデバイスＭＡの隣接エッジ３８Ａとの間の第１の間隔が、イメージング領域２０Ａの他方の第２の辺２４ＢとパターニングデバイスＭＡの対向する隣接エッジ３８Ｂとの間の第２の間隔よりも小さくなるように、パターニングデバイス中心に対して走査（Ｙ）方向にシフトされる。この実施形態では、第１の間隔は両方とも～５ｍｍである。
図からわかるように、パターニングデバイスＭＡの隣接エッジ３８Ａは、２つのそれぞれのイメージング領域２０Ａの間の距離が、それぞれのパターニングデバイスＭＡの第１の間隔を足したものと等しくなるように、互いに接触している。この実施形態では、第１の間隔は両方とも～５ｍｍであり、したがって、隣接するパターニングデバイスＭＡの２つのそれぞれのイメージング領域２０Ａの間の距離は～１０ｍｍである。他の実施形態では、それぞれのイメージング領域２０Ａの間の距離は、～１０ｍｍとは異なってもよく、例えば１０ｍｍ未満であってもよいことが理解されるであろう。好ましくは、第１の間隔はできるだけ小さくすべきである。したがって、０．４ｍｍの第１の間隔がターゲットとなり得る。実際には、レジストコーティングにおけるスペーシング、レチクルのベベル（bevel）、およびエッジ効果を考慮して、第１の間隔は５ｍｍ～１０ｍｍの間にしてもよい。しかし、これらはすべて将来的には改善される可能性がある。
図４の（拡張レチクルステージ上の）２つのパターニングデバイスＭＡは、図３の２つのパターニングデバイスの２つのフィールド間のギャップよりも小さい、２つのフィールド（イメージング領域２０Ａ）間のギャップを有する。例えば、１２ｍｍ－３ｍｍ－１３２ｍｍ－３ｍｍ－２ｍｍ（エッジ／ＴＩＳ－ブラックボーダ－イメージング－ブラックボーダ－エッジ／ＴＩＳ）の２つのレチクルでは、基板Ｗ上のイメージ間のギャップはわずか１．２５ｍｍまたは＜４％の領域損失になる。１．２５ｍｍのギャップは、２＊５ｍｍ＝１０ｍｍに倍率１／８を掛けた値（１０／８＝１．２５ｍｍ）である。これにより、有効ウェハ（基板）領域が約～３～４％（１．２５ｍｍ／３３ｍｍ＝３．８％）減少する。
２ｍｍは、透過型画像センサ（ＴＩＳ）（反射率や吸収体の変動にも敏感ではない）にとって十分なスペースであり、ＴＩＳは重複考慮の影響を受けない（一度に１枚のレチクルを測定し、レチクルマスキングモジュールによってブレード処理されるため）ことに留意すべきである。また、３ｍｍのブラックボーダが維持される限り、レチクルマスキングブレード機能に変更はない。
図４の２つのパターニングデバイスＭＡはまた、ＮＡ＝０．５５のリソグラフィ装置ＬＡ（３３×２６ｍｍ）上でクラシカルな全フィールドのエミュレーションを可能にし、これにより、他のリソグラフィ装置ＬＡとのフルスループットの互換性が生まれ、ウェハスタック全体の全体的なコストが削減される。これにより、中央に～１ｍｍのスペースを確保するために、基板Ｗ上の半フィールドの両方に～０．５×２６ｍｍ２が使われる。
利点は、開口数（ＮＡ）＝０．５５を有するリソグラフィ装置ＬＡの場合、基板Ｗ上に全フィールド視野を結像できると同時に、
パターニングデバイスの中心にイメージング領域を有するパターニングデバイスと比較した場合、基板Ｗ上に結像されるイメージング領域２０Ａの損失％を低減できることである。
局所的および全体的なクリティカルディメンジョン均一性の改善、およびエッジ配置エラーの改善もあり得る。リソグラフィ装置ＬＡについては、基板領域カバレッジが～４％改善され、および／またはスループットが向上し得る。
本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及されているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることを理解されたい。その他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が挙げられる。
本明細書では、リソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態を具体的に参照することができるが、本発明の実施形態は他の装置でも使用することができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、あるいはウェハ（または他の基板）またはマスク（または他のパターニングデバイス）などの物体を測定または処理する任意の装置の一部を形成することができる。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用する場合がある。
上記では、光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について具体的に言及してきたが、文脈が許す限り、本発明は光リソグラフィに限定されず、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途にも使用できることが理解されるであろう。
状況が許せば、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組み合わせで実装することができる。本発明の実施形態は、機械可読媒体に格納された命令として実装することもでき、この命令は、１つまたは複数のプロセッサによって読み取られて実行され得る。機械読み取り可能な媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形式で情報を保存または送信するための任意の機構を含み得る。たとえば、機械可読媒体には読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光学記憶メディア、フラッシュメモリデバイス、電気、光学、音響、またはその他の形式の伝播信号（搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などが含まれ得る。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、本明細書では特定の動作を実行するものとして説明される場合がある。ただし、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのような動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスから生じ、その際にアクチュエータまたは他のデバイスが物理世界と相互作用し得ることを理解されたい。
本発明の特定の実施の形態を上述してきたが、本発明は記載と異なる態様で実施されてもよいことが理解されよう。上述の記載は例示を意図しており、限定を意図していない。したがって、当業者であれば、以下に記述される請求項の範囲を逸脱しない範囲で、上述した発明に対する変形がなされてもよいことが理解されよう。
項（clauses）
１．パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスであって、
前記リソグラフィ装置の走査方向に平行に延在する対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延在する対向する第２の辺とを有するイメージング領域と、
前記イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺に隣接して配置される少なくとも１つのセンシングマークと、を備え、
前記少なくとも１つのセンシングマークは、前記イメージング領域の前記少なくとも１つの第２の辺から前記走査方向に所定の距離だけ離れて位置し、前記基板上に投影されたときに前記少なくとも１つのセンシングマークが前記基板上のスクライブライン内に収まるように、前記走査方向に幅が延在している、パターニングデバイス。
２．前記走査方向における前記所定の距離は、前記イメージング領域に隣接するブラックボーダの前記走査方向における幅および実質的に３ｍｍのうちの少なくとも１つである、項１に記載のパターニングデバイス。
３．前記センシングマークの前記走査方向の幅は、２００ミクロン未満および４００ミクロン未満のうちの少なくとも１つである、項１または２に記載のパターニングデバイス。
４．前記センシングマークはアライメントマークを含む、項１から３のいずれかに記載のパターニングデバイス。
５．前記アライメントマークは、透過型イメージセンサ、ＴＩＳ、アライメントマークを含む、項４に記載のパターニングデバイス。
６．前記アライメントマークは、ｙおよびｘ微細アライメントマークを含む、項４または５に記載のパターニングデバイス。
７．前記アライメントマークは、少なくとも１つの粗アライメントマークを備え、前記少なくとも１つの粗アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置される、項４から６のいずれかに記載のパターニングデバイス。
８．少なくとも１つの基準アライメントマークをさらに備え、前記少なくとも１つの基準アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置される、項４から７のいずれかに記載のパターニングデバイス。
９．パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置であって、放射ビームを調整するように構成された照明システムを備え、前記照明システムは、前記放射ビームを前記パターニングデバイス上に投影するように構成され、項１から８のいずれかに記載のパターニングデバイスを備えるリソグラフィ装置。
１０．少なくとも１つのセンシングマークが基板上のスクライブライン内に収まるように、項１から８に記載のパターニングデバイス上の少なくとも１つのセンシングマークを基板上に投影する方法。
１１．前記センシングマークはアライメントマークを含み、前記アライメントマークを使用して前記パターニングデバイスを基板と位置合わせすることを含む、項１０に記載の方法。
１２．前記パターニングデバイスから最も遠い値を最も正確な値として、Ｙ方向に複数のオフセットを用いてＸＹ整列位置を測定することをさらに含む、項１１に記載の方法。
１３．補正フィードバックまたは他のオーバーレイプロセス制御スキームを使用して、残留パターニングデバイスアライメントオフセットを除去することをさらに含む、項１１または１２に記載の方法。
１４．パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスであって、
前記リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、前記走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域を備え、
前記イメージング領域は、前記イメージング領域の前記第２の辺の一方と前記パターニングデバイスの隣接エッジとの間の第１の間隔が、前記イメージング領域の前記第２の辺の他方と前記パターニングデバイスの対向する隣接エッジとの間の第２の間隔よりも小さくなるように、前記走査方向においてパターニングデバイス中心に対してシフトされる、パターニングデバイス。
１５．前記第１の間隔は、０．４ｍｍ～１０ｍｍの範囲内、および５ｍｍ～１０ｍｍの範囲内のうちの少なくとも１つである、項１４に記載のパターニングデバイス。
１６．前記第１の間隔は、約５ｍｍである、項１５に記載のパターニングデバイス。
１７．前記パターニングデバイスは、前記走査方向に別のパターニングデバイスに隣接して配置され、前記パターニングデバイスの隣接エッジは、２つのそれぞれのイメージング領域の間の距離が、それぞれのパターニングデバイスの前記第１の間隔を合計したものに等しくなるように、互いに接触している、項１４から１６のいずれかに記載のパターニングデバイス。
１８．吸収体の堆積前にパターニングデバイスブランクの高解像度反射率測定を使用して、局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度フィーチャに補正を適用する方法。
１９．前記パターニングデバイス上への吸収体の堆積後、高解像度反射率またはエリプソメトリ測定を使用して局所的な吸収体の厚さの変動を決定することと、これらの測定を使用して局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャに補正を適用することと、をさらに含む、項１８に記載の方法。
２０．前記パターニングデバイスは、リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域を備え、前記イメージング領域の前記第２の辺の一方と前記パターニングデバイスの隣接エッジとの間の第１の間隔が、前記第２の辺の他方の間の第２の間隔よりも小さくなるように、前記走査方向においてパターニングデバイス中心に対して前記イメージング領域をシフトすることをさらに含む、項１８または１９に記載の方法。

Claims (15)

  1. パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスであって、
    前記リソグラフィ装置の走査方向に平行に延在する対向する第１の辺と、走査方向に垂直に延在する対向する第２の辺とを有するイメージング領域と、
    前記イメージング領域の少なくとも１つの第２の辺に隣接して配置される少なくとも１つのセンシングマークと、を備え、
    前記少なくとも１つのセンシングマークは、前記イメージング領域の前記少なくとも１つの第２の辺から前記走査方向に所定の距離だけ離れて位置し、前記基板上に投影されたときに前記少なくとも１つのセンシングマークが前記基板上のスクライブライン内に収まるように、前記走査方向に幅が延在している、パターニングデバイス。
  2. 前記走査方向における前記所定の距離は、前記イメージング領域に隣接するブラックボーダの前記走査方向における幅および実質的に３ｍｍのうちの少なくとも１つである、請求項１に記載のパターニングデバイス。
  3. 前記センシングマークの前記走査方向の幅は、２００ミクロン未満および４００ミクロン未満のうちの少なくとも１つである、請求項１または２に記載のパターニングデバイス。
  4. 前記センシングマークはアライメントマークを含む、請求項１から３のいずれかに記載のパターニングデバイス。
  5. 前記アライメントマークは、透過型イメージセンサ、ＴＩＳ、アライメントマークを含む、請求項４に記載のパターニングデバイス。
  6. 前記アライメントマークは、ｙおよびｘ微細アライメントマークを含む、請求項４または５に記載のパターニングデバイス。
  7. 前記アライメントマークは、少なくとも１つの粗アライメントマークを備え、前記少なくとも１つの粗アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置される、請求項４から６のいずれかに記載のパターニングデバイス。
  8. 少なくとも１つの基準アライメントマークをさらに備え、前記少なくとも１つの基準アライメントマークは、レチクルマスキングＸブレードでカバー可能な領域に配置される、請求項４から７のいずれかに記載のパターニングデバイス。
  9. パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置であって、放射ビームを調整するように構成された照明システムを備え、前記照明システムは、前記放射ビームを前記パターニングデバイス上に投影するように構成され、請求項１から８のいずれかに記載のパターニングデバイスを備えるリソグラフィ装置。
  10. 少なくとも１つのセンシングマークが基板上のスクライブライン内に収まるように、請求項１から８のいずれかに記載のパターニングデバイス上の少なくとも１つのセンシングマークを基板上に投影する方法。
  11. パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置用のパターニングデバイスであって、
    前記リソグラフィ装置の走査方向に平行に延びる対向する第１の辺と、前記走査方向に垂直に延びる対向する第２の辺とを有するイメージング領域を備え、
    前記イメージング領域は、前記イメージング領域の前記第２の辺の一方と前記パターニングデバイスの隣接エッジとの間の第１の間隔が、前記イメージング領域の前記第２の辺の他方と前記パターニングデバイスの対向する隣接エッジとの間の第２の間隔よりも小さくなるように、前記走査方向においてパターニングデバイス中心に対してシフトされる、パターニングデバイス。
  12. 前記第１の間隔は、０．４ｍｍ～１０ｍｍの範囲内、および５ｍｍ～１０ｍｍの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載のパターニングデバイス。
  13. 前記第１の間隔は約５ｍｍである、請求項１２に記載のパターニングデバイス。
  14. 前記パターニングデバイスは、前記走査方向に別のパターニングデバイスに隣接して配置され、前記パターニングデバイスの隣接エッジは、２つのそれぞれのイメージング領域の間の距離が、それぞれのパターニングデバイスの前記第１の間隔を合計したものに等しくなるように、互いに接触している、請求項１１から１３のいずれかに記載のパターニングデバイス。
  15. 吸収体の堆積前にパターニングデバイスブランクの高解像度反射率測定を使用して、局所的な線幅および／または光近接効果補正フィーチャおよび／またはサブ解像度フィーチャに補正を適用する方法。
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