KR20230163441A - 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스 및 방법 - Google Patents

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KR20230163441A
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드 커크호프 마르쿠스 아드리아누스 반
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스가 개시되며, 패터닝 디바이스는 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역; 및 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면에 인접하게 위치된 적어도 하나의 감지 마크를 포함하며; 여기서 적어도 하나의 감지 마크는 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면으로부터 멀리 스캐닝 방향으로 사전 결정된 거리를 두고 위치되고 또한 적어도 하나의 감지 마크는 기판 상으로 투영될 때 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 스캐닝 방향으로 폭을 연장한다.

Description

리소그래피 장치용 패터닝 디바이스 및 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2021년 4월 1일에 출원되고 원용에 의해 전체적으로 본 명세서에 포함된 EP 출원 21166726.6의 우선권을 주장한다.
본 발명은 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스, 특히 감지 마크를 포함하는 패터닝 디바이스 및 그 작동 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로 적용시키도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)에 있는 패턴을 기판 상에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층 상으로 투영시킬 수 있다.
패턴을 기판 상에 투영시키기 위해 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 이용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판에 형성될 수 있는 피처의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20㎚ 범위 내의, 예를 들어 6.7㎚ 또는 13.5㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피처를 기판 상에 형성하기 위하여 사용될 수 있다.
EUV 레티클의 이미징 영역은 중앙을 중심으로 104×132㎟ (스캐닝 방향에 X-수직, Y-스캐닝 방향)일 수 있다. 그 주위에 X에 2mm, 그리고 Y에 3㎜의 블랙보더(blackborder)가 있을 수 있다.
레티클 정렬 마크를 위한 영역은 X 방향과 평행한 이미지 필드의 대향 측면들에 마련되며, Y 방향과 평행한 이미지 필드의 대향 측면들에 소위 레티클 형상 보정(RSC) 마크를 위한 추가 영역 또한 마련된다.
NA(개구수)=0.33에 대해, 이는 전체 필드(full-field)에 대응하지만; NA=0.55에 대해 이는 반분 필드(half-field)에만 대응하며, 이는 고객의 설계 유연성을 제한하고 리소그래피 장치의 유효 처리량에 영향을 미친다 (스테핑(stepping) 및 턴어라운드(turn around)에 더 많은 시간이 필요하다).
종래 기술과 연관된 하나 이상의 문제점을 극복 또는 완화하는 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스가 제공되며, 패터닝 디바이스는 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역; 및 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면에 인접하게 위치된 적어도 하나의 감지 마크를 포함하며; 여기서 적어도 하나의 감지 마크는 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면으로부터 멀리 스캐닝 방향으로 사전 결정된 거리를 두고 위치되고, 또한 적어도 하나의 감지 마크가 기판 상으로 투영될 때 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 스캐닝 방향으로 폭을 연장한다.
이는 감지 마크가 기판 상의 인접한 필드와 중첩되지 않을 수 있다는 이점을 가질 수 있다. 더욱이, 이는 레티클 마스킹 Y-블레이드에 의한 감지 마크의 덮임을 줄이거나 방지하는 이점을 가질 수 있다. 이는 레티클 마스킹 Y-블레이드에 대한 스캐닝 요구 사항이 제거되는 것을 허용할 수 있다. 이는 리소그래피 장치(LA) 로드맵(roadmap)의 처리량에 대한 병목 현상을 제거할 수 있으며 레티클 마스킹 모듈에 대한 비용을 절감할 수 있다.
이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면에 인접한다는 것은 스캐닝 방향으로 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면으로부터 가상적으로 멀리 연장되는 패터닝 디바이스의 영역 내에 위치되는 것으로 간주될 수 있다.
감지 마크는 센서에 의해 측정 가능하도록 기판에 투영되는 패터닝 디바이스 상의 (수동) 반사 구조체인 것으로 간주될 수 있다. (능동) 센서는 기판 레벨에 위치된다.
스캐닝 방향으로의 사전 결정된 거리는 이미징 영역에 인접한 블랙보더의 스캐닝 방향으로의 폭과 실질적으로 3㎜ 중 적어도 하나일 수 있다.
감지 마크의 스캐닝 방향으로의 폭은 200 미크론 미만과 400 미크론 미만 중 적어도 하나일 수 있다.
감지 마크는 블랙보더에 의하여 이미징 영역과 분리될 수 있다. 스캐닝 방향의 블랙보더 폭은 3㎜일 수 있다. 블랙보더가 패턴을 포함하지 않는 한, 이 경우 여백 영역(quiet area) 요구 사항은 준수되어야 한다.
스크라이브 라인은, 예를 들어 NA=0.33에 대해 패터닝 디바이스 레벨에서 스캐닝 방향으로 200 미크론의 폭을 가질 수 있다. 따라서 NA=0.33에 대해 감지 마크의 스캐닝 방향으로의 폭은 200 미크론 미만일 수 있다.
NA=0.33에 대해 패터닝 디바이스에서 기판까지의 배율은 Y에서 1/4x일 수 있다.
스크라이브 라인은 기판 레벨에서 50 미크론의 폭을 가질 수 있다.
스크라이브 라인은 패터닝 디바이스 레벨에서 스캐닝 방향으로, 즉 예를 들어 NA=0.55에 대해 400 미크론의 폭을 가질 수 있다. 따라서, NA=0.55에 대해 감지 마크의 스캐닝 방향으로의 폭은 400 미크론 미만일 수 있다.
NA=0.55에 대해 패터닝 디바이스에서 기판까지의 배율은 Y에서 1/8x일 수 있다.
감지 마크는 정렬 마크를 포함할 수 있다.
감지 마크는 광학 수차 측정 마크를 포함할 수 있다.
정렬 마크는 투과 이미지 센서(TIS) 정렬 마크를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스는 이미징 영역의 제1 측면들 중 하나 이상에만 인접한 레티클 형상 보정 마크를 포함할 수 있다. 즉, 레티클 형상 보정 마크는 이미징 영역의 제2 측면에 인접하지 않을 수 있다.
패터닝 디바이스는 레티클 형상 보정 마크를 포함하지 않을 수 있다.
정렬 마크는 y 미세-정렬 마크 및 x 미세-정렬 마크를 포함할 수 있다.
y 미세 정렬 마크는 스캐닝 Y 방향의 정렬 벡터를 측정한다. y 미세 정렬 마크는 X 방향으로 배향될 수 있으며, 즉 가장 긴 치수는 X 방향이다.
x 미세 정렬 마크는 스캐닝 Y 방향의 정렬 벡터를 측정한다. y 미세 정렬 마크는 X 방향으로 배향될 수 있으며, 즉 가장 긴 치수는 X 방향이다.
정렬 마크는 적어도 하나의 개략 정렬 마크를 포함할 수 있으며, 여기서 적어도 하나의 개략 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치될 수 있다.
적어도 하나의 개략 정렬 마크는 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면으로부터 멀리 스캐닝 방향으로 가상적으로 연장되는 패터닝 디바이스의 영역 또는 이미징 영역의 적어도 하나의 제1 측면으로부터 멀리 스캐닝 방향에 수직인 방향으로 가상적으로 연장되는 패터닝 디바이스의 영역 내에도 있지 않은 패터닝 디바이스의 영역, 즉 패터닝 디바이스의 코너 영역 내에 위치될 수 있다.
레티클 마스킹 X-블레이드는 반고정식일 수 있다. 즉, 패터닝 디바이스가 스캔되고 있을 때 X-블레이드는 이동할 수 없다.
패터닝 디바이스는 적어도 하나의 기준 정렬 마크를 더 포함할 수 있으며, 여기서 적어도 하나의 기준 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치될 수 있다.
이는 정렬된 위치에 미치는 패터닝 디바이스 이미지 필드 구조의 임의의 가능한 영향의 교정을 허용하는 이점을 가질 수 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치가 제공되며, 여기서 리소그래피 장치는 방사선 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템을 포함하고, 조명 시스템은 방사선 빔을 패터닝 디바이스 상으로 투영시키도록 구성되며, 리소그래피 장치는 청구항들 중 어느 하나의 패터닝 디바이스를 포함한다.
방사선은 EUV 방사선일 수 있으며, 리소그래피 장치는 EUV 리소그래피 장치일 수 있다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 적어도 하나의 감지 마크가 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 위에서 설명된 바와 같은 패터닝 디바이스 상의 적어도 하나의 감지 마크를 기판 상으로 투영시키는 방법이 제공된다.
감지 마크는 정렬 마크를 포함할 수 있다. 본 방법은 정렬 마크를 사용하여 패터닝 디바이스를 기판과 정렬하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 방법은 Y의 복수의 오프셋으로 XY-정렬된 위치를 측정하는 것을 더 포함할 수 있으며 가장 정확한 값은 패터닝 디바이스로부터 가장 멀리 있는 것이다.
본 방법은 최상의 정렬 값을 결정하기 위해 플레어 모델(flare model)로 향상될 수 있다.
본 방법은 임의의 잔류 패터닝 디바이스 정렬 오프셋을 제거하기 위해 보정 피드백 또는 다른 오버레이 공정 제어 스킴을 이용하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제4 양태에 따르면, 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스가 제공되며, 패터닝 디바이스는 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역을 포함하며; 여기서 이미징 영역의 제2 측면들 중 하나와 패터닝 디바이스의 인접 에지 사이의 제1 간격이 이미징 영역의 제2 측면들 중 다른 하나와 패터닝 디바이스의 대향하는 인접 에지 사이의 제2 간격보다 작도록 이미징 영역은 패터닝 디바이스 중심에 대해 스캐닝 방향으로 시프트된다.
제1 간격은 0.4㎜ 내지 10㎜ 범위 내와 5 내지 10㎜의 범위 중 적어도 하나일 수 있다.
제1 간격은 약 5㎜일 수 있다.
패터닝 디바이스는 스캐닝 방향으로 또 다른 패터닝 디바이스에 인접하게 위치될 수 있으며, 2개의 각각의 이미징 영역들 사이의 거리가 함께 추가된 각각의 패터닝 디바이스들의 제1 간격과 동일하도록 패터닝 디바이스들의 인접 에지들은 서로 접촉 상태에 있다.
이는 개구수(NA)=0.55를 갖는 리소그래피 장치(LA)에 대해 전체 필드가 기판 상으로 이미지화되는 것을 가능하게 하는 반면, 중심이 패터닝 디바이스에 있는 이미징 영역을 갖는 패터닝 디바이스와 비교할 때 기판에 이미지화된 이미징 영역의 % 손실을 줄이는 이점을 가질 수 있다.
본 발명의 제5 양태에 따르면, 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위해 흡수재의 증착 전에 패터닝 디바이스 블랭크의 고 분해능 반사율 측정을 이용한 방법이 제공된다.
이 측정은 공칭 광학 근접 보정에 더하여 유사 광학 근접 보정일 수 있다.
이는 반사율 및 중심 파장 관련 항목을 향상시킬 수 있다.
본 방법은 패터닝 디바이스 상에서의 흡수재 증착 후에, 국부적인 흡수재 두께 변화를 결정하기 위해 고 분해능 반사율 또는 엘립소메트리(ellipsometry) 측정을 이용하는 것, 및 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위해 이 측정을 이용하는 것을 더 포함할 수 있다.
이 측정은 공칭 광학 근접 보정에 더하여 유사 광학 근접 보정일 수 있다. 이는 흡수재 및 3D 관련 항목을 향상시킬 수 있다.
패터닝 디바이스는 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역을 포함할 수 있다. 본 방법은 이미징 영역의 제2 측면들 중 하나와 패터닝 디바이스의 인접 에지 간의 제1 간격이 제2 측면들 중 다른 하나 사이의 제2 간격보다 작도록 스캐닝 방향으로 패터닝 디바이스 중심에 대해 이미징 영역을 시프트시키는 것을 더 포함할 수 있다.
본 방법은 요구되는 ㎚ 미만의 두께 정확도를 유지하면서 따라서 반사율 균일성을 위해 원하는 사양 내에서 유지하는 것이 이전에 가능했던 것보다 이미징 영역이 패터닝 디바이스의 에지에 더 가깝게 시프트되는 것을 허용할 수 있다.
이제 본 발명의 실시예가 첨부된 개략도를 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 리소그래피 장치와 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 패터닝 디바이스에 중심이 있는 이미징 영역을 갖는 패터닝 디바이스의 개략도를 도시하고 있다.
도 3은 패터닝 디바이스에 중심이 있는 이미징 영역을 갖는 2개의 패터닝 디바이스의 개략도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 패터닝 디바이스에서 시프트된 이미징 영역을 갖는 2개의 패터닝 디바이스의 개략도를 도시하고 있다.
도 1은 방사선 소스(SO)와 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 보여주고 있다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하도록 그리고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA) (예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사하기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 조절하도록 구성된다. 이에 대하여, 조명 시스템(IL)은 패싯형(facetted) 필드 미러 디바이스(10)와 패싯형 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯형 필드 미러 디바이스(10)와 패싯형 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 횡단면 형상 및 원하는 세기 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯형 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯형 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
이렇게 조절된 후에, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이 상호작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상에 투영시키도록 구성된다. 이 목적을 위하여, 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판 테이블(WT)에 의하여 유지되는 기판(W) 상으로 투영시키도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 감소 지수를 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 적용할 수 있으며, 따라서 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 더 작은 피처를 갖는 이미지를 형성한다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 지수가 적용될 수 있다. 도 1에서 투영 시스템(PS)이 2개의 미러(13, 14)만을 갖고 있는 것으로 도시되어 있으나, 투영 시스템(PS)은 상이한 개수의 미러 (예를 들어 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.
기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우에, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성되는 이미지를 기판(W)에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다.
상대적인 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 적은 양의 가스 (예를 들어 수소)가 방사선 소스(SO)에, 조명 시스템(IL)에, 및/또는 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.
도 1에서 보여지는 방사선 소스(SO)는, 예를 들어 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로서 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어 CO2 레이저를 포함할 수 있는 레이저 시스템(1)은 레이저 빔(2)을 통해, 예를 들어 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료로 에너지를 축적하도록 배열된다. 다음 설명에서 주석이 언급되고 있지만, 임의의 적합한 연료가 사용될 수 있다. 연료는, 예를 들어 액체 형태일 수 있으며, 또한 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는, 예를 들어 액적의 형태의 주석을 궤적을 따라 플라즈마 형성 영역(4)으로 향하게 하도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사한다. 주석으로의 레이저 에너지의 축적(deposition)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석 플라즈마(7)를 생성한다. 플라즈마의 이온과의 전자의 탈여기(de-excitation) 및 재결합 동안에 EUV 방사선을 포함하는 방사선이 플라즈마(7)로부터 방출된다.
플라즈마로부터의 EUV 방사선은 콜렉터(5)에 의하여 수집되고 집속된다. 콜렉터(5)는, 예를 들어 근수직 입사 방사선 콜렉터(5) (때로는 더 일반적으로 수직 입사 방사선 콜렉터로 지칭됨)를 포함한다. 콜렉터(5)는 EUV 방사선 (예를 들어 13.5㎚와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사시키도록 배열되는 다층 미러 구조를 가질 수 있다. 콜렉터(5)는 2개의 초점을 갖는 타원 구성을 가질 수 있다. 아래에서 논의되는 바와 같이, 초점들 중 제1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있으며, 초점들 중 제2 초점은 중간 초점(6)에 있을 수 있다.
레이저 시스템(1)은 방사선 소스(SO)로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 이 경우, 레이저 빔(2)은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 익스팬더(beam expander) 및/또는 다른 광학계를 포함하는 빔 전달 시스템 (보이지 않음)의 도움으로, 레이저 시스템(1)으로부터 방사선 소스(SO)로 나아갈 수 있다. 레이저 시스템(1), 방사선 소스(SO), 및 빔 전달 시스템은 함께 방사선 시스템인 것으로 간주될 수 있다.
콜렉터(5)에 의해 반사된 방사선은 EUV 방사선 빔(B)을 형성한다. EUV 방사선 빔(B)은 중간 초점(6)에서 집속되어 플라즈마 형성 영역(4)에 존재하는 플라즈마의 중간 초점(6)에서 이미지를 형성한다. 중간 초점(6)에서의 이미지는 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사선 소스로서의 역할을 한다. 방사선 소스(SO)는 중간 초점(6)이 방사선 소스(SO)의 외함 구조체(9)의 개구(8)에 또는 이에 가깝게 위치되도록 배열된다.
도 1은 방사선 소스(SO)를 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로서 도시하고 있지만, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스 또는 자유 전자 레이저(FEL)와 같은 임의의 적합한 소스가 EUV 방사선을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
도 2는 중심이 패터닝 디바이스(MA)에 있는 이미징 영역(20)을 갖는 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 보여주고 있다. 패턴 측이 아래에 있는 패터닝 디바이스(MA)가 보여지고 있다. 리소그래피 장치(LA)는 보여지는 바와 같이 스캐닝 방향(Y 방향)으로, 즉 도면에서 위에서 아래로 패터닝 디바이스(MA)를 스캔할 수 있다. X 방향은 보여지는 바와 같이 Y 방향에 수직으로, 즉 도면에서 좌우로 취해질 수 있다.
이 실시예에서, 이미징 영역(20)은 직사각형이다. 이미징 영역(20)은 리소그래피 장치(LA)의 스캐닝(Y) 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면(22)들 및 스캐닝 방향에 수직으로 (즉, X 방향으로) 연장되는 대향하는 제2 측면(24)들을 갖는다. 도 2에서, 제1 측면(22)들은 좌측과 우측에 위치되며, 제2 측면(24)들은 최상부와 최하부에 위치된다. 제1 측면(22)들은 제2 측면(24)들보다 길다. 도 2에서의 거리 기준 X와 Y는 노광 필드 크기(X최대=52㎜, Y최대=66㎜)이다. 따라서, 이미징 영역(20)은 104×132㎟ (X,Y)이다. 이미징 영역(20) 주위에는 블랙보더(blackborder)(26)가 있다. X 방향으로 블랙보더(26)는 1 내지 4㎜일 수 있다. Y 방향으로 블랙보더(26)는 1 내지 4㎜일 수 있다. 다른 실시예에서 이미징 영역(20)은 다른 형상 및 크기일 수 있다는 것이 인식될 것이다.
정렬 마크(28)들은 제2 측면(24)들에 인접하게 위치된다. 도 2에서, 정렬 마크(28)들은 제2 측면(24) 옆에, 즉 제2 측면(24)의 하부 아래 그리고 제2 측면(24)의 상부 위에 도시되어 있다. 정렬 마크(28)는 스캐닝(Y) 방향으로 제2 측면(24)으로부터 멀리 가상으로 연장되는 패터닝 디바이스(MA)의 영역(30) (파선에 의하여 보여짐) 내의 블랙보더(26) 외부에 위치된다.
이 실시예에서, 제2 측면(24)의 하부 옆에 위치된 3개의 정렬 마크(28)와 제2 측면(24)의 상부 옆에 위치한 3개의 정렬 마크(28)가 있다. 다른 실시예에서는 상이한 개수의 정렬 마크(예를 들어, 적어도 하나의 제2 측면(24)에 인접한 단 하나의 정렬 마크)가 있을 수 있다는 점이 인식될 것이다. 이 실시예에서는 3개의 정렬 마크(28)의 2개 세트가 있지만, 간결함을 위하여 단일 정렬 마크와 제2 측면(24)이 아래에서 언급될 것이다. 그러나 이 정렬 마크와 관련하여 설명된 임의의 특징은 나머지 정렬 마크(28)에도 동일하게 적용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
본 실시예에서, 정렬 마크(28)는 투과 이미지 센서(TIS) 정렬 마크이다. 그러나 다른 실시예에서, 이는 다른 유형의 정렬 마크일 수도 있거나, 더 일반적으로 다른 유형의 감지 마크일 수도 있다. 예를 들어, 감지 마크는 광학 수차 측정 마크를 포함할 수 있다. 용어 “수차”는 완벽한 구형 파면에서의 모든 형태의 파면의 벗어남을 포함하도록 의도되어야 한다. 즉, 용어 “수차”는 이미지의 배치 (예를 들어, 제2, 제3 및 제4 제르니케 계수) 및/또는 5 이상의 놀 인덱스(Noll index)를 갖는 제르니케 계수와 관련된 것과 같은 고차 수차와 관련될 수 있다.
실시예에서, 정렬 마크(28)는 이미징 영역(20)으로부터 1 내지 4㎜ (Y) 사이(즉, 블랙보더(26)의 폭(Y))에 위치된다. 블랙보더(26)가 패턴을 포함하지 않는 한 정렬 마크(28)는 블랙보더(26)에 바로 인접 (접촉 상태)하게 배치될 수 있으며 이 경우 여백 영역(quiet area) 요구 사항은 준수되어야 한다. 보다 일반적으로, 정렬 마크(28)는 이미징 영역(20)으로부터 사전 결정된 거리를 두고 떨어져 위치될 수 있다. 다른 실시예에서는 블랙보더가 Y 방향으로 상이한 폭, 즉 4㎜ 초과 또는 1㎜ 미만의 폭을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.
중요하게는, 정렬 마크(28)가 기판(W)에 투영될 때 기판(W) 상의 스크라이브 라인(도시되지 않음) 내에 맞도록 정렬 마크(28)는 스캐닝(Y) 방향의 폭을 갖는다.
정렬 마크(28)는 X 방향으로 배향될 수 있다 (즉, 가장 긴 치수가 X 방향이다). 정렬 마크(28)는 2개의 미세 정렬 마크 (x 미세-정렬 마크 및 y 미세-정렬 마크)를 포함할 수 있다. x 및 y 미세-정렬 마크는 X 방향으로 배향될 수 있다 (즉, 가장 긴 치수가 X 방향에 있음). 정렬 마크(28)는 단일 반사 구조체일 수 있거나 세그먼트들로 분할될 수 있다. 정렬 마크(28)는 반사 및 흡수재(absorber) 영역을 가질 수 있다. 정렬 마크(28)는 X 방향으로 50 내지 500 미크론의 치수를 가질 수 있다 (또는 더 크거나 더 작을 수 있음). x 미세-정렬 마크는 y 미세-정렬 마크의 Y 방향의 폭보다 작은 Y 방향의 폭을 가질 수 있으며, 그 반대도 가능하다. 전체적으로, 정렬 마크(28)는 Y 방향으로 200 미크론 미만의 최대 폭을 가질 수 있다. 또한, 정렬 마크(28)의 전체 길이는 x 및 y 미세-정렬 마크들의 X 방향 길이와 그들 사이의 갭으로 구성될 수 있다.
실시예에서, 정렬 마크의 최대 폭은 스캐닝(Y) 방향으로 200미크론 미만이기 때문에, 정렬 마크(28)는 기판(W) 상의 스크라이브 라인 내에 맞을 수 있다 -패터닝 디바이스(MA) 레벨에서의 스크라이브 라인은 Y 방향으로, 즉 NA=0.33에 대해 200 미크론의 폭을 갖는다. 기판(W) 상의 스크라이브 라인은 스캐닝(Y) 방향으로, 즉 NA=0.33에 대해 1/4x의 패터닝 디바이스(MA)에서 기판(W)까지의 배율에서 50 미크론의 스캐닝(Y) 방향의 폭을 가질 수 있다. NA=0.55인 경우, 패터닝 디바이스(MA) 레벨에서의 스크라이브 라인은 Y 방향으로 400 미크론의 폭을 갖는다. 따라서, 이 실시예에서, 정렬 마크(28)는 400㎚ 미만의 Y 방향의 최대 폭을 가질 수 있다. 기판(W) 상의 스크라이브 라인은 50 미크론의 스캐닝(Y) 방향의 폭을, 즉 NA=0.55에 대해 1/8x의 패터닝 디바이스(MA)에서 기판(W)까지의 배율에서 가질 수 있다. 실시예에서 Y 방향의 정렬 마크(28)의 폭은 정렬 마크(28)가 기판(W) 상으로 투영될 때 기판(W) 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 하는 크기로 설정될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
이전에는, 정렬 마크는, 미세 정렬 마크와 함께 위치된 개략 정렬 마크 (즉, 개략적인 캡처 피처를 지원)와 같은 다른 정렬 마크를 포함하였다. 이 개략 정렬 마크로, Y 방향의 정렬 마크의 전체 폭은 패터닝 디바이스 레벨에서의 스크라이브 라인의 Y 방향의 폭보다 더 클 수 있었다 (예를 들어, 200 미크론 이상). 정렬 마크는 흡수재 여백 구역(quiet zone)으로 둘러싸일 수 있었다.
실시예에서, 도 2에서 보여지는 바와 같이, 개략 정렬 마크(32)는 패터닝 디바이스(MA)의 (점선으로 보여지는) 코너 영역(34)에 위치될 수 있다. 보다 구체적으로, 적어도 하나의 개략 정렬 마크(32)는 이미징 영역(20)의 적어도 하나의 제2 측면(24)으로부터 멀리 스캐닝(Y) 방향으로 가상적으로 연장되는 패터닝 디바이스(MA)의 영역(30) 또는 이미징 영역(20)의 적어도 하나의 제1 측면(22)으로부터 멀리 스캐닝 방향에 수직인 방향 (즉, X 방향)으로 가상적으로 연장되는 패터닝 디바이스(MA)의 (파선으로 보여지는) 영역(36) 내에 있지 않은 패터닝 디바이스(MA)의 코너 영역(34) 내에 위치될 수 있다. 명확함을 위하여 단지 하나의 코너 영역(34)과 하나의 개략 정렬 마크(32)가 보여지고 있지만, 개략 정렬 마크(32)들을 갖는 4개의 코너 영역(34)이 있을 수 있다는 점이 인식될 것이다. 처리량을 최적화하기 위해 코너에서 X 방향으로 배향된 2개의 정렬 마크 (즉, 가장 긴 치수가 X 방향으로 있음)가 동시에 측정될 수 있도록 센서 패턴은 설계될 수 있다. 필드가 제1 측면(22)에서 블랙보더(26)로 바깥쪽으로 1㎜ 미만으로만 확장되기 때문에 Y 방향으로 배향된 마크 (즉, 가장 긴 치수가 Y 방향으로 있다)만이 필요할 수 있다. Y 방향으로 배향된 이 마크는 전형적으로 정렬을 위하여 사용되지 않고, 레티클 형상 보정(RSC)을 위해 사용된다.
보다 일반적으로, 개략 정렬 마크(32)는 레티클 마스킹 X-블레이드(보이지 않음)로 덮여질 수 있는 영역에 위치될 수 있다. 레티클 마스킹 X-블레이드는 반고정식일 수 있다. 즉, 패터닝 디바이스(MA)가 스캔되고 있을 때 X-블레이드는 이동할 수 없다. 원칙적으로, 개략 정렬 마크(32)는 제1 측면(22), 영역(36), 또는 심지어 그 영역을 약간 넘어서 위치될 수 있다 (이 영역은 여전히 레티클 마스킹 X-블레이드에 의해 블레이드될 수 있기 때문이다). 그러나 실제로는, 코너 마크들 사이의 X 방향의 간격이 현재의 센서 레이아웃에 의해 고정되어 병렬 측정을 지원할 수 있으며, 따라서 새로운 레티클 설계에 대해 이를 유지하는 것이 바람직할 수 있다.
200 미크론 미만의 Y 방향의 폭을 갖고 이미징 영역(20)에 충분히 가깝게 위치된 정렬 마크(28)를 갖는 것(예를 들어, Y 방향으로 이미징 영역(20)으로부터 멀리 대략 3㎜의 사전 결정된 거리인 것)은 정렬 마크(28)가 기판(W)에서 스크라이브 라인과 일치할 것이라는 점을 의미한다. 이는 정렬 마크(28)가 기판(W) 상의 인접한 필드와 중첩되지 않을 수 있다는 이점을 가질 수 있다. 더욱이, 이는 레티클 마스킹 Y-블레이드에 의해 정렬 마크(28)가 덮이는 것을 감소시키는 또는 방지하는 이점을 가질 수 있다.
이전에는, 인접한 필드로 프린팅되는 TIS 구조체 (예를 들어, TIS 정렬 마크)를 피하기 위해 이 구조체는 레티클 마스킹 블레이드에 의해 완벽하게 보호될 필요가 있었다. 이는 스캐닝 레티클 Y-블레이드의 동적 스캐닝 공차를 리소그래피 장치(LA)의 이미징 기능에 중요하게 만든다. 계속 증가하는 소스 파워에 따라 스캔 속도가 증가함에 따라 이는 특히 높은 NA 리소그래피 장치(LA)에 대해 병목 현상(bottleneck)으로 간주된다.
패터닝 디바이스(MA)의 비이미지 영역의 반사율이 (여러 블랙보더 공정의 최근 개선을 고려하면 현실적인 것으로 간주되는) 0.5% 미만으로 감소될 수 있다면, 실시예는 레티클 마스킹 Y-블레이드에 대한 스캐닝 요구 사항이 제거되는 것을 허용할 것이다. 이는 리소그래피 장치(LA) 로드맵의 처리량에 대한 병목 현상을 제거할 수 있으며 레티클 마스킹 모듈에 대한 비용을 줄일 수 있다.
이는 EUV의 몇 가지 본질적인 장점들 중 하나라는 점이 주목되어야 한다: 브래그(Bragg) 리플렉터와 같은 특수 구조체를 형성하지 않는 한, 반사율은 거의 모든 재료에 대해 본질적으로 매우 낮다. 따라서 위의 0.5% 미만의 요구 사항을 충족하는 것은 상대적으로 매우 쉬우며, 패터닝 디바이스(MA)의 TIS 정렬 마크를 차폐하는 것을 제외하고는 동기화된 스캐닝 레티클 마스킹이 필요하지 않을 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)는 정렬 마크(28)를 사용하여 정렬될 수 있다. 실시예에서, 개선으로서, 정렬된 위치에 미치는 패터닝 디바이스(MA) 이미지 필드 구조의 임의의 가능한 영향이 교정될 수 있다. 이는 Y의 복수의 오프셋으로 XY-정렬된 위치를 측정함으로써 이루어질 수 있으며 가장 정확한 값은 패터닝 디바이스로부터 가장 멀리 있는 것이다. 또 다른 옵션은 임의의 잔류 패터닝 디바이스(MA) 정렬 오프셋을 제거하기 위해 보정 피드백 또는 다른 오버레이 공정 제어 스킴(scheme)을 사용하는 것일 수 있다. 추가 옵션은 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 (여백 영역을 포함하는) 영역에, 보다 구체적으로, 코너 영역(34)들 중 하나 이상의 영역에 적어도 하나의 기준 정렬 마크)를 포함하는 것일 수 있다.
이전에는, 소위 레티클 형상 보정(RSC) 마크들이 패터닝 디바이스의 좌측면과 우측면 (그리고 최하부 및 최상부)에 (즉, 4개 측면의 각각에) 위치될 수 있었다. 그러나 RSC 마크는 주요 리소그래피 장치 기능이 아니며 또한 실제로 필요하지 않을 수 있다. 또한 이 RSC 마크들은 좌측면/우측면에서의 RSC 마크로만 제한될 수 있다. 즉, 실시예에서, 패터닝 디바이스(MA)는 이미징 영역(20)의 제1 측면(22)들 중 하나 이상에만 인접한 레티클 형상 보정 마크 (보이지 않음)를 포함할 수 있다. 즉, X 방향으로 이미징 영역(20)의 제1 측면(들)(22)으로부터 멀리 가상적으로 연장되는 패터닝 디바이스(MA)의 영역(들)(36)에서만이다. 레티클 형상 보정 마크는 이미징 영역(20)의 제2 측면(24)에 인접하지 않을 수 있다. 즉, 패터닝 디바이스(MA)의 영역(30) 내에서 Y 방향으로 제2 측면(24)으로부터 멀리 가상적으로 연장되지 않는다. 다른 실시예에서, 그리고 도 2에서 보여지는 바와 같이, 패터닝 디바이스(MA)는 레티클 형상 보정 마크를 포함하지 않을 수 있다.
이미징 영역(20)의 제1 측면(22)들 중 하나 이상에만 인접하거나 패터닝 디바이스(MA)에 전혀 존재하지 않는 RSC 마크를 갖는다는 것은 그들이 인접 필드 상으로 프린트되지 않을 것이거나 레티클 마스킹 Y-블레이드에 의하여 보호될 필요가 없을 것이라는 점을 의미한다.
도 2의 패터닝 디바이스(MA)는, 개구수(NA)=0.33에 대해, 전체 필드에 대응한다. 그러나 NA=0.55의 경우 이는 반분 필드에만 대응하며, 이는 설계 유연성을 제한하고 리소그래피 장치(LA)의 유효 처리량에 영향을 미친다 (스테핑 및 턴어라운드(turn around)에 더 많은 시간이 필요하다).
NA=0.55에 대해, 연장된 클램프 상에서 2개의 패터닝 디바이스(MA)를 사용함으로써 이 전체 손실을 완화하는 것이 제안된다. 그러나 이는 설명될 바와 같은 문제를 가질 수 있다.
이미징 영역의 제2 측면에서 패터닝 디바이스의 인접한 에지까지의 거리는 Y로 10㎜이다 (즉, 블랙보더의 1 내지 4㎜ 및 또 다른 6 내지 9㎜ -정렬 마크는 이 6~9㎜ 거리, 예를 들어 7㎜ 거리의 일부에 위치될 수 있다). 따라서, Y 방향을 따라 패터닝 디바이스는 엣지/TIS(6 내지 9㎜)-블랙보더(1 내지 4㎜)-이미징 영역(132㎜)-블랙보더(1 내지 4㎜)-엣지/TIS(6 내지 9㎜)를 가질 수 있다. 따라서 Y 방향으로 총 152㎜이다.
도 3에서 보여지는 바와 같이, 양 패터닝 디바이스 상의 이미징 영역 주변 Y에 10㎜ 경계와 1/8x의 배율을 고려해 볼 때, 이는 패터닝 디바이스(마스크)들이 접촉하더라도 기판(W) 레벨에서 (50㎛ 이하의 일반 스크라이브 라인과는 대조적으로) 이 2개의 필드들 사이에 2.5㎜의 갭이 있다는 것을 의미한다. 2.5㎜의 갭은 이미징 영역의 제2 측면에서 패터닝 디바이스의 인접 에지까지의 거리의 2x (예를 들어, 2*10㎜=20㎜)에 l/8x의 배율을 곱한 것(20/8=2.5㎜)으로부터 얻어진다. 이는 유효 웨이퍼 (기판) 영역을 (2.5㎜/33㎜=7.6%부터) ~8% 감소시킨다. 이는 코팅, 현상, 식각 및 증착과 같은 웨이퍼 스택의 모든 병렬 공정의 순비용을 증가시키므로 바람직하지 않다.
이 큰 경계의 이유는, 다층 및 흡수재 코팅 공정은 실제로 필요한 ㎚ 이하 두께 정확도로 레티클의 물리적 에지까지 확장될 수 없으며 따라서 반사율 균일도에 대한 엄격한 사양(specs)을 보장하기 위해 고품질 이미징 영역은 레티클의 물리적 에지에 충분한 여유를 유지할 필요가 있다는 것이다.
또 다른 문제는 이 큰 마진에도 불구하고 다층 및 흡수층 모두의 레티클에 대한 변동이 있어 국부적인 반사율의 변동 및 이로 인한 증가된 CD(임계 치수) 변동 (국부적 그리고 전역적 모두)으로 이어질 것이라는 점이다.
실시예에서, 흡수재의 증착 이전에 패터닝 디바이스 블랭크의 고-분해능 반사율 측정이 이용되어 국부적인 선 폭 및/또는 광 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용한다. 이 측정은 공칭 광학 근접 보정에 더하여 유사 광학 근접 보정일 수 있다. 이는 반사율 및 중심 파장 (EUV의 경우 13.5㎚) 관련 항목을 개선할 수 있다.
또한, 실시예에서, 패터닝 디바이스에서의 흡수재 증착 후, 고 분해능 반사율 또는 엘립소메트리 측정이 사용되어 국부적인 흡수재 두께 변화를 결정하며, 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위하여 이 측정이 사용된다. 이 측정은 공칭 광학 근접 보정에 더하여 유사 광학 근접 보정일 수 있다. 이는 흡수재 및 3D 관련 항목을 향상시킬 수 있다.
이 방법은 요구되는 ㎚ 미만의 두께 정확도를 유지하면서 따라서 반사율 균일성을 위해 원하는 사양 내에서 유지하는 것이 이전에 가능했던 것보다 (레티클의 물리적 에지에 가까워짐에 따라 코팅 변화가 점점 더 커지는 경우) 이미징 영역이 패터닝 디바이스의 에지에 더 가깝게 시프트되는 것을 허용한다.
도 4는 스캐닝(Y) 방향으로 또 다른 패터닝 디바이스(MA)에 인접한 패터닝 디바이스(MA)의 실시예를 보여주고 있다.
패터닝 디바이스(MA)들은 리소그래피 장치(LA)의 스캐닝(Y) 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면(22A)들과 스캐닝(X) 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면(24A, 24B)들을 갖는 이미징 영역(20A)을 포함한다. 실시예에서, 양 패터닝 디바이스(MA)에 대해, 이미징 영역(20A)의 제2 측면(24A)과 패터닝 디바이스(MA)의 인접 에지(38A) 사이의 제1 간격이 이미징 영역(20A)의 제2 측면(24B)들 중 다른 하나와 패터닝 디바이스(MA)의 대향하는 인접 에지(38B) 사이의 제2 간격보다 작도록 이미징 영역(20A)은 스캐닝(Y) 방향으로 패터닝 디바이스 중심에 대해 시프트된다. 이 실시예에서, 제1 간격들은 모두 ~5㎜이다.
알 수 있는 바와 같이, 2개의 각각의 이미징 영역(20A)들 사이의 거리가 함께 추가된 각각의 패터닝 디바이스(MA)들의 제1 간격과 동일하도록 패터닝 디바이스(MA)들의 인접한 에지(38A)들은 서로 접촉 상태에 있다. 이 실시예에서, 제1 간격들은 모두 ~5㎜이며, 따라서 인접한 패터닝 디바이스(MA)들의 2개의 각각의 이미징 영역(20A) 사이의 거리는 ~10㎜이다. 다른 실시예에서 각각의 이미징 영역(20A)들 사이의 거리는 ~10㎜와 다를 수 있으며, 예를 들어 이는 10㎜ 미만일 수 있다는 점이 인식될 것이다. 바람직하게는, 제1 간격은 가능한 한 작아야 한다. 따라서 0.4㎜의 제1 간격이 목표일 수 있다. 실제로, 레지스트-코팅부에서의 간격, 레티클 베벨(bevel) 및 에지 효과를 허용하기 위해 제1 간격은 5 내지 10㎜일 수 있다; 그러나 이 모두는 앞으로 개선될 수 있다.
도 4의 (연장된 레티클 스테이지 상의) 2개의 패터닝 디바이스(MA)는 2개의 필드 (이미징 영역(20A)) 사이에, 도 3의 2개의 패터닝 디바이스에 대한 2개의 필드 사이의 갭보다 작은 갭을 갖는다. 예를 들어, 12㎜-3㎜-132㎜-3㎜-2㎜ (에지/TIS-블랙보더-이미징 영역-블랙보더-에지/TIS)를 갖는 2개의 레티클은 기판(W) 상의 이미지들 사이에 단지 1.25㎜ 또는 4% 미만의 손실 영역의 갭을 가질 것이다. 1.25㎜의 갭은 2*5㎜=10㎜에 l/8x의 배율을 곱한 것(10/8=1.25㎜)으로부터 얻어진다. 이는 유효 웨이퍼(기판) 면적을 ~3~4% (1.25㎜/33㎜=3.8%에서) 감소시킨다.
2㎜는 (반사율이나 흡수재의 변화에 또한 민감하지 않은) 투과 이미지 센서(TIS)를 위한 충분한 공간이라는 점, 그리고 (TIS는 한 번에 하나의 레티클을 측정하고 레티클 마스킹 모듈에 의해 블레이드되기(bladed) 때문에) TIS는 임의의 중첩 고려 사항을 겪지 않는다는 점이 주목되어야 한다. 또한, 3㎜ 블랙보더가 유지되는 한, 레티클 마스킹 블레이딩 기능에는 변화가 없다.
도 4의 2개의 패터닝 디바이스(MA)는 또한 NA=0.55 리소그래피 장치(LA)(33×26㎜)에서 고전적인 전체 필드의 에뮬레이션(emulatioin)을 가능하게 하고, 이는 다른 리소그래피 장치(LA)와의 전체 처리량 호환성을 생성할 것이며, 이는 전체 웨이퍼 스택의 전체 비용을 절감할 것이다. 이는 중간에 ~1㎜를 위한 공간을 만들기 위해 기판(W)의 양 반분 필드 모두에서 ~0.5×26㎟를 희생시킬 것이다.
이점은 개구수(NA)=0.55를 갖는 리소그래피 장치(LA)에 대해 전체 필드가 기판(W) 상으로 이미지화되는 것을 가능하게 하는 반면, 중심이 패터닝 디바이스에 있는 이미징 영역을 갖는 패터닝 디바이스와 비교할 때 기판(W)에 이미지화된 이미징 영역(20A)의 % 손실을 줄이는 것일 수 있다.
국부적 및 전역적 임계 치수 균일성 개선 및 에지 배치 오차 개선도 있을 수 있다. 리소그래피 장치(LA)에 대한 ~4%의 기판 영역 커버리지 개선 및/또는 더 높은 처리량이 있을 수 있다.
IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대해 본 명세서에서 특정한 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등의 제조를 포함한다.
본 명세서에서 리소그래피 장치의 맥락에서의 본 발명의 실시예에 대한 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 다른 기판) 또는 마스크 (또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정 또는 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치들은 일반적으로 리소그래피 툴로서 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주위 (비-진공) 조건을 이용할 수 있다.
광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정 참조가 이루어졌을 수 있지만, 본 발명은, 문맥이 허용하는 경우, 광학 리소그래피로 제한되지 않으며 다른 적용, 예를 들면, 임프린트 리소그래피에서 사용될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수 있으며, 이 매체는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 연산 디바이스(computing device))에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독 가능한 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal) (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 명령어는 특정 동작을 수행하는 것으로서 본 명세서에서 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 작동은 사실은 연산 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스에 기인하며 또한 이렇게 하는 것은 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계와 상호 작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명되는 것과 달리 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서 아래에 제시되는 청구범위의 범위를 벗어나지 않고, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수 있다는 점이 본 기술 분야에서 숙련된 자에게 명백할 것이다.
조항
1. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스는:
리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역; 및
이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면에 인접하게 위치된 적어도 하나의 감지 마크를 포함하며;
적어도 하나의 감지 마크는 이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면으로부터 멀리 스캐닝 방향으로 사전 결정된 거리를 두고 위치되고, 또한 적어도 하나의 감지 마크가 기판 상으로 투영될 때 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 스캐닝 방향으로 폭을 연장한다.
2. 조항 1에 따른 패터닝 디바이스에서, 스캐닝 방향으로의 사전 결정된 거리는 이미징 영역에 인접한 블랙보더의 스캐닝 방향으로의 폭과 실질적으로 3㎜ 중 적어도 하나이다.
3. 조항 1 또는 2 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스에서, 감지 마크의 스캐닝 방향으로의 폭은 200 미크론 미만과 400 미크론 미만 중 적어도 하나이다.
4. 조항 1 내지 3 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스에서, 감지 마크는 정렬 마크를 포함한다.
5. 조항 4에 따른 패터닝 디바이스에서, 정렬 마크는 투과 이미지 센서(TIS) 정렬 마크를 포함한다.
6. 조항 4 또는 5 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스에서, 정렬 마크는 y 미세-정렬 마크 및 x 미세-정렬 마크를 포함한다.
7. 조항 4 내지 6 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스에서, 정렬 마크는 적어도 하나의 개략 정렬 마크를 포함하며, 적어도 하나의 개략 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치된다.
8. 조항 4 내지 7 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스는 적어도 하나의 기준 정렬 마크를 더 포함하며, 적어도 하나의 기준 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치된다.
9. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치에 있어서, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템을 포함하고, 조명 시스템은 방사선 빔을 패터닝 디바이스 상으로 투영시키도록 구성되며, 리소그래피 장치는 조항 1항 내지 8 중 어느 한 조항의 패터닝 디바이스를 포함한다.
10. 본 방법은 적어도 하나의 감지 마크가 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 조항 1 내지 8 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스 상의 적어도 하나의 감지 마크를 기판 상으로 투영시키는 방법이다.
11. 조항 10에 따른 방법에서, 감지 마크는 정렬 마크를 포함하며, 본 방법은 정렬 마크를 사용하여 패터닝 디바이스를 기판과 정렬시키는 것을 더 포함한다.
12. 조항 11에 따른 방법은 Y의 복수의 오프셋으로 XY-정렬된 위치를 측정하는 것을 더 포함할 수 있으며 가장 정확한 값은 패터닝 디바이스로부터 가장 멀리 있는 것이다.
13. 조항 11 또는 12 중 어느 한 조항에 따른 방법은 임의의 잔류 패터닝 디바이스 정렬 오프셋을 제거하기 위해 보정 피드백 또는 다른 오버레이 공정 제어 스킴을 이용하는 것을 더 포함한다.
14. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스는,
리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역을 포함하며;
이미징 영역의 제2 측면들 중 하나와 패터닝 디바이스의 인접 에지 사이의 제1 간격이 이미징 영역의 제2 측면들 중 다른 하나와 패터닝 디바이스의 대향하는 인접 에지 사이의 제2 간격보다 작도록 상기 이미징 영역은 패터닝 디바이스 중심에 대해 스캐닝 방향으로 시프트된다.
15. 조항 14에 따른 패터닝 디바이스에서, 제1 간격은 0.4㎜ 내지 10㎜ 범위 내와 5 내지 10㎜ 범위 내 중 적어도 하나이다.
16. 조항 15에 따른 패터닝 디바이스에서, 제1 간격은 약 5㎜이다.
17. 조항 14 내지 16 중 어느 한 조항에 따른 패터닝 디바이스에서, 패터닝 디바이스는 스캐닝 방향으로 또 다른 패터닝 디바이스에 인접하게 위치되며, 2개의 각각의 이미징 영역들 사이의 거리가 함께 추가된 각각의 패터닝 디바이스들의 제1 간격과 동일하도록 패터닝 디바이스들의 인접 에지들은 서로 접촉 상태에 있다.
18. 본 방법은 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위해 흡수재의 증착 전에 패터닝 디바이스 블랭크의 고 분해능 반사율 측정을 이용한다.
19. 조항 18의 방법은, 패터닝 디바이스 상에서의 흡수재 증착 후에, 국부적인 흡수재 두께 변화를 결정하기 위해 고 분해능 반사율 또는 엘립소메트리(ellipsometry) 측정을 이용하는 것, 및 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위해 이 측정을 이용하는 것을 더 포함한다.
20. 조항 19 또는 19 중 어느 한 조항의 방법에서, 패터닝 디바이스는 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역을 포함하며, 본 방법은 이미징 영역의 제2 측면들 중 하나와 패터닝 디바이스의 인접 에지 간의 제1 간격이 제2 측면들 중 다른 하나 사이의 제2 간격보다 작도록 스캐닝 방향으로 패터닝 디바이스 중심에 대해 이미징 영역을 시프트시키는 것을 더 포함한다.

Claims (15)

  1. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 상기 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역; 및
    이미징 영역의 적어도 하나의 제2 측면에 인접하게 위치된 적어도 하나의 감지 마크를 포함하며;
    상기 적어도 하나의 감지 마크는 상기 이미징 영역의 상기 적어도 하나의 제2 측면으로부터 멀리 상기 스캐닝 방향으로 사전 결정된 거리를 두고 위치되고, 또한 상기 적어도 하나의 감지 마크가 상기 기판 상으로 투영될 때 상기 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 상기 스캐닝 방향으로 폭을 연장하는 패터닝 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스캐닝 방향으로의 사전 결정된 거리는 상기 이미징 영역에 인접한 블랙보더(blackborder)의 스캐닝 방향으로의 폭과 실질적으로 3㎜ 중 적어도 하나인 패터닝 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 감지 마크의 스캐닝 방향으로의 폭은 200 미크론 미만과 400 미크론 미만 중 적어도 하나인 패터닝 디바이스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감지 마크는 정렬 마크를 포함하는 패터닝 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 정렬 마크는 투과 이미지 센서(TIS) 정렬 마크를 포함하는 패터닝 디바이스.
  6. 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정렬 마크는 y 미세-정렬 마크 및 x 미세-정렬 마크를 포함하는 패터닝 디바이스.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정렬 마크는 적어도 하나의 개략(coarse) 정렬 마크를 포함하며, 상기 적어도 하나의 개략 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치된 패터닝 디바이스.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패터닝 디바이스는 적어도 하나의 기준 정렬 마크를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 기준 정렬 마크는 레티클 마스킹 X-블레이드로 덮일 수 있는 영역에 위치된 패터닝 디바이스.
  9. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치에 있어서, 상기 리소그래피 장치는 방사선 빔을 조절하도록 구성된 조명 시스템을 포함하고, 상기 조명 시스템은 상기 방사선 빔을 상기 패터닝 디바이스 상으로 투영시키도록 구성되며, 상기 리소그래피 장치는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 패터닝 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 적어도 하나의 감지 마크가 기판 상의 스크라이브 라인 내에 맞도록 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 패터닝 디바이스 상의 적어도 하나의 감지 마크를 기판 상으로 투영시키는 방법.
  11. 패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 투영시키도록 배열된 리소그래피 장치용 패터닝 디바이스에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 스캐닝 방향과 평행하게 연장되는 대향하는 제1 측면들 및 상기 스캐닝 방향에 수직으로 연장되는 대향하는 제2 측면들을 갖는 이미징 영역을 포함하며;
    상기 이미징 영역의 제2 측면들 중 하나와 상기 패터닝 디바이스의 인접 에지 사이의 제1 간격이 상기 이미징 영역의 상기 제2 측면들 중 다른 하나와 상기 패터닝 디바이스의 대향하는 인접 에지 사이의 제2 간격보다 작도록 상기 이미징 영역은 패터닝 디바이스 중심에 대해 스캐닝 방향으로 시프트되는 패터닝 디바이스.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 간격은 0.4㎜ 내지 10㎜ 범위 내와 5 내지 10㎜ 범위 내 중 적어도 하나인 패터닝 디바이스.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 간격은 약 5㎜인 패터닝 디바이스.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패터닝 디바이스는 스캐닝 방향으로 또 다른 패터닝 디바이스에 인접하게 위치되며, 2개의 각각의 이미징 영역들 사이의 거리가 함께 추가된 각각의 패터닝 디바이스들의 제1 간격과 동일하도록 상기 패터닝 디바이스들의 인접 에지들은 서로 접촉 상태에 있는 패터닝 디바이스.
  15. 국부적인 선 폭 및/또는 광학 근접 보정 피처 및/또는 서브-분해능 어시스트 피처에 보정을 적용하기 위해 흡수재 증착 전에 패터닝 디바이스 블랭크의 고 분해능 반사율 측정을 이용하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI396225B (zh) * 2004-07-23 2013-05-11 尼康股份有限公司 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置
JP2007256551A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Nikon Corp マスクの設計方法及びマスク、並びに露光装置
US10620530B2 (en) * 2017-07-31 2020-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple-mask multiple-exposure lithography and masks
CN111948901B (zh) * 2020-08-18 2024-03-29 上海华力微电子有限公司 掩膜版及其制备方法

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