JP4860679B2 - デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム - Google Patents

Description

[0001] 本発明はデバイスを製造するための方法およびリソグラフィ装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は基板上、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを照射する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。その場合、パターニングデバイス（例えば、マスクパターンまたはレチクルパターン）により提供されたパターンが、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために使用可能である。この回路パターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）ターゲット部分上に転写可能である。回路パターンの転写は、一般的には、投影システムを使用する、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上へのパターンのイメージングを介する。放射のビームは、このビームにパターニングデバイスを横切らせることによりパターニングされ、レジスト内に所望のパターンをイメージングするためになど、光活性化レジスト（例えば、フォトレジスト）材料の層でコートされた基板（シリコンウェーハ）上のターゲット部分に投影システムにより投影される。リソグラフィプリント工程は、レジスト材料のフィーチャまたはレジスト材料の間隙であってよいプリントフィーチャを生成するためになど、露光後のレジスト層の現像をさらに含む。レジスト材料はエッチングによりパターニングされる下にある層のためのエッチングマスクとして機能してよい。

[0003] 一般に、単一の基板は、パターニングされた放射に連続して露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置は、一度にターゲット部分上にパターン全体を露光することにより各ターゲット部分が照射される所謂ステッパ、および、特定の方向（「スキャン」方向）において放射ビームを介してパターンをスキャンする一方、これと同期して、この方向と実質的に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分が照射される所謂スキャナを含む。

[0004] 半導体産業においては、基板上により小さなパターンおよびフィーチャを有するより小さな半導体デバイスに対する継続的な要求が、プリントフィーチャの限界寸法（CD）の改善された制御に対する必要性を後押ししている。

[0005] 一般に、基板上にプリントされたパターンのフィーチャの限界寸法は、投影システムの属性、（パターン付き）放射ビーム、パターン、および（例えば、露光前後のベーキング行程、および、レジストの現像を含む）レジストプロセスに依存する。パターンのラインフィーチャの属性は、例えば、ラインの方向である。例えば、パターンは、水平および垂直のラインフィーチャ、すなわち、それぞれスキャン方向に実質的に垂直かつスキャナのスキャン方向に実質的に平行な（または、ステッパが使用された時は、基板上にプリントされた通りにダイの辺にそれぞれ実質的に垂直かつ実質的に平行な）ライン区画を含むライン形状の部分を有するフィーチャを含んでよい。水平ラインおよび垂直ラインの双方のライン区画の所望の線幅は同じとしてよいが、水平ラインおよび垂直ラインのそれぞれのプリントされた線幅は異なってよい。その差は、一般にＨ−Ｖ差と呼ばれる。

[0006] Ｈ−Ｖ差は、パターンの照明が線形的に偏光された放射を使用して行われる時、および、イメージングされる水平フィーチャおよび垂直フィーチャの幅が使用されている波長の大きさのオーダのものである時に発生することがある。水平ラインフィーチャおよび垂直ラインフィーチャのＣＤの制御を介したＨ−Ｖ差に対する制御は、パターニングデバイスを照明する照明システムの特性、例えば、パターニングデバイスの上流側の放射ビームの断面広がりを制限する開口の形状、または、そのような開口内の強度分布などを修正することにより提供可能である。

[0007] しかし、いずれのそのような修正もＣＤピッチ特性、および、特に、投影システムのイメージフィールドにわたるＣＤピッチ特性の変化に影響を及ぼす可能性がある。用語「ＣＤピッチ特性」は、限界寸法の高密度なフィーチャおよび疎らなフィーチャの双方が同時にプリントされる時に観察される通りのプリントＣＤのピッチ依存の変化を指す。この現象は、「等密度バイアス」とも呼ばれる。このような変化は、特定の許容度のＣＤに対する照射済みターゲット部分の露光の照射量における残存誤差の許容量と組み合わされて、プロセス寛容度、すなわち、焦点の利用可能な深さを制限することがある。

[0008] ＣＤピッチ特性は、パターンのあるサイズの異なったフィーチャにバイアスを適用することにより補償が可能である。このようなバイアスの適用は、光近接補正（ＯＰＣ）とも呼ばれる。パターンの設計に適用されたＯＰＣの規則は、フィールドには依存しない（例えば、ＯＰＣの規則はパターニングデバイス上の位置に関して不変な空間である）。

[0009] したがって、照明システムの特性を修正することによるＨ−Ｖ差の補償（これにより、フィールドに依存する等密度バイアスを引き起こす）は、残存するフィールド依存の許容誤差を超えたＣＤピッチ誤差を誘発する。

[0010] 上述および／または他の問題を軽減すること、および、特にフィーチャのＣＤを制御するため、かつ、Ｈ−Ｖ差を制御する一方、フィールド依存ＣＤピッチ誤差の誘発を回避するための方法を提供することが望ましい。

[0011] 本発明の一態様によれば、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法が提供され、この方法は、放射のパターンに基板の表面を露光させる工程であって、パターンがフィーチャのイメージを含む工程と、露光中に表面に実質的に平行である特定の方向に沿って基板に対して相対的にイメージを移動させる工程と、移動の速度をゼロとは異なる値に整えることによりこの方向に沿ったフィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含む。

[0012] 本発明の一態様によれば、放射ビームを調節する照明システムと、パターニングデバイスを保持する支持体であって、パターニングデバイスが、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームに放射ビームの断面においてパターンを与えることが可能である支持体と、基板を保持する基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムと、表面に実質的に平行な特定の方向に沿って露光中に基板に対して相対的なパターンのイメージの移動を提供するシステムと、移動の速度をゼロとは異なる値に維持するコントローラと、を含むリソグラフィ装置が提供される。

[0013] 本発明の一態様によれば、放射ビームを調節する照明システムと、パターニングデバイスを保持する支持体であって、パターニングデバイスが、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームに放射ビームの断面においてパターンを与えることが可能である支持体と、基板を保持する基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影し、かつ、表面に実質的に平行なスキャン方向に沿って露光中に基板に対して相対的なパターンのイメージの移動をもたらすアナモルフィックな拡大を提供することが可能な投影システムと、移動の速度をゼロとは異なる値に維持するコントローラと、を含むスキャンリソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明の一態様によれば、コンピュータ読み取り可能な媒体上に記録された指示を含むコンピュータプログラム製品が提供され、この指示は、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法を実行するようにリソグラフィ装置を制御し、この方法は、放射のパターンに基板の表面を露光させる工程であって、パターンがフィーチャのイメージを含む工程と、露光中に表面に実質的に平行である特定の方向に沿って基板に対して相対的にイメージを移動させる工程と、移動の速度をゼロとは異なる値に整えることによりこの方向に沿ったフィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含む。

[0015] 以下、本発明の実施形態が、対応する参照番号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して例としてのみ説明される。

[0016]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。 [0017]水平フィーチャおよび垂直フィーチャを備えたパターニングデバイスのパターンを示す図である。 [0018]図２のパターンによるレジスト内パターンを示す図である。 [0019]図２のパターンのイメージおよびイメージが投影される基板に対するこのイメージの相対移動を示す図である。 [0020]イメージフェイディングのない場合およびある場合の図４のイメージのフィーチャの断面に沿った露光量分布を示す図である。 [0021]アナモルフィックな拡大率を提供する投影システムを示す図である。

[0022] スキャンリソグラフィ装置の照明システムにより照射されたパターニングデバイスパターンの一部は、典型的には、スリット形状の長方形領域であり、非スキャン方向においては、照射されたパターニングデバイスの領域のサイズは、投影システムの最大対物フィールドサイズに相当する。露光領域が長方形またはスリット形状を有するため、パターニングデバイスまたは基板に近接している投影システムの光エレメントは、実質的に長方形または楕円形を有する領域に照射されることがある。そのため、このような光エレメントは、投影システムの光軸に関して回転対称となっていない領域に照射されることになる。パターニングデバイスパターンにおける放射の再誘導（例えば、回折）、および、照明システムの瞳における放射の強度分布によっては、（照明システムの瞳に光学的に結合された）投影システムの瞳に近接している投影システムの光エレメントも、回転対称な領域に照射されることがある。例えば、単一方向性で高密度なラインを含むパターンの解像度でのイメージングのために使用される双極照明の存在下では、投影システムの瞳に近接した光エレメントが（光軸に対する回転対称を欠く）対応する双極照射にさらされることがある。その結果、その光エレメントおよび（もし存在すれば）このエレメントの表面コーティング内のビーム放射の残存吸収による１つまたは複数の露光中に誘発される加熱のために、投影システム光エレメントの対応する回転対称変形が生じることがある。このような変形は回転対称の光学収差を発生させ、Ｈ−Ｖ差につながる。

[0023] 例えば、光学収差は、パターンのライン形状フィーチャに対する最善の焦点の位置がそのラインの向きに依存するようになることがあるように、許容量を超えた量の第３次以上の非点収差を含むことがある。非点収差はデバイスパターンのイメージを激しく劣化させることがあり、許容量を超えた量のＨ−Ｖ差をもたらすことがある。

[0024] 本発明の一実施形態によれば、（Ｈ−Ｖ差などの）フィーチャの方向に依存した（例えば、ライン幅などの）ライン形状フィーチャのサイズ誤差は、スキャンリソグラフィ装置の投影システムのアナモルフィックな拡大率を設定または調節するためのコントローラ１００を設けることにより制御され、許容量内に保たれる。サイズ誤差は、フィーチャの特定の方向（例えば、スキャン方向）に沿ったサイズと、その方向に沿った、かつ、そのフィーチャのための所望のサイズとの間の差として定義されてよい。

[0025] アナモルフィックな拡大率のない場合、リソグラフィスキャン投影装置は、基板上へのパターンのイメージングのための定格の（縮小比Ｍとも呼ばれる）回転対称拡大率Ｍで動作する。パターンのイメージへの基板のターゲット部分の露光は、スキャン方向に沿ってパターン（例えば、マスク）を移動させる一方、これと同期して、パターンイメージが基板に関して実質的に静止となるように、スキャン方向に沿って基板を実質的に逆平行な方向に移動させることによりもたらされる。本発明の一実施形態によれば、パターンのイメージは、基板に対して相対的にスキャン方向に沿って移動される一方、イメージは、ターゲット部分のスキャン露光中に基板上に投影される。イメージは、サイズが制御されるフィーチャのイメージを含んでいる。この相対移動は、スキャン方向に沿ってもたらされる。相対移動の速度は、露光中に変化させるか、または、露光中には実質的に一定であるかのいずれかでよく、かつ、少なくとも露光時間の一部についてはゼロとは異なっている。その結果、レジスト内に形成された露光によるイメージは、スキャン方向においてぼやける。ぼやけの影響は、パターンのプリントされたフィーチャのスキャン方向に沿ってサイズ、寸法、線幅、または、ＣＤを変化させることであり、特に、プリントされたフィーチャの水平ライン形状の部分の限界寸法ＣＤを変化させることである。

[0026] ぼやけは、投影システムの定格回転対称拡大率から離れた投影システムのＹ方向（スキャン方向）における拡大率Ｍｙを調節することによりもたらされることが可能であり、Ｍｙ＝Ｍ＋ΔＭｙである一方、Ｍｘ＝Ｍであり、ここで、ＭｙおよびＭｘは、それぞれＹ軸およびＸ軸に沿った拡大率であり、Ｙ軸はスキャン方向に実質的に平行である。このような調節を施した後、投影システムはアナモルフィックな拡大率の量を特徴とし、かつ、基板に対するイメージの相対移動の速度は実質的に一定であり（かつ、ゼロとは異なり）、ΔＭｙに比例している。

[0027] （例えば、Ｈ−Ｖ差を最少に抑えるための）コントローラ１００により設定された通りのアナモルフィックな拡大率の量は、露光中の基板の高さにおけるパターン付き放射ビーム（すなわち、パターンのイメージ）と基板との間の対応する相対移動を発生させる。アナモルフィックな拡大率を提供するための投影システムの調節は、定格スキャン速度同期（定格対称拡大率Ｍに基づく同期）で露光を開始する前に、投影システムの１つもしくは複数の光エレメントまたは投影システムの一部の位置または形状を調節する工程を含んでよい。相対移動のＨ−Ｖ差に及ぼす影響は、同様のフィーチャのＸ方向に沿ったＣＤに対するＹ方向（スキャン方向）に沿ったＣＤの増加または減少のいずれかをもたらすことであってよい。

[0028] 図１は本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置の概略を示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えば２４８ｎｍもしくは１９３ｎｍの波長で動作するエキシマレーザまたは１３．６ｎｍで動作するレーザ起動プラズマ源により発生される、例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、かつ、特定のパラメータによりパターニングデバイスを正確に位置決めする第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートされたウェーハ）Ｗを保持し、かつ、特定のパラメータにより基板を正確に位置決めする第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影する投影システム（例えば、屈折型投影レンズシステム）ＰＳを含んでいる。

[0029] この照明システムは、放射を誘導し、整形し、または、制御するための屈折性、反射性、磁性、電磁性、静電性、もしくは、他のタイプの光コンポーネント、または、それらの何らかの組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含んでいてよい。

[0030] この支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境において保持されているか否かなどの他の条件に依存する方法でパターニングデバイスを保持している。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空、静電的、または、他のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、必要に応じて固定または可動とすることができる例えばフレームまたはテーブルであってよい。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関して、所望の位置にあることを確実にすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいずれの使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えられてよい。

[0031] 本明細書において使用されている用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作製するためになど、放射ビームにパターンを放射ビームの断面において与えるために使用可能な任意のデバイスを指すと広く解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたは所謂アシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられたパターンが基板のターゲット部分において所望のパターンに正確には対応しない可能性があることに注意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作製されつつあるデバイスにおける特定の機能層に相当する。

[0032] パターニングデバイスは透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、および、プログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、かつ、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、および、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、様々な混合マスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は小型ミラーのマトリクス配列を採用しており、これらのミラーのそれぞれは入射する放射ビームを異なった方向に反射するように個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリクスにより反射された放射ビーム内にパターンを与える。

[0033] 本明細書において使用されている用語「投影システム」は、使用されている露光用放射に対して、または、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に対して適切であるような屈折性、反射性、および、反射屈折性の光学系、または、それらの何らかの組合せを含むいずれのタイプの投影システムも包含するとして広く解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいずれの使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えられてよい。

[0034] 本明細書に示されたように、装置は（例えば、透過型マスクを採用している）透過型のものである。代案として、装置は（例えば、上記に言及したタイプのプログラマブルミラーアレイを採用したか、または、反射型マスクを採用した）反射型のものであってよい。

[0035] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはこれより多くの基板テーブル（および／または、２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプのものであってよい。このような「マルチステージ」機においては、追加のテーブルまたは支持構造が並行して使用されてよいか、または、１つまたは複数のテーブルおよび／または支持構造が露光のために使用されている間に、予備工程が１つまたは複数の他のテーブルおよび／または支持構造上で実行されてよい。

[0036] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすために、基板の少なくとも一部が比較的大きな屈折率を有する液体、例えば水で覆われていてよいタイプのものとすることもできる。液浸技術は投影システムの開口数を大きくするために当技術分野ではよく知られている。本明細書において使用されている通りの用語「液浸」は、基板のなどの構造体が液体中に沈められなければならないことは意味しないが、むしろ、露光中に液体が投影システムと基板との間に所在していることのみを意味する。

[0037] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受光する。例えば放射源がエキシマレーザであると、放射源およびリソグラフィ装置は別個の実体とすることができる。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成しているとは考えられず、かつ、放射ビームは、例えば適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤの支援を得て、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに通される。他の場合、放射源は、例えば放射源が水銀ランプであると、リソグラフィ装置の一体化された一部であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ばれてよい。

[0038] イルミネータＩＬは放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでよい。一般的に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）外側および／または内側半径範囲は調節可能である。加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の構成部分を含んでよい。イルミネータは、放射ビームの断面における所望の均一度および強度分布を有するように、放射ビームを調節するために使用されてよい。

[0039] 放射ビームＢは支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、かつ、パターニングデバイスによりパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横切ると、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または、静電容量センサ）の支援を得て、基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路内に異なった各ターゲット部分Ｃを位置決めするように、正確に移動可能である。同様に、第１のポジショナＰＭおよび（図１には明示的に描かれていない）他の位置センサは、例えばマスクライブラリからの機械式取出しの後、または、スキャン中などに、放射ビームＢの経路に関してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用可能である。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の支援を得て実現されてよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現されてよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントされてよい。示されているような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有しているが、これらのマークはターゲット部分間の各空間（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）に所在していてもよい。同様に、２個以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークがダイ間に所在していてもよい。

[0040] 示されている装置は以下のモードの少なくとも１つにおいて使用可能である。

[0041] １．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンはターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。支持構造ＭＴに対して相対的な基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率およびイメージ反転特性により決定されてよい。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限しているのに対し、スキャン移動の長さがターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定している。

[0042] ２．他のモードにおいては、支持構造ＭＴが基本的に静止に保たれ、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされている間に、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードにおいては、一般にパルス放射源が採用され、かつ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または、スキャン中の連続した放射パルス同士の間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記に言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用したマスクレスリソグラフィに直ちに適用可能である。

[0043] 本発明の一実施形態において、パターニングデバイスパターン２００は、図２に示されたように、Ｘ軸に実質的に平行な構造上の方向を持つ高密度ライン２１０および孤立ライン２２０、ならびに、Ｙ軸（パターンをイメージングするために使用される装置のスキャン方向）に実質的に平行な構造上の方向を持つ孤立ライン２３０を含んでいる。ライン２２０および２３０はそれぞれの線幅ＣＤ２２０およびＣＤ２３０を有し、これらは定格として同じである。すなわち、ＣＤ２２０＝ＣＤ２３０である。

[0044] 図３は、水平高密度ライン３１０、水平ライン３２０、および、垂直３３０を含むレジスト内の対応するプリントされたラインの概略を示している。例えば投影システムおよび照明システムを含むイメージングシステムにおける対称的な加熱により、レジスト内のプリントライン３２０の幅ＣＤ３２０は、レジスト内のプリントライン３３０の幅ＣＤ３３０よりも小さい。そのため、フィーチャ３２０のサイズ誤差によるプリントされたフィーチャ３３０と３２０の幅の間にＨ−Ｖ差がある。本発明の一実施形態によれば、Ｈ−Ｖ差に関する情報が得られる。例えば、Ｈ−Ｖ差ΔＣＤ＝ＣＤ３２０−ＣＤ３３０は、試験リソグラフィ工程を行い、幅ＣＤ３２０およびＣＤ３３０を、例えば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して測定することにより測定可能である。代案として、または、加えて、サイズ誤差は、例えばリソグラフィの露光およびプリント工程のコンピュータシミュレーションを使用して予測されてもよい。このコンピュータシミュレーションは、測定または予測された投影システムの収差を含むリソグラフィプロセスデータに基づくものであってもよい。収差の予測は、投影システムの１つまたは複数の光エレメントの前述の加熱により誘発された収差効果の予測を含んでもよい。

[0045] 一般的に、リソグラフィスキャン投影装置は、基板上へのパターニングデバイスパターンのイメージングのための−０．２５の（縮小比Ｍとも呼ばれる）拡大率Ｍで動作する。すなわち、Ｍ＝−０．２５である。スキャン装置においては、パターンのイメージへの基板Ｗのターゲット部分の露光は、パターンスキャン速度Ｖｐでスキャン方向に沿ってマスクＭＡ（または、プログラマブルパターニングデバイスを使用している時はパターンフィーチャ）を移動させる一方、これと同期して、相当する基板スキャン速度Ｖｓでスキャン方向に沿って基板Ｗを実質的に逆平行の方向に移動させることにより提供される。パターンスキャン速度Ｖｐに対する基板スキャン速度Ｖｓの比Ｒは、投影システムの拡大率の観点から、Ｒ＝Ｖｓ／Ｖｐ＝Ｍ＝−０．２５により与えられる。

[0046] 図４においては、基板Ｗの部分４０１が示されている。スキャン方向およびスキャン速度ＶｓがそれぞれベクトルＶｓ矢印およびこの矢印の長さにより示されている。フィーチャ２１０、２２０、および、２３０を含むパターン２００の基板Ｗ上のイメージ４００が領域４１０、４２０、および、４３０により示されている。これらの領域は、明るいフィールドにおける未露光の領域であり得るか、暗いフィールドにおける露光済みの領域であり得る。スキャン速度比Ｒにおいて、イメージ４００は、露光中に基板に関して静止している。イメージ４００のスキャン方向およびスキャン速度Ｖｉは，それぞれベクトルＶｉ矢印およびこの矢印の長さにより示されている。本発明の一実施形態によるＣＤ制御のない場合、パターン２００のイメージ４００は露光中に基板に関して移動していない。なぜなら、イメージスキャン方向およびイメージスキャン速度Ｖｉが、実質的に等しいベクトルＶｉおよびＶsの方向および長さにより図４に示されたように、基板のスキャン方向およびスキャン速度Ｖｓに等しいからである。

[0047] 本発明の一実施形態によれば、サイズ誤差制御のある場合に、フィーチャ２２０のイメージ４２０のスキャン方向に沿った所望のフェイディングが、露光中に実質的に一定なフェイディング速度Ｖｆで基板に対して相対的にイメージ４００を移動させることにより提供される。所望の量のフェイディングは、サイズ誤差ΔＣＤに関して得られた情報に基づき決定される。相対移動は、Ｖｓよりも低い値またはＶｓよりも高い値のいずれかであってよい値Ｖｉ’にイメージスキャン速度Ｖｉを調節する一方、平均基板スキャン速度ＶｓをＶｓ＝ＭＶｐに従って維持することにより得られる。図４において、ベクトルＶｉ’の長さは、サイズ誤差制御のある場合のイメージスキャン速度を示し、ベクトルＶｆの長さは、結果的な相対フェイディング速度Ｖｆを示す。

[0048] フェイディング速度Ｖｆは、スキャン方向に沿った投影システムの拡大率Ｍｙの変化量ΔＭｙに線形的に比例している。一実施形態によれば、拡大率Ｍｙの変化量ΔＭｙを適用することは、投影システムのアナモルフィックな拡大率の制御を提供することにより可能とされる。アナモルフィックな拡大率のない場合、投影システムの拡大率Ｍは、投影システムの光軸に関して対称である。そのため、Ｍｙ＝Ｍｘ＝Ｍとなり、ここで、Ｍｘはスキャン方向に実質的に垂直なＸ方向に沿った拡大率である。拡大率Ｍｙの変化量ΔＭｙが存在する場合、基板に対して相対的なイメージ４００のフェイディング速度は以下の通りとなる。
Ｖｆ＝ΔＭｙＶｐ

[0049] フェイディングの効果は図５に示されている。露光量Ｅが垂直軸に沿ってプロットされ、図４の線ＡＡに沿ったＹ座標が水平軸に沿ってプロットされている。図４の線ＡＡに沿った露光量分布５２０は、スキャン方向に沿ったフェイディングのない場合のフィーチャイメージ４２０のレジスト内のイメージ強度の断面を表している。ダッシュ曲線５２１は、フェイディングのある場合のイメージの同様の断面を表している。本実施形態において、フィーチャ２２０は、明るい背景上の基板Ｗ上に暗いライン形状のイメージを提供するためなどに実施される。

[0050] このようなラインイメージを提供するためのタイプのパターニングデバイスは不可欠ではなく、かつ、ガラスバイナリマスク上のクロム、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスク（PSM）、クロムレスＰＳＭ、または、レベンソン型（alternating）ＰＳＭなどのいずれのパターニングデバイスタイプであってもよい。

[0051] ポジ型レジスト内の現像可能な潜像イメージが形成される閾値露光エネルギは、露光量Ｅｔｈにより示され、フェイディングのない場合の（レジストの現像時に得られる通りの）線幅に対する見積もり値は、長さＣＤ３２０により概略が示されている。露光済みレジストの現像の後、幅ＣＤ３２０を有する未露光レジストのラインフィーチャが得られる。

[0052] 曲線５２１により示された通りのフィーチャイメージ４２０のフェイディングの効果は、残存するレジストフィーチャの幅が、図５における矢印ＣＤ３２１により示されている通りにＣＤ３２０からＣＤ３２１に増加されることである。

[0053] 本発明の一実施形態によれば、イメージフェイディングは、露光中に実質的に一定のフェイディング速度Ｖｆで基板Ｗに対して相対的にイメージ４００を移動させることにより提供される。ＣＤ３２０からＣＤ３２１へのＣＤの増加は、一般にフェイディング速度Ｖｆの非線形関数である。フェイディング速度とＣＤ３２０の変化量との間の関数関係は、一連の較正リソグラフィプリント工程を実行することにより確立可能であり、パターン２００はアナモルフィック拡大率変化量ΔＭｙの異なった設定で異なったターゲット部分上にプリントされる。代案として、または、それに加えて、この関係はコンピュータシミュレーションからも得られてよい。複数のアナモルフィック拡大率変化量ΔＭｙ値にリンクされた複数のＣＤ変化量を含んだルックアップテーブルがコンピュータ読み取り可能媒体に保存されてよく、かつ、ＣＤ３２１がＣＤ３３０に等しくなり、そのため、Ｈ−Ｖ差が低減される所望のフェイディング速度Ｖｆを決定するために使用されてよい。

[0054] 本発明の実施形態によるＨ−Ｖ制御を伴う使用に適した縮小比Ｍにおける値ΔＭｙの典型的な範囲は、３×１０^−６＜ΔＭｙ／Ｍ＜１５×１０^−６である。

[0055] リソグラフィ投影システムのＸ／Ｙ対称拡大率は、例えば、光レンズエレメントを光軸に沿って、かつ、光アセンブリの残り部分に対して相対的に移動させることにより調節可能である。拡大率の調節は、Ｘ方向およびＹ方向において等しくなる。なぜなら、光レンズエレメントの位置を調節する効果が光アセンブリの光軸の周囲に軸対称となっているからである。

[0056] Ｘ軸のみにおいて拡大率を変化させるために、かつ、図６に示されているように、投影システムＰＳは、例えば、球形表面を持ついくつかのレンズエレメント６１０（投影システムの光軸ＯＡに関して回転対称）と、それぞれ円筒形表面６２１および６３１を持つ２つのエレメント６２０および６３０から作られていてよい。

[0057] エレメント６２０は、これの円筒形表面６２１がＹ軸において曲率を持たず、かつ、Ｘ軸において非常に弱く負になるように、円筒形となっている。エレメント６３０は、これの円筒形表面６３１がＹ軸において曲率を持たず、かつ、Ｘ軸において非常に弱く正になるように、円筒形となっている。エレメント６２０の焦点長はエレメント６３０の焦点長にほぼ等しく、かつ、符号が逆である。ここで、＋−０．５％の範囲にわたる拡大率の変化が達成されてよい。拡大率は、軸ＯＡに沿って、エレメント６２０に対して相対的にエレメント６３０の軸に関する変位６４０の関数として、および／または、その逆で実質的に線形に変化する。

[0058] 高分解能リソグラフィレンズを備えたアナモルフィック拡大率変化を提供する実行可能性を示す投影システムの設計は、米国特許第ＵＳ５７１０６１９号明細書から収集可能である。

[0059] アナモルフィック拡大率の変化を可能にする投影システムの多くの考えられる構成がある。設計の目標はエレメントの数、および、必要な移動制御の複雑さを最少に抑えることである。上記の実施形態の他の変形例が可能である。例えば、一方向のみにおける拡大率制御のための円筒形エレメント６２０および６３０は、同様の結果を伴う対称的な拡大率制御のために使用されるエレメントの内部に定置されてよい。投影システムＰＳの残り部分に対して相対的な両エレメント６２０および６３０の移動は、拡大率制御を提供するために使用されてよく、これは、必要な拡大率の範囲が非常に大きいか、または、走行の範囲の低減が必要である場合に、有益であってよい。双方の円筒形エレメント６２０および６３０の移動は、一般に、１つのエレメントのみの移動よりも複雑となる。

[0060] 他の考えられる設計の選択肢は、Ｘ軸における拡大率制御のための２つの円筒形エレメント、および、Ｙ方向における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントを含んでおり、これは、２つの次元における拡大率の完全に独立した制御を可能にする。

[0061] 代案の可能な設計の選択肢は、この２つの円筒形レンズ６２０および６３０がなく、かつ、位置の変更または形状の変化が可能である１つまたは複数の光エレメントを含む投影システムを使用することである。例えば、この投影システムは、光エレメントに適した力をかける１つまたは複数のマニピュレータの手段により、形状が軸対称から鞍型表面に変更可能である球形光学表面を有する適応光エレメントを含んでいてよい。このような適応エレメントは、ゼルニケ収差Ｚ３の値のＹ方向に沿った変化の空間比率に主に影響を及ぼすように構成されていてよい。Ｙ方向に沿ったＺ３の変化の第１の実質的に一定な比率からＹ方向に沿ったＺ３の変化の第２の実質的に一定な比率への変化は、拡大率の変化ΔＭｙに等価である。

[0062] 光学拡大率の変化ΔＭｙの制御はコントローラ１００により提供される。円筒形レンズの軸に関する変位または光エレメント変形マニピュレータの設定などの変化ΔＭｙを提供するための上述の実施形態は、コントローラ１００により供給される制御信号と、その結果となる拡大率変化ΔＭｙとの間の関係を確立するために、較正が可能である。１つまたは複数の円筒形レンズの１つまたは複数の変位をそれぞれの拡大率変化ΔＭｙに結び付ける較正データは、コンピュータ読み取り可能な媒体内にルックアップテーブルとして保存が可能である。代案として、または、加えて、１つまたは複数の光エレメント変形マニピュレータの設定をそれぞれの拡大率変化ΔＭｙに結び付ける較正データも、同じくルックアップテーブルとして保存が可能である。いずれのそのような較正データは、アナモルフィック拡大率制御データと呼ばれる。

[0063] 本発明の実施形態によれば、（Ｈ−Ｖ誤差を低減するための）Ｙ軸に沿った拡大率の所望の変化は本投影システムに適用可能であり、制御信号の決定はサイズ誤差の予測値または測定値、および、アナモルフィック拡大率制御データに基づいている。コントローラ１００との使用のために、コンピュータ読み取り可能な媒体上に記録された指示を含むコンピュータプログラム製品が提供されてよく、この指示は、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法を実行するようにリソグラフィ装置を制御し、この方法は放射のパターンに基板の表面を露光する工程であって、パターンがフィーチャのイメージを含む工程と、表面に実質的に平行な所定の方向に沿って露光中に基板に対して相対的にイメージを移動させる工程と、移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより、所定の方向に沿ったフィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含んでいる。このプログラムを実行する際は、スキャナ装置に含まれたコントローラ１００は、アナモルフィック拡大率制御データ、ならびに、フィーチャのサイズおよび所望のサイズに関する情報を取り出すか、または、受け取ってよい。このデータに基づき、コントローラはΔＭｙの所望の値を算出し、投影システムＰＳに適用するように構成されている。

[0064] 上述の方法の長所は、装置のスキャン方向に実質的に垂直な方向に沿って延在する細長いフィーチャのサイズが、同じ細長いフィーチャまたはスキャン方向に沿って延在する他の細長いフィーチャのサイズとは独立に影響を受け得、かつ、制御が可能であることである。特に、図３の水平フィーチャ３２０のサイズＣＤ３２０は、垂直フィーチャ３３０のサイズＣＤ３３０に影響を及ぼさずに調節が可能である。

[0065] フィーチャのＣＤまたは別のターゲット部分にわたる同様のフィーチャのＣＤ均一度を制御するための方法は、スキャン中に放射の定格波長に対する最善イメージ平面に対して相対的に基板テーブルを傾ける工程を含む。その結果、ターゲット部分の各部分は、最善イメージ平面に実質的に垂直なＺ方向に沿った軸上の位置の範囲全体において露光される。この範囲は、最善焦点位置の周辺を中心としており、フィーチャの結果的なイメージングは対応する焦点の外れたフィーチャイメージの重ね合わせを含んでいる。このことは、上述のものと同様のスミア効果をもたらすが、このスミアはイメージのＸ／Ｙ平面においていずれの方向に関しても等方性を持っている。したがって、このようなＣＤ制御方法を使用すると、本発明の実施形態の長所は達成不能となる。同様に、光源帯域幅の変更、または、σなどの照明の設定、および、球面収差などの投影システムの設定を含む等方高密度バイアスに影響を及ぼすいずれかのパラメータの変更に基づく方法などのＣＤ制御の他の方法は、垂直なフィーチャのＣＤ制御とは独立した水平フィーチャのＣＤ制御を提供することはできない。

[0066] 投影システムのアナモルフィック拡大率の制御に基づくＣＤ制御方法の追加または代案の長所は、例えばフィーチャ３２０などの水平ライン形状フィーチャなどのＣＤに及ぼす効果が実質的にフィールドとは独立していることである。拡大率ΔＭｙの変化により誘発される基板に関するフィーチャイメージ４２０のスキャン露光中の相対移動は、パターン２００のＸ軸に沿った位置とは独立している。したがって、誘発されたフェイディングおよびＣＤ調節はフィールドとは独立しており、これは、改善されたＣＤ均一度に貢献する。

[0067] 本発明の実施形態によるＣＤ制御方法は、プリントされた高密度フィーチャとプリントされた同様だがさらに孤立したフィーチャとの間の等方高密度バイアスに影響を及ぼしてよい。しかし、ＣＤに対するこの影響がフィールド内で均一であるため、上記に説明されたように、等方高密度バイアス特性の外乱もフィールド内で均一である。等方高密度バイアスのこのようなフィールド均一外乱は、露光量の変更、光源放射スペクトル帯域幅の変更、照明σの設定の変更、および／または、投影システムのＮＡ設定の変更などの知られている等方高密度制御方法を適用することにより補償が可能である。

[0068] 本発明の実施形態は、図２に示されたものなどのライン形状フィーチャの構造上の方向に依存するフィーチャのプリントされたサイズの差の発生を回避するためのプリントされたＣＤの制御に限定されない。フィーチャイメージのスミアを生成するフェイディングの効果は、スキャン方向に実質的に平行な方向に沿ったいずれのフィーチャサイズも調節および制御するために使用可能である。したがって、本発明の実施形態は、Ｙ軸に沿ったサイズを調節することにより形状を円形の形状に変更するためなど、（Ｘ方向およびＹ方向に沿った楕円の両軸を持つ）楕円形状フィーチャを調節するために使用可能である。同様に、本発明の実施形態は、水平および垂直のラインフィーチャのＣＤの制御に限定されない。フェイディングは、例えばスキャン方向に対してある角度で軸に沿って向けられたライン形状フィーチャにも等しく適用可能である。

[0069] さらに、本発明の実施形態は、イメージングシステムの非対称誤差により、レジスト内の水平フィーチャの幅がレジスト内の同様の垂直フィーチャの幅よりも小さい状況に限定されない。例えば、図５において、レジストの閾値露光量Ｅｔｈが等方フェイディング点５３０（曲線５２０および５２１が交差する点）を伴う露光量の値よりも低い場合、明るい背景に対する暗いラインのフェイディングの効果は、プリントされたラインを狭めることである。したがって、本発明の実施形態は、本発明の実施形態による補償のない場合で、レジスト内の水平フィーチャの幅がレジスト内の同様の垂直フィーチャの幅よりも大きい場合に、Ｈ−Ｖ差を補正するために使用されてよい。

[0070] 本発明の実施形態は、所定の方向に実質的に垂直な方向に沿ったフィーチャのサイズとは独立した所定の方向に沿ったフィーチャのサイズを制御するためのスキャナの使用に限定されない。ステッパには、図１に示されたＸ方向およびＹ方向に沿ってパターニングデバイスＭＡおよび／または支持構造ＭＴを移動させるためのショートストロークデバイスが設けられてよく、従来より設けられている。したがって、放射のパターンに基板の表面を露光させる工程であって、パターンがフィーチャのイメージを含む工程と、露光中に表面に実質的に平行である所定の方向に沿ってイメージに対して相対的に基板を移動させる工程と、移動の速度をゼロとは異なる一定の値に整えることにより所定の方向に沿ったフィーチャのサイズを制御する工程と、を含む基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法は、移動を提供するためのこのショートストロークデバイスを使用することにより直ちに実施されてよい。この実施形態におけるパターニングデバイスの移動は、投影システムの拡大係数Ｍに従って、イメージに対して相対的な基板の所望の移動を拡大することにより得られる。代案として、または、加えて、基板テーブルは、投影システムＰＳに関して基板テーブルＷＴを横方向に（例えば、図１のＸ方向およびＹ方向に）位置決めするショートストロークアクチュエータを使用して露光中に移動されてよい。

[0071] その結果、本発明の実施形態によれば、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法が提供され、この方法は放射のパターンに基板の表面を露光する工程であって、パターンがフィーチャのイメージを含む工程と、表面に実質的に平行な所定の方向に沿って露光中に基板に対して相対的にイメージを移動させる工程と、移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより、所定の方向に沿ったフィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含む。特に、移動の速度をゼロとは異なる値に整えることは、移動の速度とフィーチャのサイズの変化との間の関数関係を得ることを含んでよい。例えば、フィーチャが、基板に対して相対的にイメージを移動させる工程の対応する複数の速度においてプリントされる複数の較正リソグラフィプリント工程が、フィーチャの対応する複数のサイズを測定する工程と組み合わされて実行されてよい。

[0072] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置は、放射ビームを調節する照明システムと、パターニングデバイスを保持する支持体であって、パターニングデバイスが、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームに放射ビームの断面においてパターンを与えることが可能である支持体と、基板を保持する基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムと、に加えて、表面に実質的に平行な所定の方向に沿って露光中に基板に対して相対的にパターンのイメージの移動を提供するシステムと、移動の速度をゼロとは異なる値に維持するコントローラと、を含んでよい。このシステムは、基板に対して相対的なパターンのイメージの移動に対して拡大または縮小された関係で支持体を移動させるためのデバイス、および／または、基板に対して相対的なパターンのイメージの移動に従って基板テーブルを移動させるためのデバイスを含んでよい。コントローラ１００は、イメージの移動の速度を、フィーチャの所定の方向に沿った実際のサイズと所望のサイズとの間の差に従って、ゼロとは異なる値に設定し、フィーチャは、上述の方法に従って基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントする工程により作製される。

[0073] 本明細書においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照が行われていてよいが、本明細書において説明されたリソグラフィ装置が、集積光システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の実用例を有してよいことを理解されたい。当業者は、そのような代案実用例の状況において、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」それぞれと同義であると考えられてよいことを理解されよう。本明細書において言及されている基板は、例えば、トラック（典型的に、基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または、インスペクションツールにおいて、露光の前または後にプロセスされてよい。適用される場合、本明細書における開示は、そのような、または、他の基板プロセスツールに適用されてよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作製するなどのために、２回以上プロセスされてよく、そのため、本明細書において使用されている用語「基板」はプロセス済みの多数の層を既に含む基板も指してよい。

[0074] 本明細書において使用されている用語「放射」および「ビーム」は、（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、あるいは、１２６ｎｍ、又はその辺りの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射を含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。

[0075] 用語「レンズ」は、状況が許せば、屈折性および反射性の光コンポーネントを含めた様々なタイプの光コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを指してよい。

[0076] 本発明の特定の実施形態が上記に説明された一方、本発明が説明されたもの以外でも実施されてよいことを理解されよう。例えば、本発明は、上記に開示された通りの方法を記述した機械読み取り可能な指令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そのようなコンピュータプログラムを保存したデータ保存媒体（例えば、半導体メモリ、磁気、または、光ディスク）の形態を取ってよい。

[0077] 上記の説明は限定的ではなく、例示的であることを意図されている。したがって、当業者には、冒頭に述べられた特許請求の範囲から逸脱せずに、説明された通りの本発明に対して改変が行われ得ることが明らかであろう。

Claims (13)

1. 基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法であって、
   スキャン装置を用いて放射のパターンに前記基板の前記表面を露光させる工程であって、前記パターンが前記フィーチャのイメージを含む工程と、
   露光中に、投影システムのアナモルフィックな拡大により、前記表面に実質的に平行である前記スキャン装置のスキャン方向に沿って前記基板に対して相対的に前記イメージを移動させる工程と、
   前記スキャン装置の前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより、前記方向に沿った前記フィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含み、
   前記アナモルフィック拡大率の調節は、Ｘ軸における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントと、Ｙ方向における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントを制御することにより行う、方法。
2. 前記所望のサイズは、前記基板の前記表面上の他のフィーチャの前記特定の方向とは異なる方向に沿ったサイズに対応する請求項１に記載の方法。
3. 前記特定の方向とは異なる前記方向は、前記特定の方向に実質的に垂直な方向である請求項２に記載の方法。
4. 前記スキャン方向に実質的に垂直な方向に沿った拡大率に対する、前記スキャン方向に沿った拡大率と前記スキャン方向に実質的に垂直な方向に沿った拡大率との間の差の比は、３×１０^−６より大きく、１５×１０^−６よりも小さい値を有する請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
5. 前記速度を整えることは、前記移動の前記速度と前記フィーチャの前記サイズの変化量との間の関数関係を表すデータを得ることを含む請求項１乃至４の何れかに記載の方法。
6. 前記得ることは、複数の較正リソグラフィプリントプロセスを実行することを含み、前記フィーチャが、前記基板に対して相対的に前記イメージを前記移動させる対応する複数の速度でプリントされ、前記得ることはさらに、前記フィーチャの対応する複数のサイズを測定すること、を含む請求項５に記載の方法。
7. 前記速度を整えることは、前記フィーチャの前記移動の前記速度と前記フィーチャの前記サイズの変化量との間の関数関係を得ることを含む請求項１乃至６の何れかに記載の方法。
8. 前記得ることは、複数の較正リソグラフィプリントプロセスを実行することを含み、前記フィーチャが前記スキャン方向に沿ったアナモルフィック拡大率の対応する複数の設定でプリントされ、前記得ることがさらに、前記フィーチャの対応する複数のサイズを測定すること、を含む請求項７に記載の方法。
9. 放射ビームを調節する照明システムと、
   パターニングデバイスを保持する支持体であって、前記パターニングデバイスがパターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームに前記放射ビームの断面においてパターンを与えることが可能である支持体と、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板の表面上のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影し、かつ、前記表面に実質的に平行なスキャン方向に沿って露光中に前記基板に対して相対的な前記パターンのイメージの移動をもたらすアナモルフィックな拡大を提供する投影システムと、
   前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に維持するコントローラと、を含み、
   前記アナモルフィック拡大率の調節は、Ｘ軸における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントと、Ｙ方向における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントを制御することにより行う、スキャンリソグラフィ装置。
10. コンピュータ読み取り可能な媒体上に記録された指示を含むコンピュータプログラムであって、前記指示は、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法を実行するようにリソグラフィ装置を制御し、前記方法は、
    スキャン装置を用いて放射のパターンに前記基板の前記表面を露光させる工程であって、前記パターンが前記フィーチャのイメージを含む工程と、
    露光中に、投影システムのアナモルフィックな拡大により、前記表面に実質的に平行である前記スキャン装置のスキャン方向に沿って前記基板に対して相対的に前記イメージを移動させる工程と、
    前記スキャン装置の前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより前記方向に沿った前記フィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含み、
    前記アナモルフィック拡大率の調節は、Ｘ軸における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントと、Ｙ方向における拡大率制御のための２つの円筒形エレメントを制御することにより行う、コンピュータプログラム。
11. 基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法であって、
    スキャン装置を用いて放射のパターンに前記基板の前記表面を露光させる工程であって、前記パターンが前記フィーチャのイメージを含む工程と、
    露光中に、投影システムのアナモルフィックな拡大により、前記表面に実質的に平行である前記スキャン装置のスキャン方向に沿って前記基板に対して相対的に前記イメージを移動させる工程と、
    前記スキャン装置の前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより、前記方向に沿った前記フィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含み、
    前記アナモルフィック拡大率の調節は、光エレメントに適した力をかける少なくとも１つのマニピュレータ手段により、軸対称から鞍型へと形状を変更可能である球形光学表面を有する、適応光エレメントを制御することにより行う、方法。
12. 放射ビームを調節する照明システムと、
    パターニングデバイスを保持する支持体であって、前記パターニングデバイスがパターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームに前記放射ビームの断面においてパターンを与えることが可能である支持体と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記基板の表面上のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影し、かつ、前記表面に実質的に平行なスキャン方向に沿って露光中に前記基板に対して相対的な前記パターンのイメージの移動をもたらすアナモルフィックな拡大を提供する投影システムと、
    前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に維持するコントローラと、を含み、
    前記アナモルフィック拡大率の調節は、光エレメントに適した力をかける少なくとも１つのマニピュレータ手段により、軸対称から鞍型へと形状を変更可能である球形光学表面を有する、適応光エレメントを制御することにより行う、スキャンリソグラフィ装置。
13. コンピュータ読み取り可能な媒体上に記録された指示を含むコンピュータプログラムであって、前記指示は、基板の表面上にフィーチャをリソグラフィによりプリントするためのデバイス製造方法を実行するようにリソグラフィ装置を制御し、前記方法は、
    スキャン装置を用いて放射のパターンに前記基板の前記表面を露光させる工程であって、前記パターンが前記フィーチャのイメージを含む工程と、
    露光中に、投影システムのアナモルフィックな拡大により、前記表面に実質的に平行である前記スキャン装置のスキャン方向に沿って前記基板に対して相対的に前記イメージを移動させる工程と、
    前記スキャン装置の前記投影システムのアナモルフィック拡大率を調節して、前記移動の速度をゼロとは異なる値に整えることにより前記方向に沿った前記フィーチャのサイズを所望のサイズに調節する工程と、を含み、
    前記アナモルフィック拡大率の調節は、光エレメントに適した力をかける少なくとも１つのマニピュレータ手段により、軸対称から鞍型へと形状を変更可能である球形光学表面を有する、適応光エレメントを制御することにより行う、コンピュータプログラム。

Images