JP5148395B2 - 潜像強度分布の評価システム、潜像強度分布の評価方法及び潜像強度分布の評価プログラム - Google Patents
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Description
一方、リソグラフィ工程において、レジスト膜中に入射した露光光の一部がその下地層との界面で反射すると、レジスト膜中で入射光と反射光とが干渉する。この結果、レジスト膜中の入射光と反射光との間で定在波が生じ、膜厚方向に光強度が波うつように変化する露光光強度分布(潜像強度分布)が形成される。
このような露光光強度分布は、レジストパターンがミクロンオーダーと大きく、かつレジスト膜厚が厚い条件下では、レジストパターンの倒壊等に対して大きな影響を及ぼすことはない。これに対して、レジストパターンが数十ナノメートルオーダーにまで微細化されかつレジスト膜厚が薄くなると、レジストパターンの形状に及ぼす影響が大きくなり、レジストパターンを期待通りに形成することができなくなる。
また、例えば、特許文献2には、精度の高いシミュレーションモデルを得るために、光学像の光強度分布に基づいて光学像の特徴量を求め、フォトレジストパターンの形状に関する情報と光学像の特徴量との第1の相関と、フォトレジストパターンの形状に関する情報と実験スレショルドとの第2の相関を用いることで、光学像の特徴量と実験スレショルドとの第3の相関を求める方法が開示されている。
図1において、評価システムには、CPUなどを含むプロセッサ1、固定的なデータを記憶するROM2、プロセッサ1に対してワークエリアなどを提供するRAM3、プロセッサ1を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置4、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース5、外部との通信手段を提供する通信インターフェース6を設けることができ、プロセッサ1、ROM2、RAM3、外部記憶装置4、ヒューマンインターフェース5および通信インターフェース6はバス7を介して接続されている。
なお、プロセッサ1に実行させるプログラムは、外部記憶装置4に格納しておき、プログラムの実行時にRAM3に読み込むようにしてもよいし、プログラムをROM2に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース6を介してプログラムを取得するようにしてもよい。
また、外部記憶装置4としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、DVDなどの光ディスク、USBメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース5としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウス、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース6としては、例えば、インターネットやLANなどに接続するためのLANカードやモデムやルータなどを用いることができる。
また、潜像強度分布算出部1a、評価位置算出部1bおよびパターン評価部1cは、スタンドアロン型コンピュータで実現するようにしてもよいし、ネットワークを介して接続されたコンピュータで分散処理されるように構成してもよい。
図2において、基板11上には、下地層12を介してレジスト膜13が形成されている。なお、基板11としては、半導体デバイスが形成される半導体基板や、液晶パネルが形成されるガラス基板などを用いることができる。また、下地層12は、反射防止膜として機能させることができ、例えば、SOG(spin on glass)膜を用いることができる。また、マスク15には、Cr膜やハーフトーン膜などの遮光膜16が形成され、この遮光膜16にてマスクパターンを構成することができる。
このため、図1のリソグラフィシミュレータは、露光条件およびマスクパターンに基づいてレジスト膜13内における潜像強度分布をシミュレートし、その潜像強度分布に基づいてくびれ13aの位置を特定し、そのくびれ13aの位置の潜像強度を評価することで、所望のパターンが形成可能か否かを判断することができる。
図3において、図1の潜像強度分布算出部1aは、露光条件およびマスクパターンに基づいて、図2のレジスト膜13内の潜像強度分布をシミュレーションによって算出する(ステップS1)。なお、レジスト膜13内の潜像強度分布をシミュレーションする場合、レジストパターンの形成に用いるプロセス条件に基づいた物理モデルを用いるようにしてもよいし、そのプロセス条件に基づいた統計モデルによって変調された潜像強度分布を用いるようにしてもよい。このプロセス条件としては、例えば、露光条件、ベーキング条件、現像条件などを用いることができる。また、プロセス条件に基づいた統計モデルによって変調された潜像強度分布としては、レジスト分解物質の拡散長を振った潜像強度分布を用いることができる。
また、本実施例に示すように、露光条件を変化させたときの潜像強度の変化が最も大きくなる膜厚方向における位置を評価位置として、潜像強度がしきい値T以下となる領域Sの膜表面方向の寸法が最小となるくびれ位置である評価位置Hとすることもできる。ここで、しきい値Tは、レジスト膜13の膜厚方向に対して所定の位置の潜像強度分布、あるいは膜厚方向について所定の範囲で平均化された潜像強度分布について、その潜像強度分布における潜像強度がしきい値T以下となる領域Sの膜表面方向における寸法または形状が所望の寸法または形状に一致するように定める(ステップ2)。また、しきい値Tは、評価位置算出部1bにて決定するようにしてもよいし、外部から与えられるようにしてもよい。
本実施例では、上記しきい値T以下の領域Sの膜表面方向の寸法が最小となるくびれ位置である評価位置Hを求める(ステップ3)。
図6において、SOG膜の膜厚が大きくなると、評価値Aが大きくなることから、SOG膜の膜厚を大きくすることで、レジスト形状の安定性を増大させることができ、レジストパターンをより形成しやすくできることが判った。なお、評価値Aとしては、図7に示すように、しきい値T以下の潜像強度Iをもつ領域Sの強度の積算値(図7の斜線部)をしきい値Tに対する比で評価した値を用いた。
また、図6において、フォーカス位置を膜厚方向に若干ずらすことによっても、評価値Aを増大させることができ、レジストパターンをより形成しやすくできる。
Claims (4)
- 露光条件およびマスクパターンに基づいて、レジスト膜内の膜厚方向における潜像強度分布を算出する潜像強度分布算出部と、
前記潜像強度分布算出部にて算出された潜像強度分布に基づいて、前記レジスト膜内の膜厚方向における評価位置を算出する評価位置算出部と、
前記評価位置算出部にて算出された評価位置の潜像強度に基づいて、前記レジスト膜に形成されるパターンの特徴を評価するパターン評価部とを備え、
前記レジスト膜内の膜厚方向における評価位置は、前記パターンが膜厚方向の位置においてくびれている部分であることを特徴とする潜像強度分布の評価システム。 - 前記パターンの特徴は、前記レジスト膜の形状の安定性または形状起因のマージンであることを特徴とする請求項1に記載の潜像強度分布の評価システム。
- 露光条件およびマスクパターンに基づいて、レジスト膜内の膜厚方向における潜像強度分布を求めるステップと、
前記レジスト膜内の膜厚方向における潜像強度分布に基づいて、前記レジスト膜のくびれ部分である評価位置を求めるステップと、
前記求められた評価位置の潜像強度が許容範囲内であるか否かを評価するステップとを備えることを特徴とする潜像強度分布の評価方法。 - 露光条件およびマスクパターンに基づいて、レジスト膜内の膜厚方向における潜像強度分布を求めるステップと、
前記レジスト膜内の膜厚方向における潜像強度分布に基づいて、前記レジスト膜のくびれ部分である評価位置を求めるステップと、
前記求められた評価位置の潜像強度が許容範囲内であるか否かを評価するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする潜像強度分布の評価プログラム。
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