JPH0580499A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0580499A JPH0580499A JP3240027A JP24002791A JPH0580499A JP H0580499 A JPH0580499 A JP H0580499A JP 3240027 A JP3240027 A JP 3240027A JP 24002791 A JP24002791 A JP 24002791A JP H0580499 A JPH0580499 A JP H0580499A
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- resist film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、フォトリソグラフィ技術を用いたパ
ターン形成方法に関し、解像力の向上と実効的な焦点深
度の増大とを共に図ることができ、かつ処理に要する手
間やコストの点でより実用的なパターン形成方法を提供
することを目的とする。 【構成】波長３００ｎｍ以上の露光光に対するＤｉｌｌ
のＡパラメータが１．０以上であるレジストを被パター
ニング体３上に塗布して、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍ
のレジスト膜を形成する工程と、波長３００ｎｍ以上の
露光光を前記レジスト膜に選択的に照射して該レジスト
膜にマスクパターンを転写する工程と、前記レジスト膜
を現像して前記マスクパターンに対応するレジストパタ
ーン４ａ，４ｂを形成する工程とを含み構成する。
ターン形成方法に関し、解像力の向上と実効的な焦点深
度の増大とを共に図ることができ、かつ処理に要する手
間やコストの点でより実用的なパターン形成方法を提供
することを目的とする。 【構成】波長３００ｎｍ以上の露光光に対するＤｉｌｌ
のＡパラメータが１．０以上であるレジストを被パター
ニング体３上に塗布して、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍ
のレジスト膜を形成する工程と、波長３００ｎｍ以上の
露光光を前記レジスト膜に選択的に照射して該レジスト
膜にマスクパターンを転写する工程と、前記レジスト膜
を現像して前記マスクパターンに対応するレジストパタ
ーン４ａ，４ｂを形成する工程とを含み構成する。
Description
【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図３） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）第１の実施例（図１，図２） （２）第２の実施例（図１，図２） （３）第３の実施例（図１，図２） （４）第４〜第７の実施例（図１，図２） （５）第８〜第１１の実施例（図１，図２） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法に関
し、より詳しくは、フォトリソグラフィ技術を用いたパ
ターン形成方法に関する。
し、より詳しくは、フォトリソグラフィ技術を用いたパ
ターン形成方法に関する。
【０００３】近年、半導体装置の高集積度化に伴うパタ
ーンの微細化のため、フォトリソグラフィ技術を用いた
パターン形成方法においては、マスクとしてのレジスト
パターンを形成する際に、露光光の短波長化及びレンズ
開口数ＮＡの大型化による解像力の向上が行われてい
る。一方、多層化のため半導体基板表面の段差は増大す
る傾向にある。従って、解像力の向上を図りつつ、焦点
深度の増大を図ることが必要である。
ーンの微細化のため、フォトリソグラフィ技術を用いた
パターン形成方法においては、マスクとしてのレジスト
パターンを形成する際に、露光光の短波長化及びレンズ
開口数ＮＡの大型化による解像力の向上が行われてい
る。一方、多層化のため半導体基板表面の段差は増大す
る傾向にある。従って、解像力の向上を図りつつ、焦点
深度の増大を図ることが必要である。
【０００４】
【従来の技術】従来例のレジストパターンの形成方法に
おいては、単層レジスト法や多層レジスト法を用いた方
法があり、それぞれ用途により使い分けられている。
おいては、単層レジスト法や多層レジスト法を用いた方
法があり、それぞれ用途により使い分けられている。
【０００５】（１）単層レジスト法では、エッチング耐
性，レジスト膜／被パターニング体界面での反射の影
響，被パターニング体の凹凸を考慮して１．０μｍ以上
の膜厚のレジスト膜を形成している。
性，レジスト膜／被パターニング体界面での反射の影
響，被パターニング体の凹凸を考慮して１．０μｍ以上
の膜厚のレジスト膜を形成している。
【０００６】しかしながら、近年のパターンの微細化に
よってレジストパターンのアスペクト比が大きくなった
り、また、露光装置のレンズの高ＮＡ化によってレジス
ト膜表面への露光光の入射角が大きく、即ち露光光の進
入深さが浅くなったりして、レジスト膜中の膜厚方向で
の光強度分布の差が大きくなっている。
よってレジストパターンのアスペクト比が大きくなった
り、また、露光装置のレンズの高ＮＡ化によってレジス
ト膜表面への露光光の入射角が大きく、即ち露光光の進
入深さが浅くなったりして、レジスト膜中の膜厚方向で
の光強度分布の差が大きくなっている。
【０００７】以上のように、光学系が浅い焦点深度を有
する等のため、図３（ａ）に示すように、形成されたレ
ジストパターン２ａ，２ｂが膜厚方向の中央部で細った
り、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン２ｃ，
２ｄ／被パターニング１体界面でレジストパターン２
ｃ，２ｄの切れが悪くなってレジストパターン２ｃ，２
ｄが裾を引いたりし、正常なレジストパターン２ｃ，２
ｄが得られないという問題がある。
する等のため、図３（ａ）に示すように、形成されたレ
ジストパターン２ａ，２ｂが膜厚方向の中央部で細った
り、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン２ｃ，
２ｄ／被パターニング１体界面でレジストパターン２
ｃ，２ｄの切れが悪くなってレジストパターン２ｃ，２
ｄが裾を引いたりし、正常なレジストパターン２ｃ，２
ｄが得られないという問題がある。
【０００８】（２）また、多層レジスト法は、解像力の
向上のため、露光光が短波長化され、レンズが高開口数
化された結果浅い焦点深度を有するようになった光学系
を補完し、実効的に深い焦点深度に相当する結果が得ら
れるようにしたもので、２層レジスト法や３層レジスト
法が主に用いられている。
向上のため、露光光が短波長化され、レンズが高開口数
化された結果浅い焦点深度を有するようになった光学系
を補完し、実効的に深い焦点深度に相当する結果が得ら
れるようにしたもので、２層レジスト法や３層レジスト
法が主に用いられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、多層レジスト
法では多層のレジスト膜の処理が必要となり、処理工程
数の増加や、コストの増大を招き、実用上問題がある。
法では多層のレジスト膜の処理が必要となり、処理工程
数の増加や、コストの増大を招き、実用上問題がある。
【００１０】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、解像力の向上と実効的な焦点深度の増大
とを共に図ることができ、かつ処理に要する手間やコス
トの点でより実用的なパターン形成方法を提供すること
を目的とするものである。
されたもので、解像力の向上と実効的な焦点深度の増大
とを共に図ることができ、かつ処理に要する手間やコス
トの点でより実用的なパターン形成方法を提供すること
を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、波
長３００ｎｍ以上の露光光に対するＤｉｌｌのＡパラメ
ータが１．０以上のレジストを被パターニング体上に塗
布して、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形
成する工程と、波長３００ｎｍ以上の露光光を前記レジ
スト膜に選択的に照射して該レジスト膜にマスクパター
ンを転写する工程と、前記レジスト膜を現像して前記マ
スクパターンに対応するレジストパターンを形成する工
程とを有するパターン形成方法によって達成され、第２
に、前記形成すべきレジストパターンの幅が０．６μｍ
以下であることを特徴とする第１の発明に記載のパター
ン形成方法によって達成され、第３に、前記レジスト膜
にマスクパターンを転写する工程において、開口数（Ｎ
Ａ）が０．４５以上のレンズを介して前記露光光を照射
することを特徴とする第１又は第２の発明に記載のパタ
ーン形成方法によって達成され、第４に、前記レジスト
は染料を含有していることを特徴とする第１，第２又は
第３の発明に記載のパターン形成方法によって達成さ
れ、第５に、前記レジストは、ヒドロキシ化合物の水酸
基の少なくとも一部がアルキルエーテル化，アリールエ
ーテル化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステ
ル化された化合物を含んでいることを特徴とする第１，
第２，第３又は第４の発明に記載のパターン形成方法に
よって達成される。
長３００ｎｍ以上の露光光に対するＤｉｌｌのＡパラメ
ータが１．０以上のレジストを被パターニング体上に塗
布して、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形
成する工程と、波長３００ｎｍ以上の露光光を前記レジ
スト膜に選択的に照射して該レジスト膜にマスクパター
ンを転写する工程と、前記レジスト膜を現像して前記マ
スクパターンに対応するレジストパターンを形成する工
程とを有するパターン形成方法によって達成され、第２
に、前記形成すべきレジストパターンの幅が０．６μｍ
以下であることを特徴とする第１の発明に記載のパター
ン形成方法によって達成され、第３に、前記レジスト膜
にマスクパターンを転写する工程において、開口数（Ｎ
Ａ）が０．４５以上のレンズを介して前記露光光を照射
することを特徴とする第１又は第２の発明に記載のパタ
ーン形成方法によって達成され、第４に、前記レジスト
は染料を含有していることを特徴とする第１，第２又は
第３の発明に記載のパターン形成方法によって達成さ
れ、第５に、前記レジストは、ヒドロキシ化合物の水酸
基の少なくとも一部がアルキルエーテル化，アリールエ
ーテル化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステ
ル化された化合物を含んでいることを特徴とする第１，
第２，第３又は第４の発明に記載のパターン形成方法に
よって達成される。
【００１２】
【作用】本発明のパターン形成方法においては、第１
に、波長３００ｎｍ以上の露光光に対してＤｉｌｌのＡ
パラメータが１．０以上のレジストを塗布し、膜厚０．
３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形成し、波長３００
ｎｍ以上の露光光をレジスト膜に選択的に照射してい
る。
に、波長３００ｎｍ以上の露光光に対してＤｉｌｌのＡ
パラメータが１．０以上のレジストを塗布し、膜厚０．
３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形成し、波長３００
ｎｍ以上の露光光をレジスト膜に選択的に照射してい
る。
【００１３】上記のように、レジスト膜厚が０．３μｍ
〜０．９μｍと比較的薄い。このため、 （１）実効的な焦点深度の向上を図ることができる。特
に、表１に示すように、マスクパターンサイズが０．６
μｍ以下の場合、向上が顕著になる。 （２）また、特に、解像力の向上等のために開口数が
０．４５以上のレンズを介して露光光を照射する場合、
レジスト膜への露光光の入射角が増大するので、レジス
ト膜厚が厚いと、レジスト膜中の膜厚方向の光強度分布
の差が顕著になるが、レジスト膜厚を薄くすることによ
り、その差を小さくすることができ、表１に示すよう
に、実効的な焦点深度の向上を図ることができる。
〜０．９μｍと比較的薄い。このため、 （１）実効的な焦点深度の向上を図ることができる。特
に、表１に示すように、マスクパターンサイズが０．６
μｍ以下の場合、向上が顕著になる。 （２）また、特に、解像力の向上等のために開口数が
０．４５以上のレンズを介して露光光を照射する場合、
レジスト膜への露光光の入射角が増大するので、レジス
ト膜厚が厚いと、レジスト膜中の膜厚方向の光強度分布
の差が顕著になるが、レジスト膜厚を薄くすることによ
り、その差を小さくすることができ、表１に示すよう
に、実効的な焦点深度の向上を図ることができる。
【００１４】これにより、解像力の向上と焦点深度の増
大とを共に図ることができる。また、単層のレジスト膜
を形成するだけでよいので、処理に要する手間やコスト
の点でより実用的なパターン形成方法を提供することが
できる。
大とを共に図ることができる。また、単層のレジスト膜
を形成するだけでよいので、処理に要する手間やコスト
の点でより実用的なパターン形成方法を提供することが
できる。
【００１５】一方、本発明のパターン形成方法によれ
ば、上記のようにレジスト膜厚が薄い場合に生じ易い下
記の２つの問題を、特に有効に解決することができる。
即ち、（ａ）定在波が発生し、レジストパターンの側壁
が波うったり（図１（ｂ））し易くなるが、１．０以上
のＤｉｌｌのＡパラメータを有するレジストを用いるこ
とにより、レジスト膜は露光光又は反射光を適度に吸収
し、また、干渉を抑制して定在波の発生を抑制すること
ができる。
ば、上記のようにレジスト膜厚が薄い場合に生じ易い下
記の２つの問題を、特に有効に解決することができる。
即ち、（ａ）定在波が発生し、レジストパターンの側壁
が波うったり（図１（ｂ））し易くなるが、１．０以上
のＤｉｌｌのＡパラメータを有するレジストを用いるこ
とにより、レジスト膜は露光光又は反射光を適度に吸収
し、また、干渉を抑制して定在波の発生を抑制すること
ができる。
【００１６】更に、（ｂ）レジストと被パターニング体
との界面での現像時間が相対的に長くなるので、他の部
分と比較して特に界面部分で現像液によるレジスト膜の
浸食が進みやすくなり、レジストパターンにアンダーカ
ットが入るというようなくい込み現象（Micro Groove）
が発生し易くなる（図２（ｄ））が、ヒドロキシ化合物
の水酸基の少なくとも一部がアルキルエーテル化，アリ
ールエーテル化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸
エステル化された化合物を含んでいるレジストを用いる
ことにより、レジストを構成する分子の分子構造が大き
くなるので、現像液によるレジスト膜の溶解レートが遅
くなり、上記のくい込み現象（Micro Groove）を抑制す
ることができる。
との界面での現像時間が相対的に長くなるので、他の部
分と比較して特に界面部分で現像液によるレジスト膜の
浸食が進みやすくなり、レジストパターンにアンダーカ
ットが入るというようなくい込み現象（Micro Groove）
が発生し易くなる（図２（ｄ））が、ヒドロキシ化合物
の水酸基の少なくとも一部がアルキルエーテル化，アリ
ールエーテル化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸
エステル化された化合物を含んでいるレジストを用いる
ことにより、レジストを構成する分子の分子構造が大き
くなるので、現像液によるレジスト膜の溶解レートが遅
くなり、上記のくい込み現象（Micro Groove）を抑制す
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明のパターン形成方法を実施例に
より詳細に説明する。即ち、本発明の実施例のパターン
形成方法として、（ａ）〜（ｄ）の材料を用いて（ａ）
〜（ｄ）の工程を行う。 （ａ）樹脂 ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール（仕込
み比：１／１）よりなるノボラック樹脂１００重量部 溶剤 ：乳酸エチル４００重量部 感光剤：２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸クロライドから合成したキノンジアジドスルホン酸
エステル系感光剤（エステル化率７０％） 添加剤：無し、又はヒドロキシ化合物の水酸基の少なく
とも一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル化，
スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化された
化合物 を露光光に対するＤｉｌｌのＡパラメータが１．０以上
となるように配合したレジスト溶液を調製する。 （ｂ）レジスト膜との密着性を向上させるためヘキサメ
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施したSiウエハ上に
上記のレジストを塗布する。このとき、レジストは平坦
面上に膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜が形成
されるような塗布条件で塗布される。その後、温度９０
℃，時間６０〜９０秒の条件で加熱処理を行い、塗布さ
れたレジストを硬化して、レジスト膜を形成する。 （ｃ）開口数ＮＡが０．４５以上のレンズを有する縮小
投影露光装置を用い、かつ種々の幅（０．７／０．６／
０．５／０．４μｍ）を有するマスクパターンに基づい
て、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）をレジスト膜に選択的に照
射する。 （ｄ）温度１１０℃，時間６０〜９０秒の条件で、レジ
スト膜の加熱処理を行った後、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液
を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する。
より詳細に説明する。即ち、本発明の実施例のパターン
形成方法として、（ａ）〜（ｄ）の材料を用いて（ａ）
〜（ｄ）の工程を行う。 （ａ）樹脂 ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール（仕込
み比：１／１）よりなるノボラック樹脂１００重量部 溶剤 ：乳酸エチル４００重量部 感光剤：２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸クロライドから合成したキノンジアジドスルホン酸
エステル系感光剤（エステル化率７０％） 添加剤：無し、又はヒドロキシ化合物の水酸基の少なく
とも一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル化，
スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化された
化合物 を露光光に対するＤｉｌｌのＡパラメータが１．０以上
となるように配合したレジスト溶液を調製する。 （ｂ）レジスト膜との密着性を向上させるためヘキサメ
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施したSiウエハ上に
上記のレジストを塗布する。このとき、レジストは平坦
面上に膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜が形成
されるような塗布条件で塗布される。その後、温度９０
℃，時間６０〜９０秒の条件で加熱処理を行い、塗布さ
れたレジストを硬化して、レジスト膜を形成する。 （ｃ）開口数ＮＡが０．４５以上のレンズを有する縮小
投影露光装置を用い、かつ種々の幅（０．７／０．６／
０．５／０．４μｍ）を有するマスクパターンに基づい
て、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）をレジスト膜に選択的に照
射する。 （ｄ）温度１１０℃，時間６０〜９０秒の条件で、レジ
スト膜の加熱処理を行った後、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液
を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する。
【００１８】このような基本構成に基づいて、添加剤，
ＤｉｌｌのＡパラメータ，ＮＡ及びレジスト膜厚を変化
させた場合について第１〜第１１の実施例として説明す
る。 （１）第１の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ＤｉｌｌのＡパラメータ，ＮＡ及びレジスト膜厚を変化
させた場合について第１〜第１１の実施例として説明す
る。 （１）第１の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００１９】なお、レジスト膜厚の違いによるレジスト
パターン形状及び実効的な焦点深度の差を調べるため、
下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： １．１９μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
パターン形状及び実効的な焦点深度の差を調べるため、
下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： １．１９μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００２０】以上のようにして形成されたレジストパタ
ーンの断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した結果、表
１に示すような実効的な焦点深度が得られた。なお、実
効的な焦点深度とは断面が矩形状の切れのよいレジスト
パターンとなっているときのデフォーカス量のレンジ
（μｍ）を表している。以下、焦点深度という場合、特
に断らないかぎり、この実効的な焦点深度のことをい
う。
ーンの断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した結果、表
１に示すような実効的な焦点深度が得られた。なお、実
効的な焦点深度とは断面が矩形状の切れのよいレジスト
パターンとなっているときのデフォーカス量のレンジ
（μｍ）を表している。以下、焦点深度という場合、特
に断らないかぎり、この実効的な焦点深度のことをい
う。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示すように、レジスト膜厚が薄い方
が、焦点深度を大きくすることができる。特に、マスク
パターンサイズが０．６μｍ以下の場合、その向上が顕
著になる。これは、大きな開口数を有するレンズを介し
て露光光を照射する場合、レジスト膜への露光光の入射
角が増大するので、レジスト膜厚が厚いと、レジスト膜
中の膜厚方向の光強度分布の差が顕著になるが、レジス
ト膜厚を薄くすることにより、その差を小さくすること
ができるためと考えられる。
が、焦点深度を大きくすることができる。特に、マスク
パターンサイズが０．６μｍ以下の場合、その向上が顕
著になる。これは、大きな開口数を有するレンズを介し
て露光光を照射する場合、レジスト膜への露光光の入射
角が増大するので、レジスト膜厚が厚いと、レジスト膜
中の膜厚方向の光強度分布の差が顕著になるが、レジス
ト膜厚を薄くすることにより、その差を小さくすること
ができるためと考えられる。
【００２３】なお、ＮＡの違いによるレジストパターン
形状及び焦点深度の差を調べるため、下記の条件を除い
て、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．３５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ／１．１９μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
形状及び焦点深度の差を調べるため、下記の条件を除い
て、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．３５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ／１．１９μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００２４】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度の差は見られなかった。これは、理論的な焦点深
度は増大するが、形成すべきパターンサイズが理論的な
解像力よりも小さいので、実効的な焦点深度の差として
現れなかったものと考えられる。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度の差は見られなかった。これは、理論的な焦点深
度は増大するが、形成すべきパターンサイズが理論的な
解像力よりも小さいので、実効的な焦点深度の差として
現れなかったものと考えられる。
【００２５】以上のように、開口数がおよそ０．４５以
上のレンズを介して露光光を照射する場合、レジスト膜
厚を薄くすることにより、レジスト膜中の膜厚方向の光
強度分布の差を小さくすることができるので、表１に示
すように、焦点深度の向上を図ることができる。
上のレンズを介して露光光を照射する場合、レジスト膜
厚を薄くすることにより、レジスト膜中の膜厚方向の光
強度分布の差を小さくすることができるので、表１に示
すように、焦点深度の向上を図ることができる。
【００２６】これにより、解像力の向上と実効的な焦点
深度の増大とを共に図ることができる。しかも、単層の
レジスト膜を形成するだけでよいので、処理に要する手
間やコストの点でより実用的なパターン形成方法を提供
することができる。
深度の増大とを共に図ることができる。しかも、単層の
レジスト膜を形成するだけでよいので、処理に要する手
間やコストの点でより実用的なパターン形成方法を提供
することができる。
【００２７】なお、第１の実施例では、被パターニング
体としてSiウエハを用いているが、半導体基板上のＡｌ
膜等の導電膜やSiO2膜等の絶縁膜を用いることもでき
る。 （２）第２の実施例 ＤｉｌｌのＡパラメータの違いによる焦点深度及びレジ
ストパターン形状の差を調べるため、下記の条件を除い
て、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．０ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
体としてSiウエハを用いているが、半導体基板上のＡｌ
膜等の導電膜やSiO2膜等の絶縁膜を用いることもでき
る。 （２）第２の実施例 ＤｉｌｌのＡパラメータの違いによる焦点深度及びレジ
ストパターン形状の差を調べるため、下記の条件を除い
て、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．０ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００２８】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度と同程度の焦点深度が得られ、かつ、図１（ａ）
に示すものと同様な、滑らかな側壁を有するレジストパ
ターンが得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度と同程度の焦点深度が得られ、かつ、図１（ａ）
に示すものと同様な、滑らかな側壁を有するレジストパ
ターンが得られた。
【００２９】なお、比較のため、下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： ０．８ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ーンの形成を行った。
【００３０】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度と同程度の焦点深度が得られたが、定在波の発生
に起因する波うった側壁を有するレジストパターン６
ａ，６ｂが得られた（図１（ｂ））。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度と同程度の焦点深度が得られたが、定在波の発生
に起因する波うった側壁を有するレジストパターン６
ａ，６ｂが得られた（図１（ｂ））。
【００３１】以上のように、レジスト膜厚を薄くした場
合、ＤｉｌｌのＡパラメータがおよそ１．０以上で、定
在波の発生に起因する波うった側壁を有しない、正常な
形状のレジストパターン４ａ，４ｂが得られた。これ
は、ＤｉｌｌのＡパラメータを適度に大きくすることに
より、反射光の適度な吸収を行い、入射光と反射光との
干渉を抑制することができるためと考えられる。
合、ＤｉｌｌのＡパラメータがおよそ１．０以上で、定
在波の発生に起因する波うった側壁を有しない、正常な
形状のレジストパターン４ａ，４ｂが得られた。これ
は、ＤｉｌｌのＡパラメータを適度に大きくすることに
より、反射光の適度な吸収を行い、入射光と反射光との
干渉を抑制することができるためと考えられる。
【００３２】（３）第３の実施例 染料の有無による焦点深度及びレジストパターン形状の
差を調べるため、下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 染料 ： ソルベントイエロー１０（商品名）５重量部 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。なお、マスクパターンとして幅
（０．７／０．６／０．５／０．４μｍ）を有するマス
クパターンの代わりに、幅（０．６５／０．５５／０．
５／０．４５μｍ）のものを用いた。
差を調べるため、下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 染料 ： ソルベントイエロー１０（商品名）５重量部 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。なお、マスクパターンとして幅
（０．７／０．６／０．５／０．４μｍ）を有するマス
クパターンの代わりに、幅（０．６５／０．５５／０．
５／０．４５μｍ）のものを用いた。
【００３３】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表２に示すような焦
点深度が得られた。しかも、図１（ａ）に示すものと同
様な、凹部上でくびれのないレジストパターンが観察さ
れた。これは、染料によりSiウエハ表面からの反射光が
適度に吸収され、かつ、レジスト膜厚が薄くなったため
反射の影響が小さくなったと考えられる。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表２に示すような焦
点深度が得られた。しかも、図１（ａ）に示すものと同
様な、凹部上でくびれのないレジストパターンが観察さ
れた。これは、染料によりSiウエハ表面からの反射光が
適度に吸収され、かつ、レジスト膜厚が薄くなったため
反射の影響が小さくなったと考えられる。
【００３４】なお、レジスト膜厚の違いによる焦点深度
及びレジストパターン形状に対する染料の影響を調べる
ため、比較例として、下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： １．１９μｍ 染料 ： ソルベントイエロー１０（商品名）５重量部 冒頭のパターン形成方法及び条件で、レジストパターン
の形成を行った。
及びレジストパターン形状に対する染料の影響を調べる
ため、比較例として、下記の条件を除いて、 添加剤 ： 無し ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： １．１９μｍ 染料 ： ソルベントイエロー１０（商品名）５重量部 冒頭のパターン形成方法及び条件で、レジストパターン
の形成を行った。
【００３５】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表２に示すような焦
点深度が得られた。しかも、図２（ｃ）に示すように、
凹部上でくびれたレジストパターン６ｃが観察された。
これはレジスト膜厚が厚いので、Siウエハ（被パターニ
ング体）５表面からの反射の影響が大きくなるためと考
えられる。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表２に示すような焦
点深度が得られた。しかも、図２（ｃ）に示すように、
凹部上でくびれたレジストパターン６ｃが観察された。
これはレジスト膜厚が厚いので、Siウエハ（被パターニ
ング体）５表面からの反射の影響が大きくなるためと考
えられる。
【００３６】
【表２】
【００３７】以上のように、レジスト膜厚が薄く、かつ
パターンサイズが小さい（第３の実施例の場合、０．６
５μｍ以下の）とき、段差のある基板上、あるいは反射
率の高い基板上などにレジストパターンを形成するよう
な場合には、第１又は第２の実施例のレジストに染料を
含有させることにより、反射光の吸収を適度に行い、焦
点深度の向上を図るとともに、正常な形状のレジストパ
ターンを形成することができる。
パターンサイズが小さい（第３の実施例の場合、０．６
５μｍ以下の）とき、段差のある基板上、あるいは反射
率の高い基板上などにレジストパターンを形成するよう
な場合には、第１又は第２の実施例のレジストに染料を
含有させることにより、反射光の吸収を適度に行い、焦
点深度の向上を図るとともに、正常な形状のレジストパ
ターンを形成することができる。
【００３８】（４）第４の実施例〜第７の実施例 以下、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの水酸基の一部を他の分子等に置換することにより
合成された添加剤の種類の違いによる焦点深度及びレジ
ストパターン形状の差を調べるため、冒頭のパターン形
成方法において、下記の添加剤を添加した場合について
説明する。
ノンの水酸基の一部を他の分子等に置換することにより
合成された添加剤の種類の違いによる焦点深度及びレジ
ストパターン形状の差を調べるため、冒頭のパターン形
成方法において、下記の添加剤を添加した場合について
説明する。
【００３９】（４ａ）第４の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基の２０％をスルホン酸メチルでエス
テル化した化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ゾフェノンの水酸基の２０％をスルホン酸メチルでエス
テル化した化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００４０】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつ、図１（ａ）に示すものと
同様な、くい込みのない断面形状が得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつ、図１（ａ）に示すものと
同様な、くい込みのない断面形状が得られた。
【００４１】（４ｂ）第５の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基の３０％をカルボン酸メチルでエス
テル化した化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ゾフェノンの水酸基の３０％をカルボン酸メチルでエス
テル化した化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００４２】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
【００４３】（４ｃ）第６の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基の５０％をメチルエーテル化した化
合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ゾフェノンの水酸基の５０％をメチルエーテル化した化
合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００４４】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
【００４５】（４ｄ）第７の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基の４０％をエチルエーテル化した化
合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
ゾフェノンの水酸基の４０％をエチルエーテル化した化
合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００４６】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が
得られた。
【００４７】なお、比較例として上記の添加剤の代わり
に下記の添加剤を用い、かつ下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンそのものを５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
に下記の添加剤を用い、かつ下記の条件を除いて、 添加剤 ： ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンそのものを５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件に従ってレジストパタ
ーンの形成を行った。
【００４８】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られたが、図２（ｄ）に示すように、
Siウエハ５とレジストパターン６ｄ，６ｅとの界面部で
レジストパターン６ｄ，６ｅにくい込みのある断面形状
が得られた。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すのと同程
度の焦点深度が得られたが、図２（ｄ）に示すように、
Siウエハ５とレジストパターン６ｄ，６ｅとの界面部で
レジストパターン６ｄ，６ｅにくい込みのある断面形状
が得られた。
【００４９】以上の第４〜第７の実施例のように、一般
に、レジスト膜厚が薄くなると、レジストとSiウエハと
の界面での現像時間が相対的に長くなるので、他の部分
と比較して特に界面部分で現像液によるレジスト膜の浸
食が進みやすくなり、レジストパターンにアンダーカッ
トが入るというようなくい込み現象（Micro Groove）が
発生し易くなるが、２，３，４，４’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン（ヒドロキシ化合物）の水酸基の少な
くとも一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル
化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化さ
れた化合物を含んでいるレジストを用いることにより、
レジストを構成する分子の分子構造が大きくなるので、
現像液によるレジスト膜の溶解レートが遅くなり、上記
のくい込み現象（Micro Groove）を抑制することができ
る。
に、レジスト膜厚が薄くなると、レジストとSiウエハと
の界面での現像時間が相対的に長くなるので、他の部分
と比較して特に界面部分で現像液によるレジスト膜の浸
食が進みやすくなり、レジストパターンにアンダーカッ
トが入るというようなくい込み現象（Micro Groove）が
発生し易くなるが、２，３，４，４’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン（ヒドロキシ化合物）の水酸基の少な
くとも一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル
化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化さ
れた化合物を含んでいるレジストを用いることにより、
レジストを構成する分子の分子構造が大きくなるので、
現像液によるレジスト膜の溶解レートが遅くなり、上記
のくい込み現象（Micro Groove）を抑制することができ
る。
【００５０】（５）第８の実施例〜第１１の実施例 以下、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタンの水酸
基の一部を他の分子に置換することにより合成された添
加剤の種類の違いによる焦点深度とパターン形状の差を
調べるため、冒頭のパターン形成方法において、下記の
添加剤を添加した場合について説明する。
基の一部を他の分子に置換することにより合成された添
加剤の種類の違いによる焦点深度とパターン形状の差を
調べるため、冒頭のパターン形成方法において、下記の
添加剤を添加した場合について説明する。
【００５１】（５ａ）第８の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の２０％をスルホン酸メチルでエステル化した
化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
の水酸基の２０％をスルホン酸メチルでエステル化した
化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
【００５２】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｂ）第９の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の３０％をカルボン酸メチルでエステル化した
化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｂ）第９の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の３０％をカルボン酸メチルでエステル化した
化合物５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
【００５３】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｃ）第１０の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の５０％をメチルエーテル化した化合物５重量
部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｃ）第１０の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の５０％をメチルエーテル化した化合物５重量
部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
【００５４】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｄ）第１１の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の４０％をエチルエーテル化した化合物５重量
部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。 （５ｄ）第１１の実施例 下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基の４０％をエチルエーテル化した化合物５重量
部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
【００５５】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。なお、比較例として上記の添加剤の代わりに下記の
添加剤を用い、かつ下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基を置換せずに５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのない断面形状が得られ
た。なお、比較例として上記の添加剤の代わりに下記の
添加剤を用い、かつ下記の条件を除いて、 添加剤 ： トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の水酸基を置換せずに５重量部 ＤｉｌｌのＡパラメータ ： １．１ ＮＡ ： ０．４５ レジスト膜厚 ： ０．７６μｍ 冒頭のパターン形成方法及び条件でレジストパターンの
形成を行った。
【００５６】形成されたレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのある断面形状が得られ
た。以上の第８〜第１１の実施例のように、一般に、レ
ジスト膜厚が薄くなると、くい込み現象（Micro Groov
e）が発生し易くなるが、トリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン（ヒドロキシ化合物）の水酸基の少なくと
も一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル化，ス
ルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化された化
合物を含んでいるレジストを用いることにより、レジス
トを構成する分子の分子構造が大きくなるので、現像液
によるレジスト膜の溶解レートが遅くなり、上記のくい
込み現象（Micro Groove）を抑制することができる。
走査型電子顕微鏡で観察した結果、表１に示すような焦
点深度が得られ、かつくい込みのある断面形状が得られ
た。以上の第８〜第１１の実施例のように、一般に、レ
ジスト膜厚が薄くなると、くい込み現象（Micro Groov
e）が発生し易くなるが、トリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン（ヒドロキシ化合物）の水酸基の少なくと
も一部がアルキルエーテル化，アリールエーテル化，ス
ルホン酸エステル化又はカルボン酸エステル化された化
合物を含んでいるレジストを用いることにより、レジス
トを構成する分子の分子構造が大きくなるので、現像液
によるレジスト膜の溶解レートが遅くなり、上記のくい
込み現象（Micro Groove）を抑制することができる。
【００５７】なお、第４〜第１１の実施例では、ヒドロ
キシ化合物として、２，３，４，４’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン又はトリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタンを用いているが、他に没食子酸メチル，没食
子酸エチル，没食子酸プロピル，２−〔４−＜１，１−
ジ（４−ヒドロキシフェニル）エチル＞フェニル〕−２
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン，２，２’，
２”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン，２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン，２，４，４’−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン，又は２’，２，４，４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン等を用いてもよい。
キシ化合物として、２，３，４，４’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン又はトリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタンを用いているが、他に没食子酸メチル，没食
子酸エチル，没食子酸プロピル，２−〔４−＜１，１−
ジ（４−ヒドロキシフェニル）エチル＞フェニル〕−２
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン，２，２’，
２”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン，２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン，２，４，４’−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン，又は２’，２，４，４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン等を用いてもよい。
【００５８】また、これらヒドロキシ化合物の水酸基の
少なくとも一部の置換基として、メチル基，エチル基，
フェニル基，ベンジル基，メタンスルホン酸，エタンス
ルホン酸，ベンゼンスルホン酸，メタンカルボン酸，エ
タンカルボン酸又はベンゼンカルボン酸等を用いること
ができる。
少なくとも一部の置換基として、メチル基，エチル基，
フェニル基，ベンジル基，メタンスルホン酸，エタンス
ルホン酸，ベンゼンスルホン酸，メタンカルボン酸，エ
タンカルボン酸又はベンゼンカルボン酸等を用いること
ができる。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、本発明のパターン形成方
法においては、波長３００ｎｍ以上の露光光に対してＤ
ｉｌｌのＡパラメータが１．０以上のレジストを塗布
し、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形成
し、波長３００ｎｍ以上の露光光をレジスト膜に選択的
に照射している。
法においては、波長３００ｎｍ以上の露光光に対してＤ
ｉｌｌのＡパラメータが１．０以上のレジストを塗布
し、膜厚０．３μｍ〜０．９μｍのレジスト膜を形成
し、波長３００ｎｍ以上の露光光をレジスト膜に選択的
に照射している。
【００６０】上記のように、レジスト膜厚が０．３μｍ
〜０．９μｍと比較的薄いため、解像度を向上するとと
もに、実効的な焦点深度の向上を図ることができる。ま
た、単層のレジスト膜を形成するだけでよいので、処理
に要する手間やコストの点でより実用的なパターン形成
方法を提供することができる。
〜０．９μｍと比較的薄いため、解像度を向上するとと
もに、実効的な焦点深度の向上を図ることができる。ま
た、単層のレジスト膜を形成するだけでよいので、処理
に要する手間やコストの点でより実用的なパターン形成
方法を提供することができる。
【００６１】一方、本発明のパターン形成方法によれ
ば、上記のようにレジスト膜厚が薄い場合に生じ易い下
記の２つの問題を、特に有効に解決することができる。
即ち、 （ａ）１．０以上のＤｉｌｌのＡパラメータを有するレ
ジストを用いることにより、レジスト膜は露光光又は反
射光を適度に吸収し、定在波の発生を抑制することがで
きる。 （ｂ）ヒドロキシ化合物の水酸基の少なくとも一部がア
ルキルエーテル化，アリールエーテル化，スルホン酸エ
ステル化又はカルボン酸エステル化された化合物を含ん
でいるレジストを用いることにより、レジストを構成す
る分子の分子構造が大きくなるので、現像液によるレジ
スト膜の溶解レートが遅くなり、上記のくい込み現象を
抑制することができる。
ば、上記のようにレジスト膜厚が薄い場合に生じ易い下
記の２つの問題を、特に有効に解決することができる。
即ち、 （ａ）１．０以上のＤｉｌｌのＡパラメータを有するレ
ジストを用いることにより、レジスト膜は露光光又は反
射光を適度に吸収し、定在波の発生を抑制することがで
きる。 （ｂ）ヒドロキシ化合物の水酸基の少なくとも一部がア
ルキルエーテル化，アリールエーテル化，スルホン酸エ
ステル化又はカルボン酸エステル化された化合物を含ん
でいるレジストを用いることにより、レジストを構成す
る分子の分子構造が大きくなるので、現像液によるレジ
スト膜の溶解レートが遅くなり、上記のくい込み現象を
抑制することができる。
【図１】本発明の実施例のパターン形成方法により形成
されたレジストパターンの比較斜視図（その１）であ
る。
されたレジストパターンの比較斜視図（その１）であ
る。
【図２】本発明の実施例のパターン形成方法により形成
されたレジストパターンの比較斜視図（その２）であ
る。
されたレジストパターンの比較斜視図（その２）であ
る。
【図３】従来例のパターン形成方法により形成されたレ
ジストパターンの比較斜視図である。
ジストパターンの比較斜視図である。
１，３，５ Siウエハ（被パターニング体）、 ２ａ〜２ｄ，４ａ，４ｂ，６ａ〜６ｅ レジストパター
ン。
ン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/039 ５０１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 藤波 稔 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴイエルエスアイ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 波長３００ｎｍ以上の露光光に対するＤ
ｉｌｌのＡパラメータが１．０以上であるレジストを被
パターニング体上に塗布して、膜厚０．３μｍ〜０．９
μｍのレジスト膜を形成する工程と、 波長３００ｎｍ以上の露光光を前記レジスト膜に選択的
に照射して該レジスト膜にマスクパターンを転写する工
程と、 前記レジスト膜を現像して前記マスクパターンに対応す
るレジストパターンを形成する工程とを有するパターン
形成方法。 - 【請求項２】 前記形成すべきレジストパターンの幅が
０．６μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
パターン形成方法。 - 【請求項３】 前記レジスト膜にマスクパターンを転写
する工程において、開口数（ＮＡ）が０．４５以上のレ
ンズを介して前記露光光を照射することを特徴とする請
求項１又は請求項２記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記レジストは染料を含有していること
を特徴とする請求項１，請求項２又は請求項３記載のパ
ターン形成方法。 - 【請求項５】 前記レジストは、ヒドロキシ化合物の水
酸基の少なくとも一部がアルキルエーテル化，アリール
エーテル化，スルホン酸エステル化又はカルボン酸エス
テル化された化合物を含んでいることを特徴とする請求
項１，請求項２，請求項３又は請求項４記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240027A JPH0580499A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240027A JPH0580499A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580499A true JPH0580499A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17053381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240027A Pending JPH0580499A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079344A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Element photosensible, rouleau d'element photosensible, procede de fabrication d'un motif de resine, motif de resine, substrat avec motif de resine sus-jacent, procede de fabrication d'un motif de cablage et motif de cablage associe |
| JP2010021428A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 潜像強度分布の評価方法及び潜像強度分布の評価プログラム |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3240027A patent/JPH0580499A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079344A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Element photosensible, rouleau d'element photosensible, procede de fabrication d'un motif de resine, motif de resine, substrat avec motif de resine sus-jacent, procede de fabrication d'un motif de cablage et motif de cablage associe |
| US7592124B2 (en) | 1999-06-24 | 2009-09-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Photosensitive element, photosensitive element roll, process for the preparation of resist pattern using the same, resist pattern, resist pattern laminated substrate, process for the preparation of wiring pattern and wiring pattern |
| JP2010021428A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 潜像強度分布の評価方法及び潜像強度分布の評価プログラム |
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| A02 | Decision of refusal |
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