JP4203552B2 - 分電盤 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、末端負荷の保護を目的とする比較的電流容量の小さい配線用遮断器や漏電遮断器などの回路遮断器を分岐遮断器として搭載する分電盤に関し、特にそのブスバーの配置構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この出願の発明者らは、２列の上記分岐遮断器が差込み接続可能な小形の分電盤及びそれに用いる分岐遮断器、特に協約形１極サイズ・２極式の回路遮断器として好適な分岐遮断器を開発し、これについて先に特許出願した（特願平１０−０７６６５５号）。この出願に係る分電盤及び分岐遮断器は単相３線式回路を対象とするもので、分電盤は主遮断器と分岐遮断器とを接続するブスバーを絶縁ブッシュを介して３段に平積み配置し、また分岐遮断器はその電源側端子が３段のブスバーのいずれか２本に差込み接続する構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一方、配電方式として１つの中性相と３つの電圧相とを持つ三相４線式があるが、この配電線から２線を引き出して分岐回路を構成する分電盤も広く採用されている。そこで、この発明の課題は、上記特許出願に係る分岐遮断器をそのまま使用して三相４線式回路に対応可能な分電盤を構成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明は、主遮断器と分岐遮断器とを接続する平角導体からなるブスバーが上下３段に平積み配置され、前記３段の少なくとも１段には互いに分離した左右２本のブスバーを平行に設けた分電盤において、
前記ブスバーの反主遮断器側の端末を絶縁物の端末保持ブロックで保持するようにし、この端末保持ブロックには前記ブスバーの端末を挿入する袋状の凹部を上下３箇所に設けるとともに、この凹部の内奥部に前記ブスバーの複数種類の幅に対応する突き当て嵌合面を左右対称の階段状に形成したことを特徴とする（請求項１）。
【０００５】
上段に前記の互いに分離した左右２本のブスバーを設け、その双方と下段のブスバーとに三相４線式回路のいずれかの電圧相をそれぞれ接続し、中段の前記ブスバーに同じく中性相を接続するのがよい（請求項２）。
また、前記突き当て嵌合面の一つに凸形の調整駒を嵌め込み、その両側に前記２本のブスバーの突き当て嵌合面を形成することができる（請求項３）。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の実施の形態を示すもので、（Ａ）は分電盤の要部正面図、（Ｂ）はその底面図である。図１において、１は三相４線式の配電線に対応する４極の主遮断器で、図１（Ａ）の左３極が三相の電圧線（Ｒ，Ｓ，Ｔ相）に接続され、右１極が中性線（Ｎ相）に接続されている。主遮断器１の下側には、平角導体からなるブスバー２〜５が図示しない絶縁ブッシュを介して上下３段に平積み配置され、その特に上段には互いに分離された左右２本のブスバー２及び３が平行に設けられている。ブスバー２〜５の主遮断器側（図１（Ａ）の上側）の端末は、上段から下段に向かって階段状に順次長くなっており、ブスバー２，３，４及び５のこれら端末には主遮断器１のＲ，Ｓ，Ｔ及びＮ相端子とそれぞれ中継ケーブル６を介してねじ締めにより接続されている。一方、ブスバー２〜５の反主遮断器側（図１（Ａ）の下側）の端末は、後述する構成の端末保持ブロック７に保持されている。
【０００７】
ブスバー２〜５の両側には各複数台の分岐遮断器８が配列され、これらの分岐遮断器８はその電源側端部に上下に配列されたプラグ端子を介して、ブスバー２〜５に差込み接続されている。分岐遮断器８は特願平１０−０７６６５５号に係る構成のものであり、電源側端部の上下３箇所の凹部のいずれか２箇所にプラグ端子が装着され、その装着位置により200V対応と100V対応とに分けられる。すなわち、上記凹部の最上部と最下部とに端子プラグが装着されたものは200V対応として構成されており、最上部と中間部又は中間部と最下部とに端子プラグが装着されたものは100V対応として構成されている（この構成の詳細については、上記出願の明細書を参照されたい。）。
【０００８】
一方、図１のブスバー２〜５の相配置において、ブスバー２,３（Ｒ,Ｓ相）−ブスバー４（Ｎ相）間及びブスバー４（Ｎ相）−ブスバー５（Ｔ相）間は100Vであり、ブスバー２,３（Ｒ,Ｓ相）−ブスバー５（Ｔ相）間は200Vである。そこで、図１のブスバー２〜５の配置の下で、上記構成の分岐遮断器８を図示の通り差込み接続することにより、分岐遮断器８の上記した端子プラグ配置に応じて、100V及び200Vの分岐回路が自在に形成される。また、その場合、分岐遮断器８は単相３線式分電盤用に構成されたものが何ら改変を加えられることなく、そのまま使用される。なお、図１では２本のブスバー２及び３は上段に配置したが、下段に配置することも可能であり、また相配置は中段を中性相（Ｎ相）とするのが合理的であるとしても、上下段に対する電圧相（Ｒ，Ｓ，Ｔ相）の配置は原則的に自由である。
【０００９】
図２は、端末保持ブロック７を示す一部を破談した斜視図である。端末保持ブロック７は絶縁性の樹脂から成形された図示の通りの箱状体で、ブスバーの端末を挿入する袋状の凹部９がブスバーの上下間隔に対応して上下３箇所に設けられ、また左右側面に取付穴を有する取付片が一体形成されている。そして、凹部９の内奥部に、ブスバーの複数種類（図示は４種類）の幅に対応する突き当て嵌合面９ａが左右対称の階段状に形成されている。
【００１０】
図３は、端末保持ブロック７に、図１におけるブスバー２〜５の端末を保持させた状態を示すもので、上段の凹部９における最小幅の突き当て嵌合面９ａに絶縁板からなる凸形の調整駒１０が嵌め込まれ、その両側に形成された幅の狭い突き当て嵌合面９ｂに２本のブスバー２，３が嵌合保持されている。また、中段及び下段の凹部９には、ブスバー４及び５が挿入され、該当する幅の突き当て嵌合面９ａにそれぞれ嵌合保持されている。
【００１１】
図４は図１におけるよりも定格の大きい、つまり幅の広いブスバー２〜５に使用した実施の形態を示すもので、図示の通り調整駒１０のみを交換し、突き当て嵌合面９ａを選ぶことにより、端末保持ブロック７は複数種類（図示の場合は４種類）の定格に共通に使用することができる。また、端末保持ブロック７は３線式にも適用可能であり、図５にその場合の使用例を示す。図５では同幅のブスバー１１〜１３が用いられ、調整駒は不要である。
【００１２】
なお、この発明は主として三相４線式の配電線を対象とし、その場合には上下段の何れか１つの段に２本のブスバーを設けるものであるが、３線式の分電盤において、３段全てを２本のブスバーでそれぞれ構成し、各２本のブスバーを同相として各段の電流容量を増やすのにも有効である。ちなみに、大電流用の幅の広いブスバー導体は取り扱いが困難であるが、各相のブスバーを２分割構成として幅の狭い導体を各段に２本ずつ配置すれば、幅の狭い導体を用いて容易に電流容量を増やすことができる。
【００１３】
【発明の効果】
以上の通り、この発明によれば、単相３線用の差込み形分岐遮断器を用いて容易に三相４線式の分電盤を構成することができるとともに、単相３線式の分電盤においてもブスバーの電流容量を容易に増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態を示し、（Ａ）は分電盤の要部正面図、（Ｂ）はその底面図である。
【図２】 図１における端末保持ブロックの斜視図である。
【図３】 図２の端末保持ブロックにブスバーを挿入した状態を示す斜視図である。
【図４】 図２の端末保持ブロックに定格の大きいブスバーを挿入した状態を示し、（Ａ）は分電盤の要部正面図、（Ｂ）はその底面図である。
【図５】 図２の端末保持ブロックを単相３線式のブスバーに用いた状態を示し、（Ａ）は分電盤の要部正面図、（Ｂ）はその底面図である。
【符号の説明】
１ 主遮断器
２ ブスバー
３ ブスバー
４ ブスバー
５ ブスバー
６ 中継ケーブル
７ 端末保持ブロック
８ 分岐遮断器
９ 凹部
９ａ 突き当て嵌合面
１０ 調整駒
１１ ブスバー
１２ ブスバー
１３ ブスバー

Claims (3)

1. 主遮断器と分岐遮断器とを接続する平角導体からなるブスバーが上下３段に平積み配置され、前記３段の少なくとも１段には互いに分離した左右２本のブスバーを平行に設けた分電盤において、
   前記ブスバーの反主遮断器側の端末を絶縁物の端末保持ブロックで保持するようにし、この端末保持ブロックには前記ブスバーの端末を挿入する袋状の凹部を上下３箇所に設けるとともに、この凹部の内奥部に前記ブスバーの複数種類の幅に対応する突き当て嵌合面を左右対称の階段状に形成したことを特徴とする分電盤。
2. 上段に前記の互いに分離した左右２本のブスバーを設け、その双方と下段のブスバーとに三相４線式回路のいずれかの電圧相をそれぞれ接続し、中段の前記ブスバーに同じく中性相を接続するようにしたことを特徴とする請求項１記載の分電盤。
3. 前記突き当て嵌合面の一つに凸形の調整駒を嵌め込み、その両側に前記２本のブスバーの突き当て嵌合面を形成するようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の分電盤。

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