JP4191210B2 - めっき方法およびマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0574—Stacked resist layers used for different processes
Description
最初に、図1から図4を参照して、本発明の第1の実施の形態としての積層膜の形成方法を実施するためのめっき装置およびこれに搭載された電極組立体について以下に説明する。
なお、レジストパターン13,17,18の配置状態は、いずれも図9(A)〜9(C)に示したものに限定されるものではなく、種種の変形が可能である。以下、本実施の形態の変形例をいくつか示す。
次に、図21から図26を参照し、本発明の第2の実施の形態として、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。
Claims (8)
- 複数層のめっきパターンを形成する方法であって、
各層ごとに、
めっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層の上にレジストフレームと補助レジストパターンとを形成する工程と、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンで覆われた領域以外の前記めっき下地層の上にめっき層を選択的に成長させるめっき成長工程と、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストフレームにより囲まれた領域に形成された前記めっきパターン以外のめっき層を除去する工程と
を含み、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンの合計面積を各層間で同等にすることで前記めっき層の電着面積が各層間で同等になるようにする
ことを特徴とするめっき方法。 - 前記めっきパターンの形状および面積の少なくとも一方が各層間で互いに異なるようにする
ことを特徴とする請求項1に記載のめっき方法。 - 各層ごとのめっき成長工程において、互いに同じめっき浴を用いて各めっき層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のめっき方法。 - 各層ごとのめっき成長工程において、互いに同じめっき浴を用いて同一の組成となるように各めっき層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のめっき方法。 - 前記レジストフレームを中心とした対称な位置に前記補助レジストパターンを複数形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のめっき方法。 - 前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンを、互いに同等の線幅となるように形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のめっき方法。 - 各層ごとの前記めっき層を、それぞれ複数のめっきパターンを含むように形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のめっき方法。 - 複数層のめっきパターンを含むマイクロデバイスを製造する方法であって、
各層ごとに、
めっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層の上にレジストフレームと補助レジストパターンとを形成する工程と、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンで覆われた領域以外の前記めっき下地層の上にめっき層を選択的に成長させるめっき成長工程と、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストフレームにより囲まれた領域に形成された前記めっきパターン以外のめっき層を除去する工程と
を含み、
前記レジストフレームおよび前記補助レジストパターンの合計面積を各層間で同等にすることで前記めっき層の電着面積が各層間で同等になるようにする
ことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006184786A JP4191210B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | めっき方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
US11/812,175 US7854829B2 (en) | 2006-07-04 | 2007-06-15 | Method of plating and method of manufacturing a micro device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006184786A JP4191210B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | めっき方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008013801A JP2008013801A (ja) | 2008-01-24 |
JP4191210B2 true JP4191210B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=38918196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006184786A Active JP4191210B2 (ja) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | めっき方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7854829B2 (ja) |
JP (1) | JP4191210B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8858774B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-10-14 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus for tailored uniformity profile |
TWI487478B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-06-01 | Apone Technology Ltd | 形成金屬構件於機殼的方法 |
KR101823194B1 (ko) * | 2014-10-16 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4315985A (en) * | 1972-11-30 | 1982-02-16 | International Business Machines Corporation | Fine-line circuit fabrication and photoresist application therefor |
JPS5585691A (en) | 1978-12-21 | 1980-06-27 | Fujitsu Ltd | Pattern plating method for printing board |
JPH02228493A (ja) | 1989-03-02 | 1990-09-11 | Nkk Corp | 亜鉛系合金電気めつき鋼板の製造方法 |
JP3365608B2 (ja) | 1997-06-10 | 2003-01-14 | スズキ株式会社 | めっきのニッケルイオン補給方法及び装置 |
JP2002020897A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 電子部品用多層配線基板の製造方法 |
JP2004153015A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-07-04 JP JP2006184786A patent/JP4191210B2/ja active Active
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2007
- 2007-06-15 US US11/812,175 patent/US7854829B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008013801A (ja) | 2008-01-24 |
US7854829B2 (en) | 2010-12-21 |
US20080006537A1 (en) | 2008-01-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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