JP2002020897A - 電子部品用多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電解銅めっき厚みのばらつきを少なくして電
気信号伝達の性能低下を防止し、絶縁樹脂層の膜厚ばら
つきを少なくして電子部品用多層配線基板としての性能
低下を防止した電子部品用多層配線基板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 表裏に異なる面積で被めっき部を有する
コア基板１２を中心にし、その両側に第１、第２のアノ
ード電極３１、３２を配置して電解銅めっきを行い、各
層の配線パターン１４、１９、２２を形成する電子部品
用多層配線基板１１の製造方法において、コア基板１２
の被めっき部の面積の小さい側にコア基板１２とは別の
第１の補助カソード電極３３を配置し、コア基板１２の
表裏のめっき厚みのばらつきを緩和した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板に電解銅
めっきを行って各層の配線パターンを形成する電子部品
用多層配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子等の電子部品を搭載す
る回路基板は配線が高密度化しており、その対応の一例
として、ビルドアップ法による多層配線基板がある。こ
のビルドアップ多層配線基板の代表的な製造方法は、先
ず、ガラスエポキシ等から成るコア基板にスルーホール
用の孔を穿設し、Ｐｄ等の触媒を付与し、全面に無電解
銅めっきを施し、この上にフォトリソグラフィ法でドラ
イフィルムレジストによる開口部を形成し、無電解銅め
っき層に電流を通して開口部に電解銅めっき層を形成す
る。ドライフィルムを除去した後、露出した無電解銅め
っき層をエッチングで除去し、無電解銅めっきと電解銅
めっきからなる配線パターンを形成する（一般的にこの
めっき方法はパターンめっき法と呼ばれている）。

【０００３】次に、配線パターン上に感光性の絶縁樹脂
層を形成し、この層上にビア形成用のパターンマスクを
密着させ、紫外線で露光し、現像することでビアを形成
する。この感光性絶縁樹脂を硬化させて、絶縁樹脂層と
し、前述と同様のパターンめっき法に基づき、表面を粗
化し、Ｐｄ等の触媒を付与した後、全面に無電解銅めっ
きを行った後、ドライフィルムを貼付し、パターンマス
クを密着させ、紫外線で露光し、現像することで配線パ
ターン導体やビア導体となる開口部を形成する。次い
で、この開口部に電解銅めっきを形成し、ドライフィル
ムを剥離後、銅めっき表面をエッチングで、銅めっき層
の薄い無電解銅めっき部分を剥離除去し、電解銅めっき
で銅めっき層が厚くなった部分の配線パターン導体やビ
ア導体を残すことで絶縁樹脂層上に配線パターンを形成
する。以後、同様の工程を順次繰り返して多層化するも
のである。

【０００４】この電子部品用多層配線基板の配線パター
ンを形成するための電解銅めっきの方法（パターンめっ
き法）は、図７に示すように、無電解銅めっき層を形成
したパネル状のコア基板をカソード電極６１とし、この
コア基板を中心にして両側に銅板や銅ボールをアノード
電極６２として配置する。そして、コア基板に配設され
ている多数個の電子部品用多層配線基板の表裏面のそれ
ぞれの被めっき部の面積を算出し、カソード電極とアノ
ード電極間の電流値を設定して、ピロリン酸銅浴、硫酸
銅浴等のめっき浴６３中で直流電源装置６４に電圧を印
加して電解銅めっきを行っている。通常、表裏面の電流
値が同じであれば、配線パターン密度が大きい面（被め
っき部の面積が大きい面）は電流密度が小さくなり、め
っき厚みはうすくなり、反対に配線パターン密度が小さ
い面（被めっき部の面積が小さい面）は電流密度が大き
くなって、めっき厚みが厚くなる。従って、表裏面の被
めっき部の面積によって電流値を変化させて、表裏面の
めっき厚みの均一化を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の電解銅めっきによる電子部品用多層配線
基板の製造方法では、次のような課題がある。 （１）多数個の電子部品用多層配線基板からなるパネル
状のコア基板の表面と裏面の被めっき部の面積差が大き
い場合は、表面と裏面の設定電流差が大きくなる。この
状態で電圧を印加すると設定電流の大きい面から小さい
面へ銅イオンが回り込み、コア基板の端部に金属銅が過
析出する場合がある。 （２）また、パネル状のコア基板の表面及び裏面の被め
っき部の面積が最適化されていたとしても、個々の電子
部品用多層配線基板の配置等の関係でパネル内で場所に
よる被めっき部の面積のばらつきが発生する場合があ
る。例えば、パネルの中央部の電子部品用多層配線基板
が周辺部の電子部品用多層配線基板よりも析出過多にな
ったりする。 （３）パネル内での配線膜厚のばらつきが大きい場合
は、電気信号伝達の性能低下に繋がる電子部品用多層配
線基板が発生するだけでなく、絶縁樹脂層の膜厚ばらつ
きを引き起こし、更に性能低下の電子部品用多層配線基
板を増加させる。本発明は、かかる事情に鑑みてなされ
たものであって、電解銅めっきの厚みのばらつきを少な
くして電気信号伝達の性能低下を防止し、絶縁樹脂層の
膜厚ばらつきを少なくして電子部品用多層配線基板とし
ての性能低下を防止した電子部品用多層配線基板の製造
方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う第１の発
明に係る電子部品用多層配線基板の製造方法は、表裏に
異なる面積で被めっき部を有するコア基板を中心にし、
その両側に第１、第２のアノード電極を配置して電解銅
めっきを行い、各層の配線パターンを形成する電子部品
用多層配線基板の製造方法において、コア基板の被めっ
き部の面積の小さい側にコア基板とは別の第１の補助カ
ソード電極を配置し、コア基板の表裏のめっき厚みのば
らつきを緩和する。多数個の電子部品用多層配線基板か
らなるパネル状のコア基板の表面と裏面の被めっき部の
面積に差があっても、被めっき部の面積の小さい側のア
ノード電極はコア基板との電流値と第１の補助カソード
電極との電流値を必要とし、被めっき部の面積の大きい
面側のアノード電極に設定する電流値との差が小さいも
のとなるので、設定電流差による大きい面積側から小さ
い面積側への電流の回り込みがなくなり、コア基板の被
めっき部の面積の小さい側のめっき厚みのばらつきは緩
和され、厚みばらつきの少ないめっきが可能となり、電
気信号伝達の性能低下を防止し、電子部品用多層配線基
板としての性能低下を防止できる。

【０００７】ここで、コア基板の被めっき部の面積の大
きい側に、更に別の第２の補助カソード電極を配置し、
第１、第２の補助カソード電極の電流を調整して、コア
基板の表裏のめっき厚みのばらつきを緩和してもよい。
これにより、パネル状のコア基板の表面と裏面の被めっ
き部の面積に差があっても、第１、第２の補助カソード
電極の電流の調整により、被めっき部の面積の大きい面
側から小さい面側へ銅イオンが回り込むのを制御でき、
コア基板のめっき厚みのばらつきを低減できる。

【０００８】前記目的に沿う第２の発明に係る電子部品
用多層配線基板の製造方法において、表裏に被めっき部
を有するコア基板を中心にし、その両側に第１、第２の
アノード電極を配置して電解銅めっきを行い、各層の配
線パターンを形成する電子部品用多層配線基板の製造方
法において、コア基板の被めっき部の電流が集中する部
分の正面側に、更に別の電極を配置し、コア基板から別
の電極に電流を流して、コア基板のめっき厚みのばらつ
きを緩和する。パネル状のコア基板の面内に被めっき部
の面積のばらつきが発生した場合、配線パターン密度が
小さい部分は電流密度が大きくなってめっき厚みが厚く
なり、配線パターン密度が大きい部分は電流密度が小さ
くなってめっき厚みが薄くなるが、電流が集中する個所
に別の電極を配置することによって、コア基板から別の
電極に電流が流れるので、逆にコア基板から別の電極に
めっきを行うこととなり、コア基板の厚くなった部分の
めっき厚みを薄くすることができ、厚みばらつきの少な
いめっきが可能であり、電気信号伝達の性能低下を防止
し、電子部品用多層配線基板としての性能低下を防止す
ることができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の
形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法により製
造された電子部品用多層配線基板の部分拡大断面図、図
２は同電子部品用多層配線基板の製造方法に適用される
電解銅めっきの説明図、図３は同電子部品用多層配線基
板の製造方法に適用される変形例に係る電解銅めっきの
説明図、図４は同電子部品用多層配線基板の製造方法に
適用される他の変形例に係る電解銅めっきの説明図、図
５は同電子部品用多層配線基板の製造方法の工程を説明
する部分拡大断面図、図６は実施例における銅めっき厚
みの測定箇所を示す説明図である。

【００１０】まず、図１に示すように、本発明の一実施
の形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法により
製造される電子部品用多層配線基板１１は、例えば、ポ
リイミド系、ガラスエポキシ系等の絶縁樹脂で形成さ
れ、その決められた位置にはスルーホール１３が形成さ
れたコア基板１２の上下両面に無電解銅めっき及び、電
解銅めっきによって配線パターン１４が形成されてい
る。また、スルーホール１３の内周面には、無電解銅め
っきと電解銅めっきからなるスルーホール導体１５が導
通するように形成されている。そして、スルーホール導
体１５の中空部にはエポキシ等の孔埋め樹脂１６が充填
されている。

【００１１】コア基板１２両面の配線パターン１４上に
は、第１の絶縁樹脂層１７が形成され、この第１の絶縁
樹脂層１７の所定位置にはフォトリソグラフィ法等で第
１のビアホール１８が形成されている。この第１の絶縁
樹脂層１７の表面と第１のビアホール１８とには、無電
解銅めっき及び電解銅めっきにより第１の配線パターン
１９と第１のビア導体２０が形成され、コア基板１２上
の配線パターン１４と第１の絶縁樹脂層１７上の第１の
配線パターン１９とが第１のビア導体２０を介して電気
的に接続されている。さらに上層を積層するには、第１
の配線パターン１９上に、第２の絶縁樹脂層２１が形成
され、この第２の絶縁樹脂層２１の所定位置にフォトリ
ソグラフィ法等で第２のビアホール２３が形成され、無
電解銅めっき及び電解銅めっきにより第２の配線パター
ン２２と第２のビア導体２４が形成されている。なお、
コア基板１２には多数個の電子部品用多層配線基板１１
が形成されており、製造工程ではパネル状の基板として
取り扱われて、最終工程で切断されて、個々の電子部品
用多層配線基板１１としている。

【００１２】次に、図２を参照して、本発明の一実施の
形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法に適用さ
れる電解銅めっきの形成方法について説明する。この電
解銅めっきは、電子部品用多層配線基板１１の各層の配
線パターン１４、１９、２２を形成するために行われ
る。先ず、無電解銅めっきが施され、表裏面の被めっき
部の面積が異なる（ここでは、ａ面側の被めっき部の面
積をｂ面側より小さく設定している）コア基板１２をカ
ソード電極として配置する。コア基板１２を中心にし
て、その両側に銅板や銅ボール等からなる銅部材を用い
た第１、第２のアノード電極３１、３２を配設し、更
に、コア基板１２の被めっき部の面積が小さいａ面側
に、第２のアノード電極３２を中心にして、コア基板１
２と対向する第１の補助カソード電極３３を配設する。
この第１の補助カソード電極３３はモニター用のパネル
状のコア基板からなる。

【００１３】そして、表裏面それぞれの被めっき部の面
積に見合った電流値を設定し、電圧を印加することで、
被めっき部に金属銅を析出させる。この電流値の設定
は、コア基板１２と第１のアノード電極３１との間の第
１の直流電源装置３４を大きい電流値とし、コア基板１
２と第２のアノード電極３２の間の第２の直流電源装置
３５を小さい電流値としている。そして、第１の補助カ
ソード電極３３と第２のアノード電極３２の間の第１の
補助直流電源装置３６は、第２の直流電源装置３５の電
流値よりさらに小さい電流値を設定しているが、第２の
アノード電極３２によって、コア基板１２と第１の補助
カソード電極３３の被めっき部に金属銅を析出させるた
めに、第１の直流電源装置３４の電流値と、第２の直流
電源装置３５及び第１の補助直流電源装置３６の和の電
流値との間の差は小さいものとなる。

【００１４】このような電流値の設定により、コア基板
の両面の被めっき部の面積に差があってもコア基板１２
の被めっき部の面積の小さい側に第１の補助カソード電
極３３を設けることで、第１の補助カソード電極３３の
銅めっき分を考慮して、第２の直流電源装置３５及び第
１の補助直流電源装置３６の和の電流値を下げるのを抑
えることができる。第１のアノード電極３１と第２のア
ノード電極３２にかける電流値の差を少なくできるので
設定電流の大きい側のアノード電極から被めっき部の面
積の小さい面への銅イオンの回り込みが解消でき、めっ
き厚みのばらつきの少ない各層の配線パターン１４、１
９、２２を形成することができる。なお、電解銅めっき
に使用されるめっき浴３７は、通常のピロリン酸銅浴、
硫酸銅浴等が使用される。

【００１５】次に、図３を参照して、本発明の一実施の
形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法に適用さ
れる電解銅めっきの変形例について説明する。この電解
銅めっき方法は、図２を参照して説明した電解銅めっき
において、更にコア基板１２の被めっき部の面積の大き
いｂ面側に、第１のアノード電極３１を中心にしてコア
基板１２と対向する第２の補助カソード電極３８を配設
する。この第２の補助カソード電極３８は、銅めっきが
可能なモニター用のパネル状のコア基板からなる。

【００１６】そして、コア基板１２の表裏面それぞれの
被めっき部の面積に見合った電流値を設定し、電圧を印
加することで、被めっき部に金属銅を析出させる。この
電流値の設定は、コア基板１２と第１のアノード電極３
１との間の第１の直流電源装置３４を大きい電流値と
し、コア基板１２と第２のアノード電極３２の間の第２
の直流電源装置３５を小さい電流値とし、第１の補助カ
ソード電極３３と第２のアノード電極３２の間の第１の
補助直流電源装置３６をさらに小さい電流値にを設定し
ている。そして、更に、第１のアノード電極３１と第２
の補助カソード電極３８の間の第２の補助直流電源装置
３９の電流値を、第１の補助直流電源装置３６の電流値
との調整用にし、相互の電流値を調整して最適に設定す
ることで、コア基板１２の表裏のめっき厚みのばらつき
を更に少なくしている。

【００１７】なお、本実施の形態では、第１の補助カソ
ード電極３３、第２の補助カソード電極３８を第１のア
ノード電極３１あるいは、第２のアノード電極３２を中
心にして、コア基板１２と対向して配設しているが、コ
ア基板１２と第１のアノード電極３１あるいは、第２の
アノード電極３２の間に配設してもよい。また、第１の
補助カソード電極又は、第２の補助カソード電極は複数
箇所に配設してもよい。

【００１８】次いで、図４を参照して、本発明の一実施
の形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法に適用
される電解銅めっきの他の変形例について説明する。カ
ソード電極として表裏面に無電解銅めっき層を施した被
めっき部を有するコア基板１２を配設し、コア基板１２
を中心にして、その両側に銅板や銅ボール等からなる銅
部材を用いた第１、第２のアノード電極４０、４１を配
設する。更に、コア基板１２の配線パターン密度が小さ
くて電流が集中する部分（ここでは、図４に示すｃ部
分）の正面側で、コア基板１２と第１のアノード電極４
０との間に別の電極４２を配設し、コア基板１２から別
の電極４２に電流が流れるようにしている。コア基板１
２と第１、第２のアノード電極４０、４１の間には、コ
ア基板１２のそれぞれの面の被めっき部の面積に見合っ
た電流値を設定し、第１、第２の直流電源装置４３、４
４で電圧を印加することで、被めっき部に金属銅を析出
させている。

【００１９】コア基板１２の被めっき部の電流が集中す
る部分は、めっき厚みが厚くなるが、コア基板１２の被
めっき部の電流が集中する部分の正面側に設けられた別
の電極４２とコア基板１２との間の第３の直流電源装置
４５で、コア基板１２から別の電極４２に電流を流すこ
とで、コア基板１２の電流が集中し厚くなった銅を取っ
て、別の電極４２に銅めっきの析出をさせている。従っ
て、コア基板１２の面内の配線パターンの面積にばらつ
きがあっても、めっき厚みのばらつきの少ない配線パタ
ーンを形成することができる。

【００２０】なお、別の電極４２は、パネル状のコア基
板１２の被めっき部の面積のばらつきによってコア基板
１２の両面側及び／又は片面側で複数箇所配設してもよ
い。電解銅めっきに使用されるめっき浴４６は、通常の
ピロリン酸銅浴、硫酸銅浴等が使用される。

【００２１】次に、図５を参照して、本発明の一実施の
形態に係る電子部品用多層配線基板の製造方法について
工程順に詳細に説明する。 （１）コア基板、配線パターンの形成 まず、ガラスエポキシ等からなるコア基板１２にスルー
ホール１３を形成し、このコア基板１２の上下両面とス
ルーホール１３の内周面に、無電解銅めっきを施し、こ
の無電解銅めっき上に、例えば有機フィラー含有のエポ
キシ系感光性樹脂から成るドライフィルムを貼着し、こ
のドライフィルム上にパターンマスクを密着させ、紫外
線で露光し、現像するフォトリソグラフィ法で開口部を
形成し、次いで、開口部に電解銅めっきを施す。その
後、ドライフィルムを除去し、エッチングして、露出し
ている無電解銅めっきを除去することで、無電解銅めっ
き及び電解銅めっきから成る配線パターン１４や、スル
ーホール導体１５を形成する。その後、スルーホール導
体１５の空洞部に、エポキシ等の孔埋め樹脂１６を充填
する。この電解銅めっきは前述した電解銅めっき方法の
いずれか（図２〜図４参照）を適用する。

【００２２】（２）感光性絶縁樹脂の塗布 配線パターン１４層上にスクリーン印刷やロールコータ
ー等により感光性絶縁樹脂を塗布し、例えば、５５℃で
１５分間乾燥する。この感光性絶縁樹脂の塗布、乾燥は
層間の絶縁性の十分な樹脂厚み、例えば３０μｍを得る
ために本実施の形態では、３回繰り返して行った。ま
た、配線パターン１４と第１の絶縁樹脂層１７との密着
性を向上させる目的で配線パターン１４上に針状めっき
（インタープレートめっき）例えば、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針
状無電解めっきを施し、表面粗化をしてもよい。さら
に、表面粗化された表面に厚さ０．５μｍ程度の置換Ｓ
ｎめっきを施してもよい。

【００２３】（３）ビア形成 第１の絶縁樹脂層１７層上にガラス板からなるパターン
マスクを密着させ、例えば、６００ｍｊ／ｃｍ² の紫外
線で露光し、現像することで第１のビアホール１８を形
成し、次いで、紫外線キュア、熱キュアを行い、硬化さ
せて、第１のビアホール１８を有する第１の絶縁樹脂層
１７を形成する。

【００２４】（４）無電解銅めっき、ドライフィルムレ
ジスト、及び、電解銅めっき形成 次に、第１の絶縁樹脂層１７表面をクロム酸、過マンガ
ン酸等で粗化し、Ｐｄ等の触媒を付与した後、無電解銅
めっきを施す。次いで、この無電解銅めっき層２５上に
感光性絶縁樹脂層、例えば、感光性のドライフィルムレ
ジスト２６（日本合成化学製ＮＩＴ−２４０）をラミネ
ートし、パターンマスクを密着させ露光、現像し、ドラ
イフィルムレジスト２６による開口部を形成する。その
後、無電解銅めっき層２５を通して電流を流し、開口部
に電解銅めっき層２７を形成する。この電解銅めっき層
２７の形成方法においても、前述した電解銅めっき方法
のいずれか（図２〜図４参照）が適用できる。

【００２５】（５）ドライフィルム剥離、無電解銅めっ
きエッチング その後、ドライフィルムレジスト２６を除去し、エッチ
ングすることで、無電解銅メッキ層２５のみの銅厚みの
薄い部分をエッチング除去し、無電解銅めっき層２５と
電解銅めっき層２７から第１の配線パターン１９を形成
する。

【００２６】次に、さらに多層にするために、上記と同
様の方法で、第１の配線パターン１９と第２の配線パタ
ーン２２とを接続するための第２のビアホール２３形成
用の感光性絶縁樹脂層を形成する。その後、パターンマ
スクを密着させ、紫外線で露光し、現像することで第２
のビアホール２３を形成し、次いで、紫外線キュア、熱
キュアを行い、硬化させて、第２のビアホール２３を有
する第２の絶縁樹脂層２１を形成する。

【００２７】そして、第２の絶縁樹脂層２１表面に無電
解銅めっきを施し、次いで、この無電解銅めっき上にド
ライフィルム等で感光性絶縁樹脂層を形成し、パターン
マスクを密着させ露光、現像し、ドライフィルムレジス
トによる開口部を形成する。そして、無電解銅めっき層
を通して電流を流し、開口部に電解銅めっき層を形成す
る。ここでも、前述の電解銅めっきの形成方法のいずれ
か（図２〜図４参照）が適用できる。その後、感光性ド
ライフィルムレジストを除去し、エッチングすること
で、無電解銅めっき層のみの銅厚みの薄い部分をエッチ
ング除去し、無電解銅めっきと電解銅めっきから成る第
２の配線パターン２２を形成する。なお、本実施の形態
では、絶縁樹脂層の積層数を２層としたが、１層又は３
層以上あってもよい。また、本実施の形態では、ビルド
アップ法による多層配線基板での電解銅めっきで説明し
たが、一般的なＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの多
層プリント配線基板等の樹脂基板に銅配線を形成する場
合の電解銅めっきにも採用できることは言うまでもな
い。

【００２８】

【実施例】本発明者は、本発明に係る電子部品多層配線
基板の製造方法により製造された電解銅めっきの厚みを
測定した。比較例として従来方法での電解銅めっきの厚
みを測定した。コア基板の大きさは、４０５×５００ｍ
ｍで、被めっき部の面積は、大きい面が１３．６ｄｍ²
小さい面が６．０ｄｍ² であった。本発明の設定電流は
両面とも３４．５Ａ（電流密度１．７Ａ／ｄｍ² ）で電
解銅めっきを行った。従来方法である比較例の設定電流
は、被めっき部の面積の大きい面に５３．５Ａ（電流密
度２．０Ａ／ｄｍ² ）、小さい面に１６．２Ａ（電流密
度１．３Ａ／ｄｍ² ）で電解銅めっきを行った。それぞ
れの電解銅めっきの厚みの測定結果を表１に示す。な
お、測定を行った測定箇所は図６に示すように、１４列
１２行に区分した中からサンプリングしている。この測
定結果は、実施例におけるめっき厚みのばらつき（σ：
標準偏差）が小さいことを示している。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【発明の効果】請求項１、２記載の電子部品用多層配線
基板の製造方法においては、コア基板の被めっき部の面
積の小さい側にコア基板とは別の第１の補助カソード電
極を配置し、コア基板の表裏のめっき厚みのばらつきを
緩和したので、電子部品用多層配線基板の表面と裏面の
被めっき部の面積差があっても、厚みばらつきの少ない
めっきが可能である。従って、電気信号伝達の性能低下
を防止し、電子部品用多層配線基板としての性能低下を
防止する。特に、請求項２記載の電子部品用多層配線基
板の製造方法においては、コア基板の被めっき部の面積
の大きい側に、更に別の第２の補助カソード電極を配置
し、第１、第２の補助カソード電極の電流を調整して、
コア基板の表裏のめっき厚みのばらつきを緩和したの
で、被めっき部の面積の大きい面側のアノード電極から
被めっき部の面積の小さい側への銅イオンの回り込みを
制御でき、めっき厚みのばらつきの少ないめっきが可能
となり、電気信号伝達の性能低下を防止し、電子部品用
多層配線基板としての性能低下を防止する。請求項３記
載の電子部品用多層配線基板の製造方法においては、コ
ア基板の被めっき部の電流が集中する部分の正面側に、
更に別の電極を配置し、コア基板から別の電極に電流を
流して、コア基板のめっき厚みのばらつきを緩和したの
で、電子部品用多層配線基板の被めっき部の面積の面内
ばらつきが発生した場合であっても、厚みばらつきの少
ないめっきが可能である。従って、電気信号伝達の性能
低下を防止し、電子部品用多層配線基板としての性能低
下を防止する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る電子部品用多層配
線基板の製造方法により製造された電子部品用多層配線
基板の部分拡大断面図である。

【図２】同電子部品用多層配線基板の製造方法に適用さ
れる電解銅めっきの説明図である。

【図３】同電子部品用多層配線基板の製造方法に適用さ
れる変形例に係る電解銅めっきの説明図である。

【図４】同電子部品用多層配線基板の製造方法に適用さ
れる他の変形例に係る電解銅めっきの説明図である。

【図５】同電子部品用多層配線基板の製造方法の工程を
説明する部分拡大断面図である。

【図６】実施例における銅めっき厚みの測定箇所を示す
説明図である。

【図７】従来の電子部品用多層配線基板の製造方法に適
用される電解銅めっきの説明図である。

【符号の説明】

１１：電子部品用多層配線基板、１２：コア基板、１
３：スルーホール、１４：配線パターン、１５：スルー
ホール導体、１６：孔埋め樹脂、１７：第１の絶縁樹脂
層、１８：第１のビアホール、１９：第１の配線パター
ン、２０：第１のビア導体、２１：第２の絶縁樹脂層、
２２：第２の配線パターン、２３：第２のビアホール、
２４：第２のビア導体、２５：無電解銅めっき層、２
６：ドライフィルムレジスト、２７：電解銅めっき層、
３１：第１のアノード電極、３２：第２のアノード電
極、３３：第１の補助カソード電極、３４：第１の直流
電源装置、３５：第２の直流電源装置、３６：第１の補
助直流電源装置、３７：めっき浴、３８：第２の補助カ
ソード電極、３９：第２の補助直流電源装置、４０：第
１のアノード電極、４１：第２のアノード電極、４２：
電極、４３：第１の直流電源装置、４４：第２の直流電
源装置、４５：第３の直流電源装置、４６：めっき浴

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表裏に異なる面積で被めっき部を有する
   コア基板を中心にし、その両側に第１、第２のアノード
   電極を配置して電解銅めっきを行い、各層の配線パター
   ンを形成する電子部品用多層配線基板の製造方法におい
   て、前記コア基板の被めっき部の面積の小さい側に前記
   コア基板とは別の第１の補助カソード電極を配置し、前
   記コア基板の表裏のめっき厚みのばらつきを緩和したこ
   とを特徴とする電子部品用多層配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電子部品用多層配線基板
   の製造方法において、前記コア基板の被めっき部の面積
   の大きい側に、更に別の第２の補助カソード電極を配置
   し、前記第１、第２の補助カソード電極の電流を調整し
   て、前記コア基板の表裏のめっき厚みのばらつきを緩和
   したことを特徴とする電子部品用多層配線基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】 表裏に被めっき部を有するコア基板を中
   心にし、その両側に第１、第２のアノード電極を配置し
   て電解銅めっきを行い、各層の配線パターンを形成する
   電子部品用多層配線基板の製造方法において、前記コア
   基板の被めっき部の電流が集中する部分の正面側に、更
   に別の電極を配置し、前記コア基板から前記別の電極に
   電流を流して、前記コア基板のめっき厚みのばらつきを
   緩和したことを特徴とする電子部品用多層配線基板の製
   造方法。