JP4174841B2 - 耐摩耗性被膜 - Google Patents
耐摩耗性被膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4174841B2 JP4174841B2 JP32459697A JP32459697A JP4174841B2 JP 4174841 B2 JP4174841 B2 JP 4174841B2 JP 32459697 A JP32459697 A JP 32459697A JP 32459697 A JP32459697 A JP 32459697A JP 4174841 B2 JP4174841 B2 JP 4174841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- titanium
- orientation
- lattice constant
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 title claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 33
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- -1 titanium carbides Chemical class 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、切削工具、金型、機械部品など耐摩耗性が要求される部材などに適用される耐摩耗性表面処理に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
窒化チタンは、fcc構造の化合物で、ビッカース硬度が約2000と極めて高く、その優れた耐摩耗性から工具・金型などに広く適用されている。一方、炭化チタンや炭窒化チタンも、窒化チタンと同様にfcc構造を有する化合物で、炭化チタンのビッカース硬度は約3000、炭窒化チタンのビッカース硬度は炭素と窒素との比により2000から3000の値をとる。窒化チタンと同様に、耐摩耗性に優れるため、工具・金型に使用されている。
窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタンは、各種PVD法やCVD法などの気相合成法を用いて合成される。具体的には、PVD法では、ホロカソードイオンプレーティング法、カソードアークイオンプレーティング法、熱電子励起型アークイオンプレーティング法、高周波イオンプレーティング法などの各種イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法、非平衡型マグネトロンスパッタ法、DCスパッタ法などの各種スパッタ法、イオンビームを使用するイオンミキシング法、などが用いられ、一方CVD法では、一般的な熱CVD法のほかに、高周波プラズマCVD法などのプラズマを使用した手法などが実用化または研究されている。
例えば改良された耐食性を有する窒化チタン被覆組成物を目的として提案された少なくとも25のI(111)/I(200)X−線回折強度比よりなる高度に配向された構造を有するもの(特開平8−170168号公報)又はTiN被膜が(111)面に結晶配向性を有し、さらにI(200)/I(111)の強度比が0.2以下であるTiN被膜Ti製部材(特開平5−78820号公報)等が知られている。いずれも(111)面配向の強い膜が被膜の耐食性という見地から推奨されている。
なお、これら、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタンは、お互いに積層化されて使用されることも多く、また、他の材料系、たとえば窒化クロムや窒化アルミニウムなどとの積層処理も近年用いられるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタンなどのコーティングにより、工具や金型の耐久性は数倍から数十倍に向上する。しかし、近年のより厳しい要求に応えるには、さらに耐久性の高いコーティング膜が切望されている。
耐久性を高めるために、ひとつには膜厚を厚くする方法がある。しかし、PVD法による膜は一般に残留応力が高く厚膜化が困難で、厚さ5μm程度が限界である。熱CVD法では厚膜化が比較的容易であるが、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタンなどの膜は、厚くすると表面の粗さが大きくなり、コーティング後に研磨加工を施す必要がある。
こうしたことから、膜そのものの耐摩耗性を向上させることが強く望まれている。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決し、優れた耐摩耗性、耐久性を有する被膜を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
かかる問題を解決するため、結晶状態と耐摩耗性との関係についての検討を行い、膜の配向性または格子定数を制御することで、耐摩耗性を大幅に向上させることができることを見出した。
配向性に関しては、気相合成法により形成され、基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が5以上の窒化チタン、4以上の炭化チタン、4以上の炭窒化チタンであることが好ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の上記目的は以下に記載するような各発明によって達成することができる。
(1)切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された窒化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が5以上で、且つ、前記窒化チタン膜の格子定数が0.4231nmから0.4252nmまでの範囲内にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。
【0006】
(2)切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された炭化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が4以上で、且つ、前記炭化チタン膜の格子定数が0.4316nmから0.4338nmまでの範囲にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。
【0007】
(3)切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された炭窒化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が4以上で、且つ、前記炭窒化チタンの炭素と窒素の比を(1−x):xとしたとき、格子定数が、0.997{0.424173x+0.432740(1−x)}nmから1.003{0.44173x+0.42740(1−x)}nmまでの範囲にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。
【0008】
【発明の実施の形態】
一般に、PVDやCVDによる膜は、膜厚方向に対してある配向性を有している。例えば、イオンプレーティング法などでは、(111)配向しやすい。これは、成膜時に基板に印加する電圧の影響で、基板表面に垂直にイオンなどの荷電粒子が照射され、この方向性が配向の要因になっていると考えられている。そして、特開平5−78820号公報や特開平8−170168号公報に記載されているように、(111)配向の強い膜が推奨されてきた。しかしながら、検討の結果、(200)配向が極度に強い膜の耐摩耗性は、(111)配向膜や、(200)に弱く配向した膜よりはるかに優れることが見出された。ここで、配向性は、たとえば、X線回折法などにより求められ、θ−2θ法で測定した基板と平行な格子面からの回折スペクトルから求めることができる。〔θ−2θ法:基板表面の法線が、常に、X線の入射方向と回折線の検出器の方向とを2等分する方向となるように配置して測定を行うと、基板表面に平行な結晶面からの回折線のみを検出することになる。薄膜の結晶配向性を調べるのに適する手法である。〕
【0009】
窒化チタンに関しては、回折線強度比I(200)/I(111)は5以上で耐摩耗性の向上が見られ、特に8以上でその効果は顕著であった。炭化チタンに関しては、回折線強度比I(200)/I(111)は4以上で耐摩耗性の向上が見られ、特に6以上でその効果は顕著であった。炭窒化チタンに関しては、窒素と炭素との比により窒化チタンと炭化チタンとの中間の傾向を示す。
配向性の制御には、成膜時の基板電圧で制御する方法、イオン照射を併用して成膜する方法などがあげられるが、これら以外の方法で制御してもよい。
基板電圧を制御する場合は、一般にマイナス200V〜0Vの範囲で行う。イオン注入による場合は、イオンとしては、好ましくはアルゴンなどの希ガスイオン、窒素イオン、炭素イオン、チタンイオン、炭化水素イオンなどを用い、注入量は1×1015〜1×1018ions/cm2 の範囲で膜形成と交互に反復して行う等の方法が好ましい。
【0010】
次に格子定数であるが、窒化チタン、炭化チタン、いずれの場合も、JCPDS38−1420、32−1383記載の窒化チタン、炭化チタンの格子定数0.424173nm、0.432740nmの0.997倍から1.003倍の範囲にあることが望ましい。言い替えれば、窒化チタンの場合、格子定数が約0.4231nmから約0.4252nmまでの範囲、炭化チタンの場合、約0.4316nmから約0.4338nmまでの範囲、炭窒化チタンの場合、炭素と窒素の比を(1−x):xとしたとき、格子定数が0.997{0.424173x+0.432740(1−x)}nmから1.003{0.424173x+0.432740(1−x)}nmまでの範囲にある膜が耐摩耗性に優れている。〔JCPD(Joint Committee on Powder Diffraction Standards )により各種物質のX線回折図形のデータが収録されており標準データとして用いられている。〕
【0011】
一般に、PVD法やプラズマCVD法による膜は、JCPDSに記載の粉末法による格子定数より1.003倍以上大きな値をとる。これは、数eV以上のエネルギーを持ったイオンなどの荷電粒子が格子間に入り、格子定数を大きくしているといわれている。また、配向性が強い膜は、格子定数もJCPDSに記載の粉末法による格子定数から大きくはずれる傾向にもある。本発明では、むしろ、前述のように極度に(200)面に配向し、かつ、JCPDSに記載の粉末法による格子定数の0.997倍から1.003倍の範囲にある膜であることを推奨する。
【0012】
格子定数の制御には、成膜時の基板電圧、温度を制御する方法、イオン照射やレーザー照射を併用する方法などがあげられるが、これら以外の方法で制御してもよい。例えば、成膜時のガス圧、金属チタンの蒸着速度若しくは基板電流等を制御する方法がある。
なお、本発明の窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタン膜は、単層膜で用いられてもよいし2層以上の積層コーティング膜として用いられてもよい。積層コーティングの場合、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタンを積層してもよいし、これら以外の膜、例えば、窒化クロム、窒化ジルコニウム、TiAlN、TiCrN等の膜との積層でもよい。また組成や格子定数を、配向性を傾斜的に変化させてもよい。単層膜で用いる場合でも、最表面など全体の一部分に本発明を満たす膜を使用する方法もある。いずれの場合も、本発明の膜の膜厚が0.1μm以上20μm以下であることが望ましい。下限の0.1μmは、耐摩耗性を発揮するのに最低の膜厚として設定する。また、上限の20μmは、厚膜化による処理時間の延長などの経済的不利益な要因と、厚膜化にともなう表面粗さの増大を回避するためのものである。積層コーティングの場合は、例えば、窒化チタン/窒化クロム//基材、炭化チタン/炭窒化チタン/窒化チタン//基材の組合せが好ましい。また被膜を形成するための基材としては一般に超硬合金、ハイス鋼、ダイス鋼、ステンレス鋼、軸受け鋼、その他一般の鋼材等の平板が用いられる。
【0013】
【実施例】
(実施例1)
超硬合金製の平板基材に、アークイオンプレーティング法による窒化チタン膜合成と100keVArイオン注入とを交互に繰り返す処理を行った。
窒化チタンの合成はN2 ガスの雰囲気中でTiをカソードアーク法で蒸発させ、基板上に1回あたり0.1μmの膜厚の窒化チタン膜を形成する。次に、この窒化チタン表面に100keVのArイオンを1×1014から1×1017ions/cm2 の範囲で照射する。これを20回繰り返して厚さ2μmの窒化チタン膜を形成した。
また、比較のため、イオン照射を行わないアークイオンプレーティング法によるTiN膜、熱CVD法によるTiN膜も作成した。
これらに対し、X線回折θ−2θ法で、配向性、格子定数を求め、また、ピン・オン・ディスク法で、相手材に窒化ケイ素製ピンを使用して摩擦摩耗試験を行い摩耗特性を調査した。結果を表1に示す。ここで、ピン・オン・ディスク法とは面内で回転するディスク表面にピンを押し当て、ピンとディスク間に発生する摩擦力、摩擦部位の摩耗量を調べる手法である。
【0014】
【表1】
【0015】
(実施例2)
超硬合金製の平板基材に、熱電子放出型アークイオンプレーティング法により炭化チタン膜を形成した。蒸発源にはTiを、反応ガスにはC2 H2 を用いた。基板電圧を変化させ、配向性の異なる炭化チタン膜を形成した。
これらに対し、X線回折θ−2θ法で、配向性、格子定数を求め、また、ピン・オン・ディスク法で摩擦摩耗試験を行い、摩耗特性を調査した。結果を表2に示す。
【0016】
【表2】
【0017】
(実施例3)
SKH51(ハイス鋼)平板を基材として、ホロカソードイオンプレーティング法による炭窒化チタン膜の合成と200keVのNイオンを交互に繰り返す処理を行った。 炭窒化チタンの合成は、N2 ガスとCH4 ガスとの混合ガス雰囲気中でTiを蒸発させ、ホロカソードプラズマにより基板上で反応、堆積させた。成膜時のガスの分圧を制御して、窒素と炭素の組成が3:7、5:5の炭窒化チタンを1サイクルあたり0.15μmの膜厚で合成した。次に、この炭窒化チタン表面に、200keVのNイオンを1×1014から1×1017ions/cm2 の範囲で照射した。これを20回繰り返して厚さ3μmの炭窒化チタンを合成した。
【0018】
これらに対し、X線回折θ−2θ法で、配向性、格子定数を求め、また、ピン・オン・ディスク法で摩擦摩耗試験を行い摩耗特性を調査した。結果を表3に示す。ただし、表中で、d1 、d2 は、本発明における炭窒化チタンの格子定数の上限と下限を示し、xを炭窒化チタンTiC(1-x) Nx の窒素比率xとした場合、d1 、d2 は、それぞれ、0.997{0.424173x+0.432740(1−x)}nm、1.003{0.44173x+0.42740(1−x)}nmである。
【0019】
【表3】
【0020】
(実施例4)
超硬合金製のドリルにアークイオンプレーティング法による窒化チタン膜形成と窒素イオン注入とを交互に繰り返す処理を行った。窒化チタンは、N2 ガス雰囲気中で固体チタンターゲット上にアーク放電を発生させチタンを蒸発、窒素と反応させ基板上に窒化チタンを形成する。窒化チタンを約0.2μm製膜した後、窒素イオンを加速エネルギー60keVで1×1016ions/cm2 注入する。その後、再度窒化チタンの形成を行う。この工程を繰り返すことで、最終的に約3μmの窒化チタン膜を被覆した。
【0021】
(比較例)
比較として、アークイオンプレーティング法のみで窒化チタン膜を3μm形成した。
同一ロットで処理したテストピースにてX線回折θ−2θ法で、配向性、格子定数を求めたところ、本実施例と比較例のI(200)/I(111)は25.1、0.4、格子定数は0.42411nm、0.42637nmであった。
次に、被覆処理したドリルにつき、被削材をSUS304として切削を行ったところ、本実施例は、比較例のドリルに対して2.5から3倍の寿命であった。
【0022】
(実施例5)
SUS304製平板状搬送用治具上に、アークイオンプレーティング法で、従来法である実施例1記載のNo.8の方法で窒化チタンを2.5μm成膜し、その上に実施例1のNo.7の方法で窒化チタンを0.2μm成膜した。
比較のため、実施例1記載のNo.8の方法のみで3μmの窒化チタンを形成したものを準備した。
本治具を実用に供したところ、未コートのものの30倍、比較例と比べても2.2倍の長さの寿命を得た。
【0023】
(実施例6)
軸受け鋼SUJ2製のシャフト外周に、熱電子放出型アークイオンプレーティング法により窒化クロムを5μm形成し、その上層に実施例2のNo.2の方法で炭化チタン膜を2μm形成した。
比較のため、蒸気と同様の方法で窒化クロムを5μm形成し、その上層に実施例2のNo.7の方法で炭化チタン膜を2μm形成した。
両者をSUJ2製の軸受けに組み込み、回転させて寿命比較を行った。前者の本発明による処理を施したものは、後者の比較例に対し、3.2倍の寿命を示した。
【0024】
【発明の効果】
本発明により気相合成法による窒化チタン膜、炭化チタン膜及び/又は炭窒化チタン膜のX線回折強度比I(200)/I(111)を特定範囲内に制御することによりそれぞれの、耐摩耗性に優れた被膜を提供することができた。
Claims (3)
- 切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された窒化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が5以上で、且つ、前記窒化チタン膜の格子定数が0.4231nmから0.4252nmまでの範囲内にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。 - 切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された炭化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が4以上で、且つ、前記炭化チタン膜の格子定数が0.4316nmから0.4338nmまでの範囲にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。 - 切削工具、金型または、機械部品で耐摩耗性が要求される基板に形成された耐摩耗性被膜であって、
該被膜は格子定数または配向性を変化させた2層以上の積層コーティング膜で形成された膜厚が0.1ミクロン以上20ミクロン以下の被膜で、前記基板表面に形成された炭窒化チタン膜の配向性が前記基板表面と平行な(200)面と(111)面からのX線回折線強度比I(200)/I(111)が4以上で、且つ、前記炭窒化チタンの炭素と窒素の比を(1−x):xとしたとき、格子定数が、0.997{0.424173x+0.432740(1−x)}nmから1.003{0.44173x+0.42740(1−x)}nmまでの範囲にあることを特徴とする耐摩耗性被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32459697A JP4174841B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 耐摩耗性被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32459697A JP4174841B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 耐摩耗性被膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11158606A JPH11158606A (ja) | 1999-06-15 |
| JP4174841B2 true JP4174841B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=18167592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32459697A Expired - Fee Related JP4174841B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 耐摩耗性被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4174841B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6359897B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-07-18 | 日本タングステン株式会社 | 薄膜磁気ヘッド用基板、磁気ヘッドスライダ、および、ハードディスクドライブ装置 |
| JP6643207B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2020-02-12 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| JP6849551B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2021-03-24 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| JP2020067342A (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | グローリー株式会社 | 磁気検出装置、紙葉類識別装置及び紙葉類処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3341846B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-11-05 | 住友電気工業株式会社 | イオン窒化〜セラミックスコーティング連続処理方法 |
| JPH04333561A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化物膜の形成方法 |
| JPH08269710A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Tdk Corp | 反応性スパッタ装置および反応性スパッタ方法ならびに反応性蒸着装置および反応性蒸着方法 |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32459697A patent/JP4174841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11158606A (ja) | 1999-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3676422B1 (en) | Wear resistant pvd tool coating containing tialn nanolayer films | |
| JP4173107B2 (ja) | ナノ層コーティングされた切削工具及びその製造方法 | |
| Roos et al. | Interrelationship between processing, coatingproperties and functional properties of steered arc physically vapour deposited (Ti, AI) N and (Ti, Nb) N coatings | |
| JP6037113B2 (ja) | 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| Hovsepian et al. | Novel TiAlCN/VCN nanoscale multilayer PVD coatings deposited by the combined high-power impulse magnetron sputtering/unbalanced magnetron sputtering (HIPIMS/UBM) technology | |
| JP7112330B2 (ja) | 基材上に硬質材料層を製造するための方法、硬質材料層、切削工具及び被膜源 | |
| JPH11335813A (ja) | 硬質被膜及び積層硬質被膜 | |
| JP4448342B2 (ja) | 微細結晶硬質皮膜 | |
| JP5730535B2 (ja) | 硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法 | |
| JP2014210333A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| JP2009203485A (ja) | 被覆部材 | |
| JP5138892B2 (ja) | 硬質皮膜 | |
| JP2009203489A (ja) | 被覆部材 | |
| Ducros et al. | Multilayered and nanolayered hard nitride thin films deposited by cathodic arc evaporation. Part 1: Deposition, morphology and microstructure | |
| GB2425780A (en) | PVD carbonitride coating | |
| EP1802785A1 (en) | Pvd-coated cutting tool insert | |
| JP2009197268A (ja) | 被覆部材 | |
| WO1991005076A1 (fr) | Element dur revêtu en surface pour outils de coupe et pour outils resistant a l'abrasion | |
| CN114945708B (zh) | 具有改善的涂层粘附力的pvd涂覆硬质合金切削工具 | |
| WO2012057000A1 (ja) | 硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法 | |
| KR20040060819A (ko) | 밀착성이 우수한 경질 피막 및 그 제조 방법 | |
| JP4174841B2 (ja) | 耐摩耗性被膜 | |
| JP5035980B2 (ja) | 高速ミーリング加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法 | |
| WO2020094718A1 (en) | A method for producing a coated cutting tool | |
| JP5035979B2 (ja) | 高速ミーリング加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040420 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070511 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080319 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080729 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080811 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |
