JP4172761B2 - 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム - Google Patents

欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP4172761B2
JP4172761B2 JP2002294851A JP2002294851A JP4172761B2 JP 4172761 B2 JP4172761 B2 JP 4172761B2 JP 2002294851 A JP2002294851 A JP 2002294851A JP 2002294851 A JP2002294851 A JP 2002294851A JP 4172761 B2 JP4172761 B2 JP 4172761B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
pixel value
inspected
reference image
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002294851A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004132721A (ja
Inventor
泰志 佐々
浩之 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2002294851A priority Critical patent/JP4172761B2/ja
Priority to US10/657,107 priority patent/US7440605B2/en
Publication of JP2004132721A publication Critical patent/JP2004132721A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4172761B2 publication Critical patent/JP4172761B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G01N2021/95615Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method with stored comparision signal
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、対象物上のパターンの検査を行う技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板、カラーフィルタ、シャドウマスク、高精細プリント配線基板等に形成されたパターン、リードフレームのパターン、あるいは、これらのパターンを形成するためのフォトマスクのパターン等を外観検査する分野において、従来より主として多値画像による比較検査方式が用いられている。例えば、被検査画像と参照画像との画素値の差の絶対値を示す差分絶対値画像を求め、差分絶対値画像において所定のしきい値よりも大きな画素値を有する領域が欠陥として検出される。
【0003】
また、比較検査方式では被検査画像と参照画像のダイナミックレンジや明るさ等の条件が等しいことが前提となるため、ダイナミックレンジや明るさ等の変動の影響を取り除くために、各画像の画素値が所定の範囲に適正に分布するように画素値分布を線形変換して正規化した上で欠陥の判定を行う手法も実施されている。
【0004】
さらに、被検査画像と参照画像との画素値の符号付差分の標準偏差を算出し、標準偏差に基づいて差分絶対値画像のヒストグラムを正規化して画像の鮮鋭度の変動(すなわち、粒状性の変動)の影響を取り除く手法も提案されている(特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−22421号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、撮像する対象物の表面状態や撮像部の影響(例えば、SEMのように電子ビームを用いて撮像した画像に見られるような、チャージアップ現象)等により、差分絶対値画像の一部の領域において欠陥箇所と同程度に画素値が大きくなってしまうことがある。差分絶対値画像における不必要な画素値の増大は、数画素からなる非常に局所的な領域において発生することも多く、この場合、従来のような巨視的な手法による画素値の修正では適切に欠陥を検出することができない。
【0007】
例えば、100×100画素程度の領域において被検査画像と参照画像とのダイナミックレンジを合わせた場合、この領域全体に一様に生じる画素値の変動の影響を取り除くことができるが、チャージアップ現象等により数画素程度の領域に生じた画素値の変動は依然欠陥として誤検出されることとなる。
【0008】
図1はチャージアップ現象により欠陥が誤検出される様子を説明するための図である。図1中の被検査画像91においてライン911における画素の理想的な値(例えば、参照画像中での値)がグラフ921にて示される場合に、実際の画素値がグラフ922にて示されるものとすると、差分絶対値画像では画素値はグラフ923に示すものとなる。
【0009】
ここで、グラフ922中の符号922aにて示すように欠陥により画素値が理想的な値からずれている場合にはグラフ923において符号923aにて示すように差分絶対値画像における画素値が大きくなり、欠陥が検出されることとなる。ところが、グラフ922中の符号922bにて示すようにチャージアップ現象により数画素の値が理想的な値からずれている場合、グラフ923中の符号923bにて示すように欠陥が誤検出されることとなる。このような局所的な誤検出は従来防止することはできなかった。
【0010】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、欠陥をより適切に検出することができる技術を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、対象物上のパターンを検査する欠陥検査装置であって、対象物を撮像して多階調の被検査画像のデータを取得する撮像部と、参照画像のデータを記憶する記憶部と、前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、前記対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する手段と、前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する手段と、前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める手段と、前記変換特性に基づいて前記被検査画像と前記参照画像との強調差分画像を求める手段と、前記強調差分画像に基づいて検査を行う手段とを備える。
【0012】
請求項に記載の発明は、請求項に記載の欠陥検査装置であって、前記複数の特定の領域の各領域に対応する画素値範囲が、前記領域に属する画素の値の標準偏差に基づいて決定される。
【0013】
請求項に記載の発明は、請求項1または2に記載の欠陥検査装置であって、前記強調差分画像を求める手段が、前記変換特性に基づいて前記被検査画像および前記参照画像を変換し、変換後の被検査画像と変換後の参照画像との差分画像を前記強調差分画像として求める。
【0015】
請求項に記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、前記変換特性を求める手段が、前記被検査画像の画素値に基づいて被検査画像用変換特性を求めるとともに、前記参照画像の画素値に基づいて参照画像用変換特性を求める
【0016】
請求項に記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、前記検査を行う手段が、前記被検査画像と前記参照画像との差分画像と、前記強調差分画像とを合成し、合成後の画像の各画素の値と所定のしきい値とを比較することにより検査を行う。
【0017】
請求項に記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、前記撮像部により取得された画像を分割して得られる複数の画像のそれぞれが、前記被検査画像である。
【0018】
請求項に記載の発明は、対象物上のパターンを検査する欠陥検査方法であって、参照画像のデータを準備する工程と、対象物を撮像して多階調の被検査画像のデータを取得する工程と、前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、前記対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する工程と、前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する工程と、前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める工程と、前記変換特性に基づいて前記参照画像と前記被検査画像との強調差分画像を求める工程と、前記強調差分画像に基づいて検査を行う工程とを有する。
【0019】
請求項に記載の発明は、パターンの検査をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、参照画像のデータを準備する工程と、多階調の被検査画像のデータを準備する工程と、前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する工程と、前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する工程と、前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める工程と、前記変換特性に基づいて前記参照画像と前記被検査画像との強調差分画像を求める工程と、前記強調差分画像に基づいて検査を行う工程とを実行させる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図2は本発明の一の実施の形態に係る検査装置1の構成を示す図である。検査装置1は、半導体基板(以下、「基板」という。)9上のパターンを検査する装置であり、基板9上の所定の領域を撮像して多階調の対象物画像のデータを取得する撮像部2、基板9を保持するステージ3、および、撮像部2に対してステージ3を相対的に移動するステージ駆動部31を有する。
【0021】
撮像部2は、照明光を出射する照明部21、基板9に照明光を導くとともに基板9からの光が入射する光学系22、および、光学系22により結像された基板9の像を電気信号に変換する撮像デバイス23を有する。なお、この撮像部2は、電子ビームを用いた撮像装置でも良い。ステージ駆動部31はステージ3を図2中のX方向に移動するX方向移動機構32、および、Y方向に移動するY方向移動機構33を有する。X方向移動機構32はモータ321にボールねじ(図示省略)が接続され、モータ321が回転することにより、Y方向移動機構33がガイドレール322に沿って図2中のX方向に移動する。Y方向移動機構33もX方向移動機構32と同様の構成となっており、モータ331が回転するとボールねじ(図示省略)によりステージ3がガイドレール332に沿ってY方向に移動する。
【0022】
検査装置1は、各種演算処理を行うCPUや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ5をさらに有する。コンピュータ5は、欠陥の判定を行うとともに検査装置1の他の構成を制御する制御部としての役割を担う。
【0023】
図3はコンピュータ5の構成を示すブロック図である。コンピュータ5は、各種演算処理を行うCPU51、基本プログラムを記憶するROM52および各種情報を記憶するRAM53をバスラインに接続した一般的なコンピュータシステムの構成となっている。バスラインにはさらに、情報記憶を行う固定ディスク54、画像等の各種情報の表示を行うディスプレイ55、操作者からの入力を受け付けるキーボード56aおよびマウス56b、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体8から情報の読み取りを行う読取装置57、並びに、検査装置1の他の構成との間で信号を送受信する通信部58が、適宜、インターフェイス(I/F)を介する等して接続される。
【0024】
コンピュータ5には、事前に読取装置57を介して記録媒体8からプログラム80が読み出され、固定ディスク54に記憶される。そして、プログラム80がRAM53にコピーされるとともにCPU51がRAM53内のプログラムに従って演算処理を実行することにより(すなわち、コンピュータがプログラムを実行することにより)、コンピュータ5が欠陥の検出に係る動作を行う。
【0025】
図4はコンピュータ5により実現される機能構成を示す図である。図4において、入力部56は図3中のキーボード56aまたはマウス56bに対応し、画像メモリ531およびメモリ532は図3中のRAM53に対応する。なお、画像メモリ531はコンピュータ5に別途取り付けられた専用のメモリであってもよい。
【0026】
範囲設定部501、LUT(ルックアップテーブル)作成部502、画像変換部503、減算部504、比較部505および表示制御部506はCPU51がプログラム80に従って演算処理を行うことにより、CPU51、RAM53、および、その他の周辺回路により実現される機能を示している。以下、図2ないし図4を参照しながら検査装置1の動作について説明する。
【0027】
図5は検査装置1の動作の流れを示す図である。検査装置1では、まず、コンピュータ5がステージ駆動部31を制御して撮像部2の撮像位置を基板9上の所定の位置へと相対的に移動し、撮像部2により多階調(例えば、8ビットならば256階調)の対象物画像のデータが取得される。撮像(プリスキャン)は、欠陥が存在しないと想定される領域に対して行われ、取得されたデータは画像メモリ531に参照画像データ601として記憶されて準備される(ステップS11)。
【0028】
次に、範囲設定部501により、欠陥検出の際に注目する画素値の範囲(以下、「注目画素値範囲」という。)の設定が行われる(ステップS12)。注目画素値範囲の技術的な意義については後述する。注目画素値範囲の設定は、操作者により手作業にて行われるか、自動で行われるか予め設定されている。
【0029】
注目画素値範囲の設定が手作業にて行われる場合、まず、範囲設定部501が参照画像データ601を取得し、参照画像の画素値のヒストグラムを生成してディスプレイ55に表示する。図6はヒストグラム62aを例示する図である。ヒストグラム62aのように極大値が2つ存在する(以下、「双峰性を有する」という。)場合、中央の極小値近傍の範囲が注目画素値範囲63として操作者により設定される。設定は入力部56が操作者の操作を受け付けることにより範囲設定部501により行われる。参照画像が2種類の領域(例えば、基板9上の配線パターンの領域とその他の背景領域)を有する場合は、各領域から得られると想定される画素値の範囲の間の範囲が注目画素値範囲63として設定される。手動にて設定される場合は、操作者の意図通りに注目画素値範囲63が設定されることとなる。
【0030】
注目画素値範囲の設定が自動にて行われる場合には、例えば、図6に示す双峰性を有するヒストグラム62aに対して、各ピーク近傍の平均値およびピーク近傍の分布の標準偏差σが求められ、各ピークの平均値を中心とする(±σ)の範囲641,642の間が注目画素値範囲63として決定される。なお、範囲641,642は、参照画像が2種類の領域を有する場合は、各領域から得られる画素値の範囲に対応する。また、標準偏差を利用することによりこれらの領域に対応する画素値範囲を適切に決定することができる。
【0031】
一方、図7に示すヒストグラム62bのように双峰性がみられない(または、コントラストが小さい)場合には、まず、しきい値THが設定され、しきい値THの両側の所定の範囲651,652に属する画素の値の平均値AV1,AV2が求められる。そして、平均値AV1と平均値AV2の間が注目画素値範囲63として決定される。なお、範囲651,652は、参照画像が2種類の領域(例えば、基板9上の配線パターンの領域とその他の背景領域)を有する場合は、各領域から得られると想定される画素値の範囲とされる。すなわち、平均値AV1,AV2は、各領域に属する画素の値の平均値に相当する。平均値AV1,AV2に代えて中間値等の他の代表値が用いられてもよい。
【0032】
しきい値TH1を設定する手法としては、多値画像の2値化の際にしきい値を設定する手法やその他の様々な手法が採用されてよい。例えば、大津展之による「判別および最小2乗基準に基づく自動しきい値選定法」(電子通信学会論文誌’80/4 vol.J63−D No.4 349−356頁)に開示された手法が利用可能である。この手法では、しきい値の適切さを評価する値として、クラス(しきい値により分離される画素値群)内分散およびクラス間分散に基づくクラス分離度を採用し、クラス分離度が最大となるようにしきい値が求められる。この手法により、画像を2つの領域に分ける際に、画素値のヒストグラムが双峰性を有しない場合であってもノンパラメトリックに最適なしきい値を安定して求めることができる。
【0033】
また、しきい値THを設定する手法としては、ある観測値(画素値)がいずれの領域(参照画像中の複数の領域のいずれの領域)に属するかを示す曖昧度を定義し、最悪の分布(すなわち、正規分布)に対して曖昧度を最小にするという指針に基づいてしきい値を設定するKittlerの方法も知られている。もちろん、しきい値THを設定する手法として他の様々な手法が利用可能である。
【0034】
注目画素値範囲63が設定されると、次に、LUT作成部502により画像を変換するためのLUT(ルックアップテーブル)が求められる(ステップS13)。具体的には、図6および図7中に符号71にて示される変換曲線に相当するLUTが求められる。求められたLUT61は図4に示すように画像変換部503のメモリに格納される。変換曲線71に対しては横軸および縦軸は画素値に対応する。すなわち、変換曲線71により、横軸上のある画素値(例えば、0〜255のいずれかの値)が縦軸上の画素値(0〜255の範囲内の値であってもよく、さらに階調の多い範囲内の値であってもよい。)へと変換される。
【0035】
変換曲線71は、注目画素値範囲63において他の画素値範囲よりも傾斜が大きくされる。その結果、変換曲線71による変換特性により、注目画素値範囲63における任意の2つの画素値の差が強調される(換言すれば、注目画素値範囲63における2つの画素値の差が、他の画素値範囲における2つの画素値の差に対して相対的に拡大される。)こととなる。なお、一方の画素値が注目画素値範囲63に含まれ、他方の画素値が注目画素値範囲63に含まれない場合には、双方の画素値が注目画素値範囲63に含まれない場合に比べて相対的に画素値の差がある程度強調される。
【0036】
画像変換部503は、LUT61を用いて参照画像の各画素の値を変換し、変換済参照画像を生成して変換済参照画像データ602として画像メモリ531に保存する(ステップS14)。以上の処理により、基板9上のパターンを検査する準備が完了する。
【0037】
次に、検査装置1は、撮像部2の真下に基板9上の検査の対象となる領域を移動して撮像を行い、撮像部2が被検査画像のデータを取得する(ステップS15)。なお、基板9上には同様のパターンが形成された複数のブロックが存在し、1つのブロック内の特定のパターンの画像が参照画像として取得され、他のブロック内の同様のパターン(すなわち、参照画像に対応する領域)の画像が被検査画像として取得される。
【0038】
被検査画像の画素値は順次画像変換部503へと入力され、被検査画像の各画素の値がLUT61により変換されて減算部504へと出力される。これにより、実質的に変換済被検査画像のデータが求められる(ステップS16)。
【0039】
変換済被検査画像の画素値が減算部504に入力されると同時に、画像メモリ531から変換済参照画像の対応する画素値が入力され、減算部504にて両画素値の差分絶対値が求められる。これにより、実質的に減算部504にて変換済被検査画像と変換済参照画像との差分絶対値画像(以下、「強調差分画像」という。)が求められることとなる(ステップS17)。
【0040】
減算部504にて求められた差分絶対値は比較部505にて所定のしきい値と比較され(ステップS18)、差分絶対値がしきい値よりも小さい場合には被検査画像中の対応する画素が非欠陥を示すと判定され、しきい値よりも大きい場合には被検査画像中の対応する画素が欠陥を示すと判定される。被検査画像全体に対応する比較結果の集合は検査結果データ603としてメモリ532に記憶される。検査結果データ603は必要に応じて表示制御部506を介してディスプレイ55上に2値画像として表示され(ステップS19)、操作者により欠陥の有無が確認される。
【0041】
以上のように、検査装置1では被検査画像および参照画像に対してLUT61による変換を施し、変換後の両画像の差分絶対値画像を用いて検査が行われる。ここで、既述のようにLUT61は注目画素値範囲における任意の2つの画素値の差を強調する変換を行うため、被検査画像中のある位置の画素の値と参照画像中の対応する画素の値とが注目画素値範囲に含まれる場合には、これらの画素値の差が強調される(これらの画素値が注目画素値範囲外である場合に比べて相対的に強調される)こととなる。
【0042】
注目画素値範囲は、参照画像が2種類の領域、例えば、基板9上の配線パターンの領域とその他の背景領域とを有する場合は、少なくとも、各領域に対応する画素値の代表値(最も好ましい代表値は容易に求めることができる平均値である。)の間に位置する(図6の場合は、各領域から得られる画素値範囲の間の画素値範囲に対応するが、この画素値範囲も代表値の間に位置する)ことから、LUT61による変換により、実質的に2種類の領域のいずれに属するか不明である(あるいは、いずれかの領域に属する可能性が相対的に低い)画素に対して強調差分画像での画素値が強調されることとなる。
【0043】
以上の処理により、例えば、撮像部2のチャージアップ現象程度の画素値の変動では被検査画像中の画素値が注目画素値範囲63に含まれないように注目画素値範囲63を設定することにより、チャージアップ現象により生じた強調差分画像中の画素値を欠陥により生じた画素値よりも相対的に小さくすることができる。その結果、欠陥により生じた被検査画像と参照画像との画素値の差を強調することができ、強調差分画像の画素値を所定のしきい値と比較することにより適切に欠陥を検出することが実現される。
【0044】
なお、注目画素値範囲を、参照画像中の2つの領域から得られる画素値範囲の代表値の間に含まれる画素値範囲とすることにより、LUTによる変換は、領域内(例えば、配線パターン領域内または背景領域内)の画素値のばらつきを(いずれの領域に属するか不明な画素値に対して)相対的に減少させる、あるいは、2つの領域における画素値の平均値の差(さらに換言すれば、領域間の画素値のおよその差)を増大させる変換であると捉えることもできる。その結果、強調差分画像において領域間の画素値の差分を強調する(もしくは、領域内の画素値の差分を減少させる、または、領域間の画素値の差分を強調しつ領域内の画素値の差分を減少させる)ことが実現される。
【0045】
また、図7に示す場合のように、参照画像(後述のように被検査画像でもよい)からノンパラメトリックに領域分割用のしきい値を求めることにより、欠陥と非欠陥とにおける画素値の差が小さい場合(画像のコントラストが小さい場合)であっても適切に欠陥検出を行うことができる。
【0046】
図8は注目画素値範囲の他の例を示す図である。図8は図6と同様の参照画像の画素値のヒストグラム62aに対して、度数がある程度存在する画素値範囲よりも大きな画素値の範囲が注目画素値範囲63として設定される様子を示している。参照画像が2種類の領域(例えば、配線パターン領域とその他の背景領域)を有する場合は、各領域から得られる画素値範囲641,642よりも大きな画素値の範囲が注目画素値範囲63として設定される。この場合においても、注目画素値範囲63は操作者による手作業にて設定されてもよく、各ピークの平均値や標準偏差に基づいて自動的に設定されてもよい。
【0047】
そして、符号72にて示すように、注目画素値範囲63における任意の2つの画素値の差を強調する変換曲線(すなわち、LUT61)が求められる。変換曲線72により、ある位置において通常の画素値よりも極端に大きな画素値が被検査画像に存在する場合、強調差分画像においてこの位置の画素値が強調され、欠陥として容易に検出されることとなる。例えば、基板9上の特定の反射率を有する異物欠陥により照明光が異常に反射されて被検査画像において画素値が大きくなってしまう場合に欠陥が容易に検出されることとなる。
【0048】
なお、極端に画素値が大きくなる欠陥を検出することを目的として範囲642は大きく設定されることが好ましい。例えば、画素値が大きい方のピーク近傍の平均値にこのピークに対応する標準偏差σの3倍を加算した値以上の範囲が注目画素値範囲63として設定されてよい。標準偏差を利用することにより、特定の領域(例えば、配線パターン領域)に対応する画素値範囲642を適切に求めることができ、注目画素値範囲63をこの画素値範囲642の外に容易に(すなわち、一定の基準に基づいて)位置させることができる。
【0049】
以上のように、注目画素値範囲は被検査画像(または参照画像)中において欠陥が検出されるべき画素値の範囲として設定される。検出すべき欠陥の種類に応じて注目画素値範囲が設定されることにより、様々な欠陥を精度よく検出することが実現される。
【0050】
図9はコンピュータ5がプログラム80に従って動作することにより実現される機能の他の例を示す図である。なお、減算部504よりも下流の機能構成は図4と同様であり、図4と同様の機能には同符号を付している。図10は図9に示すコンピュータ5の動作の流れを示す図である。
【0051】
図9に示すコンピュータ5を有する検査装置1では、まず、撮像部2により基板9上の一のブロックの所定領域が撮像されて参照画像データ601が画像メモリ531に記憶され(ステップS21)、続いて、基板9が移動して基板9上の他のブロックの所定領域が撮像されて被検査画像データ611が画像メモリ531に記憶される(ステップS22)。
【0052】
範囲設定部501では、参照画像および被検査画像のヒストグラムが求められ、参照画像のヒストグラムに基づいて参照画像用の注目画素値範囲が設定され、被検査画像のヒストグラムに基づいて被検査画像用の注目画素値範囲が設定される(ステップS23)。なお、注目画素値範囲は手動にて設定されてもよく、自動で設定されてもよい。自動にて設定される場合の手法(アルゴリズム)は、参照画像および被検査画像に対して同様である。
【0053】
次に、LUT作成部502が、参照画像データ601に基づいて参照画像用LUT61aを生成し(ステップS24)、被検査画像データ611に基づいて被検査画像用LUT61bを生成する(ステップS25)。そして、生成された2つのLUT61a、61bは画像変換部503に記憶される。なお、被検査画像用LUT61bは被検査画像用の注目画素値範囲および被検査画像のヒストグラムに基づいて生成されるという点を除いて、参照画像および参照画像用の注目画素値範囲から参照画像用LUT61aを求める手法(例えば、図6ないし図8にて例示した手法)と同様である。
【0054】
画像変換部503では、参照画像の各画素の値を参照画像用LUT61aを用いて変換し(ステップS26)、被検査画像の対応する画素の値を被検査画像用LUT61bを用いて変換する(ステップS27)。これにより、変換済参照画像と変換済被検査画像とが実質的に求められる。
【0055】
変換後の両画素値は減算部504に入力されて差分絶対値が求められ(図5:ステップS17)、差分絶対値が比較部505にて所定のしきい値と比較されることにより(ステップS18)、画素ごとの検査結果が得られる。すなわち、実質的に変換済参照画像と変換済被検査画像との差分絶対値画像が強調差分画像として求められて所定のしきい値により2値化される。検査結果、すなわち、欠陥画素を示す2値画像は検査結果データ603としてメモリ532に保存され、必要に応じてディスプレイ55に表示される(ステップS19)。
【0056】
以上のように、図9に示すコンピュータ5では、画像を変換するためのLUTが参照画像および被検査画像のそれぞれについて求められる。これにより、参照画像と被検査画像とにおいて画像の質(例えば、明るさ、画素値の分布範囲等)が異なる場合であっても、これらの画像の質の相違の影響を低減することが可能となる。
【0057】
例えば、参照画像および被検査画像のヒストグラムが図6に例示したように双峰性を有するが、ピークの位置が両ヒストグラムにおいてずれている場合であっても、ピーク間の谷間を基準として注目画素値範囲が設定されるため、谷間において任意の2つの画素値の差が相対的に強調される変換が行われることとなる。その結果、参照画像および被検査画像のそれぞれにおいて、特定の領域(例えば、基板9上の配線パターン領域や背景領域)のいずれかに属すると判定困難な画素に対して強調差分画像の画素値が適切に強調されることとなる。
【0058】
また、図10に示す動作により、ヒストグラムが1つのピークしか有しない場合であっても、参照画像のヒストグラムのピークの位置と被検査画像のヒストグラムのピークの位置のずれの影響を抑制することが実現される。
【0059】
図11は、検査装置1においてヒストグラムに基づいて注目画素値範囲および変換特性(LUT)が設定される他の例を説明するための図である。図11に示すヒストグラム62aは図6と同様に2つのピークを有し、これらのピークに対応する基板9上の2つの領域の画素値範囲641,642が求められる。そして、画素値範囲641,642以外が注目画素値範囲63a,63b,63cとして設定される。
【0060】
したがって、LUTに相当する変換曲線73は、3つの注目画素値範囲63a,63b,63cにて傾斜が大きくなり、2つの画素値範囲641,642では傾斜が緩やかとなる。その結果、参照画像および(または)被検査画像において3つの注目画素値範囲のいずれかに属する画素に対応する強調差分画像中の画素の値が強調されることとなる。すなわち、基板9上の特定の領域に属することが明らかでない全ての画素が強調差分画像において強調されることとなる。
【0061】
図12は、基板9上に3つの(3種類の)領域が存在し、3つのピークを有するヒストグラム62cが得られた場合の変換曲線74を例示する図である。例えば、図13に示すように、参照画像(または被検査画像)700が背景領域701、第1配線領域702および第2配線領域703を有し、ライン700aにおける画素値がグラフ700bとなる場合に、図12に例示するヒストグラム62cが得られる。
【0062】
図12に示す変換曲線74の生成手法は図11と同様であり、各領域に対応する画素値範囲では変換曲線74の傾斜が緩やかとされ、いずれの領域にも対応しない画素値範囲(極端に暗い箇所および極端に明るい箇所を含む。)が注目画素値範囲とされ、注目画素値範囲にて変換曲線74の傾斜が大きくされる。なお、検出したい欠陥の画素値が、特定の画素値範囲にしか存在しないことが明らかな場合には、図12に示すように多くの注目画素値範囲が設定される必要はない。
【0063】
図14は、予め基板9上に3つの領域が存在することが判っているが、ヒストグラム62dが各領域に対応するピークを有しない場合の注目画素値範囲の設定の様子を例示する図である。
【0064】
図14に示すヒストグラム62dが得られた場合、まず、前掲の大津展之による論文にて提案された手法を用いて、ヒストグラム62dを3つの部分に分割するための2つのしきい値TH1,TH2が求められる。そして、ヒストグラム62dの分割された部分の平均値AV11,AV12,AV13が求められる。さらに、平均値AV11と平均値AV13との間が注目画素値範囲63として設定され、変換曲線75が求められる。
【0065】
ヒストグラム62dでは、所定の画素値からしきい値TH1までの画素値範囲651、しきい値TH1からしきい値TH2までの画素値範囲652、および、しきい値TH2から所定の画素値までの画素値範囲653がそれぞれ基板9上の特定の領域に対応するとみなされる。しかしながら、ヒストグラム62dのように各領域に対応する画素値範囲が明確でない場合、画素値範囲652にて欠陥を重点的に検出する必要が生じる。そこで、画素値範囲652を含む範囲として平均値AV11から平均値AV13までの範囲が注目画素値範囲63として決定され、この画素値範囲にて傾斜が大きい変換曲線75が設定される。
【0066】
なお、基板9上の各領域に対応してヒストグラム中にピークが明瞭に現れない場合のしきい値の設定方法としては他のどのような手法が利用されてもよい。また、基板9上の領域の種類の数は4以上であってもよく、領域の種類の数は必ずしも既知である必要はない。
【0067】
図15はコンピュータ5がプログラム80に従って動作することにより実現される機能のさらに他の例を示す図である。図15は図4に示す構成から減算部504を省略したものとなっており、図15に示す機能構成により変換済参照画像データ602を生成することなく強調差分画像が生成される。なお、比較部505よりも下流の機能構成は図4と同様であり、図4と同様の機能には同符号を付している。図16は図15に示すコンピュータ5の動作の流れを示す図である。
【0068】
図15に示すコンピュータ5を有する検査装置1では、まず、撮像部2により参照画像データ601が取得されて画像メモリ531に記憶され(ステップS31)、範囲設定部501において参照画像のヒストグラムに基づいて注目画素値範囲の設定が行われる(ステップS32)。
【0069】
次に、LUT作成部502が、参照画像データ601に基づいて2次元LUT61cを生成し(ステップS33)、2次元LUT61cが画像変換部503に記憶される。2次元LUT61cは参照画像の画素値と被検査画像の対応する画素値を入力とし、2つの入力に対応する強調差分画像の画素値を決定する変換特性を示すテーブルとなっている。そして、検査装置1では撮像部2にて被検査画像データが取得されると(ステップS34)、画像変換部503により強調差分画像の画素値が求められ(ステップS35)、強調差分画像の画素値としきい値とが比較部505において比較されることにより検査が実行される(ステップS36)。比較結果は必要に応じてディスプレイ55に表される(ステップS37)。
【0070】
図17(a),(b)はLUT作成部502にて作成される2次元LUT61cの例を説明するための図である。図17(a)は図4に示す場合のように変換済参照画像(および変換済被検査画像)が生成されると仮定した場合の変換曲線(変換特性)711を示しており、図17(b)は図17(a)の変換曲線711に応じて強調差分画像を生成するための2次元LUT61cの様子を模式的に示している。図17(b)では左下が原点(0,0)であり横軸は被検査画像の画素値を示し、縦軸は参照画像の画素値を示している。そして、これらの画素値にて決定される座標におけるテーブルの値が強調差分画像の画素値として特定される。図17(b)中の破線は、2次元LUT61cに含まれる値の大小の様子を等高線として示す線である。
【0071】
図18(a),(b)は参考のために例示する2次元LUTを説明するための図である。図18(a)は画素値を変更しない変換曲線712(すなわち、直線)を示しており、図18(b)は図18(a)の変換曲線712に対応する2次元LUTの様子を模式的に示す図である。図18(b)に示す2次元LUTでは、被検査画像の画素値と参照画像の画素値との差がそのまま出力値となるように2次元LUT内の値が対角線81からの距離に比例している。
【0072】
一方、図17(b)に示す2次元LUT61cでは、対角線81上では値「0」が格納されるが、中央に向かって等高線が突出するように各座標の値が設定されている。その結果、被検査画像の画素値と参照画像の画素値とが共に図17(a)にて傾斜が急な画素値範囲に属する場合には(すなわち、図17(b)の中央付近では)、被検査画像の画素値と参照画像の画素値との差に対して相対的に大きな値が2次元LUT61cにより特定されることとなる。逆に、被検査画像の画素値と参照画像の画素値とが共に図17(a)にて傾斜が緩やかな画素値範囲に属する場合には(すなわち、図17(a)の原点側または原点とは反対側)では、被検査画像の画素値と参照画像の画素値との差に対して相対的に小さな値が2次元LUT61cにより特定されることとなる。
【0073】
以上のように、LUT作成部502にて作成される2次元LUT61cは、変換特性に従って参照画像および被検査画像の変換を行うことなく、被検査画像の画素値と参照画像の画素値とから直接かつ効率よく強調差分画像の画素値を求めることができるテーブルとなっている。これにより、検査装置1における検査を高速に行うことが実現される。
【0074】
図19は、図9に示す参照画像用LUT61aおよび被検査画像用LUT61bを用いて強調差分画像を生成する動作と同様の動作を2次元LUTにて実現する場合のコンピュータ5の機能構成を示す図である。図19に示す機能構成は、図9に示す構成から減算部504を省き、画像変換部503に2次元LUT61dが準備されるという点でのみ相違している。
【0075】
図19に示すコンピュータ5の動作では、まず、図10中のステップS21〜S23と同様の動作が行われ、その後、図16中のステップS33,S35〜S37と同様の動作が行われる。すなわち、画像メモリ531に参照画像データ601および被検査画像データ611が準備され(ステップS21,S22)、これらの画素値のヒストグラムに基づいて範囲設定部501にて注目画素値範囲が設定される(ステップS23)。そして、注目画素値範囲に基づいてLUT作成部502が2次元LUT61dを生成する(ステップS33)。
【0076】
図20(a),(b)は、2次元LUT61dの例を説明するための図である。図20(a)中の変換曲線713は参照画像から導かれる変換特性を示しており、変換曲線714は被検査画像から導かれる変換特性を示している。そして、これらの変換特性に対応して図20(b)に示す2次元LUT61dがLUT作成部502にて生成される。なお、LUT作成部502では図20(a)に示す変換曲線を求めることなく参照画像および被検査画像に対して設定された注目画素値範囲から2次元LUT61dが直接生成されてよい。
【0077】
図20(b)に示す2次元LUT61dでは、およそ曲線81a上にて値「0」が設定され、図17(b)に示す2次元LUT61cと比べて等高線が歪んだ状態となっている。これにより、参照画像と被検査画像とにおいて画像の質(例えば、明るさ、画素値の分布範囲等)が異なる場合であっても、これらの画像の質の相違の影響を低減しつつ強調差分画像を生成することが可能となり、図9に示す機能構成の場合と同様の検査を高速に行うことが実現される(ステップS35〜S37参照)。
【0078】
以上に説明した実施の形態では、強調差分画像を求めることにより欠陥の性質に応じた適切な検査を実現しているが、強調差分画像は元の参照画像と被検査画像との差分絶対値画像(以下、「単純差分画像」という。)を用いて加工されてもよい。図21は、図4または図9に示す構成において、強調差分画像と単純差分画像とが合成される場合のコンピュータ5の機能構成の一部を示す図である。図21では、図4または図9に示す構成に対して、減算部504が、第1減算部504a、第2減算部504bおよび合成部507に置き換えられたものとなっている。他の構成は図4または図9と同様であり、以下の説明では同様の符号を付して説明を行う。
【0079】
なお、図21では、参照画像データ601、変換済参照画像データ602、被検査画像データ611および変換済被検査画像データ612が画像メモリ531に記憶されるものとして記載しているが、参照画像データ601以外は画像メモリ531に記憶されることなく、第1減算部504aや第2減算部504bに直接入力されてもよい。
【0080】
図21に示す構成により検査が実行される際には、図5におけるステップS18に代えて図22に示す動作が実行される。図21に示す構成においても図4に示すLUT61、または、図9に示す参照画像用LUT61aおよび被検査画像用LUT61bが生成され、参照画像データ601および被検査画像データ611が画像変換部503により変換され、変換済参照画像データ602および変換済被検査画像データ612が求められる(図5:ステップS11〜S16、または、図10:ステップS21〜S27)。
【0081】
その後、これらの変換済みの画像データが第2減算部504bに入力されて強調差分画像のデータが生成される(図5:ステップS17)。このとき、参照画像データ601および被検査画像データ611が第1減算部504aに入力され、単純差分画像のデータが求められる(図22:ステップS181)。強調差分画像の画素値および単純差分画像の対応する画素の値は合成部507に入力され、これらの画素値の積の平方根が合成された画素値として求められる(ステップS182)。これにより、実質的に強調差分画像と単純差分画像とを合成した合成差分画像のデータが生成される。
【0082】
合成差分画像の各画素値は、比較部505にて所定のしきい値と比較され(ステップS183)、比較結果が検査結果データ603としてメモリ532に保存され(図4参照)、必要に応じてディスプレイ55に表示される(図5:ステップS19)。
【0083】
以上のように、図21に示す構成を有するコンピュータ5では、強調差分画像と単純差分画像とが合成された上で所定のしきい値との比較を行って欠陥画素の検出が行われる。画像を変換するための特性を示す変換曲線がコンピュータによる演算処理により設定される場合は、図6ないし図8に例示したように変換曲線は折れ線であることが好ましい。しかしながら、場合によっては折れ線では差分画像の強調が過度に行われることがある。そこで、このような場合に図21に示す構成により強調差分画像と単純差分画像とを合成して強調の度合いを緩和することにより、適切な検査が実現される。
【0084】
図23は、2次元LUTを用いる場合において(図15または図19参照)、強調差分画像と単純差分画像との合成を行う構成を示す図である。図23に示す構成では、画像変換部503に2次元LUTが準備され、参照画像データ601および被検査画像データ611から画像変換部503により直接、強調差分画像のデータが生成され、合成部507に入力される。一方、参照画像データ601および被検査画像データ611が減算部504にて減算されて単純差分画像のデータが生成され、合成部507に入力される。そして、合成部507にて強調差分画像と単純差分画像とが合成され、比較部505にて所定のしきい値と合成差分画像の画素値とが比較されて検査が行われる。すなわち、強調差分画像のデータが画像変換部503にて直接生成されるという点を除いて、図21に示す構成と同様の動作が行われる。
【0085】
なお、画像変換部503の2次元LUTに、合成処理を含めた値が格納されてもよい。この場合、検査装置1の構成は図15や図19と同様となる。図24は図17(b)に示す2次元LUTに合成処理を含めた2次元LUTの様子を示す図であり、図25(a)ないし(d)はそれぞれ、被検査画像の画素値が、50、100、125、150である場合の参照画像の画素値とLUTに格納されている値(すなわち、合成差分画像の画素値)との関係を示すグラフである。
【0086】
図24に示すように、2次元LUTは図17(b)に示すものからLUT内における値の変化(すなわち、分布)が緩やかとなっている。図25(a)ないし(d)において、実線は図24に示すLUTにおける参照画像の画素値とLUT内の値との関係を示しており、破線は図17(b)における参照画像の画素値とLUT内の値との関係を示しており、一点鎖線は図18(b)(すなわち、差分絶対値画像の強調が行われない場合のLUT)における参照画像の画素値とLUT内の値との関係を示している。
【0087】
図25(a)ないし(d)に示すように、図24に示す2次元LUTにより変換された画像は、強調差分画像の強調の度合いを単純差分画像にて緩和したものとなる。2次元LUTにて直接、合成差分画像を生成することにより、検査装置1のコンピュータ5における演算処理を簡素化することが実現される。
【0088】
以上の説明における検査装置1では、参照画像と被検査画像との全体において比較検査を行うが、検査は参照画像と被検査画像との部分ごとに行われてもよい。換言すれば、撮像部2により取得される画像の一部が上記説明における被検査画像として取り扱われてもよい。以下、撮像部2により取得される画像を全体被検査画像といい、演算対象となる全体被検査画像の一部を部分被検査画像という。これに合わせて参照画像の全体および一部をそれぞれ、全体参照画像および部分参照画像という。図26は部分被検査画像ごとに検査が行われる際の検査装置1の動作の流れを示す図である。
【0089】
まず、撮像部2により全体参照画像および全体被検査画像のデータが取得されて準備されると(ステップS41)、全体参照画像および全体被検査画像が複数の部分参照画像および部分被検査画像に分割される(ステップS42)。図27は画像660(全体参照画像または全体被検査画像)が複数の部分画像661に分割される様子を例示する図である。そして、1つの部分参照画像のデータと対応する部分被検査画像のデータに対して上述の処理が行われ、部分被検査画像に対応する強調差分画像や合成差分画像が求められ、強調差分画像または合成差分画像の各画素がしきい値と比較されることにより検査が行われる(ステップS43)。
【0090】
1つの部分被検査画像に対して検査が完了すると、次の部分被検査画像に対して検査が実行され、全ての部分被検査画像に対する検査の完了により全体被検査画像に対する検査が終了する(ステップS44)。全体被検査画像(および全体参照画像)を分割して検査を実行することにより、全体被検査画像内にて領域ごとに画像の質が異なる場合であっても、被検査画像全体に対して適切な検査を行うことが実現される。
【0091】
以上、本発明に係る実施の形態について説明してきたが上記実施の形態様々な変形が可能である。
【0092】
例えば、被検査画像および参照画像は撮像部2にて取得された1つの画像の一部であってもよい。例えば、繰り返しパターンを有する画像が撮像部2にて取得され、この画像の一部が参照画像とされ、他の一部が被検査画像とされてもよい。さらに、参照画像は基板9上の互いに対応する複数の画像の平均画像とされてもよく、予め基板9上のパターンの設計データに基づいて参照画像データが生成されてもよい。
【0093】
上記実施の形態では参照画像のみに基づいて、または、参照画像および被検査画像に基づいてLUTが作成されるが、LUTは被検査画像の画素値のみに基づいて作成されてもよい。参照画像または被検査画像に基づいてLUTが求められることにより、参照画像または被検査画像の特性をLUTに反映することができるとともに、LUTの自動生成も可能となる。
【0094】
LUTによる変換特性を示す変換曲線は折れ線である必要はなく、注目画素値範囲にて任意の2つの画素値の差を強調する変換が行われるのであれば、滑らかな曲線であってもよい。
【0095】
また、上記実施の形態では欠陥検出において注目する注目画素値範囲において任意の(2つの)画素値の差が強調されるように強調差分画像が生成されるが、注目される画素値は離散的なものであってもよい。すなわち、複数の注目画素値における任意の画素値の差が強調されるのみであってもよい。これにより。特定の画素値に注目した適切な検査が実現される。上記実施の形態における注目画素値範囲は複数の注目画素値の集合、あるいは、複数の注目画素値を含む範囲と捉えることができる。
【0096】
上記図4、図9および図21に示す構成において変換後の画像の画素値の全範囲は変換前の画像の画素値の全範囲と同じである必要はなく、例えば、変換前の画素値の範囲が0〜255であり、変換後の画素値の範囲が0〜1の精度の高い実数であってもよい。同様に、図15、図19および図23に示す構成においても画像変換部503にて求められる強調差分画像の画素値の範囲が0〜1の精度の高い実数であってもよい。強調差分画像または合成差分画像と比較されるしきい値は、これらの画像の画素値の範囲に合わせて適宜決定される。なお、0〜1の範囲の画素値へと変換された後に0〜255の範囲へとさらに変換されてもよい。
【0097】
図21および図23において、強調差分画像と単純差分画像とを合成する手法として他の手法が用いられてもよい。強調差分画像の画素値と単純差分画像の画素値との積がそのまま比較部505における比較対象とされてもよく、強調差分画像の画素値と単純差分画像の画素値とが一定の比にて足し合わされることにより合成が行われてもよい。具体例としては、パラメータt(0<t<1)((0≦t≦1)とされてもよい。)を用いて強調差分画像の画素値と単純差分画像の画素値とが(t:(1−t))にて合成されることにより合成差分画像の画素値が求められてもよい。この場合、パラメータtを変更することにより、容易に強調差分画像と単純差分画像との合成の度合いを変更することができる。
【0098】
また、検査は必ずしも画素単位にて行われる必要はなく、例えば、複数の画素(例えば、2×2画素)の塊が上記実施の形態における1つの画素として取り扱われてもよい。すなわち、上記実施の形態における画素は、画像を構成する物理的な画素に厳密に対応している必要はない。
【0099】
上記実施の形態では、撮像部2により取得された画像がコンピュータ5により処理されるものとして説明したが、処理を高速化するために図4、図9、図15、図19、図21および図23に示す機能の一部が専用の回路とされてもよい。特に、画像変換部503、減算部504、比較部505等は容易に専用回路とすることが可能であり、専用回路を用いることによりLUTの作成後の検査処理を高速に行うことが実現される。
【0100】
さらに、検査装置1は、半導体基板上のパターンの検査のみならず、カラーフィルタ、シャドウマスク、高精細プリント配線基板等に形成されたパターン、リードフレームのパターン、あるいは、これらのパターンを形成するためのフォトマスクのパターン等の各種基板上の微細パターンの検査にも利用することができる。
【0101】
【発明の効果】
本発明によれば、対象物上の特定の領域に属することが明らかでない複数の注目画素値範囲に含まれる画素を強調差分画像において強調することができ、これにより、精度よく検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 欠陥が誤検出される様子を説明するための図である。
【図2】 検査装置の構成を示す図である。
【図3】 コンピュータの構成を示すブロック図である。
【図4】 コンピュータの機能構成を示す図である。
【図5】 検査装置の動作の流れを示す図である。
【図6】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図7】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図8】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図9】 コンピュータの機能構成の他の例を示す図である。
【図10】 検査装置の他の動作の流れを示す図である。
【図11】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図12】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図13】 参照画像を例示する図である。
【図14】 ヒストグラムおよび変換曲線を例示する図である。
【図15】 コンピュータの機能構成の他の例を示す図である。
【図16】 検査装置の動作の流れを示す図である。
【図17】 (a)は変換曲線を例示する図であり、(b)は2次元LUTの様子を示す図である。
【図18】 (a)は変換を行わない変換曲線(直線)を例示する図であり、(b)は差分画像の強調を行わない2次元LUTの様子を示す図である。
【図19】 コンピュータの機能構成の他の例を示す図である。
【図20】 (a)は変換曲線を例示する図であり、(b)は2次元LUTの様子を示す図である。
【図21】 コンピュータの機能構成の他の例を示す図である。
【図22】 検査装置の動作の流れの一部を示す図である。
【図23】 コンピュータの機能構成の他の例を示す図である。
【図24】 2次元LUTの様子を示す図である。
【図25】 (a)ないし(d)は2次元LUTの特性を説明するための図である。
【図26】 検査装置の動作の流れを示す図である。
【図27】 部分画像を例示する図である。
【符号の説明】
1 検査装置
2 撮像部
5 コンピュータ
9 基板
51 CPU
52 ROM
53 RAM
56 入力部
61 LUT
61a 参照画像用LUT
61b 被検査画像用LUT
61c,61d 2次元LUT
63,63a〜63c 注目画素値範囲
80 プログラム
501 範囲設定部
502 LUT作成部
503 画像変換部
504 減算部
504a 第1減算部
504b 第2減算部
505 比較部
507 合成部
531 画像メモリ
601 参照画像データ
611 被検査画像データ
661 部分画像
S11〜S18,S41〜S44,S181〜S182 ステップ

Claims (8)

  1. 対象物上のパターンを検査する欠陥検査装置であって、
    対象物を撮像して多階調の被検査画像のデータを取得する撮像部と、
    参照画像のデータを記憶する記憶部と、
    前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、前記対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する手段と、
    前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する手段と、
    前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める手段と、
    前記変換特性に基づいて前記被検査画像と前記参照画像との強調差分画像を求める手段と、
    前記強調差分画像に基づいて検査を行う手段と、
    を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
  2. 請求項1に記載の欠陥検査装置であって、
    前記複数の特定の領域の各領域に対応する画素値範囲が、前記各領域に属する画素の値の標準偏差に基づいて決定されることを特徴とする欠陥検査装置。
  3. 請求項1または2に記載の欠陥検査装置であって、
    前記強調差分画像を求める手段が、前記変換特性に基づいて前記被検査画像および前記参照画像を変換し、変換後の被検査画像と変換後の参照画像との差分画像を前記強調差分画像として求めることを特徴とする欠陥検査装置。
  4. 請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、
    前記変換特性を求める手段が、前記被検査画像の画素値に基づいて被検査画像用変換特性を求めるとともに、前記参照画像の画素値に基づいて参照画像用変換特性を求めることを特徴とする欠陥検査装置。
  5. 請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、
    前記検査を行う手段が、前記被検査画像と前記参照画像との差分画像と、前記強調差分画像とを合成し、合成後の画像の各画素の値と所定のしきい値とを比較することにより検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
  6. 請求項1ないしのいずれかに記載の欠陥検査装置であって、
    前記撮像部により取得された画像を分割して得られる複数の画像のそれぞれが、前記被検査画像であることを特徴とする欠陥検査装置。
  7. 対象物上のパターンを検査する欠陥検査方法であって、
    参照画像のデータを準備する工程と、
    対象物を撮像して多階調の被検査画像のデータを取得する工程と、
    前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、前記対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する工程と、
    前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する工程と、
    前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める工程と、
    前記変換特性に基づいて前記参照画像と前記被検査画像との強調差分画像を求める工程と、
    前記強調差分画像に基づいて検査を行う工程と、
    を有することを特徴とする欠陥検査方法。
  8. パターンの検査をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、
    参照画像のデータを準備する工程と、
    多階調の被検査画像のデータを準備する工程と、
    前記被検査画像または前記参照画像である画像の画素値のヒストグラムにおいて、対象物上の複数種類の領域をそれぞれ示す前記画像中の画素値範囲が互いに異なる複数の特定の領域に対応する複数の画素値範囲を設定する工程と、
    前記ヒストグラムにおいて、前記複数の画素値範囲における全ての間の範囲、および、前記複数の画素値範囲の両外側の範囲である複数の注目画素値範囲を設定する工程と、
    前記被検査画像または前記参照画像の画素値に基づいて、欠陥検出において注目する前記複数の注目画素値範囲のそれぞれにおける任意の画素値の差を強調する変換特性を求める工程と、
    前記変換特性に基づいて前記参照画像と前記被検査画像との強調差分画像を求める工程と、
    前記強調差分画像に基づいて検査を行う工程と、
    を実行させることを特徴とするプログラム。
JP2002294851A 2002-10-08 2002-10-08 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム Expired - Fee Related JP4172761B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002294851A JP4172761B2 (ja) 2002-10-08 2002-10-08 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム
US10/657,107 US7440605B2 (en) 2002-10-08 2003-09-09 Defect inspection apparatus, defect inspection method and program

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002294851A JP4172761B2 (ja) 2002-10-08 2002-10-08 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004132721A JP2004132721A (ja) 2004-04-30
JP4172761B2 true JP4172761B2 (ja) 2008-10-29

Family

ID=32040745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002294851A Expired - Fee Related JP4172761B2 (ja) 2002-10-08 2002-10-08 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7440605B2 (ja)
JP (1) JP4172761B2 (ja)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4351522B2 (ja) * 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US7321679B2 (en) * 2004-07-02 2008-01-22 Emhart Glass Sa Machine for inspecting glass bottles
US20060029257A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Honda Motor Co., Ltd. Apparatus for determining a surface condition of an object
US7650028B1 (en) * 2004-10-26 2010-01-19 Sandia Corporation Vicinal light inspection of translucent materials
US7477785B2 (en) * 2004-11-19 2009-01-13 Microsoft Corporation Fuzzy image comparator
US7620248B2 (en) * 2004-11-19 2009-11-17 Microsoft Corporation System and method for validating graphical components of images
JP4635651B2 (ja) * 2005-03-08 2011-02-23 パナソニック株式会社 パターン認識装置およびパターン認識方法
US8194946B2 (en) * 2005-07-28 2012-06-05 Fujifilm Corporation Aligning apparatus, aligning method, and the program
KR101204076B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-22 삼성테크윈 주식회사 대상 영상의 기준 영상에 대한 유사도를 정확하게 판단하는방법
JP2007205974A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Toppan Printing Co Ltd メッキの検査方法及びリードフレームの検査方法
JP2009526240A (ja) 2006-02-09 2009-07-16 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション ウエハの特性決定のための方法とシステム
KR100699899B1 (ko) * 2006-05-08 2007-03-28 삼성전자주식회사 집적회로 장치 제조용 마스크 검사 장치 및 그 검사 방법
US8068674B2 (en) * 2007-09-04 2011-11-29 Evolution Robotics Retail, Inc. UPC substitution fraud prevention
JP5022191B2 (ja) * 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US20090135279A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 Xerox Corporation Reducing imaging artifacts caused by defective imaging element
JP5104291B2 (ja) * 2007-12-26 2012-12-19 富士通株式会社 画像解析プログラム、画像解析装置、および画像解析方法
US7912658B2 (en) 2008-05-28 2011-03-22 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for determining two or more characteristics of a wafer
US8494802B2 (en) * 2008-06-19 2013-07-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for determining one or more characteristics of a wafer
US8269960B2 (en) * 2008-07-24 2012-09-18 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer
US20100045729A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Silverbrook Research Pty Ltd Method for testing alignment of a test bed with a plurality of integrated circuits thereon
US20100044437A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Silverbrook Research Pty Ltd Measuring apparatus for a carrier of printhead integrated circuitry
US7924440B2 (en) * 2008-08-19 2011-04-12 Silverbrook Research Pty Ltd Imaging apparatus for imaging integrated circuits on an integrated circuit carrier
JP5318646B2 (ja) * 2009-04-17 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 差分画像生成装置、差分画像生成方法、及びプログラム
JP5413012B2 (ja) * 2009-07-21 2014-02-12 富士ゼロックス株式会社 画像欠陥診断システム、画像形成装置、およびプログラム
WO2011043050A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 川崎重工業株式会社 超音波探傷検査の判定支援装置、判定支援方法、判定支援プログラム、及び該判定支援プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
JP5699051B2 (ja) * 2011-07-15 2015-04-08 株式会社Screenホールディングス 画像検査装置および画像記録装置、並びに、画像検査方法
CN103018260B (zh) * 2011-09-27 2015-01-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 缺陷检测方法
DE102012101242A1 (de) * 2012-02-16 2013-08-22 Hseb Dresden Gmbh Inspektionsverfahren
JP6080556B2 (ja) * 2013-01-11 2017-02-15 名古屋電機工業株式会社 検査画像生成装置、検査画像生成方法および検査画像生成プログラム
CN103885216A (zh) * 2014-02-10 2014-06-25 北京京东方显示技术有限公司 一种基板检测装置及方法
TWI627588B (zh) * 2015-04-23 2018-06-21 日商思可林集團股份有限公司 檢查裝置及基板處理裝置
CN106290373A (zh) * 2015-05-26 2017-01-04 深圳市圆融精密电子有限公司 一种硅胶按键整模外观检测机和检测方法
JP6553487B2 (ja) * 2015-11-10 2019-07-31 株式会社Screenホールディングス 吐出判定方法および吐出装置
DE102016107900B4 (de) * 2016-04-28 2020-10-08 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Kantenermittlung eines Messobjekts in der optischen Messtechnik
WO2017203554A1 (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査用情報生成装置、検査用情報生成方法、及び欠陥検査装置
WO2018006180A1 (en) * 2016-07-08 2018-01-11 Ats Automation Tooling Systems Inc. System and method for combined automatic and manual inspection
JP7030566B2 (ja) * 2018-03-06 2022-03-07 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査方法及びパターン検査装置
CN109409282B (zh) * 2018-10-24 2022-07-08 珠海瑞天安科技发展有限公司 一种机场跑道外来物检测方法及系统
JP7205696B2 (ja) * 2019-02-20 2023-01-17 株式会社Ihi 劣化検出装置
KR20220001125A (ko) 2020-06-29 2022-01-05 삼성전자주식회사 기판 불량 검출 방법 및 장치
CN112991302B (zh) * 2021-03-22 2023-04-07 华南理工大学 基于超像素的柔性ic基板变色缺陷检测方法和装置
CN113836489A (zh) * 2021-09-24 2021-12-24 英特尔产品(成都)有限公司 球栅阵列的缺陷分析方法与设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600734A (en) * 1991-10-04 1997-02-04 Fujitsu Limited Electron beam tester
IT1129509B (it) * 1980-01-14 1986-06-04 Tasco Spa Procedimento ed apparecchiatura per il ritrovamento in tempo reale di difetti in oggetti industriali
JPH04107945A (ja) 1990-08-29 1992-04-09 Hitachi Ltd 自動外観検査装置
US5946406A (en) * 1991-06-17 1999-08-31 Microsoft Corporation Method and system for data entry of handwritten symbols
JPH0727711A (ja) 1993-07-13 1995-01-31 Asia Electron Inc 画像におけるマーク部の欠陥検出方法
US5875267A (en) * 1995-08-21 1999-02-23 Integrated Device Technology, Inc. Fast digital image sharpening method and structure
JPH09127008A (ja) 1995-11-02 1997-05-16 Suzuki Motor Corp ピストン表面評価装置
JPH09236487A (ja) 1996-02-29 1997-09-09 New Japan Radio Co Ltd エンボステープのカバーテープ検査方法
JP3397101B2 (ja) 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および装置
JP2001004347A (ja) 1999-06-22 2001-01-12 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置
JP2001304842A (ja) * 2000-04-25 2001-10-31 Hitachi Ltd パターン検査方法及びその装置並びに基板の処理方法
JP3749090B2 (ja) 2000-07-06 2006-02-22 大日本スクリーン製造株式会社 パターン検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004132721A (ja) 2004-04-30
US20040066962A1 (en) 2004-04-08
US7440605B2 (en) 2008-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4172761B2 (ja) 欠陥検査装置、欠陥検査方法およびプログラム
JP4095860B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
US5379347A (en) Method of inspecting the surface of a workpiece
US8582864B2 (en) Fault inspection method
JP4776308B2 (ja) 画像欠陥検査装置、画像欠陥検査システム、欠陥分類装置及び画像欠陥検査方法
US20110170765A1 (en) Defect inspection method and apparatus
JP4008291B2 (ja) パターン検査装置、パターン検査方法およびプログラム
US20030059103A1 (en) Surface inspection of object using image processing
US20030228049A1 (en) Apparatus and method for inspecting pattern
JPH11110561A (ja) 画像情報処理装置
JP3741672B2 (ja) 画像特徴学習型欠陥検出方法、欠陥検出装置及び欠陥検出プログラム
JPH08320294A (ja) 被検査パターンの欠陥検査方法及びその装置
JP3533722B2 (ja) 不良検査方法およびその装置
JP2003172711A (ja) 画像処理を利用した検査対象物の表面検査
JPH10253544A (ja) 外観検査方法及びその装置
JP4841819B2 (ja) 物体のカラー画像による欠陥検出
JPH11337498A (ja) プリント基板の検査装置およびプリント基板の検査方法
JP3788586B2 (ja) パターン検査装置および方法
JP3536884B2 (ja) 半導体ウエハの欠陥分類方法及びその装置
JP3752849B2 (ja) パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法
JP4247993B2 (ja) 画像検査装置、画像検査方法、制御プログラムおよび可読記憶媒体
JP2007047122A (ja) 画像欠陥検査装置、欠陥分類装置及び画像欠陥検査方法
JP4036696B2 (ja) パターン検査装置、画像表示装置、パターン検査方法およびプログラム
JPH08189901A (ja) 画像信号を用いる検査装置
JP2008508622A (ja) 表面検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080513

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080630

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080811

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080811

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees