JP4158340B2 - 光磁気記録媒体及び信号再生方法 - Google Patents

Description

技 術 分 野
本発明は、磁壁移動により記録磁区を拡大して信号の再生を行う光磁気記録媒体に関するものであり、特にゴースト信号を解消するための技術に関する。
背 景 技 術
近年、ディスプレイスメント層、スイッチ層、メモリ層からなる磁性３層膜を用い、信号の再生時に、膜温度がスイッチ層のキュリー温度以上となった領域でのディスプレイスメント層の磁壁移動を利用することにより、実効的に記録磁区の大きさを拡大し、再生キャリア信号を大きくする光磁気再生方式が提案されている。
ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌｌ Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれるこの方式では、再生光の光学的な限界分離能以下の周期の微小記録磁区からも非常に大きな信号を再生することが可能であり、光の波長、対物レンズの開口数ＮＡ等を変更することなく高密度化が行える有力な方式の一つである。
しかしながら、このＤＷＤＤにおいては、未だ解決すべき問題点が多く、例えば、ある周期以上の長い周期の信号再生時に、その記録磁区に対応する信号が現れた後、１度消え、ある時間を経過した後に再度現れるという挙動を示す。
この現象はゴーストと呼ばれるが、現れた信号がゴースト信号なのか、次の記録磁区に対応する信号であるのか判別するのが難しく、またゴースト信号が現れ始める記録磁区周期近傍でノイズが上昇すること等が問題となり、結果として記録密度があまり向上しないという問題を有している。
発 明 の 開 示
本発明は、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体におけるゴースト現象を解消することを目的とする。
本発明者は、上述の目的を達成するために種々の検討を重ねてきた。本発明の光磁気記録媒体は、これらの検討結果に基づいて案出されたもので、ディスプレイスメント層の無用な磁壁移動を抑えるというのが基本的な考えである。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は、少なくとも３層の磁性層からなる磁性多層膜を記録層とし、磁性多層膜が、再生光照射側から第１の磁性層、第２の磁性層、第３の磁性層、第４の磁性層よりなる４層構造を有し、第１の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ１ 、第２の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ２ 、第３の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ３ 、第４の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ４ としたときに
Ｔ _Ｃ１ ＞Ｔ _Ｃ２ ＞Ｔ _Ｃ３
Ｔ _Ｃ４ ＞Ｔ _Ｃ３
なる関係を満たし、
且つ、第１の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ１ 、第２の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ２ としたときに
Ｋ _Ｕ２ ＞Ｋ _Ｕ１
なる関係を満たし、
再生光スポットの走行方向前方において再生光照射側の磁性層の磁壁がスポット中心方向に移動して記録磁区が拡大されるとともに、再生光スポットの走行方向後方において再生光照射側の磁性層の磁壁のスポット中心方向への移動が抑制されているものである。
再生光スポットの走行方向後方における再生光照射側磁性層の磁壁の移動を抑制することで、ゴースト現象が解消される。
再生光照射側の磁性層の上記磁壁の移動を抑制するには、例えばディスプレイスメント層とスイッチ層の間に所定の磁気特性を有する磁性層を挿入すればよく、これによりＤＷＤＤの特性を維持したままゴーストを除去することができる。
発 明 を 実 施 す る た め の 最 良 の 形 態
以下、本発明について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明の光磁気記録媒体の基本構成は、通常の光磁気記録媒体と同様であり、図１に示すように、透明基板１上に誘電体膜２、記録層３、誘電体膜４、反射膜５、保護膜６を順次積層形成してなるものである。
上記誘電体膜２、４は例えば窒化珪素からなり、また保護膜６は例えば紫外線硬化樹脂からなる。誘電体膜２、４の材質としては、これに限らず、酸化珪素、窒化アルミニウム等、他の誘電体材料を用いてもよい。
上記反射膜５は、アルミニウム等よりなるものであり、省略する事も可能である。
また、ここでは、記録再生用の光が透明基板１側から照射されることを前提としているが、逆に、記録再生用の光が保護膜６側から照射されるような構成とすることも可能である。その場合には、反射膜５の形成位置が誘電体膜２と透明基板１の間になること、後述する記録層３の層構成が逆になることが上記構成とは異なる。
なお、上記各層の膜厚は任意に設定することができるが、例えば誘電体膜１の膜厚を７００Å、第２の誘電膜４の膜厚を５００Å、反射膜５の膜厚を３００Åとする。
−方、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、記録層３は、基本的にはディスプレイスメント層、スイッチ層、メモリ層の３層からなるが、本発明では、ディスプレイスメント層の磁壁の移動を抑制する第４の磁性層をディスプレイスメント層とスイッチ層の間に有し、合計４層の磁性層からなる。
すなわち、図１に示すように、再生先入射側から、第１の磁性層（ディスプレイスメント層。以下、ＤＳ層と称する。）１１、第２の磁性層（磁壁移動を抑制する層。以下、ＹＳ層と称する。）１２、第３の磁性層（スイッチ層。以下、ＳＷ層と称する。）１３、第４の磁性層（メモリ層。以下、ＭＭ層と称する。）１４の４層の磁性層が積層され、これらにより記録層３が構成されている。
これら各磁性層に要求される特性であるが、先ず、ＤＳ層１１においては、再生時の温度においても十分な信号が再生される必要があり、したがってキュリー温度が高く、カー回転角が大きいことが必要である。少なくとも、そのキュリー温度Ｔ_Ｃ１は、ＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３よりも高くなければならない。
また、再生時、ＳＷ層１３との交換結合が切れた際に容易に磁壁が移動できなければならず、磁壁抗磁力（保磁力）が小さくなけらばならない。好ましくは、磁壁抗磁力１ｋＯｅ以下である。
ＤＳ層１１の膜厚は、カー回転角が飽和するに足る膜厚以上であれば十分であり、２００Å以上、望ましくは２５０Å以上、３５０Å以下であることが好ましい。
上記ＤＳ層の材質としては、例えばＧｄＦｅＣｏが挙げられる。
なお、ＤＳ層がキュリー温度の異なる２層、例えば、キュリー温度２５０℃のＧｄＦｅＣｏとキュリー温度２１０℃のＧｄＦｅの２層膜により構成されても構わない。
同様な３層により構成されても良い。これらの場合、キュリー温度の高い順に再生光入射側から配される。
次に、ＳＷ層１３であるが、このＳＷ層１３は、ＤＳ層１１とＭＭ層１４との交換結合を一定の温度で遮断する役割を担うため、その設定温度にあたる所定のキュリー温度Ｔ_Ｃ３を有することが必要である。
また、その膜厚は、交換力を安定に、且つ均一に切断できる程度であればよく、５０Å以上であることが好ましく、できれば１００Å以上が望ましい。このＳＷ層１３の膜厚は、あまり厚くてもメリットは無いので、上限としては２００Å程度である。
このＳＷ層の材質としては、例えばＴｂＦｅが挙げられる。
ＭＭ層１４は、記録磁区を保持する層であり、再生時にも安定に微小記録磁区形状を保持しなければならないため、キュリー温度Ｔ_Ｃ４はＳＷ層１３０キュリー温度Ｔ_Ｃ３以上でなけらばならず、さらに、微小な記録磁区が安定に保持できるよう、保磁力、垂直磁気異方性が大きいことが必要である。
このＭＭ層の材質としては、例えばＴｂＦｅＣｏが挙げられる。
本発明においては、ＹＳ層１２をＤＳ層１１とＳＷ層１３の間に挿入することが大きな特徴であるが、このＹＳ層１２は、再生光スポットの走行方向後方においてＤＳ層１１の磁壁のスポット中心方向への移動を抑制する機能を有するものであり、したがってＤＳ層１１よりも磁壁抗磁力（磁気異方性）が大きいことが必要である。
また、そのキュリー温度Ｔ_Ｃ２は、ＤＳ層１１のキュリー温度Ｔ_Ｃ１とＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３の中間にあることが必要である。
このＹＳ層１２の材質としては、磁壁移動を抑制するという機能を考えたときにＴｂを含有するものが好ましく、例えばＴｂＦｅＣｏが挙げられる。
上記各磁性層の特性の関係をまとめると、先ず、キュリー温度に関しては、ＤＳ層１１のキュリー温度をＴ_Ｃ１、ＹＳ層１２のキュリー温度をＴ_Ｃ２、ＳＷ層１３のキュリー温度をＴ_Ｃ３、ＭＭ層１４のキュリー温度をＴ_Ｃ４としたときに Ｔ_Ｃ１＞Ｔ_Ｃ２＞Ｔ_Ｃ３
Ｔ_Ｃ４＞Ｔ_Ｃ３
なる関係を満たすことが必要である。
また、磁気異方性に関しては、ＤＳ層１１の磁気異方性をＫ_Ｕ１、ＹＳ層１２の磁気異方性をＫ_Ｕ２としたときに
Ｋ_Ｕ２＞Ｋ_Ｕ１
なる関係を満たすことが必要である。
表１に具体的な記録層３の構成例を示す。
【表１】

次に、本発明の光磁気記録媒体における信号の再生動作について説明する。
先ず、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体の基本的な動作を、ＤＳ層１１、ＳＷ層１３、ＭＭ層１４からなる３層構造で説明する。
この光磁気記録媒体においては、３層の磁性層（ＤＳ層１１、ＳＷ層１３、ＭＭ層１４）はいずれも再生温度においては垂直磁化膜であり、それらの磁化は、図２に示すように、少なくとも再生時の温度において膜面に対して垂直に揃う。なお、ＤＳ層１１及びＳＷ層１３については、室温においては必ずしも垂直磁化膜である必要はなく、面内磁化膜であっても構わない。
以下の図面においても同様であるが、図２において、矢印は各磁性層のスピンの方向（例えば遷移金属であるＦｅあるいはＣｏ等の磁化方向）を示す。
これらの層間には、例えば交換結合が作用することによって、通常の状態では、スピンの方向は揃っている。
ここでは、媒体としてディスク状のものを想定しており、ディスクの回転により、再生時に媒体は図中左の方向へ移動する。記録については、通常の光磁気記録に用いられる光変調記録方法、あるいは磁界変調記録方法が用いられる。
記録は主にＭＭ層１４に対してなされ、ＭＭ層１４のスピンの向きがＳＷ層１３、ＤＳ層１１に転写されることによって記録が完結する。例えば、ＭＭ層１４の記録磁区ａは、ＤＳ層１１に転写され、ＤＳ層１１には記録磁区Ａが形成される。
再生時には、再生光の照射により各磁性層の温度は上昇する。このとき、３層の磁性層のうちＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３が最も低く設定されており、図２に示すように、再生光の照射による温度上昇によりキュリー温度Ｔ_Ｃ３を越えた部分で、ＳＷ層１３の磁化が消失する。温度Ｔが上記キュリー温度Ｔ_Ｃ３を越え、ＳＷ層１３の磁化が消失した領域は、空白で示してある。
ＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３以上に暖められた領域では、ＭＭ層１４とＤＳ層１１の間の交換結合は働かなくなる。
ここで、ＭＭ層１４は、磁気異方性が大きく、保磁力も高い磁性材料、例えばＴｂＦｅＣｏにより構成されるため、他の磁性層との交換結合が消失しても、記録状態に変化は表れない。
一方、ＤＳ層１１は、ＭＭ層１４とは逆に、磁気異方性が小さく、保磁力も相対的に小さく、且つ、記録磁区の周囲に形成される磁壁が容易に移動し易い材料、例えばＧｄＦｅＣｏにより構成されるため、ＭＭ層１４との交換結合が消失すると、再生光スポットの走行方向前方位置において、ＤＳ層１１の磁壁σ_１は、図３に示すように、磁気的なエネルギーが低くなるような方向へ移動する。ここでは、磁壁σ_１が左側に移動した方がエネルギーが低くなる。
磁壁σ_１が移動した状態が図４である。ＤＳ層１１において磁壁σ_１が移動することにより、ＭＭ層１４の記録磁区ａに対応するＤＳ層１１の記録磁区Ａが拡大され、大きな再生キャリア信号を得ることができる。
磁気的なエネルギーとし、ここでは磁壁エネルギーσｗを考慮する。ＤＳ層１１の磁化は非常に小さく、且つ、印加されている外部磁界も小さく、これらの条件により静磁気エネルギーは非常に小さいものとする。
一般に、ＤＳ層１１の磁壁エネルギーσｗ_１は交換スティフネス定数Ａ_１、及び磁気異方性定数Ｋ_Ｕ１を用いて下記のように表される。
σｗ_１＝４√Ａ_１Ｋ_Ｕ１
交換スティフネス定数Ａ_１及び磁気異方性定数Ｋ_Ｕ１は、共に温度の関数で、温度上昇に対して単調に減少し、キュリー温度で零になる。したがって、磁壁は温度の最も高い位置にあることがエネルギー的に最も安定である。この理由により、磁壁σ_１は図中左方向へ移動する。
但し、以下に示すように、記録磁区径がＤＳ層１１の最小安定磁区径よりも小さいため、このような場合にどの位置まで磁壁が移動するのか、あるいは磁壁エネルギーの値も、上記一般式とは異なった値となる。
ＤＳ層１１単独での安定な磁区径Ｌ_ｍｉｎは、ＧｄＦｅ（飽和磁化Ｍ_Ｓ１、保磁力Ｈ_Ｃ１）では、
Ｌｍｉｎ＝σｗ_１／Ｍ_Ｓ１・Ｈ_Ｃ１≒１μｍ
（σｗ_１＝１×１０−^３Ｊ／ｍ^２、Ｍ_Ｓ１・Ｈ_Ｃ１＝１０^３Ｊ／ｍ^３）
と推定される。
一方、図に示す記録磁区の大きさは、例えば、波長６４０ｎｍ、対物レンズ開口数ＮＡ＝０．５５の場合には、０．０５μｍ以上、１μｍ以下のような場合もある。この場合、ＤＳ層１１には、他の層からの交換結合が磁区内の一部で切れたときには、１μｍ以上の大きさが磁気的に安定であるため、左側の磁壁位置での交換結合が切れると同時に磁区が拡大して磁気的に安定な場所まで磁壁が移動する、と考えることもできる。このとき、より大きな信号を得るためには、σｗ_１／Ｍ_Ｓ１・Ｈ_Ｃ１は小さいことが望ましい。
さらに、図５に示すように、ＭＭ層１４の記録磁区ａとＳＷ層１３との交換結合が完全に切れると、上述の説明にもあるように、ＤＳ層１１の記録磁区の大きさがＤＳ層１１に単独で安定に存在できる磁区の大きさよりも小さい場合には、磁壁σ_１が移動し、図６に示すように、磁区Ａは消滅する。
以上の図２から図６に示す一連の磁壁移動動作により、通常の光学系では再生できない程度に小さい、あるいは周期の小さい磁区からの信号を再生することが可能となる。
上記ＤＷＤＤ方式では、記録磁区の周期Ｐが大きい（Ｐ／２≧σ_Ｄ：磁壁幅）ときに、ゴーストと呼ばれる磁壁の移動が発生する。この磁壁の移動は、再生光スポット後方位置で発生するもので、再生光スポット前方位置での移動とは逆に、再生光スポット後方位置からスポット中心に向かって移動するものである。
そこで、このゴーストの発生メカニズムについて、図７〜図１３を用いて説明する。この説明では、理解を容易なものとするため、非常に小さい孤立記録磁区ａが１個存在する場合を例にして再生時の磁壁の動きを示す。
通常の記録磁区の拡大動作（図７〜図９）については、図２〜図６と同様であるので、ここでは説明を省略する。
記録磁区ａの拡大再生が終了後、ディスクが進んでＭＭ層１４の記録磁区ａの左端がＳＷ層１３の空白領域の右端位置を通過すると、図１０に示すように、温度が低下することにより、ＳＷ層１３にＭＭ層１４の記録磁区ａと同じ方向のスピンが生じ、さらに、ＳＷ層１３からＤＳ層１１への交換結合により、ＤＳ層１１にも同じ方向のスピンが生じ、記録磁区Ｂが形成される。その結果、ＤＳ層１１に新たな磁壁σ_２が存在することになる。
すると、ここで生じた磁壁σ_２も磁気的なエネルギーが最小となる位置まで移動する。このときの移動も、温度の高い方向、あるいは磁区Ｂを拡大させる方向であり、図１１に示すように、磁壁σ２がスポット中心に向かって移動し、ＤＳ層１１の記録磁区Ｂが拡大される。
さらにディスクが移動して、図１２に示すように、孤立記録磁区の全てで交換結合が働くようになると、磁壁σ_２は再び移動して、再生前の状態に戻る。
したがって、孤立記録磁区の再生の際には、始めに磁壁が図中左方向に移動し、記録磁区が拡大されて大きな信号が現れ、その後、ＤＳ層１１の磁区が消失して信号レベルが零になり、その後再び、磁壁の右方向への移動による信号が現れ、消えていく。これらの信号の時間変化を図１３に示す。
この図１３に示す信号変化において、２度目に現れる信号が、以上に説明したゴースト現象により現れたものなのか、あるいは次に記録された記録磁区により現れたものなのかを区別することは非常に難しく、再生エラーを生じてしまう。
このゴースト現象は、図２に示すような記録状態の場合にも起こる可能性はあるが、磁壁が移動を起こすためには、ＤＳ層１１で交換結合している領域が、ある程度の長さ（およそ磁壁幅以上）でなければならない。記録磁区の周期が短い場合には、その長さが得られないため、ゴーストは現れない。
本発明では、上記ゴースト現象を解消するために、ＹＳ層１２をＤＳ層１１とＳＷ層１３の間に挿入している。このＹＳ層１２の特性（キュリー温度、磁気異方性）は、先に述べた通りである。
そこで、以下に、このＹＳ層１２を挿入したことによるゴースト現象解消のメカニズムについて説明する。
ＹＳ層１２を挿入し４層構造とした光磁気記録媒体における一連の磁壁移動動作を図１４〜図１８に示す。
この場合にも、通常の記録磁区の拡大動作（図１４〜図１６）については、図２〜図６と同様であるので、ここでは説明を省略する。ただし、３層構造の光磁気記録媒体では、ＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３以上になった領域でＤＳ層１１の磁壁が移動していたのに対し、ここではＹＳ層１２のキュリー温度Ｔ_Ｃ２以上になった領域でＤＳ層１１の磁壁の移動が生ずる。
ＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３以上の領域では、ＳＷ層１３とＹＳ層１２の交換結合は消失するが、ＹＳ層１２の磁気異方性がＤＳ層１１に比べ大きいため、あるいは別の表現では、ＹＳ層１２の保磁力が高く磁壁が移動し難いため、その温度範囲では磁壁は移動しない。
また、再生光スポットの走行方向後方位置において、ＹＳ層１２のキュリー温度Ｔ_Ｃ２となる位置でＹＳ層１２に磁化が生ずるが、この温度ではＤＳ層１１からの交換結合しか働かないため、ＹＳ層１２のスピンの向きはＤＳ層１１の方向に揃う。ここでは、ＤＳ層１１には磁壁が存在しない状態である。
さらにディスクが進み、温度が低下してＳＷ層１３のキュリー温度Ｔ_Ｃ３になると、図１７に示すように、ＳＷ層１３に磁化が生じる。
ここで、ＳＷ層１３には、ＹＳ層１２及びＭＭ層１４からの交換結合力が働くが、ＭＭ層１４の記録磁区ａの直上では後者の影響の方が強く、結局、この部分ではＳＷ層１３はＭＭ層１４の記録磁区ａの方向にスピンが揃い、さらに交換結合によりこれがＹＳ層１２、ＤＳ層１１に転写され、ＹＳ層１２には記録磁区ｂが、ＤＳ層１１には記録磁区Ｂが転写形成される。したがって、ＤＳ層１１には、磁壁σ_２が生ずる。
従来であれば、これが移動してゴースト信号の原因となっていたが、ＹＳ層１２を設けたことにより、この磁壁移動が抑制され、ゴースト信号が解消される。
すなわち、上記ＹＳ層１２に記録磁区ｂが形成された際に、その右側にＤＳ層１１と交換結合する領域ｃが残る。この領域ｃは、上記ＤＳ層１１の記録磁区Ｂとは逆方向のスピンを有し、その交換結合力により、この上のＤＳ層１１は記録磁区Ｂと同じスピン方向となることはできない。
この状態は、図１８に示すように、孤立記録磁区の全てで交換結合が働くようになり再生前の状態に戻るまで続く。
したがって、ＤＳ層１１の磁壁は移動できず、したがって、４層構造とすることにより再生時にゴーストが生ずることはない。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明を適用した光磁気記録媒体の一構成例を示す要部概略断面図である。
図２は、３層構造の光ディスクにおける磁壁移動動作を説明するものであり、記録磁区の状態及び媒体の温度プロファイルを示す模式図である。
図３は、磁壁移動状態を示す模式図である。
図４は、磁壁の安定化状態を示す模式図である。
図５は、磁壁の消失状態を示す模式図である。
図６は、孤立記録磁区における磁壁移動動作を説明するものであり、磁壁移動状態を示す模式図である。
図７は、磁壁の安定化状態を示す模式図である。
図８は、磁壁の消失状態を示す模式図である。
図９は、再生光スポット後方位置での記録磁区の転写を示す模式図である。
図１０は、ゴーストとなる磁壁の移動を示す模式図である。
図１１は、ゴーストとなる磁壁の安定化状態を示す模式図である。
図１２は、再生前の状態へ戻った状態を示す模式図である。
図１３は、一連の磁壁移動動作により得られる信号を示す特性図である。
図１４は、４層構造の光ディスクにおける磁壁移動動作を説明するものであり、磁壁移動状態を示す模式図である。
図１５は、磁壁の安定化状態を示す模式図である。
図１６は、磁壁の消失状態を示す模式図である。
図１７は、再生光スポット後方位置での記録磁区の転写を示す模式図である。
図１８は、再生前の状態へ戻った状態を示す模式図である。

Claims (4)

1. 少なくとも３層の磁性層からなる磁性多層膜を記録層とし、
   上記磁性多層膜が、再生光照射側から第１の磁性層、第２の磁性層、第３の磁性層、第４の磁性層よりなる４層構造を有し、
   第１の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ１ 、第２の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ２ 、第３の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ３ 、第４の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ４ としたときに
   Ｔ _Ｃ１ ＞Ｔ _Ｃ２ ＞Ｔ _Ｃ３
   Ｔ _Ｃ４ ＞Ｔ _Ｃ３
   なる関係を満たし、
   且つ、第１の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ１ 、第２の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ２ としたときに
   Ｋ _Ｕ２ ＞Ｋ _Ｕ１
   なる関係を満たし、
   再生光スポットの走行方向前方において再生光照射側の磁性層の磁壁がスポット中心方向に移動して記録磁区が拡大されるとともに、再生光スポットの走行方向後方において再生光照射側の磁性層の磁壁のスポット中心方向への移動が抑制されている光磁気記録媒体。
2. 上記第２の磁性層がＴｂを含有する請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 少なくとも３層の磁性層からなる磁性多層膜を記録層とする光磁気記録媒体に再生光を照射して信号を再生する信号再生方法において、
   上記光磁気記録媒体の磁性多層膜を、再生光照射側から第１の磁性層、第２の磁性層、第３の磁性層、第４の磁性層よりなる４層構造とし、
   第１の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ１ 、第２の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ２ 、第３の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ３ 、第４の磁性層のキュリー温度をＴ _Ｃ４ としたときに
   Ｔ _Ｃ１ ＞Ｔ _Ｃ２ ＞Ｔ _Ｃ３
   Ｔ _Ｃ４ ＞Ｔ _Ｃ３
   なる関係を満たし、
   且つ、第１の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ１ 、第２の磁性層の磁気異方性をＫ _Ｕ２ としたときに
   Ｋ _Ｕ２ ＞Ｋ _Ｕ１
   なる関係を満たし、
   再生光スポットの走行方向前方において再生光照射側の磁性層の磁壁をスポット中心方向に移動して記録磁区を拡大するとともに、再生光スポットの走行方向後方において再生光照射側の磁性層の磁壁のスポット中心方向への移動を抑制する信号再生方法。
4. 上記第２の磁性層がＴｂを含有する請求項３載の信号再生方法。

Images