JP4157328B2 - 膜分離装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜分離装置に関し、特に、半導体工業プロセスにおいてCVDのチャンバークリーニングやエッチングの際に用いられるPFC(パーフルオロコンパウンド)やHFC(ハイドロフルオロカーボン)等のフッ素化合物を排ガス中から再利用可能な状態で回収するためのPFC回収工程におけるPFC濃縮操作に用いるのに好適な膜分離装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体工業プロセス、例えば、半導体製造装置やLCD製造装置から排出される排ガス中には、地球温暖化等の環境に対して悪影響を及ぼす四フッ化メタン、六フッ化エタンのようなフッ素化合物(PFC:パーフルオロカーボン、パーフルオロコンパウンド)が含まれている。このようなPFC類は、大気中に放出することが好ましくないため、高温で分解することも行われているが、近年は、排ガス中に含まれているPFC類を濃縮、精製して再利用する手法が環境に優しいという観点で注目され、そのシステムが数多く提案されている。
【0003】
排ガス中のPFC類を再利用可能な状態に回収するためには、まず、排ガス中に含まれていてPFC類の濃縮や精製に悪影響を及ぼす各種不純物、例えばハロゲン化物、パーティクル、水分、二酸化炭素等を前処理装置で除去し、PFC類と共存する成分を窒素、酸素、水素等のガス成分とした後、PFC濃縮装置によってPFC類を濃縮し、さらに、PFC精製装置によってPFC純度を99.99%以上に精製する各工程を行う必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、排ガス中のPFC類を回収する場合、排ガス発生元の状態、例えば半導体製造装置の運転状況によって排ガスの流量が変化するだけでなく、排ガス中の各種成分の濃度が大きく変化するため、前処理装置、PFC濃縮装置、PFC精製装置では、これらの濃度変化に対応した最適な運転状態に制御して効率よくPFC類を回収できるようにする必要がある。
【0005】
前記PFC濃縮装置としては、一般的に膜分離装置が用いられているが、濃縮対象となるガスの濃度が変化すると、膜モジュールにおける分離濃縮性能が低下し、所望の濃縮率が得られなくなるだけでなく、濃縮後のガス組成も不安定になってしまうという問題があった。
【0006】
特に、半導体製造装置から排出されるPFC類の濃度は、半導体製造工程のサイクル毎に一定間隔で濃度が鋭敏に変化してしまうため、想定した高い濃縮回収能力を発揮することができず、一定濃度のPFC濃縮ガスを得ることが困難であった。さらに、最終的なPFC精製装置としては、PFC類の高純度化を図れる点からみると深冷液化分離法が最適であるが、この深冷液化分離法では、原料ガスとして蒸留塔に導入するガスの組成が変動すると、十分な精製処理を行うことができなくなり、精製後のPFC類の純度も変化してしまうという問題がある。
【0007】
そこで本発明は、半導体製造プロセスから排出される排ガスに含まれるフッ素化合物を膜モジュールを用いて分離濃縮する際に、濃縮後のガスの組成を安定化できるとともに、フッ素化合物の高濃度化も図ることができる膜分離装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の膜分離装置は、半導体製造プロセスから排出される排ガスに含まれるフッ素化合物を膜モジュールを用いて分離濃縮する膜分離装置において、前記膜モジュールの前段に、前記排ガス中のフッ素化合物の濃度変動を緩和するためのバッファタンクを設けるとともに、該バッファタンク内に、前記フッ素化合物の吸着能力を有する吸着剤を充填したことを特徴としている。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の膜分離装置を、半導体製造装置から排出される排ガス中のPFC類を回収して精製するPFC精製設備に組み込んだ一形態例を示す概略系統図である。このPFC精製設備は、半導体製造装置11から排出されたPFC含有排ガスを、バッファタンク12、圧縮機13及び膜モジュール14を備えた膜分離装置に導入し、この膜分離装置で濃縮したPFC類をガス精製装置、例えば深冷液化分離法によるガス精製装置15に導入して高純度に精製するように形成されている。
【0011】
まず、半導体製造装置11から排出されたPFC含有排ガス(EG)は、必要に応じてフィルターや吸着器、除害装置等の前処理装置に導入され、ハロゲン化物、パーティクル、水分、二酸化炭素等の膜モジュール14での分離操作に悪影響を与える成分を除去された後、バッファタンク12に導入される。このバッファタンク12は、前記混合ガスの組成、流量、圧力の変動を緩和するためのものであって、特に、排ガス(混合ガス)中の有用ガス成分であるPFC類の濃度変動を緩和し、略一定濃度にできる緩衝能力が得られるように形成されている。
【0012】
また、バッファタンク12は、バルーン等の空洞体を用いてもよいが、筒内に有用ガス成分のPFC類をある程度吸着する能力を備えた吸着剤を充填する。吸着剤としては、例えば、活性炭、アルミナ、シリカゲル、ゼオライト等を使用することができる。このような吸着剤を充填することにより、混合ガス中のPFC濃度が高いときにはPFC類の一部が吸着剤に吸着し、PFC濃度が低いときには吸着剤に吸着しているPFC類が脱着することにより、バッファタンク12から流出する混合ガス中のPFC濃度を略一定にすることができ、また、バルーン等を使用した場合に比べて緩衝能力が向上するのでバッファタンク12の小型化も図れる。
【0013】
前記バッファタンク12でPFC濃度の平準化が図られた混合ガスは、前記圧縮機13で圧縮されて膜モジュール14に供給される。PFC類を濃縮するための膜モジュールには、従来から用いられているものをそのまま使用することが可能であり、前記混合ガス中のPFC類と、これ以外の窒素、酸素、水素等のガス成分とをある程度分離できるものならば、各種の膜モジュールを使用することができる。具体的には、ポリイミド、ポリスルホン、ポリシリコン、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリフェノール等のポリマーあるいはこれらの共重合体からなるポリマー膜、SiO2,Al2O3,TiO2,ZrO2等のセラミック又はこれらの混合物からなるセラミック膜、前記ポリマー膜を高温で焼成したカーボン膜等を使用することができる。
【0014】
この膜モジュール14においては、前段のバッファタンク12でPFC濃度が略一定とされた混合ガス中のPFC類を分離濃縮するので、安定した状態でPFC類と他の窒素、酸素、水素等のガス成分と分離することができる。結果として、膜モジュール14から導出される濃縮ガス(CG)中のPFC濃度が一定になるだけでなく、分離効率の向上によってより高濃度にPFC類を濃縮することが可能となり、同時に分離排ガス(WG)中に排出されるPFC量も減少するので、PFC類の回収効率も向上させることができる。
【0015】
そして、このように高濃度で、かつ、略一定濃度のPFC濃縮ガスをガス精製装置15に導入して精製することにより、他のガス成分(SG)との分離操作を安定した状態で効率よく行うことができ、高純度のPFC精製ガス(PG)を高収率で得ることが可能となる。
【0016】
なお、膜モジュールで濃縮後のガスの用途、供給先は任意であり、濃縮ガスをガス容器に充填してから使用先に供給することもできる。
【0017】
【実施例】
CF4及びCHF3を含む窒素ガス(平均流量毎分20リットル)を混合ガスとして使用し、膜モジュール14の前段に、活性炭を充填した容積7リットルのバッファタンク12を設置した場合と、バッファタンク12が無い場合とにおいて、膜モジュール14に供給される混合ガス中のCF4及びCHF3の濃度変化をそれぞれ測定した。なお、バッファタンク12の有無以外は全て同じ条件としている。図2はバッファタンク12が無い場合の濃度変化を示し、図3はバッファタンク12を設置した場合の濃度変化を示している。
【0018】
また、バッファタンク12が無い場合、すなわち、バッファタンク12を通らない混合ガスを膜モジュール14で濃縮したときの濃縮ガスにおけるCF4及びCHF3の濃度変化と、バッファタンク12を設置しての濃度が平準化された混合ガスを膜モジュール14で分離濃縮したときの濃縮ガスにおけるCF4及びCHF3の濃度変化とを図4にそれぞれ示す。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の膜分離装置によれば、バッファタンクで濃度変動を緩和してから膜モジュールで分離濃縮を行えるので、半導体製造プロセスから排出される排ガス中のフッ素化合物の濃度変化が激しい場合でも、濃縮後のガス組成の安定化やフッ素化合物の高濃度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の膜分離装置をPFC精製設備に組み込んだ一形態例を示す概略系統図である。
【図2】 実施例において、バッファタンクが無い場合の膜モジュールに供給される混合ガスのCF4及びCHF3の濃度変化を示す図である。
【図3】 実施例において、バッファタンクを設置した場合の膜モジュールに供給される混合ガスのCF4及びCHF3の濃度変化を示す図である。
【図4】 実施例において、膜モジュールで分離濃縮した濃縮ガス中のバッファタンクの有無によるCF4及びCHF3の濃度変化を示す図である。
【符号の説明】
11…半導体製造装置、12…バッファタンク、13…圧縮機、14…膜モジュール、15…ガス精製装置
Claims (1)
- 半導体製造プロセスから排出される排ガスに含まれるフッ素化合物を膜モジュールを用いて分離濃縮する膜分離装置において、前記膜モジュールの前段に、前記排ガス中のフッ素化合物の濃度変動を緩和するためのバッファタンクを設けるとともに、該バッファタンク内に、前記フッ素化合物の吸着能力を有する吸着剤を充填したことを特徴とする膜分離装置。
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