JP4157308B2 - めっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品に関し、より詳細には、鉛フリーで濡れ性に優れためっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
電気、電子工業の分野においては、一般に、はんだ接合を利用して回路が形成されており、通常、錫−鉛系合金がろう材として用いられるとともに、はんだ接合を迅速かつ確実に行うために、はんだ接合の対象物に予め錫−鉛系合金のめっき膜が施されている。
【0003】
例えば、図7に示すように、はんだ接合を利用した光結合半導体装置40は、あらかじめ折り曲げ加工されたCu合金、Fe合金等の金属材料からなるリードフレーム41のヘッダーに発光素子42及び受光素子43が個別にダイボンドされており、各々の素子42、43と隣接するリードフレーム41とが金線48によってワイヤボンドされている。そして、発光素子42は樹脂44によってプリコートされ、各素子42、43がダイボンドされたリードフレーム41をスポット溶接又はローディングフレームセットにより位置決め、対向させ、透光性エポキシ樹脂45にて1次トランスファモールドによりインナーパッケージ形成がされている。さらに、遮光性エポキシ樹脂46にて2次トランスファモールドによりアウターパッケージ形成され、アウターパッケージの外側に位置するリードフレームに、無光沢SnPbめっき膜47が施されて構成されている。
【0004】
このように、従来においては、安価の上、低融点で加工性に優れたSnPbが、はんだ及びめっき膜の材料として使用されてきたが、近年の環境対策として、鉛を含有していない(鉛フリー)材料への切り替えが急がれている。例えば、はんだとしては錫を主成分として、他に銀、ビスマス、銅、亜鉛等の中から1種又は2種以上を選択した合金、めっき膜としては錫を主成分として、他に銀、ビスマス、銅、亜鉛等の中から1種又は2種以上を選択した合金、金、銀、パラジウム等が候補として挙げられる。
【0005】
特開2000−26994号公報には、光沢又は半光沢状態まで表面の結晶を微細化したSnCuめっき皮膜が提案されている。
しかし、270℃のSn−Ag(3.5%)からなるはんだ合金のはんだ槽に、上記のようなめっき皮膜を施した部品を一定速度、一定深さに5秒間浸漬して引き上げることにより、メニスコグラフ法で濡れ性評価をしたところ、ゼロクロスタイムが5s以上と、濡れ性及び外観上劣る点が示されている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電流値を可変できるカソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を5〜85°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を形成した後、前記第1の電流密度よりも低い第2の電流密度で、前記めっき対象物を保持するか、あるいはめっき対象物を5〜10重量%の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬するめっき膜の形成方法が提供される。
また、本発明によれば、上記方法によりめっき膜が形成された電子部品が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明のめっき膜の形成方法は、まず、電流値を可変できるカソードとアノードとを備えるめっき槽中で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を施す。
本発明におけるめっき対象物としては、特に限定されるものではなく、導電性の材料で形成されているものであれば、どのような種類の部材であってもよいし、どのような材料、大きさ、形状であってもよい。例えば、IC半導体装置、光結合半導体装置、発光素子、受光素子、ソリッドステートリレー、レギュレータ、抵抗器、コンデンサ、フォトインタラプタ等の電子デバイスや受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント配線板、樹脂積層半導体基板、リードフレーム等の接続部品等が挙げられる。また、これらの形状は、表面に凹凸が存在するか存在しない板状の形状であることが好ましい。
【0008】
本発明におけるめっき槽中に含有されるめっき液は、特に限定されるものではなく、どのような組成のものでも使用できるが、鉛を含有しないものであることが好ましい。また、シアンを含有しないものであることが好ましい。例えば、公知の酸性浴又は錯化剤を添加した錯塩浴を構成するめっき液を利用することができる。
【0009】
具体的には、硫酸、ハロゲン化水素酸、スルファミン酸、リン酸、ピロリン酸等の無機酸;酢酸、コハク酸、グリコール酸、クエン酸等のカルボン酸;ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸又はそれらの誘導体等;エチレンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸等のアミンカルボン酸;1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸等のヒドロキシアルカンビスホスホン酸;メタンスルホン酸、2−ヒドロキシプロパンスルホン酸等の脂肪族又は芳香族有機スルホン酸;チオグリコール酸、アセチルシステイン等のメルカプト化合物;チオ尿素、トリメチルチオ尿素等の含硫黄化合物等が挙げられる。
また、めっき液を構成する金属イオンの供給源としては、上記の酸又は錯化剤と、錫、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、亜鉛、金、パラジウム等の塩又は錯体が挙げられる。なかでも錫及び銅の塩又は錯体が好ましい。
【0010】
めっき液の金属濃度、遊離酸濃度、pH、温度、添加剤の種類及び濃度等の条件は適宜調整することができる。例えば、めっき液中の金属の濃度は1〜100g/l程度が挙げられる。
めっき液の添加剤としては、めっき液の種類に応じて適宜選択することができ、例えば、非イオン系、カチオン系、アニオン系、両性界面活性剤を用いることができる。界面活性剤は公知のもののいずれをも使用することができる。
【0011】
また、平滑化剤又は光沢剤として使用されている公知の物質を添加してもよい。例えば、ゼラチン、ペプトン、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド等の高分子化合物;N−ブチリデンスルファニル酸、アルドール等のスルファニル酸誘導体及びその塩;ベンゾトリアゾール、4−ヒドロキシベンゾトリアゾール等のトリアゾール及びその誘導体;ベンゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール及びその誘導体;イミン類;2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')エチル−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチルイミダゾリル(1')エチル−1,3,5−トリアジン等のトリアジン類;o−(又はm−又はp−)安息香酸メチル、サリチル酸フェニル等の芳香族オキシカルボン酸のエステル類;ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類;グリオキサール、ジアセチル等のジケトン類;アニリン、o−又はm−又はp−)トルイジン等のアニリン誘導体;チオグリコール酸、メルカプトコハク酸等のメルカプトカルボン酸類;トリエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミンアルコール類;脂肪族一級又は二級アミン類;アクリル酸、メタクリル酸等の共役二重結合を有する化合物等が挙げられる。
さらに、レゾルシノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジン、アスコルビン酸等の酸化防止剤を添加してもよい。
【0012】
めっき槽中には、一対又はそれぞれ複数個のカソードとアノードとを有する。カソード及びアノードの数、大きさ、形状等は特に限定されるものではなく、適宜調整することができる。なかでも、めっき槽中に、カソード及びアノードが複数個ずつ存在することが好ましい。アノードは、例えば、錫や錫銅等で形成された板状であることが適当である。また、カソードは、めっき対象物に効率よく通電し、めっき対象物とともにカソードとして機能しうる材料で形成され、板状、枠状のラック形態であることが適当である。また、カソードは、電流値を可変することができるように構成されていることが必要である。
【0013】
めっき対象物は、上記のようなカソード及びアノードを備えるめっき槽中で、所定時間、第1の電流密度にて処理され、めっき膜が形成される。ここでの所定時間とは、特に限定されるものではなく、得ようとするめっき膜の膜厚、電流密度等に応じて適宜調整することができ、例えば、5〜10分間程度、好ましくは7〜8分間程度が挙げられる。また、第1の電流密度は、得ようとするめっき膜の膜厚、めっき時間等に応じて適宜調整することができ、例えば、0.1〜20A/dm2程度、好ましくは1〜10A/dm2程度が挙げられる。具体的には、めっき膜の膜厚が8〜20μm程度の場合には、第1の電流密度が1〜5A/dm2程度、好ましくは1.5〜4.5A/dm2程度で、7〜8分間程度が挙げられる。
【0014】
本発明においては、どのような方式のめっき方法を採用してもよい。例えば、連続ライン方式や、キャリアオーバー方式(複数個の分割しためっき槽においてめっき対象物を持ち上げて隣の槽へ移動させ、これを繰り返す方式)等が挙げられる。なかでも、連続ライン方式を用いることが、生産効率や生産コストを考慮した場合に適当である。具体的には、所定の間隔で連続したアノード対を有しためっき槽において、複数のめっき対象物を縦および/又は横方向に載置した複数の、例えばラック状のカソードが、所定の間隔で連続し、各ラックがアノード対の間の決められた領域(カソード域)に給電浸漬の上、同所にて一定時間めっきを施し、近隣ラックのカソード域まで移動した後、再びめっきを施す形態が好適に利用される。キャリアオーバー方式の場合には、一定の速度で移動させる代わりに、一定の時間槽内で静置給電等することが適当である。めっき対象物は、めっき膜を施す主面が水平方向、垂直方向、ななめ方向のいずれの方向に並ぶように配置されていてもよく、アノードに対して、5〜85°程度、好ましくは45〜85°程度の傾斜角度をもたせてカソードに載置することが好ましい。この場合の傾斜角度とは、めっき対象物のめっき膜を形成する主面が、アノードの主面に対して、垂直方向、平面方向又は斜め方向に対する傾斜角度を意味する(図5(a)、図6(a)及び(b)参照)。また、めっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させる場合には、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが1つのめっき対象物の全投影面積の1/3以下であることが好ましい。
【0015】
次いで、第1の電流密度よりも低い第2の電流密度でめっき対象物を保持する。第2の電流密度は、第1の電流密度よりも低ければ、特にその範囲は限定されないが、例えば、0.5〜4.5A/dm2程度、好ましくは1.5〜2.5A/dm2程度が挙げられる。この場合の保持する時間は、めっき膜の膜厚、めっき膜の材料、電流密度等により適宜調整することができ、例えば、5〜10分間程度、好ましくは7〜8分間程度が挙げられる。なお、本発明のめっき膜の形成方法を、上述した連続ライン方式において行う場合には、複数のアノード対の間において、複数のめっき対象物を載置した複数のカソードを、めっき槽の長さに応じて、例えば、0.5〜5cm/秒程度、好ましくは1.0〜3.5cm/秒程度で移動させ、最終のカソード域、つまり、めっき対象物を載置したラックがめっき槽内の最終アノード対間を通過する領域において、カソードの電流密度を第2の電流密度に変更することが適当である。この第2の電流密度の印加により、めっき膜を若干厚膜化させながら、先に形成されためっき膜の膜表面を緻密化、均一化させることができる。
【0016】
また、本発明においては、第1の電流密度よりも低い第2の電流密度でめっき対象物を保持することに代えて、めっき膜を形成した後、好ましくはめっき膜形成後にめっき液を水洗により洗浄した後、中和を行うことが好ましい。この場合の中和は、例えば、有機リン系後処理剤、具体的には、リン酸三ナトリウム溶液に浸漬等することにより行うことができる。この場合の有機リン系後処理剤の濃度は、5〜10重量%程度が挙げられ、液温は25〜65℃程度、好ましくは55〜65℃程度が挙げられる。浸漬の時間は、例えば、10〜60秒間程度、好ましくは20〜40秒間程度が挙げられる。
なお、この中和は、第2の電流密度でめっき対象物を保持した後、好ましくは保持後にめっき液を水洗により洗浄した後に、上記と同様に行ってもよい。
【0017】
また、本発明におけるめっき膜の形成方法は、上記工程の先又は後に、任意に公知の処理工程、例えば、下地膜の形成、脱脂、水洗、エッチング、酸活性、湯洗、水切り、乾燥、さらなる膜形成等の当該分野で公知のめっきの処理工程を行ってもよい。例えば、下地膜の形成とは上記のようなめっき膜を形成する前に、めっき対象物に電気めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金等の膜を形成することを意味する。さらなる膜の形成とは、例えば、めっき膜を形成する上に、さらに、金、銀、パラジウム、ビスマス、アンチモン、インジウム又はこれら合金の単層又は積層膜を形成することを意味する。
【0018】
本発明における電子部品は、上述のような導電性材料の表面に無光沢のめっき膜が形成されている。ここで、無光沢とは、めっき膜の表面における粒子の大きさや、個々の粒子表面の滑らかさ、めっき液に使用された光沢剤等によって、適宜調節できるものであり、一般には、0.1〜0.4程度、好ましくは0.1〜0.35程度、さらに好ましくは0.2〜0.33程度の光沢度(例えば、日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース社製デンシトメータGAM Model RD-144にて測定)を有するものを意味する。また、このめっき膜は、錫−銅の二元系の合金から形成されていることが好ましく、なかでも、銅が90重量%以下、さらに1〜5重量%で含有されていることが好ましい。さらに、このめっき膜は、8〜20μm程度の膜厚であることが好ましく、めっき膜中に1μm以下の粒径の銅又は錫−銅合金の粒子が均一に分散していることがより好ましい。
以下に、本発明のめっき膜の形成方法及びめっき膜が形成された電子部品の実施例を図面に基づいて、詳細に説明する。
【0019】
実施の形態1
まず、Cu、Cu合金、Fe合金を基材とするリードフレームに、発光素子及び受光素子を別々にAgペーストでダイボンディングし、各素子と隣接するリードフレームとを金線によりワイヤボンドする。
次いで、発光素子を応力緩和用としてシリコーン樹脂でプリコートした後、各素子がダイボンドされたリードフレームをスポット溶接することにより、各素子を対向させて位置決めして、光学的に発光素子から受光素子へ光路形成するように、透光性エポキシ樹脂によって一次トランスファーモールドしてインナーパッケージを形成する。その後、図1に示したように、樹脂漏れした余分な樹脂バリをバリ取りし、外乱光の入射や内部からの光漏れなく発光素子から受光素子への光信号伝達ができるように遮光性エポキシ樹脂により二次トランスファーモールドしてアウターパッケージを形成する。
【0020】
続いて、公知の方法により脱脂、水洗、エッチング、水洗、酸活性及び水洗して清浄した後、パッケージされた半導体装置のリードフレームに外装用のめっき膜を形成する。
めっき膜は、めっき槽内にメタンスルホン酸を構成主剤とするアルカノールスルホン酸浴SnCuめっき液を建浴し、めっき槽中Cu比率が1〜5重量%になるよう、Sn濃度およびCu濃度を調整するとともに、添加剤FCM−10(ユケン工業(株)製)を例えば30〜50ml/l程度、好ましくは35〜45ml/l程度と、建浴後の2価Cuがアノ−ド置換するのを抑制するキレート剤(ユケン工業(株)製)とを添加する。得られためっき浴において、図2に示したように、一対のアノード10の間において、カソードラック11に掛けられたリードフレーム13を有する半導体装置12を、7〜8分間程度浸漬する。この間、カソードラック11には4.0〜5.0A/dm2程度の電流密度を印加する。これにより、リードフレーム表面に、膜厚約15μm程度の無光沢めっき膜を形成する。
【0021】
次に、水洗を経た後、中和を行う。ここでの中和液は、濃度10重量%程度、液温55〜65℃程度のリン酸三ナトリウム(Na3PO4)溶液とし、その溶液中に、リードフレームを、20〜40秒間程度浸漬する。
その後、湯洗、水切り、乾燥を行い、リードフレームに外装用のめっき膜を施した半導体装置を得る。
このような方法によりリードフレームを被覆しためっき膜は、図3に示すように、表面の凹凸が緩和され、無光沢SnCu単めっき膜中に、1μm以下の銅又は錫−銅合金小粒が均一に分散している。
【0022】
なお、比較として、めっき槽内にアルカノールスルホン酸浴SnCuめっき液を建浴し、めっき槽内のCu比率が1〜5重量%となるようにSn濃度及びCu濃度を調整するとともに、FCM−10と異なる添加剤、キレート剤を適宜添加しためっき液に、電流密度6.0〜7.0A/dm2程度で7〜8分間程度浸漬し、20〜25℃程度の温度のリン酸三ナトリウムによる中和を行って、8〜20μm程度の膜厚のめっき膜を形成した。
このような方法により形成されためっき膜は、図4に示すように、表面に凹凸があり、銅又は錫−銅合金の最大粒径が4μm程度の粒子が形成されていた。
【0023】
また、このめっき膜と同様の方法によりめっき膜を施したリードフレームを有する半導体装置について、はんだ濡れ性を評価した。
はんだ濡れ性の評価は、基板実装タイプの試料(プリント基板の所定の孔にリードフレーム端子を挿入してはんだ接合可能な部品)及び面実装タイプの試料(プリント基板表面の配線にリフローはんだ付け等ではんだ接合可能なように端子を水平方向に曲げ加工した部品)に対して、前処理として、JIS0050の付属書Aに記載されたように、加速水蒸気エージング装置で100℃、100%RHにて8時間放置するか、PCT(プレッシャ・クッカ・テスト)で105℃、100%RHにて8時間放置した後、2時間以上室温放置した。この前処理後の基板実装タイプの試料に対しては、EIAJ ET−7401の平衡法を、面実装タイプの試料に対しては、EIAJ ET−7404の急加熱法を採用した。
また、はんだとしては、Sn2.5Ag0.5Cu1.0Biを用い、はんだの加熱温度を245℃とした。
その結果、ゼロクロスタイムは3秒以下であった。
【0024】
実施の形態2
図5(a)に示すように、実施の形態1と同様のリードフレーム23を有する半導体装置22を、カソードラック21に搭載し、図5(b)に示すように、実施の形態1と同様のめっき槽24に浸漬し、アノード20間でカソードラック21を給電浸漬の上、同所にて一定時間めっきを施し、近隣ラックのカソード域まで移動し、めっきを施す。
その後、カソードラック21が、最終のカソード域に達した時に、カソードラック21の電流密度を2.5A/dm2程度に変更し、1〜2分間程度定速移動させて、約15μm程度の膜厚の無光沢めっき膜をリードフレーム23に形成する。
このようにして得られためっき膜においても、図3に示したように、1μm以下の銅又は錫−銅合金小粒が膜内において均一に分散されており、めっき膜表面が緻密となった。
【0025】
実施の形態3
実施の形態1及び2において、リードフレーム33を有する半導体装置32を、図6(a)又は(b)に示したように、アノード30に対して、所定の角度α、例えば、50°を保持した状態で重ねてカソードラック31に搭載して、めっき膜を形成した。また、アノード30側から見て隣接するリードフレーム同士で生じる重なり部位の約1/3以下、つまり、アノード30に対するリードフレームの投影において、隣接するリードフレームとの重なりが、1つのリードフレームの全投影面積の約1/3以下とした。これにより、重なって見える部位へのめっきの回り込み電着効果により、大量生産性を考慮しながらも、所定の膜厚でのめっき膜の形成が可能となる。
【0026】
つまり、一般的には、めっき対象物であるリードフレームはアノードに対して、略垂直又は略並行にカソードラックに搭載され、めっきされる。垂直に搭載する場合には、大量生産性を確保することができるが、一般に、めっき膜の膜厚が、アノードに近い部位(図2におけるA又はA″)は厚く、遠い部位(図2におけるA′)は薄くなる傾向があり、また、AからA″にかけての距離が長くなるほどめっき膜の膜厚のばらつきは大きくなる。一方、並行に搭載する場合には、処理数が減少するが、めっき膜の膜厚のばらつきを抑制することができる。
これに対して、この実施の形態においては、板状のめっき対象物であるリードフレームに対して、生産性を高め、膜厚のばらつきを最小限にとどめながら、さらに、はんだ濡れ性に優れた高品質SnCuめっき膜を形成することができる。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の鉛フリーのはんだに対する濡れ性を、簡便な方法により改善することができ、より生産性を向上させることが可能となり、製造コストを抑制しためっき膜を形成することが可能となる。特に、2段階の電流密度でめっき対象物にめっきを施すか、めっき膜を形成した後、めっき対象物を5〜10重量%の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬する場合には、より均一なめっき膜を得ることができ、めっき膜のはんだに対する濡れ性を向上させることが可能となる。
【0028】
特に、めっき対象物を、アノードに対して5〜85°の傾斜角度で対向させてめっき膜を施す場合又はめっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させ、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが1つのめっき対象物の投影面積の1/3以下である場合には、めっき膜の形成部位によりめっき膜の膜厚のばらつきを小さく抑えることができ、よりはんだ濡れ性を満足するめっき膜を形成することが可能となる。
【0029】
また、鉛フリーのはんだについて、特にSnCuめっき膜において研究した結果、はんだ濡れ性に劣る無光沢SnCuめっき膜においては、約2μm以上の粒径を有した銅又は錫−銅合金粒が不均一に点在(異常析出)しているため、同粒に濡れが阻害されることを見出したが、本発明によれば、銅又は錫−銅合金粒を約1μm以下とし、かつ、均一に分散析出させることで、SnCuめっき膜が格段に濡れ性を改善させることができる。しかも、めっき厚が薄い(<8μm)箇所を有する場合には、はんだ濡れ性がばらつくことを見出したが、本発明によれば、均一な膜厚のめっき膜を得ることができ、はんだ濡れ性をより改善することができる。さらに、めっき膜表面の起伏が小さく、緻密な場合には、はんだ濡れ性が良好となる傾向を見出したが、本発明によれば、緻密化しためっき膜を得ることができ、はんだ濡れ性をより改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のめっき膜の形成方法の実施の形態を示すフローチャートである。
【図2】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物の配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図3】本発明のめっき膜の形成方法で形成されためっき膜の断面図である。
【図4】図3に対する比較のためのめっき膜の断面図である。
【図5】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物の配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図6】本発明のめっき膜の形成方法におけるアノード、カソード及びめっき対象物との配置を説明するため要部の概略断面図である。
【図7】めっき膜が形成された電子部品の概略断面図である。
【符号の説明】
10、20、30 アノード
11、21、31 カソードラック
12、22、32 半導体装置
23、33 リードフレーム
24 めっき槽
Claims (10)
- 電流値を可変できるカソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を5〜85°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を形成した後、前記第1の電流密度よりも低い第2の電流密度で、前記めっき対象物を保持することを特徴とするめっき膜の形成方法。
- めっき膜を形成した後に、めっき対象物を5〜10重量%の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬する請求項1に記載の方法。
- カソードおよび水平に対し垂直方向の主面を有するアノードを備えるめっき槽中で、アノードの前記主面に対して、めっき対象物のめっき膜を形成する主面を5〜85°の傾斜角度で対向させた状態で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を施した後、めっき対象物を5〜10重量%の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬することを特徴とするめっき膜の形成方法。
- 第1の電流密度が、1〜5A/dm2である請求項1〜3のいずれか1つに記載の方法。
- 第2の電流密度が、0.5〜4.5A/dm2である請求項1、2又は4に記載の方法。
- リン酸三ナトリウム溶液が、25〜65℃の液温である請求項2〜5のいずれか1つに記載の方法。
- めっき対象物を複数個隣接してアノードに対向させ、めっき対象物のアノードへの投影において、隣接するめっき対象物同士の重なりが1つのめっき対象物の全投影面積の1/3以下である請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法。
- 請求項1〜7のいずれか1つのめっき膜の形成方法によりめっき膜が形成されてなる電子部品。
- めっき膜が、1〜5重量%のCuを含有するSn−Cu合金からなる請求項8に記載の電子部品。
- めっき膜が、粒径1μm以下の合金小粒を分散する膜厚8μm〜20μmの無光沢めっき膜である請求項8又は9に記載の電子部品。
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