JP4154681B2 - 電子線分析装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＰＭＡやＳＥＭ等の電子線を用いて電子像やＸ線像を得る分析装置に関し、特に電子像やＸ線像の走査像に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＰＭＡやＳＥＭ等の電子線を用いた分析装置は、試料上に電子線を照射し、これによって放出される二次電子線、反射電子線、Ｘ線等を検出することによって試料の表面分析を行う。試料上に照射する電子線を走査することによって、二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像等を得ることができ、画像処理によって形状画像や組成画像等を表示することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像等の各走査像からは、それぞれ異なる情報が得られ、試料の分析目的に応じて使い分けられる。たとえば二次電子像から得られる組成像と反射電子像から得られる表面形状像とを対比させたり、二次電子像や反射電子像を参照して、Ｘ線分析を行う分析位置を決定する。
このように各種の走査像を同時に観察したり、走査像間を比較して分析位置を位置決めするには、各走査像をほぼリアルタイムで同一画面上に表示する方が操作性がよい。すなわち、各走査像の観察時点間の時間差が少なく、走査像の更新間隔が短く観察の時間遅れが少ない程、対比が容易となる。
【０００４】
上記のように、走査像にリアルタイム性が求められているが、従来、二次電子像や反射電子像やＸ線像をリアルタイムで同一画面上に表示することができる電子線分析装置は知られていない。これは、二次電子像や反射電子像やＸ線像の各画像を得るための走査速度が異なるためである。たとえば、反射電子を検出する反射電子検出器は、良好なＳ／Ｎで信号検出を行うには走査速度を遅くする必要があるため、二次電子像と反射電子像を高速走査（ＴＶスキャン）と低速走査で同一画面上に表示することができない。二次電子像と反射電子像とをそれぞれ画面切り換えによって独立した像表示を行っている。
そのため、従来の電子線分析装置では、走査速度が異なる画像を比較するには、頻繁に画像切り換えを行う必要があり、操作性の点に問題がある他、判断に時間を要するという問題がある。
【０００５】
頻繁な画像切り換えによる操作性の問題を解消するために、各検出器で取得した画像データを画像メモリに格納し、画像メモリから画像データを読み出すことによって、画像切り換えによる操作を行うことなく走査速度が異なる画像を同一画面上に表示することも考えられる。
しかしながら、上記の画像メモリを用いた構成によればで画像切り換えの操作性を改善することができるが、走査像の更新間隔の点は、依然として改善することはできない。
【０００６】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、走査時間が異なる分析モードにおいて、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、検出器の応答速度に対応して電子線の走査速度を変更し、交互に走査することによって、走査時間が異なる分析モードに対応させるものであり、高速走査時には応答速度が速い検出器で一画像面分を走査し、低速走査時には応答速度が遅い検出器で一ライン分を走査する。
走査速度を変更し、高速走査により一画面分を走査した後、低速走査により一ライン分を走査することによって、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差を減少させ、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示する。
【０００８】
本発明の電子線分析装置は、電子線を試料表面上で走査させる走査部と、電子線の照射による試料からの複数種の放出を検出する複数種の検出器を備える検出部と、検出部の検出信号を記憶する画像メモリ部と、走査部に対して、高速で一画面を走査する高速走査と、低速で一ラインを走査する低速走査とを交互に切り換えて行う走査制御と、画像メモリ部に対して、高速走査時に高応答速度の検出器の検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器の検出信号を記憶させる記憶制御とを行う制御部とを備える構成とする。
【０００９】
走査部は、電子線源と試料とを結ぶ方向をＺ軸方向とするとき、電子線を試料表面上でＸ軸方向及びＹ軸方向に偏向させることによって走査を行う機能を備え、電子線を偏向させる手段として例えば偏向コイルを用いることができる。走査速度は、偏向手段を制御することによって変更することができる。
検出部は、電子線に照射によって試料から放出される二次電子、反射電子、Ｘ線等を検出する手段であり、各検出器の応答速度は検出対象によって異なる。たとえば、二次電子を検出する二次電子検出器の応答速度は速く、反射電子やＸ線を検出する反射電子検出器やＸ線検出器の応答速度は遅い。電子線を走査しながら検出信号を検出することによって、走査像を得ることができる。
【００１０】
画像メモリ部は、検出部の検出信号を走査に従って格納することによって画像データを記憶する。高速走査時には応答速度が速い検出器で検出した信号を記憶して高速走査画像データとし、低速走査時には応答速度が遅い検出器で検出した信号を記憶して低速走査画像データとする。
【００１１】
制御部は走査制御と記憶制御の二つの制御態様を備える。走査制御及び記憶制御は、検出器の応答速度に応じて試料速度を切り換え、これによって、走査時間が異なる分析モードに対応した走査処理を行う。
走査制御では走査部の走査速度を制御し、高速で一画面を走査する高速走査と、低速で一ラインを走査する低速走査とを交互に切り換える。高速走査により一画面分を走査した後、低速走査により一ライン分を走査する。低速走査では一回の走査処理で一ライン分のみの走査を行って高速走査に切り換えるため、各走査処理での走査時間を短時間とすることができる。なお、低速走査では、一回の走査処理で一ライン分のみ走査を行うため、一画面分の走査は走査処理を複数回繰り返すことによって行う。
【００１２】
したがって、高速走査像と低速走査像とは、短時間で交互に走査データの更新が行われるため、観察時点間の時間差を減少させることができ、各走査において走査像の更新間隔を短くして観察の時間遅れを減少させることができる。
高速走査時には、応答速度が速い検出器で得られる二次電子等の検出対象を走査し、低速走査時には、応答速度が遅い検出器で得られる反射電子やＸ線等の検出対象を走査する。
【００１３】
また、記憶制御では、画像メモリ部を制御して、高速走査時に高応答速度の検出器の検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器の検出信号を記憶させる。これによって、高速走査画像データと低速走査画像データとをそれぞれ記憶することができる。高速走査画像データと低速走査画像データのデータ更新は交互に行われ、高速走査画像データは一画面単位で更新し、低速走査画像データは一ライン単位で更新する。
【００１４】
また、高速走査及び低速走査の各一走査時間を同程度とすることによって、二次電子像と反射電子像等の高速走査と低速走査の走査像を同一画面上に表示するという本発明の目的の他に、高速走査での観察と低速走査での観察との間の時間差を減少させるという効果を奏することができる。また、一走査時間は走査像の更新間隔に対応しているので、一走査時間を短時間に設定することによって、各走査において走査像の更新間隔を短くして観察の時間遅れを減少させるという効果を奏することができる。
【００１５】
図１は本発明の電子線分析装置の構成を説明するための概略構成図である。図１において、電子線分析装置１は、電子線分析装置本体２に電子線を走査する走査部３と電子線照射による試料からの放出を検出する検出部４を備える。検出部４は，検出対象による応答速度に対応した高速の検出器４ａ及び低速の検出器４ｂを備える。
【００１６】
電子線分析走査１は、さらに制御部５、画像メモリ部６及び表示部７を備える。制御部５は、走査部３の走査制御と画像メモリ部６の記憶制御を、高速走査と低速走査で切り換えて行い、高速走査時には走査部３を高速で走査すると共に，高速の検出器４ａで検出した検出信号を高速走査画像データ６ａとして画像メモリ部６に記憶し、低速走査時には走査部３を低速で走査すると共に，低速の検出器４ｂで検出した検出信号を低速走査画像データ６ｂとして画像メモリ部６に記憶する。
【００１７】
表示部７は、画像メモリ部６に記憶した高速走査画像データ６ａ及び低速走査画像データ６ｂを読み出し、高速走査画像７ａ及び低速走査画像７ｂとして表示する。高速走査画像７ａと低速走査画像７ｂは、同一の表示画面上に表示することができる。
制御部５による高速走査と低速走査は、例えば、インターレース方式でＣＲＴ表示を行う場合の奇数フィールド（ＯＤＤ）と偶数フィールド（ＥＶＥＮ）のタイミングを適用して切り換えることができる。図１では、高速走査を奇数フィールド（ＯＤＤ）に対応させ（図１中実線表示）、低速走査を偶数フィールド（ＥＶＥＮ）に対応させている（図１中破線表示）。
【００１８】
図２は、本発明の電子線分析装置の走査を説明するための概略信号図である。図２（ａ）はインターレース方式での奇数フィールド（ＯＤＤ）と偶数フィールド（ＥＶＥＮ）のタイミングを示し、図２（ｂ）は高速走査により得られる一画面分の画像データを示し、図２（ｃ）は低速走査により得られる一ライン分の画像データを示している。これによって、例えばＮＴＳＣ信号の一ライン分の走査時間間隔で、応答速度の速い検出器からは高速走査によって一画面分の画像データを取得し、応答速度の遅い検出器からは低速走査によって一ライン分の画像データを取得する。
画像メモリ部６は、各走査で取得した画像データを、一画面単位あるいは一ライン単位で記憶し、更新する。
【００１９】
表示部７は、画像メモリ部に記憶した走査画像データを読み出すことによって、走査画像を表示する。走査画像データの読み出しは、走査速度や、高速走査と低速走査の切り換えと分離して行う処理であるため、画像表示は走査処理にかかわらず安定した表示を行うことができる。各走査によって走査画像データが更新されると、表示部は更新された走査画像データに基づいて表示を行う。
【００２０】
なお、上記説明では、制御部での高速走査は一画面を単位として、低速走査は一ラインを単位として走査制御及び記憶制御を行う態様としているが、走査処理の単位は一画面に対して一ラインに限るものではなく、検出器の応答速度に応じて、一画面の高速走査と、整数ライン分の低速走査を交互に行う制御態様とすることもできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しながら詳細に説明する。
図３は本発明の電子線分析装置の一構成例を説明するための図であり、図４は制御部の一構成例を説明するための図であり、図５は図４の構成例における信号図である。
図３において、電子線分析装置１は、電子線分析装置本体２と走査部３と検出部４と制御部５と画像メモリ部６と表示部７を備える。電子線分析装置本体２は試料Ｓに電子線２０（図中の一点鎖線）を照射する電子線発生部２１を備え、走査部３は電子線２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に偏向して走査を行う。
【００２２】
図３の構成例では、応答速度が速い高速の検出器４として二次電子検出器４Ａを備え、応答速度が遅い低速の検出器４として反射電子検出器４Ｂ１とＸ線検出器４Ｂ２を備える。Ｘ線検出器４Ｂ２は、特定波長のＸ線を検出するために分光素子４Ｂ２−１と該分光素子４Ｂ２−１を移動させるＸ線分光器走査部４Ｂ２−２とを具備している。
【００２３】
制御部５は、電子線発生部２１の印加電圧の制御や、走査部３の走査制御や、Ｘ線分光器走査部４Ｂ２−２の制御等の電子線分析装置において通常に行う制御動作の他に、本発明に特有な制御動作として、走査部３の走査速度の制御、及び各検出器４の検出信号を信号処理して画像メモリ部６に記憶させる記憶制御を行う。表示部７は画像メモリ部６に記憶した画像データを表示する。
【００２４】
図４の制御部は、通常のＣＲＴ装置に適用されているＮＴＳＣ信号を基にした構成例であり、各部分の信号ＣＰ１〜ＣＰ６の例を図５に示している。なお、図４は検出器として、二次電子検出器と反射電子検出器を備える場合について示している。
クロック５１で形成したクロック信号をＮＴＳＣタイミングジェネレータ５２で信号処理し、ＮＴＳＣ信号に相当する信号ＣＰ１とＣＰ２とＣＰ３を形成する。ＣＰ１の信号とＣＰ２の信号は、高速走査においてＸ走査及びＹ走査に用いる。また、ＣＰ２の信号とＣＰ３の信号は低速走査においてＸ走査及びＹ走査に用いる。
【００２５】
高速走査を行う構成は、ＣＰ１を入力するＸ走査カウンタ５３Ｘと、ＣＰ２を入力するＹ走査カウンタ５３Ｙと、Ｘ走査カウンタ５３Ｘの計数値をアナログ信号（ＣＰ５信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｘと、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値をアナログ信号（ＣＰ６信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｙと、ＣＰ５信号に基づいてＸ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｘと、ＣＰ６信号に基づいてＹ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｙとを備え、Ｘ方向の走査信号を偏向コイル３Ｘに入力してＸ走査を行い、Ｙ方向の走査信号を偏向コイル３Ｙに入力してＹ走査を行う。
高速走査では、応答速度が速い二次電子検出器４Ａで検出を行い、信号処理部８で信号処理した後、画像メモリ部６に記憶する。
【００２６】
また、低速走査を行う構成は、ＣＰ２を入力するＸ走査カウンタ５４Ｘと、ＣＰ３を入力するＹ走査カウンタ５４Ｙと、Ｘ走査カウンタ５４Ｘの計数値をアナログ信号（ＣＰ５信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｘと、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値をアナログ信号（ＣＰ６信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｙと、ＣＰ５信号に基づいてＸ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｘと、ＣＰ６信号に基づいてＹ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｙとを備え、Ｘ方向の走査信号を偏向コイル３Ｘに入力してＸ走査を行い、Ｙ方向の走査信号を偏向コイル３Ｙに入力してＹ走査を行う。
低速走査では、応答速度が遅い反射電子検出器４Ａで検出を行い、信号処理部８で信号処理した後、画像メモリ部６に記憶する。
【００２７】
なお、信号処理部８は、高速走査の信号を処理するために、検出信号を増幅するプリアンプ及びアンプ８１Ａと、増幅した処理から所定の周波数信号を選出するローパスフィルタ８２Ａと、フィルタ処理したアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換機８３Ａを備え、また、低速走査の信号を処理するために、検出信号を増幅するプリアンプ及びアンプ８１Ｂと、増幅した処理から所定の周波数信号を選出するローパスフィルタ８２Ｂと、フィルタ処理したアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換機８３Ｂを備える。
変換したディジタル信号は、画像メモリ６に記憶する。ＣＲＴ７２等の表示装置は、画像メモリ６に格納されている画像データをビデオＤ／Ａ変換器７１を介して画像表示される。
【００２８】
高速走査と低速走査との切り換えは、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値（ＣＰ４信号）によって行う。
高速走査は、ＣＰ４のＯＤＤで示される区間内で行う。このＯＤＤ区間において、ＣＰ１中の連続する一連のパルス列による一ライン分のＸ走査と、それに続くＣＰ２の一パルスによる一ライン分のＹ走査とを、ＯＤＤ区間の全区間で繰り返すことによって、一画面分の走査を行う。また、この高速走査のタイミングで得られた画像データを画像メモリ６に記憶する。
【００２９】
低速走査は、ＣＰ４のＥＶＥＮで示される区間内で行う。このＥＶＥＮ区間において、ＣＰ２中の連続する一連のパルス列による一ライン分のＸ走査と、それに続くＣＰ３の一パルスによる一ライン分のＹ走査とを、ＥＶＥＮ区間の全区間で一回行って、一ライン分の走査を行う。また、この低速走査のタイミングで得られた画像データを画像メモリ６に記憶する。
【００３０】
上記した高速走査と低速走査の詳細な動作例を、図６に示す表示装置の画素例、図７に示す高速走査と低速走査のＸ走査信号例、図８に示す高速走査と低速走査の切り換え動作例を用いて説明する。
図６に示す表示装置の画面構成例は、６４０点×４８０本の画像を表示する場合の例であり、通常インターレース方式で表示を行う場合には、ＯＤＤの区間において、４８０本の内の半分の２４０本を用いて奇数フィールドを表示し、次のＥＶＥＮの区間において偶数フィールドを表示する。
【００３１】
本発明では、ＯＤＤの区間において試料表面を高速で走査し、ＥＶＥＮの区間において試料表面を低速で走査し、それぞれ走査画像データを取得する。取得した走査画像データは、６４０点×４８０本の画像を３２０点×２４０本の二つの画像面に分割し、一方の画面に高速走査画像を表示し、他方の画面に低速走査画像を表示する。
【００３２】
図７（ａ）において、高速走査におけるＯＤＤ区間での走査信号を説明する。なお、図示する時間間隔は、ＮＴＳＣ信号を基にして設定しているが、必ずしもＮＴＳＣ信号を基にした時間間隔に限られるものではない。
高速走査において、Ｘ走査はＣＰ１によって行う。ＣＰ１は、連続するパルス列の区間と無信号区間とを一単位とするパルス群を複数回繰り返して形成される。一つのパルス群は、５３．５μｓｅｃのパルス列部分と走査を戻すための１０μｓｅｃの無信号区間とを備えた６３．５μｓｅｃ（１５．７４ＫＨＺに対応する）の時間間隔を有し、一ライン分のＸ走査を行う。一ラインが３２０画素に対応する場合には、各パルスの時間間隔は１６７ｎｓｅｃ（＝５３．５μｓｅｃ／３２０，５．９８１ＭHzに対応する）となる。この６３．５μｓｅｃ毎に一ライン分のＸ走査を２４０ライン回繰り返すことによって、一画面分の走査を行うことができる。このとき、一画面分の走査に要する時間は、１５．２４ｍｓｅｃ（＝６３．５μｓｅｃ×２４０）となる。
【００３３】
一方、低速走査において、Ｘ走査はＣＰ２によって行い、高速走査で一画面分のＸ走査を行う時間間隔と同じ時間間隔の間に、一ライン分のＸ走査を行う。 図示するＣＰ２は、高速走査の一ライン分の時間間隔（６３．５μｓｅｃ）毎に一パルスを発生する例であり、一ラインが２４０画素に対応する場合に対応する。なお、このパルス間隔は、任意に設定することもでき、一ラインを３２０画素に対応させる場合には、各パルスの時間間隔は４７．６μｓｅｃ（＝１５．２４ｍｓｅｃ／３２０，１５．７４ＫＨＺに対応する）となる。
なお、図７では、同一の走査時間間隔で高速走査によって一画面分の画像データを取得し、低速走査によって一ライン分の画像データを取得しているが、取得する画像データ量及びラインデータ量は、任意に定めることができる。
【００３４】
試料表面上の走査は、図７に示す一画面分の高速走査と、一ライン分の低速走査による走査とを交互に繰り返す。図８を用いて、高速走査と低速走査との関係を説明する。
図８（ａ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って第１画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｂ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の一ライン分の画像データを取得する。次に、図８（ｃ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って次の第２画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｄ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の次の一ライン分の画像データを取得する。
この動作を繰り返すことによって、図８（ｍ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って第２４０画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｎ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の最後の一ライン分の画像データを取得する。
【００３５】
図９は高速走査と低速走査の走査画像データの更新状態を説明する図である。図９（ａ）は高速走査の走査画像データの更新状態を示し、図９（ｂ）は低速走査の走査画像データの更新状態を示している。
高速走査では、画像データは各走査毎に一画面分のデータが更新される。図９（ａ）に示す数字は画面単位の更新数を示している。また、低速走査では、画像データは各走査毎に一ラインずつデータが更新され、所定回数Ｎ毎に一画面分のデータが更新される。図９（ｂ）に示す数字Ｎ／１は第１画面中の第Ｎライン面の更新を示し、Ｎ／２は第２画面中の第Ｎライン面の更新を示している。
したがって、高速走査を行う画像では各ＯＤＤの区間毎に一画面分の走査画像データが更新され、低速走査を行う画像では各ＥＶＥＮの区間毎に一ライン分の走査画像データが更新され、各ＥＶＥＮの区間を一画面のＹ走査回数分だけ繰り返すことによって一画面分の走査画像データが更新される。
【００３６】
本発明は、図９（ａ）と図９（ｂ）に示すように、短い時間間隔で高速走査及び低速走査の走査画像データの更新を行うことによって、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差を短縮することができる。
また、本発明は、図９（ｂ）を図１０（ｂ）との比較に示すように、低速走査においても順次一ライン毎に走査画像データを更新しており、走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消することができる。
【００３７】
なお、上記例では、高速走査と低速走査とそれぞれ個別の信号を用いて行っているが、同一の信号を用いて行うこともできる。
また、本発明によれば、高価な画像処理システムを用いることなく、安価なローパスフィルタを用いるだけの画像表示システム構成も可能となる。
【００３８】
本発明によって、二次電子像と反射電子像を同一画面に表示することによって、分析試料面を効率的に観察することができる。
応答速度が速くＳ／Ｎ比が悪い画像と、応答速度が遅くＳ／Ｎ比が良い画像を同一画面に表示することによって、応答速度が速い画像のＳ／Ｎ比を改善することなくＳ／Ｎ比が良い画像を得ることができる。
応答速度が速くＳ／Ｎ比が悪い画像と、応答速度が遅くＳ／Ｎ比が良い画像を同一画面に表示することによって、分析試料面を効率的に観察することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電子線分析装置によれば、走査時間が異なる分析モードにおいて、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子線分析装置の構成を説明するための概略図である。
【図２】本発明の電子線分析装置の走査を説明するための概略信号図である。
【図３】本発明の電子線分析装置の一構成例を説明するための図である。
【図４】本発明の制御部の一構成例を説明するための図である。
【図５】図４の制御部の構成例における信号図である。
【図６】表示装置の画面構成例を示す図である。
【図７】高速走査と低速走査のＸ走査信号例を示す図である。
【図８】高速走査と低速走査の切り換え動作例を示す図である。
【図９】高速走査と低速走査の走査画像データの更新状態を説明する図である。
【符号の説明】
１…電子線分析装置、２…電子線分析装置本体、３…走査部、３Ｘ，３Ｙ…偏向コイル４…検出部、４ａ，４ｂ…検出器、５…制御部、６…画像メモリ部、６ａ…高速走査画像データ、６ｂ…低速走査画像データ、７…表示部、７ａ…高速走査画像、７ｂ…低速走査画像、２０…電子線、２１…電子線発生器、４Ａ…二次電子検出器、４Ｂ１…反射電子検出器、４Ｂ２…Ｘ線検出器、４Ｂ２−１…分光素子、４Ｂ２−２…Ｘ線分光器走査部、５１…クロック、５２…ＮＴＣＳタイミングジェネレータ、５３…Ｘ走査カウンタ、５４…Ｙ走査カウンタ、５５…Ｄ／Ａ変換器、５６…電源、７１…ビデオＤ／Ａ変換器、７２…ＣＲＴ、８１…プリアンプ・アンプ、８２…ローパスフィルタ、８３…Ａ／Ｄ変換器。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＰＭＡやＳＥＭ等の電子線を用いて電子像やＸ線像を得る分析装置に関し、特に電子像やＸ線像の走査像に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＰＭＡやＳＥＭ等の電子線を用いた分析装置は、試料上に電子線を照射し、これによって放出される二次電子線、反射電子線、Ｘ線等を検出することによって試料の表面分析を行う。試料上に照射する電子線を走査することによって、二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像等を得ることができ、画像処理によって形状画像や組成画像等を表示することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像等の各走査像からは、それぞれ異なる情報が得られ、試料の分析目的に応じて使い分けられる。たとえば二次電子像から得られる組成像と反射電子像から得られる表面形状像とを対比させたり、二次電子像や反射電子像を参照して、Ｘ線分析を行う分析位置を決定する。
このように各種の走査像を同時に観察したり、走査像間を比較して分析位置を位置決めするには、各走査像をほぼリアルタイムで同一画面上に表示する方が操作性がよい。すなわち、各走査像の観察時点間の時間差が少なく、走査像の更新間隔が短く観察の時間遅れが少ない程、対比が容易となる。
【０００４】
上記のように、走査像にリアルタイム性が求められているが、従来、二次電子像や反射電子像やＸ線像をリアルタイムで同一画面上に表示することができる電子線分析装置は知られていない。これは、二次電子像や反射電子像やＸ線像の各画像を得るための走査速度が異なるためである。たとえば、反射電子を検出する反射電子検出器は、良好なＳ／Ｎで信号検出を行うには走査速度を遅くする必要があるため、二次電子像と反射電子像を高速走査（ＴＶスキャン）と低速走査で同一画面上に表示することができない。二次電子像と反射電子像とをそれぞれ画面切り換えによって独立した像表示を行っている。
そのため、従来の電子線分析装置では、走査速度が異なる画像を比較するには、頻繁に画像切り換えを行う必要があり、操作性の点に問題がある他、判断に時間を要するという問題がある。
【０００５】
頻繁な画像切り換えによる操作性の問題を解消するために、各検出器で取得した画像データを画像メモリに格納し、画像メモリから画像データを読み出すことによって、画像切り換えによる操作を行うことなく走査速度が異なる画像を同一画面上に表示することも考えられる。
しかしながら、上記の画像メモリを用いた構成によればで画像切り換えの操作性を改善することができるが、走査像の更新間隔の点は、依然として改善することはできない。
【０００６】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、走査時間が異なる分析モードにおいて、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、検出器の応答速度に対応して電子線の走査速度を変更し、交互に走査することによって、走査時間が異なる分析モードに対応させるものであり、高速走査時には応答速度が速い検出器で一画像面分を走査し、低速走査時には応答速度が遅い検出器で一ライン分を走査する。
走査速度を変更し、高速走査により一画面分を走査した後、低速走査により一ライン分を走査することによって、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差を減少させ、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示する。
【０００８】
本発明の電子線分析装置は、電子線を試料表面上で走査させる走査部と、電子線の照射による試料からの複数種の放出を検出する複数種の検出器を備える検出部と、検出部の検出信号を記憶する画像メモリ部と、走査部に対して、高速で一画面を走査する高速走査と、低速で一ラインを走査する低速走査とを交互に切り換えて行う走査制御と、画像メモリ部に対して、高速走査時に高応答速度の検出器の検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器の検出信号を記憶させる記憶制御とを行う制御部とを備える構成とする。
【０００９】
走査部は、電子線源と試料とを結ぶ方向をＺ軸方向とするとき、電子線を試料表面上でＸ軸方向及びＹ軸方向に偏向させることによって走査を行う機能を備え、電子線を偏向させる手段として例えば偏向コイルを用いることができる。走査速度は、偏向手段を制御することによって変更することができる。
検出部は、電子線に照射によって試料から放出される二次電子、反射電子、Ｘ線等を検出する手段であり、各検出器の応答速度は検出対象によって異なる。たとえば、二次電子を検出する二次電子検出器の応答速度は速く、反射電子やＸ線を検出する反射電子検出器やＸ線検出器の応答速度は遅い。電子線を走査しながら検出信号を検出することによって、走査像を得ることができる。
【００１０】
画像メモリ部は、検出部の検出信号を走査に従って格納することによって画像データを記憶する。高速走査時には応答速度が速い検出器で検出した信号を記憶して高速走査画像データとし、低速走査時には応答速度が遅い検出器で検出した信号を記憶して低速走査画像データとする。
【００１１】
制御部は走査制御と記憶制御の二つの制御態様を備える。走査制御及び記憶制御は、検出器の応答速度に応じて試料速度を切り換え、これによって、走査時間が異なる分析モードに対応した走査処理を行う。
走査制御では走査部の走査速度を制御し、高速で一画面を走査する高速走査と、低速で一ラインを走査する低速走査とを交互に切り換える。高速走査により一画面分を走査した後、低速走査により一ライン分を走査する。低速走査では一回の走査処理で一ライン分のみの走査を行って高速走査に切り換えるため、各走査処理での走査時間を短時間とすることができる。なお、低速走査では、一回の走査処理で一ライン分のみ走査を行うため、一画面分の走査は走査処理を複数回繰り返すことによって行う。
【００１２】
したがって、高速走査像と低速走査像とは、短時間で交互に走査データの更新が行われるため、観察時点間の時間差を減少させることができ、各走査において走査像の更新間隔を短くして観察の時間遅れを減少させることができる。
高速走査時には、応答速度が速い検出器で得られる二次電子等の検出対象を走査し、低速走査時には、応答速度が遅い検出器で得られる反射電子やＸ線等の検出対象を走査する。
【００１３】
また、記憶制御では、画像メモリ部を制御して、高速走査時に高応答速度の検出器の検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器の検出信号を記憶させる。これによって、高速走査画像データと低速走査画像データとをそれぞれ記憶することができる。高速走査画像データと低速走査画像データのデータ更新は交互に行われ、高速走査画像データは一画面単位で更新し、低速走査画像データは一ライン単位で更新する。
【００１４】
また、高速走査及び低速走査の各一走査時間を同程度とすることによって、二次電子像と反射電子像等の高速走査と低速走査の走査像を同一画面上に表示するという本発明の目的の他に、高速走査での観察と低速走査での観察との間の時間差を減少させるという効果を奏することができる。また、一走査時間は走査像の更新間隔に対応しているので、一走査時間を短時間に設定することによって、各走査において走査像の更新間隔を短くして観察の時間遅れを減少させるという効果を奏することができる。
【００１５】
図１は本発明の電子線分析装置の構成を説明するための概略構成図である。図１において、電子線分析装置１は、電子線分析装置本体２に電子線を走査する走査部３と電子線照射による試料からの放出を検出する検出部４を備える。検出部４は，検出対象による応答速度に対応した高速の検出器４ａ及び低速の検出器４ｂを備える。
【００１６】
電子線分析走査１は、さらに制御部５、画像メモリ部６及び表示部７を備える。制御部５は、走査部３の走査制御と画像メモリ部６の記憶制御を、高速走査と低速走査で切り換えて行い、高速走査時には走査部３を高速で走査すると共に，高速の検出器４ａで検出した検出信号を高速走査画像データ６ａとして画像メモリ部６に記憶し、低速走査時には走査部３を低速で走査すると共に，低速の検出器４ｂで検出した検出信号を低速走査画像データ６ｂとして画像メモリ部６に記憶する。
【００１７】
表示部７は、画像メモリ部６に記憶した高速走査画像データ６ａ及び低速走査画像データ６ｂを読み出し、高速走査画像７ａ及び低速走査画像７ｂとして表示する。高速走査画像７ａと低速走査画像７ｂは、同一の表示画面上に表示することができる。
制御部５による高速走査と低速走査は、例えば、インターレース方式でＣＲＴ表示を行う場合の奇数フィールド（ＯＤＤ）と偶数フィールド（ＥＶＥＮ）のタイミングを適用して切り換えることができる。図１では、高速走査を奇数フィールド（ＯＤＤ）に対応させ（図１中実線表示）、低速走査を偶数フィールド（ＥＶＥＮ）に対応させている（図１中破線表示）。
【００１８】
図２は、本発明の電子線分析装置の走査を説明するための概略信号図である。図２（ａ）はインターレース方式での奇数フィールド（ＯＤＤ）と偶数フィールド（ＥＶＥＮ）のタイミングを示し、図２（ｂ）は高速走査により得られる一画面分の画像データを示し、図２（ｃ）は低速走査により得られる一ライン分の画像データを示している。これによって、例えばＮＴＳＣ信号の一ライン分の走査時間間隔で、応答速度の速い検出器からは高速走査によって一画面分の画像データを取得し、応答速度の遅い検出器からは低速走査によって一ライン分の画像データを取得する。
画像メモリ部６は、各走査で取得した画像データを、一画面単位あるいは一ライン単位で記憶し、更新する。
【００１９】
表示部７は、画像メモリ部に記憶した走査画像データを読み出すことによって、走査画像を表示する。走査画像データの読み出しは、走査速度や、高速走査と低速走査の切り換えと分離して行う処理であるため、画像表示は走査処理にかかわらず安定した表示を行うことができる。各走査によって走査画像データが更新されると、表示部は更新された走査画像データに基づいて表示を行う。
【００２０】
なお、上記説明では、制御部での高速走査は一画面を単位として、低速走査は一ラインを単位として走査制御及び記憶制御を行う態様としているが、走査処理の単位は一画面に対して一ラインに限るものではなく、検出器の応答速度に応じて、一画面の高速走査と、整数ライン分の低速走査を交互に行う制御態様とすることもできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しながら詳細に説明する。
図３は本発明の電子線分析装置の一構成例を説明するための図であり、図４は制御部の一構成例を説明するための図であり、図５は図４の構成例における信号図である。
図３において、電子線分析装置１は、電子線分析装置本体２と走査部３と検出部４と制御部５と画像メモリ部６と表示部７を備える。電子線分析装置本体２は試料Ｓに電子線２０（図中の一点鎖線）を照射する電子線発生部２１を備え、走査部３は電子線２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に偏向して走査を行う。
【００２２】
図３の構成例では、応答速度が速い高速の検出器４として二次電子検出器４Ａを備え、応答速度が遅い低速の検出器４として反射電子検出器４Ｂ１とＸ線検出器４Ｂ２を備える。Ｘ線検出器４Ｂ２は、特定波長のＸ線を検出するために分光素子４Ｂ２−１と該分光素子４Ｂ２−１を移動させるＸ線分光器走査部４Ｂ２−２とを具備している。
【００２３】
制御部５は、電子線発生部２１の印加電圧の制御や、走査部３の走査制御や、Ｘ線分光器走査部４Ｂ２−２の制御等の電子線分析装置において通常に行う制御動作の他に、本発明に特有な制御動作として、走査部３の走査速度の制御、及び各検出器４の検出信号を信号処理して画像メモリ部６に記憶させる記憶制御を行う。表示部７は画像メモリ部６に記憶した画像データを表示する。
【００２４】
図４の制御部は、通常のＣＲＴ装置に適用されているＮＴＳＣ信号を基にした構成例であり、各部分の信号ＣＰ１〜ＣＰ６の例を図５に示している。なお、図４は検出器として、二次電子検出器と反射電子検出器を備える場合について示している。
クロック５１で形成したクロック信号をＮＴＳＣタイミングジェネレータ５２で信号処理し、ＮＴＳＣ信号に相当する信号ＣＰ１とＣＰ２とＣＰ３を形成する。ＣＰ１の信号とＣＰ２の信号は、高速走査においてＸ走査及びＹ走査に用いる。また、ＣＰ２の信号とＣＰ３の信号は低速走査においてＸ走査及びＹ走査に用いる。
【００２５】
高速走査を行う構成は、ＣＰ１を入力するＸ走査カウンタ５３Ｘと、ＣＰ２を入力するＹ走査カウンタ５３Ｙと、Ｘ走査カウンタ５３Ｘの計数値をアナログ信号（ＣＰ５信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｘと、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値をアナログ信号（ＣＰ６信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｙと、ＣＰ５信号に基づいてＸ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｘと、ＣＰ６信号に基づいてＹ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｙとを備え、Ｘ方向の走査信号を偏向コイル３Ｘに入力してＸ走査を行い、Ｙ方向の走査信号を偏向コイル３Ｙに入力してＹ走査を行う。
高速走査では、応答速度が速い二次電子検出器４Ａで検出を行い、信号処理部８で信号処理した後、画像メモリ部６に記憶する。
【００２６】
また、低速走査を行う構成は、ＣＰ２を入力するＸ走査カウンタ５４Ｘと、ＣＰ３を入力するＹ走査カウンタ５４Ｙと、Ｘ走査カウンタ５４Ｘの計数値をアナログ信号（ＣＰ５信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｘと、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値をアナログ信号（ＣＰ６信号）に変換するＤ／Ａ変換器５５Ｙと、ＣＰ５信号に基づいてＸ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｘと、ＣＰ６信号に基づいてＹ方向の走査信号を形成するＸ電源５６Ｙとを備え、Ｘ方向の走査信号を偏向コイル３Ｘに入力してＸ走査を行い、Ｙ方向の走査信号を偏向コイル３Ｙに入力してＹ走査を行う。
低速走査では、応答速度が遅い反射電子検出器４Ａで検出を行い、信号処理部８で信号処理した後、画像メモリ部６に記憶する。
【００２７】
なお、信号処理部８は、高速走査の信号を処理するために、検出信号を増幅するプリアンプ及びアンプ８１Ａと、増幅した処理から所定の周波数信号を選出するローパスフィルタ８２Ａと、フィルタ処理したアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換機８３Ａを備え、また、低速走査の信号を処理するために、検出信号を増幅するプリアンプ及びアンプ８１Ｂと、増幅した処理から所定の周波数信号を選出するローパスフィルタ８２Ｂと、フィルタ処理したアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換機８３Ｂを備える。
変換したディジタル信号は、画像メモリ６に記憶する。ＣＲＴ７２等の表示装置は、画像メモリ６に格納されている画像データをビデオＤ／Ａ変換器７１を介して画像表示される。
【００２８】
高速走査と低速走査との切り換えは、Ｙ走査カウンタ５３Ｙの計数値（ＣＰ４信号）によって行う。
高速走査は、ＣＰ４のＯＤＤで示される区間内で行う。このＯＤＤ区間において、ＣＰ１中の連続する一連のパルス列による一ライン分のＸ走査と、それに続くＣＰ２の一パルスによる一ライン分のＹ走査とを、ＯＤＤ区間の全区間で繰り返すことによって、一画面分の走査を行う。また、この高速走査のタイミングで得られた画像データを画像メモリ６に記憶する。
【００２９】
低速走査は、ＣＰ４のＥＶＥＮで示される区間内で行う。このＥＶＥＮ区間において、ＣＰ２中の連続する一連のパルス列による一ライン分のＸ走査と、それに続くＣＰ３の一パルスによる一ライン分のＹ走査とを、ＥＶＥＮ区間の全区間で一回行って、一ライン分の走査を行う。また、この低速走査のタイミングで得られた画像データを画像メモリ６に記憶する。
【００３０】
上記した高速走査と低速走査の詳細な動作例を、図６に示す表示装置の画素例、図７に示す高速走査と低速走査のＸ走査信号例、図８に示す高速走査と低速走査の切り換え動作例を用いて説明する。
図６に示す表示装置の画面構成例は、６４０点×４８０本の画像を表示する場合の例であり、通常インターレース方式で表示を行う場合には、ＯＤＤの区間において、４８０本の内の半分の２４０本を用いて奇数フィールドを表示し、次のＥＶＥＮの区間において偶数フィールドを表示する。
【００３１】
本発明では、ＯＤＤの区間において試料表面を高速で走査し、ＥＶＥＮの区間において試料表面を低速で走査し、それぞれ走査画像データを取得する。取得した走査画像データは、６４０点×４８０本の画像を３２０点×２４０本の二つの画像面に分割し、一方の画面に高速走査画像を表示し、他方の画面に低速走査画像を表示する。
【００３２】
図７（ａ）において、高速走査におけるＯＤＤ区間での走査信号を説明する。なお、図示する時間間隔は、ＮＴＳＣ信号を基にして設定しているが、必ずしもＮＴＳＣ信号を基にした時間間隔に限られるものではない。
高速走査において、Ｘ走査はＣＰ１によって行う。ＣＰ１は、連続するパルス列の区間と無信号区間とを一単位とするパルス群を複数回繰り返して形成される。一つのパルス群は、５３．５μｓｅｃのパルス列部分と走査を戻すための１０μｓｅｃの無信号区間とを備えた６３．５μｓｅｃ（１５．７４ＫＨＺに対応する）の時間間隔を有し、一ライン分のＸ走査を行う。一ラインが３２０画素に対応する場合には、各パルスの時間間隔は１６７ｎｓｅｃ（＝５３．５μｓｅｃ／３２０，５．９８１ＭHzに対応する）となる。この６３．５μｓｅｃ毎に一ライン分のＸ走査を２４０ライン回繰り返すことによって、一画面分の走査を行うことができる。このとき、一画面分の走査に要する時間は、１５．２４ｍｓｅｃ（＝６３．５μｓｅｃ×２４０）となる。
【００３３】
一方、低速走査において、Ｘ走査はＣＰ２によって行い、高速走査で一画面分のＸ走査を行う時間間隔と同じ時間間隔の間に、一ライン分のＸ走査を行う。 図示するＣＰ２は、高速走査の一ライン分の時間間隔（６３．５μｓｅｃ）毎に一パルスを発生する例であり、一ラインが２４０画素に対応する場合に対応する。なお、このパルス間隔は、任意に設定することもでき、一ラインを３２０画素に対応させる場合には、各パルスの時間間隔は４７．６μｓｅｃ（＝１５．２４ｍｓｅｃ／３２０，１５．７４ＫＨＺに対応する）となる。
なお、図７では、同一の走査時間間隔で高速走査によって一画面分の画像データを取得し、低速走査によって一ライン分の画像データを取得しているが、取得する画像データ量及びラインデータ量は、任意に定めることができる。
【００３４】
試料表面上の走査は、図７に示す一画面分の高速走査と、一ライン分の低速走査による走査とを交互に繰り返す。図８を用いて、高速走査と低速走査との関係を説明する。
図８（ａ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って第１画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｂ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の一ライン分の画像データを取得する。次に、図８（ｃ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って次の第２画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｄ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の次の一ライン分の画像データを取得する。
この動作を繰り返すことによって、図８（ｍ）のＯＤＤの区間において高速走査を行って第２４０画面の一画面分の画像データを取得した後、図８（ｎ）のＥＶＥＮの区間において低速走査を行って第１画面の最後の一ライン分の画像データを取得する。
【００３５】
図９は高速走査と低速走査の走査画像データの更新状態を説明する図である。図９（ａ）は高速走査の走査画像データの更新状態を示し、図９（ｂ）は低速走査の走査画像データの更新状態を示している。
高速走査では、画像データは各走査毎に一画面分のデータが更新される。図９（ａ）に示す数字は画面単位の更新数を示している。また、低速走査では、画像データは各走査毎に一ラインずつデータが更新され、所定回数Ｎ毎に一画面分のデータが更新される。図９（ｂ）に示す数字Ｎ／１は第１画面中の第Ｎライン面の更新を示し、Ｎ／２は第２画面中の第Ｎライン面の更新を示している。
したがって、高速走査を行う画像では各ＯＤＤの区間毎に一画面分の走査画像データが更新され、低速走査を行う画像では各ＥＶＥＮの区間毎に一ライン分の走査画像データが更新され、各ＥＶＥＮの区間を一画面のＹ走査回数分だけ繰り返すことによって一画面分の走査画像データが更新される。
【００３６】
本発明は、図９（ａ）と図９（ｂ）に示すように、短い時間間隔で高速走査及び低速走査の走査画像データの更新を行うことによって、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差を短縮することができる。
また、本発明は、図９（ｂ）を図１０（ｂ）との比較に示すように、低速走査においても順次一ライン毎に走査画像データを更新しており、走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消することができる。
【００３７】
なお、上記例では、高速走査と低速走査とそれぞれ個別の信号を用いて行っているが、同一の信号を用いて行うこともできる。
また、本発明によれば、高価な画像処理システムを用いることなく、安価なローパスフィルタを用いるだけの画像表示システム構成も可能となる。
【００３８】
本発明によって、二次電子像と反射電子像を同一画面に表示することによって、分析試料面を効率的に観察することができる。
応答速度が速くＳ／Ｎ比が悪い画像と、応答速度が遅くＳ／Ｎ比が良い画像を同一画面に表示することによって、応答速度が速い画像のＳ／Ｎ比を改善することなくＳ／Ｎ比が良い画像を得ることができる。
応答速度が速くＳ／Ｎ比が悪い画像と、応答速度が遅くＳ／Ｎ比が良い画像を同一画面に表示することによって、分析試料面を効率的に観察することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電子線分析装置によれば、走査時間が異なる分析モードにおいて、高速走査像と低速走査像の観察時点間の時間差、各走査における走査像の更新間隔及び観察の時間遅れを解消して、走査時間が異なる分析データをリアルタイムで表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子線分析装置の構成を説明するための概略図である。
【図２】本発明の電子線分析装置の走査を説明するための概略信号図である。
【図３】本発明の電子線分析装置の一構成例を説明するための図である。
【図４】本発明の制御部の一構成例を説明するための図である。
【図５】図４の制御部の構成例における信号図である。
【図６】表示装置の画面構成例を示す図である。
【図７】高速走査と低速走査のＸ走査信号例を示す図である。
【図８】高速走査と低速走査の切り換え動作例を示す図である。
【図９】高速走査と低速走査の走査画像データの更新状態を説明する図である。
【符号の説明】
１…電子線分析装置、２…電子線分析装置本体、３…走査部、３Ｘ，３Ｙ…偏向コイル４…検出部、４ａ，４ｂ…検出器、５…制御部、６…画像メモリ部、６ａ…高速走査画像データ、６ｂ…低速走査画像データ、７…表示部、７ａ…高速走査画像、７ｂ…低速走査画像、２０…電子線、２１…電子線発生器、４Ａ…二次電子検出器、４Ｂ１…反射電子検出器、４Ｂ２…Ｘ線検出器、４Ｂ２−１…分光素子、４Ｂ２−２…Ｘ線分光器走査部、５１…クロック、５２…ＮＴＣＳタイミングジェネレータ、５３…Ｘ走査カウンタ、５４…Ｙ走査カウンタ、５５…Ｄ／Ａ変換器、５６…電源、７１…ビデオＤ／Ａ変換器、７２…ＣＲＴ、８１…プリアンプ・アンプ、８２…ローパスフィルタ、８３…Ａ／Ｄ変換器。
Claims (2)
- 電子線を試料表面上で走査させる走査部と、
電子線の照射による試料からの複数種の放出を検出する複数種の検出器を備える検出部と、
検出部の検出信号を記憶する画像メモリ部と、
前記走査部に対して、高速で一画面分を走査する高速走査と、低速で一ライン分を走査する低速走査とを同一時間間隔で交互に切り換えて行う走査制御と、画像メモリ部に対して、高速走査時に高応答速度の検出器が検出する検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器が検出する検出信号を記憶させる記憶制御とを行う制御部とを備える、電子線分析装置。 - 電子線を試料表面上で走査させる走査部と、
電子線の照射による試料からの複数種の放出を検出する複数種の検出器を備える検出部と、
検出部の検出信号を記憶する画像メモリ部と、
前記走査部に対して、高速で一画面分を走査する高速走査と、低速で２以上の整数ライン分を走査する低速走査とを同一時間間隔で交互に切り換えて行う走査制御と、画像メモリ部に対して、高速走査時に高応答速度の検出器が検出する検出信号を記憶させ、低速走査時に低応答速度の検出器が検出する検出信号を記憶させる記憶制御とを行う制御部とを備える、電子線分析装置。
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