JP4138171B2 - 銀電気めっき浴 - Google Patents
銀電気めっき浴 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4138171B2 JP4138171B2 JP22821199A JP22821199A JP4138171B2 JP 4138171 B2 JP4138171 B2 JP 4138171B2 JP 22821199 A JP22821199 A JP 22821199A JP 22821199 A JP22821199 A JP 22821199A JP 4138171 B2 JP4138171 B2 JP 4138171B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- bath
- silver
- nitrate
- plating bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに高速で部分めっきすることができる銀電気めっき浴に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子工業において、プリント配線板に搭載されるICチップと、金めっき又は銀めっきを施したリードフレームとをワイヤーボンディングにより接続し、回路を形成することが行われている。リードフレームのめっきは、先ず、銅ストライクめっきを施し、次にめっきしない箇所をマスキングした後、ワイヤーボンディングする部分のみをめっきする部分めっきが行われている。部分めっきを行うめっき方法としては、ジェット式めっき法が主流である。
【0003】
このジェット式めっき法は、流速や浴温を変化させることで短時間で部分めっきを行うことができることを特徴としている。
【0004】
近時、ICチップを搭載したパソコンや携帯電話等の電子機器は低価格のものが要求されている。このため、リードフレームへのめっきは、金めっきより低価格の銀めっきを施すことが主流となっている。更に低価格のものにするため、銀使用量の節減やめっき速度の高速化による生産の効率化が求められている。
【0005】
銀めっき浴の分類方法としては、めっき浴中に含有される伝導塩によって分類する方法がある。この分類方法によれば、従来の銀めっき浴は、高シアン浴、低シアン燐酸塩浴、低シアン有機酸塩浴及び低シアン硝酸塩浴に分類される。
【0006】
高シアン浴は、伝導塩としてシアン化カリウムやシアン化ナトリウムの遊離のシアン塩を50〜200g/L含有するめっき浴である。このめっき浴は、有害なシアンを高い濃度で含有するため排水処理費用が高くつく。また、高い陰極電流密度で連続使用すると、シアンイオンが酸化重合したシアン分解物が発生する。このシアン分解物がめっき皮膜に混入する。そのために、めっき皮膜の純度が低下し、ワイヤーボンディング性に悪影響を及ぼすという問題がある。
【0007】
なお、例えば銅ストライクめっきを施した被めっき材表面を銀で部分めっきしようとする場合、前処理として置換防止処理のため有機置換防止膜を形成させる。しかし、この形成された有機置換防止膜を高シアン浴は破壊する。そのため、銀の部分めっきの通電前において、めっき浴中の銀イオンと被めっき材表面のストライクめっき銅とが置換する。更にマスキングされた部分までも銀の置換が起こる。このように、部分めっき箇所以外のマスキングされた部分まで銀で置換され、銀で汚染される問題がある。しかも、この問題は、部分めっきの後工程で行われるハンダめっきに悪影響を及ぼすという更なる問題をも生じさせるものである。
【0008】
一方、遊離のシアン塩濃度が数g/L以下のいわゆる低シアン浴の内、燐酸塩浴及び有機酸塩浴は、伝導性が充分ではない。この不充分な伝導性に起因して、ジェット式めっき法であっても、めっき速度が遅い。そこで、高速めっきを行うための一方法として、めっき浴の銀濃度を高くする方法が採られる場合がある。この場合、めっき後の被めっき材にめっき浴が付着し、めっき浴槽外に持ち出される銀の量が多くなる。即ち、浪費される銀の量が多くなることによって、製造コストを押し上げることになる。このような製造コストの観点から見て、めっき浴中の銀の含有量は、100g/L以下にする必要がある。
【0009】
高速めっきを行うための別の方法として、前述したように、流速や浴温を高くする方法が採られる場合がある。しかし、流速を高くする場合、マスキングされた部分にまで、めっき浴が入り込んでしまうという問題がある。
【0010】
一方、浴温を高くする場合、めっき浴槽を劣化させたり、めっき浴の蒸発速度が速くなったりする不具合が起こる。そのため、実用上浴温の上限は75℃に制限されている。
【0011】
以上のように、燐酸塩浴及び有機酸塩浴は、高速めっきを行うための何れの方法においても、その条件に制限がある。そのため、陰極電流密度が200A/dm2以上の高速めっきができないという問題がある。
【0012】
また、燐酸塩浴及び有機酸塩浴は、上述の不充分な伝導性に起因して、めっき厚にバラツキが生じる。良好なワイヤーボンディングを行うためには、2.5μm以上のめっき厚が必要である。厚さのバラツキを考慮すると、ワイヤーボンディングに関与するめっき部分の全ての位置で、2.5μm以上のめっき厚を得るためには、平均値で4〜5μmのめっき厚にする必要がある。このめっき厚でめっきすると、浪費される銀の量が多くなる。よって、製造コストを押し上げることになるという問題がある。
【0013】
めっき厚のバラツキを減少させる方法としては、めっき浴の流速、温度及び/又は銀濃度を下げ、低電流密度でめっきを行う方法がある。しかし、これらの条件で行うめっき方法は、上述したように高速めっきができない。即ち、めっき時間が長くなり、生産性が低下するという問題がある。
【0014】
一方、低シアン浴の内、硝酸塩浴は、伝導性が高いため、陰極電流密度が200A/dm2以上の高速めっきが可能であり、2〜3秒でめっきが終了し、生産性が高い。
【0015】
ジェット式めっき法では、めっき浴を速い流速で吹出している。このため、めっき浴がめっき装置等めっき浴槽周辺に飛散する。硝酸塩浴を用いる場合、飛散しためっき浴は、水分が蒸発し、乾燥した硝酸塩を生成する。この乾燥した硝酸塩は、モーター等のスパークにより発火し易い。そのため、火災事故が発生する危険性が高いという問題がある。
【0016】
また、硝酸塩浴にステンレス製陽極を用いて高い電流密度でめっきを行う場合、ステンレス製陽極が硝酸塩によって腐食される。硝酸塩浴による陽極の腐食が進むと、硝酸塩浴は汚染され、陽極形状は変化する。陽極形状が変化すると、陽極−陰極間の距離が変化し、めっき厚バラツキの原因となる。このめっき厚バラツキを防止するためには、陽極にステンレスよりも高価な白金電極又は白金を被覆した電極を使用せざるを得ない。特に、多品種少量生産の短冊めっき装置の場合は、多種類の形状の陽極を用意する必要があるので設備費が高くなるという問題がある。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は上記問題を解決するために種々検討した結果、リードフレームに銀の部分めっきを行うに際し、所定組成のめっき浴を用いると、陰極電流密度が200A/dm2以上の高速めっきが可能であり、めっき厚のバラツキが小さく、めっき浴槽周辺に飛散しためっき浴に起因する発火がなく、しかも白金と比較して安価なステンレス製陽極を使用することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0018】
よって、本発明の目的とするところは、上記問題を解決し、設備費、材料費等を節減でき、高速で安全に効率良く銀めっきができる銀電気めっき浴を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、
〔1〕 シアン化銀カリウム40〜250g/L、硝酸塩50〜300g/L、燐酸塩20〜200g/L及び遊離のシアン塩0.01〜25g/Lを含有し、硝酸塩と燐酸塩の含有比率が重量比で1:1〜6:1であり、pHが8〜12である銀電気めっき浴を提案するものである。
【0020】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の銀電気めっき浴は、通常めっき浴及びジェット式めっき用浴に用いられる。通常めっき浴は、ジェット式めっき用浴と共用できる。
【0022】
また、本発明の銀電気めっき浴は、銀源としてシアン化銀カリウムを用いる。シアン化銀カリウムは水溶性であり、電析電位が貴であるため、緻密なめっき皮膜が得られる。
【0023】
ジェット式めっきの場合、めっき浴中のシアン化銀カリウムの含有量は、好ましくは40〜250g/L、更に好ましくは70〜240g/L、特に好ましくは100〜150g/Lである。シアン化銀カリウムの含有量が40g/L未満では、得られるめっき皮膜が粗い結晶となり易く、ワイヤーボンディング性が低下する。しかも、陰極電流密度を高くすることができないため、高速めっきができない。よって、シアン化銀カリウムの含有量が40g/L未満のめっき浴は好ましくない。
【0024】
シアン化銀カリウムの含有量が250g/Lを超える場合、高速めっきは可能である。しかし、この場合めっき浴の銀濃度が高いので、めっき後の被めっき材に付着しためっき浴に伴って、めっき浴槽外に持ち出される銀の量が多くなる。即ち、多量の銀が浪費されることになるので不経済である。
【0025】
硝酸塩は、前述の低シアン硝酸塩浴のところで述べたように、めっき浴の伝導性を高く維持する作用を有する。そのため、高濃度の硝酸塩のめっき浴は、高い陰極電流密度でめっきすること、即ち高速めっきを可能にする。
【0026】
本発明の銀電気めっき浴に用いる硝酸塩としては、例えば硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等が挙げられる。これらの硝酸塩は1種単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
【0027】
ジェット式めっきの場合、めっき浴中の硝酸塩の含有量は、好ましくは50〜300g/L、更に好ましくは90〜260g/L、特に好ましくは100〜200g/Lである。
【0028】
めっき浴中の硝酸塩の含有量が50g/L未満の場合、めっき浴の伝導性が低い。そのため、得られるめっき皮膜が粗い結晶となり易く、ワイヤーボンディング性が低下する。また、めっき厚のバラツキが大きくなる。しかも、陰極電流密度を高くすることができないため、高速めっきができない。よって、硝酸塩の含有量が50g/L未満のめっき浴は好ましくない。
【0029】
めっき浴中の硝酸塩の含有量が300g/Lを超える場合、めっき浴の粘性が高い。そのため、得られるめっき皮膜が粗い結晶となり易く、ワイヤーボンディング性が低下する。また、めっき厚のバラツキが大きくなる等の不具合を生じる。よって、硝酸塩の含有量が300g/Lを超えるめっき浴は好ましくない。
【0030】
燐酸塩は、硝酸塩よりその作用は小さいが、めっき浴の伝導性を維持する作用を有するため、共存する硝酸塩と協力して高い陰極電流密度でめっきすることができる。また、燐酸塩は、めっき浴が浴槽周辺に飛散し、飛散しためっき浴が乾燥する際、硝酸塩及びシアン化銀カリウムを包み込むように塩析し、スパークによる発火を抑制する作用を有する。更に、燐酸塩は、硝酸塩によるステンレス製陽極の腐食を抑制する。
【0031】
本発明の銀電気めっき浴に用いる燐酸塩としては、例えば燐酸一水素カリウム、燐酸二水素カリウム、燐酸三カリウム、燐酸一水素ナトリウム、燐酸二水素ナトリウム、燐酸三ナトリウム、ピロ燐酸カリウム、ピロ燐酸ナトリウム等が挙げられる。これらの燐酸塩は1種単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
【0032】
ジェット式めっきの場合、めっき浴中の燐酸塩の含有量は、好ましくは20〜200g/L、更に好ましくは30〜160g/L、特に好ましくは40〜120g/Lである。
【0033】
めっき浴中の燐酸塩の含有量が20g/L未満の場合、燐酸塩自体の伝導性への寄与分が少なくなり、めっき浴の伝導性が低下し易くなる。更に、硝酸塩の発火を抑制する燐酸塩の含有量が少ないので、めっき浴槽周辺に飛散するめっき浴の乾燥塩は、スパークにより発火し易くなる。また更に、ステンレス製陽極の硝酸塩による腐食が進行し、安価なステンレス製陽極が使用できなくなるうえ、めっき厚のバラツキが大きくなる。よって、燐酸塩の含有量が20g/L未満のめっき浴は好ましくない。
【0034】
めっき浴中の燐酸塩の含有量が200g/Lを超える場合、過剰の燐酸塩が、めっき浴の伝導性を高く維持する硝酸塩の作用を低下させる傾向にあり、めっき浴の伝導性が低い。そのため、陰極電流密度を高くすることができず、高速めっきができない。また、このめっき浴は粘性が高い。そのため、得られるめっき皮膜が粗い結晶となり易く、ワイヤーボンディング性が低下する。また、めっき厚のバラツキが大きくなる等の不具合を生じる。よって、燐酸塩の含有量が200g/Lを超えるめっき浴は好ましくない。
【0035】
本発明の銀電気めっき浴において、硝酸塩と燐酸塩の好ましい含有比率は、重量比で1:1〜6:1であり、更に好ましい含有比率は、1:1〜5:1であり、特に2:1〜4:1が好ましい。
【0036】
銀電気めっき浴の硝酸塩と燐酸塩の含有比率を、上記範囲にすることによって、陰極電流密度が200A/dm2以上の高速めっきが可能となる。しかも、めっき厚のバラツキを小さくすることができ、めっき浴槽周辺に飛散しためっき浴に起因する発火を抑え、ステンレス製陽極の腐食を抑制することができる。
【0037】
めっき浴中の硝酸塩と燐酸塩の含有比率が1:1より低いと、めっき浴の伝導性が低くなる。そのため、得られるめっき皮膜が粗い結晶となり易く、ワイヤーボンディング性が低下する。また、めっき厚のバラツキが大きくなる。しかも、陰極電流密度を高くすることができないため、高速めっきができない。よって、硝酸塩と燐酸塩の含有比率が1:1より低いめっき浴は好ましくない。
【0038】
めっき浴中の硝酸塩と燐酸塩の含有比率が6:1より高いと、めっき浴槽周辺に飛散するめっき浴の乾燥塩は、スパークにより発火し易くなる。また、ステンレス製陽極の硝酸塩による腐食が進行し、安価なステンレス製陽極が使用できなくなるうえ、めっき厚のバラツキが大きくなる。よって、硝酸塩と燐酸塩の含有比率が6:1より高いめっき浴は好ましくない。
【0039】
遊離のシアン塩は、銀めっきの析出を安定化させ、めっきムラや瘤(突起状の析出)等の異常析出を防止する作用を有する。めっき浴の建浴時に遊離のシアン塩を添加しない場合でも、めっき作業を行うことにより、例えばシアン化銀カリウム中の銀イオンが被めっき材表面に析出することにより、遊離のシアン塩が生成、蓄積する。そのため、めっき浴の建浴時に遊離のシアン塩を添加しない場合がある。これに対し、めっき浴の建浴時に遊離のシアン塩を添加すると、めっき浴の建浴直後から安定なめっき作業を行うことができる。
【0040】
遊離のシアン塩の生成、蓄積の程度は、めっき浴のpH、めっき処理量、めっき浴上部の排気状態等によって変化する。そのため、めっき浴の建浴時だけでなく、めっき作業時においても定期的にめっき浴を分析し、pH調整やシアン塩の添加により、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量を調整することが好ましい。
【0041】
本発明の銀電気めっき浴に用いる遊離のシアン塩としては、例えばシアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化アンモニウム、シアン化水素等が挙げられる。これらの遊離のシアン塩は1種単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
【0042】
ジェット式めっきの場合、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量は、好ましくは0.01〜25g/L、更に好ましくは0.3〜12g/L、特に好ましくは0.3〜5g/Lである。
【0043】
めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量が0.01g/L未満の場合、めっきムラや瘤等の異常析出を防止できないので好ましくない。
【0044】
めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量が25g/Lを超える場合、シアンイオンが酸化重合したシアン分解物が発生する。このシアン分解物がめっき皮膜に混入する。そのために、めっき皮膜の純度が低下し、ワイヤーボンディング性に悪影響を及ぼす。
【0045】
さらに、このめっき浴は、前工程で施した有機置換防止膜を破壊する。そのため、良好な部分めっきができない。よって、遊離のシアン塩の含有量が25g/Lを超えるめっき浴は好ましくない。
【0046】
本発明の銀電気めっき浴のpHは、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量を制御し易くするために、8〜12が好ましく、8.5〜11.5が更に好ましく、8.5〜9.5が特に好ましい。
【0047】
めっき浴のpHが8より低いと、遊離のシアン塩が安定して存在できない。したがって、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量が0.01g/L未満の場合と同様に、めっきムラや瘤等の異常析出を防止できない。よって、pHが8より低いめっき浴は好ましくない。
【0048】
めっき浴のpHが12より高いと、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量も高いものとなる。したがって、めっき浴中の遊離のシアン塩の含有量が25g/Lを超える場合と同様に、シアンイオンが酸化重合したシアン分解物が発生する。このシアン分解物がめっき皮膜に混入する。そのために、めっき皮膜の純度が低下し、ワイヤーボンディング性に悪影響を及ぼす。
【0049】
さらに、このめっき浴は、前工程で施した有機置換防止膜を破壊する。そのため、良好な部分めっきができない。よって、pHが12より高いめっき浴は好ましくない。
【0050】
本発明の銀電気めっき浴には、めっき厚のバラツキ、めっき外観の均一性及びめっき皮膜の結晶の緻密性を更に改善するために、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボン酸又はその塩を1種以上添加することができる。
【0051】
また、本発明の銀電気めっき浴には、pHを安定にするために、pH緩衝剤を添加してもよい。pH緩衝剤としては、例えば硼酸、硼酸カリウム、硼酸ナトリウム等が挙げられ、これらの1種以上を添加することができる。
【0052】
さらに、本発明の銀電気めっき浴には、めっき皮膜に光沢を付与するために光沢剤を添加することができる。光沢剤としては、二硫化炭素、チオ尿素、及びチオ乳酸等のイオウ系列有機化合物、並びに、シアン化セレン、亜セレン酸、及び酸化セレン酸等のセレン化合物が挙げられる。めっき皮膜の所望する光沢度に応じて、これらの1種以上を適量添加すればよい。
【0053】
本発明の銀電気めっき浴では、陽極材料として白金電極や白金被覆電極は勿論のこと、安価なステンレス電極を用いることができる。本発明のめっき浴を用い、ジェット式めっき法で陰極電流密度200A/dm2以上の高速めっきが可能である。この場合の、めっき浴の好ましい流速は2〜10m/秒、好ましい浴温は45〜75℃である。
【0054】
なお、陰極電流密度は、めっき装置や被めっき材の形状に応じて適宜選定されるので、陰極電流密度200A/dm2未満が選定される場合もある。このような場合も含め、通常選定される陰極電流密度は、好ましくは30〜300A/dm2であり、更に好ましくは35〜270A/dm2であり、特に好ましくは50〜250A/dm2である。
【0055】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【0056】
42アロイ(Fe−42重量%Ni)製QFP(Quad Flat Packageの略称)144ピン(板厚0.25mm)リードフレームを、電解脱脂した。次いで、電解脱脂したリードフレームに、0.1μm厚銅ストライクめっきを施した。この銅ストライクめっきを施したリードフレームに、置換防止処理した後、ラバーマスキングした。このラバーマスキングしたリードフレームを、部分めっき用試料とした。部分めっき試験は、ジェット式めっき法で行い、浴流速5m/秒で、下記の各実施例及び比較例に示すめっき浴を用い、次の操作でめっきした。
【0057】
陰極電流密度とめっき時間とを定めると、所望するめっき厚が得られることが予め分かっている。目標めっき厚を5μmに設定し、陰極電流密度を20〜260A/dm2の範囲で20A/dm2毎に変化させ、これらの陰極電流密度について部分めっき試験を行った。各部分めっき試験におけるめっき時間は、前記各陰極電流密度に合わせて設定した。
【0058】
各陰極電流密度について部分めっき試験を行い、その部分めっき試験において緻密でムラのない皮膜が得られた陰極電流密度範囲を良好陰極電流密度範囲とした。その結果を表1に示す。
【0059】
実施例1
シアン化銀カリウム 130g/L
硝酸カリウム 150g/L
燐酸二カリウム 50g/L
シアン化カリウム 2g/L
硼酸 30g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 8.9
浴温 65℃
実施例2
シアン化銀カリウム 130g/L
硝酸カリウム 250g/L
燐酸二カリウム 70g/L
シアン化ナトリウム 3g/L
硼酸 15g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 9.5
浴温 65℃
実施例3
シアン化銀カリウム 200g/L
硝酸カリウム 180g/L
燐酸二カリウム 40g/L
シアン化ナトリウム 3g/L
硼酸 10g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 9.5
浴温 55℃
実施例4
シアン化銀カリウム 80g/L
硝酸ナトリウム 100g/L
燐酸二ナトリウム 40g/L
シアン化カリウム 3g/L
クエン酸アンモニウム 25g/L
硼酸 10g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 11.0
浴温 75℃
実施例5
シアン化銀カリウム 150g/L
硝酸アンモニウム 170g/L
ピロ燐酸カリウム 150g/L
シアン化カリウム 10g/L
硼酸 20g/L
亜セレン酸ナトリウム 0.5mg/L
pH 9.6
浴温 60℃
実施例6
シアン化銀カリウム 180g/L
硝酸カリウム 180g/L
ピロ燐酸カリウム 40g/L
シアン化カリウム 3g/L
硼酸 15g/L
pH 8.7
浴温 65℃
実施例7
シアン化銀カリウム 90g/L
硝酸カリウム 250g/L
燐酸二カリウム 120g/L
シアン化カリウム 7g/L
セレン酸ナトリウム 2mg/L
pH 9.7
浴温 55℃
実施例8
シアン化銀カリウム 150g/L
硝酸カリウム 130g/L
燐酸二カリウム 40g/L
シアン化カリウム 0.5g/L
クエン酸三ナトリウム 25g/L
亜セレン酸ナトリウム 0.8mg/L
pH 8.4
浴温 65℃
以下、比較例を示す。
【0060】
比較例1
シアン化銀カリウム 130g/L
燐酸二カリウム 120g/L
シアン化カリウム 1g/L
硼酸 30g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 8.8
浴温 65℃
比較例2
シアン化銀カリウム 130g/L
シアン化ナトリウム 2g/L
クエン酸三ナトリウム 150g/L
硼酸 30g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 9.0
浴温 65℃
比較例3
シアン化銀カリウム 130g/L
硝酸カリウム 150g/L
シアン化カリウム 0.5g/L
硼酸 30g/L
シアン化セレン酸カリウム 1mg/L
pH 8.5
浴温 65℃
【0061】
【表1】
性能評価試験1
上記の良好陰極電流密度範囲の中央値でめっきして得られた皮膜について厚さのバラツキを評価した。蛍光X線膜厚計を用いて、得られためっき皮膜の144ヶ所の膜厚を測定した。これらの膜厚を部分めっき試験毎に集計し、最大膜厚と最小膜厚との差を、その部分めっき試験についての膜厚バラツキとして表1に示した。
【0062】
表1より、本発明の実施例1〜8のめっき浴から得られた皮膜の膜厚バラツキは0.51〜0.58μmである。これに対して、硝酸塩を含まない比較例1のめっき浴、硝酸塩及び燐酸塩の何れをも含まない比較例2のめっき浴から得られた皮膜の膜厚バラツキは、それぞれ1.41μm、1.24μmで、大きなバラツキを示した。なお、燐酸塩を含まない比較例3のめっき浴から得られた皮膜の膜厚バラツキは、0.56μmと実施例1〜8の場合と同程度で、バラツキは小さい。しかし、性能評価試験2及び3のところで後述するように、膜厚バラツキ以外の性能が劣っている。
【0063】
性能評価試験2
めっき浴を乾燥させた後の塩の混合物の発火性について性能評価試験を行った。実施例1〜8、比較例1〜3の各めっき浴10mLを、ガラスシャーレに入れ、乾燥機中、105℃に6時間保持してめっき浴を乾燥させた。火打ち石を用いて、この乾燥させた塩の混合物にスパークを飛ばし、発火の有無を調べた。この結果を表1に示す。
【0064】
表1より、実施例1〜8のめっき浴を乾燥させた塩の混合物は発火しなかった。一方、比較例3のめっき浴を乾燥させた塩の混合物は発火し、煙を上げて燃焼した。なお、比較例1及び2のめっき浴を乾燥させたものは発火しなかった。しかし、比較例1及び2のめっき浴は、性能評価試験1のところで述べたように、膜厚バラツキの性能が劣っている。
【0065】
性能評価試験3
ステンレス製陽極を用いた場合の、各めっき浴の腐食性について性能評価試験を行った。ステンレス(SUS316)を陽極に用い、陰極電流密度100A/dm2で30A・hr/L連続電気めっき(めっき浴1L当り、電気量が30A・hrに相当するまで次々にめっきすること)を行った。めっき作業終了後、ステンレス製陽極が腐食されて各めっき浴に溶解した鉄(Fe)、ニッケル(Ni)及びクローム(Cr)の量を測定した。この結果を表1に示す。
【0066】
表1より、実施例1〜8のめっき浴への上記金属の溶解量は、硝酸塩を含まない比較例1及び2のめっき浴への上記金属の溶解量と同程度である。なお、従来のめっき浴である、比較例1及び2のめっき浴は、通常は実用上、ステンレス製陽極が使用されている。従って、実施例1〜8のめっき浴は、ステンレス製陽極を使用することができる。
【0067】
一方、比較例3のめっき浴への上記金属の溶解量は、表1に示すように何れの金属についても極めて多量であった。よって、比較例3のめっき浴にステンレス製陽極を使用することは好ましくない。
【0068】
【発明の効果】
本発明の銀電気めっき浴を用いてリードフレームに銀の部分めっきを行う場合、陰極電流密度を大きくでき、条件により陰極電流密度が200A/dm2以上の高速めっきも可能である。また、めっき厚のバラツキが小さく、浪費される銀の量が少ないものである。しかも、めっき浴槽周辺に飛散しためっき浴に起因する発火がなく、安全性が高いものである。さらに、硝酸塩を多く含んでいるので電流密度を高くでき、しかもステンレス製陽極の腐食も少ないのでステンレス製陽極を使用することができるため、従来より効率良く低いコストでめっきすることができる。
Claims (1)
- シアン化銀カリウム40〜250g/L、硝酸塩50〜300g/L、燐酸塩20〜200g/L及び遊離のシアン塩0.01〜25g/Lを含有し、硝酸塩と燐酸塩の含有比率が重量比で1:1〜6:1であり、pHが8〜12である銀電気めっき浴。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22821199A JP4138171B2 (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 銀電気めっき浴 |
TW89113612A TW573073B (en) | 1999-08-12 | 2000-07-07 | Silver plating bath |
KR1020000043409A KR100576584B1 (ko) | 1999-08-12 | 2000-07-27 | 은 전기도금욕 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22821199A JP4138171B2 (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 銀電気めっき浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001049487A JP2001049487A (ja) | 2001-02-20 |
JP4138171B2 true JP4138171B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=16872940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22821199A Expired - Lifetime JP4138171B2 (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 銀電気めっき浴 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4138171B2 (ja) |
KR (1) | KR100576584B1 (ja) |
TW (1) | TW573073B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6230778B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置用電解銀めっき液 |
JP6679312B2 (ja) * | 2015-01-13 | 2020-04-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4024031A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-17 | Amp Incorporated | Silver plating |
JPS5919196B2 (ja) * | 1978-12-21 | 1984-05-02 | 三菱電機株式会社 | 高速電解銀めつき方法 |
JPS6070197A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-20 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 銀合金めつき法 |
US4604167A (en) * | 1984-01-26 | 1986-08-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Silver plating solution and silver plating process and pretreatment solution therefor |
JPH02228489A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高速度厚付け銀めっき法 |
JPH0459975A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 電子部品の銀メッキ方法 |
JPH09249988A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 銀めっき方法 |
-
1999
- 1999-08-12 JP JP22821199A patent/JP4138171B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-07 TW TW89113612A patent/TW573073B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-27 KR KR1020000043409A patent/KR100576584B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001049487A (ja) | 2001-02-20 |
TW573073B (en) | 2004-01-21 |
KR20010021142A (ko) | 2001-03-15 |
KR100576584B1 (ko) | 2006-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5910340A (en) | Electroless nickel plating solution and method | |
JP4733468B2 (ja) | 金属表面処理水溶液および金属表面の変色防止方法 | |
KR101502804B1 (ko) | Pd 및 Pd-Ni 전해질 욕조 | |
JP2645701B2 (ja) | パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 | |
JP2009500527A (ja) | スズ・ウィスカ成長を最小化する特性又は特徴を有するスズの電着 | |
JP6773079B2 (ja) | ノンシアン系電解金めっき液 | |
KR102071195B1 (ko) | 무전해 도금욕 | |
US5935306A (en) | Electroless gold plating bath | |
US20030183533A1 (en) | Electrolytic solution for electrochemical deposit of palladium or its alloys | |
JPH05222574A (ja) | 銀めっき方法 | |
GB2321647A (en) | Electroplating baths for nickel or nickel alloy | |
JP4138171B2 (ja) | 銀電気めっき浴 | |
JPH0146597B2 (ja) | ||
GB2089374A (en) | Electrodeposition of palladium and palladium alloys | |
US20110147225A1 (en) | High speed method for plating palladium and palladium alloys | |
TWI415971B (zh) | 無電解金覆層液及無電解金覆層方法 | |
US4564426A (en) | Process for the deposition of palladium-nickel alloy | |
GB2046794A (en) | Silver and gold/silver alloy plating bath and method | |
US4238300A (en) | Gold electroplating process | |
JP2010209474A (ja) | 金属表面処理水溶液および金属表面の変色防止方法 | |
KR20090069231A (ko) | 구리 소지용 치환 금도금액 및 이를 이용한 금도금 방법 | |
JPH0319307B2 (ja) | ||
KR101507452B1 (ko) | Pcb 제조를 위한 무전해 니켈-팔라듐-금 도금 방법 | |
JPH05222568A (ja) | メッキ液組成物 | |
TWI772134B (zh) | 無電解金(i)鍍覆浴及無電解金(i)鍍覆原液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4138171 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |