JP4137528B2 - 電源変換回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電源変換回路に係り、さらに詳しくは、ソーラーモジュールや熱電変換素子の出力を使って駆動する電子機器の電源変換回路であって、発電した電力を効率良く負荷回路に供給し、余った電力を蓄電手段に蓄える電源変換回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
環境や時間により電圧及び電流が変動する給電手段の電力を負荷回路に供給する従来の電源変換回路は、図12に示すように、DC−DCコンバータとDC−DCコンバータから出力された電力を整流する整流素子と、蓄電手段の電圧を検出する電圧検出器と、整流された電力を蓄電する蓄電手段と、負荷回路を有していた。ソーラーモジュールや熱電変換回路など環境や時間により電圧及び電流が変動する給電手段の電力を負荷回路に供給する従来の電源変換回路では、給電手段から電力が供給され、DC−DCコンバータの最低動作電圧以上であればDC−DCコンバータが動作し、蓄電手段の電圧が所定の出力電圧になるように電圧検出器でモニタして、DC−DCコンバータの動作を制御する。例えばDC−DCコンバータがスイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータの場合、DC−DCコンバータの動作をオン・オフさせ、間欠動作させることで出力電圧を一定に保っていた。
【0003】
また電圧変換された電力は、ショットキーダイオードなどの整流素子で整流され、蓄電手段に充電されて蓄えられる。この時、充電手段と負荷回路は並列に接続されているため、蓄電手段に蓄電された電力が負荷回路に供給される。負荷回路は充電手段の蓄電された電圧が負荷回路の最低駆動電圧以上になると動作していた。そのため、蓄電手段の容量が大きいと、蓄電手段の電圧が中々上昇せず、起動するまで非常に時間がかかっていた。このように負荷回路を継続的に動作させるには、蓄電手段の電力が空にならず、かつ、蓄電手段の電圧が負荷回路の最低駆動電圧を下回らないように、蓄電手段に対して効率良く充電する必要があった。
【0004】
さらに従来の電源変換回路で、DC−DCコンバータにスイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータを用いた場合、昇降圧倍数は固定としている。この場合、給電手段の出力電圧が変化して、昇圧あるいは降圧を行ってもDC−DCコンバータの出力電圧が蓄電手段の出力を下回ってしまえば、充電することができない。
【0005】
また、給電手段の出力がなくなると負荷回路は蓄電手段に蓄えられた電力で動作するが、蓄電手段の電圧が負荷回路の最低動作電圧を下回った時点で動作が停止する。この時、蓄電手段にはまだ電荷が残った状態である。
【0006】
なお、上記の時間により電圧が変動する電力を供給する給電手段としては、消費電力の比較的小さい携帯電子機器などに用いられる熱電変換素子やソーラーパネルなどがある。例えば、熱電変換素子は、P型とN型の半導体を用いてPN接合を行い、温度差により起電力を生じさせて発電を行うため、温度差が時間とともに変化すると、それに応じて起電力(電圧)も変化する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の電源変換回路にあっては、負荷回路に一定電圧を供給するためにDC−DCコンバータの動作を止めたり、取り出す電力量を調整したりしていた。そのため、給電手段の発電出力か負荷回路で必要とされる電力以上に出力できる能力がある場合でも、必要以上に電力を取り出すことはしない。このため、必要とされる以上の電力は無駄になっていた。特にソーラーモジュールや熱電変換回路などの給電手段では、環境や時間により出力電圧がすぐに変化するため、同じ出力能力を維持することは難しい。そのため、発電能力の高い状態のとき、つまり光量が非常に多い場合や熱源がある場合には、できるだけ多くの電力を給電手段から取り出す必要があった。
【0008】
さらに、ソーラーモジュールや熱電変換回路などの自然エネルギー源の給電手段では、出力電圧と出力電流の間に最大発電効率となる極大値を持っている。自然エネルギー源の給電手段では、エネルギー量が少ないため、常に最大発電効率の状態で電力を取り出すことが望ましい。しかし、従来の電源変換回路では負荷回路の消費電力に応じて給電手段から取り出す電力を決めているため、最大発電効率の状態で電力が引き出されていることは稀であり、それ以外の電力は無駄となっていた。
【0009】
また従来の電源変換回路では、蓄電手段と負荷回路が整流素子の出力に並列に接続しているため、例えDC−DCコンバータの出力が負荷回路の動作電圧以上であっても蓄電器の電荷が空の状態では電圧がドロップし、蓄電手段の電荷が溜まるまでは負荷回路が動作しないという不具合があった。
【0010】
またスイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータを用いた従来の電源変換回路では、昇圧倍数あるいは降圧倍数が固定のため、環境や時間により出力電圧が変化する給電手段の出力電力を電源変換しても、DC−DCコンバータの出力電圧が蓄電手段の電圧を下回った場合、蓄電することができなかった。
【0011】
また環境や時間により出力電圧が変化する給電手段の発電が止まった場合、蓄電手段に溜まった電力で負荷回路が動作することになるが、蓄電手段の電圧が負荷回路の最低動作電圧を下回った時に負荷回路の動作は止まってしまう。例え蓄電手段に残った電力が十分であっても電圧が下回っただけで負荷回路が動かないため、残った電力は無駄になっていた。
【0012】
本発明は、かかる従来技術の有する不都合に鑑みてなされたもので、給電手段の発電電力が十分にあるときは、蓄電手段に電力を溜めながら負荷回路を動作させ、給電手段の発電がなくなった場合は、蓄電手段に溜まった電力を効率良く使い切ることのできる電源変換回路を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電源回路は、給電手段から供給される電力を昇圧あるいは降圧する可変型DC−DCコンバータと、前記可変型DC−DCコンバータで昇降圧された電力を蓄電する蓄電手段と、前記給電手段の出力と前記可変型DC−DCコンバータの入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの出力と前記蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの入力と前記蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記各MOSFETスイッチのゲートを制御する制御回路と、前記給電手段の出力電圧及び前記蓄電手段の電圧及び前記負荷回路の入力電圧をモニタし、電圧情報を前記可変型DC−DCコンバータと前記制御回路に出力する電圧検出器を備えているものである。
【0014】
これによれば、電圧検出器が給電手段から発電電力が供給されていることを検出すると、制御回路が給電手段の出力と可変型DC−DCコンバータの入力を接続するMOSFETスイッチをONさせ、発電電力を可変型DC−DCコンバータに入力する。さらに電圧検出器は給電手段の出力電圧をモニタし、DC−DCコンバータの昇圧及び降圧倍数を決め、その倍数でDC−DCコンバータが動作する。次に制御回路は可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチをONさせ、昇圧及び降圧された可変型DC−DCコンバータの出力を負荷回路に供給する。この時、負荷回路で使われる電力以上に可変型DC−DCコンバータから電力が供給された場合は、制御回路が可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチをOFFさせ、可変型DC−DCコンバータの出力と蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチをONさせて、蓄電手段に電力を供給する。このため、負荷回路には一定の電圧で電力が供給される。
【0015】
さらに、給電手段の出力電圧をモニタして、可変型DC−DCコンバータの昇降圧段数を決めているため、常に最大発電効率の状態で電力を取り出すことができる。そして発電能力の高い状態のときにはできるだけ多くの電力を給電手段から取り出し、蓄電手段に蓄えることができる。
【0016】
また蓄電手段の電荷が空の状態であっても、可変型DC−DCコンバータの出力と前記蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチと、可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチを設けているため、可変型DC−DCコンバータの出力電圧が負荷回路の最低動作電圧以上であればすぐに、負荷回路を動作させることができる。
【0017】
また給電手段から発電電力が供給されなくなった場合は、電圧検出器が給電手段から発電電力が供給されていないことを検出し、制御回路が給電手段の出力と可変型DC−DCコンバータの入力を接続するMOSFETスイッチをOFFさせ、可変型DC−DCコンバータの入力と蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチをONさせて、蓄電手段の電荷を可変型DC−DCコンバータに入力する。電圧検出器は蓄電手段の電圧をモニタし、DC−DCコンバータの昇圧及び降圧倍数を決め、その倍数でDC−DCコンバータが動作する。次に制御回路は可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチをONさせ、昇圧及び降圧された可変型DC−DCコンバータの出力を負荷回路に供給する。この時も負荷回路で使われる電力以上に可変型DC−DCコンバータから電力が供給された場合は、制御回路が可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチをOFFさせることで、負荷回路には一定の電圧で電力が供給される。これにより、蓄電手段の電圧が負荷回路の最低動作電圧を下回った時に負荷回路の動作は止まってしまうという不具合がなくなり、蓄電手段に蓄えられた電力は最後まで使い切ることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る電源変換回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態の電源変換回路は、環境や時間により発電電圧及び電力が変化するソーラーモジュールや熱電変換素子あるいはモーターを用いた発電機を給電手段とした携帯機器において、発電した電力を効率良く蓄電し、且つ、効率良く消費することを目的としたものである。
【0019】
図1に本実施の形態に係る電源変換回路1の概略構成を示すブロック図を示す。本発明の電源変換回路1は給電手段11から供給される電力を昇圧あるいは降圧する可変型DC−DCコンバータ2と、可変型DC−DCコンバータ2で昇降圧された電力を蓄電するコンデンサ6と、ソーラーモジュールや熱電変換素子あるいはモーターを用いた発電機等の給電手段11の出力と可変型DC−DCコンバータ2の入力を接続するMOSFETスイッチ(P1)7と、可変型DC−DCコンバータ2の出力とコンデンサ6の入力を接続するMOSFETスイッチ(P3)9と、可変型DC−DCコンバータ2の出力と負荷回路5の入力を接続するMOSFETスイッチ(P4)10と、可変型DC−DCコンバータ2の入力とコンデンサ6を接続するMOSFETスイッチ(P2)8と、上記4つの各MOSFETスイッチを制御する制御回路4と、給電手段11の出力電圧及びコンデンサ6の電圧及び負荷回路5の入力電圧をモニタし、電圧情報を可変型DC−DCコンバータ2と制御回路4に出力する電圧検出器3から構成される。特に本発明の電源変換回路では、各回路を支持基板上に絶縁膜を介して形成された半導体膜上に形成される半導体デバイス、いわゆる完全空乏型SOIデバイスで構成した場合、その効果は非常に大きくなる。
【0020】
給電手段11はソーラーモジュールや熱電変換素子、あるいは小型ローターを用いて回転エネルギーを電力に変換する発電機である。これらの給電手段は光や熱、運動などの環境状況に応じて発電電圧や発電電力、あるいは発電持続時間が異なるため、発電した電力を最大限に活用する電源変換回路が必要となる。ここでソーラーモジュールや小型ローター発電機などは光強度や運動力が変化しなければほぼ一定の電圧を出力することができるが、熱電変換素子は熱量が一定でも出力電圧が大きく変化する。本発明の電源変換回路1は熱電変換素子のような給電手段に特に有効である。
【0021】
熱電変換素子は、例えば、P型熱電材料エレメントとN型熱電材料エレメントとが2枚の基板に挟まれ、基板上でP型熱電材料エレメントとN型熱電材料エレメントが金属等の導電性物質を介してPN接合されていて、複数個直列に、P、N、P、N、というように接続されている。この熱電変換素子は、PN接合部とPN接合部の間に温度差を与えると、温度差に応じた電位差(起電力)を生じるとともに、PN接合を増やすことにより高い発生電圧を得ることができる。上記2枚の基板間に温度差が与えられた場合の起電圧の時間変化を図2に示す。熱電変換素子の基板間に温度差が与えられた直後は、急激に電圧が上昇するが、あるピークを過ぎると電圧が下がっていって、ある値で飽和する。これは、基板間に温度差が与えられた直後は、与えられた温度差が熱電変換素子にかかるため、大きな電圧を発生させることができるが、時間が経過するにつれて一方の基板の熱がP、N型熱電材料エレメントを通してもう一方の基板に伝わるため、温度差が小さくなり、発生する電圧が小さくなってくるからである。このため、これまでの熱電変換素子では出力電圧が飽和した状態、つまり図2の発電電圧ピークを過ぎた部分でも負荷回路の動作を確保できるように、熱電材料エレメントを直列に接続し、出力電圧を確保していた。しかし、直列にエレメントを接続すれば熱電変換素子の内部抵抗増加を招き、電流を確保することが難しい。さらに直列接続を増加させるために素子が大きくなって、携帯端末に不利であるという課題も出てくる。それに対し本発明の電源変換回路は可変型DC−DCコンバータ2を有しているため、給電手段11の発電電圧が負荷回路5の動作電圧以下に下がっても、昇圧を行い、負荷回路5に一定電圧を出力する。
【0022】
可変型DC−DCコンバータ2は、コンデンサを用いたスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータから構成されるタイプとコイルを用いたLCタイプDC−DCコンバータのいずれかで構成される。
【0023】
スイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータは、電圧検出器3から送られてきた電圧検出情報を元に昇圧あるいは降圧段数を決定し、電圧変換して出力するものである。この中で、スイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータはコンデンサ同士、あるいはコンデンサと電源の並列接続、直列接続を繰り返すことによって、入力した電圧を昇圧したり降圧したりすることができる。図3(a)にスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータの基本的な昇圧回路、図3(b)にその動作模式図を示す。スイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータの結線は、入力端子21とトランジスタ22、23のドレインを接続し、トランジスタ22のソースとコンデンサ24、トランジスタ26のドレインを接続する。更にコンデンサ24のもう一方の端子とトランジスタ23のソース、トランジスタ25のドレインを接続する。トランジスタ25のソースは接地する。トランジスタ26のソースはコンデンサ27と出力端子28に接続する。そして、コンデンサ28のもう一方の端子は接地する構成である。
【0024】
昇圧の場合、電源とコンデンサを並列に接続した後、コンデンサと電源を直列接続に切り替えることによって入力電圧の2倍の電圧を得ることができる。ここではコンデンサと電源を使った2倍昇圧について説明したが、コンデンサの数を増やすことによって3倍、4倍が可能となる。また、図4(a)に示す回路を用い、図4(b)に示すような動作をすることによって、入力電圧を降圧することも可能である。スイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータの降圧回路結線は、入力端子31とトランジスタ32のドレインを接続し、トランジスタ32のソースとコンデンサ34、トランジスタ33のドレインを接続する。コンデンサ34のもう一方の端子は、トランジスタ35のドレインとトランジスタ36のドレインと接続する。トランジスタ35のソースは接地する。トランジスタ36のソースはトランジスタ33のソースと、コンデンサ37と出力端子38と接続する。そしてコンデンサ37のもう一方の端子は接地する。
【0025】
また、LC型DC−DCコンバータは、電圧検出器3から送られてきた電圧検出情報を元に、内部トランジスタのスイッチングのタイミングを変えることにより、電圧変換して出力するものである。図5にLC型DC−DCコンバータの基本的な昇圧回路図を示す。入力端子41とインダクタ44を接続し、インダクタ44のもう一方とトランジスタ42のドレイン、ダイオード43のアノードを接続する。トランジスタ42のソースは接地する。そして、ダイオード43のカソードを出力端子45と接続した構成である。ここで、トランジスタ42のゲートに電圧を印加し、トランジスタ42のソース・ドレイン間に電流を流すことで、インダクタ44に電流が流れる。その後、トランジスタ42のゲートをオフし、ソース・ドレイン間の電流を遮断することで、電磁誘導が起こり、昇圧された電圧がダイオード43を通って出力される。このトランジスタ42のゲートをオン・オフさせる制御方法として、PWM制御やPFM制御が用いられる。LC型DC−DCコンバータはゲートのオン・オフ制御周波数を変えることで任意の電圧を出力することができるというメリットがある。その一方で、インダクタなどの外付け部品が必要となるほか、低電力出力時には電源変換効率が低下するというデメリットもある。
【0026】
また、LC型DC−DCコンバータの基本的な降圧回路図は、図6に示す通りである。入力端子41とトランジスタ52のソースを接続し、トランジスタ52のドレインとインダクタ54とダイオード53のカソードを接続する。ダイオードのアノードは接地する。そして、インダクタ54のもう一方を出力端子55と接続した構成である。ここで、昇圧回路と同様にトランジスタ52のゲートをPWM制御やPFM制御でオン・オフ制御することにより、降圧されたに電圧を印加し、トランジスタ42のソース・ドレイン間に電流を流すことで、インダクタ44に電流が流れる。その後、トランジスタ42のゲートをオフし、ソース・ドレイン間の電流を遮断することで、電磁誘導が起こり、昇圧された電圧がダイオード43を通って出力される。このトランジスタ42のゲートをオン・オフさせる制御方法として、PWM制御やPFM制御が用いられる。
【0027】
可変型DC−DCコンバータでスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータを用いる場合、図3(a)や図4(a)のスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータ回路とバイパストランジスタ63を組み合わせて基本ブロック(SCブロック)62とし、図7に示すようにこのSCブロック62の入力端子64と出力端子65をカスケード接続した構成となる。
【0028】
ここでバイパストランジスタ63の役割について説明する。このトランジスタはSCブロック62の入力端子64とバイパスライン61をソース・ドレイン間で接続したトランジスタである。ゲート電極は可変型DC−DCコンバータ回路内にある制御回路と接続している。バイパストランジスタ63がONすると、SCブロック62の入力端子64とバイパスライン61が接続し、前段のSCブロック65の出力がバイパスラインに流れ込む。このため、この段のSCブロック62には電流が流れ込まず、SCブロック62の次段以降に電流が送られる。
【0029】
図8にスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータを用いた場合の可変型DC−DCコンバータの動作の一例を示す。例えば、入力端子71の電圧をそのまま出力端子72に出力するには、バイパストランジスタ(S1)73と(S3)75をONさせ、SCブロック76と77を2つパスさせることで、入力端子71の電圧をそのまま出力端子72に出力することができる。次に入力端子71の電圧の2倍の電圧を出力端子72に出力したい場合は、バイパストランジスタ(S1)73と(S2)74をONさせ、昇圧タイプのSCブロック76を1段動作させることで、入力端子71の電圧の2倍の電圧を出力端子72に出力することができる。更に、入力端子71の電圧の4倍の電圧を出力したい場合は、バイパストランジスタをすべてOFFさせ、昇圧タイプのSCブロック76と77を2段動作させることで、入力端子71の電圧の4倍の電圧を出力端子72に出力することができる。
【0030】
一方、可変型DC−DCコンバータ2にLC型DC−DCコンバータを用いた場合は、可変型DC−DCコンバータ2の入力端子と図5及び図6で示したLC型DC−DCコンバータの入力端子41及び51を接続し、可変型DC−DCコンバータ2の出力端子と図5及び図6で示したLC型DC−DCコンバータの出力端子45及び55を接続することで、可変出力を実現する。可変型DC−DCコンバータ2にスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータを用いる場合と異なり、複数個ブロックをカスケード接続する必要がないため、回路規模としてのメリットがある。
【0031】
電圧検出器3は給電手段11の出力電圧、コンデンサ6の電圧、負荷回路5の入力電圧を常にモニタし、電圧検出情報を可変型DC−DCコンバータ2や制御回路4に送る役目である。
【0032】
制御回路4は、電圧検出器3からの情報を受けて、給電手段11、可変型DC−DCコンバータ2、負荷回路5、コンデンサ6の各ブロック間に接続されているMOSFETスイッチ(P1)7から(P4)10のスイッチングを制御する回路である。
【0033】
MOSFETスイッチ(P1)7から(P4)10のトランジスタは各ブロック間を接続し、制御回路4からの制御信号を受けてスイッチング動作をする。ここで、これらのトランジスタはP型トランジスタであることが望ましい。N型トランジスタの場合、ソース・ドレイン間に電流を流すには、ゲート電圧はソースに入ってくる電圧以上に必要であるため、各トランジスタのゲートを制御するために新たに高い電圧が必要となってしまう。それに対しP型トランジスタでは、ゲート制御の信号に可変型DC−DCコンバータの出力電圧を使うことでON−OFF動作が可能であるため、新たに高い電圧を作る必要はない。
【0034】
さらに本発明のMOSFETスイッチは完全空乏型のSOIデバイスを用いることにより大きな効果を発揮する。通常、Bulkデバイスでは基板とトランジスタのソースを接続するため、電流の流れが双方向あるスイッチをMOSFETで構成する場合、ソース側とドレイン側の電圧が逆転すると電流の逆流を防ぐことができない。このためBulkデバイスでは、図9(a)に示すようにトランジスタを2個接続して逆流を防止する方法を取る。これに対し完全空乏型SOIデバイスでは、基板(ボディ領域)がフローティングの状態で動作させることが可能のため、電流の流れが双方向であるMOSFETスイッチでも図9(b)に示すように、トランジスタ1つで逆流を防止することができる。このことから、本発明のMOSFETスイッチに完全空乏型SOIデバイスを用いることで、トランジスタの数を減らすことができる。
【0035】
また完全空乏型トランジスタでは、同じしきい値電圧のトランジスタで比べた場合、リーク電流がBulkデバイスに比べて1桁低く押さえることができるため、しきい値電圧を下げることができ、MOSFETスイッチや出力ドライバのトランジスタサイズを小さくすることができる。図10に本発明の電源変換回路をBulkデバイスと完全空乏型SOIデバイスで構成した場合のチップ面積の比較を示す。完全空乏型SOIデバイスを用いることで、MOSFETスイッチや出力ドライバの面積を大幅に減少させられることがわかる。
【0036】
コンデンサ6は、可変型DC−DCコンバータ2の出力した電力を蓄える機能と、給電手段11の発電電力がなくなったときに、可変型DC−DCコンバータ2の入力に電力を供給する機能を有している。
【0037】
負荷回路5は、極低電力で動作させることが可能なアプリケーション回路である。本発明の電源変換回路1を用いるシステムは、自然エネルギーの発電電力のみで動作させることが可能なシステムのため、負荷回路5も消費電力を極力抑えた形となっている。消費電力を極力抑える技術の一つとして、完全空乏型SOIデバイスを用いた回路技術がある。
【0038】
次に本発明による電源変換回路1の動作について説明する。ここでは給電手段11として熱電変換素子を用いた場合の動作について説明するが、他の給電手段、例えばソーラーセルやゼンマイ発電でも同様である。また、この例では可変型DC−DCコンバータ2はスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータを用いたDC−DCコンバータで、昇圧段数は最大4倍と仮定して説明する。
【0039】
熱電変換素子に熱源が置かれると、出力電圧が上昇してくる。図11に示すように、熱電変換回路の出力電圧が上昇して4倍昇圧ポイントを越えると、電源検出回路3は電圧を検出し、可変型DC−DCコンバータ2や制御回路4に信号を送る。信号を受けた制御回路4ははじめすべてオフであるMOSFETスイッチのうち、MOSFETスイッチ(P1)7をオンさせ、可変型DC−DCコンバータ2に電力を送る。可変型DC−DCコンバータ2は電圧検出回路3の信号を受けて、4倍昇圧で電源変換を開始し、出力する。すると、制御回路4はMOSFETスイッチ(P4)10をオンさせ、負荷回路5に電力を送る。この時、電圧検出回路3は負荷回路5の電圧をモニタしており、負荷回路5の動作電圧を越えた電圧になった場合は制御回路4に信号を送り、MOSFETスイッチ(P4)10をオフし、MOSFETスイッチ(P3)9をオンさせる。これにより、負荷回路5の動作に必要な電力以上に送られてきた電力はコンデンサ6に蓄えられることになる。MOSFETスイッチ(P3)9と(P4)10のオンとオフを交互に繰り返すことによって、負荷回路5に一定電圧を出力しながら、コンデンサ6に余分な電力を蓄えて行く。
【0040】
次に熱電変換回路の出力電圧が更に上昇して2倍昇圧ポイント92を越えると、電源検出回路3は電圧を検出し、可変型DC−DCコンバータ2や制御回路4に信号を送る。可変型DC−DCコンバータ2は電圧検出回路3の信号を受けて、2倍昇圧で電源変換を開始し、出力する。MOSFETスイッチの動作については、上記4倍昇圧のときと同じで、MOSFETスイッチ(P3)9と(P4)10を交互にオンさせ、負荷回路5に一定電圧を出力しながら、コンデンサ6に余分な電力を蓄えて行く。
【0041】
更に熱電変換回路の出力電圧が上昇して1倍昇圧ポイント91を越えると、電源検出回路3は電圧を検出し、可変型DC−DCコンバータ2や制御回路4に信号を送る。可変型DC−DCコンバータ2は電圧検出回路3の信号を受けて、Non昇圧で電源変換を開始し、出力する。MOSFETスイッチ(P3)9及び(P4)10の動作は上記2倍、4倍と同様である。
【0042】
この後、熱電変換回路の出力電圧が低下して1倍昇圧ポイント91より低下すると可変型DC−DCコンバータは昇圧倍数は2倍に、2倍昇圧ポイント92より低下すると4倍に昇圧段数を変化させて出力する。
【0043】
そして、熱電変換回路の出力電圧が4倍昇圧ポイント93より低下すると、電源検出回路3は電圧を検出し、可変型DC−DCコンバータ2や制御回路4に信号を送る。信号を受けた制御回路4はMOSFETスイッチ(P1)7、(P3)9、(P4)10をオフし、MOSFETスイッチ(P2)8をオンさせることで、コンデンサ6に蓄えられた電力を可変型DC−DCコンバータ2の入力に送る。可変型DC−DCコンバータ2は電圧検出回路3からコンデンサ6の電圧情報を受けて、昇圧倍数を決定し、電源変換出力を行う。ここで、制御回路4はMOSFETスイッチ(P4)10をオンさせ、負荷回路5に電力を送る。この時、電圧検出回路3は負荷回路5の電圧をモニタしており、負荷回路5の動作電圧を越えた電圧になった場合は制御回路4に信号を送り、MOSFETスイッチ(P4)10をオフする。すると、負荷回路5の電圧が下がってくるので、電圧検出回路3は検出信号を制御回路4に送り、再びMOSFETスイッチ(P4)10をオンさせる。MOSFETスイッチ(P4)10のオンとオフを交互に繰り返すことによって、負荷回路5に一定電圧を出力する。
【0044】
ここで本発明と同様の構成を持つ電源変換回路では、負荷回路とコンデンサは常に接続した状態であることが多い。この場合、給電手段から電力が出力されて、可変型DC−DCコンバータに電力が送られても、コンデンサに電荷を蓄えるのに時間がかかり、それまで負荷回路は動作しないといった不具合があった。しかし、本発明の電源変換回路では可変型DC−DCコンバータ2とコンデンサ6あるいは可変型DC−DCコンバータ2と負荷回路5の間にMOSFETスイッチ(P3)9、(P4)10があり、負荷回路5の電圧状態によってMOSFETスイッチ(P3)9、(P4)10のオン、オフを切り換えているため、給電手段11からの出力電力があるとすぐに負荷回路5が動作するというメリットがある。
【0045】
更に、給電手段11が自然エネルギー源の場合、給電手段11の出力電力は外部環境変化に大きく作用される。そのため、電力が必要なときに最大の電力が取り出せるとは限らない。発電電力が大きいときに、多くの電力を取り出し、コンデンサ6に蓄えておくという考え方が本発明の特徴である。
【0046】
ここで、自然エネルギー源の出力電圧と電流の関係には最大発電効率の極大値が存在する。熱電変換素子の場合には、開放出力電圧の半分の電圧になるように電流を取り出すと、最大の発電効率が得られる。従来の電源変換回路では負荷回路の消費電力に応じて給電手段からの出力電力を決めていたため、最大の発電効率で電力を取り出していたわけではない。それに対し本発明の電源変換回路では、入力電圧に応じて可変型DC−DCコンバータ2の電圧変換倍数を設定でき、さらに負荷回路5で消費される電力以上に発電された電力はコンデンサ6に蓄えるというシステムであるため、常に自然エネルギー源の最大発電効率の状態で電力を取り出すことができる。
【0047】
このように本発明の電源変換回路1は、DC−DCコンバータの昇降圧倍数を可変とし、さらにコンデンサに蓄えた電力を再び可変型DC−DCコンバータ2に戻して負荷回路5に送ることにより、給電手段11で発電した電力を最後まで使い切ることができる。図12に、本発明の電源変換回路と従来のような固定倍数の電源変換回路で、どのくらい長く負荷回路5が動作するかを示したものである。本発明の電源変換回路を用いることにより、同じ発電電力においてこれまでの固定倍率DC−DCコンバータに比べて、1.3倍長く動作電圧を確保することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、給電手段から供給される電力を昇圧あるいは降圧する可変型DC−DCコンバータと、前記可変型DC−DCコンバータで昇降圧された電力を蓄電する蓄電手段と、前記給電手段の出力と前記可変型DC−DCコンバータの入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの出力と前記蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記可変型DC−DCコンバータの入力と前記蓄電手段の入力を接続するMOSFETスイッチと、前記各MOSFETスイッチのゲートを制御する制御回路と、前記給電手段の出力電圧及び前記蓄電手段の電圧及び前記負荷回路の入力電圧をモニタし、電圧情報を前記可変型DC−DCコンバータと前記制御回路に出力する電圧検出器を備えているため、給電手段の出力電圧が変動しても、負荷回路には常に一定の電圧が出力されるという効果がある。
【0049】
また、給電手段が自然エネルギー源の場合、出力電圧と電流の関係には最大発電効率の極大値が存在する。従来の電源変換回路では負荷回路の消費電力に応じて給電手段からの出力電力を決めていたが、本発明の電源変換回路では上記のような構成にしたため、常に自然エネルギー源の最大発電効率の状態で電力を取り出すことができ、その電力を負荷回路で消費しつつ、コンデンサに蓄電することができる。
【0050】
さらに、給電手段の出力電力が負荷回路で消費される電力以上に出力された場合は、蓄電手段に蓄えておき、給電手段の出力電力がなくなったときにその蓄えた電力を使用するので、給電手段から出力された電力をすべて使い切るという効果がある。
【0051】
また、従来の方法では蓄電手段に蓄えた電力はそのまま負荷回路に接続されていたが、本発明の電源変換回路は逐電手段に蓄えられた電力を再びDC−DCコンバータに戻して電圧変換することにより、電力を無駄なく使い切ることができるという効果がある。
【0052】
さらに、可変型DC−DCコンバータの出力と負荷回路及び蓄電手段の間にMOSFETスイッチを設けることにより、給電手段から電力が出力されるとすぐに負荷回路が動作することができるという効果がある。
【0053】
また、可変型DC−DCコンバータにスイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータとバイパストランジスタを組み合わせたブロックをカスケード接続して構成していることにより、低消費電力ICの領域においてより高い電源変換効率を示す。
【0054】
さらに、MOSFETスイッチに完全空乏型のSOIデバイスを用いることにより、通常、Bulkデバイスではソース側とドレイン側の電圧が逆転すると電流の逆流を防ぐために2個接続していたものが、トランジスタ1つで逆流を防止することができため、トランジスタの数を減らすことができるという効果がある。
【0055】
また完全空乏型トランジスタを用いることにより、リーク電流がBulkデバイスに比べて1桁低く押さえることができるため、しきい値電圧を下げることができ、MOSFETスイッチや出力ドライバのトランジスタサイズを小さくすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る電源変換回路の概略構成を示すブロック図である。
【図2】熱電変換素子の発電出力特性を示す図である。
【図3】本発明の形態に係る昇圧型のスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータの概略回路図と動作模式図である。
【図4】本発明の形態に係る降圧型のスイッチドキャパシタタイプDC−DCコンバータの概略回路図と動作模式図である。
【図5】本発明の形態に係る昇圧型のLC型DC−DCコンバータの概略回路図である。
【図6】本発明の形態に係る降圧型のLC型DC−DCコンバータの概略回路図である。
【図7】本発明の形態に係る可変型DC−DCコンバータの概略構成図である。
【図8】本発明の形態に係る可変型DC−DCコンバータの動作を示す図である。
【図9】本発明の形態に係るMOSFETスイッチの回路図である。
【図10】本発明の形態に係るMOSFETスイッチの面積効果を示す図である。
【図11】本発明の形態に係る可変型DC−DCコンバータの昇圧段数切り換え動作を示す図である。
【図12】本発明の形態に係る電源変換回路を用いた場合の負荷回路の動作持続時間を示した図である。
【図13】従来の電源変換回路を示す図である。
【符号の説明】
1 電源変換回路
2 可変型DC−DCコンバータ
3、103 電圧検出器
4 制御回路
5、105 負荷回路
6 コンデンサ
7、8、9、10 MOSFETスイッチ
11、101 給電手段
21、31、41、51、64、71 入力端子
22、23、25、26、32、33、35、36、42、52 トランジスタ
24、34、27、37 コンデンサ
28、38、45、55、65、72 出力端子
43、53 ダイオード
44、54 インダクタ
61 バイパスライン
62、76、77 SCブロック
63、73、74、75 バイパストランジスタ
91 1倍昇圧ポイント
92 2倍昇圧ポイント
93 4倍昇圧ポイント
102 DC−DCコンバータ
106 蓄電手段

Claims (5)

  1. 環境によって発電力が変動する給電手段の電力を効率よく利用するための電源変換回路であって、
    前記給電手段から供給される電力を昇圧あるいは降圧する可変型DC−DCコンバータと、
    前記可変型DC−DCコンバータで昇降圧された電力を蓄電する蓄電手段と、
    前記給電手段の出力と前記可変型DC−DCコンバータの入力の間に設けられた第1のスイッチと、
    前記可変型DC−DCコンバータの入力と前記蓄電手段の入力の間に設けられた第2のスイッチと、
    前記可変型DC−DCコンバータの出力と前記蓄電手段の入力の間に設けられた第3のスイッチと、
    前記可変型DC−DCコンバータの出力と前記負荷回路の入力の間に設けられた第4のスイッチと、
    前記給電手段の出力電圧及び前記蓄電手段の電圧及び前記負荷回路の入力電圧をモニタする電圧検出器と、
    前記電圧検出器の出力信号を受けて、前記第1から第4のスイッチを制御する制御回路と、を有し、
    前記制御回路は、
    前記電圧検出器が、前記給電手段からの供給電力を検出した場合に、前記第1及び第4の MOSFET スイッチを ON し、前記第2及び第3の MOSFET スイッチを OFF し、
    前記電圧検出器が、前記負荷回路の電圧を該負荷回路の動作電力より多いことを検出した場合に、前記第1及び第3の MOSFET スイッチを ON し、前記第2及び第4の MOSFET スイッチを OFF し、
    前記電圧検出器が、前記給電手段からの供給電力の停止を検出した場合に、前記第2及び第4の MOSFET スイッチを ON し、前記第1及び第3の MOSFET スイッチを OFF する、
    ことを特徴とする電源変換回路。
  2. 前記可変型DC−DCコンバータが、MOSFETトランジスタ4つとコンデンサ2つで構成されたスイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータと、前記スイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータの入力端子とソース端子を接続し、バイパスラインとドレイン端子を接続したバイパストランジスタから構成される請求項1記載の電源変換回路。
  3. 前記可変型DC−DCコンバータが、前記スイッチドキャパシタ型DC−DCコンバータと前記バイパストランジスタで1つのブロックを構成し、前記ブロックを複数個カスケード接続した請求項2に記載の電源変換回路。
  4. 前記可変型DC−DCコンバータが、MOSFETトランジスタとインダクタとコンデンサとダイオードから構成されている請求項1に記載の電源変換回路。
  5. 前記第1から第4のスイッチが、完全空乏型SOIデバイスで構成されたMOSFETである請求項1に記載の電源変換回路。
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