JP3872198B2 - 電子機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に係り、さらに詳しくは、給電装置からの電力を蓄電器に蓄える電子機器であって、例えば、熱電変換素子等から電力が供給される携帯電子機器などに関する。
【0002】
【従来の技術】
図4に示されるように、従来の電子機器40は、電力を供給する給電装置41と、蓄電器44から給電装置41への電力の逆流を防止する整流回路42と、給電された電力を蓄電する蓄電手段と、電子機器を駆動する電子機器駆動回路43を有していた。
【0003】
すなわち、従来の電子機器40では、給電装置から電力が供給される。給電装置41から供給された電力は整流回路42で整流され、蓄電器44に充電されると共に電子機器駆動回路43を駆動する。
そして、給電装置41から電力が供給されなかったり、あるいは、給電装置41から供給される電力の電圧が、蓄電器44に充電されている電力の電圧より低い場合、蓄電器44から電子機器駆動回路43に電力が供給される。この時、整流回路42があるため、蓄電器44から給電装置41への電力の逆流はない。
【0004】
なお、従来の電子機器40では、給電装置41の出力電圧が電子機器駆動回路43の最低動作電圧より低い場合、給電装置41の出力電力を昇圧回路で昇圧して、蓄電器44に充電したり、電子機器駆動回路43を駆動していた。また、上記の給電装置41としては、消費電力の比較的小さい携帯電子機器などに用いられる熱電変換素子やソーラーパネルなどがある。例えば、熱電変換素子は、P型とN型の半導体を用いてPN接合を行い、温度差により起電力を生じさせて発電を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の電子機器にあっては、給電装置から電力が供給されなかったり、あるいは、給電装置から供給される電力の電圧が、蓄電器に充電されている電力の電圧より低い場合、蓄電器から電子機器駆動回路に電力が供給される。
しかし、この状態で長時間、給電装置から供給される電力がなかったり、供給される電圧が蓄電器の電圧より低い状態が続くと、蓄電器に蓄えられた電力は減り続け、蓄電器の電圧は電子機器駆動回路の最低動作電圧を下回る。この時、電子機器駆動回路の動作は停止するが、電子機器駆動回路や整流回路には、依然、電子機器駆動回路の最低動作電圧より低い電圧がかかっている。そのため、電子機器駆動回路の待機リーク電流と整流回路の逆リーク電流が流れる。特に、電子機器駆動回路は、電源ラインに多くの素子が接続されており、待機リーク電流は多い。そのため、この状態が続けば、さらに蓄電器の電力は減り続け、電圧も下がっていく。
【0006】
また、蓄電器の蓄電電力も少なく、電圧も低い状態で、給電装置が立上がった場合、給電装置の供給する電力は蓄電器の充電に引っ張られ、給電装置の出力電圧は低下する。この出力電圧の低下が、電子機器駆動回路の最低動作電圧を下回ってしまうと、給電装置から電力を供給しているにもかかわらず、電子機器駆動回路が動作しないという不都合があった。この状態は、蓄電器の充電量が少ないほど顕著になる。
【0007】
ここで、蓄電器の蓄電電力も少なく、電圧も低い状態で、給電装置が立上がった場合、給電装置の出力電圧が充電器の充電に引っ張られて低下するのを防ぐために、給電装置の電力供給能力を上げればよいが、そうすると給電装置52が大型化して、携帯電子機器等に使用できなくなるという不都合があった。
本発明は、かかる従来技術の有する不都合に鑑みてなされたもので、電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路の応答性の高い電子機器を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明による電子機器は、電力を供給する給電手段と、給電手段への電力の逆流を防止する整流手段と、前記給電手段の電力を蓄電する蓄電手段と、前記給電手段、前記蓄電手段の電力で駆動する電子機器駆動回路を有するとともに、整流回路、電子機器駆動回路と蓄電手段との間に設けられ、蓄電手段に供給される電圧値が所定電圧値を越えた場合、蓄電手段の充放電を行い、蓄電手段に供給される電圧値が所定電圧値以下の場合は、整流回路、電子機器駆動回路と蓄電手段との間を遮断して制御する充放電制御回路と、を備える構成とした。
【0009】
これによれば、整流回路、電子機器駆動回路と前記蓄電手段との間に設けられた充放電制御回路は、蓄電手段に供給される電圧値が所定電圧値を越えた場合、給電手段の電力を蓄電手段に供給することで、電子機器駆動回路に供給される電力の電圧低下を防止する。また、蓄電手段に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値より高く、かつ、給電手段の出力電圧を越えた場合、蓄電手段から電子機器駆動回路に電力を供給する。このため、給電手段から供給される電圧が電子機器駆動回路の動作可能電圧を下回った時、蓄電手段の電力で動作を継続できる。さらに、蓄電手段に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値以下の場合、整流回路、電子機器駆動回路と蓄電手段との間を遮断するように制御する。このため、電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
【0010】
さらに、充放電制御回路は、しきい値電圧の絶対値が前記所定電圧値に設定された一導電型のMOSトランジスタ2つにより構成され、MOSトランジスタのソースともう一方のMOSトランジスタのソースが充放電制御回路の入力端子と出力端子にそれぞれ接続され、MOSトランジスタのドレインともう一方のMOSトランジスタのドレインを接続している構成とした。
【0011】
これによれば、充放電制御回路は、しきい値電圧の絶対値が所定電圧値に設定された一導電型のMOSトランジスタ2つにより構成されているため、充放電制御回路の入力端子側の電位が上昇してMOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値(所定電圧値)を越えた場合に、入力端子に接続されているMOSトランジスタがオンして出力端子に接続されているMOSトランジスタのドレインに電力を送る。MOSトランジスタのドレインに加えられた電力は、PN接合の順方向特性により基板接地のソース側(充放電制御回路の出力端子)に電力が送られる。
【0012】
また、充放電制御回路の出力端子側の電位が下がってしきい値電圧以下になると、出力端子に接続されたMOSトランジスタがオフする。このため、電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
また、充放電制御回路は、所定電圧値と同じ基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、基準電圧と充放電制御回路の入力電圧とを比較する比較回路と、一導電型MOSトランジスタとインバータ回路で構成され、充放電制御回路の入力端子とソースが接続され、比較回路の出力信号が充放電制御回路の入力端子を電源に持つインバータ回路を介してゲートに印加し、スイッチングを行う一導電型のMOSトランジスタと、充放電制御回路の出力端子とソースが接続され、ドレインともう一方の一導電型MOSトランジスタのドレインを接続し、比較回路の出力信号が蓄電手段を電源に持つインバータ回路を介してゲートに印加し、スイッチングを行う一導電型のMOSトランジスタと、を備えている構成とした。
【0013】
これによれば、充放電制御回路は、基準電圧発生回路と比較回路とMOSトランジスタとインバータ回路で構成されているため、基準電圧発生回路で発生させる基準電圧を変えることにより、任意の所定電圧でMOSトランジスタをスイッチングさせることができ、電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子機器の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態の電子機器は、携帯電子機器である腕時計のムーブメント等の電子機器駆動回路を駆動するための電力を、熱電変換素子を用いた給電装置から供給して駆動するようにしたものである。
【0015】
図1には、本実施の形態に係る電子機器10の概略構成を示すブロック図が示されている。図1において、電子機器10は、給電手段としての給電装置12、昇圧回路12、整流手段としてのショットキーダイオード13、電子機器駆動回路14、充放電制御回路15、蓄電手段としての蓄電器16などにより構成されている。
【0016】
ここでは、給電装置11に熱電変換素子を用いている。熱電変換素子は、例えば、P型熱電材料エレメントとN型熱電材料エレメントが2枚の基板に挟まれ、基板上でP型熱電材料エレメントとN型熱電材料エレメントが金属等の導電性物質を介してPN接合されていて、複数個直列に、P、N、P、N、というように接続されている。この熱電変換素子は、PN接合部とPN接合部の間に温度差を与えると、温度差に応じた電位差(起電力)を生じるとともに、PN接合を増やすことにより高い発生電圧を得ることができる。
【0017】
給電装置11から出力される電力は、昇圧回路12に供給される。なお、給電装置11は、上記熱電変換素子に限られるものではなく、ソーラーパネル(太陽電池板)やそれ以外のものであっても良い。
昇圧回路12は、給電装置11から供給される電力の電圧を昇圧するものである。昇圧回路12としては、コイルを用いて昇圧する方式、コンデンサを用いて昇圧する、スイッチドキャパシタ方式、チャージポンプ方式がある。ここでは、スイッチドキャパシタ方式を用いている。
【0018】
ショットキーダイオード13は、昇圧回路12と充放電制御回路15、電子機器駆動回路14の間に設けられており、蓄電器16の電力が充放電制御回路15を介して昇圧回路12に逆流し、電力ロスが生じるのを防止するものである。
充放電制御回路15は、ショットキーダイオード13と蓄電器16との間に配置されていて、昇圧回路12の出力電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vtを越えた場合、昇圧回路12の出力電力を蓄電器16に送って充電し、供給することで、電子機器駆動回路14に供給される電力の電圧低下を防止する。また、蓄電器16に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vtより高く、かつ、昇圧回路12の出力電圧を越えた場合、蓄電器16から電子機器駆動回路14に電力を供給する。これにより、昇圧回路12の出力電圧が電子機器駆動回路の最低動作電圧を下回った場合、電子機器駆動回路14は蓄電器16の電力で駆動を継続することができる。さらに、蓄電器16に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vt以下の場合、電子機器駆動回路14と蓄電器16との間を遮断するように制御する。このため、電子機器駆動回路14が停止しているときの蓄電器16の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路14の応答性を高めることができる。
【0019】
蓄電器16は、昇圧回路12で昇圧された電力がショットキーダイオード13、充放電制御回路15を介して入力されると、充電されて蓄電される。この蓄電器16に蓄電された電力は、充放電制御回路15を介して、電子機器駆動回路(ここでは、腕時計のムーブメント等)に供給することにより、駆動させることができる。
【0020】
電子機器駆動回路14は、ここでは腕時計のムーブメントを用いている。腕時計のムーブメントは、ステッピングモーターを駆動するために、ドライバビリティの大きなMOSトランジスタが用いられている。このため、電圧がかかった状態での待機時のリーク電流は大きい。
次に、本実施の形態の特徴的な構成である充放電制御回路15について詳細に説明する。この充放電制御回路15は、昇圧回路12の出力電圧が障壁電圧値Vtを越えた場合は、昇圧回路12の出力電力を蓄電器16に送って充電が行われる。これにより、充放電制御回路15の入力端子(図2、図3の21)の電圧、つまり、昇圧回路12の出力電圧が障壁電圧値Vt以上の電位に保たれるようになる。
【0021】
また、蓄電器16に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vtより高く、かつ、昇圧回路12の出力電圧を越えた場合、蓄電器16から電子機器駆動回路14に電力を供給する。これにより、昇圧回路12の出力電圧が電子機器駆動回路の最低動作電圧を下回った場合、電子機器駆動回路14は蓄電器16の電力で駆動を継続することができる。
【0022】
さらに、蓄電器16に蓄えられた電力の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vt以下の場合、電子機器駆動回路14と蓄電器16との間を遮断するように制御する。このため、電子機器駆動回路14が停止しているときの、蓄電器16から電子機器駆動回路14への待機リーク電流を抑える。また、蓄電器16の電圧は、所定電圧値としての障壁電圧値Vt以下になると電流経路を遮断されるため、長期に給電装置11から電力が供給されない限り、障壁電圧値Vtを保持する。そのため、再起動時、昇圧回路12の出力電圧が蓄電器16の充電に使われてしまって電子機器駆動回路14の電圧が上がらないという不具合や、蓄電器16の電圧が中々上がらず、昇圧回路12の出力電圧が途絶えた時、蓄電器16から電子機器駆動回路14に電力が供給されても電子機器駆動回路14の動作が停止してしまうという不具合を解決できる。
【0023】
ここで、上記した障壁電圧値Vtは、電子機器駆動回路14の最低動作電圧に設定するのが好ましい。これにより、電子機器駆動回路14の電圧は最低動作電圧を確保でき、蓄電器16に蓄えられた電力の電圧も最低動作電圧を確保するため、再起動時の電子機器駆動回路の動作応答性が高まる。
充放電制御回路15の構成としては、種々のものが考えられるが、本実施の形態では、図2及び図3にその具体例が示されている。
【0024】
図2に示される充放電制御回路15では、PMOSトランジスタ23とPMOSトランジスタ24を使い、トランジスタの特性を利用することによって、障壁電圧値Vtにおけるスイッチング動作を実現している。
図2に示されるように、充放電制御回路15は、PMOSトランジスタ23のソース(S)を入力端子21と接続し、PMOSトランジスタ23のドレイン(D)をPMOSトランジスタ24のドレイン(D)と接続し、出力端子22とPMOSトランジスタ24のソース(S)を接続し、PMOSトランジスタ23、24のゲート(G)を、共にグラウンド(以下、GND)電位とする。そして、そのPMOSトランジスタ23、24を製造する際は、当該MOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値が障壁電圧値Vtとなるようにチャネルドープにより設定する。
【0025】
このように構成したことにより、充放電制御回路15の入力端子21側の電圧が上昇してPMOSトランジスタ23のしきい値電圧の絶対値(障壁電圧値Vt)を越えたときに、PMOSトランジスタ23がオンしてPMOSトランジスタ24のドレイン(D)に電力が送られる。次に、この電力の電圧と充放電制御回路15の出力端子22の電圧に0.6V以上の差がある場合、PMOSトランジスタ24のドレイン(D)から基板にPN接合の順方向がオンするので、基板を介してPMOSトランジスタ24のソース(S)(充放電制御回路14の出力端子22)に電力が供給される。そして、PMOSトランジスタ24のソース(S)の電圧が障壁電圧値Vt以上になった時、PMOSトランジスタ24がオンしてドレイン(D)からソース(S)に電力が供給され、充放電制御回路15の出力端子22側に電力が送られて、蓄電器16に充電される。
【0026】
従って、図2の充放電制御回路15は、入力端子21側の電位を障壁電圧値Vt以上を保ちつつ、出力端子22側に電力を送って蓄電器16に効率良く充電することができる。
次に、充放電制御回路15の出力端子22の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vtより高く、かつ、充放電制御回路15の入力端子21の電圧を越えた場合は、 PMOSトランジスタ24がオンしてPMOSトランジスタ23のドレイン(D)に電力が送られる。次に、この電力の電圧と充放電制御回路15の入力端子21の電圧に0.6V以上の差がある場合、PMOSトランジスタ23のドレイン(D)から基板にPN接合の順方向がオンするので、基板を介してPMOSトランジスタ23のソース(S)(充放電制御回路14の入力端子21)に電力が供給される。そして、PMOSトランジスタ23のソース(S)の電圧が障壁電圧値Vt以上になった時、PMOSトランジスタ23がオンしてドレイン(D)からソース(S)に電力が供給され、充放電制御回路15の入力端子21側に電力が送られて、蓄電器16に蓄えられた電力が電子機器駆動回路14に供給される。
【0027】
従って、図2の充放電制御回路15は、出力端子22側の電位を障壁電圧値Vt以上を保ちつつ、入力端子21側に電力を送って電子機器駆動回路14は駆動を継続することができる。
さらに、充放電制御回路15の出力端子22の電圧が所定電圧値としての障壁電圧値Vt以下の場合、PMOSトランジスタ24がオフし、充放電制御回路15の入力端子21と出力端子22との間を遮断するように制御する。遮断することによって、蓄電器16が消費する電力は、自己放電によるロスとPMOSトランジスタ24のリーク電流だけとなる。
【0028】
従って、図2の充放電制御回路15は、出力端子22の電圧を障壁電圧値に保ち、再起動時の電子機器駆動回路15の駆動応答性を高める。
また、図2の障壁電圧値VtがPMOSトランジスタ30のしきい値電圧で決まるのに対し、図3に示される充放電制御回路15は、ゲート電位が変えられる電力供給源と接続することにより、障壁電圧値Vtを自由に設定できるようにしたものである。
【0029】
図3に示されるように、充放電制御回路15は、基準電圧発生回路31、比較回路としてのコンパレータ回路32、インバータ回路33、34、及びPMOSトランジスタ35、36などで構成されており、PMOSトランジスタ35のソース(S)を充放電制御回路15の入力端子21と接続し、PMOSトランジスタ35のドレイン(D)とPMOSトランジスタ36のドレイン(D)を接続し、PMOSトランジスタ36のソース(S)を出力端子22と接続されている。基準電圧発生回路31から出力される基準電圧は、ここでは障壁電圧値Vtに設定され、PMOSトランジスタ35、36のしきい値電圧の絶対値は、障壁電圧値Vt以下で任意に設定されている。
【0030】
また、コンパレータ回路42のプラス端子には、基準電圧発生回路31の出力電圧が入力され、マイナス端子は充放電制御回路15の入力端子21に接続されている。そして、コンパレータ回路42の出力電圧は、インバータ回路33、34に入力され、インバータ回路33の出力はPMOSトランジスタ35のゲート(G)に、インバータ回路34の出力はPMOSトランジスタ36のゲート(G)に接続されている。ここでは、コンパレータ回路32にΔVのヒステリシスを持たせて、電力をやり取りするようにしている。また、コンパレータ回路32の電源は充放電制御回路15の入力端子から供給され、インバータ回路33の電源は充放電制御回路15の入力端子から供給され、インバータ回路34の電源は充放電制御回路15の出力端子から供給される。ここで、充放電制御回路15の入力端子21の電圧をVa、出力端子22の電圧をVbとする。
【0031】
このように構成したことにより、充放電制御回路15の入力端子21の電位Vaと基準電圧発生回路31の出力電位とをコンパレータ回路32で比較し、充放電制御回路15の入力端子21の電位Vaが基準電圧発生回路31の出力電圧を越えたときに、コンパレータ回路32は信号を出力してインバータ回路33、34にHighの信号を送り、PMOSトランジスタ35、36をオンさせ、充放電制御回路15の入力端子21から出力端子22に電力が送られて蓄電器16に充電される。
【0032】
そのまま、電力が送られて充電が続くと充放電制御回路15の入力端子21側の電位が低下して、コンパレータ回路32のオフ検出電圧(障壁電圧値Vt−ヒステリシスΔV)となったときに、コンパレータ回路32は信号を出力して、PMOSトランジスタ35、36をオフすることにより(コンパレータ回路32のヒステリシスによる)、充放電制御回路15の入力端子21側の電位を一定値以上で保持することができる。
【0033】
ここでは、PMOSトランジスタ44を用いているため、トランジスタをオンさせる信号は、GND電位であり、オフさせる信号は、充放電制御回路15の入力端子21あるいは出力端子22の電位となる。
次に、充放電制御回路15の入力端子21の電位Vaと基準電圧発生回路31の出力電圧とをコンパレータ回路32で比較し、充放電制御回路15の入力端子21の電位Vaが基準電圧発生回路31の出力電圧以下のときに、コンパレータ回路32は信号を出力してインバータ回路33、34にLowの信号を送り、PMOSトランジスタ35、36をオフさせ、充放電制御回路15の入力端子21と出力端子22の接続を遮断する。
【0034】
ここで、インバータ回路33の電源を充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaから供給しているのは、充放電制御回路15の入力端子21と出力端子22の間を遮断しているときに、仮に充放電制御回路15の出力端子22の電圧Vbから供給すると、Vbの電圧が低いとPMOSトランジスタ35のゲート(G)の電位が下がり、PMOSトランジスタ35をオフできなくなるのを防ぐためである。また、インバータ回路34の電源を充放電制御回路15の出力端子22の電圧Vbから供給しているのは、充放電制御回路15の入力端子21と出力端子22の間を遮断しているときに、仮に充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaから供給すると、Vaの電圧が低いとPMOSトランジスタ36のゲート(G)の電位が下がり、PMOSトランジスタ36をオフできなくなるのを防ぐためである。
【0035】
さらに、基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32、インバータ回路33の最低動作電圧はPMOSトランジスタ35のしきい値電圧の絶対値よりも低く設定する。これは、充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaが基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32、インバータ回路33の最低動作電圧より低い場合、回路の動作は不定となって、電流経路を遮断しなければならないときにPMOSトランジスタ35がオンするのを防ぐためである。
【0036】
このように構成することによって、充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaが低くなって、基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32、インバータ回路33の動作が不定になり、PMOSトランジスタ35のゲート(G)にLowの信号が入力されても、この時の入力端子21の電圧Vaは、PMOSトランジスタ35のしきい値電圧の絶対値よりも低いため、PMOSトランジスタ35がオンすることはない。
【0037】
また、基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32の最低動作電圧はインバータ回路34の反転電圧以下に設定する。これは、充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaが基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32の最低動作電圧より低い場合、回路の動作が不定となって、電流経路を遮断しなければならないとき、PMOSトランジスタ35がオンするのを防ぐためである。
【0038】
このように構成することによって、充放電制御回路15の入力端子21の電圧Vaが低くなって、基準電圧発生回路31、コンパレータ回路32の動作が不定になり、インバータ回路34の入力側にHighの信号が入力されても、インバータ回路34の反転電圧はHigh信号の電圧以上に設定されているため、PMOSトランジスタ36のゲート(G)にLow信号を出力し、PMOSトランジスタ36をオンさせることはない。
【0039】
さらに、インバータ回路34の最低動作電圧、PMOSトランジスタ35、36のしきい値電圧の絶対値は障壁電圧値Vt(基準電圧発生回路31の出力電圧)以下に設定する。これは、前記各回路を正常に動作させるためのものである。このように構成することによって、インバータ回路34は誤動作を起こさず、PMOSトランジスタ36のオン、オフを確実に動作させる。さらに、PMOSトランジスタ35、36も上記構成にしたことで、確実なオン、オフが可能となる。
【0040】
また、電子機器駆動回路14に発振回路を内蔵している場合、該発振回路の出力クロック信号を基に間欠パルス信号を作りだし、間欠パルス信号で基準電圧発生回路31やコンパレータ回路32を動作させる。これは、基準電圧発生回路31やコンパレータ回路32の消費電力を少なくするためである。
このように構成することによって、基準電圧発生回路31やコンパレータ回路32が、電圧を検出する時だけに電流を流し、検出を行う。そのため、基準電圧発生回路31やコンパレータ回路32の消費電力を削減できる。
【0041】
なお、上記図2及び図3の充放電制御回路15は、何れもPMOSトランジスタを用いた例で説明したが、逆の導電型であるNMOSトランジスタを用いて、上記と同様に構成するものであっても勿論良い。
このように、充放電制御回路15では、MOSトランジスタを使ってスイッチングすることにより、電子機器駆動回路14が停止しているときの蓄電器16の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路14の応答性を高めることができる。
【0042】
次に、動作を説明する。図1に示されるように、給電装置11の熱電変換素子で発電された電力は、昇圧回路12を起動して、給電装置11から供給される電力を昇圧する。この昇圧された電力は、ショットキーダイオード13を介して電子機器駆動回路14、充放電制御回路15に電力が供給される。
充放電制御回路15は、入力電圧Vaが障壁電圧値Vt以上では、充放電制御回路15の入力電圧VaをVtに保ちつつ、昇圧回路12の出力電力が蓄電器16に送られるので、電子機器駆動回路14は良好な状態で回路を駆動させることができる。また、出力電圧Vbが所定電圧値としての障壁電圧値Vtより高く、かつ、入力電圧Vaの電圧を越えた場合、蓄電器16から電子機器駆動回路14に電力を供給する。これにより、昇圧回路12の出力電圧が電子機器駆動回路の最低動作電圧を下回った場合、電子機器駆動回路14は蓄電器16の電力で駆動を継続することができる。
【0043】
そして、充放電制御回路15の入力電圧が障壁電圧値Vt以下の場合は、蓄電器16と電子機器駆動回路14の間を遮断して電力を送らないので、電子機器駆動回路14が停止しているときの蓄電器16の電力消費を抑えるとともに、蓄電器16の待機時電力ロスが少ないため、再起動時の電子機器駆動回路14の応答性を高めることができる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、電力を供給する給電手段と、給電手段への電力の逆流を防止する整流手段と、前記給電手段の電力を蓄電する蓄電手段と、前記給電手段、前記蓄電手段の電力で駆動する電子機器駆動回路を有するとともに、整流回路、電子機器駆動回路と蓄電手段との間に設けられ、蓄電手段に供給される電圧値が所定電圧値を越えた場合、蓄電手段の充放電を行い、蓄電手段に供給される電圧値が所定電圧値以下の場合は、整流回路、電子機器駆動回路と蓄電手段との間を遮断して蓄電手段の充放電を制御する充放電制御回路とを備える構成としたため、電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えるとともに、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
【0045】
また、充放電制御回路を、しきい値電圧の絶対値が前記所定電圧値に設定された一導電型のMOSトランジスタ2つにより構成し、MOSトランジスタのソースともう一方のMOSトランジスタのソースが充放電制御回路の入力端子と出力端子にそれぞれ接続され、MOSトランジスタのドレインともう一方のMOSトランジスタのドレインを接続している構成としたため、充放電制御回路の入力端子側の電位を所定電圧値以上に保ちつつ、出力端子を介して蓄電手段に電力を送り、さらに電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えて、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
【0046】
また、充放電制御回路を、所定電圧値と同じ基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、基準電圧と充放電制御回路の入力電圧とを比較する比較回路と、一導電型MOSトランジスタとインバータ回路で構成し、充放電制御回路の入力端子とソースが接続され、比較回路の出力信号を、充放電制御回路の入力端子を電源に持つインバータ回路を介してゲートに印加し、スイッチングを行う一導電型のMOSトランジスタと、充放電制御回路の出力端子とソースが接続され、ドレインともう一方の一導電型MOSトランジスタのドレインを接続し、比較回路の出力信号を、蓄電手段を電源に持つインバータ回路を介してゲートに印加し、スイッチングを行う一導電型のMOSトランジスタを備えている構成としたため、充放電制御回路の入力端子側の電位を所定電圧値以上に保ちつつ、出力端子を介して蓄電手段に電力を送り、さらに電子機器駆動回路が停止しているときの蓄電器の電力消費をできるだけ抑えて、再起動時の電子機器駆動回路の応答性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示した充放電制御回路の回路構成例を示す図である。
【図3】図1に示した充放電制御回路の他の回路構成例を示す図である。
【図4】従来における電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
10、40 電子機器
11、41 給電装置
12 昇圧回路
13 ショットキーダイオード
14、43 電子機器駆動回路
15 充放電制御回路
16、44 蓄電器
21 充放電制御回路入力端子
22 充放電制御回路出力端子
23、24、35、36 PMOSトランジスタ
31 基準電圧発生回路
32 コンパレータ回路
33、 34 インバータ回路
42 整流回路
Claims (3)
- 電力を供給する給電手段と、
前記給電手段の電力を蓄電する蓄電手段と、
前記給電手段または前記蓄電手段の電力で駆動する電子機器駆動回路と、
前記電子機器駆動回路と前記蓄電手段の間に設けた、前記蓄電手段の充放電を制御する充放電制御回路と、
前記給電手段と前記電子機器駆動回路の間に設けた、前記給電手段への電力の逆流を防止する整流手段とを有する電子機器において、
前記充放電制御回路は、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタとからなり、
前記第1のMOSトランジスタは、前記電子機器駆動回路側の端子とソース及び基板を接続し、GND電位とゲートを接続し、
前記第2のMOSトランジスタは、前記蓄電手段側の端子とソース及び基板を接続し、GND電位とゲートを接続し、
かつ互いのドレインを接続した一導電型MOSトランジスタであって、
前記第1及び第2のMOSトランジスタは、前記電子機器駆動回路の最低動作電圧以上の閾値を有し、前記給電手段が前記蓄電手段に充電する場合に前記電子機器駆動回路の駆動電圧が前記閾値以下になるのを防止し、前記蓄電手段が前記電子機器駆動回路を駆動する場合に前記蓄電手段の電圧が前記閾値以下になるのを防止するように制御することを特徴とする電子機器。 - 前記給電手段は、発電手段と、前記発電手段の出力を昇圧する昇圧手段とを備えることを特徴とする請求項1記載の電子機器。
- 前記発電手段が熱電変換素子で構成することを特徴とする請求項2記載の電子機器。
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