JP4135124B2 - 配線部材の製造法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板(半導体チップ搭載用基板、フリップチップ用基板)などの高密度配線基板や、半導体、各種パッケージにおける導通抵抗検査、バーンインテストをはじめとする接触導通を要する電気的検査用基板に使用される配線部材の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント基板上への電子部品実装密度が増大しており、このため実装部の相互配置間隔が縮小している。相互結線が確保できるようにする微細配線化および多層化技術が進むに伴い、これら配線形成技術を駆使して、半導体実装基板によるパッケージの小型化が図られている。たとえば、シリコン基板上に半導体素子が集積回路化されたベアチップをこれまで、リードフレームに実装封止して、挿入部品もしくは面実装部品としてきた。これに対し、ベアチップを複数個、ひとつの基板にワイヤボンド接続またはTAB接続あるいはCCB接続し封止後、リードフレームに実装して機能化する形態であるMCMはCOB、PGA、HICの分野と特徴づけは、明確でないが、ひとつの指標として、実装基板面積に対するデバイスの面積比率が30%以上と定義されている。このような、基板はシリコンを基板とするMCMーD、セラミック系材料を基板とするMCMーC、有機材料を基板とするMCMーLに分けられる。一方、近年ではベアチップの外形寸法に限りなく、パッケージサイズに近づけるCSP技術が台頭している。
これらの、基板は所定パターンの形成を電気的なオーブンショートテストで確認する必要がある。また、パッケージとなってからは、初期不良テストのため125℃でバーンインテストが必要である。
この背景から、高温でも酸化被膜を作らず、導電性のよい検査用接触端子および安価な製造法が望まれている。
また、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板(半導体チップ搭載用基板、フリップチップ用基板)などの高密度配線基板の安価な製造法が望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板などの高密度配線基板や、半導体、各種パッケージにおける導通抵抗検査、バーンインテストをはじめとする接触導通を要する電気的検査用基板に使用される信頼性に優れる配線板の製造法及びバンプ付配線基板の安価な製造法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線部材の製造法は、
絶縁材料上の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程、
前記金属層を備える回路形成材料に貫通孔を形成する工程、
前記金属層表面に感光性レジスト層を形成する工程、
前記感光性レジスト層が形成されていない側の貫通孔から前記感光性レジストを露光・現像し、前記貫通孔及び貫通孔周りにレジスト像Aを形成する工程、
絶縁材料上の金属層を備えない側に貫通孔を塞ぐレジスト像Bを形成する工程、
前記金属層をハーフエッチングする工程、
前記レジスト像A及びレジスト像Bを除去する工程、
前記貫通孔及び貫通孔周りの金属層を含む配線パターン形状のレジスト像Cを形成する工程、
前記レジスト像Cが形成されない金属層をエッチングして、貫通孔及び貫通孔周りの金属層を含む配線を形成する工程
を備えるものである。
【0005】
【発明の実施の形態】
図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
図1に絶縁材料の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程を示す。1で示す金属層の35μmの電解銅箔または圧延銅箔が、2で示すポリイミド、あるいはガラス/エポキシ等の積層板の絶縁材料上に形成された基板を用いる。絶縁材料はセラミクス等の無機材料であっても良い。基板の構成は、両面銅箔付き基板であっても、パネルめっきされた多層板であってもよく、少なくとも片面に銅等の金属層があればよい。この銅箔表面は、必ずしも平滑である必要はなく、粗化処理されていることがのぞましい。粗化の程度を、一般に広く知られるJIS表面粗さ(B0601)に基づく粗さパラメータであらわすと、中心線平均粗さRaでは、0.05〜5μm、最大粗さRtでは1から5μmの範囲がよい。また、パラメータ表記はできないが、このような一次粗化に2次粗化を施してもよい。
【0006】
次に、図2に示すようにNCドリルマシンを用いて、例えば直径0.1mmの貫通穴3を明ける。
この後、図3に示すように基材の金属層面に、レジストフィルム4をラミネートし、このレジストフィルム上に図4に示すように反射板5をおいて、レジストのない穴から、露光する。反射板として、くもりガラス、アクリル板、アルミ板などが有効である。
【0007】
この後の現像により図5に示すレジスト像A4を形成する。これにより、フォトマスク無しで、金属層側の穴周りにレジスト像Aを形成出来る。この後、図6に示すように、裏面側に少なくとも穴がふさがれるようにレジスト像B6を形成する。 以上の工程で使用するレジストは例えば日立化成工業(株)製レジストHi―RC(商品名)、日本合成化学工業(株)製レジスト401y25(商品名)などが有効である。401y25の場合では、ロール温度110℃、ロール速度は0.6m/minの条件でレジストをラミネートする。この後、積算露光量約80mJ/cm2の露光条件で像を焼き付ける。現像は、炭酸ナトリウム溶液または、水酸化テトラメチルアンモニウムで現像する。この後望ましくは、特にレジスト4の密着を確実なものとするために100〜300mJ/cm2で後露光するとよい。
【0008】
図7にハーフエッチング(平滑エッチング)工程を示す。主成分が硫酸、過酸化水素からなる液で銅層を20〜25μmハーフエッチングする。液として例えば、三菱ガス化学社製化学研磨液SE−07(商品名)またはCPE−750(商品名)やCPS(商品名)あるいはその混合液を用いる。過酸化水素濃度は2.0〜6.0/100ml銅濃度は4.0〜10.0g/100mlに調整し、コンベアエッチング装置のシャワーリングにより液温度20〜35℃の範囲でエッチングを行う。この後、水酸化ナトリウムまたは、水酸化カリウム溶液で該レジストを剥離する。これにより、図8に示すような10〜15μmの銅層の上にリング状の穴を有するバンプ7が形成される。図9、図10に、配線パターンのレジスト形成および配線エッチング工程を示す。8で示すレジスト像Cとして、例えば日立化成工業(株)製レジストHi―RC(商品名)、日本合成化学工業(株)製レジスト401y25(商品名)をロール温度110℃でラミネートする。速度は、バンプレジスト像A形成の場合より速度を半減させ0.3m/minでラミネートする。これによりバンプ群の段差による気泡巻き込みをなくすことが出来る。この後、配線パターンのネガイメージを積算露光量約80mJ/cm2の露光条件の露光条件で焼き付ける。現像は、炭酸ナトリウム溶液または、水酸化テトラメチルアンモニウムで現像する。ポリイミヂ等の絶縁層の裏面の貫通孔の箇所には裏打ちのたけレジストを設ける(図示せず)。この後、主成分が塩化第二鉄、塩化第二銅のエッチング液、あるいはアルカリエッチング液たとえばメルストリップ社製Aプロセス液で、前記ハーフエッチングで残った厚さ10〜15μmの銅をエッチングする。この後、水酸化ナトリウムまたは、水酸化カリウム溶液でレジスト像C8を剥離し、穴の開いたリング状バンプを有する配線パターンが形成される。このあと、バンプである突起電極部を含む範囲以外は、極力ソルダレジストで保護することが望ましく、配線の断線保護に有効であり、後工程でめっきする場合はめっき面積を低減できる。ソルダレジストとして、例えば四国化成製レジストFCハードをスクリーン印刷、熱硬化する。この後、無電解または電解により、突起電極部を含むパターン上にニッケル、金の順でめっきを行う。これにより、半導体実装用基板の最小構成ができる。また、この基板を検査用基板に活用するために、金表面に日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社製厚付け用低応力ロジウムめっき液を使用して電解ロジウムをめっきすることも可能である。電解ロジウムめっきの条件は、例えば液温50〜60℃、電流密度2A/dm2、電圧4V、時間150秒である。
【0009】
【発明の効果】
本発明は、単層銅箔からエッチングでバンプを形成することが可能で、バンプを形成する電極上にバンプを形成する際に、バンプ内部に貫通孔が設けられ、バンプ内部の傾斜角度を従来より大きくできる。他のガイド穴に対するバンプの位置精度向上が望める。
【図面の簡単な説明】
【図1】 絶縁材料の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程を説明するための断面図である。
【図2】 回路形成材料にドリル穴明けする工程を説明するための断面図である。
【図3】 金属層上にレジストラミネートする工程を説明するための断面図である。
【図4】 レジスト露光を行う工程を説明するための断面図である。
【図5】 貫通孔に形成されたレジスト像Aを説明するための断面図である。
【図6】 貫通孔の裏側にレジスト像Bを形成する工程を説明するための断面図である。
【図7】 ハーフエッチングによりバンプを形成する工程を説明する断面図である。
【図8】 ハーフエッチング後レジスト像を除去し形成されるバンプの断面図である。
【図9】 金属層に形成されたバンプを含むように配線パターンレジスト像Cを形成する工程を説明するための断面図である。
【図10】 貫通孔を有するバンプと配線を示す断面図である。
【符号の説明】
1 金属層
2 絶縁層
3 ドリル穴部
4 レジスト像A
5 反射板
6 レジスト像(裏打ち)B
7 バンプ
8 レジスト像(配線パターン)C
Claims (1)
- 絶縁材料上の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程、
前記金属層を備える回路形成材料に貫通孔を形成する工程、
前記金属層表面に感光性レジスト層を形成する工程、
前記感光性レジスト層が形成されていない側の貫通孔から前記感光性レジストを露光・現像し、前記貫通孔及び貫通孔周りにレジスト像Aを形成する工程、
絶縁材料上の金属層を備えない側に前記貫通孔を塞ぐレジスト像Bを形成する工程、
前記金属層をハーフエッチングする工程、
前記レジスト像A及びレジスト像Bを除去する工程、
前記貫通孔及び貫通孔周りの金属層を含む配線パターン形状のレジスト像Cを形成する工程、
前記レジスト像Cが形成されない金属層をエッチングして、貫通孔及び貫通孔周りの金属層を含む配線を形成する工程
を備える配線部材の製造法。
Priority Applications (1)
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JP33210398A JP4135124B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 配線部材の製造法 |
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JP2000165018A JP2000165018A (ja) | 2000-06-16 |
JP4135124B2 true JP4135124B2 (ja) | 2008-08-20 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33210398A Expired - Fee Related JP4135124B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 配線部材の製造法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4135124B2 (ja) |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP33210398A patent/JP4135124B2/ja not_active Expired - Fee Related
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